DE112016004720T5

DE112016004720T5 - Ic-sockel

Info

Publication number: DE112016004720T5
Application number: DE112016004720.7T
Authority: DE
Inventors: Yuji Nakamura; Masashi Iwata
Original assignee: Yamaichi Electronics Co Ltd
Current assignee: Yamaichi Electronics Co Ltd
Priority date: 2015-10-16
Filing date: 2016-08-23
Publication date: 2018-07-19
Also published as: JP6601138B2; US20180238957A1; JP2017076587A; WO2017064927A1; US10534033B2

Abstract

Wenn jeder Signalleitungskontaktanschluss (10ai) in einem Basiselement (30), einem oberen Gehäuse (28) und einem unteren Gehäuse (26) installiert ist, ist das obere Gehäuse (28) derart daran montiert, dass es zwischen dem Basiselement (30) und dem unteren Gehäuse (26) angeordnet ist. Hierbei sind Bunde (16) an Außenumfangsbereichen eines ersten Verlängerungsbereichs (52A) bzw. eines zweiten Verlängerungsbereichs (52C) des Signalleitungskontaktanschlusses (10ai) befestigt. Darüber hinaus sind Luftschichten zwischen einem Außenumfangsbereich eines Trommelbereichs (52B) des Signalleitungskontaktanschlusses (10ai) und einer Innenumfangsfläche, die eine Öffnung (28b) bildet, zwischen einem Außenumfangsbereich des ersten Verlängerungsbereichs (52A) und einer Innenumfangsfläche, die eine Öffnung (30b) bildet, zwischen einem Außenumfangsbereich des zweiten Verlängerungsbereichs (52C) und einer Innenumfangsfläche, die eine Öffnung (26b) bildet, und zwischen einem Außenumfangsbereich eines Stößels (56) und einer Innenumfangsfläche, die eine Öffnung (26e) bildet, ausgebildet.

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft einen IC-Sockel
Stand der Technik
Eine Halbleitervorrichtung, die als elektronische Vorrichtung zur Montage an einer elektronischen Apparatur oder dergleichen dient, wird im Allgemeinen einem Test zur Eliminierung potenzieller Defekte unter Verwendung eines integrierten Schaltungssockels (IC-Sockels) in einem Stadium vor der Montage der Halbleitervorrichtung unterzogen. Wie zum Beispiel im PATENTDOKUMENT 1 gezeigt, ist ein solcher IC-Sockel auf einer gedruckten Leiterplatte (einer Testplatine oder Montageplatine) vorgesehen.
Falls ein Halbleitervorrichtungssockel in einer Übertragungsleitung vorgesehen ist, die ein RF- (Funkfrequenz-) Signal in einem relativ hohen Frequenzband, wie z. B. 1 GHz oder darüber, überträgt, ist eine Technik zum Verbessern eine Übertragungsleistung eines Signals in einem relativ hohen Frequenzband durch Aussetzen eines IC-Sockels einer Impedanzanpassung zum Verbessern der Übertragungsleistung des Signals im relativ hohen Frequenzband, und durch Verringern der Induktivität durch weiteres Reduzieren einer Länge zwischen einem Kontaktbereich eines beweglichen Anschlussbereichs eines Kontaktanschlusses und einem proximalen Endbereich seines Lötbefestigung-Anschlussbereichs bekannt.
Wie z. B. im PATENTDOKUMENT 1 gezeigt, ist eine Kontaktsonde, die als Kontaktanschluss dient, in einer Einführöffnung in einem Metallblock des auf der Leiterplatte anzuordnenden IC-Sockels angeordnet.
Ein solcher IC-Sockel umfasst als seine Hauptelemente: den Metallblock, der an einer Oberfläche einer Leiterplatte durch eine aus Harz hergestellte Isolierplatte befestigt ist; eine Führungsplatte, die auf einen oberen Endbereich des Metallblocks durch eine weitere aus Harz hergestellte Isolierplatte gestapelt ist; und eine Vielzahl von Kontaktsonden.
Aus der Vielzahl von Kontaktsonden ist eine RF-Signalkontaktsonde derart befestigt, dass diese einen hohlen Bereich definiert, der eine Luftschicht zwischen einem Außenumfangsbereich der Sonde und der Einführöffnung im vorgenannten Metallblock bildet, und zum Bilden einer sogenannten koaxialen Sonde konfiguriert ist, wobei die Kontaktsonde als zentraler Leiter eingesetzt wird und eine Innenwand der Einführöffnung als externer Leiter eingesetzt wird. Hierdurch wird eine Impedanzanpassung erreicht. Ein Bereich jeder Isolierplatte, in die jeder Stößel der RF-Signalkontaktsonde einzuführen ist, ist jedoch nicht zur koaxialen Sonde geformt. Darüber hinaus ist aus der Vielzahl von Kontaktsonden eine Stromversorgungskontaktsonde mit einer dielektrischen Röhre um einen Außenumfangsbereich deren Hülse herum abgedeckt. Hiermit ist ein Metallrohr der Stromversorgungskontaktsonde von der Innenwand der Einführöffnung im Metallblock isoliert. Ferner ist aus der Vielzahl von Kontaktsonden eine Erdungskontaktsonde so angeordnet, dass ein Außenumfangsbereich eines Metallrohrs davon in Kontakt mit der Innenwand der Einführöffnung im Metallblock kommt.
Daraufhin wurde, wie z. B. im PATENTDOKUMENT 2 offenbart, eine Technik zum Vorsehen eines ringförmigen dielektrischen Körpers zum gleitenden Abstützen eines oberen Stößels sowie eines unteren Stößels an jedem offenen Endbereich einer Einführöffnung einer Basis, aus welcher der obere Stößel sowie der untere Stößel vorragen, zum Erreichen der Impedanzanpassung in Bezug auf einen Bereich zwischen einer Basis eines Sockels und des oberen Stößels sowie des unteren Stößels, die aus der Hülse der Signalsonde im oben beschriebenen Patentdokument 1 vorragen, vorgeschlagen, sodass der Bereich nicht die Koaxialsonde bildet und somit eine Impedanzfehlanpassung verursacht. Der dielektrische Körper weist eine Abstützöffnung auf, die an einem mittigen Abschnitt angeordnet ist, und der obere Stößel sowie der untere Stößel können gleiten.
Dokumente des Standes der Technik
Patentdokumente

PATENTDOKUMENT 1: japanisches Patent Nr. 4,242,199
PATENTDOKUMENT 2: japanische Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2009-129877

Zusammenfassung der Erfindung
Damit der obere Stößel sowie der untere Stößel der Signalsonde im oben beschriebenen PATENTDOKUMENT 2 problemlos in der Abstützöffnung im dielektrischen Körper gleiten können, ist das Vorsehen eines vorgegebenen Abstands zwischen einem Außenumfangsbereich des oberen Stößels sowie des unteren Stößels und einem Innenumfangsbereich der Abstützöffnung erforderlich. Ein solcher vorgegebener Abstand wird unter Berücksichtigung einer Bearbeitungsgenauigkeit des Außenumfangsbereichs des oberen Stößels sowie des unteren Stößels, einer Abnutzung der Abstützöffnung und dergleichen eingestellt. Hierbei wird ein Flanschbereich des dielektrischen Körpers am Umfang des offenen Endbereichs der Einführöffnung in der Basis befestigt.
Der Abstand kann jedoch eine Abweichung der Achse des oberen Stößels und des unteren Stößels von der Mitte der Abstützöffnung im dielektrischen Körper verursachen, was wahrscheinlich zur Abweichung der Impedanz führt, ohne die vorgeschriebene Konzentrizität zu erreichen. Darüber hinaus besteht auch eine Beschränkung zum Verbessern der Konzentrizität des oberen Stößels sowie des unteren Stößels zum dielektrischen Körper. Zum Beispiel kann der Abstand zur Impedanzfehlanpassung in einem relativ hohen Frequenzband über etwa 60 GHz beitragen. Darüber hinaus kann die Impedanzfehlanpassung auch von einem Endabschnitt des dielektrischen Körpers herrühren, der aus einer Stirnfläche eines Basiselements vorragt.
Im Hinblick auf das oben beschriebene Problem ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen IC-Sockel bereitzustellen. Der IC-Sockel kann eine Impedanzgenauigkeit verbessern, ohne durch einen Abstand beeinträchtigt zu werden, der zum Gleiten eines Stößels erforderlich ist, und kann zudem die Impedanzanpassung sogar in einem relativ hohen Frequenzband eines Signals verbessern.
Zum Erreichen der oben beschriebenen Aufgabe umfasst ein IC-Sockel gemäß der vorliegenden Erfindung: ein oberes Gehäuse, das aus elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist und eine Vielzahl von Öffnungen aufweist, die zum individuellen Unterbringen einer Vielzahl von Kontaktanschlüssen mit gegebenem Abstand konfiguriert ist, wobei die Kontaktanschlüsse zumindest zu Signalleitungen in einer zu verbindenden Halbleitervorrichtung korrespondieren, wobei jede Öffnung offene Enden, die an beiden Enden vorgesehen sind und zum Ermöglichen eines Durchgangs jedes Kontaktanschlusses konfiguriert sind; ein Basiselement, das aus elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist, das an einer der Stirnflächen des oberen Gehäuses vorgesehen ist, das Öffnungen umfasst, die jeweils zum Ermöglichen eines Durchgangs eines ersten Stößels eines jeden der Kontaktanschlüsse unter Beibehaltung eines vorgegebenen Abstands konfiguriert sind, und zum Abstützen des ersten Stößels innerhalb jeder Öffnung durch einen Bund konfiguriert sind, der aus einem dielektrischen Körper hergestellt ist; und ein unteres Gehäuse, das aus einem elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist, das an der anderen der Stirnflächen des oberen Gehäuses vorgesehen ist, das Öffnungen umfasst, die jeweils zum Ermöglichen eines Durchgangs eines zweiten Stößels eines jeden der Kontaktanschlüsse unter Beibehaltung eines vorgegebenen Abstands konfiguriert sind, und zum Abstützen des zweiten Stößels innerhalb jeder Öffnung durch einen Bund konfiguriert sind, der aus einem dielektrischen Körper hergestellt ist.
Darüber hinaus kann der Kontaktanschluss umfassen: den ersten Stößel und den zweiten Stößel; ein elastisches Element, das zum Vorspannen des ersten Stößels und des zweiten Stößels in Richtungen zum voneinander Wegbewegen konfiguriert ist; und eine Hülse, die zum Aufnehmen des ersten Stößels, des zweiten Stößels und des elastischen Elements konfiguriert ist. Die Hülse kann einen Verlängerungsbereich umfassen, der an einem Endbereich der Hülse vorgesehen ist und zur gleitenden Führung des ersten Stößels und/oder des zweiten Stößels im Innern konfiguriert ist, und der Verlängerungsbereich ich kann vom Bund abgestützt werden, der aus einem dielektrischen Körper hergestellt ist.
Eine Luftschicht kann zwischen einer Innenumfangsfläche, welche die Öffnung im oberen Gehäuse bildet, und einem Außenumfangsbereich des Kontaktanschlusses ausgebildet sein. Darüber hinaus kann die zu verbindende Halbleitervorrichtung am Basiselement durch eine aus Harz hergestellte Schicht platziert sein und eine Vielzahl von Öffnungen aufweisen, die jeweils zum Ermöglichen eines Durchgangs eines Kontaktbereichs des Kontaktanschlusses konfiguriert sind. Das obere Gehäuse und das untere Gehäuse sind geerdet. Darüber hinaus ist ein Durchmesser eines Kontaktbereichs, der an einem Kontaktendbereich des ersten Stößels des Kontaktanschlusses ausgebildet ist, größer als ein Durchmesser des anderen Bereichs des Kontaktendbereichs und im Wesentlichen gleich einem Außendurchmesser des Verlängerungsbereichs der Hülse festgelegt.
Der IC-Sockel gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst: das obere Gehäuse, das aus elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist und die Vielzahl von Öffnungen umfasst, die zum individuellen Unterbringen der Kontaktanschlüsse mit gegebenem Abstand konfiguriert sind; das Basiselement, das aus elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist, das an der einen Stirnfläche des oberen Gehäuses vorgesehen ist, das die Öffnungen umfasst, die jeweils zum Ermöglichen eines Durchgangs des ersten Stößels eines jeden der Kontaktanschlüsse unter Beibehaltung des vorgegebenen Abstands konfiguriert sind, und zum Abstützen des ersten Stößels innerhalb jeder Öffnung durch den Bund konfiguriert sind, der aus dielektrischem Material hergestellt ist; und das untere Gehäuse, das aus elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist, das an der anderen Stirnfläche des oberen Gehäuses vorgesehen ist, das Öffnungen umfasst, die zum Ermöglichen eines Durchgangs des zweiten Stößels von jedem der Kontaktanschlüsse unter Beibehaltung des vorgegebenen Abstands konfiguriert sind, und zum Abstützen des zweiten Stößels innerhalb jeder Öffnung durch den Bund konfiguriert sind, der aus dem dielektrischen Körper hergestellt ist. Somit bildet jeder der Querschnitte des oberen Gehäuses, des unteren Gehäuses und des Basiselements, welche die Mittelachse des Kontaktanschlusses schneiden, eine sogenannte Koaxialsondenstruktur, die auf eine vorgegebene Impedanz eingestellt ist. Dementsprechend ist es möglich, die Impedanzgenauigkeit zu verbessern, ohne durch einen Abstand beeinträchtigt zu werden, der zum Gleiten jedes Stößels erforderlich ist, und die Impedanzanpassung sogar in einem relativ hohen Frequenzband eines Signals zu verbessern.
Figurenliste

1 zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen vergrößerten Hauptteil einer Konfiguration eines ersten Ausführungsbeispiels eines IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
2A zeigt eine Querschnittsansicht, die eine gesamte Konfiguration des ersten Ausführungsbeispiels des IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung schematisch veranschaulicht;
2B zeigt eine Querschnittsansicht eines in 2A gezeigten Beispiels, bei der ein Deckel in einem von einem Basiselement gehalten Zustand zusammen mit einer Halbleitervorrichtung dargestellt ist;
2C zeigt eine Draufsicht des in 2A dargestellten Beispiels;
3A zeigt eine vergrößerte Teilquerschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel einer Positionierungsplatte veranschaulicht, die in dem in 2A dargestellten Beispiel zusammen mit einer Kontaktanschlussgruppe verwendet wird;
3B zeigt eine Querschnittsansicht längst der Linie IIIB-IIIB 3A;
3C zeigt eine Querschnittsansicht längs der Linie IIIC-IIIC in 3A;
3D zeigt eine Querschnittsansicht längs der Linie IIID-IIID in 3A;
3E zeigt eine Querschnittsansicht längs der Linie IIIE-IIIE in 3A;
4 zeigt eine Teilquerschnittsansicht die einen in 2B dargestellten vergrößerten Teil veranschaulicht;
5 zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Signalleitungskontaktanschluss veranschaulicht, der in dem in 2A dargestellten Beispiel verwendet wird;
5B zeigt eine Querschnittsansicht, die ein weiteres Beispiel des Signalleitungskontaktanschlusses veranschaulicht, der in dem in 2A dargestellten Beispiel verwendet wird;
5C zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die den in 5B dargestellten, teilweise vergrößerten Signalleitungskontaktanschluss in einem Zustand veranschaulicht, bei dem dieser zusammen mit einem Elektrodenbereich der Halbleitervorrichtung innerhalb des Basiselements angeordnet ist;
5D zeigt eine vergrößerte Teilansicht, die einen vergrößerten Teil eines Stößels des in 5C dargestellten Signalleitungskontakts veranschaulicht;
5E zeigt eine Draufsicht von 5D;
5F zeigt eine Ansicht aus einer in 5E mit einem Pfeil gekennzeichneten Richtung;
5G zeigt eine Querschnittsansicht, die noch ein weiteres Beispiel des Signalleitungskontaktanschlusses veranschaulicht, der in dem in 2A veranschaulichten Beispiel verwendet wird;
5H zeigt eine vergrößerte Teilansicht, die einen vergrößerten Teil eines Stößels eines in 5G dargestellten Signalleitungskontakts veranschaulicht;
6 zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Bund veranschaulicht, der in dem in 2A dargestellten Beispiel verwendet wird;
7 zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen Zustand veranschaulicht, bei dem der Signalleitungskontaktanschluss innerhalb des Basiselements, eines oberen Gehäuses und eines unteren Gehäuses angeordnet ist;
8A zeigt eine Querschnittsansicht, die noch ein weiteres Beispiel des Signalleitungskontaktanschlusses veranschaulicht, der in dem in 2A dargestellten Beispiel verwendet wird;
8B zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen Zustand veranschaulicht, bei dem der in 8A dargestellte Signalleitungskontaktanschluss innerhalb des Basiselements, des oberen Gehäuses und des unteren Gehäuses angeordnet ist;
9A zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Stromversorgungsleitungskontaktanschluss veranschaulicht, der in dem in 2A dargestellten Beispiel verwendet wird;
9B zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen Zustand veranschaulicht, bei dem der in 9A dargestellte Stromversorgungsleitungskontaktanschluss innerhalb des Basiselements, des oberen Gehäuses und des unteren Gehäuses angeordnet ist;
10A zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Erdungsleitungskontaktanschluss veranschaulicht, der in dem in 2A dargestellten Beispiel verwendet wird;
10B zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen Zustand veranschaulicht, bei dem der Erdungsleitungskontaktanschluss innerhalb des Basiselements, des oberen Gehäuses und des unteren Gehäuses angeordnet ist;
11 zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die eine vergrößerte Konfiguration eines Hauptteils eines Vergleichsbeispiels veranschaulicht;
12 zeigt ein Kennliniendiagramm, das Kennlinien von Rückflussverlusten des ersten Ausführungsbeispiels des IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung und eines IC-Sockels des Vergleichsbeispiels veranschaulicht;
13 zeigt ein Kennliniendiagramm, das Kennlinien von Einfügeverlusten des ersten Ausführungsbeispiels des IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung und des Vergleichsbeispiels veranschaulicht;
14A zeigt Querschnittsansicht, die eine gesamte Konfiguration eines zweiten Ausführungsbeispiels eines IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung schematisch veranschaulicht;
14B zeigt eine Draufsicht eines in 14A dargestellten Beispiels;
15 zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen vergrößerten Hauptteil des in 14A dargestellten Beispiels veranschaulicht;
16A zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Signalleitungskontaktanschluss veranschaulicht, der in dem in 14A dargestellten Beispiel verwendet wird;
16B zeigt eine Teilquerschnittsansicht die einen Zustand veranschaulicht, bei dem der in 16A dargestellte Signalleitungskontaktanschluss innerhalb des Basiselements, des oberen Gehäuses und des unteren Gehäuses angeordnet ist;
17A zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Stromversorgungsleitungskontaktanschluss veranschaulicht, der in dem in 14A dargestellten Beispiel verwendet wird;
17B zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen Zustand veranschaulicht, bei dem der in 17A dargestellte Stromversorgungsleitungskontaktanschluss innerhalb des Basiselements, des oberen Gehäuses und des unteren Gehäuses angeordnet ist;
18A zeigt eine Querschnittsansicht, die einen Erdungsleitungskontaktanschluss veranschaulicht, der in dem in 14A dargestellten Beispiel verwendet wird;
18B zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen Zustand veranschaulicht, bei dem der in 18A dargestellte Erdungsleitungskontaktanschluss innerhalb des Basiselements, des oberen Gehäuses und des unteren Gehäuses angeordnet ist;
19A zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen vergrößerten Hauptteil eines Beispiels für die Anwendung des in 5B dargestellten Signalleitungskontaktanschlusses am in 3A dargestellten IC-Sockel veranschaulicht;
19B zeigt eine Querschnittsansicht längs der Linie XIXB-XIXB in 19A;
20A zeigt eine Teilquerschnittsansicht, die einen vergrößerten Hauptteil eines Beispiels für die Anwendung des in 5B dargestellten Signalleitungskontaktanschlusses am in 4 dargestellten IC-Sockel veranschaulicht; und
20B zeigt eine Querschnittsansicht längs der Linie XXB-XXB in 20A.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele
2A zeigt schematisch eine Konfiguration eines ersten Ausführungsbeispiels eines IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung.
In 2A ist eine Vielzahl von Sockeln auf einer gedruckten Leiterplatte PCB angeordnet, die z. B. als Testplatine dient. Hierbei sei angemerkt, dass 2A repräsentativ einen IC-Sockel auf der gedruckten Leiterplatte PCB veranschaulicht.
Die gedruckte Leiterplatte PCB ist z. B. aus Glasepoxidharz hergestellt und weist eine Elektrodengruppe (nicht dargestellt) auf, die mit einer Vielzahl von Elektrodenkontaktstellen versehen ist, die in einer Matrix entsprechend einem Layout von Kontaktanschlüssen ausgebildet sind, die später beschrieben werden, und ist an einem im Wesentlichen mittigen Abschnitt an einem der Flächenbereiche angeordnet. Durchgangsöffnungen, in die später zu beschreibenden Maschinenschrauben eingefügt werden, sind an vier Positionen um die Elektrodengruppe herum ausgebildet.
Der IC-Sockel ist z. B. mit einer Andrückmechanismuseinheit eines Muschelschalentyps, einem oberen Gehäuse 28, einem unteren Gehäuse 26 und einer Kontaktanschlussgruppe 24 versehen, die innerhalb des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26 vorgesehen ist.
Die Andrückmechanismuseinheit umfasst ein Basiselement 30, das an einer oberen Stirnseite des oberen Gehäuses 28 platziert ist, und ein Deckelelement 32, das an einem Endbereich des Basiselements 30 drehbeweglich abgestützt ist und einen Andruckkörper 36 drehbar hält, der eine Elektrodenfläche einer angebrachten Halbleitervorrichtung DV1 gegen die später zu beschreibende Kontaktanschlussgruppe 24 andrückt.
Die Halbleitervorrichtung DV1 ist z. B. mit einer integrierten Schaltung innerhalb eines BGA-Gehäuses versehen. Eine Vielzahl von Elektrodenbereichen DVa (siehe 1, 3A und 4) sind in einer Matrix an einem Bodenbereich der Halbleitervorrichtung DV1 ausgebildet. Wenn die Halbleitervorrichtung DV1 an einem später zu beschreibenden Halbleitervorrichtung-Platzierungsbereich positioniert wird, werden die jeweiligen Elektrodenbereiche DVa der Halbleitervorrichtung DV1 in eine Öffnung 41C (siehe 3A) eingefügt, die im Halbleitervorrichtung-Platzierungsbereich oder in jeweiligen Zellen (siehe 4) ausgebildet sind.
Außenabmessungen des aus einem Metallmaterial, wie z. B. Aluminium, hergestellten Basiselements 30 entsprechen im Wesentlichen den Außenabmessungen des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26. Eine Öffnung 30A, in der eine später zu beschreibende Positionierungsplatte 40 angeordnet ist, ist an einem Mittelabschnitt des Basiselements 30 ausgebildet.
Die Positionierungsplatte 40 ist am Basiselement 30 in vertikal beweglicher Weise unter Verwendung einer Vielzahl von Maschinenschrauben befestigt. Die Positionierungsplatte 40 ist durch eine Vielzahl von Schraubenfedern 42 in eine Richtung zum Wegbewegen von einer Innenfläche, die einen Bodenbereich der Öffnung 30A mit vorgegebenem Abstand von der Innenfläche bildet, vorgespannt. Die Vielzahl von Schraubenfedern 42 ist zwischen jeweiligen Vertiefungen in der Positionierungsplatte 40 und jeweiligen Vertiefungen im Basiselement 30 vorgesehen.
Die Positionierungsplatte 40 weist einen Halbleiterplatzierungsbereich 40A auf, der an deren Mittelabschnitt angeordnet ist, an dem die Halbleitervorrichtung DV1 montiert und demontiert wird. Wie in der vergrößerten Teilansicht von 5 dargestellt, ist der nach oben offene Halbleiterplatzierungsbereich 40A dadurch gebildet, dass dieser von geneigten Flächenbereichen an vier Seiten umgeben ist, welche die Halbleitervorrichtung DV1 zum Zeitpunkt der Montage führen. Stufenbereiche 40S sind an unteren Rändern der jeweiligen geneigten Flächenbereiche zum Aufnehmen von Rändern um die Elektrodengruppe herum an einem Gehäuse der Halbleitervorrichtung DV1 ausgebildet. Wie in 2C gezeigt, sind beide Seiten jedes Stufenbereichs 40 S entlang jeder Seite des Gehäuses der Halbleitervorrichtung DV1 jeweils mit Enden von angrenzenden Stufenbereichen 40S verbunden. Beide Enden jedes Stufenbereichs 40S sind mit Ausnehmungen versehen, die Eckenbereichen des Gehäuses der anzubringenden Halbleitervorrichtung DV1 entsprechen. Wie in der vergrößerten Teilansicht von 4 dargestellt, sind gitterartige Trennwände 40Pi (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl), die Zellen entsprechend den jeweiligen Elektrodenbereichen DVa der Halbleitervorrichtung DV1 bilden, einstückig mit den Bereichen 40S an einem Mittelabschnitt der Positionierungsplatte 40 ausgebildet, die von den Stufenabschnitten 40S umgeben sind. Eine Luftschicht ist zwischen jedem Elektrodenbereich DVa und der entsprechenden Trennwand 40Pi ausgebildet, um einen Kurzschluss zwischen jedem Elektrodenbereich DVa und dem Basiselement 30 zu unterbinden.
Die Öffnungen, in die jeweilige Kontaktbereiche der später zu beschreibenden Kontaktanschlussgruppe eingefügt sind, sind im Basiselement 30 an Position unmittelbar unterhalb der jeweiligen Zellen der Positionierungsplatte 40 ausgebildet.
Wie in 2C dargestellt, sind Öffnungen 30a, in die jeweils Befestigungsmaschinenschrauben (nicht dargestellt) einzusetzen sind, an vier Ecken um die oben beschriebene Öffnung 30A herum entsprechend den Öffnungen im oberen Gehäuse 28 und dem unteren Gehäuse 26 ausgebildet. Somit werden das Basiselement 30, das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 26 an der gedruckten Leiterplatte PCB als Folge der Befestigungsmaschinenschrauben befestigt, die unter Verwendung von Muttern und Unterlegscheiben durch die Öffnungen 30a und die Durchgangsöffnungen im oberen Gehäuse 28, im unteren Gehäuse 26 und der oben beschriebenen gedruckten Leiterplatte PCB befestigt werden. Darüber hinaus ist das Basiselement 30 in das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 26 als Folge davon integriert, dass Maschinenschrauben BS1 durch die Öffnungen in Innengewindeöffnungen im unteren Gehäuses 26 durch die Öffnungen im Basiselement 30 und die Öffnungen im oberen Gehäuse eingeschraubt sind.
Ein Endbereich des Deckelelements 32 ist drehbeweglich vom Basiselement 30 durch eine Stützwelle 46 abgestützt. Ein Verriegelungselement 34 ist drehbeweglich am anderen Endbereich des Deckelelements 32 vorgesehen, um einen Zustand zum Halten des Deckelelements 32 am Basiselement 30, wie in 2B gezeigt, oder einen Zustand zum Lösen des Deckelelements 32, wie in 2A gezeigt, zu schaffen. Das Verriegelungselement 34 ist vom Deckelelement 32 durch eine Stützwelle 44, drehbeweglich abgestützt, die einen Mittelabschnitt eines Querschnitts des Verriegelungselements 34 durchdringt. Ein Nasenbereich 34N an einem Ende davon ist selektiv an einem Verriegelungsbereich 30N des Basiselements 30 befestigt. Das andere Ende des Verriegelungselements 34 ist im Gegenuhrzeigersinn in 2a mit einer Schraubenfeder 38 vorgespannt. Die Schraubenfeder 38 ist zwischen dem anderen Ende des Verriegelungselements 34 und einem Bodenbereich einer Aussparung des Deckelelements 32 vorgesehen.
Wenn das oben beschriebene Deckelelement 32 durch das Basiselement 30 gehalten wird, wird der Andruckkörper 36 durch Maschinenschrauben abgestützt und ist beweglich innerhalb einer Aussparung an einem Mittelabschnitt auf einer Innenoberflächenseite des Deckelelements 32 gegenüber dem Basiselement 30 angeordnet. Der Andruckkörper 36 wird durch eine Vielzahl von Schraubenfedern 48 in eine solche Richtung vorgespannt, dass sich ein Spitzenende eines Außenbereichs des Andruckkörpers 36 von einer Öffnung des Deckelelements 32 wegbewegt. Jede Schraubenfeder 48 ist zwischen einem Innenumfangsbereich, der einen Bodenbereich der Aussparung bildet, und einem Endbereich des Andruckkörpers 36 gegenüber dem Bodenbereich der Ausnehmung angeordnet. Ein Andruckvorsprung 36P, der zum Basiselement 30 hin herausragt, ist an einem Mittelabschnitt eines Bereichs des Andruckkörpers 36 gegenüber dem Basiselement 30 ausgebildet. Wenn, wie in 2B dargestellt, das Deckelelement 32 am Basiselement 30 in einem Zustand gehalten wird, bei dem die Halbleitervorrichtung DV1 am Halbleiterplatzierungsbereich montiert ist, ist eine Stirnfläche des Andruckvorsprungs 36P so konfiguriert, dass diese in Kontakt mit der Oberseite des Gehäuses der Halbleitervorrichtung DV1 kommt und die Halbleitervorrichtung DV1 gegen die Kontaktanschlussgruppe drückt.
Das obere Gehäuse 28 ist in flacher Plattenform unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Metallmaterials, wie z. B. einem Aluminiumlegierungsmaterial mit vorgegebener Dicke ausgebildet. Das obere Gehäuse 28 weist Durchgangsöffnungen 28H auf, die an vier Positionen vorgesehen sind, in welche die jeweiligen Maschinenschrauben BS1 entsprechend den oben beschriebenen Öffnungen im Basiselement 30 eingefügt sind. Obwohl eine Darstellung weggelassen ist, ist das obere Gehäuse 28 außerdem mit Öffnungen versehen, die den Öffnungen 30a im Basiselement 30 entsprechen, in welche die (nicht dargestellten) Befestigungsmaschinenschrauben eingefügt werden. Darüber hinaus sind eine Oberseite und eine Unterseite des oberen Gehäuses 28 mit zwei Positionierungsstiften (nicht dargestellt) zum Positionieren des Basiselements 30 bzw. des unteren Gehäuses 26 relativ zum oberen Gehäuse 28 versehen. Die zwei Positionierungsstifte, die an der Oberseite bzw. der Unterseite vorgesehen sind, stehen mit Positionierungslöchern im Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26 in Eingriff.
Darüber hinaus sind, wie in 1 und 4 dargestellt, Öffnungen 28g, 28b und 28c im Wesentlichen senkrecht zur Oberfläche der gedruckten Leiterplatte PCB an Positionen im oberen Gehäuse 28 ausgebildet, die unmittelbar unterhalb der jeweiligen Zellen der oben beschriebenen Positionierungsplatte 40 sowie unterhalb der Löcher 30g, 30b und 30c im Basiselement 30 angeordnet sind. Erdungskontaktanschlüsse 14ai, die später beschrieben werden, sind in die Öffnungen 30g und 28g eingefügt. Signalleitungskontaktanschlüsse 10ai sind in die Öffnungen 30b und 28c eingefügt. Stromversorgungskontaktanschlüsse 12ai sind jeweils in die Öffnungen 30c und 28c eingefügt. Ein Bund 16, der in der vergrößerten Ansicht von 6 dargestellt ist, ist in jede Öffnung 30d eingefügt, die mit der entsprechenden Öffnung 30b in Verbindung steht. Der Bund 16, der in der Mitte eine Öffnung 16a aufweist, wird unter Verwendung eines Materials mit niedriger Dielektrizität, wie z. B. TEFLON, (eingetragenes Warenzeichen) geformt. Da der Bund 16 unter Verwendung dieses Materials mit niedriger Dielektrizität, wie oben beschrieben, geformt ist, ist es möglich, einen Außendurchmesser des Bunds 16 auf einen relativ kleinen Wert festzulegen, sodass engere Abstände der Anordnung der Kontaktanschlüsse im IC-Sockel geplant werden können. Ein Durchmesser jeder Öffnung 30d ist größer als ein Durchmesser der entsprechenden Öffnung 30b festgelegt. Ein Stufenbereich ist zwischen der Öffnung 30d und der Öffnung 30b ausgebildet, die auf der gemeinsamen Mittelachse ausgebildet sind. Ein weiterer Bund 16 ist in jede Öffnung 30e eingefügt, die mit der entsprechenden Öffnung 30c in Verbindung steht. Ein Durchmesser jeder Öffnung 30e ist größer als ein Durchmesser der entsprechenden Öffnung 30c festgelegt. Ein Stufenbereich ist zwischen der Öffnung 30e und der Öffnung 30c ausgebildet, die auf der gemeinsamen Mittelachse ausgebildet sind.
Hierbei ist jeder Signalleitungskontaktanschluss 10ai zwischen den benachbarten Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai, wie in 3B und 3C dargestellt, angeordnet. Darüber hinaus ist jeder Stromversorgungskontaktanschluss 12ai zwischen den benachbarten Erdungskontaktanschlüssen 14ai angeordnet.
Das untere Gehäuse 26 ist in flacher Plattenform unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Materials, wie zum Beispiel einem Aluminiumlegierungsmaterial, mit vorgegebener Dicke ausgebildet. Das untere Gehäuse 26 weist die Innengewindeöffnungen auf, die den Durchgangsöffnungen 28H im zuvor beschriebenen oberen Gehäuse 28 entsprechen. Obwohl eine Darstellung weggelassen ist, sind darüber hinaus Öffnungen, die den Öffnungen 30a im Basiselement 30 entsprechen, in welche die Befestigungsmaschinenschrauben (nicht dargestellt) eingefügt werden, im unteren Gehäuse 26 vorgesehen.
Darüber hinaus sind, wie in 1 und 4 dargestellt, Öffnungen 26g, 26d und 26f im Wesentlichen senkrecht zur Oberfläche der gedruckten Leiterplatte PCB im unteren Gehäuses 26 entsprechend den Öffnungen 28g, 28b und 28c im zuvor beschriebenen oberen Gehäuse 28 ausgebildet.
Ein weiterer Bund 16 ist in die Öffnung 26d eingefügt. Ein Durchmesser der Öffnung 26d ist größer als ein Durchmesser der Öffnung 28b festgelegt. Die Öffnungen 26b und 26e, die mit der Öffnung 26d in Verbindung stehen, sind auf der gemeinsamen Mittelachse ausgebildet. Ein Durchmesser der Öffnung 26b ist kleiner als der Durchmesser der Öffnung 26d festgelegt, und ist größer als ein Durchmesser der Öffnung 26e festgelegt. Stufenbereiche sind zwischen der Öffnung 26d und der Öffnung 26b bzw. zwischen der Öffnung 26b und der Öffnung 26e ausgebildet.
Ein weiterer Bund 16 ist auch in die Öffnung 26f eingefügt. Ein Durchmesser der Öffnung 26f entspricht im Wesentlichen einem Durchmesser der Öffnung 28c. Ein Durchmesser einer Öffnung 26h, die mit Öffnung 26f Verbindung steht, ist kleiner als der Durchmesser der Öffnung 26f festgelegt. Folglich ist ein Stufenbereich zwischen der Öffnung 26f und der Öffnung 26h ausgebildet.
Hierbei sei angemerkt, dass das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 28 mit Erdungsleitungen (nicht dargestellt) der gedruckten Leiterplatte PCB elektrisch verbunden sind.
Wie in der vergrößerten Ansicht von 5A dargestellt, umfasst jeder Signalleitungskontaktanschluss 10ai (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl):

einen Stößel 54, der mit einem Kontaktbereich 54P versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 konfiguriert ist; einen Stößel 56, der mit einem Kontaktbereich 56P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit einem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist; und eine Hülse 52, die eine Schraubenfeder 58 aufnimmt, die als elastisches Element zum Vorspannen des Stößels 54 und Stößels 56 in Richtungen zum voneinander Wegbewegen vorspannt, und zum Verbinden des Stößels 54 mit dem Stößel 56 derart konfiguriert ist, dass diese sich annähern und voneinander wegbewegen können.

Der Stößel 54, der als erster Stößel dient, umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist und mit dem an einem Ende ausgebildeten Kontaktbereich 54P versehen ist, einen Federaufnahmebereich zum Aufnehmen von einem Ende der Schraubenfeder 58; und einen Verbindungsbereich zum Verbinden des Kontaktendbereichs mit dem Federaufnahmebereich. Die Durchmesser des Kontaktendbereichs und des Federaufnahmebereichs sind einander entsprechend hergestellt und größer als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Ein Abschnitt des Kontaktendbereichs des Stößels 54 ragt von einem Endbereich eines zylindrischen ersten Verlängerungsbereichs 52A der später zu beschreibenden Hülse 52 nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Verbindungsbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 54 ausgebildet ist, ist an einer Vielzahl von Nasen 52AD am ersten Verlängerungsbereich 52A befestigt. Hierdurch wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 54 in Richtung zum Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 begrenzt und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs des Stößels 54 festgelegt.
Der Stößel 56, der als zweiter Stößel dient, umfasst: einen Endbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist und mit dem an einem Ende ausgebildeten, im Wesentlichen konischen Kontaktbereich 56P versehen ist; einen Federaufnahmebereich zum Aufnehmen des anderen Endes der Schraubenfeder 58; und einen Verbindungsbereich zum Verbinden des Kontaktendbereichs mit dem Federaufnahmebereich. Die Durchmesser des Kontaktendbereichs und des Federaufnahmebereichs sind einander entsprechend hergestellt und größer als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Ein Abschnitt des Kontaktendbereichs des Stößels 56 ragt aus einem Endbereich eines zylindrischen zweiten Verlängerungsbereichs 52C der später zu beschreibenden Hülse 52 nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Verbindungsbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 56 ausgebildet ist, ist an einer Vielzahl von Nasen 52CD am zweiten Verlängerungsbereich 52C befestigt. Hierdurch wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 56 in Richtung zum Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB begrenzt und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs des Stößels 56 festgelegt.
Die Hülse 52 ist aus Phosphorbronze hergestellt und z. B. in zylindrischer Form ausgebildet. Die Hülse 52 umfasst den ersten Verlängerungsbereich 52A der den Stößel 54 mit gegebenem Hub gleitend führt, den zweiten Verlängerungsbereich 52C, der den Stößel 56 mit gegebenem Hub gleitend führt, und einen Trommelbereich 52B, der den ersten Verlängerungsbereich 52A mit dem zweiten Verlängerungsbereich 52C verbindet. Der Trommelbereich 52B ist einstückig mit dem ersten Verlängerungsbereich 52A und dem zweiten Verlängerungsbereich 52C ausgebildet. Ein Durchmesser des Trommelbereichs 52B ist größer als die Durchmesser des ersten Verlängerungsbereichs 52A und des zweiten Verlängerungsbereichs 52C festgelegt.
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration der Signalleitungskontaktanschluss 10ai in der Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 und der Öffnung 26b im unteren Gehäuse 26, wie in 7 dargestellt, montiert wird, wird zuerst der Signalleitungskontaktanschluss 10ai in die Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 eingefügt. Als Nächstes werden die Bunde 16 an den Außenumfangsbereichen des ersten Verlängerungsbereichs 52A bzw. des zweiten Verlängerungsbereichs 52C angebracht, und danach wird das obere Gehäuse 28 derart aneinander montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26 angeordnet ist. Hierbei wird der eine Bund 16 aus den zwei Bunden 16 in die Öffnung 30d im Basiselement 30 eingefügt, während der andere Bund 16 in die Öffnung 26d im unteren Gehäuse 26 eingefügt wird. Hierdurch werden, wie in 3B dargestellt, Luftschichten AS zwischen einem Außenumfangsbereich des Trommelbereichs 52B des Signalleitungskontaktbereichs 10ai und einer die Öffnung 28b bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich des ersten Verlängerungsbereichs 52A und einer die Öffnung 30b (siehe 3D) bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich des zweiten Verlängerungsbereichs 52C und einer die Öffnung 26b bildenden Innenumfangsfläche, und zwischen einem Außenumfangsbereich des Stößels 56 und einer die Öffnung 26e bildenden Innenumfangsfläche ausgebildet. Ein Spitzenendbereich des Stößels 54 ragt aus der Öffnung 3b im Basiselement 30 zur Zelle hin heraus, während ein Spitzenendbereich des Stößels 5 aus der Öffnung 26e zur gedruckten Leiterplatte PCB hin herausragt. Wie in 3E dargestellt, ist der Spitzenendbereich des Stößels 54 mit einem vorgegebenen Durchmesser ϕDa, der aus dem Basiselement 30 vorragt, hiermit durch die Vielzahl der Erdungsleitungskontaktanschlüsse 14ai über die Luftschichten AS umgeben. Darüber hinaus grenzen der Spitzenendabschnitt des Stößels 54 und jeder Erdungsleitungskontaktanschluss 14ai mit einem vorgegebenen, relativ kurzen Abstand La dazwischen aneinander.
Wenn dementsprechend die Halbleitervorrichtung DV1 an der Positionierungsplatte 40 im Zustand, bei dem das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 26 sandwichartig angeordnet und zwischen dem Basiselement 30 und der gedruckten Leiterplatte PCB, wie in 1 dargestellt, montiert sind, bildet jeder der Querschnitte des Basiselements 30, des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26, der die Mittelachse jedes Signalleitungskontaktanschlusses 10ai in dessen radialer Richtung schneidet, eine sogenannte Koaxialsondenstruktur, die auf eine vorgegebene Impedanz eingestellt ist. Somit wird eine Impedanzanpassung erreicht. Dabei hat der Erfinder dieser Anmeldung bestätigt, dass die Impedanz zur vorgegebenen Impedanz in der Nähe von z. B. 50 (Ω)in Form eines gemeinsamen Querschnitts einschließlich des Spitzenendbereichs des Stößels 54 wird, der aus dem Basiselement 30 und den Spitzenendbereichen der Vielzahl von Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai, wie in 3E dargestellt, herausragt.
Wie der vergrößerten Ansicht der 9A und 9B dargestellt, umfasst jeder Stromzufuhrkontaktanschluss 12ai (i = 1 bis n, n ist eine ganze positive Zahl): einen Stößel 64, der mit einem Kontaktbereich 64P versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 konfiguriert ist; einen Stößel 66, der mit einem Kontaktbereich 66P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB B konfiguriert ist; eine Hülse 62, die eine Schraubenfeder 68 zum Vorspannen des Stößels 64 und des Stößels 66 in Richtungen zum voneinander Wegbewegen aufnimmt, und zum Verbinden des Stößels 64 mit dem Stößel 66 derart konfiguriert ist, dass diese sich annähern und voneinander wegbewegen können.
Der Stößel 64 umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist und mit dem an einem Ende ausgebildeten Kontaktbereich 64P versehen ist; und einen Federaufnahmebereich zum Aufnehmen von einem Endes der Schraubenfeder 68. Ein Durchmesser des Federaufnahmebereichs ist größer als ein Durchmesser des Kontaktendbereichs festgelegt. Ein Teil des Kontaktendbereichs des Stößels 64 ragt aus einem von offenen Enden der später zu beschreibenden Hülse 62 nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Kontaktendbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 64 ausgebildet ist, ist am Umfang des offenen Endbereichs der Hülse 62 befestigt. Somit wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 64 in Richtung zum Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 gesteuert, und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs der Hülse 64 ist in geeigneter Weise festgelegt.
Der Stößel 66 umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt und mit dem an einem Ende ausgebildeten Kontaktbereich 66P versehen ist; und einen Federaufnahmebereich zum Aufnehmen des anderen Endes der Schraubenfeder 68. Ein Durchmesser des Federaufnahmebereichs ist größer als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Ein Teil des Kontaktendbereichs des Stößels 66 ragt aus dem anderen offenen Endbereich der später zu beschreibenden Hülse nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Kontaktendbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 66 ausgebildet ist, ist am Umfang des offenen Endbereichs der Hülse 62 befestigt. Somit wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 66 in Richtung zum Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB gesteuert und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs des Stößels 66 ist in geeigneter Weise festgelegt.
Die Hülse 62 ist aus Phosphorbronze hergestellt und z. B. in zylindrischer Form ausgebildet. Die Hülse 62 führt den Stößel 64 und den Stößel 66 jeweils gleitend mit gegebenem Hub und nimmt auch die Schraubenfeder 68 auf. Ein Durchmesser der Hülse 62 ist größer als der Durchmesser der Hülse 52 jedes oben beschriebenen Signalleitungskontaktanschlusses festgelegt.
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration jeder Stromzufuhrkontaktanschluss 12ai in der Öffnung 28c im oberen Gehäuse 28 und der Öffnung 26f im unteren Gehäuse 26, wie in 9B dargestellt, montiert wird, wird der Stromzufuhrkontaktanschluss 12ai zuerst in die Öffnung 28c im oberen Gehäuse 28 eingeführt. Als Nächstes werden die Bunde 16 an oberen Umfangsbereichen der Stößel 64 bzw. 66 angebracht, und danach wird das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26 angeordnet ist. Dabei wird der eine Bund 16 aus den zwei Bunden 16 in eine Öffnung 30f im Basiselement 30 eingefügt, während der andere Bund 16 in eine Öffnung 26f im unteren Gehäuse 26 eingefügt wird. Auf diese Weise werden Luftschichten zwischen einem Außenumfangsbereich der Hülse 62 des Stromversorgungskontaktanschlusses 12ai und einer die Öffnung 28c bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich der Hülse 62 und einer die Öffnung 30f bildenden Innenumfangsfläche, zwischen einem Außenumfangsbereich des Stößels 64 und einer die Öffnung 30e bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich des Stößels 62 und einer die Öffnung 26f bildenden Innenumfangsfläche, und zwischen einem Außenumfangsbereich des Stößels 66 und einer die Öffnung 26h bildenden Innenumfangsfläche gebildet.
Wie in der vergrößerten Ansicht der 10A und 10B dargestellt, umfasst jeder Erdungsleitungskontaktanschluss 14ai (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl): einen Stößel 74, der mit einem Kontaktbereich 74P versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 konfiguriert ist; einen Stößel 76, der mit einem Kontaktbereich 76P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist; und eine Hülse 72, die eine Schraubenfeder 78 zum Vorspannen des Stößels 74 und des Stößels 76 in Richtungen zum voneinander Wegbewegen aufnimmt und zum Verbinden des Stößels 74 und des Stößels 76 derart konfiguriert ist, dass diese sich annähern und voneinander wegbewegen können.
Der Stößel 74 umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist, und mit dem an einem Ende ausgebildeten Kontaktbereich 74P versehen ist; einen Federaufnahmebereich zum Aufnehmen von einem Ende der Schraubenfeder 78; und einen Verbindungsbereich zum Verbinden des Kontaktendbereichs mit dem Federaufnahmebereich. Die Durchmesser des Kontaktendbereichs und des Federaufnahmebereichs sind einander entsprechend hergestellt und sind länger als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Ein Teil des Kontaktendbereichs des Stößels 74 ragt aus einem von offenen Endbereichen des später zu beschreibenden Stößels 72 nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Verbindungsbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 74 ausgebildet ist, ist an einer Vielzahl von Nasen 72AD an der Hülse 72 befestigt.
Der Stößel 76 umfasst; einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist, und mit dem an einem Ende ausgebildeten Kontaktbereich 76P versehen ist; und einen Federaufnahmebereich zum Aufnehmen des anderen Endes der Schraubenfeder 78. Ein Durchmesser des Federaufnahmebereichs ist größer als ein Durchmesser des Kontaktendbereichs festgelegt. Der Kontaktendbereich des Stößels 76 ragt aus dem anderen offenen Endbereich der Hülse 72 nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Kontaktendbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 76 ausgebildet ist, ist am Umfang des anderen offenen Endbereichs befestigt. Somit wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs der Hülse 76 in Richtung zum Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB gesteuert und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs des Stößels 76 ist in geeigneter Weise festgelegt.
Die Hülse 72 ist aus Phosphorbronze hergestellt und z. B. in zylindrischer Form ausgebildet. Die Hülse 72 umfasst die Vielzahl von Nasen 72AD zum Befestigen des Stößels 74, die in der Nähe des einen offenen Endbereichs vorgesehen sind, und einen Kontaktbereich 72E, der zwischen der Vielzahl von Nasen 72AD und einem Außenumfangsbereich der Hülse 72 und dem anderen offenen Endbereich ausgebildet ist. Ein Durchmesser des Kontaktendbereichs 72E ist größer als ein Durchmesser des verbleibenden Bereichs der Hülse 72 festgelegt, sodass der Kontaktbereich 72E in Kontakt mit einer Innenumfangsfläche der Öffnung 28g im oberen Gehäuse 28 kommt.
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration jeder Erdungsleitungskontaktanschluss 14ai in der Öffnung 28g im oberen Gehäuse 28 und der Öffnung 26g im unteren Gehäuse 26, wie in 10B dargestellt, montiert wird, wird der Erdungsleitungskontaktanschluss 14ai zuerst in die Öffnung 28g in der Weise eingeführt, dass der Stößel 74 von der Seite eines Bereichs 28ga mit großem Durchmesser eingeführt wird, die mit der Öffnung 28g im oberen Gehäuse 28 in Verbindung steht. Danach wird das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26 angeordnet ist. Dabei wird der Stößel 74 in die Öffnung 30g im Basiselement 30 eingeführt, während der Stößel 76 in die Öffnung 26g und eine Öffnung 26a im unteren Gehäuse 26 eingeführt wird. Auf diese Weise kommt der Kontaktbereich 72E in Kontakt mit einer Innenumfangsfläche des Bereichs 28ga mit großem Durchmesser, und ein Stufenbereich zwischen dem Kontaktbereich 72E und dem verbleiben Bereich der Hülse 72 ist an einem Ende des Bereichs 28ga mit großem Durchmesser befestigt. Dadurch wird eine Position in Richtung der Mittelachse des Erdungsleitungskontaktanschlüsse 14ai gesteuert. Auf diese Weise wird die Hülse 42 in die Lage versetzt, zum oberen Gehäuse 28 und zum unteren Gehäuse 26 geführt zu werden.
Darüber hinaus ragt ein Spitzenendbereich des Stößels 74 aus der Öffnung 30g im Basiselement 30 zur Zelle hin heraus, während ein Spitzenendbereich des Stößels 76 aus der Öffnung 26a zur gedruckten Leiterplatte PCB hin herausragt.
Hierbei sind in der Positionierungsplatte 40 des oben beschriebenen, in den 1 bis 4 dargestellten Beispiels die gitterartige Trennwände 40Pi (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl), welche die Zellen entsprechend den jeweiligen Elektrodenbereichen DVa der Halbleitervorrichtung DV1 bilden, einstückig mit den Stufenbereichen 40S ausgebildet. Die vorliegende Erfindung ist jedoch auf dieses Beispiel nicht beschränkt. Zum Beispiel müssen die gitterartigen Trennwände nicht wie in 3A dargestellt vorgesehen werden.
In 3A umfasst eine Positionierungsplatte 41 einen Halbleiterplatzierungsbereich 41A, der an einem mittigen Abschnitt angeordnet und zum Ermöglichen des Anbringens und Lösens der Halbleitervorrichtung DV1 konfiguriert ist. Der nach oben offene Halbleiterplatzierungsbereich ist so ausgebildet, dass dieser von geneigten Flächenbereichen auf vier Seiten umgeben ist, welche die Halbleitervorrichtung DV1 zum Zeitpunkt der Befestigung führen. Stufenbereiche 41S sind an Basen der jeweiligen geneigten Flächenbereiche zum Erfassen von Rändern rund um die Elektrodengruppe am Gehäuse der Halbleitervorrichtung DV1 ausgebildet. Obwohl eine Darstellung weggelassen wurde, sind zwei Seiten jedes Stufenbereichs 41S entlang jeder Seite des Gehäuses der Halbleitervorrichtung DV1 jeweils mit Enden der angrenzenden Stufenbereiche 41S verbunden. Zwei Enden jedes Stufenbereichs 41S sind mit Ausnehmungen versehen, die den Eckenbereichen des Gehäuses der anzubringenden Halbleitervorrichtung DV1 entsprechen. Die Öffnung 41C ist zwischen den Stufenbereichen 41S ausgebildet, die einander gegenüber liegen.
Hierbei ist ein Durchmesser des Kontaktendbereichs 54P des Kontaktendbereichs am Stößel 54 jedes oben beschriebenen Signalleitungskontaktanschlusses 10ai entsprechend einem Durchmesser des verbleibenden Bereichs des Kontaktendbereichs und kleiner als der Durchmesser des ersten Verlängerungsbereichs 52A der Hülse 52 festgelegt. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf dieses Beispiel beschränkt. In jedem Signalleitungskontaktanschluss 10ai kann z. B. ein Durchmesser ϕDb eines Kontaktbereichs 54'P eines Kontaktendbereichs des Stößels 54', der als erster Stößel dient, größer als Durchmesser ϕDc der verbleibenden Bereiche des Kontaktendbereichs und im Wesentlichen entsprechend dem Durchmesser des ersten Verlängerungsbereichs 52A der Hülse 52, wie in 5B und 5D dargestellt, festgelegt sein.
Hierbei sei angemerkt, dass Bestandteile in 5B und 5C, welche die gleichen wie die Bestandteile in dem in 5A gezeigten Beispiel sind, mit den gleichen Bezugszeichens gekennzeichnet sind und deren sich überschneidende Erläuterungen entfallen.
In 5B umfasst jeder Signalleitungskontaktanschluss 10ai: den Stößel 54', der mit dem Kontaktbereich 54'P versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 konfiguriert ist; den Stößel 56, der mit dem Kontaktbereich 56P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist; und die Hülse 52, welche die Schraubenfeder 58 aufnimmt, die als elastisches Element zum Vorspannen des Stößels 54' und des Stößels 56 in Richtungen zum voneinander Wegbewegen konfiguriert ist, und zum Verbinden des Stößels 54' mit dem Stößel 56 derart konfiguriert ist, dass diese sich annähern und voneinander wegbewegen können.
Der Stößel 54' umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt und nur mit dem Kontaktbereich 54'P versehen ist, der in vergrößerter Weise an einem Ende ausgebildet ist; den Federaufnahmebereich zum Aufnehmen von einem Ende der Schraubenfeder 58; und den Verbindungsbereich zum Verbinden des Kontaktendbereichs mit dem Federaufnahmebereich. Wie in 5B und 5D dargestellt, sind die Durchmesser ϕDc eines Bereichs des Kontaktendbereichs mit Ausnahme des Kontaktendbereichs 54'P und des Federaufnahmebereichs einander entsprechend hergestellt und größer als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Wie in der vergrößerten Ansicht der 5D und 5E dargestellt, umfasst der Kontaktbereich 54'P mit einem sehr kleinen Durchmesser ϕDb, der ein größerer Durchmesser als die Durchmesser ϕDc ist, spitze Kontaktbereiche 54'Pa, 54'Pb, 54'Pc und 54'Pd, die in Kontakt mit dem Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 kommen. Wie in der vergrößerten Ansicht von 5E dargestellt, sind die Kontaktbereiche 54'Pa, 54'Pb, 54'Pc und 54'Pd entlang einer Umfangsrichtung in Abständen von ca. 90° ausgebildet. Wie in 5F dargestellt, schneiden sich geneigte Flächenbereiche der jeweiligen Kontaktbereiche, die entlang der Umfangsrichtung aneinander angrenzen, unter Bildung eines vorgegebenen Winkels β. Wie in 5D dargestellt, schneiden sich zudem Mantellinien einer konischen Fläche, die zusammenwirkend mit den Kontaktbereichen 54'Pb und 54'Pd sowie den Kontaktbereichen 54'Pa und 54'Pc gebildet sind, die einander gegenüber liegen, miteinander unter Bildung eines vorgegebenen Winkels α.
Ein Teil des Kontaktendbereichs des Stößels 54' ragt aus dem Endbereich des zylindrischen ersten Verlängerungsbereichs 52A der Hülse 52 nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Verbindungsbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 54' ausgebildet ist, ist an der Vielzahl von Nasen 52AD am ersten Verlängerungsbereich 52A befestigt. Dadurch wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 54 ' in Richtung zum Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 gesteuert und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs des Stößels 54' ist in geeigneter Weise festgelegt.
In der oben beschriebenen Konfiguration ist der Durchmesser ϕDb des Kontaktbereichs 54'P des Stößels 54' größer als der Durchmesser des Kontaktbereichs 54P des in 5A dargestellten Stößels 54 festgelegt. Folglich können die Kontaktbereiche 54'Pa, 54'Pb, 54'Pc und 54'Pd des Kontaktbereichs 54'P in Kontakt mit einer im Wesentlichen halbkugelförmigen Außenoberfläche des Elektrodenbereichs DVa der Halbleitervorrichtung DV1 mit größerer Kontaktfläche kommen. Auf diese Weise kommt der Kontaktbereich 54'P des Stößels 54' in Kontakt in stabilerem Zustand mit der im Wesentlichen halbkugelförmigen Außenumfangsfläche des Elektrodenbereichs DVa der Halbleitervorrichtung DV1. Folglich wird auch eine Übertragungscharakteristik einer Signalleitung stabilisiert.
Außerdem ist in dem in den 3A und 3E dargestellten Beispiel die Positionierungsplatte 41 z. B. mit der Öffnung 41C am Spitzenendbereich des Kontaktbereichs 54P des Stößels 54 im Signalleitungskontaktanschluss 10ai versehen. Demzufolge ist die Luftschicht zwischen dem Signalleitungskontaktanschluss 10ai und jedem Erdungsleitungskontaktanschluss 14ai angeordnet. Daher tendiert die Impedanz am Querschnitt, der den Kontaktbereich 54P und die Öffnung 54C der Positionierungsplatte 41 kreuzt, dazu, lokal höher als ein vorgegebener Impedanzwert (wie z. B. 50 Ω) zu werden. Wenn in diesem Fall der Spitzenendabschnitt ϕDb (siehe 5D) des Stößels 54' den größeren Durchmesser als den des Spitzenendbereichs ϕDa (siehe 3E) des Stößels 54 aufweist, ist der Spitzenendbereich 54'P des Stößels 54' angrenzend zum Stößel 74 des Erdungsleitungskontaktanschlüsse 14ai mit dem kürzeren Abstand La dazwischen angeordnet. Dementsprechend bewirkt diese Konfiguration den Effekt, dass die Impedanz an dem die Öffnung 41C kreuzenden Querschnittsabschnitt näher an die vorgegebene Impedanz gebracht wird.
Darüber hinaus kann, wie in 19A dargestellt, der Signalleitungskontaktanschluss 10ai mit dem oben beschriebenen Stößel 54' im vorgenannten Beispiel verwendet werden, das in 3A dargestellt ist. Hierbei sei angemerkt, dass Bestandteile in den 19A und 19B, welche die gleichen wie die Bestandteile in den 3A und 3E sind, mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind und deren sich überschneidende Erläuterungen entfallen.
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration jeder Signalleitungskontaktanschluss 10ai in der Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 und in der Öffnung 26b im unteren Gehäuse 26, wie in 19A dargestellt, eingebaut wird, wird der Signalleitungskontaktanschluss 10a zuerst in die Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 eingeführt. Danach werden die Bunde 16 an den Außenumfangsbereichen des ersten Verlängerungsbereichs 52A bzw. des zweiten Verlängerungsbereichs 52C angebracht, und anschließend wird das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26 angeordnet ist. Wie in 19B dargestellt, ist der Signalleitungskontaktanschluss 10ai zwischen den Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai angeordnet, die aneinander angrenzen. Dabei wird der eine Bund 16 aus den zwei Bunden 16 in die Öffnung 30d im Basiselement 30 eingefügt, während der andere Bund 16 in die Öffnung 26d im unteren Gehäuse 26 eingefügt wird. Auf diese Weise werden, wie in 19B dargestellt, die Luftschichten AS zwischen dem Außenumfangsbereich des Trommelbereichs 52B des Signalleitungskontaktanschlusses 10ai und der die Öffnung 28b bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich des ersten Verlängerungsbereichs 52A und der die Öffnung 30b bildenden Innenumfangsfläche (siehe 19A), zwischen dem Außenumfangsbereich des zweiten Verlängerungsbereichs 52C und der die Öffnung 26b bildenden Innenumfangsfläche, und zwischen dem Außenumfangsbereich des Stößels 56 und der die Öffnung 26e bildenden Innenumfangsfläche ausgebildet. Ein Spitzenendbereich des Stößels 54'ragt aus der Öffnung 30b im Basiselement 30 zur Zelle hin heraus, während der Spitzenendbereich des Stößels 56 aus der Öffnung 26e zur gedruckten Leiterplatte PCB hin herausragt. Somit ist, wie in 19B dargestellt, der Spitzenendbereich des Stößels 54', der den vorgegebenen Durchmesser ϕDb aufweist und aus dem Basiselement 30 herausragt, von der Vielzahl von Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai über die Luftschichten AS umgeben. Dabei grenzen der Spitzenendbereich des Stößels 54' und jeder Erdungsleitungskontaktanschluss 14ai mit einem vorgegebenen, relativ kurzen Abstand Lb dazwischen aneinander an. Da der Durchmesser ϕDb des Spitzenendbereichs des Stößels 5' einen größeren Wert als der Durchmesser ϕDa aufweist, wird der Abstand Lb geringer als der Abstand La in 3E, und der Spitzenendbereich des Stößels 54' und jeder Erdungsleitungskontaktanschluss 14ai kommen einander näher.
Wenn die Halbleitervorrichtung DV1 an der Positionierungsplatte 40 im Zustand montiert wird, bei dem das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 26 zwischen dem Basiselement 30 und der gedruckten Leiterplatte PCB, wie in 19A dargestellt, angeordnet und montiert sind, bildet jeder der Querschnitte des Basiselements 30, des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26, welche die Mittelachse jedes Signalleitungskontaktanschlusses 10ai in dessen radialer Richtung schneiden, folglich eine sogenannte Koaxialsondenstruktur, die auf die vorgegebene Impedanz eingestellt ist. Dadurch wird die Impedanzanpassung erreicht. Dabei hat der Erfinder dieser Anmeldung bestätigt, dass Impedanz zur vorgegebenen Impedanz in der Nähe z. B. von 50 (Ω) in Bezug auf einen gemeinsamen Querschnitt wird, der den Spitzenendbereich des Stößels 54' umfasst, der aus dem Basiselement 30 und den Spitzenendbereichen der Vielzahl von Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai herausragt.
Darüber hinaus kann, wie in 20A dargestellt, der Signalleitungskontaktanschluss 10ai mit dem oben beschriebenen Stößel 54' in dem in 1 dargestellten vorgeschriebenen Beispiel verwendet werden. Hierbei sei angemerkt, dass Bestandteile in den 26A bis 26E, welche die gleichen wie die Bestandteile in 1 sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind und deren sich überlappende Erläuterungen entfallen
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration jeder Signalleitungskontaktanschluss 10ai in der Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 und der Öffnung 26b im unteren Gehäuse 26, wie in 20A dargestellt, montiert wird, wird zuerst der Signalleitungskontaktanschluss 10ai in die Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 eingeführt. Als Nächstes werden die Bunde 16 an den Außenumfangsbereichen des ersten Verlängerungsbereichs 52A bzw. des zweiten Verlängerungsbereichs 52C angebracht, und danach das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 sowie dem Stufenbereich 40S der Positionierungsplatte 40 und dem unteren Gehäuse 26 angeordnet ist. Wie in 20B dargestellt, ist der Signalleitungskontaktanschluss 10ai zwischen den Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai angeordnet, die aneinander angrenzen. Dabei wird ein Bund 16 aus den zwei Bunden 16 in die Öffnung 30d im Basiselement 30 eingefügt, während der andere Bund 16 in die Öffnung 26d im unteren Gehäuse sechsten 20 eingefügt wird. Auf diese Weise werden, wie in 20A dargestellt, die Luftschichten AS zwischen dem Außenumfangsbereich des Trommelbereichs 52B des Signalleitungskontaktanschlusses 10ai und der die Öffnung 28b bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich des ersten Verlängerungsbereichs 52A und der die Öffnung 30b bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich des zweiten Verlängerungsbereichs 52C und der die Öffnung 26b bildenden Innenumfangsfläche, und zwischen dem Außenumfangsbereich des Stößels 56 und der die Öffnung 26e bildenden Innenumfangsfläche ausgebildet. Der Spitzenendbereich des Stößels 54' ragt aus der Öffnung 30b im Basiselement 30 zur Zelle hin heraus, während der Spitzenendbereich des Stößels 56 aus der Öffnung 26e zur gedruckten Leiterplatte PCB hin herausragt. Somit ist, wie in 20B dargestellt, der Spitzenendbereich des Stößels 54', der den vorgegebenen Durchmesser ϕDb aufweist und aus dem Basiselement 30 herausragt, von der Vielzahl von Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai über die Luftschichten AS und die Positionierungsplatte 40 (den Stufenbereichen 40S) umgeben.
Wenn die Halbleitervorrichtung DV1 an der Positionierungsplatte 40 in dem Zustand montiert ist, bei dem das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 26 zwischen dem Basiselement 30 und der gedruckten Leiterplatte PCB, wie in 20A dargestellt, angeordnet sind, bildet jeder der Querschnitte des Basiselements 30, des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26, der die Mittelachse jedes Signalleitungskontaktanschlusses 10ai in dessen radialer Richtung schneidet, die sogenannte Koaxialsondenstruktur, die auf die vorgegebene Impedanz eingestellt ist. Dadurch wird die Impedanzanpassung erreicht. Hierbei hat der Erfinder dieser Anmeldung bestätigt, dass die Impedanz zur vorgegebenen Impedanz in der Nähe von 50 (Ω) z. B. in Bezug auf den gemeinsamen Querschnitt einschließlich des Spitzenendbereichs des Stößels 54' wird, der aus der Basis 30 und den Spitzenendbereichen der Vielzahl von Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai herausragt.
Der Spitzenendbereich des Stößels 54' im in 5C dargestellten Signalleitungskontaktanschluss 10ai ist so konfiguriert, dass dieser in Kontakt mit dem im Wesentlichen halbkugelförmigen Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 kommt. Wenn jedoch z. B. eine Halbleitervorrichtung eines LGA-Typs anstatt der Halbleitervorrichtung des BGA-Typs angebracht wird, kann stattdessen ein wie in 5G dargestellter Signalleitungskontaktanschluss verwendet werden. Hierbei sei angemerkt, dass Bestandteile in 5G, welche die gleichen wie die Bestandteile in dem in 5B dargestellten Beispiel sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind und deren sich überschneidende Beschreibungen entfallen.
Der Signalleitungskontaktanschluss umfasst einen Stößel 55, der mit einem Kontaktbereich 55P versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit einem flachen Elektrodenbereich (nicht dargestellt) der Halbleitervorrichtung konfiguriert ist; den Stößel 56, der mit dem Kontaktbereich 56P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist; und die Hülse 52, welche die Schraubenfeder 58 aufnimmt, die als elastisches Element zum Vorspannen des Stößels 55 und des Stößels 56 in Richtungen zum voneinander Wegbewegen dient und zum Verbinden des Stößels 55 mit dem Stößel 56 derart konfiguriert ist, dass sich diese näher kommen und voneinander wegbewegen können.
Der Stößel 55 umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist und nur mit dem konisch geformten Kontaktbereich 55P versehen ist, der an einem Ende in vergrößerter Weise ausgebildet ist, den Federaufnahmebereich zum Aufnehmen von einem Ende der Schraubenfeder 58; und den Verbindungsbereich zum Verbinden des Kontaktendbereichs mit dem Federaufnahmebereich. Wie in 5G dargestellt, sind Durchmesser ϕDe eines Bereichs des Kontaktendbereichs mit Ausnahme des Kontaktendbereichs 55P und des Federaufnahmebereichs einander entsprechend hergestellt und größer als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Wie in der vergrößerten Darstellung von 5H dargestellt, weist im Kontaktbereich 55P, der einen sehr kleinen Durchmesser ϕDd aufweist, der ein größerer Durchmesser als die Durchmesser ϕDe ist, den konischen Kontaktbereich, der in Kontakt mit dem Elektrodenbereich der Halbleitervorrichtung kommt, einen Scheitelpunkt mit einem vorgegebenen Radius RA und einen vorgegebenen konischen Winkel y auf.
Ein Teil des Kontaktendbereichs des Stößels 55 ragt aus dem Endbereich des zylindrischen ersten Verlängerungsbereichs 52A der Hülse 52 heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Verbindungsbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 55 ausgebildet ist, ist mit der Vielzahl von Nasen 52AD am ersten Verlängerungsbereich 52A befestigt. Somit wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 55 in Richtung zum Elektrodenbereich der Halbleitervorrichtung gesteuert und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs des Stößels 55 ist in geeigneter Weise eingestellt.
In der oben beschriebenen Konfiguration ist der Durchmesser ϕDd des Kontaktbereichs 55P des Stößels 55 größer als der Durchmesser des Kontaktbereichs 54P des in 5A dargestellten Stößels 54 festgelegt. Dementsprechend kommen der Spitzenendbereich des Kolbens 55 und jeder daran angrenzende Erdungsleitungskontaktanschluss 14ai näher zueinander.
Darüber hinaus ist die Hülse 52 des oben beschriebenen Signalleitungskontaktanschlusses 10ai mit dem zweiten Verlängerungsbereich 52C versehen. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht nur auf dieses Beispiel beschränkt. Wie z. B. in der vergrößerten Ansicht von 8A dargestellt, kann eine Hülse 52' eines Signalleitungskontaktanschlusses 10' ai so konfiguriert sein, dass diese keinen zweiten Verlängerungsbereich umfasst. Hierbei sei angemerkt, dass die Bestandteile in den 8A und 8B, welche die gleichen wie die Bestandteile in dem in 5A dargestellten Beispiel sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind und deren sich überschneidende Beschreibungen entfallen.
Wie in der vergrößerten Ansicht der 8A und 8B dargestellt, umfasst jeder Signalleitungskontaktanschluss 10' ai: den Stößel 54, der mit dem Kontaktbereich 54 versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 konfiguriert ist, einen Stößel 56', der mit einem Kontaktbereich 56'P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist, und die Hülse 52, welche die Schraubenfeder 58 zum Vorspannen des Stößels 54 und des Stößels 56' in Richtungen zum voneinander Wegbewegen aufweist, und zum Verbinden des Stößels 54 mit dem Stößel 56' derart konfiguriert ist, dass sich diese näher kommen und voneinander wegbewegen können.
Der Stößel 56' umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist und mit dem an einem Ende ausgebildeten Kontaktbereich 56'P versehen ist, den Federaufnahmebereich zum Aufnehmen des anderen Endes der Schraubenfeder 58; und den Verbindungsbereich zum Verbinden des Kontaktendbereichs des Federaufnahmebereichs. Die Durchmesser des Kontaktendbereichs und des Federaufnahmebereichs sind einander entsprechend hergestellt, und sind größer als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Ein Teil eines Kontaktendbereichs des Stößels 56' ragt aus einem später zu beschreibenden offenen Endbereich der Hülse 52' nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Verbindungsbereich und dem Kontaktendbereich des Stößels 56' ausgebildet ist, ist an einer Vielzahl von Nasen 52'BD befestigt. Somit wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 56' in Richtung zur Schraubenfeder 58 gesteuert.
Die Hülse 52' ist aus Phosphorbronze hergestellt und z. B. in zylindrischer Form ausgebildet. Die Hülse 52' umfasst einen Verlängerungsbereich 52'A, der den Stößel 54 mit gegebenem Hub gleitend führt, und einen Trommelbereich 52' B , der mit dem Verlängerungsbereich 52' A verbunden ist. Der Trommelbereich 52' B ist einstückig mit dem Verlängerungsbereich 52' A ausgebildet. Ein Durchmesser des Trommelbereichs 52' B ist größer als ein Durchmesser des Verlängerungsbereichs 52' A festgelegt.
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration jeder Signalleitungskontaktanschluss 10ai in der Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 und einer Öffnung 26' e in einem unteren Gehäuse 26', wie in 8B dargestellt, montiert wird, wird der Signalleitungskontaktanschluss 10' ai zuerst in die Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 eingefügt. Danach werden die Bunde 16 an den Außenumfangsbereichen des Verlängerungsbereichs 52' A bzw. dem Kontaktendbereich des Stößels 56' befestigt, und danach wird das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26' angeordnet ist. Dabei wird ein Bund 16 aus den zwei Bunden 16 in die Öffnung 30d im Basiselement 30 eingefügt, während der andere Bund 16 in eine Öffnung 26' d im unteren Gehäuse 26' eingefügt wird. Auf diese Weise werden Luftschichten zwischen einem Außenumfangsbereich des Trommelbereichs 52'B des Signalleitungskontaktanschlusses 10' ai und der die Öffnung 28b bildenden Innenumfangsfläche, zwischen einem Außenumfangsbereich des Verlängerungsbereichs 52' A und der die Öffnung 30b bildenden Innenumfangsfläche, und zwischen einem Außenumfangsbereich des Kontaktendbereichs des Stößels 56' und einer die Öffnung 26' e bildenden Innenumfangsfläche ausgebildet. Der Spitzenendbereich des Stößels 54 ragt aus der Öffnung 30c im Basiselement 30 zur Zelle hin heraus, während eine Stirnfläche eines Spitzenendbereichs des Kolbens 56 auf einer mit dem Umfang eines offenen Endes der Öffnung 26' e bündigen Ebene liegt.
Dementsprechend bildet auch in diesem Beispiel, wenn die Halbleitervorrichtung DV1 auf der Positionierungsplatte 40 in dem Zustand montiert wird, bei dem das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 26' zwischen dem Basiselement 30 und der gedruckten Leiterplatte PCB angeordnet und montiert sind, jeder der Querschnitte des Basiselements 30, des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26', die jeden Signalleitungskontaktanschluss 10' ai schneiden, die sogenannte Koaxialsondenstruktur, die auf die vorgegebene Impedanz eingestellt ist. Somit wird die Impedanzanpassung erreicht.
Der Erfinder dieser Anmeldung hat Schwankungen in Spitzen von Reflexionsverlusten (Rückstreuverlusten) und Einfügeverlusten im ersten Ausführungsbeispiel des IC-Sockels gemäß der vorliegenden, oben beschriebenen Erfindung und in einem IC-Sockel eines in 11 dargestellten Vergleichsbeispiels durch einen vorgegebenen Simulator in einem virtuellen Modell verifiziert, wobei die Halbleitervorrichtung mit der gedruckten Leiterplatte PCB verbunden ist.
Der IC-Sockel des in 11 dargestellten Vergleichsbeispiels umfasst eine Andrückmechanismuseinheit, die der in 2A dargestellten Andrückmechanismuseinheit eines Muschelschalentyps ähnlich ist, das obere Gehäuse 28, das untere Gehäuse 26' und eine innerhalb des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26' bereitzustellende Kontaktanschlussgruppe. Das obere Gehäuse 28 ist zwischen einem aus Harz hergestellten Basiselement 30' und dem aus Harz hergestellten unteren Gehäuse 26' angeordnet.
Die Kontaktanschlussgruppe umfasst eine Vielzahl von Signalleitungskontaktanschlüssen 10bi (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl), eine Vielzahl von Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14bi (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl) und eine Vielzahl von Stromversorgungsleitungskontaktanschlüssen (nicht dargestellt). Jeder Signalleitungskontaktanschluss 10bi ist zwischen den Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14bi angeordnet, die im oberen Gehäuse 28 und dem unteren Gehäuse 26' aneinander angrenzen.
Hierbei sei angemerkt, dass Bestandteile in 11, welche die gleichen wie die Bestandteile im in 2A dargestellten Beispiel sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind und deren sich überlappende Erläuterungen entfallen.
Jeder Signalleitungskontaktanschluss 10bi umfasst: eine Hülse 10A, die mit einem Kontaktbereich versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVa der Halbleitervorrichtung DV1 konfiguriert ist; einen Stößel 10C, der mit einem Kontaktbereich versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist; und eine Hülse 10B, die eine Schraubenfeder (nicht dargestellt) zum Vorspannen des Stößels 10A und des Stößels 10C in Richtungen zum voneinander Wegbewegen aufnimmt, und zum Verbinden des Stößels 10A mit dem Stößel 10C derart konfiguriert ist, dass diese sich annähern und voneinander wegbewegen können.
Wenn jeder Signalleitungskontaktanschluss 10bi in der Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 und einer Öffnung 26'b im unteren Gehäuse 26' montiert wird, wird der Signalleitungskontaktanschluss 10bi zuerst in die Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 eingeführt. Danach wird das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30' und dem unteren Gehäuse 26' angeordnet ist. Dabei wird der Stößel 10A in Öffnungen 30'd und 30'c im Basiselement 30' eingefügt, während der Stößel 10C in die Öffnungen 26'b und 26' e im unteren Gehäuse 26' eingefügt wird. Auf diese Weise werden Luftschichten zwischen einem Außenumfangsbereich der Hülse 10B des Signalleitungskontaktanschlusses 10bi und der die Öffnung 28b bildenden Innenumfangsfläche, zwischen einem Außenumfangsbereich des Stößels 10A und den die Öffnungen 30' c und 30' d bildenden Innenumfangsflächen, zwischen dem Stößel 10C und einer die Öffnung 26'b bildenden Innenumfangsfläche, und zwischen einem Außenumfangsbereich des Stößels 10C und der die Öffnung 26' e bildenden Innenumfangsfläche ausgebildet.
In 12 kennzeichnet die vertikale Achse die Spitzenwerte (dB) der Reflexionsverluste (Rückflussverluste) und die horizontale Achse kennzeichnet Frequenzen (GHz). 12 zeigt eine Kennlinie Lb1, die eine Veränderung des Spitzenwerts des Rückflussverlusts im Vergleichsbeispiel darstellt, die durch einen vorgeschriebenen Simulator erreicht wurde, und eine Kennlinie La1, die eine Veränderung des Spitzenwerts des Rückflussverlusts des ersten Ausführungsbeispiels des IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt, die durch den vorgeschriebenen Simulator erreicht wurde.
Wie aus der Kennlinie La1 in 12 hervorgeht, werden im ersten Ausführungsbeispiel des IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung keine Welligkeiten z. B. in einem Bereich von etwa 60 bis 90 GHz im Vergleich zur Kennlinie Lb1 beobachtet. Darüber hinaus zeigt die Kennlinie La1 eine Verbesserung des Rückflussverlusts, der gleich oder kleiner als -15 dB ist.
In 13 kennzeichnet die vertikale Achse die Spitzenwerte (dB) der Einfügeverluste und die horizontale Achse kennzeichnet Frequenzen (GHz). 13 zeigt eine Kennlinie Lb2, die eine Veränderung des Spitzenwerts des Einfügeverlusten im Vergleichsbeispiel darstellt, die durch den vorgeschriebenen Simulator erhalten wurde, und eine Kennlinie La2, die eine Veränderung des Spitzenwerts des Einfügeverlusts des ersten Ausführungsbeispiels des IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt, die durch den vorgeschriebenen Simulator erreicht wurde.
Wie aus der Kennlinie La2 in 13 hervorgeht, werden im ersten Ausführungsbeispiel des IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung keine Welligkeiten z. B. im Bereich von ca. 60 bis 90 GHz im Vergleich zur Kennlinie Lb2 beobachtet. Darüber hinaus zeigt die Kennlinie La2, dass sich der Einfügeverlusten unter -0,5 dB stabilisiert hat.
14A zeigt schematisch eine Konfiguration eines zweiten Ausführungsbeispiels eines IC-Sockels gemäß der vorliegenden Erfindung.
In 14A sind eine Vielzahl von IC-Sockel auf der gedruckten Leiterplatte PCB angeordnet, die z. B. als Testplatine dient. Hierbei sei angemerkt, dass 14A repräsentativ einen IC-Sockel auf der gedruckten Leiterplatte PCB veranschaulicht. Hierbei sind Bestandteile in den 14A, 14B und 15, welche die gleichen wie die Bestandteile in den 2A, 2B und 2C sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet sind und deren sich überlappende Erläuterungen entfallen.
Der IC-Sockel umfasst z. B. die Andrückmechanismuseinheit eines Muschelschalentyps, das obere Gehäuse 28, das untere Gehäuse 26 und eine innerhalb des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26 bereitzustellende Kontaktanschlussgruppe.
Die Andrückmechanismuseinheit umfasst das Basiselement 30, das an der oberen Stirnfläche des oberen Gehäuses 28 durch eine Schicht 50 platziert ist, und das Deckelelement 32, das vom Endbereich des Basiselements 30 drehbeweglich abgestützt wird und den Andruckkörper 36 beweglich hält, der eine Elektrodenfläche einer befestigten Halbleitervorrichtung DV2 gegen die später zu beschreibende Kontaktanschlussgruppe drückt.
Die Halbleitervorrichtung DV2 umfasst z. B. einen integrierten Schaltkreis im Innern eines QFA-Gehäuses. Eine Vielzahl von Elektrodenbereichen DVb (siehe 15) sind an vier Seitenflächen und einem Bodenflächenbereich der Halbleitervorrichtung DV2 ausgebildet. Wenn die Halbleitervorrichtung DV2 an einem später zu beschreibenden Halbleitervorrichtung-Platzierungsbereich positioniert wird, werden die jeweiligen Elektrodenbereiche DVb der Halbleitervorrichtung DV2 gegenüber jeweiligen Öffnungen in der aus Harz hergestellten Schicht 50 angeordnet und auf dem Halbleitervorrichtung-Platzierungsbereich bereitgestellt. Die Schicht 50 ist z. B. aus Polyamid (PI) hergestellt und ist so konfiguriert, dass verhindert wird, dass die jeweiligen Elektrodenbereiche DVb der Halbleitervorrichtung DV2 und das Basiselement 30 in Kontakt kommen und einen elektrischen Kurzschluss verursachen, wenn die Halbleitervorrichtung DV2 durch den Andruckvorsprung 36P angedrückt wird.
Die Öffnung 30A, in der eine später zu beschreibende Positionierungsplatte 40' angeordnet ist, ist am Mittelbereich des Basiselements 30 ausgebildet.
Die Positionierungsplatte 40' ist am Basiselement 30 durch die Schicht 50 unter Verwendung der Vielzahl von Maschinenschrauben befestigt. Die Positionierungsplatte 40' ist auf einer Oberfläche der Schicht 50 angeordnet, die am Basiselement 30 angeordnet ist. Die aus dem Harz mit vorgegebener Dicke hergestellte Schicht 50 umfasst eine Vielzahl von Öffnungen 50ai (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl), die in einer Matrix und gegenüber offenen Enden der Öffnungen 30g, 30b und 30c im später zu beschreibenden Basiselement 30 angeordnet sind. Jeweilige Kontaktbereiche der später zu beschreibenden Kontaktanschlussgruppe werden in die Öffnungen 50ai eingeführt.
Die Positionierungsplatte 40' umfasst einen Halbleiterplatzierungsbereich 40'A, der an deren Mittelabschnitt angeordnet ist, an dem die Halbleitervorrichtung DV2 angebracht oder davon gelöst wird. Der nach oben offene Halbleiterplatzierungsbereich ist so ausgebildet, dass dieser von geneigten Flächenbereichen an vier Seiten umgeben ist, welche die Halbleitervorrichtung DV2 zum Befestigungszeitpunkt führen.
Wie in 14B dargestellt, sind die Öffnungen 30a, in welche die Befestigungsmaschinenschrauben (nicht dargestellt) eingeführt werden sollen, an vier Ecken um die Öffnung 30A herum entsprechend den Öffnungen im oberen Gehäuse 28 und unteren Gehäuse 26 ausgebildet. Dadurch werden das Basiselement 30, das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 26 an der gedruckten Leiterplatte PCB als Folge davon befestigt, dass die Befestigungsmaschinenschrauben unter Verwendung der Muttern und Scheiben durch die Öffnungen 30a und die oben beschriebenen Durchgangsöffnungen im oberen Gehäuse 28, unteren Gehäuse 26 und der gedruckten Leiterplatte PCB befestigt sind.
Wie in 15 dargestellt, werden später zu beschreibende Erdungsleitungskontaktanschlüsse 24ai in die Öffnungen 30g und 28g eingefügt. Signalleitungskontaktanschlüsse 20ai werden in die Öffnungen 30b und 28b eingefügt. Stromversorgungskontaktanschlüsse 22ai werden in die Öffnungen 30c bzw. 28c eingefügt. Der Bund 16 wird in jede Öffnung 30d eingefügt, die mit der jeweiligen Öffnung 30b in Verbindung steht.
Dementsprechend ist jeder Signalleitungskontaktanschluss 20ai (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl) zwischen den angrenzenden Erdungsleitungskontaktanschlüssen 24ai angeordnet. Darüber hinaus ist jeder Stromversorgungskontaktanschluss 22ai zwischen den angrenzenden Erdungsleitungskontaktanschlüssen 24ai angeordnet.
Wie in der vergrößerten Ansicht der 16A und 16B dargestellt, umfasst jeder Signalleitungskontaktanschluss 20ai (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl: einen Stößel 54", der mit einem Kontaktbereich 54"P versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVb der Halbleitervorrichtung DV2 konfiguriert ist; den Stößel 56, der mit dem Kontaktbereich 56P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist; und die Hülse 52, welche die Schraubenfeder 58 zum Vorspannen des Stößels 54" und des Stößels 56 in Richtungen zum voneinander wegbewegen aufnimmt, und zum Verbinden des Stößels 54" mit dem Stößel 56 derart konfiguriert ist, dass sich diese näher kommen und voneinander wegbewegen können.
Der Stößel 54" umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist und mit dem im Wesentlichen konischen Kontaktbereich 54"P versehen ist, der an einem Ende ausgebildet ist; den Federaufnahmebereich zum Aufnehmen von einem Ende der Schraubenfeder 58; und den Verbindungsbereich zum Verbinden des Kontaktendbereichs mit dem Federaufnahmebereich. Die Durchmesser des Kontaktendbereichs und des Federaufnahmebereichs sind einander entsprechend hergestellt und größer als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Ein Teil des Kontaktendbereichs des Stößels 54" ragt aus dem Endbereich des zylindrischen ersten Verlängerungsbereichs 52A der Hülse 52 heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Verbindungsbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 54" ausgebildet ist, ist an der Vielzahl von Nasen 52AD am ersten Verlängerungsbereich 52A befestigt. Somit wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 54" in Richtung zum Elektrodenbereich DVb der Halbleitervorrichtung DV2 gesteuert und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs des Stößels 54" ist in geeigneter Weise festgelegt.
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration jeder Signalleitungskontaktanschluss 20ai in der Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 und der Öffnung 26b im unteren Gehäuse 26, wie in 16B dargestellt, montiert wird, wird der Signalleitungskontaktanschluss 20ai zuerst in die Öffnung 28b im oberen Gehäuse 28 eingeführt. Als nächstes werden die Bunde 16 an den Außenumfangsbereichen des ersten Verlängerungsbereichs 52A bzw. des zweiten Verlängerungsbereichs 52C angebracht, und danach wird das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26 angeordnet ist. Dabei wird der eine Bund 16 aus den zwei Bunden 16 in die Öffnung 30 im Basiselement 30 eingefügt, während der andere Bund 16 in die Öffnung 26d im unteren Gehäuse 26 eingefügt wird. Auf diese Weise werden Luftschichten zwischen dem Außenumfangsbereich des Trommelbereichs 52B des Signalleitungskontaktanschlusses 20ai und der die Öffnung 28b bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich des ersten Verlängerungsbereichs 52A und einer die Öffnung 30c bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich des zweiten Verlängerungsbereichs 52C und der die Öffnung 26b bildenden Innenumfangsfläche, und zwischen dem Außenumfangsbereich des Stößels 56 und der die Öffnung 26e bildenden Innenumfangsfläche ausgebildet. Ein Spitzenendbereich des Stößels 54" ragt aus der Öffnung 30b im Basiselement 30 und der entsprechenden Öffnung 50ai in der Schicht 50 heraus, während der Spitzenendbereich des Stößels 56 aus der Öffnung 26e zur gedruckten Leiterplatte PCB hin herausragt.
Wenn die Halbleitervorrichtung DV2 an der Positionierungsplatte 40' in dem Zustand angebracht ist, bei dem das obere Gehäuse 28 und das untere Gehäuse 26 zwischen dem Basiselement 30 und der gedruckten Leiterplatte PCB angeordnet und montiert sind, bildet jeder der Querschnitte des Basiselements 30, des oberen Gehäuses 28 und des unteren Gehäuses 26, der jeden Signalleitungskontaktanschluss 20ai schneidet, eine sogenannte Koaxialsondenstruktur. Somit wird die Impedanzanpassung erreicht. Darüber hinaus ist, wie in 16B dargestellt, der Spitzenendbereich des Stößels 54" innerhalb der entsprechenden Öffnung 50ai in der Schicht 50 angeordnet und in einen Zustand zum Erreichen der Impedanzanpassung in der Nähe des Elektrodenbereichs DVb der Halbleitervorrichtung DV2 festgelegt. Aus diesem Grund hat der Erfinder bestätigt, dass eine Übertragungsleistung eines Signals in einem relativ hohen Frequenzband verbessert ist.
Wie in der vergrößerten Ansicht der 17A und 17B dargestellt, umfasst jeder Stromzufuhrkontaktanschluss 22ai (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl): einen Stößel 64', der mit einem Kontaktbereich 64'P mit einer im Wesentlichen konischen Form versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVb der Halbleitervorrichtung DV2 konfiguriert ist; den Stößel 66, der mit dem Kontaktbereich 66P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist; und die Hülse 62, welche die Schraubenfeder 28 zum Vorspannen des Stößels 64' und des Stößels 66 in Richtungen zum voneinander Wegbewegen aufnimmt, und zum Verbinden des Stößels 64' mit dem Stößel 66 derart konfiguriert ist, dass diese sich einander annähern und voneinander wegbewegen können.
Der Stößel 64'umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist, und der mit dem im Wesentlichen konischen Kontaktbereich 64'P versehen ist, der an einem Ende ausgebildet ist; und einen Federaufnahmebereich zum Aufnehmen des einen Endes der Schraubenfeder 68. Ein Durchmesser des Federaufnahmebereichs ist größer als ein Durchmesser des Kontaktendbereichs festgelegt. Ein Teil des Kontaktendbereichs des Stößels 64' ragt aus einem der später zu beschreibenden offenen Endbereich der Hülse 62 nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Kontaktendbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 64' ausgebildet ist, ist am Umfang des offenen Endbereichs der Hülse 62 befestigt. Dadurch wird eine Bewegung des Kontaktendbereichs des Stößels 64' zum Elektrodenbereich DVb der Halbleitervorrichtung DV2 hin gesteuert und ein Maß des nach außen weisenden Vorsprungs des Kontaktendbereichs des Kolbens ist in geeigneter Weise festgelegt.
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration jeder Stromversorgungskontaktanschluss 22ai in der Öffnung 28c im oberen Gehäuse 28 und in der Öffnung 26f im unteren Gehäuse 26, wie in 17B dargestellt, montiert wird, wird der Stromversorgungskontaktanschluss 22ai zuerst in die Öffnung 28c im oberen Gehäuse 28 eingefügt. Als Nächstes werden die Bunde 16 an den Außenumfangsbereichen der Stößel 64' bzw. 66 befestigt, und danach wird das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26 angeordnet ist. Dabei wird der eine Bund 16 aus den zwei Bunden 16 in die Öffnung 30f im Basiselement 30 eingefügt, während der andere Bund 16 in die Öffnung 26f im unteren Gehäuse 26 eingefügt wird. Auf diese Weise werden Luftschichten zwischen dem Außenumfangsbereich der Hülse 62 des Stromversorgungskontaktanschlusses 22ai und der die Öffnung 28c bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich der Hülse 62 und der die Öffnung 30f bildenden Innenumfangsfläche, zwischen einem Außenumfangsbereich des Stößels 64' und der die Öffnung 30e bildenden Innenumfangsfläche, zwischen dem Außenumfangsbereich der Hülse 62 und der die Öffnung 26f bildenden Innenumfangsfläche, und zwischen dem Außenumfangsbereich des Stößels 66 und der die Öffnung 26h bildenden Innenumfangsfläche ausgebildet.
Wie in der vergrößerten Ansicht der 18A und 18B dargestellt, umfasst jeder Erdungsleitungskontaktanschluss 24ai (i = 1 bis n, n ist eine positive ganze Zahl): einen Stößel 74', der mit einem Kontaktbereich 74'P mit einer im Wesentlichen konischen Form versehen ist, der zum selektiven in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Elektrodenbereich DVb der Halbleitervorrichtung DV2 konfiguriert ist; den Stößel 76, der mit dem Kontaktbereich 76P versehen ist, der zum in Kontakt kommen mit dem entsprechenden Kontaktfeld auf der gedruckten Leiterplatte PCB konfiguriert ist; und die Hülse 72, welche die Schraubenfeder 78 zum Vorspannen des Stößels 74' und des Stößels 76 in Richtungen zum voneinander wegbewegen aufnimmt, und zum Verbinden des Stößels 74' mit dem Stößel 76 derart konfiguriert ist, dass diese sich einander annähern und voneinander wegbewegen können.
Der Stößel 74' umfasst: einen Kontaktendbereich, der z. B. aus einer Beryllium-Kupferlegierung hergestellt ist und mit dem im Wesentlichen konischen Kontaktbereich 74'P versehen ist, der an einem Ende ausgebildet ist; einen Federaufnahmebereich zum Aufnehmen von einem Ende der Schraubenfeder 78; und einen Verbindungsbereich zum Verbinden des Kontaktendbereichs mit dem Federaufnahmebereich. Die Durchmesser des Kontaktendbereichs und des Federaufnahmebereichs sind einander entsprechend hergestellt und sind größer als ein Durchmesser des Verbindungsbereichs festgelegt. Ein Teil des Kontaktendbereichs des Stößels 74' ragt aus einem der später zu beschreibenden offenen Endbereiche der Hülse 72 nach außen heraus. Ein Stufenbereich, der an einem Grenzbereich zwischen dem Verbindungsbereich und dem Federaufnahmebereich des Stößels 74' ausgebildet ist, ist mit der Vielzahl von Nasen 72AD an der Hülse 72 befestigt.
Wenn in der oben beschriebenen Konfiguration jeder Erdungsleitungskontaktanschluss 24ai in der Öffnung 28g im oberen Gehäuse 28 und der Öffnung 26g im unteren Gehäuse 26, wie in 18B dargestellt, montiert wird, wird der Erdungsleitungskontaktanschluss 24ai zuerst in die Öffnung 28g derart eingeführt, dass der Stößel 74' von der Seite des Bereichs 28ga mit großem Durchmesser eingeführt wird, der mit der Öffnung 28g im oberen Gehäuse 28 in Verbindung steht. Als Nächstes wird das obere Gehäuse 28 derart daran montiert, dass dieses zwischen dem Basiselement 30 und dem unteren Gehäuse 26 angeordnet ist. Dabei wird der Stößel 74' in die Öffnung 30g im Basiselement 30 und die entsprechende Öffnung 50ai in der Schicht 50 eingefügt, während der Stößel 76 in die Öffnungen 26g und 26a im unteren Gehäuse 26 eingefügt wird. Auf diese Weise kommt der Kontaktbereich 72E in Kontakt mit der Innenumfangsfläche des Bereichs 28ga mit großem Durchmesser, und der Stufenbereich zwischen dem Kontaktbereich 72E und dem verbleiben Bereich der Hülse 72 wird am Ende des Bereichs 28ga mit großem Durchmesser befestigt. Dadurch wird eine Position in Richtung der Mittelachse des Erdungsleitungskontaktanschlüsse 24ai gesteuert. Auf diese Weise kann die Hülse 72 zum oberen Gehäuse 28 und unteren Gehäuse 26 geführt werden.
Darüber hinaus ragt ein Spitzenendbereich des Stößels 74' aus der Öffnung 30g im Basiselement 30 und der Öffnung 50ai in der Schicht 50 heraus, während der Spitzenendbereich des Stößels 76 aus der Öffnung 26a zur gedruckten Leiterplatte PCB hin herausragt.
Hierbei sei angemerkt, dass die oben beschriebenen Beispiele, die in den 2A, 2B, 2C, 14A und 14B dargestellt sind, die Andrückmechanismuseinheit eines Muschelschalentyps umfassen. Jedoch muss die Andrückmechanismuseinheit dieses Typs nicht immer vorgesehen sein. Wie z. B. in der japanischen Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 2012-098219 dargestellt, kann eine Halbleitervorrichtung, die von einer Roboterhand gehalten wird, direkt gegen Kontaktbereiche einer Kontaktanschlussgruppe in einen Halbleitervorrichtung-Platzierungsbereich gedrückt werden. Darüber hinaus ist ein Signalleitungskontaktanschluss 10ai und ein Signalleitungskontaktanschluss 20ai, wie oben beschrieben, zwischen den Erdungskontaktanschlüssen 14ai bzw. den Erdungskontaktanschlüssen 24ai angeordnet. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Beispiele beschränkt. Zum Beispiel können zwei Signalleitungskontaktanschlüsse 10ai und zwei Signalleitungskontaktanschlüsse 20ai zwischen den Erdungsleitungskontaktanschlüssen 14ai bzw. den Erdungsleitungskontaktanschlüssen 24ai jeweils mit einem vorgeschriebenen Abstand dazwischen angeordnet sein.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 4242199 [0007]
JP 2012098219 [0111]

Claims

IC-Sockel, umfassend: ein oberes Gehäuse, das aus elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist und eine Vielzahl von Öffnungen aufweist, die zum individuellen Unterbringen einer Vielzahl von Kontaktanschlüssen mit gegebenem Abstand konfiguriert sind, wobei die Kontaktanschlüsse zumindest zu Signalleitungen in einer zu verbindenden Halbleitervorrichtung korrespondieren, wobei jede Öffnung offene Enden aufweist, die an beiden Enden vorgesehen und zum Ermöglichen eines Durchgangs jedes Kontaktanschlusses konfiguriert sind; ein Basiselement, das aus elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist, das an einer der Stirnflächen des oberen Gehäuses vorgesehen ist, das Öffnungen umfasst, die jeweils zum Ermöglichen eines Durchgangs eines ersten Stößels eines jeden der Kontaktanschlüsse unter Beibehaltung eines vorgegebenen Abstands konfiguriert sind, und zum Abstützen des ersten Stößels innerhalb jeder Öffnung durch einen Bund konfiguriert sind, der aus einem dielektrischen Körper hergestellt ist; und ein unteres Gehäuse, das aus einem elektrisch leitfähigem Material hergestellt ist, das an der anderen der Stirnflächen des oberen Gehäuses vorgesehen ist, das Öffnungen umfasst, die jeweils zum Ermöglichen eines Durchgangs eines zweiten Stößels eines jeden der Kontaktanschlüsse unter Beibehaltung eines vorgegebenen Abstands konfiguriert sind, und zum Abstützen des zweiten Stößels innerhalb jeder Öffnung durch einen Bund konfiguriert sind, der aus einem dielektrischen Körper hergestellt ist.
IC-Sockel nach Anspruch 1, wobei der Kontaktanschluss umfasst: den ersten Stößel und den zweiten Stößel; ein elastisches Element, das zum Vorspannen des ersten Stößels und des zweiten Stößels in Richtungen zum voneinander Wegbewegen konfiguriert ist; und eine Hülse, die zum Aufnehmen des ersten Stößels, des zweiten Stößels und des elastischen Elements konfiguriert ist, wobei die Hülse einen Verlängerungsbereich aufweist, der an einem Endbereich der Hülse vorgesehen und zur gleitenden Führung des ersten Stößels und/oder des zweiten Stößels im Innern konfiguriert ist, und der Verlängerungsbereich vom Bund abgestützt ist, der aus einem dielektrischen Körper hergestellt ist.
IC-Sockel nach Anspruch 1, wobei eine Luftschicht zwischen einer Innenumfangsfläche, welche die Öffnung im oberen Gehäuse bildet, und einem Außenumfangsbereich des Kontaktanschlusses ausgebildet ist.
IC-Sockel nach Anspruch 1, wobei die zu verbindende Halbleitervorrichtung am Basiselement durch eine aus Harz hergestellte Schicht platziert ist und eine Vielzahl von Öffnungen aufweist, die jeweils zum Ermöglichen eines Durchgangs eines Kontaktbereichs des Kontaktanschlusses konfiguriert sind.
IC-Sockel nach Anspruch 1, wobei das obere Gehäuse und das untere Gehäuse geerdet sind.
IC-Sockel nach Anspruch 2, wobei ein Durchmesser eines Kontaktbereichs, der an einem Kontaktendbereich des ersten Stößels des Kontaktanschlusses ausgebildet ist, größer als ein Durchmesser des anderen Bereichs des Kontaktendbereichs festgelegt ist, und im Wesentlichen gleich einem Außendurchmesser des Verlängerungsbereichs der Hülse festgelegt ist.