DE112021006381T5 - Halbleiterbauteil - Google Patents

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Yoshizo OSUMI
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Abstract

Halbleiterbauteil mit einem Halbleiter-Steuerelement; einem ersten Ansteuerelement, einem zweiten Ansteuerelement, einem ersten Isolierelement und einem zweiten Isolierelement. In einer Draufsicht sind das erste Ansteuerelement und das zweite Ansteuerelement auf gegenüberliegenden Seiten des Halbleiter-Steuerelements angeordnet. Das erste Isolierelement ist zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem ersten Ansteuerelement angeordnet, leitet ein vom Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal an das erste Ansteuerelement weiter und stellt eine elektrische Isolierung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem ersten Ansteuerelement bereit. Das zweite Isolierelement ist zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem zweiten Ansteuerelement angeordnet, leitet ein vom Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal an das zweite Ansteuerelement weiter und stellt eine elektrische Isolierung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem zweiten Ansteuerelement bereit.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft Halbleiterbauteile.
  • STAND DER TECHNIK
  • Inverter-Vorrichtungen werden in elektronischen bzw. elektrischen Fahrzeugen und in der Unterhaltungselektronik bzw. Verbraucherelektronik eingesetzt. Eine Inverter-Vorrichtung weist mehrere Leistungshalbleitern auf, wie z.B. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs, „insulated gate bipolar transistors“) und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), und mehrere Halbleiterbauteilen, die Isolierelemente enthalten und als Ansteuerelemente für isolierte Gates („insulated gate drivers“) dienen, um Ansteuersignale für die Leistungshalbleiter zu erzeugen. Jedes Halbleiterbauteil weist ein Halbleiter-Steuerelement, ein Isolierelement und ein Ansteuerelement („drive element“) auf. Ein von einer Motorsteuerungseinheit (ECU, „engine control unit“) an die Inverter-Vorrichtung ausgegebenes Steuersignal wird in das Halbleiter-Steuerelement eines Halbleiterbauteil eingegeben. Das Halbleiter-Steuerelement konvertiert das Steuersignal in ein pulsweitenmoduliertes (PWM, „pulse width modulation“) Steuersignal um, das dann über das Isolierelement an das Ansteuerelement übertragen wird. Das Ansteuerelement erzeugt basierend auf dem PWM-Steuersignal ein Ansteuersignal („drive signal“) und gibt das resultierende Signal an einen Leistungshalbleiter weiter, um den Leistungshalbleiter mit dem gewünschten Timing ein- und auszuschalten. Durch das Ein- und Ausschalten von sechs Leistungshalbleitern zu gewünschten Zeitpunkten kann eine Inverter-Vorrichtung Wechselstrom für den Antrieb des Motors aus dem Gleichstrom erzeugen, der von einer im Fahrzeug eingebauten Batterie geliefert wird. Ein Beispiel für ein Halbleiterbauteil, das ein Isolierelement aufweist, ist beispielweise in Patentdokument 1 offenbart.
  • Eine typische Inverter-Vorrichtung weist mehrere Halbbrückenschaltungen auf, die jeweils aus zwei Leistungshalbleitern bestehen. Die Leistungshalbleiter von jeder Halbbrückenschaltung empfangen ein Ansteuersignal von einem Halbleiterbauteil. Da das in Patentdokument 1 offenbarte Halbleiterbauteil dazu dient, ein Ansteuersignal für einen Leistungshalbleiter zu erzeugen, sind zwei solcher Halbleiterbauteile pro Halbbrückenschaltung auf dem Schaltbrett („wiring board“) der Inverter-Vorrichtung angebracht. In Anbetracht des Bedarfs nach einer Verkleinerung von Inverter-Vorrichtungen ist es wünschenswert, dass das Schaltbrett so klein wie möglich ist.
  • DOKUMENT DES STANDS DER TECHNIK
  • Patentdokument
  • Patentdokument 1: JP-A-2016-207714
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Von der Erfindung zu lösendes Problem.
  • In Anbetracht der oben beschriebenen Umstände kann die vorliegende Offenbarung darauf abzielen, ein Halbleiterbauteil bereitzustellen, das es ermöglicht, den Platzbedarf auf einem Schaltbrett bzw. auf einer Leiterplatte zu reduzieren.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Die vorliegende Offenbarung stellt ein Halbleiterbauteil bereit mit: einem Halbleiter-Steuerelement; einem ersten Ansteuerelement, das von dem Halbleiter-Steuerelement auf einer ersten Seite in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung des Halbleiter-Steuerelements beabstandet angeordnet ist, wobei das erste Ansteuerelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal zu empfangen; einem zweiten Ansteuerelement, das von dem Halbleiter-Steuerelement auf einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite in der ersten Richtung beabstandet angeordnet ist, wobei das zweite Ansteuerelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal zu empfangen; einem ersten Isolierelement, das zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem ersten Ansteuerelement in der ersten Richtung angeordnet ist, wobei das erste Isolierelement dazu eingerichtet ist, ein vom Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal an das erste Ansteuerelement weiterzuleiten und eine elektrische Isolierung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem ersten Ansteuerelement bereitzustellen; einem zweiten Isolierelement, das zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem zweiten Ansteuerelement in der ersten Richtung angeordnet ist, wobei das zweite Isolierelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal an das zweite Ansteuerelement weiterzuleiten und eine elektrische Isolierung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem zweiten Ansteuerelement bereitzustellen; und einem Versiegelungsharz („sealing resin“), das das Halbleiter-Steuerelement bedeckt.
  • Vorteile der Erfindung
  • Die oben beschriebene Konfiguration kann den Platzbedarf auf einem Schaltbrett bzw. einer Leiterplatte reduzieren.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden durch die nachfolgende detaillierte Beschreibung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen deutlicher.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
    • 1 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine Draufsicht des Halbleiterbauteils aus 1 mit einem transparent dargestellten Versiegelungsharz.
    • 3 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils aus 1.
    • 4 ist eine Rückansicht des Halbleiterbauteils aus 1.
    • 5 ist eine linksseitige Ansicht des Halbleiterbauteils aus 1.
    • 6 ist eine rechtsseitige Ansicht des Halbleiterbauteils aus 1.
    • 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII der 2.
    • 8 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VIII-VIII der 2.
    • 9 ist eine Schnittansicht entlang der Linie IX-IX der 2.
    • 10 ist eine Schnittansicht entlang der Linie X-X der 2.
    • 11 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XI-XI der 1.
    • 12 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XII-XII der 1.
    • 13 ist eine Draufsicht, die ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils aus 1 zeigt.
    • 14 ist eine Draufsicht, die ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils aus 1 zeigt.
    • 15 ist eine Draufsicht, die ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils aus 1 zeigt.
    • 16 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wobei ein Versiegelungsharz als transparent dargestellt ist.
    • 17 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 18 ist eine Draufsicht eins Halbleiterbauteils gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 19 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wobei ein Versiegelungsharz als transparent dargestellt ist.
    • 20 ist eine Draufsicht eines Halbleiterbauteils gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung, wobei ein Versiegelungsharz als transparent dargestellt ist.
  • MODUS BZW. AUSFÜHRUNGSFORMEN ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Sofern nicht anders angegeben, umfassen die in der vorliegenden Offenbarung verwendeten Formulierungen wie beispielsweise „ein Objekt A ist in einem Objekt B gebildet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B gebildet“, dass „das Objekt A in direktem Kontakt mit dem Objekt B gebildet ist“ und „das Objekt A ist auf dem Objekt B gebildet, wobei ein weiteres Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“. In ähnlicher Weise, sofern nicht anders angegeben, umfassen die Formulierungen wie beispielsweise „ein Objekt A ist in einem Objekt B angeordnet“ und „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“, dass „das Objekt A in direktem Kontakt mit dem Objekt B angeordnet ist“ und „das Objekt A auf dem Objekt B angeordnet ist, wobei ein anderes Objekt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B liegt“. In ähnlicher Weise, sofern nicht andersangegeben, umfasst die Formulierung wie beispielsweise „ein Objekt A ist auf einem Objekt B angeordnet“, dass „das Objekt A auf dem Objekt B angeordnet ist mit direktem Kontakt zwischen dem Objekt A und dem Objekt B“ und „das Objekt A auf dem Objekt B angeordnet ist mit einem anderen Objekt, das zwischen dem Objekt A und dem Objekt B angeordnet ist“. Außerdem, wenn nicht anders angegeben, umfasst die Formulierung wie beispielsweise „ein Objekt A überlappt mit einem Objekt Bin einer bestimmten Richtung betrachtet“, dass „das Objekt A mit dem gesamten Objekt B in der Richtung betrachtet überlappt“ und „das Objekt A mit einem Teil des Objekts B in der Richtung betrachtet überlappt".
  • 1 bis 12 zeigen ein Beispiel für ein Halbleiterbauteil gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Ein Halbleiterbauteil A10 gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist ein Halbleiter-Steuerelement 11, ein erstes Ansteuerelement 12, ein erstes Isolierelement 13, ein zweites Ansteuerelement 14, ein zweites Isolierelement 15, ein elektrisch leitendes Trägerelement 2, mehrere Drähte 61 bis 67 und ein Versiegelungsharz („sealing resin“) 7 auf. Das elektrisch leitende Trägerelement 2 weist ein erstes Die-Pad 31, ein zweites Die-Pad 32, ein drittes Die-Pad 33, mehrere eingangsseitige Terminals 51, mehrere erste ausgangsseitige Terminals 52, mehrere zweite ausgangsseitige Terminals 53 und mehrere Pad-Abschnitte 54 bis 56 auf. Das Halbleiterbauteil A10 kann, ohne darauf beschränkt zu sein, für die Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung, beispielsweise von einem Elektrofahrzeug (z.B. eines Hybridfahrzeugs), vorgesehen sein. Das Halbleiterbauteil A10 ist nicht auf bestimmte Anwendungen oder Funktionen beschränkt. Das Halbleiterbauteil A10 kann, ohne darauf beschränkt zu sein, ein Package mit geringer Größe (SOP, „small outline package“) sein.
  • 1 ist eine Draufsicht des Halbleiterbauteils A10. 2 ist eine Draufsicht des Halbleiterbauteils A10. Der Einfachheit halber ist in 2 das Versiegelungsharz 7 transparent dargestellt und die Umrisse des Versiegelungsharzes 7 sind als Phantom dargestellt (zwei-Punkt-Strich Linien). 3 ist eine Vorderansicht des Halbleiterbauteils A10. 4 ist eine Rückansicht des Halbleiterbauteils A10. 5 ist eine linksseitige Ansicht des Halbleiterbauteils A10. 6 ist eine rechtsseitige Ansicht des Halbleiterbauteils A10. 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII der 2. 8 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VIII-VIII der 2. 9 ist eine Schnittansicht entlang der Linie IX-IX der 2. 10 ist eine Schnittansicht entlang der Linie X-X von 2. 11 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XI-XI der 1. 12 ist eine Schnittansicht entlang der Linie XII-XII der 1.
  • Das Halbleiterbauteil A10 hat in Dickenrichtung gesehen (in Draufsicht) die Form eines länglichen Rechtecks. Der Einfachheit halber wird die Dickenrichtung des Halbleiterbauteils A10 als die z-Richtung bezeichnet. Eine Richtung senkrecht zur z-Richtung und parallel zu einer Seite des Halbleiterbauteils A10 (die vertikale Richtung, wie in den 1 und 2 zu sehen), wird als x-Richtung bezeichnet. Die Richtung senkrecht zur z- und x-Richtung (die seitliche Richtung, wie in den 1 und 2 zu sehen) wird als y-Richtung bezeichnet. Die x-Richtung ist ein Beispiel für die „erste Richtung“, und die y-Richtung ist die „zweite Richtung“. Die Formen und Abmessungen des Halbleiterbauteils A10 sind nicht spezifisch eingeschränkt.
  • In einem Beispiel sind das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12, das erste Isolierelement 13, das zweite Ansteuerelement 14 und das zweite Isolierelement 15 integrale Bestandteile der Funktionalität des Halbleiterbauteils A10.
  • Wie in 2 dargestellt, ist das Halbleiter-Steuerelement 11, das auf einem Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2 (dem ersten Die-Pad 31, wie später beschrieben) angebracht ist, in x-Richtung in der Mitte des Halbleiterbauteils A10 angeordnet und in y-Richtung zur Seite y1 versetzt. Das Halbleiter-Steuerelement 11 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form, gesehen in z-Richtung. Das Halbleiter-Steuerelement 11 weist eine Schaltung zum Konvertieren eines z.B. von einem ECU eingegebenen Steuersignals in ein PWM-Steuersignal auf und weist auch eine Übertragungsschaltung zum Übertragen eines PWM-Steuersignals an das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 auf. Bei dieser Ausführungsform empfängt das Halbleiter-Steuerelement 11 ein Steuersignal für die High-Seite und ein Steuersignal für die Low-Seite und überträgt ein PWM-Steuersignal für die High-Seite an das erste Ansteuerelement 12 und ein PWM-Steuersignal für die Low-Seite an das zweite Ansteuerelement 14.
  • Wie in 2 gezeigt, ist das erste Ansteuerelement 12, das auf einem Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2 (dem zweiten Die-Pad 32, wie später beschrieben) angebracht ist, an dem Ende des Halbleiterbauteils A10 angeordnet, das in x-Richtung auf der xl-Seite liegt. In der y-Richtung ist das erste Ansteuerelement 12 zur y2-Seite hin versetzt. Das erste Ansteuerelement 12 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form, gesehen in z-Richtung. Das erste Ansteuerelement 12 weist eine Empfangsschaltung auf, um ein vom Halbleiter-Steuerelement 11 übertragenes PWM-Steuersignal zu empfangen, und eine Schaltung, zum Ausgeben eines Ansteuersignals (einen Gate-Treiber) zum Ansteuern eines Schaltelements (z.B. IGBT oder MOSFET) basierend auf dem empfangenen PWM-Steuersignal. Das erste Ansteuerelement 12 treibt bzw. steuert ein High-Side-Schaltelement an.
  • Wie in 2 gezeigt, ist das zweite Ansteuerelement 14, das auf einem Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2 (dem dritten Die-Pad 33, wie später beschrieben) angebracht ist, an dem Ende des Halbleiterbauteils A10 angeordnet, das in x-Richtung auf der x2-Seite liegt. In y-Richtung ist das zweite Ansteuerelement 14 zur y2-Seite hin versetzt. Das zweite Ansteuerelement 14 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form, gesehen z-Richtung. Das zweite Ansteuerelement 14 weist eine Empfangsschaltung auf, um ein vom Halbleiter-Steuerelement 11 übertragenes PWM-Steuersignal zu empfangen, und eine Schaltung zum Ausgeben eines Ansteuersignals (ein Gate-Treiber) zum Ansteuern eines Schaltelements basierend auf dem empfangenen PWM-Steuersignal. Das zweite Ansteuerelement 14 treibt bzw. steuert ein Low-Side-Schaltelement an.
  • Bei dieser Ausführungsform steuert das erste Ansteuerelement 12 ein High-Side-Schaltelement basierend auf einem High-Side-PWM-Steuersignal an, und das zweite Ansteuerelement 14 treibt ein Low-Side-Schaltelement basierend auf einem Low-Side-PWM-Steuersignal an. In einem alternativen Beispiel kann das erste Ansteuerelement 12 ein Low-Side-Schaltelement basierend auf einem Low-Side-PWM-Steuersignal ansteuern, und das zweite Ansteuerelement 14 kann ein High-Side-Schaltelement basierend auf einem High-Side-PWM-Steuersignal ansteuern.
  • Wie in 2 dargestellt, ist das erste Isolierelement 13, das auf einem Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2 (dem ersten Die-Pad 31) angebracht ist, in y-Richtung in der Mitte bzw. dem Zentrum des Halbleiterbauteils A10 angeordnet. In der x-Richtung ist das erste Isolierelement 13 auf der x2-Seite in Bezug auf das erste Ansteuerelement 12 und auf der xl-Seite in Bezug auf das Halbleiter-Steuerelement 11 angeordnet. Das heißt, das erste Isolierelement 13 ist in x-Richtung zwischen dem ersten Ansteuerelement 12 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 angeordnet. Das erste Isolierelement 13 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form, gesehen in z-Richtung. Das erste Isolierelement 13 ist bereitgestellt zur Übertragung eines PWM-Steuersignals in einem isolierten Zustand. Das erste Isolierelement 13 empfängt über die Drähte 64 ein PWM-Steuersignal von dem Halbleiter-Steuerelement 11 und überträgt das empfangene PWM-Steuersignal über die Drähte 65 in einem isolierten Zustand an das erste Ansteuerelement 12. Das heißt, das erste Isolierelement 13 stellt eine Signalübertragung zwischen dem ersten Ansteuerelement 12 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 bereit und sorgt gleichzeitig für eine elektrische Isolierung zwischen dem ersten Ansteuerelement 12 und dem Halbleiter-Steuerelement 11.
  • Bei dieser Ausführungsform ist das erste Isolierelement 13 von einem induktiv koppelnden Typ. Ein Isolierelement mit induktiver Kopplung implementiert eine isolierte Übertragung von Signalen durch induktive Kopplung zweier Induktoren (Spulen). Das erste Isolierelement 13 weist ein Substrat aus Si und Induktoren bzw. Spulen aus Cu auf dem Substrat auf. Die Induktoren weisen einen sendeseitigen Induktor und einen empfangsseitigen Induktor auf, die in der Dickenrichtung (z-Richtung) des ersten isolierenden Elements 13 gestapelt bzw. übereinander angeordnet sind. Zwischen dem sendeseitigen Induktor und dem empfangsseitigen Induktor befindet sich eine dielektrische Schicht, z.B. aus SiO2. Die dielektrische Schicht isoliert den sendeseitigen Induktor und den empfangsseitigen Induktor elektrisch. Obwohl das erste Isolierelement 13 bei dieser Ausführungsform von induktivem Typ ist, kann das erste Isolierelement 13 auch von kapazitivem Typ sein. Ein Kondensator ist ein Beispiel für ein isolierendes Element vom kapazitiven Typ.
  • Wie in 2 dargestellt, ist das zweite Isolierelement 15, das auf einem Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2 (dem ersten Die-Pad 31) angebracht ist, in y-Richtung in der Mitte bzw. dem Zentrum des Halbleiterbauteils A10 angeordnet. In der x-Richtung ist das zweite Isolierelement 15 auf der xl-Seite in Bezug auf das zweite Ansteuerelement 14 und auf der x2-Seite in Bezug auf das Halbleiter-Steuerelement 11 angeordnet. Das heißt, das zweite Isolierelement 15 ist in x-Richtung zwischen dem zweiten Ansteuerelement 14 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 angeordnet. Das zweite Isolierelement 15 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form, gesehen in z-Richtung. Das zweite Isolierelement 15 ist bereitgestellt zur Übertragung eines PWM-Steuersignals in einem isolierten Zustand. Das zweite Isolierelement 15 empfängt über die Drähte 66 ein PWM-Steuersignal von dem Halbleiter-Steuerelement 11 und überträgt das empfangene PWM-Steuersignal über die Drähte 67 in einem isolierten Zustand an das zweite Ansteuerelement 14. Das heißt, das zweite Isolierelement 15 stellt eine Signalübertragung zwischen dem zweiten Ansteuerelement 14 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 bereit und sorgt gleichzeitig für eine elektrische Isolierung zwischen dem zweiten Ansteuerelement 14 und dem Halbleiter-Steuerelement 11. Bei dieser Ausführungsform ist das zweite Isolierelement 15 von einem induktiv koppelnden Typ wie das erste Isolierelement 13. Alternativ kann das zweite Isolierelement 15 auch von einem kapazitiven Typ sein.
  • Das Halbleiter-Steuerelement 11 überträgt über das erste Isolierelement 13 ein High-Side-PWM-Steuersignal an das erste Ansteuerelement 12 und über das zweite Isolierelement 15 ein Low-Side-PWM-Steuersignal an das zweite Ansteuerelement 14. Andere Signale als die PWM-Steuersignale können auch von dem Halbleiter-Steuerelement 11 über das erste Isolierelement 13 an das erste Ansteuerelement 12 und über das zweite Isolierelement 15 an das zweite Ansteuerelement 14 übertragen werden. Signale können auch vom ersten Ansteuerelement 12 über das erste Isolierelement 13 an das Halbleiter-Steuerelement 11 übertragen werden. Signale können auch Signale vom zweiten Ansteuerelement 14 Über das zweite Isolierelement 15 an das Halbleiter-Steuerelement 11 übertragen werden. Es versteht sich, dass die von dem ersten Ansteuerelement 12 und dem zweiten Ansteuerelement 14 an das Halbleiter-Steuerelement 11 übertragenen Signale jegliche geeignete Information enthalten kann und nicht spezifisch begrenzt sind.
  • Im Allgemeinen handelt es sich bei der Motoransteuerschaltung, die in einer Inverter-Vorrichtung bzw. einem Wechselrichterbauteil zum Beispiel für ein Hybridfahrzeugs verwendet wird, um eine Halbbrückenschaltung, die aus einem Low-Side-Schaltelement und einem High-Side-Schaltelement zusammengesetzt, die durch eine Totempfahl-Konfiguration verbunden sind. Bei einem Treiber mit isoliertem Gate wird nur eines von dem Low-Side-Schaltelement und dem High-Side-Schaltelement zu einem beliebigen Zeitpunkt eingeschaltet (turned ON). Im Hochspannungsbereich sind die Source des Low-Side-Schaltelements und die Referenzspannung des Treibers mit isoliertem Gate zum Ansteuern des Low-Side-Schaltelements mit Masse verbunden, so dass die Einstellung der Gate-Source-Spannung relativ zur Masse erfolgt. Andererseits sind die Source des High-Side-Schaltelements und die Referenzspannung des Treibers mit isoliertem Gate zum Ansteuern des High-Side-Schaltelements mit dem Ausgangsknoten der Halbbrückenschaltung verbunden. Das Potential an dem Ausgangsknoten der Halbbrückenschaltung ändert sich in Abhängigkeit davon, welches von dem Low-Side-Schaltelement und das High-Side-Schaltelement eingeschaltet ist, so dass sich das Referenzpotential des High-Side-Treibers mit isoliertem Gate ebenfalls ändert. Wenn das High-Side-Schaltelement eingeschaltet ist, entspricht das Referenzpotential der Spannung, die am Drain des High-Side-Schaltelements anliegt (z.B. 600 V oder höher). Bei dem Halbleiterbauteil A10 wird das erste Ansteuerelement 12 als Treiber mit isoliertem Gate zum Ansteuern eines High-Side-Schaltelements verwendet. Da das erste Ansteuerelement 12 und das Halbleiter-Steuerelement 11 mit unterschiedlichen Massen verbunden sind, um eine Isolierung zu gewährleisten, kann das erste Ansteuerelement 12 einer transienten Spannung von 600 V oder mehr gegenüber der Masse des Halbleiter-Steuerelements 11 ausgesetzt sein. In Anbetracht einer so großen Potentialdifferenz zwischen dem ersten Ansteuerelement 12 und dem Halbleiter-Steuerelement 11, weist die Halbleiterbauteil A10 das erste Isolierelement 13 auf, das die eingangsseitige Schaltung mit dem Halbleiter-Steuerelement 11 und die erste ausgangsseitige Schaltung mit dem ersten Ansteuerelement 12 elektrisch isoliert. Das heißt, das erste Isolierelement 13 stellt eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung, die auf einem niedrigeren Potential liegt, und der ersten ausgangsseitigen Schaltung, die auf einem höheren Potential liegt, bereit. Außerdem weist das Halbleiterbauteil A10 zusätzlich das zweite Isolierelement 15 auf, das die eingangsseitige Schaltung mit dem Halbleiter-Steuerelement 11 und die zweite ausgangsseitige Schaltung mit dem zweiten Ansteuerelement 14 elektrisch isoliert. Das heißt, das zweite Isolierelement 15 stellt eine elektrische Isolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung, die auf niedrigerem Potential liegt, und der zweiten ausgangsseitigen Schaltung, die auf höherem Potential liegt, bereit.
  • Mehrere nicht dargestellte Elektroden sind auf den Oberflächen (den Oberflächen auf der zl-Seite) des Halbleiter-Steuerelements 11, des ersten Ansteuerelements 12, des ersten Isolierelements 13, des zweiten Ansteuerelements 14 und des zweiten Isolierelements 15 bereitgestellt. In der x-Richtung sind das erste Ansteuerelement 12, das erste Isolierelement 13, das Halbleiter-Steuerelement 11, das zweite Isolierelement 15 und das zweite Ansteuerelement 14 in der angegebenen Reihenfolge von der xl-Seite zur x2-Seite angeordnet. In der y-Richtung gesehen überlappen sich das erste Ansteuerelement 12, das erste Isolierelement 13, das Halbleiter-Steuerelement 11, das zweite Isolierelement 15 und das zweite Ansteuerelement 14 nicht, und zwischen ihnen ist ein angemessener Abstand bereitgestellt. Das erste Isolierelement 13 hat eine Mitte („center“) 13a zwischen der Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11 und der Mitte 12a des ersten Ansteuerelements 12 in der y-Richtung. Das zweite Isolierelement 15 hat eine Mitte 15a zwischen der Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11 und der Mitte 14a des zweiten Ansteuerelements 14 in der y-Richtung. Das heißt, in z-Richtung gesehen, sind das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12, das erste Isolierelement 13, das zweite Ansteuerelement 14 und das zweite Isolierelement 15 in Form eines Buchstabens V angeordnet, der in y-Richtung zur Seite y2 hin offen ist.
  • Das elektrisch leitende Trägerelement 2 bildet Leitungswege („conduction paths“), die das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 des Halbleiterbauteils A10 mit der Leiterplatte („wiring board“) einer Inverter-Vorrichtung verbinden. Das elektrisch leitende Trägerelement 2 kann zum Beispiel aus einer Cu-haltigen Legierung hergestellt sein. Das elektrisch leitende Trägerelement 2 ist aus einem Anschlussrahmen („Leadframe“) 80 gebildet, der später noch beschrieben wird. Das elektrisch leitende Trägerelement 2 stützt bzw. trägt das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12, das erste Isolierelement 13, das zweite Ansteuerelement 14 und das zweite Isolierelement 15, die daran angebracht sind. Wie in 2 gezeigt, weist das elektrisch leitende Trägerelement 2 das erste Die-Pad 31, das zweite Die-Pad 32, das dritte Die-Pad 33, die eingangsseitigen Terminals 51, die ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 und die Pad-Abschnitte 54 bis 56 auf.
  • Das erste Die-Pad 31 ist in der Mitte des Halbleiterbauteils A10 in x-Richtung angeordnet und in y-Richtung zur y1-Seite versetzt. Das zweite Die-Pad 32 ist auf der xl-Seite in x-Richtung in Bezug auf das erste Die-Pad 31 angeordnet und vom ersten Die-Pad 31 beabstandet. Das dritte Die-Pad 33 ist auf der x2-Seite in x-Richtung in Bezug auf das erste Die-Pad 31 angeordnet und von dem ersten Die-Pad 31 beabstandet.
  • Wie in 2, 7, 9 und 10 gezeigt, sind auf dem ersten Die-Pad 31 das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Isolierelement 13 und das zweite Isolierelement 15 angebracht. Das erste Die-Pad 31 ist elektrisch mit dem Halbleiter-Steuerelement 11 verbunden und ist ein Element der oben beschriebenen eingangsseitigen Schaltung. Das erste Die-Pad 31 kann eine rechteckige (oder im Wesentlichen rechteckige), in x-Richtung längliche Form haben, gesehen in z-Richtung. Das erste Die-Pad 31 hat eine Vorderfläche 311 und eine Rückfläche 312. Die Vorderfläche 311 und die Rückfläche 312 sind in z-Richtung voneinander beabstandet, wie in den 7, 9 und 10 gezeigt. Die Vorderfläche 311 befindet sich auf der z1-Seite und die Rückfläche 312 auf der z2-Seite. Sowohl die Vorderfläche 311 als auch die Rückfläche 312 sind flach (oder im Wesentlichen flach). Wie in den 2, 7, 9 und 10 gezeigt, sind das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Isolierelement 13 und das zweite Isolierelement 15 jeweils durch eine Bondschicht 69 mit der Vorderfläche 311 des ersten Die-Pads 31 verbunden. Die Bondschicht 69 wird durch Verfestigung („solidifying“) einer Metallpaste, wie z.B. Ag, hergestellt. Die Bondschicht 69 ist nicht auf dieses Beispiel beschränkt und kann auch aus einer Paste aus Lötmittel oder gesintertem Metall oder sogar aus einer Isolierschicht hergestellt werden.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das erste Die-Pad 31 mehrere Vorsprünge („protrusions“) 313 und mehrere Vertiefungen bzw. Ausnehmungen bzw. Nuten („grooves“) 314 auf. Wie in 2 gezeigt, ragen die Vorsprünge 313 in y-Richtung von der Seitenfläche des ersten Die-Pads 31 auf der y2-Seite in y-Richtung vor. Bei dieser Ausführungsform sind drei Vorsprünge 313 in gleichen Abständen in x-Richtung bereitgestellt. Die Vorsprünge 313 sind nicht vom Versiegelungsharz 7 freigelegt. Die Vorsprünge 313 sind die Abschnitte, an denen das erste Die-Pad 31 während des Drahtbondens in einem Herstellungsprozess festgeklemmt und festgehalten wird. Ein Draht 61c, der später beschrieben wird, ist mit dem mittleren der Vorsprünge 313 in x-Richtung verbunden. Das erste Die-Pad 31 kann mit einer Plattierungsschicht („plating layer“) versehen sein, die den Bereich der Vorderfläche 311 abdeckt, der mit dem mittleren Vorsprung 313 korrespondiert. Die Plattierungsschicht kann z.B. aus Ag-haltigem Metall bestehen. Die Plattierungsschicht dient dazu, die Festigkeit des Bondens mit dem Draht 61c zu erhöhen und den Anschlussrahmen 80 (später beschrieben) beim Bonden des Drahtes 61c vor Stößen oder Schlägen zu schützen.
  • Wie in 2 und 10 gezeigt, ist jede Vertiefung 314 von der Vorderfläche 311 in z-Richtung zurückversetzt („recessed“) und erstreckt sich in y-Richtung. Bei dieser Ausführungsform weisen die mehreren Vertiefungen 314 drei Vertiefungen auf, die in y-Richtung an einem Ort zwischen dem Halbleiter-Steuerelement 11 und dem ersten Isolierelement 13 in x-Richtung angeordnet bzw. ausgerichtet sind, und drei weitere, die an einem Ort zwischen dem Halbleiter-Steuerelement 11 und dem zweiten Isolierelement 15 angeordnet bzw. ausgerichtet sind. Bei dieser Ausführungsform werden die Vertiefungen 314 durch Halbätzen („half-etching“) gebildet. Das Verfahren zum Bilden der Vertiefungen 314 ist nicht auf das Halbätzverfahren beschränkt. Die Vertiefungen 314 können zum Beispiel durch ein Stempel- bzw. Prägeverfahren gebildet werden, bei dem geeignete Abschnitte der Vorderfläche 311 eingedrückt werden. Die Vertiefungen 314 werden bereitgestellt, um die Haftung des Versiegelungsharzes 7 auf dem ersten Die-Pad 31 zu verbessern. Die Formen, Orte und Anzahl der bereitzustellenden Vertiefungen 314 sind nicht speziell beschränkt. In einem Beispiel können die Vertiefungen 314 das erste Die-Pad 31 in z-Richtung penetrieren bzw. durchdringen. In einem anderen Beispiel kann das erste Die-Pad 31 ohne die Vertiefungen 314 sein.
  • Wie in den 2, 8 und 10 gezeigt, ist auf dem zweiten Die-Pad 32 das erste Ansteuerelement 12 angebracht. Das zweite Die-Pad 32 ist elektrisch mit dem ersten Ansteuerelement 12 verbunden und ist ein Element der oben beschriebenen ersten ausgangsseitigen Schaltung. Das zweite Die-Pad 32 kann in z-Richtung gesehen eine rechteckige (oder im Wesentlichen rechteckige) Form haben. Das zweite Die-Pad 32 hat eine Vorderfläche 321 und eine Rückfläche 322. Die Vorderfläche 321 und die Rückfläche 322 sind in z-Richtung voneinander beabstandet, wie in den 8 und 10 gezeigt. Die Vorderfläche 321 befindet sich auf der zl-Seite und die Rückfläche 322 auf der z2-Seite. Sowohl die Vorderfläche 321 als auch die Rückfläche 322 sind flach (oder im Wesentlichen flach). Wie in den 8 und 10 gezeigt, ist das erste Ansteuerelement 12 durch eine Bondschicht 69 mit der Vorderfläche 321 des zweiten Die-Pads 32 verbunden. Wie in 2 gezeigt, ist ein Draht 62a, der später noch beschrieben wird, an einer vom ersten Ansteuerelement 12 entfernten Stelle auf der y2 Seite in der y-Richtung auf der Vorderfläche 321 gebondet. Das zweite Die-Pad 32 kann mit einer Plattierungsschicht versehen sein, die einen Bereich der Vorderfläche 321 bedeckt, an den der Draht 62a gebondet ist. Die Plattierungsschicht kann z.B. aus Ag-haltigem Metall bestehen. Die Plattierungsschicht dient dazu, die Festigkeit des Bondens mit dem Draht 62a zu erhöhen und den Anschlussrahmen 80 (später beschrieben) beim Bonden des Drahtes 62a vor Stößen oder Schlägen zu schützen.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das zweite Die-Pad 32 einen Vorsprung 323 auf. Wie in 2 gezeigt, ragt der Vorsprung 323 von der Seitenfläche des zweiten Die-Pads 32 auf der xl-Seite in x-Richtung vor. Auf der Seitenfläche ist der Vorsprung 323 zur y1-Seite in y-Richtung versetzt. Der Vorsprung 323 ist nicht vom Versiegelungsharz 7 freigelegt. Der Vorsprung 323 ist ein Abschnitt, an dem das zweite Die-Pad 32 während des Drahtbondens in einem Herstellungsprozess festgeklemmt und festgehalten wird.
  • Wie in den 2 und 10 gezeigt, ist auf dem dritten Die-Pad 33 das zweite Ansteuerelement 14 angebracht. Das dritte Die-Pad 33 ist elektrisch mit dem zweiten Ansteuerelement 14 verbunden und ist ein Element der oben beschriebenen zweiten ausgangsseitigen Schaltung. Das dritte Die-Pad 33 kann in z-Richtung gesehen eine rechteckige (oder im Wesentlichen rechteckige) Form haben. Das dritte Die-Pad 33 hat eine Vorderfläche 331 und eine Rückfläche 332. Die Vorderfläche 331 und die Rückfläche 332 sind in z-Richtung voneinander beabstandet, wie in 10 gezeigt. Die Vorderfläche 331 befindet sich auf der z1-Seite und die Rückfläche 332 auf der z2-Seite. Sowohl die Vorderfläche 331 als auch die Rückfläche 332 sind flach (oder im Wesentlichen flach). Wie in 10 gezeigt, ist das zweite Ansteuerelement 14 durch eine Bondschicht 69 mit der Vorderfläche 331 des dritten Die-Pads 33 verbunden. Wie in 2 gezeigt, ist ein Draht 63a, der später beschrieben wird, an einer vom zweiten Ansteuerelement 14 entfernten Stelle auf der y2 Seite in der y-Richtung auf die Oberfläche 331 gebondet. Das dritte Die-Pad 33 kann mit einer Plattierungsschicht versehen sein, die einen Bereich der Vorderfläche 321 bedeckt, auf den der Draht 63a gebondet ist. Die Plattierungsschicht kann z.B. aus Ag-haltigem Metall bestehen. Die Plattierungsschicht dient dazu, die Festigkeit des Bondens mit dem Draht 63a zu erhöhen und den Anschlussrahmen 80 (später beschrieben) beim Bonden des Drahtes 63a vor Stößen oder Schlägen zu schützen.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das dritte Die-Pad 33 einen Vorsprung 333 auf. Wie in 2 gezeigt, ragt der Vorsprung 333 von der Seitenfläche des dritten Die-Pads 33 auf der x2-Seite in x-Richtung vor. Auf der Seitenfläche ist der Vorsprung 333 zur y1-Seite in y-Richtung versetzt. Der Vorsprung 333 ist nicht vom Versiegelungsharz 7 freigelegt. Der Vorsprung 333 ist ein Abschnitt, an dem das dritte Die-Pad 33 während des Drahtbondens in einem Herstellungsprozess festgeklemmt und festgehalten wird.
  • Die eingangsseitigen Terminals 51 bilden Leitungswege, die das Halbleiterbauteil A10 mit der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung verbinden, wenn sie mit der Leiterplatte verbunden sind. Die eingangsseitigen Terminals 51, die wie erforderlich elektrisch mit dem Halbleiter-Steuerelement 11 verbunden sind, sind Komponenten der oben beschriebenen eingangsseitigen Schaltung. Wie in den 1, 2 und 5 gezeigt, sind die eingangsseitigen Terminals 51 in x-Richtung in gleichen Abständen voneinander angeordnet. Die eingangsseitigen Terminals 51 sind in Bezug auf das erste Die-Pad 31 in y-Richtung auf der y1-Seite angeordnet und ragen auf der y1-Seite in y-Richtung aus dem Versiegelungsharz 7 heraus (die Seitenfläche 73, wie später beschrieben). Die eingangsseitigen Terminals 51 weisen einen Stromversorgungsanschluss („power supply terminal“) zum Empfangen einer Versorgungsspannung, einen Erdungs- bzw. Masseanschluss und einen Eingangsanschluss („input terminal“) zum Empfangen eines Steuersignals auf. Bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A10 acht eingangsseitige Terminals 51 auf, ist aber nicht darauf beschränkt. Auch die Signale, die in die eingangsseitigen Terminals 51 eingegeben und von ihnen ausgegeben werden, sind nicht speziell beschränkt.
  • Jedes eingangsseitige Terminal 51 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form und weist einen vom Versiegelungsharz 7 freiliegenden Abschnitt und einen mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckten Abschnitt auf. Wie in den 7 bis 9 gezeigt, ist der Abschnitt jedes eingangsseitigen Terminals 51, der aus dem Versiegelungsharz 7 exponiert ist, zu einem Flügelträgerprofil („gull-wing profile“) gebogen. Jedes eingangsseitige Terminal 51 kann mit einer Plattierungsschicht versehen sein, die einen vom Versiegelungsharz 7 freigelegten Abschnitt abdeckt. Die Plattierungsschicht kann aus einer Sn-haltigen Legierung, wie z.B. Lötmittel („solder“), bestehen und deckt den aus dem Versiegelungsharz 7 freigelegten Abschnitt ab. Die Plattierungsschicht verbessert die Haftung des Lötmittels an dem freiliegenden Abschnitt, wenn das Halbleiterbauteil A10 an die Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung gelötet wird, und verhindert eine Erosion des freiliegenden Abschnitts, die durch das Lötmittel verursacht werden kann. Die mehreren eingangsseitigen Terminals 51 weisen die eingangsseitigen Terminals 51a, 51b, 51c und 51d auf. Das eingangsseitige Terminal 51a ist dasjenige der eingangsseitigen Terminals 51, das in x-Richtung am entferntesten bzw. am weitesten auf der xl-Seite angeordnet ist. Das eingangsseitige Terminal 51b ist dasjenige der eingangsseitigen Terminals 51, das in x-Richtung am weitesten auf der x2-Seite angeordnet ist. Das eingangsseitige Terminal 51c ist das vierte der eingangsseitigen Terminals 51, gezählt von dem in x-Richtung auf der xl-Seite am weitesten entfernten. Das eingangsseitige Terminal 51d ist das fünfte der eingangsseitigen Terminals 51, gezählt von dem in x-Richtung auf der xl-Seite am weitesten entfernten. Das heißt, die eingangsseitigen Terminals 51c und 51d sind das Paar von Terminals, das unter den mehreren eingangsseitigen Terminals 51 in x-Richtung in der Mitte angeordnet ist. Die eingangsseitigen Terminals 51c und 51d sind mit dem ersten Die-Pad 31 verbunden und stützen bzw. tragen das erste Die-Pad 31.
  • Jedes eingangsseitige Terminals 51, mit Ausnahme der eingangsseitigen Terminals 51c und 51d, ist mit einem Pad-Abschnitt 54 am Ende auf der y2-Seite in der y-Richtung verbunden. Obwohl die Formen der Pad-Abschnitte 54 in z-Richtung gesehen nicht speziell beschränkt sind, hat bei dieser Ausführungsform jeder Pad-Abschnitt 54 eine längliche Form, die sich in Richtung des ersten Die-Pads 31 erstreckt. Jeder Pad-Abschnitt 54 hat eine flache (oder im Wesentlichen flache) Oberfläche (die Oberfläche auf der zl-Seite), und ein Draht 61 ist daran gebondet. Die Oberfläche jedes Pad-Abschnitts 54 kann plattiert sein. Die Plattierungsschicht kann z.B. aus Ag-haltigem Metall bestehen und bedeckt die Oberfläche des Pad-Abschnitts 54. Die Plattierungsschicht dient dazu, die Festigkeit des Bondens mit dem Draht 61 zu erhöhen und den Anschlussrahmen 80 vor Stößen oder Schlägen zu schützen, die beim Bonden des Drahtes 61 zu erwarten sind. Die Pad-Abschnitte 54 sind vollständig mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt. Die mehreren Pad-Abschnitte 54 weisen einen Pad-Abschnitt 54a und einen Pad-Abschnitt 54b auf. Der Pad-Abschnitt 54a ist mit dem eingangsseitigen Terminal 51a verbunden. Der Pad-Abschnitt 54b ist mit dem eingangsseitigen Terminal 51b verbunden.
  • Ähnlich wie die eingangsseitigen Terminals 51 bilden die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 Leitungswege, die das Halbleiterbauteil A10 mit der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung verbinden, wenn sie mit der Leiterplatte verbunden sind. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die wie erforderlich elektrisch mit dem ersten Ansteuerelement 12 verbunden sind, sind Komponenten der oben beschriebenen ersten ausgangsseitigen Schaltung. Wie in den 1, 2 und 6 gezeigt, sind die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 in x-Richtung in gleichen Abständen voneinander angeordnet. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 sind in Bezug auf das zweite Die-Pad 32 in y-Richtung auf der y2-Seite angeordnet und ragen in auf der y2-Seite y-Richtung aus dem Versiegelungsharz 7 heraus (die Seitenfläche 74, wie später beschrieben). Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 weisen einen Stromversorgungsanschluss zum Empfangen einer Versorgungsspannung, einen Masseanschluss und einen Ausgangsanschluss („output terminal“) zum Ausgeben eines Ansteuersignals auf. Bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A10 drei erste ausgangsseitige Terminals 52 auf, ist aber nicht darauf beschränkt. Auch die Signale, die in die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 eingegeben und von ihnen ausgegeben werden, sind nicht speziell beschränkt.
  • Jedes erste ausgangsseitige Terminal 52 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form und weist einen vom Versiegelungsharz 7 freiliegenden Abschnitt und einen mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckten Abschnitt auf. Wie in 7 bis 9 gezeigt, ist der Abschnitt jedes ersten ausgangsseitigen Terminals 52, der aus dem Versiegelungsharz 7exponiert ist, zu einem Flügelträgerprofil gebogen. Wie bei den eingangsseitigen Terminals 51 kann jedes erste ausgangsseitige Terminal 52 mit einer Plattierungsschicht (aus einer Sn-haltigen Legierung, z.B. Lötmittel) versehen sein, die den vom Versiegelungsharz 7 freigelegten Abschnitt bedeckt. Die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals 52 weisen ein erstes ausgangsseitiges Terminal 52a und ein erstes ausgangsseitiges Terminal 52b auf. Das erste ausgangsseitige Terminal 52a ist dasjenige der ersten ausgangsseitigen Terminals 52, das in x-Richtung am weitesten auf der xl-Seite angeordnet ist. Das erste ausgangsseitige Terminal 52a ist mit dem zweiten Die-Pad 32 verbunden und trägt das zweite Die-Pad 32. Das erste ausgangsseitige Terminal 52b ist dasjenige der ersten ausgangsseitigen Terminals 52, das in x-Richtung am weitesten auf der x2-Seite angeordnet ist.
  • Jedes erste ausgangsseitige Terminal 52 mit Ausnahme des ersten ausgangsseitigen Terminals 52a ist mit einem Pad-Abschnitt 55 am Ende auf der y1-Seite in der y-Richtung verbunden. Obwohl die Formen der Pad-Abschnitte 55 in z-Richtung gesehen nicht speziell beschränkt sind, hat bei dieser Ausführungsform jeder Pad-Abschnitt 55 eine längliche Form, die sich in der x-Richtung erstreckt. Jeder Pad-Abschnitt 55 hat eine flache (oder im Wesentlichen flache) Oberfläche (die Oberfläche auf der zl-Seite), und ein Draht 62 ist daran gebondet. Wie die Oberflächen der Pad-Abschnitte 54 können auch die Oberflächen der Pad-Abschnitte 55 beschichtet bzw. plattiert sein (z.B. mit Ag-haltigem Metall). Die Pad-Abschnitte 55 sind vollständig mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt.
  • Ähnlich wie die eingangsseitigen Terminals 51 bilden die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 Leitungswege, die das Halbleiterbauteil A10 mit der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung verbinden, wenn sie mit der Leiterplatte verbunden sind. Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53, die wie erforderlich elektrisch mit dem zweiten Ansteuerelement 14 verbunden sind, sind Komponenten der oben beschriebenen zweiten ausgangsseitigen Schaltung. Wie in den 1, 2 und 6 gezeigt, sind die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 in Bezug auf die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 in x-Richtung auf der x2-Seite angeordnet und in x-Richtung in gleichen Abständen voneinander angeordnet. Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 sind in Bezug auf das dritte Die-Pad 33 in y-Richtung auf der y2-Seite angeordnet und ragen auf der y2-Seite in y-Richtung aus dem Versiegelungsharz 7 heraus (die Seitenfläche 74, wie später beschrieben). Die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 weisen einen Stromversorgungsanschluss zum Empfangen der Versorgungsspannung, einen Masseanschluss und einen Ausgangsanschluss zum Ausgeben eines Ansteuersignals auf. Bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A10 drei zweite ausgangsseitige Terminals 53 auf, ist aber nicht darauf beschränkt. Auch die Signale, die in die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 eingegeben und von ihnen ausgegeben werden, sind nicht speziell beschränkt.
  • Jedes zweite ausgangsseitige Terminal 53 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form und weist einen vom Versiegelungsharz 7 freiliegenden Abschnitt und einen mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckten Abschnitt auf. Wie in 3 gezeigt, ist der Abschnitt jedes zweiten ausgangsseitigen Terminals 53, der aus dem Versiegelungsharz 7 exponiert ist, zu einem Flügelträgerprofil gebogen. Wie bei den eingangsseitigen Terminals 51 kann jedes zweite ausgangsseitige Terminal 53 mit einer Plattierungsschicht (aus einer Sn-haltigen Legierung, z.B. Lötmittel) versehen sein, die den vom Versiegelungsharz 7 freigelegten Abschnitt bedeckt. Die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 weisen ein zweites ausgangsseitiges Terminal 53a und ein zweites ausgangsseitiges Terminal 53b auf. Das zweite ausgangsseitige Terminal 53a ist dasjenige der zweiten ausgangsseitigen Terminals 53, das in x-Richtung am weitesten auf der x2-Seite angeordnet ist. Das zweite ausgangsseitige Terminal 53a ist mit dem dritten Die-Pad 33 verbunden und trägt das dritte Die-Pad 33. Das zweite ausgangsseitige Terminal 53b ist dasjenige der der zweiten ausgangsseitigen Terminals 53, das in x-Richtung am weitesten auf der xl-Seite angeordnet ist.
  • Jedes zweite ausgangsseitige Terminal 53 mit Ausnahme des zweiten ausgangsseitigen Terminal 53a ist mit einem Pad-Abschnitt 56 am Ende auf der y1-Seite in y-Richtung verbunden. Obwohl die Formen der Pad-Abschnitte 56 in z-Richtung gesehen nicht speziell beschränkt sind, hat bei dieser Ausführungsform jeder Pad-Abschnitt 56 eine längliche Form, die sich in der x-Richtung erstreckt. Jeder Pad-Abschnitt 56 hat eine flache (oder im Wesentlichen flache) Oberfläche (die Oberfläche auf der zl-Seite), und ein Draht 63 ist mit der Oberfläche gebondet. Wie die Oberflächen der Pad-Abschnitte 56 können auch die Oberflächen der Pad-Abschnitte 54 beschichtet bzw. plattiert sein (z.B. mit Ag-haltigem Metall). Die Pad-Abschnitte 56 sind vollständig mit dem Versiegelungsharz 7 bedeckt.
  • In dem Halbleiterbauteil A10 kann das erste Ansteuerelement 12 eine transiente Spannung von 600 V oder mehr gegenüber der Masse des Halbleiter-Steuerelements 11 empfangen. Infolgedessen kann ein erheblicher Potentialunterschied zwischen den ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die elektrisch mit dem ersten Ansteuerelement 12 verbunden sind, und den eingangsseitigen Terminals 51, die elektrisch mit dem Halbleiter-Steuerelement 11 verbunden sind, entstehen. Außerdem, da die Potentialdifferenz zwischen dem zweiten Ansteuerelement 14 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 relativ gering ist, kann eine erhebliche Potentialdifferenz zwischen den ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die elektrisch mit dem ersten Ansteuerelement 12 verbunden sind, und den zweiten ausgangsseitigen Terminals 53, die elektrisch mit dem zweiten Ansteuerelement 14 verbunden sind, entstehen.
  • Bei dieser Ausführungsform wird, wie in 1 gezeigt, ein großer Trennungsabstand in der x-Richtung zwischen den vom Versiegelungsharz 7 freigelegten Abschnitten der ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und den vom Versiegelungsharz 7 freigelegten Abschnitten der zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 bereitgestellt. Genauer gesagt, kann ein erster Zwischen-Terminal-Abstand („inter-terminal-distance“) L1 den Trennungsabstand („separation distance“) zwischen dem freigelegten Abschnitt des ersten ausgangsseitigen Terminals 52b und dem freigelegten Abschnitt des zweiten ausgangsseitigen Terminals 53b, und ein zweiter Zwischen-Terminal-Abstand L2 den Trennungsabstand zwischen den freigelegten Abschnitten eines Paares von zwei benachbarten ersten ausgangsseitigen Terminals 52 bezeichnen. Dabei ist der erste Zwischen-Terminal-AbstandL1 etwa 3,5 mal größer als der zweite Zwischen-Terminal-AbstandL2. Der erste Zwischen-Terminal-AbstandL1 ist vorzugsweise, aber nicht darauf beschränkt, mindestens dreimal größer als der zweite Zwischen-Terminal-Abstand L2. In dem dargestellten Beispiel sind die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 in x-Richtung in gleichen Abständen angeordnet, so dass der Trennungsabstand zwischen jedem Paar von zwei benachbarten ersten ausgangsseitigen Terminals 52 gleich groß ist. In einem alternativen Beispiel können die Abstände zwischen den ersten ausgangsseitigen Terminals 52 ungleichmäßig sein, in welchem Fall der größte der Trennungsabstände als zweiter Zwischen-Terminal-Abstand L2 bezeichnet werden kann.
  • Wie in 2 gezeigt, bilden die Drähte 61 bis 67 zusammen mit dem elektrisch leitenden Trägerelement 2Leitungspfade für das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 um ihre Funktionen auszuführen. Die Drähte 61 bis 64 können jeweils aus Metall, wie Au, Cu oder Al, hergestellt sein.
  • Die Drähte 61 bilden Leitungswege, die das Halbleiter-Steuerelement 11 und die eingangsseitigen Terminals 51 verbinden. Über die Drähte 61 ist das Halbleiter-Steuerelement 11 zumindest mit einem der eingangsseitigen Terminals 51 elektrisch verbunden. Die Drähte 61 sind Komponenten der oben beschriebenen eingangsseitigen Schaltung. Jeder Draht 61 ist mit einer Elektrode des Halbleiter-Steuerelements 11gebondet. Die Vielzahl der Drähte 61 weist die Drähte 61a, 61b und 61c auf. Der Draht 61a erstreckt sich vom Halbleiter-Steuerelement 11 zur xl-Seite in x-Richtung und ist mit dem Pad-Abschnitt 54a verbunden bzw. gebondet, der mit dem eingangsseitigen Terminal 51a verbunden ist. Daher ist der Draht 61a relativ lang und verläuft in z-Richtung gesehen durch einen Bereich in der Nähe des ersten Isolierelements 13. Dennoch überlappt der Draht 61a in z-Richtung gesehen nicht mit dem ersten Isolierelement 13. Der Draht 61a bildet einen relativ kleinen Winkel von 20° oder weniger mit der x-Richtung. Der Draht 61a ist ein Beispiel für einen „ersten Draht“. Der Draht 61b erstreckt sich vom Halbleiter-Steuerelement 11 zur x2-Seite in x-Richtung und ist mit dem Pad-Abschnitt 54b verbunden bzw. gebondet, der mit dem eingangsseitigen Terminal 51b verbunden ist. Daher ist der Draht 61b relativ lang und verläuft in z-Richtung gesehen durch einen Bereich in der Nähe des zweiten Isolierelements 15. Dennoch überlappt der Draht 61b in z-Richtung gesehen nicht mit dem zweiten Isolierelement 15. Der Draht 61b bildet einen relativ kleinen Winkel von 20° oder weniger mit der x-Richtung. Der Draht 61b ist ein Beispiel für einen „zweiten Draht“. Der Draht 61c erstreckt sich vom Halbleiter-Steuerelement 11 in y-Richtung zur y2-Seite und ist mit dem Vorsprung 313 des ersten Die-Pads 31 verbunden bzw. gebondet. Auf diese Weise ist das Halbleiter-Steuerelement 11 über den Draht 61c und das erste Die-Pad 31 mit den eingangsseitigen Terminals 51c und 51d elektrisch verbunden. Die Anzahl der bereitzustellenden Drähte 61a, 61b und 61c ist nicht speziell beschränkt. Jeder Draht 61 mit Ausnahme der Drähte 61a, 61b und 61c erstreckt sich vom Halbleiter-Steuerelement 11 in y-Richtung zur y1-Seite und ist mit einem Pad-Abschnitt 54 verbunden. Die Anzahl der an jeden Pad-Abschnitt 54 gebondeten Drähte 61 ist nicht speziell beschränkt.
  • Die Drähte 62 bilden Leitungswege, die das erste Ansteuerelement 12 und die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 verbinden. Über die Drähte 62 ist das erste Ansteuerelement 12 zumindest mit einem der ersten ausgangsseitigen Terminals 52 elektrisch verbunden. Die Drähte 62 sind Komponenten der oben beschriebenen ersten ausgangsseitigen Schaltung. Jeder Draht 62 ist mit einer Elektrode des ersten Ansteuerelements 12 verbunden. Die Vielzahl der Drähte 62 weist einen Draht 62a auf. Der Draht 62a erstreckt sich vom ersten Ansteuerelement 12 zur y2-Seite in y-Richtung und ist mit dem zweiten Die-Pad 32 gebondet. Auf diese Weise ist das erste Ansteuerelement 12 über den Draht 62a und das zweite Die-Pad 32 mit dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52a elektrisch verbunden. Die Anzahl der bereitzustellenden Drähte 62a ist nicht speziell beschränkt. Jeder Draht 62 mit Ausnahme des Drahtes 62a erstreckt sich vom ersten Ansteuerelement 12 in y-Richtung zur y2-Seite und ist mit einem Pad-Abschnitt 55 verbunden. Die Anzahl der an jeden Pad-Abschnitt 55 gebondeten Drähte 62 ist nicht speziell beschränkt.
  • Die Drähte 63 bilden Leitungswege, die das zweite Ansteuerelement 14 und die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 verbinden. Über die Drähte 63 ist das zweite Ansteuerelement 14 zumindest mit einem der zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 elektrisch verbunden. Die Drähte 63 sind Komponenten der oben beschriebenen zweiten ausgangsseitigen Schaltung. Jeder Draht 63 ist mit einer Elektrode des zweiten Ansteuerelements 14 verbunden. Die Vielzahl der Drähte 63 weist einen Draht 63a auf. Der Draht 63a erstreckt sich vom zweiten Ansteuerelement 14 zur y2-Seite in y-Richtung und ist mit dem dritten Die-Pad 33 gebondet. Auf diese Weise ist das zweite Ansteuerelement 14 über den Draht 63a und das dritte Die-Pad 33 mit dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53a elektrisch verbunden. Die Anzahl der bereitzustellenden Drähte 63a ist nicht speziell beschränkt. Jeder Draht 63 mit Ausnahme des Drahtes 63a erstreckt sich vom zweiten Ansteuerelement 14 in y-Richtung zur y2-Seite und ist mit einem Pad-Abschnitt 56 verbunden. Die Anzahl der an jeden Pad-Abschnitt 56 gebondeten Drähte 63 ist nicht speziell beschränkt.
  • Wie in den 2 und 10 gezeigt, bilden die Drähte 64 Leitungswege, die das Halbleiter-Steuerelement 11 und das erste Isolierelement 13 verbinden. Über die Drähte 64 sind das Halbleiter-Steuerelement 11 und das erste Isolierelement 13 elektrisch miteinander verbunden. Die Drähte 64 sind Komponenten der oben beschriebenen eingangsseitigen Schaltung. Jeder Draht 64 erstreckt sich in x-Richtung (oder im Wesentlichen in x-Richtung), um mit einer Elektrode des Halbleiter-Steuerelements 11 und mit einer Elektrode des ersten Isolierelements 13 gebondet zu werden. Die Anzahl der bereitzustellenden Drähte 64 ist nicht speziell beschränkt.
  • Wie in den 2 und 10 gezeigt, bilden die Drähte 65 Leitungswege, die das erste Ansteuerelement 12 und das erste Isolierelement 13 verbinden. Über die Drähte 65 sind das erste Ansteuerelement 12 und das erste Isolierelement 13 elektrisch miteinander verbunden. Die Drähte 65 sind Komponenten der oben beschriebenen ersten ausgangsseitigen Schaltung. Jeder Draht 65 erstreckt sich in x-Richtung (oder im Wesentlichen in x-Richtung), um mit einer Elektrode des ersten Ansteuerelements 12 und mit einer Elektrode des ersten Isolierelements 13 gebondet zu werden. Die Anzahl der bereitzustellenden Drähte 65 ist nicht speziell beschränkt.
  • Wie in den 2 und 10 gezeigt, bilden die Drähte 66 Leitungswege, die das Halbleiter-Steuerelement 11 und das zweite Isolierelement 15 verbinden. Über die Drähte 66 sind das Halbleiter-Steuerelement 11 und das zweite Isolierelement 15 elektrisch miteinander verbunden. Die Drähte 66 sind Komponenten der oben beschriebenen eingangsseitigen Schaltung. Jeder Draht 66 erstreckt sich in x-Richtung (oder im Wesentlichen in x-Richtung), um mit einer Elektrode des Halbleiter-Steuerelements 11 und mit einer Elektrode des zweiten Isolierelements 15 gebondet zu werden. Die Anzahl der bereitzustellenden Drähte 66 ist nicht speziell beschränkt.
  • Wie in den 2 und 10 gezeigt, bilden die Drähte 67 Leitungswege, die das zweite Ansteuerelement 14 und das zweite Isolierelement 15 verbinden. Über die Drähte 67 sind das zweite Ansteuerelement 14 und das zweite Isolierelement 15 elektrisch miteinander verbunden. Die Drähte 67 sind Komponenten der oben beschriebenen zweiten ausgangsseitigen Schaltung. Jeder Draht 67 erstreckt sich in x-Richtung (oder im Wesentlichen in x-Richtung), um mit einer Elektrode des zweiten Ansteuerelements 14 und mit einer Elektrode des zweiten Isolierelements 15 gebondet zu werden. Die Anzahl der bereitzustellenden Drähte 67 ist nicht speziell beschränkt.
  • Wie in 1 gezeigt, bedeckt das Versiegelungsharz 7 das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12, das erste Isolierelement 13, das zweite Ansteuerelement 14, das zweite Isolierelement 15, das erste Die-Pad 31, das zweite Die-Pad 32, das dritte Die-Pad 33, die Pad-Abschnitte 54 bis 56, die Drähte 61 bis 67, einen Abschnitt jedes eingangsseitigen Terminals 51, einen Abschnitt jedes ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und einen Abschnitt jedes zweiten ausgangsseitigen Terminals 53. Das Versiegelungsharz 7 ist elektrisch isolierend. Das Versiegelungsharz 7 besteht aus einem Material, das z.B. schwarzes Epoxidharz enthält. Das Versiegelungsharz 7 hat eine rechteckige, in y-Richtung längliche Form, gesehen in z-Richtung. Bei dieser Ausführungsform kann das Versiegelungsharz 7 eine Abmessung in x-Richtung von etwa 9,0 bis 11 mm, eine Abmessung in y-Richtung von etwa 3,5 bis 4,5 mm und eine Abmessung in z-Richtung von etwa 1,3 bis 1,5 mm haben, aber die jeweiligen Abmessungen sind nicht auf diese beschränkt.
  • Wie in den 3 bis 6 gezeigt, weist das Versiegelungsharz 7 eine obere Fläche 71, eine Bodenfläche 72 und Seitenflächen 73 bis 76 auf.
  • Die obere Fläche 71 und die Bodenfläche 72 sind in der z-Richtung voneinander beabstandet. Die obere Fläche 71 und die Bodenfläche 72 weisen in z-Richtung voneinander weg. Die obere Fläche 71 ist in z-Richtung auf der zl-Seite angeordnet und ist derselben Seite zugewandt wie die Vorderfläche 311 (die zl-Seite) des ersten Die-Pads 31. Mit anderen Worten, die obere Fläche 71 ist an der dem ersten Die-Pad 31 gegenüberliegenden Seite des Halbleiter-Steuerelements 11 angeordnet. Die Bodenfläche 72 ist in z-Richtung auf der z2-Seite angeordnet und weist auf dieselbe z2-Seite wie die Rückfläche 312 des ersten Die-Pads 31. Sowohl die obere Fläche 71 als auch die Bodenfläche 72 sind flach (oder im Wesentlichen flach).
  • Jede der Seitenflächen 73 bis 76 ist mit der oberen Fläche 71 und der Bodenfläche 72 verbunden und in z-Richtung zwischen der oberen Fläche 71 und der Bodenfläche 72 angeordnet. Die Seitenflächen 73 und 74 sind in y-Richtung voneinander beabstandet. Die Seitenflächen 73 und 74 weisen in y-Richtung voneinander weg. Die Seitenfläche 73 ist in y-Richtung auf der y1-Seite angeordnet, und die Seitenfläche 74 ist in y-Richtung auf der y2-Seite angeordnet. Die Seitenflächen 75 und 76 sind in x-Richtung voneinander beabstandet und mit den Seitenflächen 73 und 74 verbunden. Die Seitenflächen 75 und 76 weisen in x-Richtung voneinander weg. Die Seitenfläche 75 ist in x-Richtung auf der xl-Seite angeordnet, und die Seitenfläche 76 ist in x-Richtung auf der x2-Seite angeordnet. Wie in 1 dargestellt, ragen Abschnitte der eingangsseitigen Terminals 51 aus der Seitenfläche 73 heraus. Darüber hinaus ragen Abschnitte der ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und der zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 aus der Seitenfläche 74 heraus. In dem Bereich der Seitenfläche 74 zwischen dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52b und dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53b liegt das elektrisch leitende Trägerelement 2 jedoch nicht frei. Außerdem ist das elektrisch leitende Trägerelement 2 an den Seitenflächen 75 und 76 nicht exponiert. Die Seitenfläche 74 ist ein Beispiel für eine „erste Seitenfläche“, die Seitenfläche 75 ist ein Beispiel für eine „zweite Seitenfläche“ und die Seitenfläche 76 ist ein Beispiel für eine „dritte Seitenfläche“.
  • Wie in 5 gezeigt, weist die Seitenfläche 73 einen oberen Bereich 731, einen unteren Bereich 732 und einen mittleren Bereich 733 auf. Der obere Bereich 731 ist an einem Ende in z-Richtung mit der oberen Fläche 71 verbunden und am anderen Ende in z-Richtung mit dem mittleren Bereich 733. Der obere Bereich 731 ist gegenüber der obere Fläche 71 geneigt. Der untere Bereich 732 ist an einem Ende in z-Richtung mit der Bodenfläche 72 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem mittleren Bereich 733 verbunden. Der untere Bereich 732 ist gegenüber der Bodenfläche 72 geneigt. Der mittlere Bereich 733 ist an einem Ende in z-Richtung mit dem oberen Bereich 731 verbunden und am anderen Ende in z-Richtung mit dem unteren Bereich 732. Der mittlere Bereich 733 ist sowohl zur z-Richtung als auch zur x-Richtung parallel. In z-Richtung gesehen, ist der mittlere Bereich 733 außerhalb der oberen Fläche 71 und der Bodenfläche 72 angeordnet. In dem mittleren Bereich 733 sind die Abschnitte der eingangsseitigen Terminals 51 exponiert.
  • Wie in 6 gezeigt, weist die Seitenfläche 74 einen oberen Bereich 741, einen unteren Bereich 742 und einen mittleren Bereich 743 auf. Der obere Bereich 741 ist an einem Ende in z-Richtung mit der oberen Fläche 71 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem mittleren Bereich 743 verbunden. Der obere Bereich 741 ist gegenüber der oberen Fläche 71 geneigt. Der untere Bereich 742 ist an einem Ende in z-Richtung mit der Bodenfläche 72 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem mittleren Bereich 743 verbunden. Der untere Bereich 742 ist gegenüber der Bodenfläche 72 geneigt. Der mittlere Bereich 743 ist an einem Ende in z-Richtung mit dem oberen Bereich 741 verbunden und am anderen Ende in z-Richtung mit dem unteren Bereich 742. Der mittlere Bereich 743 ist sowohl zur z-Richtung als auch zur x-Richtung parallel. In z-Richtung gesehen, ist der mittlere Bereich 743 außerhalb der oberen Fläche 71 und der Bodenfläche 72 angeordnet. In dem mittleren Bereich 743 sind die Abschnitte des ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und der zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 exponiert.
  • Wie in 4 gezeigt, weist die Seitenfläche 75 einen oberen Bereich 751, einen unteren Bereich 752 und einen mittleren Bereich 753 auf. Der obere Bereich 751 ist an einem Ende in z-Richtung mit der oberen Fläche 71 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem mittleren Bereich 753 verbunden. Der obere Bereich 751 ist gegenüber der oberen Fläche 71 geneigt. Der untere Bereich 752 ist an einem Ende in z-Richtung mit der Bodenfläche 72 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem mittleren Bereich 753 verbunden. Der untere Bereich 752 ist gegenüber der Bodenfläche 72 geneigt. Der mittlere Bereich 753 ist an einem Ende in z-Richtung mit dem oberen Bereich 751 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem unteren Bereich 752 verbunden. Der mittlere Bereich 753 ist sowohl zur z-Richtung als auch zur y-Richtung parallel. In z-Richtung gesehen, ist der mittlere Bereich 753 außerhalb der obere Fläche 71 und der Bodenfläche 72 angeordnet.
  • Wie in 4 gezeigt, weist die Seitenfläche 75 eine erste Gate-Markierung („gate mark“) 75a auf. Die erste Gate-Markierung 75a hat eine rauere Oberfläche als der andere Bereich der Seitenfläche 75. Die erste Gate-Markierung 75a wird bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 in dem später beschriebenen Verfahren zur Bildung des Versiegelungsharzes 7 gebildet. Die erste Gate-Markierung 75a wird gebildet, indem Harzgrate („resin burrs“) entfernt werden, die an der Stelle der Einlassöffnung („inlet gate“) eines geschmolzenen Harzes („resin“) zurückbleiben. Wie in 1 dargestellt, ist die erste Gate-Markierung 75a in y-Richtung zur y1-Seite hin versetzt. Insbesondere ist die erste Gate-Markierung 75a auf der in y-Richtung y1-Seite in Bezug auf die Mitte 12a des ersten Ansteuerelements 12 (näher an der Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11) angeordnet.
  • Wie in 3 gezeigt, weist die Seitenfläche 76 einen oberen Bereich 761, einen unteren Bereich 762 und einen mittleren Bereich 763 auf. Der obere Bereich 761 ist an einem Ende in z-Richtung mit der oberen Fläche 71 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem mittleren Bereich 763 verbunden. Der obere Bereich 761 ist gegenüber der obere Fläche 71 geneigt. Der untere Bereich 762 ist an einem Ende in z-Richtung mit der Bodenfläche 72 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem mittleren Bereich 763 verbunden. Der untere Bereich 762 ist gegenüber der Bodenfläche 72 geneigt. Der mittlere Bereich 763 ist an einem Ende in z-Richtung mit dem oberen Bereich 761 und am anderen Ende in z-Richtung mit dem unteren Bereich 762 verbunden. Der mittlere Bereich 763 ist sowohl zur z-Richtung als auch zur y-Richtung parallel. In z-Richtung gesehen, ist der mittlere Bereich 763 außerhalb der obere Fläche 71 und der Bodenfläche 72 angeordnet.
  • Wie in 3 gezeigt, weist die Seitenfläche 76 eine zweite Gate-Markierung 76a auf. Die zweite Gate-Markierung 76a hat eine rauere Oberfläche als der andere Bereich der Seitenfläche 76. Die zweite Gate-Markierung 76a wird bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 in dem später beschriebenen Verfahren zur Bildung des Versiegelungsharzes 7 gebildet. Die zweite Gate-Markierung 76a wird gebildet, indem Harzgrate entfernt werden, die an der Stelle der Auslassöffnung („outlet gate“) eines geschmolzenen Harzes zurückbleiben. Wie in 1 gezeigt, ist die zweite Gate-Markierung 76a in y-Richtung zur y2-Seite hin versetzt. Insbesondere ist die zweite Gate-Markierung 76a in y-Richtung auf der y2-Seite (gegenüber der Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11) in Bezug auf die Mitte 14a des zweiten Ansteuerelements 14 angeordnet.
  • Bei dieser Ausführungsform, wie in den 11 und 12 gezeigt, weist das Versiegelungsharz 7 auf der obere Fläche 71, der Bodenfläche 72 und jedem von dem oberen Bereich 731 und dem unteren Bereich 732 von der Seitenfläche 73 eine größere Oberflächenrauigkeit auf als auf dem mittleren Bereich 733 der Seitenfläche 73. Außerdem weist das Versiegelungsharz 7 auf der obere Fläche 71, der Bodenfläche 72 und jedem von dem oberen Bereich 741 und dem unteren Bereich 742 von der Seitenfläche 74 eine größere Oberflächenrauigkeit auf als auf dem mittleren Bereich 743 der Seitenfläche 74. Die Oberflächenrauigkeit der obere Fläche 71 und der Bodenfläche 72 liegt bevorzugt zwischen 5 und 20 um Rz. Der obere Bereich 741 ist ein Beispiel für einen „ersten Bereich“, der untere Bereich 742 ist ein Beispiel für einen „zweiten Bereich“ und der mittlere Bereich 743 ist ein Beispiel für einen „dritten Bereich“.
  • Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10 beschrieben unter Bezugnahme auf 13 bis 15. 13 bis 15 sind Draufsichten, die Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils A10 darstellen. Die in den Figs. gezeigten x-, y- und z-Richtungen entsprechen denen der 1 bis 12.
  • Zunächst wird, wie in 13 gezeigt, ein Anschlussrahmen bzw. Leadframe 80 vorbereitet. Der Anschlussrahmen 80 ist ein plattenförmiges Material. Bei dieser Ausführungsform ist das Basismaterial des Anschlussrahmens 80 Cu. Der Anschlussrahmen 80 kann aus einer Metallplatte hergestellt werden durch Ätzen und, falls erforderlich, durch andere Bearbeitung. Der Anschlussrahmen 80 ist ein flacher Rahmen ohne Vertiefungen. Der Anschlussrahmen 80 hat eine Vorderfläche 80A und eine Rückfläche 80B, die in z-Richtung voneinander beabstandet sind. Die Vertiefungen 314 werden durch Halbätzung der Vorderfläche 80A gebildet. Der Anschlussrahmen 80 kann durch Stanzen einer Metallplatte gebildet werden. In diesem Fall werden die Vertiefungen 314 durch Stanzen bzw. Stempeln („stamping“) auf der Vorderfläche 80A gebildet.
  • Der Anschlussrahmen 80 weist das elektrisch leitende Trägerelement 2 (das erste Die-Pad 31, das zweite Die-Pad 32, das dritte Die-Pad 33, die eingangsseitigen Terminals 51, die ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 und die Pad-Abschnitte 54 bis 56) auf und weist zusätzlich einen Frame 81, mehrere erste Holme („tie bars“) 821, mehrere zweite Holme 822 und ein Paar von Damm-Balken („dam bars“) 83 auf. Der Rahmen 81, die ersten Holme 821, die zweiten Holme 822 und die Dammbalken 83 bilden keine Teile des Halbleiterbauteils A10.
  • In z-Richtung gesehen, ist der Rahmen 81 eine geschlossene rechteckige Struktur. Der Rahmen 81 umgibt das elektrisch leitende Trägerelement 2, die ersten Holme 821, die zweiten Holme 822 und die Dammbalken 83. Die eingangsseitigen Terminals 51 sind an ihren Enden in y-Richtung auf der y1-Seite mit dem Frame 81 verbunden. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 sind an ihren Enden in y-Richtung auf der y2-Seite mit dem Frame 81 verbunden.
  • Die ersten Holme 821 erstrecken sich in x-Richtung. Jeder erste Holm 821 ist mit einem Paar zweiter Holme 822 an deren gegenüberliegenden Enden in x-Richtung verbunden. Die Vielzahl der ersten Holme 821 weist ein Paar erster Holme 821 auf, die auf der in y-Richtung y1-Seite angeordnet sind, und ein Paar erster Holme 821, die in y-Richtung auf der y2-Seite angeordnet sind. Die eingangsseitigen Terminals 51 sind mit dem Paar der ersten Holme 821 verbunden, die in y-Richtung auf der y1-Seite angeordnet sind. Die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 sind mit dem Paar der ersten Holme 821 verbunden, die in y-Richtung auf der y2-Seite angeordnet sind.
  • Die zweiten Holme 822 erstrecken sich in y-Richtung. Jeder zweite Holm 822 ist an einem Ende in y-Richtung mit einem Dammbalken 83 verbunden. Die Vielzahl der zweiten Holme 822 weist ein Paar zweiter Holme 822 auf, die auf der y1-Seite in y-Richtung angeordnet sind, und ein Paar zweiter Holme 822, die auf der y2-Seite in y-Richtung angeordnet sind. Sowohl auf der y1-Seite als auch auf der y2-Seite bilden das Paar der zweiten Holme 822 und das Paar der ersten Holme 821 in z-Richtung gesehen eine geschlossene rechteckige Struktur.
  • Die beiden Dammbalken 83 sind in x-Richtung an den Enden des Anschlussrahmens 80 bereitgestellt. Jeder Dammbalken 83 erstreckt sich in y-Richtung und ragt in Richtung des elektrisch leitenden Trägerelements 2. Jeder Dammbalken 83 hat einen ausgeschnittenen Abschnitt („cutout portion“) 831. Die ausgeschnittenen Abschnitte 831 dienen als Schleuse, durch die geschmolzenes Harz beim Gießen („molding“) des Versiegelungsharzes 7 ein- und austritt.
  • Als nächstes werden, wie in 14 gezeigt, das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Isolierelement 13 und das zweite Isolierelement 15 jeweils durch eine Bondschicht 69 mit dem ersten Die-Pad 31 verbunden, das erste Ansteuerelement 12 durch eine Bondschicht 69 mit dem zweiten Die-Pad 32 verbunden und das zweite Ansteuerelement 14 durch eine Bondschicht 69 mit dem dritten Die-Pad 33 verbunden. In 14 sind die Bondschichten 69 zum Zweck der Darstellung punktförmig schattiert bzw. schraffiert. Bei dem Bondprozess wird eine Paste aus einem Bondmaterial („bonding material“), das später gehärtet wird, um die Bondschichten 69 zu bilden, auf die Bereiche des ersten Die-Pads 31, auf welche das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Isolierelement 13 und das zweite Isolierelement 15 platziert werden, den Bereich des zweiten Die-Pads 32, auf welchen das erste Ansteuerelement 12 platziert wird, und den Bereich des dritten Die-Pads 33, auf welchen das zweite Ansteuerelement 14 platziert wird, aufgetragen. Dann werden das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12, das erste Isolierelement 13, das zweite Ansteuerelement 14 und das zweite Isolierelement 15 auf die Schichten des aufgebrachten Bondmaterials platziert. Anschließend wird ein Reflow-Verfahren ausgeführt, um das Bondmaterial zu schmelzen und dann zu härten. Das zweite Die-Pad 32 und das dritte Die-Pad 33 werden jeweils von einem einzigen Anschluss wie ein Ausleger bz. Hebel getragen. Trotz dieser Struktur ist der Anschlussrahmen 80 als flacher Rahmen weniger anfällig für Verformungen durch die Montage des ersten Ansteuerelements 12 und des zweiten Ansteuerelements 14.
  • Als nächstes werden, wie in 14 gezeigt, die Drähte 61 bis 67 durch Drahtbonden („wire bonding“) geformt. Der Prozess des Formens der Drähte beinhaltet Erhitzen des Anschlussrahmens 80 erhitzt, während der Anschlussrahmen 80 von einer Form („mold“) gehalten wird.
  • Das Verfahren des Formens bzw. Bilden des Drahtes 61 beginnt mit dem Absenken einer Kapillare in Richtung des Halbleiter-Steuerelements 11 und dem Andrücken der Spitze eines Drahtes gegen eine Zielelektrode. In diesem Zustand wird durch die Aktion des Gewichts der Kapillare, durch von der Kapillare erzeugte Ultraschallschwingungen usw. die Spitze des Drahtes gegen die Elektrode gedrückt, um eine Verbindung zu bilden. Damit ist das erste Bonden abgeschlossen. Dann wird die Kapillare angehoben, während der Draht kontinuierlich zugeführt wird. Dadurch wird ein Kugelbond („ball bond“) an der Elektrode gebildet. Als nächstes wird die Kapillare in eine Position direkt über einem Ziel-Pad-Abschnitt 54 (dem mittleren Vorsprung 313 des ersten Die-Pads 31 im Falle des Formens des Drahtes 61c) gebracht und dann abgesenkt, um die Spitze der Kapillare gegen den Pad-Abschnitt 54 zu drücken. Dadurch wird der Draht zwischen der Kapillarspitze und dem Pad-Abschnitt 54 eingeklemmt, um eine Verbindung („bond“) zu bilden. Damit ist die zweite Verbindung abgeschlossen. Dann wird die Kapillare angehoben, um den Draht zu unterbrechen.
  • Das Verfahren des Formens eines Drahtes 62 weist ein erstes Bonden eines Drahtes mit einer Elektrode des ersten Ansteuerelements 12 auf, wobei ein Kugelbond auf der Elektrode gebildet wird, und ein zweites Bonden des Drahtes auf einem Pad-Abschnitt 55 (dem zweiten Pad-Abschnitt 32 im Fall des Formens des Drahtes 62a). Das Verfahren des Formens eines Drahtes 63 weist ein erstes Bonden eines Drahtes mit einer Elektrode des zweiten Ansteuerelements 14, wobei ein Kugelbond auf der Elektrode gebildet wird, und ein zweites Bonden des Drahtes auf einem Pad-Abschnitt 56 (dem dritten Pad-Abschnitt 33 im Falle des Bildens des Drahtes 63a) auf.
  • Das Verfahren des Formens eines Drahtes 64 weist ein erstes Bonden eines Drahtes mit einer Elektrode des ersten isolierenden Elements 13, wobei ein Kugelbond auf der Elektrode gebildet wird, und ein zweites Bonden des Drahtes auf einer Elektrode des Halbleiter-Steuerelements 11 auf. Das Verfahren des Formens eines Drahtes 65 weist ein erstes Bonden eines Drahtes mit einer Elektrode des ersten isolierenden Elements 13, wobei ein Kugelbond auf der Elektrode gebildet wird, und ein zweites Bonden des Drahtes auf einer Elektrode des ersten Ansteuerelements 12 auf. Das Verfahren des Formens eines Drahtes 66 weist ein erstes Bonden eines Drahtes mit einer Elektrode des zweiten isolierenden Elements 15, wobei ein Kugelbond auf der Elektrode gebildet wird, und ein zweites Bonden des Drahtes auf einer Elektrode des Halbleiter-Steuerelements 11 auf. Das Verfahren des Formens eines Drahtes 67 weist ein erstes Bonden eines Drahtes mit einer Elektrode des zweiten isolierenden Elements 15, wobei ein Kugelbond auf der Elektrode gebildet wird, und ein zweites Bonden des Drahtes mit einer Elektrode des zweiten Ansteuerelements 14 auf.
  • Als nächstes wird ein Versiegelungsharz 7 geformt bzw. gebildet. Das Versiegelungsharz 7 wird durch Transferformung („transfer molding“) gebildet. Dieses Verfahren weist ein Platzieren des Anschlussrahmens 80 in eine Form auf, die eine Vielzahl von Hohlräumen („cavities“) 88 definiert. Der Anschlussrahmen 80 wird wie in 15 gezeigt so angeordnet, dass jeder Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2, der später von dem Versiegelungsharz 7 einer hergestellten Halbleiterbauteil A10 abgedeckt werden soll, in einem der Hohlräume 88 liegt. Dann wird das geschmolzene Harz („resin“) in die Kavitäten 88 eingeführt. Das geschmolzene Harz fließt in jeden Hohlraum 88 durch die Einlassöffnung („inlet gate“), die der ausgeschnittene Abschnitt 831 auf der xl-Seite in x-Richtung sein kann, fließt entlang des gestrichelten Pfeils in 15 und verlässt den Hohlraum 88 durch die Auslassöffnung („outlet gate“), die der ausgeschnittene Abschnitt 831 auf der x2-Seite in x-Richtung sein kann.
  • Das geschmolzene Harz, das in jeden Hohlraum 88 eingespritzt wurde, verfestigt sich, um das Versiegelungsharz 7 zu bilden, und die außerhalb des Hohlraums 88 verbliebenen Harzgrate werden z.B. mit einem Hochdruckwasserstrahl („high-pressure water jet“) entfernt. Das Entfernen von Harzgraten im Bereich der Einlassöffnung hinterlässt die erste Gate-Markierung 75a auf dem Versiegelungsharz 7. In ähnlicher Weise hinterlässt das Entfernen von Harzgraten an der Stelle der Auslassöffnung die zweite Gate-Markierung 76a auf dem Versiegelungsharz 7. Damit ist die Bildung des Versiegelungsharzes 7 abgeschlossen. Es versteht sich, dass die Einlass- und Auslassöffnungen gegenüber liegen können.
  • Als nächstes wird das Zerteilen („dicing“) ausgeführt, um einzelne Teile zu isolieren, indem die eingangsseitigen Terminals 51, die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 von dem Frame 81, den ersten Holmen 821, den zweiten Holmen 822 und den Dammbalken 83 separiert werden. Durch die oben beschriebenen Prozesse wird die Halbleiterbauteil A10 hergestellt.
  • Im Folgenden werden Vorteile des Halbleiterbauteils A10 beschrieben.
  • Gemäß dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A10 das erste Ansteuerelement 12 auf, das ein Ansteuersignal für ein High-Side-Schaltelement erzeugt, und das zweite Ansteuerelement 14, das ein Ansteuersignal für ein Low-Side-Schaltelement erzeugt. Mit anderen Worten, zwei Schaltelemente einer Halbbrückenschaltung können von einem Halbleiterbauteil A10 angesteuert werden. Das heißt, das Halbleiterbauteil A10 weist ein gemeinsames Halbleiter-Steuerelement 11 zur Ansteuerung von zwei Schaltelementen auf und ist kompakter als zwei herkömmliche Halbleiterbauteile, die jeweils ein Halbleiter-Steuerelement zur Ansteuerung eines Schaltelements aufweisen. Das Halbleiterbauteil A10 kann daher den Platzbedarf („footprint“) auf der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung gegenüber dem Platzbedarf für zwei herkömmliche Halbleiterbauteile verringern. Darüber hinaus benötigt das Halbleiterbauteil A10 keinen Abstand, der zwischen zwei herkömmlichen, auf einer Leiterplatte angebrachten Halbleiterbauteilen bereitgestellt werden muss. Der Platzbedarf des Halbleiterbauteils A10 kann ferner um die Fläche des Abstands reduziert werden.
  • Bei dieser Ausführungsform ist das Halbleiter-Steuerelement 11 in dem Halbleiterbauteil A10 zusätzlich in y-Richtung zur Seite y1 versetzt. Aufgrund dieser Anordnung verlaufen die Drähte 61, die das Halbleiter-Steuerelement 11 mit den Pad-Abschnitten 54 verbinden, in relativ kleinen Winkeln zur x-Richtung. Zum Beispiel bilden die Drähte 61a und 61b einen Winkel von 20° oder weniger mit der x-Richtung. Außerdem ist das erste Isolierelement 13 in x-Richtung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement 11 und dem ersten Ansteuerelement 12 angeordnet, und das zweite Isolierelement 15 ist in x-Richtung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement 11 und dem zweiten Ansteuerelement 14 angeordnet. Aufgrund dieser Anordnung verlaufen die Drähte 64 bis 67 in relativ kleinen Winkeln zur x-Richtung. Bei der Bildung des Versiegelungsharzes 7 (siehe 15) fließt das geschmolzene Harz, das in jeden Hohlraum 88 injiziert wird, in x-Richtung. Die Drähte 61 und 64 bis 67, die sich in die Richtung erstrecken, in die das geschmolzene Harz fließt, werden durch den Fluss des geschmolzenen Harzes mit geringerer Wahrscheinlichkeit verschoben. Es wird daher verhindert, dass die Drähte 61 und 64 bis 67 einen anderen Draht oder ein Element zu verbinden oder sich zu nahe zu kommen. Darüber hinaus sind das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 in dem Halbleiterbauteil A10 in y-Richtung zur Seite y2 versetzt. Die Mitte 13a des ersten isolierenden Elements 13 ist in y-Richtung zwischen der Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11 und der Mitte 12a des ersten Ansteuerelements 12 in angeordnet. Die Mitte 15a des zweiten Isolierelements 15 ist in y-Richtung zwischen der Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11 und der Mitte 14a des zweiten Ansteuerelements 14 angeordnet. Diese Anordnung kann sicherstellen, dass die von den leitungsgebundenen Drähten 64 bis 67 mit der x-Richtung gebildeten Winkel nicht übermäßig groß sind. Außerdem können die Drähte 64 und 65 kürzer sein als bei einer Anordnung, bei der die Mitte 13a des ersten Isolierelements 13 nicht zwischen der Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11 und der Mitte 12a des ersten Ansteuerelements 12 angeordnet ist. Ebenso können die Drähte 66 und 67 kürzer sein als bei einer Anordnung, bei der die Mitte 15a des zweiten Isolierelements 15 nicht zwischen der Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11 und der Mitte 14a des zweiten Ansteuerelements 14 angeordnet ist.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A10 zusätzlich das erste Isolierelement 13 auf, das ein Signal zwischen dem ersten Ansteuerelement 12 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 überträgt und gleichzeitig eine elektrische Isolierung zwischen dem ersten Ansteuerelement 12 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 bereitstellt. Diese Ausgestaltung kann die Spannungsisolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung, die das Halbleiter-Steuerelement 11 aufweist, und der ersten ausgangsseitigen Schaltung, die das erste Ansteuerelement 12 aufweist, angesichts einer möglicherweise zwischen dem ersten Steuerelement 12 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 verursachten erheblichen Potentialdifferenz verbessern. Bei dieser Ausführungsform weist die Halbleiterbauteil A10 zusätzlich das zweite Isolierelement 15 auf, das ein Signal zwischen dem zweiten Ansteuerelement 14 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 überträgt und gleichzeitig eine elektrische Isolierung zwischen dem zweiten Ansteuerelement 14 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 bereitstellt. Diese Ausgestaltung kann die Spannungsisolierung zwischen der eingangsseitigen Schaltung, die das Halbleiter-Steuerelement 11 aufweist, und der zweiten ausgangsseitigen Schaltung, die das zweite Ansteuerelement 14 aufweist, angesichts einer möglicherweise zwischen dem zweiten Steuerelement 14 und dem Halbleiter-Steuerelement 11 verursachten erheblichen Potentialdifferenz verbessern. Somit ist das Halbleiterbauteil A10 so betreibbar, dass die High-Seite und die Low-Seite austauschbar sind.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das elektrisch leitende Trägerelement 2 zusätzlich das erste Die-Pad 31, das zweite Die-Pad 32, das dritte Die-Pad 33, die eingangsseitigen Terminals 51, die ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 und die Pad-Abschnitte 54 bis 56 auf. Die eingangsseitigen Terminals 51 liegen auf der Seitenfläche 73 des Versiegelungsharzes 7 frei, und die ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und die zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 liegen auf der Seitenfläche 74 des Versiegelungsharzes 7 frei. Im Gegensatz dazu liegt kein Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2 auf den Seitenflächen 75 und 76 des Versiegelungsharzes 7 frei. Zum Beispiel ist der Vorsprung 323 des zweiten Die-Pads 32 nicht auf der Seitenfläche 75 des Versiegelungsharzes 7 exponiert. Das heißt, das elektrisch leitende Trägerelement 2 kann den Isolationsabstand zwischen den aus dem Versiegelungsharz 7 freiliegenden und mit dem Halbleiter-Steuerelement 11 elektrisch verbundenen Abschnitten (den freiliegenden Abschnitten des eingangsseitigen Terminals 51) und den aus dem Versiegelungsharz 7 freiliegenden und mit dem zweiten Die-Pad 32 elektrisch verbundenen Abschnitten vergrößern (den Kriechabstand („creepage distance“) entlang der Oberfläche des Versiegelungsharzes 7), verglichen mit dem Fall, dass der Vorsprung 323 als Anschluss vorgesehen ist und auf der Seitenfläche 75 des Versiegelungsharzes 7 freiliegt. Auch der Vorsprung 333 des dritten Die-Pads 33 liegt nicht auf der Seitenfläche 76 des Versiegelungsharzes 7 frei. Das elektrisch leitende Trägerelement 2 kann den Isolationsabstand zwischen den eingangsseitigen Terminals 51 und dem Abschnitt des dritten Die-Pads 33, der auf dem Versiegelungsharz 7 freiliegt, vergrößern, verglichen mit dem Fall, dass der Vorsprung 333 als Anschluss vorgesehen ist und auf der Seitenfläche 76 des Versiegelungsharzes 7 freiliegt. Das Halbleiterbauteil A10 kann daher die Spannungsisolierung im Vergleich zu einer Ausgestaltung verbessern, bei der ein Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2, wie ein beispielsweise ein Support-Anschluss („support lead“), auf der Seitenfläche 75 oder 76 freiliegt. Ohne einen auf der Seitenfläche 75 freiliegenden Support-Anschluss ist das Design außerdem flexibler, wenn es darum geht, die Stelle der Einlassöffnung (der ausgeschnittene Abschnitt 831 auf der Seite x1) festzulegen, durch den das geschmolzene Harz bei der Bildung des Versiegelungsharzes 7 eintritt (siehe 15). In ähnlicher Weise ist das Design ohne einen auf der Seitenfläche 76 angeordneten Support-Anschluss flexibler, wenn es darum geht, die Stelle der Auslassöffnung (der ausgeschnittene Abschnitt 831 auf der Seite x2) festzulegen, durch den das geschmolzene Harz bei der Bildung des Versiegelungsharzes 7 austritt.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das Versiegelungsharz 7 darüber hinaus auf der oberen Fläche 71, der Bodenfläche 72 und dem oberen Bereich 731 und dem unteren Bereich 732 der Seitenfläche 73 eine größere Oberflächenrauigkeit auf als auf dem mittleren Bereich 733 der Seitenfläche 73. In ähnlicher Weise weist das Versiegelungsharz 7 auf der oberen Fläche 71, der Bodenfläche 72 und dem oberen Bereich 741 und dem unteren Bereich 742 der Seitenfläche 74 eine größere Oberflächenrauigkeit auf als auf dem mittleren Bereich 743 der Seitenfläche 74. Dies kann den Kriechabstand von dem eingangsseitigen Terminal 51a zu dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52a entlang des oberen Bereichs 731 der Seitenfläche 73, der oberen Fläche 71 und des oberen Bereichs 741 der Seitenfläche 74, sowie der den Kriechabstand von dem eingangsseitigen Terminal 51a zu dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52a entlang der Oberflächen des unteren Bereichs 732 der Seitenfläche 73, der Bodenfläche 72 und des unteren Bereichs 742 der Seitenfläche 74 vergrößern. Folglich kann das Halbleiterbauteil A10 die Spannungsisolierung bzw. Spannungsfestigkeit weiter verbessern.
  • Bei dieser Ausführungsform ist außerdem der erste Zwischen-Terminal-Abstand L1 (der Abstand zwischen dem Abschnitt des ersten ausgangsseitigen Terminals 52b, der aus dem Versiegelungsharz 7 freiliegt, und dem Abschnitt des zweiten ausgangsseitigen Terminals 53b, der aus dem Versiegelungsharz 7 freiliegt) zumindest dreimal größer wie der zweite Zwischen-Terminal-Abstand L2 (der Abstand zwischen den Abschnitten von zwei benachbarten ersten ausgangsseitigen Terminals 52, die aus dem Versiegelungsharz 7 freiliegen). Das heißt, zwischen den freiliegenden Abschnitten der ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und den freiliegenden Abschnitten der zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 wird ein ausreichender Trennungsabstand in x-Richtung bereitgestellt. Obwohl zwischen den ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und den zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 ein erheblicher Potentialunterschied auftreten kann, kann das Halbleiterbauteil A10, das mit dem ausreichenden Trennungsabstand versehen ist, eine hohe Spannungsisolierung gewährleisten. Darüber hinaus weist das elektrisch leitende Trägerelement 2 keinen Abschnitt auf, der im Bereich der Seitenfläche 74 des Versiegelungsharzes 7 zwischen dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52b und dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53b freiliegt, so dass in diesem Bereich kein Metallteil vorhanden ist. Dies bedeutet, dass zwischen den ersten ausgangsseitigen Terminals 52 und den zweiten ausgangsseitigen Terminals 53 ein relativ großer Isolationsabstand bereitgestellt wird. Das Halbleiterbauteil A10 kann daher eine hohe Spannungsisolierung gewährleisten, verglichen mit einer Ausgestaltung, bei der ein Abschnitt des elektrisch leitenden Trägerelements 2, wie z.B. ein Anschluss, auf der Seitenfläche 74 freiliegt.
  • Bei dieser Ausführungsform weist die Seitenfläche 75 des Versiegelungsharzes 7 zusätzlich die erste Gate-Markierung 75a auf, die eine rauere Oberfläche hat als der andere Bereich der Seitenfläche 75. Die erste Gate-Markierung 75a wird als Ergebnis des Prozesses zur Bildung des Versiegelungsharzes 7 (siehe 15) während der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 gebildet, und zwar an der Stelle der Einlassöffnung (dem ausgeschnittenen Abschnitt 831 auf der Seite x1), durch die geschmolzenes Harz eintritt. Wie in 1 gezeigt, ist die erste Gate-Markierung 75a in y-Richtung zur Seite y1 versetzt. In ähnlicher Weise weist die Seitenfläche 76 des Versiegelungsharzes 7 die zweite Gate-Markierung 76a auf, die eine rauere Oberfläche hat als der andere Bereich der Seitenfläche 76. Die zweite Gate-Markierung 76a wird als Ergebnis des Prozesses zur Bildung des Versiegelungsharzes 7 während der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 gebildet, und zwar an der Stelle der Auslassöffnung (dem ausgeschnittenen Abschnitt 831 auf der x2-Seite), durch die geschmolzenes Harz austritt. Wie in 1 gezeigt, ist die zweite Gate-Markierung 76a in y-Richtung zur Seite y2 versetzt. Das bedeutet, dass das geschmolzene Harz, das bei der Bildung des Versiegelungsharzes 7 eingespritzt wird, entlang einer diagonalen Linie durch den Hohlraum 88 fließt. Dadurch wird die Bildung von Hohlräumen im Versiegelungsharz 7 wirksam verhindert.
  • Bei dieser Ausführungsform überlappt der Draht 61a in z-Richtung gesehen nicht mit dem ersten Isolierelement 13. Das heißt, der Draht 61a wird daran gehindert, mit dem ersten Isolierelement 13 in Kontakt zu kommen oder ihm zu nahe zu kommen. In ähnlicher Weise überschneidet sich der Draht 61b in z-Richtung gesehen nicht mit dem zweiten Isolierelement 15. Das heißt, der Draht 61c wird daran gehindert, mit dem zweiten Isolierelement 15 in Kontakt zu kommen oder ihm zu nahe zu kommen. Die Drähte 61a und 61b sind mit dem Halbleiter-Steuerelement 11 verbunden und sind Komponenten der eingangsseitigen Schaltung, die auf einem relativ niedrigen Potential gehalten wird. Das erste Isolierelement 13 und das zweite Isolierelement 15 weisen Abschnitte der ersten und zweiten ausgangsseitigen Schaltungen auf, die auf einem relativ hohen Potential gehalten werden. Indem verhindert wird, dass der Draht 61a zu nahe am ersten Isolierelement 13 und der Draht 61b zu nahe am zweiten Isolierelement 15 liegt, dient dazu, die Spannungsisolierung des Halbleiterbauteils A10 zu verbessern. Zusätzlich kann bei dieser Ausführungsform der Draht 61a zwar durch das geschmolzene Harz, das bei der Bildung des Versiegelungsharzes 7 (siehe 15) durch die Einlassöffnung (den ausgeschnittenen Abschnitt 831 auf der Seite x1) fließt, in eine Richtung weg vom ersten Isolierelement 13 gedrückt werden. Das heißt, der Draht 61a wird daran gehindert, dem ersten Isolierelement 13 zu nahe zu kommen.
  • Obwohl bei dieser Ausführungsform die erste Gate-Markierung 75a in y-Richtung zur y1-Seite und die zweite Gate-Markierung 76a zur y2-Seite versetzt ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Die Orte der ersten Gate-Markierung 75a und der zweiten Gate-Markierung 76a sind nicht speziell beschränkt. Mit anderen Worten sind bei der Herstellung des Halbleiterbauteils A10 die Stellen der Einlassöffnung („input gate“) und der Auslassöffnung („output gate“), die bei der Bildung des Versiegelungsharzes 7 verwendet werden, nicht spezifisch beschränkt. Zum Beispiel kann die erste Gate-Markierung 75a in y-Richtung versetzt zur y2-Seite und die zweite Gate-Markierung 76a zur y1-Seite angeordnet sein. Diese Anordnung kann immer noch sicherstellen, dass das geschmolzene Harz, das beim Bilden des Versiegelungsharzes 7 injiziert wird, entlang einer diagonalen Linie durch den Hohlraum 88 fließt. Dadurch wird die Bildung von Hohlräumen („voids“) im Versiegelungsharz 7 wirksam verhindert. Bei einem anderen Beispiel können die erste Gate-Markierung 75a und die zweite Gate-Markierung 76a beide versetzt zur Seite y1 in y-Richtung, beide versetzt zur Seite y2 in y-Richtung oder beide in y-Richtung versetzt zur Mitte angeordnet sein. Da das Halbleiterbauteil A10 dieser Ausführungsform keinen auf den Seitenflächen 75 und 76 freiliegenden Support-Anschluss hat, können die Orte der Einlassöffnung und der Auslassöffnung flexibel bestimmt werden.
  • Obwohl diese Ausführungsform das elektrisch leitende Trägerelement 2 auf den Seitenflächen 75 und 76 als nicht freiliegen beschreibt, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Das elektrisch leitende Trägerelement 2 kann einen Support-Anschluss aufweisen, der auf der Seitenfläche 75 oder 76 freiliegt.
  • Außerdem, obwohl bei dieser Ausführungsform beschrieben wird, dass das Versiegelungsharz 7 auf der obere Fläche 71, der Bodenfläche 72, dem oberen Bereich 731 und dem unteren Bereich 732 der Seitenfläche 73 und dem oberen Bereich 741 und dem unteren Bereich 742 der Seitenfläche 74 eine größere Oberflächenrauigkeit aufweist als auf dem mittleren Bereich 733 der Seitenfläche 73 und dem mittleren Bereich 743 der Seitenfläche 74, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Das Versiegelungsharz 7 kann zum Beispiel auf jeder der Oberflächen 71 bis 76 etwa die gleiche Oberflächenrauigkeit aufweisen. In einem solchen Fall kann die Oberflächenrauigkeit jeder der Oberflächen 71 bis 76 des Versiegelungsharzes 7 relativ klein oder relativ groß sein (z.B. zwischen 5 und 20 um Rz).
  • Die 16 bis 20 zeigen weitere Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. In diesen Figuren sind die Elemente, die mit denen der oben beschriebenen Ausführungsform identisch oder ihnen ähnlich sind, mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.
  • 16 ist eine Ansicht, die ein Halbleiterbauteil A20 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 16 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A20 und korrespondiert mit 2. Der Einfachheit halber ist in 16 das Versiegelungsharz 7 transparent dargestellt und die Umrisse des Versiegelungsharzes 7 sind als Phantom dargestellt (zwei-Punkt-Strich Linien). Das Halbleiterbauteil A20 dieser Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, dass das erste Isolierelement 13 auf dem zweiten Die-Pad 32 und das zweite Isolierelement 15 auf dem dritten Die-Pad 33 angebracht ist.
  • Das erste Die-Pad 31 bei dieser Ausführungsform hat eine kleinere Abmessung in x-Richtung als bei der ersten Ausführungsform. Das zweite Die-Pad 32 und das dritte Die-Pad 33 haben größere Abmessungen in x-Richtung als bei der ersten Ausführungsform. Bei dieser Ausführungsform ist das erste Isolierelement 13 auf dem zweiten Die-Pad 32 angebracht, während das zweite Isolierelement 15 auf dem dritten Die-Pad 33 angebracht ist.
  • Auch bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A20 das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 auf und ist somit in der Lage, zwei Schaltelemente einer Halbbrückenschaltung anzusteuern. Das Halbleiterbauteil A20 kann kompakter sein als zwei herkömmliche Halbleiterbauteile zusammen und kann daher den Platzbedarf auf der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung verringern. Darüber hinaus kann der Platzbedarf des Halbleiterbauteils A20 weiter reduziert werden, da der zwischen zwei konventionellen Halbleiterbauteilen erforderliche Abstand nicht notwendig ist. Darüber hinaus weist das Halbleiterbauteil A20 die gleiche Konfiguration wie das Halbleiterbauteil A10 auf und kann daher die gleichen Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10 erzielen.
  • 17 ist eine Ansicht, die ein Halbleiterbauteil A30 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 17 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A30 und korrespondiert mit 1. Das Halbleiterbauteil A30 dieser Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, dass das Versiegelungsharz 7 mit Vertiefungen bzw. Nuten bzw. Einkerbungen („grooves“) gebildet ist.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das Versiegelungsharz 7 zusätzlich eine erste Vertiefung 74b und eine zweite Vertiefung 75b auf. Die erste Vertiefung 74b ist in y-Richtung von der Seitenfläche 74 ausgenommen und erstreckt sich in z-Richtung von der obere Fläche 71 zur Bodenfläche 72. Das Versiegelungsharz 7 dieser Ausführungsform weist, ohne darauf beschränkt zu sein, drei erste Vertiefungen 74b in gleichen Abständen in x-Richtung auf. Die ersten Vertiefungen 74b sind, in z-Richtung gesehen, rechteckig. Die Form jeder ersten Vertiefung 74b in z-Richtung ist nicht darauf beschränkt und kann zum Beispiel halbkreisförmig sein. Die ersten Vertiefungen 74b sind in einem Bereich der Seitenfläche 74 zwischen dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52b und dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53b angeordnet. Die zweite Vertiefung 75b ist in x-Richtung von der Seitenfläche 75 ausgenommen und erstreckt sich in z-Richtung von der oberen Fläche 71 zur Bodenfläche 72. Das Versiegelungsharz 7 dieser Ausführungsform weist drei zweite Vertiefungen 75b in gleichen Abständen in y-Richtung auf. Die Anzahl und die Position der bereitzustellenden zweiten Vertiefungen 75b sind nicht beschränkt. Die zweiten Vertiefungen 75b sind, in z-Richtung gesehen, rechteckig. Die Form jeder zweiten Vertiefung 75b in z-Richtung ist nicht darauf beschränkt und kann zum Beispiel halbkreisförmig sein. Die zweiten Vertiefungen 75b sind in einem anderen Bereich der Seitenfläche 75 als die erste Gate-Markierung 75a gebildet. Das Versiegelungsharz 7 kann zusätzlich eine oder mehrere dritte Vertiefungen aufweisen, die von der Seitenfläche 76 in x-Richtung ausgenommen sind und sich in z-Richtung von der oberen Fläche 71 zur Bodenfläche 72 erstrecken.
  • Auch bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A30 das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 auf und ist somit in der Lage, zwei Schaltelemente einer Halbbrückenschaltung anzusteuern. Das Halbleiterbauteil A30 kann kompakter sein als zwei herkömmliche Halbleiterbauteile zusammen und kann daher den Platzbedarf auf der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung verringern. Darüber hinaus kann der Platzbedarf der Halbleiterbauteile A30 weiter reduziert werden, da der zwischen zwei herkömmlichen Halbleiterbauteilen erforderliche Abstand nicht notwendig ist. Darüber hinaus weist das Halbleiterbauteil A30 die gleiche Konfiguration auf wie das Halbleiterbauteil A10 und kann daher dieselben Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10 erzielen.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das Versiegelungsharz 7 zusätzlich die ersten Vertiefungen 74b in einem Bereich der Seitenfläche 74 zwischen dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52b und dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53b auf. Die Kriechstrecke von dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52b zu dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53b entlang der Seitenfläche 74 ist mit den ersten Vertiefungen 74b größer als ohne. Folglich kann das Halbleiterbauteil A30 die Spannungsisolierung weiter verbessern. Darüber hinaus hat das Versiegelungsharz 7 die zweiten Vertiefungen 75b auf der Seitenfläche 75. Die Kriechstrecke von dem eingangsseitigen Terminal 51a zu dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52a entlang der Seitenflächen 73, 75 und 74 des Versiegelungsharzes 7 ist mit den zweiten Vertiefungen 75b größer als ohne. Folglich kann das Halbleiterbauteil A30 die Spannungsisolierung weiter verbessern.
  • 18 ist eine Ansicht, die ein Halbleiterbauteil A40 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 18 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A40 und korrespondiert mit 1. Das Halbleiterbauteil A40 dieser Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, dass das Versiegelungsharz 7 mit Vorsprüngen gebildet ist.
  • Das Versiegelungsharz 7 dieser Ausführungsform weist einen ersten Vorsprung 74c und einen zweiten Vorsprung 75c auf. Der erste Vorsprung 74c ragt in y-Richtung aus der Seitenfläche 74 heraus und erstreckt sich in z-Richtung von der obere Fläche 71 zur Bodenfläche 72. Das Versiegelungsharz 7 dieser Ausführungsform weist, ohne darauf beschränkt zu sein, drei erste Vorsprünge 74c in gleichen Abständen in x-Richtung auf. Die ersten Vorsprünge 74c sind, in z-Richtung gesehen, rechteckig. Die Form jedes ersten Vorsprungs 74c in z-Richtung ist nicht darauf beschränkt und kann z.B. halbkreisförmig sein. Die ersten Vorsprünge 74c sind in einem Bereich der Seitenfläche 74 zwischen dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52b und dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53b angeordnet. Der zweite Vorsprung 75c ragt in x-Richtung aus der Seitenfläche 75 in x-Richtung heraus und erstreckt sich in z-Richtung von der oberen Fläche 71 zur Bodenfläche 72. Das Versiegelungsharz 7 dieser Ausführungsform weist drei zweite Vorsprünge 75c in gleichen Abständen in y-Richtung auf. Die Anzahl und die Position der bereitzustellenden zweiten Vorsprünge 75c sind nicht beschränkt. Die zweiten Vorsprünge 75c sind, in z-Richtung gesehen, rechteckig. Die Form jedes zweiten Vorsprungs 75c in z-Richtung gesehen ist nicht darauf beschränkt und kann z.B. halbkreisförmig sein. Die zweiten Vorsprünge 75c sind in einem anderen Bereich der Seitenfläche 75 als die erste Gate-Markierung 75a gebildet. Das Versiegelungsharz 7 kann zusätzlich einen oder mehrere dritte Vorsprünge aufweisen, die aus der Seitenfläche 76 in x-Richtung vorstehen und sich in z-Richtung von der oberen Fläche 71 zur Bodenfläche 72 erstrecken.
  • Auch bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A40 das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 auf und ist somit in der Lage, zwei Schaltelemente einer Halbbrückenschaltung anzusteuern. Das Halbleiterbauteil A40 kann kompakter sein als zwei herkömmliche Halbleiterbauteile zusammen und kann daher den Platzbedarf auf der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung verringern. Darüber hinaus kann der Platzbedarf des Halbleiterbauteils A40 weiter reduziert werden, da der zwischen zwei herkömmlichen Halbleiterbauteilen erforderliche Abstand nicht notwendig ist. Darüber hinaus weist das Halbleiterbauteil A40 die gleiche Konfiguration auf wie das Halbleiterbauteil A10 und kann daher dieselben Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10 erzielen.
  • Bei dieser Ausführungsform weist das Versiegelungsharz 7 zusätzlich die ersten Vorsprünge 74c in einem Bereich der Seitenfläche 74 zwischen dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52b und dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53b auf. Die Kriechstrecke von dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52b zu dem zweiten ausgangsseitigen Terminal 53b entlang der Seitenfläche 74 ist mit den ersten Vorsprüngen 74c größer als ohne. Folglich kann das Halbleiterbauteil A40 die Spannungsisolierung weiter verbessern. Darüber hinaus hat das Versiegelungsharz 7 die zweiten Vorsprünge 75c auf der Seitenfläche 75. Die Kriechstrecke von dem eingangsseitigen Terminal 51a zu dem ersten ausgangsseitigen Terminal 52a entlang der Seitenflächen 73, 75 und 74 des Versiegelungsharzes 7 ist mit den zweiten Vorsprüngen 75c größer als ohne. Folglich kann das Halbleiterbauteil A40 die Spannungsisolierung weiter verbessern.
  • 19 ist eine Ansicht, die ein Halbleiterbauteil A50 gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 19 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A50 und korrespondiert mit 2. Der Einfachheit halber ist in 19 das Versiegelungsharz 7 transparent dargestellt und die Umrisse des Versiegelungsharzes 7 sind als Phantom dargestellt (zwei-Punkt-Strich Linien). Das Halbleiterbauteil A50 dieser Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, dass das erste Die-Pad 31, das zweite Die-Pad 32 und das dritte Die-Pad 33 jeweils zusätzlich von einem Trägeranschluss bzw. Support-Anschluss („support lead“) getragen werden.
  • Das erste Die-Pad 31 dieser Ausführungsform weist anstelle des mittleren der drei Vorsprünge 313 einen Support-Anschluss 315 auf. Der Support-Anschluss 315 ragt von der Seitenfläche des ersten Die-Pads 31 auf der y2-Seite in y-Richtung nach außen und stützt das erste Die-Pad 31. Die Endfläche des Support-Anschlusses 315 an der y2-Seite in y-Richtung liegt an der Seitenfläche 74 des Versiegelungsharzes 7 frei. Der Support-Anschluss 315 ist ein Abschnitt, der mit dem ersten Die-Pad 31 und einem ersten Holm 821 im Anschlussrahmen 80 verbunden ist und beim Verfahren des Zerteilens („dicing“) von dem ersten Holm 821 abgetrennt wird. Die durch dieses Abschneiden gebildete Schnittfläche ist die Endfläche auf der y2-Seite in y-Richtung und liegt auf der Seitenfläche 74 des Versiegelungsharzes 7 frei.
  • Darüber hinaus weist das zweite Die-Pad 32 bei dieser Ausführungsform einen Support-Anschluss 324 anstelle des Vorsprungs 323 auf. Der Support-Anschluss 324 ragt von der Seitenfläche des zweiten Die-Pads 32 auf der xl-Seite in x-Richtung nach außen und stützt das zweite Die-Pad 32. Die Endfläche des Support-Anschluss 324 an der xl-Seite in x-Richtung liegt an der Seitenfläche 75 des Versiegelungsharzes 7 frei. Der Support-Anschluss 324 ist ein Abschnitt, der mit dem zweiten Die-Pad 32 und einem Dammbalken 83 im Anschlussrahmen 80 verbunden ist und beim Verfahren des Zerteilens von dem Dammbalken 83 abgetrennt wird. Die durch dieses Abschneiden gebildete Schnittfläche ist die Endfläche auf der xl-Seite in x-Richtung und liegt auf der Seitenfläche 75 des Versiegelungsharzes 7 frei.
  • Darüber hinaus weist das dritte Die-Pad 33 bei dieser Ausführungsform einen Support-Anschluss 334 anstelle des Vorsprungs 333 auf. Der Support-Anschluss 334 ragt von der Seitenfläche des dritten Die-Pads 33 auf der x2-Seite in x-Richtung nach außen und stützt das dritte Die-Pad 33. Die Endfläche des Support-Anschlusses 334 an der x2-Seite in x-Richtung liegt an der Seitenfläche 76 des Versiegelungsharzes 7 frei. Der Support-Anschluss 334 ist ein Abschnitt, der mit dem dritten Die-Pad 33 und einem Dammbalken 83 im Anschlussrahmen 80 verbunden ist und beim Verfahren des Zerteilens von dem Dammbalken 83 abgetrennt wird. Die durch dieses Abschneiden gebildete Schnittfläche ist die Endfläche auf der x2-Seite in x-Richtung und liegt auf der Seitenfläche 76 des Versiegelungsharzes 7 frei.
  • Auch bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A50 das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 auf und ist somit in der Lage, zwei Schaltelemente einer Halbbrückenschaltung anzusteuern. Das Halbleiterbauteil A50 kann kompakter sein als zwei herkömmliche Halbleiterbauteile zusammen und kann daher den Platzbedarf auf der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung verringern. Darüber hinaus kann der Platzbedarf des Halbleiterbauteils A50 weiter reduziert werden, da der zwischen zwei herkömmlichen Halbleiterbauteilen erforderliche Abstand nicht notwendig ist. Darüber hinaus weist das Halbleiterbauteil A50 die gleiche Konfiguration auf wie das Halbleiterbauteil A10 und kann daher dieselben Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10 erzielen.
  • Bei dieser Ausführungsform stellt der Support-Anschluss 315 eine zusätzliche Unterstützung für das erste Die-Pad 31 bereit. Das erste Die-Pad 31 kann daher während des Prozesses des Bondens des Halbleiter-Steuerelements 11, des ersten isolierenden Elements 13 und des zweiten isolierenden Elements 15 an das erste Die-Pad 31 und auch während des Prozesses des Formens der Drähte 61 stabiler gehalten werden. Darüber hinaus stellt der Support-Anschluss 324 eine zusätzliche Unterstützung für das zweite Die-Pad 32 bereit. Das zweite Die-Pad 32 kann daher während des Prozesses des Bondens des ersten Ansteuerelements 12 mit dem zweiten Die-Pad 32 und auch während des Prozesses des Formens der Drähte 62 stabiler gehalten werden. Darüber hinaus stellt der Support-Anschluss 334 eine zusätzliche Unterstützung für das dritte Die-Pad 33 bereit. Das dritte Die-Pad 33 kann daher während des Prozesses der Bondens des zweiten Ansteuerelements 14 mit dem dritten Die-Pad 33 und auch während des Prozesses des Formens der Drähte 63 stabiler gehalten werden.
  • 20 ist eine Ansicht, die ein Halbleiterbauteil A60 gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 20 ist eine Draufsicht auf das Halbleiterbauteil A60 und korrespondiert mit 2. Der Einfachheit halber ist in 20 das Versiegelungsharz 7 transparent dargestellt und die Umrisse des Versiegelungsharzes 7 sind als Phantom dargestellt (zwei-Punkt-Strich Linien). Das Halbleiterbauteil A60 dieser Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform dadurch, dass das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12, das erste Isolierelement 13, das zweite Ansteuerelement 14 und das zweite Isolierelement 15 in x-Richtung (fluchtend) ausgerichtet sind.
  • Bei dieser Ausführungsform sind die Mitte 11a des Halbleiter-Steuerelements 11, die Mitte 12a des ersten Ansteuerelements 12, die Mitte 13a des ersten Isolierelements 13, die Mitte 14a des zweiten Ansteuerelements 14 und die Mitte 15a des zweiten Isolierelements 15 in x-Richtung (fluchtend bzw. aneinander) ausgerichtet.
  • Auch bei dieser Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil A60 das Halbleiter-Steuerelement 11, das erste Ansteuerelement 12 und das zweite Ansteuerelement 14 auf und ist somit in der Lage, zwei Schaltelemente einer Halbbrückenschaltung anzusteuern. Das Halbleiterbauteil A60 kann kompakter sein als zwei herkömmliche Halbleiterbauteile zusammen und kann daher den Platzbedarf auf der Leiterplatte einer Inverter-Vorrichtung verringern. Darüber hinaus kann der Platzbedarf des Halbleiterbauteils A60 weiter reduziert werden, da der zwischen zwei herkömmlichen Halbleiterbauteilen erforderliche Abstand nicht notwendig ist. Darüber hinaus weist das Halbleiterbauteil A60 die gleiche Konfiguration wie das Halbleiterbauteil A10 auf und kann daher die gleichen Vorteile wie das Halbleiterbauteil A10 erzielen.
  • Das Halbleiterbauteil gemäß der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die vorgenannten Ausführungsformen beschränkt. Verschiedene Designänderungen können an der spezifischen Konfiguration jedes Teils der Halbleiterbauteile gemäß der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden. Die vorliegende Offenbarung umfasst die in den folgenden Klauseln beschriebenen Ausführungsformen.
  • Klausel 1.
  • Halbleiterbauteil mit:
    • einem Halbleiter-Steuerelement;
    • einem ersten Ansteuerelement, das in Bezug auf das Halbleiter-Steuerelement auf einer ersten Seite in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung des Halbleiter-Steuerelements angeordnet ist bzw. einem ersten Ansteuerelement, das von dem Halbleiter-Steuerelement auf einer ersten Seite in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung des Halbleiter-Steuerelements beabstandet angeordnet ist, wobei das erste Ansteuerelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal zu empfangen;
    • einem zweiten Ansteuerelement, das in Bezug auf das Halbleiter-Steuerelement auf einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite in der ersten Richtung angeordnet ist bzw. einem zweiten Ansteuerelement, das von dem Halbleiter-Steuerelement auf einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite in der ersten Richtung beabstandet angeordnet ist, wobei das zweite Ansteuerelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal zu empfangen;
    • einem ersten Isolierelement, das zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem ersten Ansteuerelement in der ersten Richtung angeordnet ist, wobei das erste Isolierelement dazu eingerichtet ist, ein vom Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal an das erste Ansteuerelement weiterzuleiten und eine elektrische Isolierung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem ersten Ansteuerelement bereitzustellen;
    • einem zweiten Isolierelement, das zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem zweiten Ansteuerelement in der ersten Richtung angeordnet ist, wobei das zweite Isolierelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal an das zweite Ansteuerelement weiterzuleiten und eine elektrische Isolierung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem zweiten Ansteuerelement bereitzustellen; und
    • einem Versiegelungsharz, das das Halbleiter-Steuerelement bedeckt.
  • Klausel 2.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 1, ferner aufweisend ein elektrisch leitendes Trägerelement, der ein erstes Die-Pad, auf dem das Halbleiter-Steuerelement angebracht ist, ein zweites Die-Pad, auf dem das erste Ansteuerelement angebracht ist, und ein drittes Die-Pad, auf dem das zweite Ansteuerelement angebracht ist, aufweist.
  • Klausel 3.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das erste Isolierelement und das zweite Isolierelement auf dem ersten Die-Pad angebracht sind.
  • Klausel 4.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 2, wobei das erste Isolierelement auf dem zweiten Die-Pad angebracht ist, und
    das zweite Isolierelement auf dem dritten Die-Pad angebracht ist.
  • Klausel 5.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 2 bis 4, wobei das elektrisch leitende Trägerelement mehrere eingangsseitige Terminals aufweist, die in der ersten Richtung nebeneinander angeordnet sind, und zumindest eines der mehreren eingangsseitigen Terminals elektrisch mit dem Halbleiter-Steuerelement verbunden ist.
  • Klausel 6.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 5, ferner aufweisend einen ersten Draht und einen zweiten Draht,
    wobei die mehreren eingangsseitigen Terminals ein eingangsseitiges erstes Terminal aufweisen, das am weitesten auf der ersten Seite angeordnet ist, und ein eingangsseitiges zweites Terminal, das am weitesten auf der zweiten Seite angeordnet ist,
    der erste Draht das Halbleiter-Steuerelement und das eingangsseitige erste Terminal elektrisch verbindet und sich in Dickenrichtung gesehen nicht mit dem ersten isolierenden Element überlappt, und
    der zweite Draht das Halbleiter-Steuerelement und das eingangsseitige zweite Terminal elektrisch verbindet und sich in Dickenrichtung gesehen nicht mit dem zweiten isolierenden Element überlappt.
  • Klausel 7.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 6, wobei sowohl der erste Draht als auch der zweite Draht einen Winkel von 20° oder weniger mit der ersten Richtung bildet.
  • Klausel 8.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 5 bis 7, wobei die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals ein eingangsseitiges Terminal aufweist, das mit dem ersten Die-Pad verbunden ist.
  • Klausel 9.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 2 bis 8, wobei das elektrisch leitende Trägerelement aufweist:
    • mehrere erste ausgangsseitige Terminals, die in der ersten Richtung nebeneinander angeordnet sind, wobei zumindest eines der mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals elektrisch mit dem ersten Ansteuerelement verbunden ist; und
    • mehrere zweite ausgangsseitige Terminals, die in der ersten Richtung nebeneinander auf der zweiten Seite in Bezug auf die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals angeordnet sind, wobei zumindest eines der mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals elektrisch mit dem zweiten Ansteuerelement verbunden ist.
  • Klausel 10.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 9, wobei die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals ein einzelnes erstes ausgangsseitiges Terminal aufweisen, das mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist, und
    die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals ein einzelnes zweites ausgangsseitiges Support-Terminal aufweisen, das mit dem dritten Die-Pad verbunden ist.
  • Klausel 11.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 9 oder 10, wobei jedes der mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals einen ersten freiliegenden Abschnitt aufweist, der aus dem Versiegelungsharz exponiert ist, und jedes der mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals einen zweiten freiliegenden Abschnitt aufweist, der aus dem Versiegelungsharz exponiert ist, und
    die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals ein erstes ausgangsseitiges innerstes Terminal aufweisen, das am weitesten auf der zweiten Seite angeordnet ist, und die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals ein zweites ausgangsseitiges innerstes Terminal aufweisen, das am weitesten auf der ersten Seite angeordnet ist,
    der erste freiliegende Abschnitt des ersten ausgangsseitigen innersten Terminals und der zweite freiliegende Abschnitt des zweiten ausgangsseitigen innersten Terminals um einen ersten Inter-Terminal-Abstand voneinander beabstandet sind,
    die mehreren ersten freiliegenden Abschnitte voneinander beabstandet sind, um einen oder mehrere Trennungsabstände zwischen jedem Paar von zwei benachbarten ersten freiliegenden Abschnitten der mehreren ersten freiliegenden Abschnitte zu definieren, und ein größter der Trennungsabstände als ein zweiter Inter-Terminal-Abstand definiert ist, und
    der erste Inter-Terminal-Abstand mindestens dreimal so groß ist wie der zweite Inter-Terminal-Abstand.
  • Klausel 12.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 11, wobei das Versiegelungsharz eine erste Seitenfläche aufweist, aus der die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals und die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals herausragen, und
    das elektrisch leitende Trägerelement in einem Bereich der ersten Seitenfläche zwischen dem ersten ausgangsseitigen innersten Terminal und dem zweiten ausgangsseitigen innersten Terminal nicht exponiert ist.
  • Klausel 13.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 12, wobei das Versiegelungsharz eine erste Vertiefung aufweist, die von der ersten Seitenfläche zurückversetzt ist und sich in der Dickenrichtung erstreckt, und
    die erste Vertiefung ist zwischen dem ersten ausgangsseitigen innersten Terminal und dem zweiten ausgangsseitigen innersten Terminal in der ersten Richtung angeordnet.
  • Klausel 14.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 12 oder 13, wobei das Versiegelungsharz eine obere Fläche aufweist, die auf einer dem ersten Die-Pad gegenüberliegenden Seite in Bezug auf das Halbleiter Steuerelement in Dickenrichtung angeordnet ist, und eine Bodenfläche, die der obere Fläche in Dickenrichtung gegenüberliegt,
    die erste Seitenfläche einen ersten Bereich aufweist, der mit der oberen Fläche verbunden ist, einen zweiten Bereich, der mit der Bodenfläche verbunden ist, und einen dritten Bereich, der mit dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich verbunden ist und aus dem die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals und die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals herausragen, und
    die obere Fläche, die Bodenfläche, der erste Bereich und der zweite Bereich jeweils eine größere Oberflächenrauigkeit aufweisen als der dritte Bereich.
  • Klausel 15.
  • Halbleiterbauteil nach einer der Klauseln 2 bis 14, wobei in einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung das erste Isolierelement eine Mitte zwischen einer Mitte des Halbleiter-Steuerelements und einer Mitte des ersten Ansteuerelements hat und das zweite Isolierelement eine Mitte zwischen der Mitte des Halbleiter-Steuerelements und einer Mitte des zweiten Ansteuerelements hat, und
    die Mitte des ersten Ansteuerelements und die Mitte des zweiten Ansteuerelements in der zweiten Richtung auf derselben Seite in Bezug auf die Mitte des Halbleiter-Steuerelements angeordnet sind.
  • Klausel 16.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 15, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Seitenfläche aufweist, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung angeordnet ist, und
    das elektrisch leitende Trägerelement auf der zweiten Seitenfläche nicht freiliegt.
  • Klausel 17.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 16, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Vertiefung aufweist, die von der zweiten Seitenfläche in der ersten Richtung zurückversetzt ist und sich in der Dickenrichtung erstreckt.
  • Klausel 18.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 16 oder 17, wobei die zweite Seitenfläche eine erste Gate-Markierung aufweist, die eine größere Oberflächenrauigkeit hat als ein anderer Bereich der zweiten Seitenfläche, und
    die erste Gate-Markierung in der zweiten Richtung zu einer Seite versetzt ist, die näher an der Mitte des Halbleiter-Steuerelements in Bezug auf die Mitte des ersten Ansteuerelements liegt.
  • Klausel 19.
  • Halbleiterbauteil nach Klausel 18, wobei das Versiegelungsharz eine dritte Seitenfläche aufweist, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung angeordnet ist,
    die dritte Seitenfläche eine zweite Gate-Markierung aufweist, die eine größere Oberflächenrauigkeit hat als ein anderer Bereich der dritten Seitenfläche, und
    die zweite Gate-Markierung in der zweiten Richtung zu einer Seite versetzt ist, die gegenüber der Mitte des Halbleiter-Steuerelementes in Bezug auf die Mitte des zweiten Ansteuerelementes liegt.
  • BEZUGSZEICHEN
    • A10, A20, A30, A40, A50, A60
    Halbleiterbauteil
    11
    Halbleiter-Steuerelement
    11a
    Mitte
    12
    erstes Ansteuerelement
    12a
    Mitte
    13
    erstes Isolierelement
    13a
    Mitte
    14
    zweites Ansteuerelement
    14a
    Mitte
    15
    zweites Isolierelement
    15a
    Mitte
    2
    elektrisch leitendes Trägerelement
    31
    erstes Die-Pad
    311
    Vorderfläche
    312
    Rückfläche
    313
    Vorsprung
    314
    Vertiefung
    315
    Support-Anschluss
    32
    zweites Die-Pad
    321
    Vorderfläche
    322
    Rückfläche
    323
    Vorsprung
    324
    Support-Anschluss
    33
    drittes Die-Pad
    331
    Vorderfläche
    332
    Rückfläche
    333
    Vorsprung
    334
    Support-Anschluss
    51, 51a, 51b, 51c, 51d
    Eingangsseitiges Terminal
    52, 52a, 52b
    erstes ausgangsseitiges Terminal
    53, 53a, 53b
    zweites ausgangsseitiges Terminal
    54, 54a, 54b, 55, 56
    Pad-Abschnitt
    61, 61a, 61b, 61c, 62, 62a
    Draht
    63, 63a, 64 bis 67
    Draht
    69
    Bondschicht
    7
    Versiegelungsharz
    71
    obere Fläche
    72
    Bodenfläche
    73
    Seitenfläche
    731
    oberer Bereich
    732
    unterer Bereich
    733
    mittlerer Bereich
    74
    Seitenfläche
    741
    oberer Bereich
    742
    unterer Bereich
    743
    mittlerer Bereich
    74b
    erste Vertiefung
    74c
    erster Vorsprung
    75
    Seitenfläche
    751
    oberer Bereich
    752
    unterer Bereich
    753
    mittlerer Bereich
    75a
    erste Gate-Markierung
    75b
    zweite Vertiefung
    75c
    zweiter Vorsprung
    76
    Seitenfläche
    761
    oberer Bereich
    762
    unterer Bereich
    763
    mittlerer Bereich
    76a
    zweite Gate-Markierung
    80
    Anschlussrahmen
    80A
    Vorderfläche
    80B
    Rückfläche
    81
    Frame
    821
    erster Holm
    822
    zweiter Holm
    83
    Dammbalken
    831
    ausgeschnittener Abschnitt
    88
    Hohlraum
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2016207714 A [0004]

Claims (19)

  1. Halbleiterbauteil mit: einem Halbleiter-Steuerelement; einem ersten Ansteuerelement, das in Bezug auf das Halbleiter-Steuerelement auf einer ersten Seite in einer ersten Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung des Halbleiter-Steuerelements angeordnet ist, wobei das erste Ansteuerelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal zu empfangen; einem zweiten Ansteuerelement, das in Bezug auf das Halbleiter-Steuerelement auf einer zweiten Seite gegenüber der ersten Seite in der ersten Richtung angeordnet ist, wobei das zweite Ansteuerelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal zu empfangen; einem ersten Isolierelement, das zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem ersten Ansteuerelement in der ersten Richtung angeordnet ist, wobei das erste Isolierelement dazu eingerichtet ist, ein vom Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal an das erste Ansteuerelement weiterzuleiten und eine elektrische Isolierung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem ersten Ansteuerelement bereitzustellen; einem zweiten Isolierelement, das zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem zweiten Ansteuerelement in der ersten Richtung angeordnet ist, wobei das zweite Isolierelement dazu eingerichtet ist, ein von dem Halbleiter-Steuerelement übertragenes Signal an das zweite Ansteuerelement weiterzuleiten und eine elektrische Isolierung zwischen dem Halbleiter-Steuerelement und dem zweiten Ansteuerelement bereitzustellen; und einem Versiegelungsharz, das das Halbleiter-Steuerelement bedeckt.
  2. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, ferner aufweisend ein elektrisch leitendes Trägerelement, der ein erstes Die-Pad, auf dem das Halbleiter-Steuerelement angebracht ist, ein zweites Die-Pad, auf dem das erste Ansteuerelement angebracht ist, und ein drittes Die-Pad, auf dem das zweite Ansteuerelement angebracht ist, aufweist.
  3. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das erste Isolierelement und das zweite Isolierelement auf dem ersten Die-Pad angebracht sind.
  4. Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, wobei das erste Isolierelement auf dem zweiten Die-Pad angebracht ist, und das zweite Isolierelement auf dem dritten Die-Pad angebracht ist.
  5. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei das elektrisch leitende Trägerelement mehrere eingangsseitige Terminals aufweist, die in der ersten Richtung nebeneinander angeordnet sind, und zumindest eines der mehreren eingangsseitigen Terminals elektrisch mit dem Halbleiter-Steuerelement verbunden ist.
  6. Halbleiterbauteil nach Anspruch 5, ferner aufweisend einen ersten Draht und einen zweiten Draht, wobei die mehreren eingangsseitigen Terminals ein eingangsseitiges erstes Terminal aufweisen, das am weitesten auf der ersten Seite angeordnet ist, und ein eingangsseitiges zweites Terminal, das am weitesten auf der zweiten Seite angeordnet ist, der erste Draht das Halbleiter-Steuerelement und das eingangsseitige erste Terminal elektrisch verbindet und sich in Dickenrichtung gesehen nicht mit dem ersten isolierenden Element überlappt, und der zweite Draht das Halbleiter-Steuerelement und das eingangsseitige zweite Terminal elektrisch verbindet und sich in Dickenrichtung gesehen nicht mit dem zweiten isolierenden Element überlappt.
  7. Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, wobei sowohl der erste Draht als auch der zweite Draht einen Winkel von 20° oder weniger mit der ersten Richtung bildet.
  8. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die Vielzahl der eingangsseitigen Terminals ein eingangsseitiges Terminal aufweist, das mit dem ersten Die-Pad verbunden ist.
  9. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 2 bis 8, wobei das elektrisch leitende Trägerelement aufweist: mehrere erste ausgangsseitige Terminals, die in der ersten Richtung nebeneinander angeordnet sind, wobei zumindest eines der mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals elektrisch mit dem ersten Ansteuerelement verbunden ist; und mehrere zweite ausgangsseitige Terminals, die in der ersten Richtung nebeneinander auf der zweiten Seite in Bezug auf die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals angeordnet sind, wobei zumindest eines der mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals elektrisch mit dem zweiten Ansteuerelement verbunden ist.
  10. Halbleiterbauteil nach Anspruch 9, wobei die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals ein einzelnes erstes ausgangsseitiges Terminal aufweisen, das mit dem zweiten Die-Pad verbunden ist, und die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals ein einzelnes zweites ausgangsseitiges Support-Terminal aufweisen, das mit dem dritten Die-Pad verbunden ist.
  11. Halbleiterbauteil nach Anspruch 9 oder 10, wobei jedes der mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals einen ersten freiliegenden Abschnitt aufweist, der aus dem Versiegelungsharz exponiert ist, und jedes der mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals einen zweiten freiliegenden Abschnitt aufweist, der aus dem Versiegelungsharz exponiert ist, und die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals ein erstes ausgangsseitiges innerstes Terminal aufweisen, das am weitesten auf der zweiten Seite angeordnet ist, und die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals ein zweites ausgangsseitiges innerstes Terminal aufweisen, das am weitesten auf der ersten Seite angeordnet ist, der erste freiliegende Abschnitt des ersten ausgangsseitigen innersten Terminals und der zweite freiliegende Abschnitt des zweiten ausgangsseitigen innersten Terminals um einen ersten Inter-Terminal-Abstand voneinander beabstandet sind, die mehreren ersten freiliegenden Abschnitte voneinander beabstandet sind, um einen oder mehrere Trennungsabstände zwischen jedem Paar von zwei benachbarten ersten freiliegenden Abschnitten der mehreren ersten freiliegenden Abschnitten zu definieren, und ein größter der Trennungsabstände als ein zweiter Inter-Terminal-Abstand definiert ist, und der erste Inter-Terminal-Abstand mindestens dreimal so groß ist wie der zweite Inter-Terminal-Abstand.
  12. Halbleiterbauteil nach Anspruch 11, wobei das Versiegelungsharz eine erste Seitenfläche aufweist, aus der die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals und die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals herausragen, und das elektrisch leitende Trägerelement in einem Bereich der ersten Seitenfläche zwischen dem ersten ausgangsseitigen innersten Terminal und dem zweiten ausgangsseitigen innersten Terminal nicht exponiert ist.
  13. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12, wobei das Versiegelungsharz eine erste Vertiefung aufweist, die von der ersten Seitenfläche zurückversetzt ist und sich in der Dickenrichtung erstreckt, und die erste Vertiefung ist zwischen dem ersten ausgangsseitigen innersten Terminal und dem zweiten ausgangsseitigen innersten Terminal in der ersten Richtung angeordnet.
  14. Halbleiterbauteil nach Anspruch 12 oder 13, wobei das Versiegelungsharz eine obere Fläche aufweist, die auf einer dem ersten Die-Pad gegenüberliegenden Seite in Bezug auf das Halbleiter Steuerelement in Dickenrichtung angeordnet ist, und eine Bodenfläche, die der obere Fläche in Dickenrichtung gegenüberliegt, die erste Seitenfläche einen ersten Bereich aufweist, der mit der oberen Fläche verbunden ist, einen zweiten Bereich, der mit der Bodenfläche verbunden ist, und einen dritten Bereich, der mit dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich verbunden ist und aus dem die mehreren ersten ausgangsseitigen Terminals und die mehreren zweiten ausgangsseitigen Terminals herausragen, und die obere Fläche, die Bodenfläche, der erste Bereich und der zweite Bereich jeweils eine größere Oberflächenrauigkeit aufweisen als der dritte Bereich.
  15. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 2 bis 14, wobei in einer zweiten Richtung senkrecht zur Dickenrichtung und zur ersten Richtung das erste Isolierelement eine Mitte zwischen einer Mitte des Halbleiter-Steuerelements und einer Mitte des ersten Ansteuerelements hat und das zweite Isolierelement eine Mitte zwischen der Mitte des Halbleiter-Steuerelements und einer Mitte des zweiten Ansteuerelements hat, und die Mitte des ersten Ansteuerelements und die Mitte des zweiten Ansteuerelements in der zweiten Richtung auf derselben Seite in Bezug auf die Mitte des Halbleiter-Steuerelements angeordnet sind.
  16. Halbleiterbauteil nach Anspruch 15, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Seitenfläche aufweist, die auf der ersten Seite in der ersten Richtung angeordnet ist, und das elektrisch leitende Trägerelement auf der zweiten Seitenfläche nicht freiliegt.
  17. Halbleiterbauteil nach Anspruch 16, wobei das Versiegelungsharz eine zweite Vertiefung aufweist, die von der zweiten Seitenfläche in der ersten Richtung zurückversetzt ist und sich in der Dickenrichtung erstreckt.
  18. Halbleiterbauteil nach Anspruch 16 oder 17, wobei die zweite Seitenfläche eine erste Gate-Markierung aufweist, die eine größere Oberflächenrauigkeit hat als ein anderer Bereich der zweiten Seitenfläche, und die erste Gate-Markierung in der zweiten Richtung zu einer Seite versetzt ist, die näher an der Mitte des Halbleiter-Steuerelements in Bezug auf die Mitte des ersten Ansteuerelements liegt.
  19. Halbleiterbauteil nach Anspruch 18, wobei das Versiegelungsharz eine dritte Seitenfläche aufweist, die auf der zweiten Seite in der ersten Richtung angeordnet ist, die dritte Seitenfläche eine zweite Gate-Markierung aufweist, die eine größere Oberflächenrauigkeit hat als ein anderer Bereich der dritten Seitenfläche, und die zweite Gate-Markierung in der zweiten Richtung zu einer Seite versetzt ist, die gegenüber der Mitte des Halbleiter-Steuerelementes in Bezug auf die Mitte des zweiten Ansteuerelementes liegt.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024038736A1 (ja) * 2022-08-19 2024-02-22 ローム株式会社 半導体装置
WO2024038746A1 (ja) * 2022-08-19 2024-02-22 ローム株式会社 半導体装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016207714A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 ローム株式会社 半導体装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6770452B2 (ja) * 2017-01-27 2020-10-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
DE112019003540T5 (de) * 2018-07-12 2021-03-25 Rohm Co., Ltd. Halbleiterbauteil

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016207714A (ja) 2015-04-16 2016-12-08 ローム株式会社 半導体装置

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