DE112019005135T5 - Anzeigevorrichtung - Google Patents

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung enthält ein Substrat, mehrere Pixel, ein lichtemittierendes Element und eine anorganische Isolationsschicht. Die Pixel sind auf dem Substrat vorgesehen. Das lichtemittierende Element ist auf jedem Pixel vorgesehen. Die anorganische Isolationsschicht weist eine Lichtdurchlässigkeit auf und deckt mindestens einen Teil des lichtemittierenden Elements ab. Die anorganische Isolationsschicht enthält einen Seitenabschnitt und einen Ausdehnungsabschnitt. Der Seitenabschnitt ist an der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements vorgesehen. Der Ausdehnungsabschnitt ist auf einer Seite am unteren Ende des Seitenabschnitts und zur Außenseite des lichtemittierenden Elements als der Seitenabschnitt in einer Draufsicht aus der Normalrichtung des Substrats gesehen verlaufend vorgesehen.

Description

• Gebiet
• Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anzeigevorrichtung.
• Hintergrund
• Anzeigevorrichtungen, die organische Leuchtdioden (OLED) oder anorganische Leuchtdioden (Mikro-LEDs), die als Anzeigeelemente dienen, enthalten, sind weithin bekannt. Mikro-LEDs werden als lichtemittierende Elemente für Anzeigevorrichtungen geeignet verwendet, weil sie eine kleine Größe aufweisen und eine hohe Leuchtdichte besitzen. Das organische lichtemittierende Element, das in Patentliteratur 1 beschrieben ist, enthält eine lichtdurchlässige reflektierende Schicht, die als ein optischer Resonator wirkt, auf der Rückseite einer lichtemittierenden Schicht.
• Entgegenhaltungsliste
• Patentliteratur
• Patent Literatur 1: Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. H8-213174 A
• Zusammenfassung
• Technisches Problem
• Anzeigevorrichtungen, die Mikro-LEDs enthalten, sollen einen höheren Lichtextraktionswirkungsgrad besitzen. Patentliteratur 1 beschreibt keine Konfiguration, um den Lichtextraktionswirkungsgrad der Mikro-LEDs zu erhöhen.
• Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die einen höheren Lichtextraktionswirkungsgrad besitzt.
• Lösung des Problems
• Eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst Folgendes: ein Substrat; mehrere Pixel, die auf dem Substrat vorgesehen sind; auf jedem Pixel ein lichtemittierendes Element; und eine anorganische Isolationsschicht, die eine Lichtdurchlässigkeit aufweist und mindestens einen Teil des lichtemittierenden Elements abdeckt, wobei die anorganische Isolationsschicht Folgendes enthält: einen Seitenabschnitt, der an einer Seitenfläche des lichtemittierenden Elements vorgesehen ist; und einen Ausdehnungsabschnitt, der auf einer Seite an einem unteren Ende des Seitenabschnitts vorgesehen ist und zu einer Außenseite des lichtemittierenden Elements als der Seitenabschnitt in einer Draufsicht aus einer Normalrichtung des Substrats gesehen verläuft.
• Figurenliste
• 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform schematisch veranschaulicht.
• 2 ist eine Draufsicht von mehreren Pixeln.
• 3 ist ein Schaltplan einer Pixelschaltung.
• 4 ist eine Schnittansicht entlang der Linie IV-IV' von 2.
• 5 ist eine vergrößerte Schnittansicht eines lichtemittierenden Elements, das in 4 veranschaulicht ist.
• 6 ist eine Ansicht zum Erläutern eines Zustands, in dem sich Licht, das vom lichtemittierenden Element ausgegeben wird, in einer Lichtextraktionsschicht ausbreitet.
• 7 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Änderung der ersten Ausführungsform.
• 8 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Änderung der ersten Ausführungsform.
• 9 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Änderung der ersten Ausführungsform.
• 10 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform.
• 11 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Änderung der zweiten Ausführungsform.
• 12 ist eine Ansicht zum Erläutern der Ausbreitung von Licht in der vierten Änderung der zweiten Ausführungsform.
• 13 ist eine Ansicht zum Erläutern eines weiteren Beispiels der Ausbreitung von Licht in der vierten Änderung der zweiten Ausführungsform.
• 14 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform.
• 15 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Änderung der dritten Ausführungsform.
• 16 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform.
• 17 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Änderung der vierten Ausführungsform.
• 18 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform.
• 19 ist eine Draufsicht von mehreren Pixeln in der Anzeigevorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform.
• 20 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform.
• 21 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer siebten Änderung der sechsten Ausführungsform.
• 22 ist ein Graph der Beziehung zwischen Wellenlänge und Emissionsintensität in der Anzeigevorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform und der siebten Änderung.
• 23 ist ein Graph der Beziehung zwischen Polarwinkel und Emissionsintensität in der Anzeigevorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform und der siebten Änderung.
• 24 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht und einer dritten Resonanzschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer achten Änderung der sechsten Ausführungsform.
• Beschreibung der Ausführungsformen
• Beispielhafte Aspekte (Ausführungsformen), um die vorliegende Erfindung zu verkörpern, sind unten unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen genauer beschrieben. Die Inhalte, die in den Ausführungsformen beschrieben sind, sind nicht dazu vorgesehen, die vorliegende Erfindung zu beschränken. Komponenten, die unten beschrieben sind, enthalten Komponenten, die durch Fachleute einfach konzipiert werden können, und im Wesentlichen dazu identische Komponenten. Darüber hinaus können die Komponenten, die unten beschrieben sind, geeignet kombiniert werden. Das hier Offenbarte ist lediglich beispielhaft gegeben und geeignete Änderungen, die vorgenommen werden, ohne vom Geist der vorliegenden Erfindung abzuweichen, und durch Fachleute einfach konzipiert werden können, fallen natürlich in den Umfang der Erfindung. Um die Erläuterung zu vereinfachen, können die Zeichnungen die Breite, die Dicke, die Form und weitere Elemente jeder Einheit möglicherweise schematischer als den tatsächliche Aspekt veranschaulichen. Diese Elemente sind allerdings lediglich beispielhaft gegeben und sind nicht vorgesehen, um die Interpretation der vorliegenden Erfindung zu beschränken. In der vorliegenden Spezifikation und den Figuren werden Komponenten, die ähnlich den zuvor unter Bezugnahme auf vorhergehende Figuren beschriebenen sind, durch ähnliche Bezugszeichen bezeichnet und ihre genaue Erläuterung kann geeignet unterlassen sein.
• Erste Ausführungsform
• 1 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform schematisch veranschaulicht. Wie in 1 veranschaulicht ist, enthält eine Anzeigevorrichtung DSP ein Substrat SU, Pixel Pix, Umfangsschaltungen GC und einen Koppler CN. Das Substrat SU, mehrere Transistoren, mehrere Kapazitäten, verschieden Arten von Verdrahtungen und weitere Komponenten bilden ein Anordnungssubstrat, das die Pixel Pix ansteuert. Das Anordnungssubstrat ist eine Ansteuerleiterplatte und wird auch als eine Busplatine oder ein Aktivmatrixsubstrat bezeichnet. Eine integrierte Ansteuerschaltung (IC) ist über den Koppler CN an das Anordnungssubstrat gekoppelt.
• Wie in 1 veranschaulicht ist, besitzt die Anzeigevorrichtung DSP einen Anzeigebereich DA und einen Umfangsbereich GA. Der Anzeigebereich DA ist mit einem Anzeigeabschnitt DP überlappend angeordnet und zeigt ein Bild an. Der Umfangsbereich GA überlappt nicht mit dem Anzeigeabschnitt DP und ist außerhalb des Anzeigebereichs DA angeordnet.
• Der Anzeigeabschnitt DP enthält mehrere Pixel Pix. Die Pixel Pix sind in einer ersten Richtung Dx und einer zweiten Richtung Dy im Anzeigebereich DA angeordnet. Die erste Richtung Dx und die zweite Richtung Dy sind parallel zur Oberfläche des Substrats SU. Die erste Richtung Dx ist senkrecht zur zweiten Richtung Dy. Die erste Richtung Dx kann die zweite Richtung Dy schneiden, ohne senkrecht zu ihr zu sein. Eine dritte Richtung Dz ist senkrecht zu der ersten Richtung Dx und der zweiten Richtung Dy. Die dritte Richtung Dz entspricht z. B. der Normalrichtung des Substrats SU. In der folgenden Beschreibung gibt Draufsicht die Positionsbeziehung aus der dritten Richtung Dz gesehen an.
• Die Umfangsschaltungen GC und der Koppler CN sind im Umfangsbereich GA vorgesehen. Die Umfangsschaltungen GC steuern mehrere Gate-Leitungen (z. B. eine Rücksetzsteuersignalleitung RSL, eine Ausgangssteuersignalleitung MSL, eine Pixelsteuersignalleitung SSL und eine Initialisierungssteuersignalleitung ISL (siehe 3)) auf der Grundlage verschiedener Steuersignale, die von der Ansteuer-IC empfangen werden, an. Die Umfangsschaltungen GC wählen sequenziell oder gleichzeitig mehrere Gate-Leitungen und liefern Gate-Ansteuersignale zu den gewählten Gate-Leitungen. Als Ergebnis wählen die Umfangsschaltungen GC mehrere Pixel Pix, die an die Gate-Leitungen gekoppelt sind.
• Die Ansteuer-IC ist eine Schaltung, die die Anzeige auf der Anzeigevorrichtung DSP steuert. Die Ansteuer-IC kann an FPCs oder einem starren Substrat an den Koppler CN des Substrats SU gekoppelt als Chip-auf-Folie (COF) montiert sein. Die Montageform der Ansteuer-IC ist nicht darauf beschränkt und die Ansteuer-IC kann im Umfangsbereich GA des Substrats SU als Chip-auf-Glas (COG) montiert sein.
• 2 ist eine Draufsicht von mehreren Pixeln. Wie in 2 veranschaulicht ist, enthält ein Pixel Pix z. B. ein erstes Pixel PxR, ein zweites Pixel PxG und ein drittes Pixel PxB. Das erste Pixel PxR zeigt die Primärfarbe rot als die erste Farbe an. Das zweite Pixel PxG zeigt die Primärfarbe grün als die zweite Farbe an. Das dritte Pixel PxB zeigt die Primärfarbe blau als die dritte Farbe an. Wie in 2 veranschaulicht ist, sind das erste Pixel PxR, das zweite Pixel PxG und das dritte Pixel PxB in einem Pixel Pix in der ersten Richtung Dx nebeneinander angeordnet. Die erste Farbe, die zweite Farbe und die dritte Farbe sind nicht auf rot, grün bzw. blau beschränkt und können beliebige gewünschte Farben wie z. B. Komplementärfarben sein. In der folgenden Beschreibung werden das erste Pixel PxR, das zweite Pixel PxG und das dritte Pixel PxB als Pixel Px bezeichnet, wenn sie nicht voneinander unterschieden werden müssen.
• Die Pixel Px enthalten jeweils ein lichtemittierendes Element LED (RLED, GLED oder BLED), eine Anodenelektrode AD und eine Lichtextraktionsschicht LPL. 2 veranschaulicht auch Videosignalleitungen SL, Anodenstromversorgungsleitungen IPL und eine Pixelsteuersignalleitung SSL aus verschiedenen Arten von Verdrahtungen einer Pixelschaltung PICA. Die Videosignalleitungen SL und die Anodenstromversorgungsleitungen IPL verlaufen in der zweiten Richtung Dy. Mehrere Paare der Videosignalleitung SL und der Anodenstromversorgungsleitung IPL sind in der ersten Richtung Dx nebeneinander angeordnet. Die Pixelsteuersignalleitung SSL verläuft in der ersten Richtung Dx und schneidet die Videosignalleitungen SL und die Anodenstromversorgungsleitungen IPL in einer Draufsicht. Ein Kontaktloch CH ist in einem Raster gebildet, das durch die Paare der Videosignalleitung SL, der Anodenstromversorgungsleitung IPL und der Pixelsteuersignalleitung SSL umgeben ist. Mehrere Kontaktlöcher CH sind in der ersten Richtung Dx angeordnet.
• Das lichtemittierende Element RLED strahlt rotes Licht ab. Das lichtemittierende Element GLED strahlt grünes Licht ab. Das lichtemittierende Element BLED strahlt blaues Licht ab. In 2 sind das lichtemittierende Element RLED und das lichtemittierende Element BLED auf einer Seite in der zweiten Richtung Dy in Bezug auf die Anordnung der Kontaktlöcher CH angeordnet und ist das lichtemittierende Element GLED auf der anderen Seite in der zweiten Richtung Dy angeordnet. Mit anderen Worten sind die Kontaktlöcher CH und die Pixelsteuersignalleitung SSL zwischen den lichtemittierenden Elementen RLED und BLED und dem lichtemittierenden Element GLED vorgesehen. In der folgenden Beschreibung werden die lichtemittierenden Elementen RLED, GLED und BLED als lichtemittierende Elemente LED bezeichnet, wenn sie nicht voneinander unterschieden werden müssen.
• Die Anzeigevorrichtung DSP zeigt ein Bild durch Ausgeben verschiedenen Lichts von lichtemittierenden Elementen RLED, GLED und BLED in dem ersten Pixel PxR, dem zweiten Pixel PxG bzw. dem dritten Pixel PxB an. Das lichtemittierende Element LED ist ein Chip einer anorganischen Leuchtdiode (LED-Chip), der eine Größe von etwa 3 µm bis 100 µm in einer Draufsicht besitzt und als eine Mikro-LED bezeichnet wird. Die Anzeigevorrichtung DSP, die die Mikro-LEDs im jeweiligen Pixel enthält, wird auch als eine Mikro-LED-Anzeigevorrichtung bezeichnet. Der Begriff „Mikro“ der Mikro-LED ist nicht dazu vorgesehen, die Größe des lichtemittierenden Elements LED zu beschränken.
• Die lichtemittierenden Elemente LED können verschiedenes Licht in vier oder mehr Farben abstrahlen. Die Positionen der Pixel Px und der lichtemittierenden Elemente LED sind nicht auf die Konfiguration, die in 2 veranschaulicht ist, beschränkt. Die lichtemittierenden Elemente RLED, GLED und BLED können in der ersten Richtung Dx nebeneinander angeordnet sein. Alternativ können das lichtemittierende Element RLED und das lichtemittierende Element BLED in der ersten Richtung Dx nebeneinander angeordnet sein und können das lichtemittierende Element GLED und das lichtemittierende Element BLED in der zweiten Richtung Dy nebeneinander angeordnet sein.
• Das lichtemittierende Element LED ist an die Anodenelektrode AD gekoppelt. Die Lichtextraktionsschicht LPL verläuft in einer Draufsicht von innerhalb des lichtemittierenden Elements LED nach außen und ist um das lichtemittierende Element LED vorgesehen. Die Lichtextraktionsschicht LPL gibt Licht aus, das aus den Seitenflächen des lichtemittierenden Elements LED in der dritten Richtung Dz, d. h. zur Anzeigefläche, ausgegeben wird, wodurch sich der Lichtextraktionswirkungsgrad des lichtemittierenden Elements LED erhöht.
• 3 ist ein Schaltplan einer Pixelschaltung. 3 veranschaulicht eine Pixelschaltung PICA, die an einem Pixel Px vorgesehen ist. Die Pixelschaltung PICA ist an jedem Pixel Px vorgesehen. Wie in 3 veranschaulicht ist, enthält die Pixelschaltung PICA das lichtemittierende Element LED, fünf Transistoren und zwei Kapazitäten. Speziell enthält die Pixelschaltung PICA einen Ansteuertransistor DRT, einen Ausgangstransistor BCT, einen Initialisierungstransistor IST, einen Pixelwahltransistor SST und einen Rücksetztransistor RST. Der Ansteuertransistor DRT, der Ausgangstransistor BCT, der Initialisierungstransistor IST, der Pixelwahltransistor SST und der Rücksetztransistor RST sind Dünnschichttransistoren (TFTs) des N-Typs. Die Pixelschaltung PICA enthält eine erste Kapazität Cs1 und eine zweite Kapazität Cs2.
• Die Kathode (der Kathodenanschluss ELED2 (siehe 5)) des lichtemittierenden Elements LED ist an eine Kathodenstromversorgungsleitung CDL gekoppelt. Die Anode (der Anodenanschluss ELED1 (siehe 5)) des lichtemittierenden Elements LED ist über den Ansteuertransistor DRT und den Ausgangstransistor BCT an eine Anodenstromversorgungsleitung IPL gekoppelt. Die Anodenstromversorgungsleitung IPL wird mit einem Anodenstromversorgungspotential PVDD versorgt. Die Kathodenstromversorgungsleitung CDL wird mit einem Kathodenstromversorgungspotential PVSS versorgt. Das Anodenstromversorgungspotential PVDD ist höher als das Kathodenstromversorgungspotential PVSS.
• Die Anodenstromversorgungsleitung IPL liefert das Anodenstromversorgungspotential PVDD, das als ein Ansteuerpotential dient, zum Pixel Px. Speziell strahlt das lichtemittierende Element LED Licht ab, indem es durch eine Potentialdifferenz (PVDD-PVSS) zwischen dem Anodenstromversorgungspotential PVDD und dem Kathodenstromversorgungspotential PVSS mit einem Durchlassstrom (Ansteuerstrom) versorgt wird. Mit anderen Worten weist das Anodenstromversorgungspotential PVDD eine Potentialdifferenz auf, um zu bewirken, dass das lichtemittierende Element LED Licht in Bezug auf das Kathodenstromversorgungspotential PVSS abstrahlt. Der Anodenanschluss ELED1 des lichtemittierenden Elements LED ist an die Anodenelektrode AD gekoppelt. Die zweite Kapazität Cs2, die als eine Ersatzschaltung dient, ist zwischen die Anodenelektrode AD und die Anodenstromversorgungsleitung IPL gekoppelt.
• Die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DRT ist über die Anodenelektrode AD an den Anodenanschluss ELED1 des lichtemittierenden Elements LED gekoppelt und seine Drain-Elektrode ist an die Source-Elektrode des Ausgangstransistors BCT gekoppelt. Die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DRT ist an die erste Kapazität Cs1, die Drain-Elektrode des Pixelwahltransistors SST und die Drain-Elektrode des Initialisierungstransistors IST gekoppelt.
• Die Gate-Elektrode des Ausgangstransistors BCT ist an die Ausgangssteuersignalleitung MSL gekoppelt. Die Ausgangssteuersignalleitung MSL wird mit einem Ausgangssteuersignal BG versorgt. Die Drain-Elektrode des Ausgangstransistors BCT ist an die Anodenstromversorgungsleitung IPL gekoppelt.
• Die Source-Elektrode des Initialisierungstransistors IST ist an eine Initialisierungsstromversorgungsleitung INL gekoppelt. Die Initialisierungsstromversorgungsleitung INL wird mit einem Initialisierungspotential Vini versorgt. Die Gate-Elektrode des Initialisierungstransistors IST ist an die Initialisierungssteuersignalleitung ISL gekoppelt. Die Initialisierungssteuersignalleitung ISL wird mit einem Initialisierungssteuersignal IG versorgt. Mit anderen Worten ist die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DRT über den Initialisierungstransistor IST an die Initialisierungsstromversorgungsleitung INL gekoppelt.
• Die Source-Elektrode des Pixelwahltransistors SST ist an eine Videosignalleitung SL gekoppelt. Die Videosignalleitung SL wird mit einem Videosignal Vsig versorgt. Die Gate-Elektrode des Pixelwahltransistors SST ist an die Pixelsteuersignalleitung SSL gekoppelt. Die Pixelsteuersignalleitung SSL wird mit einem Pixelsteuersignal SG versorgt.
• Die Source-Elektrode des Rücksetztransistors RST ist an eine Rücksetzstromversorgungsleitung RL gekoppelt. Die Rücksetzstromversorgungsleitung RL wird mit einem Rücksetzstromversorgungspotential Vrst versorgt. Die Gate-Elektrode des Rücksetztransistors RST ist an die Rücksetzsteuersignalleitung RSL gekoppelt. Die Rücksetzsteuersignalleitung RSL wird mit einem Rücksetzsteuersignal RG versorgt. Die Drain-Elektrode des Rücksetztransistors RST ist an den Anodenanschluss ELED1 des lichtemittierenden Elements LED und die Source-Elektrode des Ansteuertransistors DRT gekoppelt.
• Die erste Kapazität Cs1, die als eine Ersatzschaltung dient, ist zwischen der Drain-Elektrode des Rücksetztransistors RST und der Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DRT vorgesehen. Die Pixelschaltung PICA kann Fluktuationen der Gate-Spannung aufgrund einer parasitären Kapazität und eines Stromverlusts im Ansteuertransistor DRT durch die erste Kapazität Cs1 und die zweite Kapazität Cs2 verhindern.
• Die Gate-Elektrode des Ansteuertransistors DRT wird mit einem elektrischen Potential versorgt, das dem Videosignal Vsig (oder dem Abstufungssignal) entspricht. Mit anderen Worten liefert der Ansteuertransistor DRT auf der Grundlage des Anodenstromversorgungspotentials PVDD, das über den Ausgangstransistor BCT geliefert wird, einen elektrischen Strom, der dem Videosignal Vsig entspricht, zum lichtemittierenden Element LED. Wie oben beschrieben ist, wird das Anodenstromversorgungspotential PVDD, das zur Anodenstromversorgungsleitung IPL geliefert wird, durch den Ansteuertransistor DRT und den Ausgangstransistor BCT abgesenkt. Als Ergebnis wird ein elektrisches Potential, das niedriger als das Anodenstromversorgungspotential PVDD ist, zum Anodenanschluss ELED1 des lichtemittierenden Elements LED geliefert.
• Eine erste Elektrode der zweiten Kapazität Cs2 wird über die Anodenstromversorgungsleitung IPL mit dem Anodenstromversorgungspotential PVDD versorgt und eine zweite Elektrode der zweiten Kapazität Cs2 wird mit einem elektrischen Potential, das niedriger als das Anodenstromversorgungspotential PVDD ist, versorgt. Mit anderen Worten wird die erste Elektrode der zweiten Kapazität Cs2 mit einem elektrischen Potential versorgt, das höher als das ist, das zur zweiten Elektrode der zweiten Kapazität Cs2 geliefert wird. Die erste Elektrode der zweiten Kapazität Cs2 ist z. B. die Anodenstromversorgungsleitung IPL. Die zweite Elektrode der zweiten Kapazität Cs2 ist z. B. die Anodenelektrode AD des Ansteuertransistors DRT und eine Anodenkopplungselektrode, die an die Anodenelektrode AD gekoppelt ist.
• In der Anzeigevorrichtung DSP wählen die Umfangsschaltungen GC (die in 1 veranschaulicht sind) mehrere Pixelzeilen der Reihe nach ab der ersten Zeile (z. B. die oberste Pixelzeile im Anzeigebereich DA in 1). Die Ansteuer-IC schreibt die Videosignale Vsig (das Videoschreibpotential) zu den Pixeln Px der gewählten Pixelzeile, wodurch bewirkt wird, dass die lichtemittierenden Elemente LED Licht abstrahlen. Die Ansteuer-IC liefert in jedem horizontalen Abtastzeitraum die Videosignale Vsig zur Videosignalleitung SL, das Rücksetzstromversorgungspotential Vrst zur Rücksetzstromversorgungsleitung RL und das Initialisierungspotential Vini zur Initialisierungsstromversorgungsleitung INL. Die Anzeigevorrichtung DSP wiederholt diese Operationen in Einheiten eines Bildes eines Rahmens.
• Die Konfiguration der Pixelschaltung PICA, die in 3 veranschaulicht ist, kann geeignet geändert werden. Zum Beispiel können die Anzahl von Drähten und die Anzahl von Transistoren in einem Pixel Px von den in 3 veranschaulichten verschieden sein. Zum Beispiel kann die Pixelschaltung PICA eine Stromspiegelschaltung sein.
• Im Folgenden wird ein spezifisches Konfigurationsbeispiel des lichtemittierenden Elements LED und der Lichtextraktionsschicht LPL unter Bezugnahme auf 4 bis 6 beschrieben. 4 ist eine Schnittansicht entlang der Linie IV-IV' von 2.
• Wie in 4 veranschaulicht ist, ist das lichtemittierende Element LED auf dem Substrat SU vorgesehen. Das Substrat SU ist ein isolierendes Substrat und ist z. B. ein Glassubstrat, ein Harzsubstrat oder eine Harzfolie. Das Substrat SU ist z. B. aus Borsilikatglas, das eine Dicke von 100 µm besitzt, hergestellt.
• In der vorliegenden Spezifikation ist eine Richtung vom Substrat SU zu einer Deckschicht OC in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrats SU als ein „Oberseite“ definiert. Eine Richtung von der Deckschicht OC zum Substrat SU ist als eine „Unterseite“ definiert.
• Der Ansteuertransistor DTR ist an einer ersten Oberfläche des Substrats SU vorgesehen. 4 veranschaulicht den Ansteuertransistor DTR aus den Transistoren der Pixelschaltung PICA. Der Ausgangstransistor BCT, der Initialisierungstransistor IST, der Pixelwahltransistor SST und der Rücksetztransistor RST sind auch an der ersten Oberfläche des Substrats SU vorgesehen. Die Erläuterung der mehrschichtigen Struktur des Ausgangstransistors BCT, des Initialisierungstransistors IST, des Pixelwahltransistors SST und des Rücksetztransistors RST ist hier ausgelassen, weil sie eine Konfiguration ähnlich der des Ansteuertransistors DTR besitzt.
• Verschieden Schichten sind an der ersten Oberfläche des Substrats SU in der Reihenfolge einer Lichtabschirmschicht LS, einer Unterschicht UC, einer Halbleiterschicht PS, einer Gate-Isolationsfolie GZL, einer Abtastverdrahtung GL, einer Zwischenschichtisolationsfolie LZL, der Anodenstromversorgungsleitung IPL und einer Basis BS, einer ersten Abflachungsschicht LL1, einer gemeinsame Elektrode CE, einer Kapazitätsnitridfolie LSN, einer Pixelelektrode PE, der Anodenelektrode AD, einer Kopplungsschicht CL, des lichtemittierenden Elements LED, der Lichtextraktionsschicht LPL, einer zweiten Abflachungsschicht LL2, einer Kathodenelektrode CD, der Deckschicht OC und einer zirkular polarisierenden Platte CPL vorgesehen.
• Die Lichtabschirmschicht LS ist eine Molybdänwolframlegierungsfolie (MoW-Legierungsfolie), die eine Schichtdicke von etwa 50 nm besitzt. Die Lichtabschirmschicht LS ist aus einem Material hergestellt, das eine geringere Lichtdurchlässigkeit als das Substrat SU besitzt, und unter der Halbleiterschicht PS vorgesehen. Die Unterschicht UC ist ein mehrschichtiger Körper, der aus einer Siliziumnitridschicht (SiN-Schicht) und einer Siliziumoxidschicht (SiO₂-Schicht) gebildet ist. Die Schichtdicke der Siliziumnitridschicht beträgt etwa 100 nm und die der Siliziumoxidschicht beträgt etwa 150 nm. Die Halbleiterschicht PS ist z. B. aus polykristallinem Silizium hergestellt und wird durch Polykristallisieren einer amorphen Siliziumschicht durch Laserglühen erzeugt. Die Schichtdicke der Halbleiterschicht PS beträgt z. B. etwa 50 nm.
• Die Gate-Isolationsfolie GZL ist eine Siliziumoxidfolie, die eine Schichtdicke von etwa 100 nm besitzt. Die Abtastverdrahtung GL ist eine Molybdänwolframlegierungsfolie, die eine Schichtdicke von etwa 300 nm besitzt. Die Abtastverdrahtung GL ist Verdrahtung, mit der die Drain-Leitung des Pixelwahltransistors SST und die Drain-Leitung des Initialisierungstransistors IST verschmelzen. Die Gate-Isolationsfolie GZL ist zwischen der Halbleiterschicht PS und der Abtastverdrahtung GL in der Normalrichtung des Substrats SU vorgesehen. Die Zwischenschichtisolationsfolie LZL ist ein mehrschichtiger Körper, der aus einer Siliziumoxidschicht und einer Siliziumnitridschicht gebildet ist. Die Schichtdicke der Siliziumoxidschicht beträgt etwa 350 nm und die der Siliziumnitridschicht beträgt etwa 375 nm.
• Die Anodenstromversorgungsleitung IPL und die Basis BS sind in derselben Schicht vorgesehen und sind dreischichtige Folien, die aus Titan (Ti), Aluminium (AI) und Titan (Ti) gebildet sind. Die Schichtdicken der jeweiligen Schichten betragen etwa 100 nm, 400 nm und 200 nm. Der Teil der Anodenstromversorgungsleitung IPL, der mit der Halbleiterschicht PS überlappt, wirkt als eine Drain-Elektrode DE des Ansteuertransistors DTR. Der Teil der Basis BS, der mit der Halbleiterschicht PS überlappt, wirkt als eine Source-Elektrode SE des Ansteuertransistors DTR. Die Drain-Elektrode DE und die Source-Elektrode SE sind jeweils durch ein Kontaktloch, das in der Zwischenschichtisolationsfolie LZL und der Gate-Isolationsfolie GZL gebildet ist, an die Halbleiterschicht PS gekoppelt.
• Die erste Abflachungsschicht LL1 und die zweite Abflachungsschicht LL2 sind organische Isolationsfolien. Die Schichtdicke der ersten Abflachungsschicht LL1 beträgt etwa 2 µm und die Schichtdicke der zweiten Abflachungsschicht LL2 beträgt etwa 10 µm. Die erste Abflachungsschicht LL1 ist auf der Zwischenschichtisolationsfolie LZL vorgesehen, um die Anodenstromversorgungsleitung IPL und die Basis BS abzudecken. Die gemeinsame Elektrode CE, die Pixelelektrode PE und die Kathodenelektrode CD sind aus Indiumzinnoxid (ITO) hergestellt. Die Schichtdicke der gemeinsamen Elektrode CE beträgt etwa 50 nm, die der Pixelelektrode PE beträgt etwa 50 nm und die der Kathodenelektrode CD beträgt etwa 100 nm. Die Kapazitätsnitridfolie LSN ist eine Siliziumnitridschicht, die durch Niedertemperaturabscheidung erzeugt wird, und besitzt eine Schichtdicke von etwa 120 nm. Die Kapazitätsnitridfolie LSN ist zwischen der gemeinsamen Elektrode CE und der Pixelelektrode PE in der Normalrichtung des Substrats SU vorgesehen.
• Die Anodenelektrode AD ist ein mehrschichtiger Körper, der aus ITO, Silber (Ag) und ITO gebildet ist. Die Anodenelektrode AD ist auf der Pixelelektrode PE vorgesehen und durch das Kontaktloch CH, das in der ersten Abflachungsschicht LL1 gebildet ist, an die Basis BS gekoppelt. Die Kopplungsschicht CL ist aus Silberpaste hergestellt und an der Anodenelektrode AD zwischen dem Substrat SU und dem lichtemittierenden Element LED vorgesehen. Das lichtemittierende Element LED ist auf der Kopplungsschicht CL vorgesehen und elektrisch an sie gekoppelt. Mit anderen Worten ist das lichtemittierende Element LED über die Kopplungsschicht CL an die Anodenelektrode AD elektrisch gekoppelt. Die Deckschicht OC ist ein mehrschichtiger Körper, der aus einer Siliziumnitridfolie, die eine Schichtdicke von 200 nm besitzt, und einer organischen Isolationsfolie, die eine Schichtdicke von 10 µm besitzt, gebildet ist.
• Die Materialien und die Schichtdicken der Schichten sind lediglich beispielhaft angegeben und können geeignet geändert werden. Zum Beispiel ist die Halbleiterschicht PS nicht notwendigerweise aus polykristallinem Silizium hergestellt und kann aus amorphem Silizium, einem mikrokristallinen Oxidhalbleiter, einem amorphen Oxidhalbleiter, polykristallinem Niedertemperatursilizium (LTPS) oder Galliumnitrid (GaN) hergestellt sein. Beispiele des Oxidhalbleiters enthalten IGZO, Zinkoxid (ZnO), ITZO usw., sind jedoch nicht darauf beschränkt. IGZO ist Indiumgalliumzinkoxid und ITZO ist Indiumzinnzinkoxid. In dem Beispiel, das in 4 veranschaulicht ist, besitzt der Ansteuertransistor DTR eine sogenannte Struktur mit oben liegendem Gate. Der Ansteuertransistor DTR kann eine Struktur mit unten liegendem Gate besitzen, in der die Gate-Elektrode unter der Halbleiterschicht PS vorgesehen ist. Alternativ kann der Ansteuertransistor DTR eine Doppel-Gate-Struktur besitzen, in der die Gate-Elektroden sowohl auf als auch unter der Halbleiterschicht PS vorgesehen sind.
• Die Lichtextraktionsschicht LPL ist auf der Kapazitätsnitridfolie LSN vorgesehen, um das lichtemittierende Element LED, die Kopplungsschicht CL, die Anodenelektrode AD und die Pixelelektrode PE abzudecken. Die Lichtextraktionsschicht LPL ist eine lichtdurchlässige anorganische Isolationsschicht und ist eine Titanoxidschicht, die z. B. eine Schichtdicke von 300 nm besitzt. Die Lichtextraktionsschicht LPL kann durch chemische Dampfabscheidung (CVD) gebildet werden, nachdem das lichtemittierende Element LED an der Kopplungsschicht CL angeordnet wurde.
• Die Lichtextraktionsschicht LPL deckt mindestens einen Teil des lichtemittierenden Elements LED ab. Die Lichtextraktionsschicht LPL deckt die Oberseite und die Seitenflächen des lichtemittierenden Elements LED ab und ist um das lichtemittierende Element LED vorgesehen. Speziell enthält die Lichtextraktionsschicht LPL einen Seitenabschnitt LPLa, einen Neigungsabschnitt LPLb, einen Ausdehnungsabschnitt LPLc und einen Oberteil LPLd. Der Seitenabschnitt LPLa ist die Seitenflächen des lichtemittierenden Elements LED umgebend vorgesehen. Der Neigungsabschnitt LPLb ist an das untere Ende des Seitenabschnitts LPLa gekoppelt und zwischen dem Seitenabschnitt LPLa und dem Ausdehnungsabschnitt LPLc vorgesehen. Der Neigungsabschnitt LPLb ist entlang der Seitenflächen der Kopplungsschicht CL vorgesehen und neigt sich in Bezug auf den Seitenabschnitt LPLa.
• Der Ausdehnungsabschnitt LPLc ist an der Kapazitätsnitridfolie LSN vorgesehen und an das untere Ende des Neigungsabschnitts LPLb gekoppelt. Mit anderen Worten ist der Ausdehnungsabschnitt LPLc auf einer Seite am unteren Ende des Seitenabschnitts vorgesehen LPLa und verläuft zur Außenseite des lichtemittierenden Elements LED als der Seitenabschnitt LPLa in einer Draufsicht, d. h. in einer Richtung weg von den Seitenflächen des lichtemittierenden Elements LED. Der Oberteil LPLd ist an das obere Ende des Seitenabschnitts LPLa gekoppelt und auf der Oberseite des lichtemittierenden Elements LED vorgesehen. Mit anderen Worten ist der Oberteil LPLd zwischen der Oberseite des lichtemittierenden Elements LED und der Kathodenelektrode CD vorgesehen.
• Die zweite Abflachungsschicht LL2 ist an der Kapazitätsnitridfolie LSN vorgesehen, um die Seitenflächen des lichtemittierenden Elements LED, des Seitenabschnitts LPLa, des Neigungsabschnitts LPLb und des Ausdehnungsabschnitts LPLc abzudecken. Die Kathodenelektrode CD ist an der zweiten Abflachungsschicht LL2 und dem Oberteil LPLd vorgesehen und an den Kathodenanschluss ELED2 des lichtemittierenden Elements LED elektrisch gekoppelt. Die Kathodenelektrode CD ist an der gesamten Oberfläche des Anzeigebereichs DA vorgesehen und an die Kathodenanschlüsse ELED2 der lichtemittierenden Elemente LED elektrisch gekoppelt.
• Im Folgenden wird die Konfiguration des lichtemittierenden Elements LED beschrieben. 5 ist eine vergrößerte Schnittansicht des lichtemittierenden Elements, das in 4 veranschaulicht ist. Wie in 5 veranschaulicht ist, enthält das lichtemittierende Element LED ein Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements, eine Ummantelungsschicht NC des N-Typs, eine lichtemittierende Schicht EM, eine Ummantelungsschicht PC des P-Typs, den Anodenanschluss ELED1 und den Kathodenanschluss ELED2. Die Ummantelungsschicht NC des N-Typs, die lichtemittierende Schicht EM, die Ummantelungsschicht PC des P-Typs und der Kathodenanschluss ELED2 sind der Reihe nach auf das Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements gestapelt. Der Anodenanschluss ELED1 ist zwischen dem Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements und der Kopplungsschicht CL vorgesehen.
• In dem lichtemittierenden Element BLED, das blaues Licht ausgibt, ist die lichtemittierende Schicht EM aus Indiumgalliumnitrid (InGaN) hergestellt. Das Mischungsverhältnis von Indium zu Gallium beträgt z. B. 0,2 : 0,8. Die Ummantelungsschicht PC des P-Typs und die Ummantelungsschicht NC des N-Typs sind aus Galliumnitrid (GaN) hergestellt. Das Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements ist aus Siliziumkarbid (SiC) hergestellt.
• In dem lichtemittierenden Element GLED, das grünes Licht ausgibt, ist die lichtemittierende Schicht EM aus Indiumgalliumnitrid (InGaN) hergestellt. Das Mischungsverhältnis von Indium zu Gallium beträgt z. B. 0,45 : 0,55. Die Ummantelungsschicht PC des P-Typs und die Ummantelungsschicht NC des N-Typs sind aus Galliumnitrid (GaN) hergestellt. Das Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements ist aus Siliziumkarbid (SiC) hergestellt.
• In dem lichtemittierenden Element RLED, das rotes Licht ausgibt, ist die lichtemittierende Schicht EM aus Aluminiumgalliumindium (AIGaln) hergestellt. Das Mischungsverhältnis zwischen Aluminium, Gallium und Indium beträgt z. B. 0,225 : 0,275 : 0,5. Die Ummantelungsschicht PC des P-Typs und die Ummantelungsschicht NC des N-Typs sind aus Aluminiumindiumphosphid (AllnP) hergestellt. Das Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements ist aus Galliumarsenid (GaAs) hergestellt.
• Sowohl der Anodenanschluss ELED1 als auch der Kathodenanschluss ELED2 der lichtemittierenden Elemente RLED, GLED und BLED sind aus Aluminium hergestellt.
• Die maximalen Emissionswellenlängen der lichtemittierenden Elemente RLED, GLED und BLED sind 645 nm, 530 nm bzw. 450 nm.
• Im Herstellungsprozess für die lichtemittierenden Elemente LED bildet eine Herstellungsvorrichtung die Ummantelungsschicht NC des N-Typs, die lichtemittierende Schicht EM, die Ummantelungsschicht PC des P-Typs und den Kathodenanschluss ELED2 auf dem Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements. Anschließend macht die Herstellungsvorrichtung das Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements dünner und bildet den Anodenanschluss ELED1 auf der Bodenfläche des Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements. Die Herstellungsvorrichtung ordnet dann das lichtemittierende Element LED, das in eine Rechteckform geschnitten wurde, an der Kopplungsschicht CL an.
• Die Kopplungsschicht CL, die aus Silberpaste hergestellt ist, haftet am lichtemittierenden Element LED und ist elektrisch daran gekoppelt, während sie abhängig von der Kraft verformt wird, wenn das lichtemittierende Element LED angeordnet wird. Alternativ kann die Kopplungsschicht CL aus demselben Metallmaterial wie der Anodenanschluss ELED1 wie z. B. Aluminium hergestellt sein. In diesem Fall wird das lichtemittierende Element LED auf der Kopplungsschicht CL angeordnet und dann einem Erhitzen unterworfen, wodurch der Anodenanschluss ELED1 und die Kopplungsschicht CL integriert werden. Als Ergebnis ist die Kopplungsschicht CL bevorzugt an das lichtemittierende Element LED elektrisch gekoppelt.
• 6 ist eine Ansicht zum Erläutern eines Zustands, in dem sich Licht, das vom lichtemittierenden Element ausgegeben wird, in der Lichtextraktionsschicht ausbreitet. Ein Totalreflexionswinkel θr gibt die Wahrscheinlichkeit des Einfalls von Licht La, das vom lichtemittierenden Element LED in einer benachbarten Schicht abgestrahlt wird, an. Der Totalreflexionswinkel θr ist ein Einfallswinkel, unter dem das Licht La, das im lichtemittierenden Element LED erzeugt wird, durch die Schnittstelle mit der benachbarten Schicht vollständig reflektiert wird. Wie in 6 veranschaulicht ist, ist ein Einfallswinkel θa des Lichts La auf den Seitenabschnitt LPLa ein Winkel, der durch die Normalrichtung der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LED und die Ausbreitungsrichtung des Lichts La gebildet wird. Wenn der Einfallswinkel θa gleich oder kleiner als der Totalreflexionswinkel θr ist, werden weitergeleitete Komponenten erzeugt. Wenn der Totalreflexionswinkel θr größer ist, ist es wahrscheinlicher, dass das Licht La in die benachbarte Schicht einfällt.
• Wenn der Brechungsindex des lichtemittierenden Elements LED n_LED ist und der Brechungsindex der benachbarten Schicht n_AJ ist, wird der Totalreflexionswinkel θr durch Ausdruck (1) ausgedrückt: $$\mathrm{\theta }\text{r}=\text{arcsin}\left({\text{n}}_{\text{AJ}}{\text{/n}}_{\text{LED}}\right)$$

  
• Wenn n_AJ > n_LED erfüllt ist, kann das Licht La bei allen Einfallswinkeln θa in die benachbarte Schicht einfallen. Wenn n_Aj < n_LED erfüllt ist, erhöht sich der Totalreflexionswinkel θr, wenn sich n_AJ erhöht. Als Ergebnis erhöht sich die Komponente des Lichts La, das in die benachbarte Schicht einfällt.
• Der Seitenabschnitt LPLa der Lichtextraktionsschicht LPL gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist zwischen der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LED und der zweiten Abflachungsschicht LL2 vorgesehen. Zum Beispiel ist der Brechungsindex n_LED des lichtemittierenden Elements LED 2,4 und ist der Brechungsindex der zweiten Abflachungsschicht LL2 1,5. Der Brechungsindex n_AJ der Lichtextraktionsschicht LPL ist etwa 2,4 und ist größer als der Brechungsindex der zweiten Abflachungsschicht LL2. Mit anderen Worten ist die Differenz zwischen dem Brechungsindex der Lichtextraktionsschicht LPL und dem Brechungsindex n_LED des lichtemittierenden Elements LED kleiner als die Differenz zwischen dem Brechungsindex der zweiten Abflachungsschicht LL2 und dem Brechungsindex des lichtemittierenden Elements LED. Folglich besitzt die vorliegende Ausführungsform einen größeren Totalreflexionswinkel θr bei der Schnittstelle zwischen dem lichtemittierenden Element LED und dem Seitenabschnitt LPLa, als wenn die zweite Abflachungsschicht LL2 in Kontakt mit der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LED vorgesehen ist. Als Ergebnis ist es wahrscheinlicher, dass das Licht La, das vom lichtemittierenden Element LED abgestrahlt wird, auf die Seitenfläche LPLa einfällt. Obwohl der Brechungsindex n_LED des lichtemittierenden Elements LED gleich dem Brechungsindex n_AJ der Lichtextraktionsschicht LPL ist, können sie voneinander verschieden sein.
• Der Neigungsabschnitt LPLb ist zwischen dem Seitenabschnitt LPLa und dem Ausdehnungsabschnitt LPLc vorgesehen. Der Winkel, der durch den Seitenabschnitt LPLa und den Neigungsabschnitt LPLb gebildet ist, und der Winkel, der durch den Ausdehnungsabschnitt LPLc und den Neigungsabschnitt LPLb gebildet ist, sind sanfter, als wenn der Seitenabschnitt LPLa und der Ausdehnungsabschnitt LPLc direkt verbunden sind. Diese Struktur leitet bevorzugt Licht Lb, das auf den Seitenabschnitt LPLa einfällt, über den Neigungsabschnitt LPLb zum Ausdehnungsabschnitt LPLc.
• Die zweite Abflachungsschicht LL2 ist auf dem Ausdehnungsabschnitt LPLc vorgesehen und die Kapazitätsnitridfolie LSN ist unter dem Ausdehnungsabschnitt LPLc vorgesehen. Der Brechungsindex der Kapazitätsnitridfolie LSN ist z. B. 1,9. Mit anderen Worten ist der Brechungsindex des Ausdehnungsabschnitts LPLc größer als der der zweiten Abflachungsschicht LL2 und der Kapazitätsnitridfolie LSN. Als Ergebnis breitet sich das Licht Lb in einer Richtung weg vom lichtemittierenden Element LED aus, während es im Ausdehnungsabschnitt LPLc reflektiert wird. Wenn im Ausbreitungsprozess der Einfallswinkel des Lichts Lb kleiner als der Totalreflexionswinkel der Schnittstelle zwischen dem Ausdehnungsabschnitt LPLc und der zweiten Abflachungsschicht LL2 ist, wird Licht Lc nach oben ausgegeben. Mit der Lichtextraktionsschicht LPL kann die vorliegende Ausführungsform das Licht La, das vom lichtemittierenden Element LED abgestrahlt wird, durch die gesamte Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL ausgeben. Folglich besitzt die Anzeigevorrichtung DSP einen höheren Lichtextraktionswirkungsgrad.
• Zusätzlich kann die Lichtextraktionsschicht LPL bewirken, dass sich das Licht Lb durch sie ausbreitet. Ein Bereitstellen der jeweiligen Lichtextraktionsschichten LPL an dem ersten Pixel PxR, dem zweiten Pixel PxG und dem dritten Pixel PxB (siehe 2) kann eine Farbmischung in den lichtemittierenden Elementen LED verhindern.
• Während die Lichtextraktionsschicht LPL z. B. eine Titanoxidschicht ist, ist das Material der Lichtextraktionsschicht LPL nicht darauf beschränkt. Die Lichtextraktionsschicht LPL ist bevorzugt aus einem lichtdurchlässigen Material hergestellt, das einen hohen Brechungsindex besitzt. Beispiele des Materials der Lichtextraktionsschicht LPL enthalten Tantaloxid, Nioboxid, Bariumtitanoxid, Siloxan usw., sind jedoch nicht darauf beschränkt. Die Dicke der Lichtextraktionsschicht LPL ist lediglich beispielhaft gegeben und kann geeignet geändert werden. Eine Ultraviolettabsorptionsschicht kann zwischen der Deckschicht OC und der kreisförmigen Polarisationsplatte CPL vorgesehen sein. Wenn die Lichtextraktionsschicht LPL aus Titanoxid hergestellt ist, kann die zweite Abflachungsschicht LL2 sich möglicherweise photochemisch zersetzen, weil Titanoxid ultraviolette Strahlen absorbiert. Ein Bereitstellen einer Ultraviolettabsorptionsschicht kann die Menge ultravioletter Strahlen, die auf die zweite Abflachungsschicht LL2 einfallen, verringern und ein photochemisches Zersetzen verhindern.
• Erste Änderung der ersten Ausführungsform
• 7 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Änderung der ersten Ausführungsform. In der folgenden Beschreibung werden die Komponenten, die in der Ausführungsform oben beschrieben werden, durch ähnliche Bezugszeichen bezeichnet und ihre Erläuterung wird unterlassen.
• Wie in 7 veranschaulicht ist, enthält die Lichtextraktionsschicht LPL gemäß der ersten Änderung nicht den Oberteil LPLd. Mit anderen Worten enthält die Lichtextraktionsschicht LPL den Seitenabschnitt LPLa, den Neigungsabschnitt LPLb und den Ausdehnungsabschnitt LPLc und besitzt eine Öffnung LPLo bei einem Teil, der mit der Oberseite des lichtemittierenden Elements LED überlappt. Die Oberseite des lichtemittierenden Elements LED ist mit der Kathodenelektrode CD in der Öffnung LPLo direkt in Kontakt. Mit anderen Worten ist der Kathodenanschluss ELED2 (siehe 5) des lichtemittierenden Elements LED mit der Kathodenelektrode CD direkt in Kontakt. Mit dieser Konfiguration kann die erste Änderung den Kopplungswiderstand zwischen dem Kathodenanschluss ELED2 und der Kathodenelektrode CD verringern, wodurch die Ansteuerspannung (das Anodenstromversorgungspotential PVDD) verringert wird.
• Zweite Änderung der ersten Ausführungsform
• 8 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Änderung der ersten Ausführungsform. Wie in 8 veranschaulicht ist, ist die Kathodenelektrode CD gemäß der zweiten Änderung an der Kapazitätsnitridfolie LSN vorgesehen, um die Lichtextraktionsschicht LPL abzudecken. Speziell ist die Kathodenelektrode CD mit der gesamten Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL in Kontakt und ist mit dem Seitenabschnitt LPLa, dem Neigungsabschnitt LPLb, dem Ausdehnungsabschnitt LPLc und dem Oberteil LPLd überlappend vorgesehen. Außerdem ist in der zweiten Änderung die Kathodenelektrode CD an die Kathodenanschlüsse ELED2 der lichtemittierenden Elemente LED elektrisch gekoppelt.
• Die Deckschicht OC und die zirkular polarisierende Platte CPL sind an der Kathodenelektrode CD vorgesehen. Die Deckschicht OC ist die Seitenflächen und die Oberseite des lichtemittierenden Elements LED abdeckend vorgesehen und höher als das lichtemittierende Element LED gebildet, um die Oberseite abzuflachen. Die zweite Änderung erfordert im Gegensatz zu der ersten Ausführungsform und der ersten Änderung die zweite Abflachungsschicht LL2 nicht. Folglich kann die Anzeigevorrichtung DSP gemäß der zweiten Änderung bei niedrigeren Kosten hergestellt werden.
• Dritte Änderung der ersten Ausführungsform
• 9 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Änderung der ersten Ausführungsform. Während das lichtemittierende Element LED gemäß der ersten Ausführungsform und der ersten und der zweiten Änderung eine vertikale Struktur besitzt, in der das lichtemittierende Element LED beim unteren Teil an die Anodenelektrode AD und beim oberen Teil an die Kathodenelektrode CD gekoppelt ist, ist die Struktur des lichtemittierenden Elements LED nicht darauf beschränkt. Wie in 9 veranschaulicht ist, sind sowohl der Anodenanschluss ELED1 als auch der Kathodenanschluss ELED2 gemäß der dritten Änderung auf der Oberseite des lichtemittierenden Elements LED vorgesehen. Der Oberteil LPLd der Lichtextraktionsschicht LPL ist am Anodenanschluss ELED1 und am Kathodenanschluss ELED2 vorgesehen.
• Der Kathodenanschluss ELED2 ist über den Oberteil LPLd an die Kathodenelektrode CD elektrisch gekoppelt. Der Anodenanschluss ELED1 ist über eine Anodenkopplungsschicht ADCL an die Kopplungsschicht CL elektrisch gekoppelt. Die Anodenkopplungsschicht ADCL kann aus einer Molybdänwolframlegierung hergestellt sein. Alternativ kann die Anodenkopplungsschicht ADCL eine mehrschichtige Folie sein, die aus einer Molybdänwolframlegierung und Aluminium gebildet ist.
• Wie oben beschrieben ist, kann das lichtemittierende Element LED eine horizontale Struktur besitzen, in der der Anodenanschluss ELED1 und der Kathodenanschluss ELED2 an derselben Oberfläche angeordnet sind.
• Wie oben beschrieben ist, enthält die Anzeigevorrichtung DSP gemäß der vorliegenden Ausführungsform das Substrat SU, die Pixel Px, die lichtemittierenden Elemente LED und die anorganische Isolationsschicht (Lichtextraktionsschicht LPL). Die Pixel Px sind auf dem Substrat SU vorgesehen. Das lichtemittierende Element LED ist auf jedem Pixel Px vorgesehen. Die anorganische Isolationsschicht (die Lichtextraktionsschicht LPL) weist eine Lichtdurchlässigkeit auf und deckt mindestens einen Teil des lichtemittierenden Elements LED ab. Die anorganische Isolationsschicht (die Lichtextraktionsschicht LPL) enthält den Seitenabschnitt LPLa und den Ausdehnungsabschnitt LPLc. Der Seitenabschnitt LPLa ist an der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LED vorgesehen. Der Ausdehnungsabschnitt LPLc ist auf einer Seite am unteren Ende des Seitenabschnitts LPLa vorgesehen und verläuft zur Außenseite des lichtemittierenden Elements LED als der Seitenabschnitt LPLa in einer Draufsicht aus der Normalrichtung des Substrats SU gesehen.
• In der Anzeigevorrichtung DSP gemäß der vorliegenden Ausführungsform enthält die anorganische Isolationsschicht (die Lichtextraktionsschicht LPL) auch den Neigungsabschnitt LPLb. Der Neigungsabschnitt LPLb ist zwischen dem Seitenabschnitt LPLa und dem Ausdehnungsabschnitt LPLc vorgesehen und neigt sich in Bezug auf den Seitenabschnitt LPLa.
• Zweite Ausführungsform
• 10 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform. Wie in 10 veranschaulicht ist, ist die Anodenelektrode AD gemäß der vorliegenden Ausführungsform unter der Lichtextraktionsschicht LPL vorgesehen. Speziell ist die Anodenelektrode AD in einer Draufsicht über einen Bereich, der mit dem lichtemittierenden Element LED überlappt, und einen Bereich, der mit dem lichtemittierenden Element LED nicht überlappt, vorgesehen. Der Ausdehnungsabschnitt LPLc ist an der Anodenelektrode AD in Kontakt mit der Anodenelektrode AD vorgesehen. Die Anodenelektrode AD ist zwischen der Kapazitätsnitridfolie LSN und der Lichtextraktionsschicht LPL in der Normalrichtung des Substrats SU vorgesehen.
• Die Anodenelektrode AD ist im gesamten Bereich, der mit Lichtextraktionsschicht LPL überlappt, vorgesehen. In 10 ist das Ende der Anodenelektrode AD bei derselben Position wie das Ende des Ausdehnungsabschnitts LPLc angeordnet. Das Ende der Anodenelektrode AD kann vom Ende des Ausdehnungsabschnitts LPLc abweichen. Das Ende des Ausdehnungsabschnitts LPLc kann weiter entfernt vom lichtemittierenden Element LED als die Anodenelektrode AD angeordnet sein. Alternativ kann das Ende der Anodenelektrode AD weiter entfernt vom lichtemittierenden Element LED als der Ausdehnungsabschnitt LPLc angeordnet sein.
• Die Anodenelektrode AD enthält ein Metallmaterial wie z. B. Silber, wie oben beschrieben ist, wodurch sie als eine reflektierende Schicht wirkt. Als Ergebnis wird das Licht Lb, das sich im Ausdehnungsabschnitt LPLc ausbreitet, durch die Schnittstelle zwischen dem Ausdehnungsabschnitt LPLc und der Anodenelektrode AD reflektiert. Diese Konfiguration kann die Menge von Licht Lb, die den Ausdehnungsabschnitt LPLc zur Unterseite durchläuft, verringern. Folglich kann die zweite Ausführungsform den Lichtextraktionswirkungsgrad erhöhen.
• Vierte Änderung der zweiten Ausführungsform
• 11 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Änderung der zweiten Ausführungsform. Wie in 11 veranschaulicht ist, enthält die vierte Änderung eine Wandstruktur WL, die den Seitenflächen des lichtemittierenden Elements LED zugewandt ist. Die Wandstruktur WL ist an der Kapazitätsnitridfolie LSN in einer Weise, in der sie das lichtemittierende Element LED umgibt, vorgesehen. Die Pixelelektrode PE, die Anodenelektrode AD, die Kopplungsschicht CL, das lichtemittierende Element LED, die Lichtextraktionsschicht LPL und die zweite Abflachungsschicht LL2 sind in der Aussparung, die durch die Wandstruktur WL und die Kapazitätsnitridfolie LSN gebildet ist, vorgesehen. Die Kathodenelektrode CD ist auf der Oberseite der Wandstruktur WL, der zweiten Abflachungsschicht LL2 und der Lichtextraktionsschicht LPL vorgesehen.
• Die Anodenelektrode AD besitzt einen Anodenelektrodenunterteil ADa und einen Anodenelektrodenneigungsabschnitt ADb. Der Anodenelektrodenunterteil ADa ist auf der Kapazitätsnitridfolie LSN in einem Bereich, der mit dem lichtemittierenden Element LED überlappt, und einem Bereich, der mit dem Ausdehnungsabschnitt LPLc überlappt, vorgesehen. Der Anodenelektrodenneigungsabschnitt ADb ist an das Ende der Anodenelektrodenunterteil ADa gekoppelt und entlang der Innenwandfläche der Wandstruktur WL geneigt vorgesehen.
• Die Lichtextraktionsschicht LPL enthält ferner einen Stirnabschnitt LPLe. Der Stirnabschnitt LPLe ist den Seitenflächen des lichtemittierenden Elements LED zugewandt. Speziell ist der Stirnabschnitt LPLe an das Ende des Ausdehnungsabschnitts LPLc gekoppelt und entlang der Innenwandfläche der Wandstruktur WL und des Anodenelektrodenneigungsabschnitts ADb geneigt vorgesehen. Der Anodenelektrodenneigungsabschnitt ADb ist zwischen der Innenwandfläche der Wandstruktur WL und dem Stirnabschnitt LPLe vorgesehen.
• Die Höhe des Anodenelektrodenneigungsabschnitts ADb und des Stirnabschnitts LPLe ist niedriger als die der Wandstruktur WL. Mit anderen Worten ist das obere Ende des Anodenelektrodenneigungsabschnitts ADb von der Kathodenelektrode CD entfernt vorgesehen. Während der Anodenelektrodenneigungsabschnitt ADb und der Stirnabschnitt LPLe dieselbe Höhe besitzen, ist die Konfiguration nicht darauf beschränkt. Der Stirnabschnitt LPLe kann höher als der Anodenelektrodenneigungsabschnitt ADb sein und das obere Ende des Anodenelektrodenneigungsabschnitts ADb abdecken.
• 12 ist eine Ansicht zum Erläutern der Ausbreitung von Licht in der vierten Änderung der zweiten Ausführungsform. 13 ist eine Ansicht zum Erläutern eines weiteren Beispiels der Ausbreitung von Licht in der vierten Änderung der zweiten Ausführungsform. Wie in 12 veranschaulicht ist, wird das Licht Lb, das sich im Ausdehnungsabschnitt LPLc ausbreitet, teilweise von der Schnittstelle zwischen dem Ausdehnungsabschnitt LPLc und der zweiten Abflachungsschicht LL2 ausgeben. Das Licht Lc wird schräg nach oben zu der zweiten Abflachungsschicht LL2 ausgegeben und läuft zur Wandstruktur WL. Licht Ld, das durch den Anodenelektrodenneigungsabschnitt ADb reflektiert wird, läuft nach oben. Folglich kann die vierte Änderung den Lichtextraktionswirkungsgrad erhöhen, wenn das Licht Lc, das vom Ausdehnungsabschnitt LPLc ausgeben wird, in einem Winkel nahezu parallel zur Oberfläche des Substrats SU läuft.
• Das Licht Lb kann sich von innerhalb des Ausdehnungsabschnitts LPLc in den Innenraum des Stirnabschnitts LPLe ausbreiten und von der Schnittstelle zwischen dem Stirnabschnitt LPLe und der zweiten Abflachungsschicht LL2, die in 12 nicht veranschaulicht ist, nach oben ausgeben werden.
• Wie in 13 veranschaulicht ist, kann Licht Le, das von der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LED ausgeben wird, möglicherweise teilweise durch den Seitenabschnitt LPLa verlaufen und zur zweiten Abflachungsschicht LL2 ausgeben werden. Das Licht Le verläuft in einem Winkel, der nahezu parallel zur Oberfläche des Substrats SU ist, zur Wandstruktur WL. Das Licht Lf, das durch den Anodenelektrodenneigungsabschnitt ADb reflektiert wird, verläuft nach oben.
• Die vierte Änderung enthält nicht notwendigerweise den Anodenelektrodenneigungsabschnitt ADb. Mit anderen Worten kann der Stirnabschnitt LPLe an das Ende des Ausdehnungsabschnitts LPLc gekoppelt und in Kontakt mit der Innenwandfläche der Wandstruktur WL vorgesehen sein. Die Konfigurationen gemäß der ersten bis dritten Änderung der ersten Ausführungsform kann auf die zweite Ausführungsform und die vierte Änderung angewendet werden.
• Dritte Ausführungsform
• 14 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform. Wie in 14 veranschaulicht ist, besitzt die Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL gemäß der dritten Ausführungsform mehrere winzige Aussparungen COC. Die Aussparungen COC sind in dem Seitenabschnitt LPLa und dem Ausdehnungsabschnitt LPLc gebildet. Die Aussparungen COC können in dem Neigungsabschnitt LPLb gebildet sein. Die Aussparungen COC können durch Kratzen der Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL gebildet werden. Die Aussparungen COC können z. B. durch ein Verfahren des Sprühens eines Schleifmittels wie z. B. eines Sandstrahls auf die Lichtextraktionsschicht LPL gebildet werden.
• Das Licht Lb, das sich im Ausdehnungsabschnitt LPLc ausbreitet, wird in einem Bereich, der keine Aussparung COC aufweist, an der Schnittstelle zwischen dem Ausdehnungsabschnitt LPLc und der zweiten Abflachungsschicht LL2 reflektiert. Die Schnittstelle neigt sich lokal bei dem Teil, der die Aussparung COC besitzt, und der Einfallswinkel des Lichts Lb bei dem Teil, der die Aussparung COC besitzt, ist von dem in dem Bereich, der keine Aussparung COC besitzt, verschieden. Als Ergebnis wird das Licht Lc zur zweiten Abflachungsschicht LL2 wirksam ausgegeben.
• Fünfte Änderung der dritten Ausführungsform
• 15 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Änderung der dritten Ausführungsform. Wie in 15 veranschaulicht ist, besitzt die Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL gemäß der fünften Änderung der dritten Ausführungsform mehrere winzige Vorsprünge COV. Die Vorsprünge COV sind an dem Seitenabschnitt LPLa und dem Ausdehnungsabschnitt LPLc gebildet. Die Vorsprünge COV können am Neigungsabschnitt LPLb gebildet sein. Die Vorsprünge COV können durch Anhaften desselben Materials wie das der Lichtextraktionsschicht LPL z. B. als winzige Partikel von Titanoxid an die Lichtextraktionsschicht LPL gebildet werden. Insbesondere werden die Vorsprünge COV durch Folgendes gebildet: Mischen winziger Partikel von Titanoxid in das organische Material der zweiten Abflachungsschicht LL2, um die zweite Abflachungsschicht LL2 zu bilden, und bewirken, dass ein Teil der winzigen Partikel in der zweiten Abflachungsschicht LL2 an der Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL haftet.
• Außerdem neigt sich in der fünften Änderung die Schnittstelle lokal bei dem Teil, der den Vorsprung COV aufweist, und der Einfallswinkel des Lichts Lb bei dem Teil, der den Vorsprung COV aufweist, ist von dem in dem Bereich, der keinen Vorsprung COV aufweist, verschieden. Als Ergebnis wird das Licht Lc zur zweiten Abflachungsschicht LL2 wirksam ausgegeben. Die Konfiguration ist nicht auf die beschränkt, die in 14 und 15 veranschaulicht ist, und die Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL kann mehrere winzige Aussparungen und Vorsprünge besitzen. Speziell können die Aussparungen und Vorsprünge durch Aufrauen der Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL z. B. durch umgekehrtes Sputtern gebildet werden.
• Die Konfigurationen gemäß der ersten bis dritten Änderung der ersten Ausführungsform und die Konfigurationen gemäß der zweiten Ausführungsform und der vierten Änderung können auf die dritte Ausführungsform und die fünfte Änderung angewendet werden. In der vierten Änderung können z. B. die Aussparungen COC, die Vorsprünge COV oder die Aussparungen und die Vorsprünge auf der Oberfläche des Stirnabschnitts LPLe, der in 11 veranschaulicht ist, gebildet werden.
• Vierte Ausführungsform
• 16 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform. Wie in 16 veranschaulicht ist, weist die vierte Ausführungsform mehrere Vorsprungsstrukturen PT auf der Kapazitätsnitridfolie LSN auf. Die Vorsprungsstrukturen PT können durch Musterbildung mit einem organischen Abdeckmittel auf der Kapazitätsnitridfolie LSN gebildet werden. Die Vorsprungsstrukturen PT werden dann erhitzt, derart, dass das organische Abdeckmittel schmilzt und sich verfestigt. Als Ergebnis besitzt jede Vorsprungsstruktur PT eine halbkreisförmige Querschnittstruktur mit einer gekrümmten Oberfläche.
• Die Anodenelektrode AD und der Ausdehnungsabschnitt LPLc sind an der Kapazitätsnitridfolie LSN und den Vorsprungsstrukturen PT vorgesehen. Der Teil der Anodenelektrode AD, der mit dem Ausdehnungsabschnitt LPLc überlappt, besitzt mehrere Vorsprünge entlang der Form der Vorsprungsstrukturen PT. Die Oberfläche des Ausdehnungsabschnitts LPLc weist auch mehrere Vorsprünge entlang der Form der Vorsprungsstrukturen PT auf.
• Mit dieser Struktur neigt sich die Schnittstelle zwischen der Anodenelektrode AD und dem Ausdehnungsabschnitt LPLc lokal bei den Teilen, die die Vorsprünge aufweisen, und der Reflektionswinkel des Lichts Lb unterscheidet sich. Als Ergebnis unterscheidet sich der Reflektionswinkel des Lichts Lb zwischen den Teilen, die die Vorsprünge aufweisen, und den Teilen, die die Vorsprünge nicht aufweisen, und die Ausbreitungsrichtung des Lichts Lb ändert sich. Diese Struktur erhöht die Komponente des Lichts Lb, das in der Normalrichtung der Schnittstelle zwischen dem Ausdehnungsabschnitt LPLc und der zweiten Abflachungsschicht LL2 verläuft, wodurch ermöglicht wird, dass das Licht Lc durch die zweite Abflachungsschicht LL2 verläuft. Die Schnittstelle zwischen dem Ausdehnungsabschnitt LPLc und der zweiten Abflachungsschicht LL2 neigt sich auch lokal bei den Teilen, die die Vorsprünge besitzen. Der Einfallswinkel des Lichts Lb unterscheidet sich zwischen den Teilen, die die Vorsprünge aufweisen, und den Teilen, die die Vorsprünge nicht aufweisen. Als Ergebnis wird das Licht Lc zu der zweiten Abflachungsschicht LL2 wirksam ausgegeben.
• Sechste Änderung der vierten Ausführungsform
• 17 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Änderung der vierten Ausführungsform. Wie in 17 veranschaulicht ist, besitzen die Vorsprungsstrukturen PT an der Kapazitätsnitridfolie LSN gemäß der sechsten Änderung der vierten Ausführungsform jeweils eine trapezförmige Querschnittstruktur. Die Vorsprungsstruktur PT kann durch Erhitzen zu einer Temperatur, die niedriger als die Schmelztemperatur des organischen Abdeckmittels ist, gebildet werden.
• Außerdem besitzen in der sechsten Änderung die Anodenelektrode AD und der Ausdehnungsabschnitt LPLc mehrere Vorsprünge entlang der Form der Vorsprungsstrukturen PT. Das Licht Lb wird durch die Seitenfläche des Vorsprungs, der auf der Anodenelektrode AD gebildet ist, teilweise reflektiert und ändert seine Ausbreitungsrichtung. Das Licht Lb, das durch die Seitenfläche des Vorsprungs reflektiert wird, wird ferner durch die Oberfläche der Kopplungsschicht CL reflektiert. Das Licht Lc wird dann aus dem Neigungsabschnitt LPLb nach oben ausgeben. Um die Zeichnung zu vereinfachen, veranschaulicht 17 das Licht Lb, das im Ausdehnungsabschnitt LPLc verläuft, nicht. Außerdem wird in der sechsten Änderung das Licht Lc zu der zweiten Abflachungsschicht LL2 mit den Vorsprüngen, die auf der Anodenelektrode AD und dem Ausdehnungsabschnitt LPLc gebildet sind, ähnlich der vierten Ausführungsform wirksam ausgegeben.
• Die Konfigurationen gemäß der ersten bis dritten Änderung der ersten Ausführungsform und die Konfigurationen gemäß der zweiten Ausführungsform und der vierten Änderung können auf die vierte Ausführungsform und die sechste Änderung angewendet werden.
• Fünfte Ausführungsform
• 18 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform. 19 ist eine Draufsicht von mehreren Pixeln in der Anzeigevorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform. Wie in 18 veranschaulicht ist, sind die Kathodenelektrode CD und die Lichtextraktionsschicht LPL gemäß der fünften Ausführungsform der Reihe nach auf das lichtemittierende Element LED gestapelt. Mit anderen Worten ist der Oberteil LPLd an der Kathodenelektrode CD vorgesehen und deckt der Seitenabschnitt LPLa die Seitenflächen des lichtemittierenden Elements LED und die Kathodenelektrode CD ab. Die Deckschicht OC ist an der Kapazitätsnitridfolie LSN vorgesehen, um die Lichtextraktionsschicht LPL abzudecken.
• Wie in 19 veranschaulicht ist, sind die Kathodenelektroden CD an den jeweiligen lichtemittierenden Elemente LED (RLED, GLED und BLED) vorgesehen. Die Kathodenelektrode CD ist an eine Kathodenkopplungsleitung CDS elektrisch gekoppelt. Die Kathodenelektrode CD ist über die Kathodenkopplungsleitung CDS an die Kathodenelektroden CD, die an weiteren lichtemittierenden Elementen LED vorgesehen ist, elektrisch gekoppelt. Mit dieser Konfiguration werden mehrere lichtemittierende Elemente LED mit dem gemeinsamen Kathodenstromversorgungspotential PVSS versorgt.
• In der vorliegenden Ausführungsform wird die Kathodenelektrode CD auf dem lichtemittierenden Element LED durch Musterbildung gebildet und dann wird die Lichtextraktionsschicht LPL gebildet, um die Kathodenelektrode CD und das lichtemittierende Element LED abzudecken. In diesem Fall ist der Prozess des Bildens der Lichtextraktionsschicht LPL der letzte Prozess in einem Vakuumprozess. Um mehrere winzige Aussparungen COC zu bilden (siehe
  14), können an der Oberfläche der Lichtextraktionsschicht LPL, wie in der dritten Ausführungsform beschrieben ist, die Aussparungen COC durch ein Verfahren des Sprühens eines Schleifmittels wie z. B. eines Sandstrahls z. B. auf die Lichtextraktionsschicht LPL gebildet werden. Nach dem Polieren ist es nötig, ein Reinigen zum Entfernen des Schleifmittels und der Späne der Lichtextraktionsschicht LPL durchzuführen. In der vorliegenden Ausführungsform ist nach der Bildung der Lichtextraktionsschicht LPL kein Vakuumprozess vorhanden. Folglich kann das Reinigen auf eine einfachere Weise durchgeführt werden, wenn die Lichtextraktionsschicht LPL einer Verarbeitung wie z. B. einem Bilden der Aussparungen COC unterworfen wird.
• Die Kathodenelektrode CD ist auch an einem Teil der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LED, der an die Kathodenkopplungsleitung CDS gekoppelt werden soll, vorgesehen. In diesem Fall neigt sich die Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LED derart, dass sie eine trapezförmige Querschnittform aufweist, wodurch verhindert wird, dass die Kathodenelektrode CD zerbricht. Die Konfigurationen gemäß der ersten bis vierten Ausführungsform und der ersten bis sechsten Änderung können auf die fünfte Ausführungsform angewendet werden.
• Sechste Ausführungsform
• 20 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform. Wie in 20 veranschaulicht ist, enthält die Anzeigevorrichtung DSP gemäß der sechsten Ausführungsform ferner eine erste Resonanzschicht CA1, eine zweite Resonanzschicht CA2 und eine dritte Resonanzschicht CA3. Die erste Resonanzschicht CA1 und die zweite Resonanzschicht CA2 sind in einem lichtemittierende Element LEDA vorgesehen. Speziell ist die erste Resonanzschicht CA1 zwischen dem Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements und der Ummantelungsschicht NC des N-Typs vorgesehen. Die erste Resonanzschicht CA1 ist eine dielektrische Schicht. Das Material der ersten Resonanzschicht CA1 kann eine Siliziumoxidfolie sein, die einen niedrigen Brechungsindex besitzt. Die Schichtdicke der ersten Resonanzschicht CA1 im rotes Licht emittierenden Element RLED beträgt etwa 216 nm, die im grünes Licht emittierenden Element GLED beträgt etwa 174 nm und die im blaues Licht emittierenden Element BLED beträgt etwa 154 nm.
• Die zweite Resonanzschicht CA2 wird durch Anpassen der Schichtdicken der Ummantelungsschicht NC des N-Typs, der lichtemittierenden Schicht EM und der Ummantelungsschicht PC des P-Typs erhalten. Die Schichtdicke der zweiten Resonanzschicht CA2 ist ein Wert, der durch Teilen einer Hälfte der Hauptemissionswellenlänge von Licht, das vom lichtemittierenden Element LEDA abgestrahlt wird, durch den Brechungsindex erhalten wird. Mit anderen Worten wird dann, wenn die Schichtdicke der zweiten Resonanzschicht CA2 d₂ ist, die Hauptemissionswellenlänge von Licht, das vom lichtemittierenden Element LEDA abgestrahlt wird, λ ist und der Brechungsindex der zweiten Resonanzschicht CA2 n₂ ist, die Schichtdicke d₂ durch Ausdruck (2) ausgedrückt: $${\text{d}}_2=\text{i}\mathrm{\lambda }/2{\text{n}}_2,$$

  

  wobei i eine positive ganze Zahl ist.
• Die dritte Resonanzschicht CA3 ist an dem lichtemittierenden Element LEDA und der Lichtextraktionsschicht LPL vorgesehen. Die Kathodenelektrode CD, die dritte Resonanzschicht CA3 und die Deckschicht OC werden der Reihe nach auf das lichtemittierende Element LEDA gestapelt. Die vorliegende Ausführungsform enthält den Oberteil LPLd der Lichtextraktionsschicht LPL nicht, ähnlich der ersten Änderung der ersten Ausführungsform, die in 7 veranschaulicht ist.
• Die dritte Resonanzschicht CA3 enthält eine dielektrische Schicht CAL3 mit niedrigem Brechungsindex und eine dielektrische Schicht CAH3 mit hohem Brechungsindex. Die dielektrische Schicht CAL3 mit niedrigem Brechungsindex ist eine Siliziumoxidfolie, die dieselbe Dicke wie die erste Resonanzschicht CA1 besitzt. Die dielektrische Schicht CAH3 mit hohem Brechungsindex ist aus Titanoxid hergestellt. Die Schichtdicke der dielektrischen Schicht CAH3 mit hohem Brechungsindex im rotes Licht emittierenden Element RLED beträgt etwa 108 nm, die im grünes Licht emittierenden Element GLED beträgt etwa 86 nm und die im blaues Licht emittierenden Element BLED beträgt etwa 76 nm.
• Die Resonatorstruktur gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist aus der ersten Resonanzschicht CA1 und der zweiten Resonanzschicht CA2, die im lichtemittierenden Element LEDA vorgesehen sind, und der dritten Resonanzschicht CA3, die außerhalb des lichtemittierenden Elements LEDA vorgesehen ist, gebildet. Mit dieser Konfiguration fällt Licht Lg, das aus der lichtemittierenden Schicht EM nach oben ausgeben wird, auf die dritte Resonanzschicht CA3 ein. Ein Teillicht Lh des Lichts Lg durchläuft die dritte Resonanzschicht CA3 und wird nach oberhalb des lichtemittierenden Elements LEDA ausgegeben und ein weiteres Teillicht kehrt zur lichtemittierenden Schicht EM zurück. Das Licht, das zur lichtemittierenden Schicht EM zurückkehrt, wird durch die erste Resonanzschicht CA1 reflektiert. Das Licht Lg wird wiederholt mehrmals zwischen der dritten Resonanzschicht CA3 und der ersten Resonanzschicht CA1 reflektiert.
• Eine Schichtdicke d₃ der dielektrischen Schicht CAL3 mit niedrigem Brechungsindex oder der dielektrischen Schicht CAH3 mit hohem Brechungsindex der dritten Resonanzschicht CA3 wird durch Ausdruck (3) ausgedrückt: $${\text{d}}_3=\text{i}\mathrm{\lambda }\text{/}2E_3$$

  

  wobei n₃ der Brechungsindex der dielektrischen Schicht CAL3 mit niedrigem Brechungsindex oder der dielektrischen Schicht CAH3 mit hohem Brechungsindex ist.
• Lichtstrahlen, die durch die Schnittstellen reflektiert werden, sind in Phase und verstärken einander. Entsprechend erhöht sich die Emissionsintensität des Lichts Lg, das durch die erste Resonanzschicht CA1 und die dritte Resonanzschicht CA3 reflektiert und nach oben ausgeben wird.
• Die Schichtdicke d₃ der dielektrischen Schicht CAL3 mit niedrigem Brechungsindex und der dielektrischen Schicht CAH3 mit hohem Brechungsindex wird erhalten, wenn i = 1 in Ausdruck (3) erfüllt ist. Wenn i größer wird, wird die Einfallswinkelabhängigkeit und die Emissionswellenlängenabhängigkeit des Lichts Lh, das aus der Resonatorstruktur ausgegeben wird, steiler. Als Ergebnis erhöht sich die Emissionskomponente in der Normalrichtung und die Halbbreite nimmt ab. Folglich besitzt die Anzeigevorrichtung DSP eine höhere Farbreinheit. Wenn i größer wird ist es allerdings nötig, die Schichtdicke der Resonatorstruktur zu vergrößern, was in einer Zunahme der Herstellungskosten resultiert. Aus diesem Grund wird i bevorzugt zu 1 eingestellt.
• Siebte Änderung der sechsten Ausführungsform 21 ist eine Schnittansicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer siebten Änderung der sechsten Ausführungsform. Wie in 21 veranschaulicht ist, enthält ein lichtemittierendes Element LEDB gemäß der siebten Änderung der sechsten Ausführungsform die erste Resonanzschicht CA1, die aus fünf dielektrischen Schichten gebildet ist. In der ersten Resonanzschicht CA1 sind die dielektrischen Schichten auf dem Substrat SULED eines lichtemittierenden Elements in der Reihenfolge einer Schicht mit niedrigem Brechungsindex, einer Schicht mit hohem Brechungsindex, einer Schicht mit niedrigem Brechungsindex, einer Schicht mit hohem Brechungsindex und einer Schicht mit niedrigem Brechungsindex gestapelt. Die dritte Resonanzschicht CA3 ist aus sechs dielektrischen Schichten gebildet. In der dritten Resonanzschicht CA3 sind die dielektrischen Schichten auf der Kathodenelektrode CD in der Reihenfolge einer Schicht mit niedrigem Brechungsindex, einer Schicht mit hohem Brechungsindex, einer Schicht mit niedrigem Brechungsindex, einer Schicht mit hohem Brechungsindex, einer Schicht mit niedrigem Brechungsindex und einer Schicht mit hohem Brechungsindex gestapelt. Die Schicht mit hohem Brechungsindex ist als die oberste Schicht der dritten Resonanzschicht CA3 vorgesehen.
• 22 ist ein Graph der Beziehung zwischen Wellenlänge und Emissionsintensität in der Anzeigevorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform und der siebten Änderung. 23 ist ein Graph der Beziehung zwischen Polarwinkel und Emissionsintensität in der Anzeigevorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform und der siebten Änderung. Graph 1 in 22 gibt das Emissionsspektrum von Licht, das vom lichtemittierenden Element LEDA abgestrahlt wird, gemäß der sechsten Ausführungsform und das Emissionsspektrum von Licht, das vom lichtemittierenden Element LEDB abgestrahlt wird, gemäß der siebten Änderung im Vergleich an. Wie in 22 veranschaulicht ist, besitzt die Anzeigevorrichtung DSP, die das lichtemittierende Element LEDB enthält, eine höhere Intensität des Emissionsspektrums und eine kleinere Halbbreite als die Anzeigevorrichtung DSP, die das lichtemittierende Element LEDA enthält, in allen der Wellenlängen rot (R), grün (G) und blau (B).
• Wie durch Graph 2 in 23 repräsentiert ist, besitzt die Anzeigevorrichtung DSP, die das lichtemittierende Element LEDB enthält, eine höhere Emissionsintensität in der Normalrichtung (bei einem Polarwinkel von 0 Grad) als die Anzeigevorrichtung DSP, die das lichtemittierende Element LEDA enthält. Durch Erhöhen der Anzahl von Schichten der ersten Resonanzschicht CA1 und der dritten Resonanzschicht CA3 besitzt die Anzeigevorrichtung DSP eine höhere Emissionsintensität und eine kleinere Halbbreite in der Normalrichtung und kann eine hellere Lichtfarbe anzeigen. Folglich kann die Anzeigevorrichtung DSP in der Normalrichtung, in der ein Anwender die Anzeigevorrichtung DSP in Verwendung häufiger betrachtet, eine höhere Anzeigeleistung erreichen. Der Polarwinkel ist ein Winkel, der durch die Normalrichtung des Substrats SU und die Ausbreitungsrichtung des Ausgangslichts gebildet wird.
• Achte Änderung der sechsten Ausführungsform
• 24 ist eine vergrößerte Schnittansicht der Lichtextraktionsschicht und der dritten Resonanzschicht der Anzeigevorrichtung gemäß einer achten Änderung der sechsten Ausführungsform. Wie in 24 veranschaulicht ist, ist die dritte Resonanzschicht CA3 gemäß der achten Änderung mit der Lichtextraktionsschicht LPL überlappend vorgesehen. Speziell ist die dritte Resonanzschicht CA3 mit dem Seitenabschnitt LPLa, dem Neigungsabschnitt LPLb und dem Ausdehnungsabschnitt LPLc überlappend vorgesehen. Ähnlich zur sechsten Ausführungsform, die in 20 veranschaulicht ist, sind die erste Resonanzschicht CA1 und die zweite Resonanzschicht CA2 im lichtemittierenden Element LEDA vorgesehen.
• Die Anodenelektrode AD ist in einem Bereich vorgesehen, der mit dem Ausdehnungsabschnitt LPLc überlappt. Mit anderen Worten sind die Anodenelektrode AD, der Ausdehnungsabschnitt LPLc und die dritte Resonanzschicht CA3 der Reihe nach auf die Kapazitätsnitridfolie LSN gestapelt. In der achten Änderung wirkt der Teil, in dem die Anodenelektrode AD, der Ausdehnungsabschnitt LPLc und die dritte Resonanzschicht CA3 überlappen, auch als eine Resonatorstruktur. Mit anderen Worten wirkt die Anodenelektrode AD auch als die erste Resonanzschicht CA1. Die Anodenelektrode AD besitzt eine mehrschichtige Struktur, die aus einem Metallmaterial und einer dielektrischen Schicht hergestellt ist, und die dielektrische Schicht besitzt dieselbe Schichtdicke wie die erste Resonanzschicht CA1.
• Der Ausdehnungsabschnitt LPLc wirkt auch als die zweite Resonanzschicht CA2. Die Schichtdicke des Ausdehnungsabschnitts LPLc im rotes Licht emittierenden Element RLED beträgt etwa 216 nm, die Schichtdicke des Ausdehnungsabschnitts LPLc im grünes Licht emittierenden Element GLED beträgt etwa 172 nm und die Schichtdicke des Ausdehnungsabschnitts LPLc im blaues Licht emittierenden Element BLED beträgt etwa 152 nm. Diese Werte werden erhalten, wenn i = 2 in Ausdruck (2) erfüllt ist. Der Ausdehnungsabschnitt LPLc ist bevorzugt unter Berücksichtigung des Lichtinjektionswirkungsgrads zur Lichtextraktionsschicht LPL verdickt.
• Das Licht La, das von der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LEDA ausgeben wird, fällt auf den Seitenabschnitt LPLa ein und breitet sich in der Lichtextraktionsschicht LPL und der dritten Resonanzschicht CA3 aus. Das Licht Lb, das sich im Ausdehnungsabschnitt LPLc ausbreitet, wird zwischen der dritten Resonanzschicht CA3 und der Anodenelektrode AD wiederholt reflektiert und wird zur zweiten Abflachungsschicht LL2 teilweise ausgeben. Die Resonatorstruktur, die aus der Anodenelektrode AD, dem Ausdehnungsabschnitt LPLc und der dritten Resonanzschicht CA3 gebildet ist, erhöht die Emissionsintensität des Lichts Lc, das zu der zweiten Abflachungsschicht LL2 ausgeben wird, und verringert die Halbbreite. Folglich besitzt die Anzeigevorrichtung DSP einen höheren Extraktionswirkungsgrad des Lichts La, das aus der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements LEDA ausgeben wird, und kann eine höhere Anzeigeleistung erreichen.
• Die Anzahl von Schichten und die Dicke der Resonanzschichten gemäß der sechsten Ausführungsform und der siebten und der achten Änderung sind lediglich beispielhaft gegeben und können geeignet geändert werden. Die dritte Resonanzschicht CA3 gemäß der siebten Änderung kann z. B. fünf oder weniger Schichten oder sieben oder mehr Schichten besitzen. Die Konfigurationen gemäß der ersten bis vierten Ausführungsform und der ersten bis sechsten Änderung können auf die sechste Ausführungsform und die siebte und die achte Änderung angewendet werden.
• Während eine beispielhafte Ausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde, ist die Ausführungsform nicht vorgesehen, um die Erfindung zu beschränken. Die Inhalte, die in der Ausführungsform offenbart werden, sind lediglich beispielhaft gegeben und verschiedene Änderungen können vorgenommen werden, ohne vom Geist der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Geeignete Änderungen, die vorgenommen werden, ohne vom Geist der vorliegenden Erfindung abzuweichen, fallen natürlich in den technischen Umfang der Erfindung. Mindestens eine von verschiedenen Auslassungen, Ersetzungen und Änderungen der Komponenten kann vorgenommen werden, ohne vom Hauptinhalt der oben beschriebenen Ausführungsform und ihren Änderungen abzuweichen.
• Bezugszeichenliste

AD

Anodenelektrode

CA1

Erste Resonanzschicht

CA2

Zweite Resonanzschicht

CA3

Dritte Resonanzschicht

CD

Kathodenelektrode

CL

Kopplungsschicht

DA

Anzeigebereich

DSP

Anzeigevorrichtung

DRT

Ansteuertransistor

EM

Lichtemittierende Schicht

IPL

Anodenstromversorgungsleitung

LED, LEDA, LEDB, RLED, GLED, BLED

Lichtemittierendes Element

LL1

Erste Abflachungsschicht

LL2

Zweite Abflachungsschicht

LPL

Lichtextraktionsschicht

LPLa

Seitenabschnitt

LPLb

Neigungsabschnitt

LPLc

Ausdehnungsabschnitt

LPLd

Oberteil

LPLe

Stirnabschnitt

LS

Lichtabschirmschicht

LSN

Kapazitätsnitridfolie

NC

Ummantelungsschicht des N-Typs

PC

Ummantelungsschicht des P-Typs

Pix, Px

Pixel

PS

Halbleiterschicht

PT

Vorsprungsstruktur

PVDD

Anodenstromversorgungspotential

PVSS

Kathodenstromversorgungspotential

SL

Videosignalleitung

SU

Substrat

SULED

Substrat eines lichtemittierenden Elements

WL

Wandstruktur

• ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
• Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
• Zitierte Patentliteratur
• JP H8213174 A [0003]

Claims (17)

1. Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: ein Substrat; mehrere Pixel, die auf dem Substrat vorgesehen sind; auf jedem Pixel ein lichtemittierendes Element; und eine anorganische Isolationsschicht, die eine Lichtdurchlässigkeit aufweist und mindestens einen Teil des lichtemittierenden Elements abdeckt, wobei die anorganische Isolationsschicht Folgendes enthält: einen Seitenabschnitt, der an einer Seitenfläche des lichtemittierenden Elements vorgesehen ist; und einen Ausdehnungsabschnitt, der auf einer Seite an einem unteren Ende des Seitenabschnitts und zu einer Außenseite des lichtemittierenden Elements als der Seitenabschnitt in einer Draufsicht aus einer Normalrichtung des Substrats gesehen verlaufend vorgesehen ist.
2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die anorganische Isolationsschicht einen Neigungsabschnitt enthält, der zwischen dem Seitenabschnitt und dem Ausdehnungsabschnitt und geneigt in Bezug auf den Seitenabschnitt vorgesehen ist.
3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, die ferner Folgendes umfasst: einen Koppler, der zwischen dem lichtemittierenden Element und dem Substrat vorgesehen ist und an das lichtemittierende Element elektrisch gekoppelt ist, wobei der Neigungsabschnitt entlang einer Seitenfläche des Kopplers vorgesehen ist.
4. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, die ferner Folgendes umfasst: eine Abflachungsschicht, die mindestens eine Seitenfläche des Seitenabschnitts und des lichtemittierenden Elements abdeckt, wobei eine Differenz zwischen dem Brechungsindex der anorganischen Isolationsschicht und dem Brechungsindex des lichtemittierenden Elements kleiner als eine Differenz zwischen dem Brechungsindex der Abflachungsschicht und dem Brechungsindex des lichtemittierenden Elements ist.
5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, die ferner Folgendes umfasst: eine Kathodenelektrode, die auf der Abflachungsschicht vorgesehen ist und an das lichtemittierende Element elektrisch gekoppelt ist, wobei die anorganische Isolationsschicht einen Oberteil enthält, der an ein oberes Ende des Seitenabschnitts gekoppelt ist und zwischen einer Oberseite des lichtemittierenden Elements und der Kathodenelektrode vorgesehen ist.
6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, die ferner Folgendes umfasst: eine Kathodenelektrode, die auf der Abflachungsschicht vorgesehen ist und an eine Oberseite des lichtemittierenden Elements elektrisch gekoppelt ist, wobei die anorganische Isolationsschicht eine Öffnung bei einem Teil besitzt, der mit der Oberseite des lichtemittierenden Elements überlappt.
7. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, die ferner eine Kathodenelektrode umfasst, die mit dem Seitenabschnitt und dem Ausdehnungsabschnitt der anorganischen Isolationsschicht überlappend vorgesehen ist und an das lichtemittierende Element elektrisch gekoppelt ist.
8. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, die ferner Folgendes umfasst: eine Kathodenelektrode, die an einer Oberseite des lichtemittierenden Elements vorgesehen ist und an das lichtemittierende Element elektrisch gekoppelt ist, wobei die anorganische Isolationsschicht einen Oberteil enthält, der an der Kathodenelektrode vorgesehen ist.
9. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, die ferner Folgendes umfasst: eine Anodenelektrode, die an das lichtemittierende Element elektrisch gekoppelt ist, wobei der Ausdehnungsabschnitt an der Anodenelektrode vorgesehen ist.
10. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, die ferner Folgendes umfasst: eine Wandstruktur, die einer Seitenfläche des lichtemittierenden Elements zugewandt ist, wobei die anorganische Isolationsschicht einen Stirnabschnitt enthält, der an den Ausdehnungsabschnitt gekoppelt ist und entlang einer Wandfläche der Wandstruktur vorgesehen ist und die Anodenelektrode zwischen der Wandfläche der Wandstruktur und dem Stirnabschnitt vorgesehen ist.
11. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei mehrere Vorsprünge bei einem Teil der Anodenelektrode, der mit dem Ausdehnungsabschnitt überlappt, vorgesehen sind.
12. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei mehrere Aussparungen oder mehrere Vorsprünge an einer Oberfläche der anorganischen Isolationsschicht vorgesehen sind.
13. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, die ferner Folgendes umfasst: eine Wandstruktur, die einer Seitenfläche des lichtemittierenden Elements zugewandt ist, wobei die anorganische Isolationsschicht einen Stirnabschnitt enthält, der an den Ausdehnungsabschnitt gekoppelt ist und entlang einer Wandfläche der Wandstruktur vorgesehen ist.
14. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei eine Resonanzschicht, die mehrere gestapelte dielektrische Schichten enthält, am lichtemittierenden Element und der anorganischen Isolationsschicht vorgesehen ist.
15. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei das lichtemittierende Element eine erste Resonanzschicht und eine zweite Resonanzschicht enthält und eine dritte Resonanzschicht, die mehrere gestapelte dielektrische Schichten enthält, am lichtemittierenden Element und der anorganischen Isolationsschicht vorgesehen ist.
16. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei die erste Resonanzschicht zwischen einem Substrat des lichtemittierenden Elements und einer lichtemittierenden Schicht des lichtemittierenden Elements vorgesehen ist und die zweite Resonanzschicht die lichtemittierende Schicht und eine Ummantelungsschicht des lichtemittierenden Elements enthält.
17. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei eine Resonanzschicht, die mehrere gestapelte dielektrische Schichten enthält, am Seitenabschnitt und am Ausdehnungsabschnitt der anorganischen Isolationsschicht vorgesehen ist.

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