DE112015007145T5 - Halbleitervorrichtung, Invertervorrichtung und Automobil - Google Patents

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semiconductor device
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Tatsuya Kawase
Mikio Ishihara
Noboru Miyamoto
Yosuke Nakata
Yuji Imoto
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

Die Aufgabe ist, eine Technologie zur Verfügung zu stellen, die geeignet ist, ein Kühlvermögen einer Halbleitervorrichtung zu verbessern. Die Halbleitervorrichtung weist ein Lamellenteil 16, das eine Mehrzahl von vorstehenden Teilen aufweist, welche mit einer unteren Oberfläche einer Wärmeübertragungsgrundplatte 11 verbunden sind, ein Kühlbauteil 17, das das Lamellenteil 16 bedeckt und mit einem Einlass 17a, durch welchen ein in Richtung des Lamellenteils 16 fließendes Kühlmittel einfließt, und einem Auslass 17b, durch welchen ein von dem Lamellenteil 16 fließendes Kühlmittel ausfließt, verbunden ist, und einen Verteiler 18, der eine Wasserspeicherkammer ist, welche zwischen dem Einlass 17a und dem Lamellenteil 16 vorgesehen ist und von dem Lamellenteil 16 getrennt ist, sodass sie geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Einlass 17a zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, auf.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung sowie eine Invertervorrichtung und ein Fahrzeug, welche die Halbleitervorrichtung aufweisen.
  • Stand der Technik
  • Eine Halbleitervorrichtung erfordert ständig, dass sie in Größe und Gewicht reduziert wird. Um die Größenreduzierung zu verwirklichen, ist ein Aufbau eines effizienten Kühlens eines Halbleiterelements unumgänglich. Insbesondere ist eine Entwicklung eines direkten Kühlungsaufbaus vorangebracht worden, in welchem ein Halbleiterelement direkt auf eine Kühllamelle verbunden wird, um das Halbleiterelement direkt zu kühlen. Besonders eine Entwicklung einer Halbleitervorrichtung mit integrierter Lamelle (z.B. Patentdokument 1) und eine Halbleitervorrichtung mit integrierter Lamelle und integriertem Kühler (z.B. Patentdokument 2 bis 5) ist aktiv durchgeführt worden.
  • Dokumente des Stands der Technik
  • Patentdokumente
    • Patentdokument 1: offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. 11-204700 (1999)
    • Patentdokument 2: japanisches Patent Nr. 4600199
    • Patentdokument 3: offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. 2014-082311
    • Patentdokument 4: offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. 11-297906 (1999)
    • Patentdokument 5: offengelegte, japanische Patentanmeldung Nr. 2007-141872
  • Zusammenfassung
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • Als die Halbleitervorrichtung mit integrierter Lamelle und integriertem Kühler des Stands der Technik sind viele Vorschläge für einen Aufbau gemacht worden, bei denen ein Kühlwasser direkt mit einer Lamelle zusammentrifft. In einem solchen Aufbau trifft das Kühlwasser jedoch auf die Lamelle und läuft ungleichmäßig durch sie hindurch, was ein Problem aufwirft, dass das Halbleiterelement nicht gleichmäßig gekühlt werden kann.
  • Entsprechend ist die vorliegende Erfindung angesichts solcher Probleme, wie vorstehend beschrieben, gemacht worden, und hat eine Aufgabe, eine Technologie zur Verfügung zu stellen, die geeignet ist, ein Kühlvermögen einer Halbleitervorrichtung zu verbessern.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist ein Halbleiterelement, eine unter dem Halbleiterelement vorgesehene Wärmeübertragungsgrundplatte, ein Lamellenteil, das eine Mehrzahl von vorstehenden Teilen aufweist, welche mit einer unteren Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte verbunden sind, ein Kühlbauteil, das das Lamellenteil bedeckt und mit einem Einlass, durch welchen ein zu dem Lamellenteil fließendes Kühlmittel einfließt, und einem Auslass, durch welchen das von dem Lamellenteil fließende Kühlmittel ausfließt, verbunden ist, und einen Verteiler, der eine Wasserspeicherkammer ist, welche zwischen dem Einlass und dem Lamellenteil vorgesehen und von dem Lamellenteil getrennt ist, sodass sie geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Einlass zu dem Lamellenteil durchzufließen, auf.
  • Wirkungen der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Verteiler zur Verfügung gestellt, der eine Wasserspeicherkammer ist, welche zwischen dem Einlass und dem Lamellenteil vorgesehen ist und von dem Lamellenteil getrennt ist, sodass sie geeignet ist, dem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Einlass zu dem Lamellenteil durchzufließen. Damit trifft ein Kühlmittel, das von dem Verteiler zu dem Lamellenteil ausfließt, mit dem Lamellenteil in einem gleichmäßigen Flusszustand zusammen, und daher kann ein Kühlvermögen verbessert werden.
  • Die Aufgabe, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden mit der nachfolgenden detaillierten Beschreibung und den angehängten Zeichnungen ersichtlicher.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform darstellt.
    • 2 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform darstellt.
    • 3 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform darstellt.
    • 4 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform darstellt.
    • 5 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform darstellt.
    • 6 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform darstellt.
    • 7 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform darstellt.
    • 8 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform darstellt.
    • 9 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform darstellt.
    • 10 ist eine Unteransicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform darstellt.
    • 11 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform darstellt.
    • 12 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform darstellt.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • Nun wird eine Beschreibung zu Ausführungsformen mit Bezug auf die angehängten Zeichnungen gegeben. Es ist zu beachten, dass die Zeichnungen schematisch dargestellt sind, und die gegenseitige Beziehung einer Größe und einer Position von Komponenten, die in jeder der unterschiedlichen Zeichnungen dargestellt sind, nicht notwendigerweise akkurat dargestellt ist und geeignet verändert sein kann.
  • <Erste Ausführungsform>
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung einer Halbleitervorrichtung (Modul mit integriertem Kühler) gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die Halbleitervorrichtung von 1 weist eine Wärmeübertragungsgrundplatte 11, leitfähige Muster 12a und 12b, ein isolierendes Substrat 13, das ein isolierendes Bauteil ist, ein Halbleiterelement 14, Verbindungsbauteile 15, ein Lamellenteil 16, ein Kühlbauteil 17, einen Verteiler 18, der eine Wasserspeicherkammer ist, und eine Wasserflusssteuerungsplatte 19, die ein Wasserflusssteuerungsbauteil ist, auf. Unter den Vorstehenden bilden das Lamellenteil 16, das Kühlbauteil 17, der Verteiler 18 und die Wasserflusssteuerungsplatte 19 einen Kühler, welcher das Halbleiterelement 14 unter Verwendung von Kühlwasser (Kühlmittel) kühlt. Es ist zu beachten, dass in 1 eine Richtung, in welcher das Kühlwasser innerhalb des Kühlers fließt, durch Pfeile gezeigt wird.
  • Als Nächstes wird eine detaillierte Beschreibung zu jeder Komponente der Halbleitervorrichtung von 1 gegeben.
  • Die Wärmeübertragungsgrundplatte 11 ist aus einer Metallplatte (leitfähige Platte) zum Beispiel aus Al (Aluminium), Cu (Kupfer) oder dergleichen ausgebildet. Die Größe der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 ist zum Beispiel ungefähr 80 mm × 80 mm, und die Dicke derselben ist zum Beispiel ungefähr von 2 mm bis 4 mm. Eine obere Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 wird als eine Befestigungsoberfläche verwendet, an welche das Halbleiterelement 14 und dergleichen anzubringen sind, und eine untere Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 wird als eine Wärmeableitungsoberfläche verwendet, die durch einen Kühler zu kühlen ist.
  • Die leitfähigen Muster 12a und 12b sind jeweils an einer unteren Oberfläche und einer oberen Oberfläche des isolierenden Substrats 13 befestigt, und eine untere Oberfläche des leitfähigen Musters 12a und die obere Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 sind durch ein Verbindungsbauteil (nicht gezeigt) verbunden. Die leitfähigen Muster 12a und 12b bestehen zum Beispiel aus AI, Cu oder dergleichen, das isolierende Substrat 13 besteht zum Beispiel aus AIN (Aluminiumnitrid), Si3N4 (wobei Si Silizium ist und N Stickstoff ist) oder dergleichen, und das Verbindungsbauteil besteht zum Beispiel aus Ag (Silber) oder dergleichen. Es ist zu beachten, dass die Dicke des isolierenden Substrats 13 gemäß dieser ersten Ausführungsform so festgelegt ist, dass sie ungefähr von 0,32 mm bis 1 mm beträgt. Es ist jedoch erwünscht, dass die Dicke unter Berücksichtigung einer Reduzierung eines thermischen Widerstands des isolierenden Substrats 13 so dünn wie möglich ist.
  • Das Halbleiterelement 14 ist durch die Verbindungsbauteile 15 zum Beispiel aus Ag oder dergleichen mit einer oberen Oberfläche des leitfähigen Musters 12b verbunden. Damit ist die vorstehend aufgeführte Wärmeübertragungsgrundplatte 11 unter dem Halbleiterelement 14 vorgesehen.
  • Es ist zu beachten, dass in dieser ersten Ausführungsform eine Beschreibung unter der Annahme gegeben ist, dass das Halbleiterelement 14 aus einem Halbleiter mit breiter Bandlücke ausgebildet ist, der eine hohe Wärmewiderstandseigenschaft aufweist, welcher zum Beispiel aus SiC (Siliziumkarbid), GaN (Galliumnitrid) oder dergleichen besteht, aber nicht darauf beschränkt ist, und aus Si (Silizium) bestehen kann. Es ist zu beachten, dass in einem Fall, in welchem ein Halbleiter mit breiter Bandlücke als das Halbleiterelement 14 verwendet wird, die Halbleitervorrichtung in einer Größe reduziert werden kann.
  • Weiter weist in dieser ersten Ausführungsform das Halbleiterelement 14 ein erstes Halbleiterelement 14a und ein zweites Halbleiterelement 14b auf, aber die Anzahl von Halbleiterelementen 14 ist nicht darauf beschränkt. Zusätzlich kann, um das Halbleiterelement 14 zu schützen, ein Gehäuse oder ein Gießharz zum Bedecken von Komponenten, die über der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 vorgesehen sind (z.B. Halbleiterelement 14), in der Halbleitervorrichtung vorgesehen sein.
  • Das Lamellenteil 16 ist mit einer unteren Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 verbunden. Das Lamellenteil 16 weist eine Mehrzahl von vorstehenden Teilen für ein Verbessern eines Kühlvermögens auf, und mindestens eine von einer Stiftlamelle, einer Plattenlamelle (z.B. eine gerade Lamelle und eine wellige Lamelle) und einer konischen Lamelle ist als die vorstehenden Teile eingesetzt. Es ist zu beachten, dass in einer Anordnung, die eine Stiftlamelle als die vorstehenden Teile verwendet, ein Wärmeableitungsvermögen des Lamellenteils 16 verbessert werden kann. Weiter kann in einer Anordnung, die eine Plattenlamelle als die vorstehenden Teile verwendet, ein Wärmeableitungsvermögen verbessert werden kann und ein Druckverlust weiter reduziert werden kann als bei einer Stiftlamelle.
  • Das Kühlbauteil 17 bedeckt das Lamellenteil 16, und ein oberes Teil des Kühlbauteils 17 ist an die untere Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 angeschlossen (verbunden). Gemäß dem Kühlbauteil 17, wie vorstehend beschrieben, kann Kühlwasser in der Peripherie des Lamellenteils 16 eingeschlossen sein.
  • Das Kühlbauteil 17 ist mit einem Einlass 17a, durch welchen zu dem Lamellenteil 16 fließendes Kühlwasser einfließt, und einem Auslass 17b, durch welchen von dem Lamellenteil 16 fließendes Kühlwasser ausfließt, verbunden. In dieser ersten Ausführungsform sind sowohl der Einlass 17a als auch der Auslass 17b unter dem Lamellenteil 16 vorgesehen.
  • Der Verteiler 18 ist eine Wasserspeicherkammer, welche zwischen dem Einlass 17a und dem Lamellenteil 16 vorgesehen ist und von dem Lamellenteil 16 getrennt ist, sodass sie geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Einlass 17a zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen. In dieser ersten Ausführungsform ist eine Wasserspeicherkammer 20 ähnlich dem Verteiler 18 zwischen dem Lamellenteil 16 und dem Auslass 17b vorgesehen. Die Wasserspeicherkammer 20 ist von dem Lamellenteil 16 getrennt, sodass sie geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Lamellenteil 16 zu dem Auslass 17b durchzufließen. Es ist zu beachten, dass die Wasserspeicherkammer 20 nicht notwendigerweise vorgesehen sein muss und zum Beispiel in der nachfolgend zu beschreibenden fünften und sechsten Ausführungsform weggelassen ist.
  • Eine obere Oberfläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 ist an ein unteres Teil des Lamellenteils 16 angeschlossen (verbunden). Die Wasserflusssteuerungsplatte 19 trennt den Verteiler 18 und das Lamellenteil 16, sodass sie geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen. Ähnlich trennt die Wasserflusssteuerungsplatte 19 das Lamellenteil 16 und die Wasserspeicherkammer 20, sodass sie geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Lamellenteil 16 zu der Wasserspeicherkammer 20 durchzufließen.
  • Hierbei ist eine Fläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 kleiner als eine Grundfläche des Kühlbauteils 17, und das vorstehend aufgeführte Kühlbauteil 17 bedeckt auch die Wasserflusssteuerungsplatte 19 zusätzlich zu dem Lamellenteil 16. Damit werden der Verteiler 18 und die Wasserspeicherkammer 20 durch die Wasserflusssteuerungsplatte 19 und das Kühlbauteil 17 gebildet.
  • 2 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung (hauptsächlich das Kühlbauteil 17 und die Wasserflusssteuerungsplatte 19) gemäß dieser ersten Ausführungsform darstellt. Es ist zu beachten, dass in 2 der Einlass 17a, der Auslass 17b und ein Teil des Kühlbauteils 17 durch gestrichelte Linien gezeigt sind (das Gleiche gilt in 4, 6, 8, 10 und 12). Weiter sind in 2 eine x-Achse und eine Y-Achse gezeigt.
  • Wie in 2 dargestellt, ist eine Lücke 21a, die geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, zwischen einem -x-Seitenendteil der Wasserflusssteuerungsplatte 19 und einer inneren Oberfläche des Kühlbauteils 17 ausgebildet. Gemäß einer solchen Anordnung sind der Verteiler 18 und das Lamellenteil 16 ausschließlich der Lück 21a getrennt. Das heißt, der Verteiler 18 und das Lamellenteil 16 sind im Wesentlichen getrennt, und daher wird im Wesentlichen verhindert, dass von dem Einlass 17a einfließendes Kühlwasser direkt gegen das Lamellenteil 16 trifft.
  • Weiter ist, wie in 2 dargestellt, die Breite des Verteilers 18 in der y-Richtung größer als die Breite des Einlasses 17a in der y-Richtung, und daher ist Querschnittsflächen mit Bezug auf eine Flussrichtung des Kühlwassers betreffend eine Querschnittsfläche des Verteilers 18 größer als eine Querschnittsfläche des Einlasses 17a. Damit kann ein Fluss des Kühlwassers, das von dem Einlass 17a einfließt, in dem Verteiler 18 abgebremst werden. Das heißt, das Kühlwasser, das von dem Einlass 17a einfließt, kann im Wesentlichen in dem Verteiler 18 gespeichert werden.
  • Es ist zu beachten, dass in dieser ersten Ausführungsform auch eine Lücke 21b, die geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Lamellenteil 16 zu der Wasserspeicherkammer 20 durchzufließen, zwischen einem +x-Seitenendteil der Wasserflusssteuerungsplatte 19 und einer inneren Oberfläche des Kühlbauteils 17 ausgebildet ist.
  • <Kernaussage der ersten Ausführungsform>
  • Gemäß der Anordnung dieser ersten Ausführungsform, wie vorstehend beschrieben, ist der Verteiler 18 zwischen dem Einlass 17a und dem Lamellenteil 16 vorgesehen. Gemäß einer solchen Anordnung kann von dem Einlass 17a einfließendes Kühlwasser im Wesentlichen daran gehindert werden, direkt gegen das Lamellenteil 16 zu treffen und kann im Wesentlichen temporär in dem Verteiler 18 gespeichert werden. Damit trifft Kühlwasser, das von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 ausfließt, in einem gleichmäßigen Flusszustand auf das Lamellenteil 16, und daher kann ein Kühlvermögen (z.B. eine Gleichmäßigkeit und Stabilität der Kühlung) verbessert werden.
  • Es ist zu beachten, dass in einer Draufsicht von 2, wenn die Lücke 21a und der Einlass 17a so angeordnet sind, dass sie nicht miteinander überlappen, Kühlwasser von dem Einlass 17a daran gehindert werden kann, direkt gegen das Lamellenteil 16 zu treffen. Selbst wenn die Lücke 21a und der Einlass 17a so angeordnet sind, dass sie teilweise miteinander überlappen, kann Kühlwasser von dem Einlass 17a jedoch in einem bestimmten Umfang daran gehindert werden, direkt gegen das Lamellenteil zu treffen.
  • Weiter kann wie in 2, wenn die Lücke 21a und die Lücke 21b jeweils so angeordnet sind, dass sie nah bei einem Endteil und einem anderen Endteil des Lamellenteils 16 sind, Kühlwasser durch das Lamellenteil 16 zirkuliert werden, und daher kann ein Kühlvermögen weiter verbessert werden.
  • Weiter sind in dieser ersten Ausführungsform sowohl der Einlass 17a als auch der Auslass 17b unter dem Lamellenteil 16 vorgesehen. Damit kann die kreuzweise Größe der gesamten Halbleitervorrichtung (Modul), das heißt, eine Grundfläche der gesamten Halbleitervorrichtung (Modul) reduziert werden, und daher kann erwartet werden, dass die Halbleitervorrichtung (Modul) in einer Größe reduziert wird. Es ist zu beachten, dass selbst in einer Anordnung, in welcher sowohl der Einlass 17a als auch der Auslass 17b unter dem Lamellenteil 16 vorgesehen ist, die Grundfläche der gesamten Halbleitervorrichtung (Modul) in einem bestimmten Ausmaß reduziert werden kann.
  • Weiter ist in dieser ersten Ausführungsform die Wasserflusssteuerungsplatte 19 vorgesehen, welche den Verteiler 18 und das Lamellenteil 16 trennt, sodass sie geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen. Damit kann der Verteiler 18 einfach ausgebildet werden.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • 3 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung (Modul mit integriertem Kühler) gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 4 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung darstellt. In der nachfolgenden Beschreibung werden Komponenten der Halbleitervorrichtung gemäß dieser zweiten Ausführungsform, welche die gleichen wie oder ähnlich zu denjenigen der ersten Ausführungsform sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und unterschiedliche Komponenten werden hauptsächlich beschrieben.
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß dieser zweiten Ausführungsform weist zusätzlich zu den Komponenten der ersten Ausführungsform einen äußeren Lamellenumfangsrahmen 22 auf, der ein äußerer Umfangsrahmen ist.
  • Der äußere Lamellenumfangsrahmen 22 ist mit der unteren Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 verbunden und umgibt eine Peripherie des Lamellenteils 16. Die Höhe des äußeren Lamellenumfangsrahmens 22 ist gleich der Höhe des Lamellenteils 16, und ein unterer Teil des äußeren Lamellenumfangsrahmens 22 und ein unteres Teil des Lamellenteils 16 sind an die Wasserflusssteuerungsplatte 19 angeschlossen (verbunden). Gemäß dem äußeren Lamellenumfangsrahmen 22, wie vorstehend beschrieben, kann Kühlwasser in der Peripherie des Lamellenteils 16 eingeschlossen sein. Es ist zu beachten, dass eine Materialqualität des äußeren Lamellenumfangsrahmens 22 die gleiche sein kann wie eine Materialqualität des Lamellenteils 16.
  • Die obere Oberfläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 ist an den äußeren Lamellenumfangsrahmen 22 und das Lamellenteil 16 angeschlossen (verbunden), und eine untere Oberfläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 ist an ein oberes Teil des Kühlbauteils 17 angeschlossen (verbunden). Damit werden der Verteiler 18 und die Wasserspeicherkammer 20 durch die Wasserflusssteuerungsplatte 19 und das Kühlbauteil 17 gebildet.
  • In der Wasserflusssteuerungsplatte 19 sind ein Schlitz 23a, der geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, und ein Schlitz 23b, der geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Lamellenteil 16 zu der Wasserspeicherkammer 20 durchzufließen, ausgebildet. Es ist zu beachten, dass die Schlitze 23a und 23b jeweils so angeordnet sind, dass sie nah bei einem Enteil und einem anderen Endteil des Lamellenteils 16 sind.
  • Weiter ist die Fläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 größer als jede einer Fläche eines Teils, das in einer Draufsicht durch den äußeren Lamellenumfangsrahmen 22 umgeben ist, und einer Fläche eines Teils, das in einer Draufsicht durch ein äußeres Umfangsteil (oberes Teil) des Kühlbauteils 17 umgeben ist.
  • <Kernaussage der zweiten Ausführungsform>
  • Gemäß dieser zweiten Ausführungsform, wie vorstehend beschrieben, ist der Verteiler 18 ähnlich zu der ersten Ausführungsform vorgesehen. Aus diesem Grund trifft gemäß dieser zweiten Ausführungsform ähnlich zu der ersten Ausführungsform Kühlwasser, das von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 ausfließt, in einem gleichmäßigen Flusszustand auf das Lamellenteil 16, und daher kann ein Kühlvermögen (z.B. eine Gleichmäßigkeit und Stabilität der Kühlung) verbessert werden.
  • Weiter ist in dieser zweiten Ausführungsform die Fläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 größer als jede der Fläche des Teils, das in einer Draufsicht durch den äußeren Lamellenumfangsrahmen 22 umgeben ist, und der Fläche des Teils, das in einer Draufsicht durch das äußere Umfangsteil des Kühlbauteils 17 umgeben ist. Damit kann ein Freiraum zwischen der Wasserflusssteuerungsplatte 19 und dem Kühlbauteil 17 in einer Oberflächenrichtung beseitigt werden. Als eine Folge kann das Lamellenteil 16, und weiter das Halbleiterelement 14 effizienter gekühlt werden, und daher kann ein Kühlvermögen weiter verbessert werden.
  • <Dritte Ausführungsform>
  • 5 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung (Modul mit integriertem Kühler) gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 6 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung darstellt. In der nachfolgenden Beschreibung werden Komponenten der Halbleitervorrichtung gemäß dieser dritten Ausführungsform, welche die gleichen wie oder ähnlich zu denjenigen der ersten Ausführungsform sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und unterschiedliche Komponenten werden hauptsächlich beschrieben.
  • In der zweiten Ausführungsform ist der äußere Lamellenumfangsrahmen 22 vorgesehen. In dieser dritten Ausführungsform wird jedoch ein Endteil 19a der Wasserflusssteuerungsplatte 19 anstelle des äußeren Lamellenumfangsrahmens 22 verwendet.
  • Insbesondere ist in dieser dritten Ausführungsform die obere Oberfläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 an das Lamellenteil 16 angeschlossen (verbunden), und die untere Oberfläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 ist an ein oberes Teil des Kühlbauteils 17 angeschlossen (verbunden). Damit werden der Verteiler 18 und die Wasserspeicherkammer 20 durch die Wasserflusssteuerungsplatte 19 und das Kühlbauteil 17 gebildet.
  • In der Wasserflusssteuerungsplatte 19 sind der Schlitz 23a, der geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, und der Schlitz 23b, der geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Lamellenteil 16 zu der Wasserspeicherkammer 20 durchzufließen, ausgebildet. Es ist zu beachten, dass die Schlitze 23a und 23b jeweils so angeordnet sind, dass sie nah bei einem Endteil und einem anderen Endteil des Lamellenteils 16 sind.
  • Die Fläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 ist größer als die Fläche des Teils, das in einer Draufsicht durch das äußere Umfangsteil (oberes Teil) des Kühlbauteils 17 umgeben ist. Weiter ist das Endteil 19a der Wasserflusssteuerungsplatte 19 in Richtung der Seite der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 gebogen, sodass es mit der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 verbunden ist, und umgibt die Peripherie des Lamellenteils 16.
  • <Kernaussage der dritten Ausführungsform>
  • Gemäß dieser dritten Ausführungsform, wie vorstehend beschrieben, ist der Verteiler 18 ähnlich zu der ersten Ausführungsform vorgesehen, und daher kann ein Kühlvermögen (z.B. eine Gleichmäßigkeit und eines Stabilität der Kühlung) ähnlich zu der ersten Ausführungsform verbessert werden. Weiter kann ähnlich zu der zweiten Ausführungsform ein Freiraum zwischen der Wasserflusssteuerungsplatte 19 und dem Kühlbauteil 17 in einer Oberflächenrichtung beseitigt werden.
  • Zusätzlich ist in dieser dritten Ausführungsform das Endteil 19a der Wasserflusssteuerungsplatte 19 in Richtung der Seite der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 gebogen, sodass sie mit der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 verbunden ist, und umgibt die Peripherie des Lamellenteils 16. Damit braucht der äußere Lamellenumfangsrahmen 22, der in der zweiten Ausführungsform beschrieben ist, nicht vorgesehen zu sein, und daher können die Anzahl von Komponenten und ein Verbindungsprozess reduziert werden.
  • <Vierte Ausführungsform>
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung (Modul mit integriertem Kühler) gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 8 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung darstellt. In der nachfolgenden Beschreibung werden Komponenten der Halbleitervorrichtung gemäß dieser vierten Ausführungsform, welche die gleichen wie oder ähnlich zu denjenigen der ersten Ausführungsform sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und unterschiedliche Komponenten werden hauptsächlich beschrieben.
  • In der dritten Ausführungsform wird das Endteil 19a (5) der Wasserflusssteuerungsplatte 19 anstelle des äußeren Lamellenumfangsrahmens 22 verwendet. In dieser vierten Ausführungsform wird jedoch ein Endteil 11a (8) der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 anstelle des äußeren Lamellenumfangsrahmens 22 verwendet.
  • Insbesondere ist in dieser vierten Ausführungsform die obere Oberfläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 an das Lamellenteil 16 angeschlossen (verbunden), und die untere Oberfläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 ist an ein oberes Teil des Kühlbauteils 17 angeschlossen (verbunden). Damit werden der Verteiler 18 und die Wasserspeicherkammer 20 durch die Wasserflusssteuerungsplatte 19 und das Kühlbauteil 17 gebildet.
  • In der Wasserflusssteuerungsplatte 19 sind der Schlitz 23a, der geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, und der Schlitz 23b, der geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Lamellenteil 16 zu der Wasserspeicherkammer 20 durchzufließen, ausgebildet. Es ist zu beachten, dass die Schlitze 23a und 23b jeweils so angeordnet sind, dass sie nah bei einem Endteil und einem anderen Endteil des Lamellenteils 16 sind.
  • Die Fläche der Wasserflusssteuerungsplatte 19 ist größer als die Fläche des Teils, das in einer Draufsicht durch das äußere Umfangsteil (oberes Teil) des Kühlbauteils 17 umgeben ist. Weiter ist das Endteil 11a der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 in Richtung der Seite der Wasserflusssteuerungsplatte 19 gebogen, sodass es mit der Wasserflusssteuerungsplatte 19 verbunden ist, und umgibt die Peripherie des Lamellenteils 16.
  • <Kernaussage der vierten Ausführungsform>
  • Gemäß dieser vierten Ausführungsform, wie vorstehend beschrieben, ist der Verteiler 18 ähnlich zu der ersten Ausführungsform vorgesehen, und daher kann ein Kühlvermögen (z.B. eine Gleichmäßigkeit und Stabilität der Kühlung) ähnlich zu der ersten Ausführungsform verbessert werden. Weiter kann ähnlich zu der zweiten Ausführungsform ein Freiraum zwischen der Wasserflusssteuerungsplatte 19 und dem Kühlbauteil 17 in einer Oberflächenrichtung beseitigt werden.
  • Außerdem ist in dieser vierten Ausführungsform das Endteil 11a der Wärmübertragungsgrundplatte 11 in Richtung der Seite der Wasserflusssteuerungsplatte 19 gebogen, sodass es mit der Wasserflusssteuerungsplatte 19 verbunden ist, und umgibt die Peripherie des Lamellenteils 16. Damit braucht der äußere Lamellenumfangsrahmen 22, der in der zweiten Ausführungsform beschrieben ist, nicht vorgesehen zu sein, und daher kann die Anzahl von Komponenten und ein Verbindungsprozess reduziert werden.
  • <Fünfte Ausführungsform>
  • 9 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung (Modul mit integriertem Kühler) gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 10 ist eine Unteransicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung darstellt. In der nachfolgenden Beschreibung werden Komponenten der Halbleitervorrichtung gemäß dieser fünften Ausführungsform, welche die gleichen wie oder ähnlich zu denjenigen der ersten Ausführungsform sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und unterschiedliche Komponenten werden hauptsächlich beschrieben.
  • In dieser fünften Ausführungsform ist der Einlass 17a unter der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 vorgesehen. Wasserflusssteuerungsbauteile 24 sind orthogonal an die untere Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 angeschlossen (verbunden), sodass sie ein oberes Teil 11b umgeben, das ein Teil der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 ist, die über dem Einlass 17a positioniert ist. Weiter ist ein unteres Teil des Wasserflusssteuerungsbauteils 24 an eine untere Oberfläche des Kühlbauteils 17 angeschlossen (verbunden). Damit wird der Verteiler 18 durch das obere Teil 11b, die Wasserflusssteuerungsbauteile 24 und das Kühlbauteil 17 gebildet.
  • Es ist zu beachten, dass die Wasserflusssteuerungsbauteile 24 aus vier sich erstreckenden Teilen ausgebildet sind, die sich im Wesentlichen in einer Y-artigen Form in einer Oberflächenrichtung der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 erstrecken. Weiter weisen die vier sich erstreckenden Teile nicht nur ein Teil zum Umgeben des Verteilers 18 (Teil, das korrespondierend zu vier Seiten einer im Wesentlichen viereckigen Form in 10 ausgebildet ist) sondern auch ein Teil zum Zirkulieren von Kühlwasser von dem Verteiler 18 durch das Lamellenteil 16 (Teil, das im Wesentlichen korrespondierend zu Diagonallinien der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 in 10 ausgebildet ist) auf.
  • Auf einem anderen Teil der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 als dem oberen Teil 11b ist das Lamellenteil 16 vorgesehen. Andererseits ist auf dem oberen Teil 11b der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 (der Verteiler 18) das Lamellenteil 16 weggelassen, oder ein Lamellenteil, das eine Höhe aufweist, die niedriger ist als das Lamellenteil 16 (nicht gezeigt) ist vorgesehen.
  • Hierbei ist in dieser fünften Ausführungsform in einem Fall, in welchem die Halbleitervorrichtung verwendet wird, eine Wärmeerzeugung des zweiten Halbleiterelements 14b größer als eine Wärmeerzeugung des ersten Halbleiterelements 14a. Weiter weisen die Wasserflusssteuerungsbauteile 24 einen ersten Schlitz 25a auf, der geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, welches unter dem ersten Halbleiterelement 14a vorgesehen ist. Weiter weisen die Wasserflusssteuerungsbauteile 24 einen zweiten Schlitz 25b auf, der geeignet ist, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, welches unter dem zweiten Halbleiterelement 14b vorgesehen ist. Hierbei ist die Breite des zweiten Schlitzes 25b größer als die Breite des ersten Schlitzes 25a.
  • <Kernaussage der fünften Ausführungsform>
  • Gemäß dieser fünften Ausführungsform, wie vorstehend beschrieben, ist der Verteiler 18 ähnlich zu der ersten Ausführungsform vorgesehen, und daher kann ein Kühlvermögen (z.B. eine Gleichmäßigkeit und Stabilität der Kühlung) ähnlich zu der ersten Ausführungsform verbessert werden.
  • Weiter ist in der ersten bis vierten Ausführungsform der Verteiler 18 auf einer unteren Seite mit Bezug auf das Lamellenteil 16 vorgesehen. Im Gegensatz dazu ist in dieser fünften Ausführungsform der Verteiler 18 auf einer seitlichen Seite des Lamellenteils 16 vorgesehen. Damit kann die Größe der gesamten Halbleitervorrichtung (Modul) in der Dickenrichtung reduziert werden, und daher kann erwartet werden, dass die Halbleitervorrichtung (Modul) in einer Größe reduziert wird.
  • Weiter ist gemäß dieser fünften Ausführungsform die Breite des zweiten Schlitzes 25b, der zu dem zweiten Halbleiterelement 14b korrespondiert, das eine vergleichsweise hohe Wärmeerzeugung aufweist, größer als die Breite des ersten Schlitzes 25a, der zu dem ersten Halbleiterelement 14a korrespondiert, das eine vergleichsweise kleine Wärmeerzeugung aufweist. Gemäß einer solchen Anordnung kann ein Kühlvermögen auf der Seite des zweiten Halbleiterelements 14b durch eine Justierung der Breite des ersten und zweiten Schlitzes 25a und 25b weiter verbessert werden als ein Kühlvermögen auf der Seite des ersten Halbleiterelements 14a, und daher kann ein Kühlvermögen mit Bezug auf das erste und zweite Halbleiterelement 14a und 14b angemessen ausgelegt werden.
  • Zum Beispiel wird in einem Fall, in welchem die Halbleitervorrichtung gemäß dieser fünften Ausführungsform ein Hybrid-Modul ist, das aus einem Bipolartransistor mit isoliertem Gate (Si-IGBT) und einer Schottky-Sperrdiode (SiC-SBD) ausgebildet ist, die SiC-SBD, die eine vergleichsweise kleine Wärmeerzeugungsmenge aufweist, als das erste Halbleiterelement 14a verwendet, und der Si-IGBT, der eine vergleichsweise große Wärmeerzeugungsmenge aufweist, wird als das zweite Halbleiterelement 14b verwendet. In diesem Fall ist die Breite des zweiten Schlitzes 25b des Si-IGBTs größer als die Breite des ersten Schlitzes 25a der SiC-SBD, und daher kann die Kühlung des gesamten Moduls angemessen ausgelegt werden.
  • <Sechste Ausführungsform>
  • 11 ist eine Querschnittsansicht, die eine Anordnung der Halbleitervorrichtung (Modul mit integriertem Kühler) gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 12 ist eine Draufsicht, die eine Teilanordnung der Halbleitervorrichtung darstellt. In der nachfolgenden Beschreibung werden Komponenten der Halbleitervorrichtung gemäß dieser sechsten Ausführungsform, welche die gleichen wie oder ähnlich zu denjenigen der ersten Ausführungsform sind, durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und unterschiedliche Komponenten werden hauptsächlich beschrieben.
  • Die Halbleitervorrichtung gemäß dieser sechsten Ausführungsform enthält keine der Wasserflusssteuerungsplatte 19 oder der Wasserflusssteuerungsbauteile 24. Weiter ist der Verteiler 18 außerhalb des Kühlbauteils 17 vorgesehen. Insbesondere ist der Verteiler 18 zwischen dem Einlass 17a und einer unteren Oberfläche des Kühlbauteils 17 vorgesehen, welches mit dem Einlass 17a verbunden ist. Weiter ist eine Mehrzahl von Wasserdurchlasslöchern 17c, die geeignet sind, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, in der unteren Oberfläche des Kühlbauteils 17 ausgebildet.
  • <Kernaussage der sechsten Ausführungsform>
  • Gemäß dieser fünften Ausführungsform, wie vorstehend beschrieben, ist der Verteiler 18 ähnlich zu der ersten Ausführungsform vorgesehen, und daher kann ein Kühlvermögen (z.B. eine Gleichmäßigkeit und Stabilität einer Kühlung) ähnlich zu der ersten Ausführungsform verbessert werden.
  • Weiter ist in dieser sechsten Ausführungsform die Mehrzahl von Wasserdurchlasslöchern 17c, die geeignet sind, dem Kühlwasser zu ermöglichen, von dem Verteiler 18 zu dem Lamellenteil 16 durchzufließen, in der unteren Oberfläche des Kühlbauteils 17 ausgebildet, welches den Verteiler 18 definiert. Gemäß einer solchen Anordnung kann eine gewünschte Fläche vorzugsweise durch Vorsehen des Verteilers 18 und der Wasserdurchlasslöcher 17c in der gewünschten Fläche gekühlt werden. Zum Beispiel kann die gesamte Halbleitervorrichtung (Modul) durch Vorsehen des Verteilers 18 und der Wasserdurchlasslöcher 17c unter einer Fläche, wo das Halbleiterelement 14 eine hohe Wärmeerzeugung aufweist, wirksam gekühlt werden.
  • <Modifizierte Beispiele>
  • In dem Vorstehenden kann ein Material, das eine hohe Festigkeit aufweist (Cu oder eine Al-Legierung) für mindestens eins der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 (erste bis sechste Ausführungsform), die Wasserflusssteuerungsplatte 19 (erste bis vierte Ausführungsform), den äußeren Lamellenumfangsrahmen 22 (zweite Ausführungsform) und die Wasserflusssteuerungsbauteile 24 (sechste Ausführungsform) verwendet werden. Gemäß einer solchen Anordnung kann eine Komponente, die aus einem Material besteht, das eine hohe Festigkeit aufweist, eine Funktion als eine Stütze aufweisen, und daher kann eine Festigkeit der gesamten Halbleitervorrichtung (Modul) verbessert werden. Aus diesem Grund kann ein harzbasiertes Material, das eine vergleichsweise geringe Festigkeit aufweist aber geeignet ist, in einem Gewicht reduziert zu werden, als ein Material für das Kühlbauteil 17 verwendet werden. Als eine Folge kann die Halbleitervorrichtung (Modul) einfach in Kosten, Gewicht und Größe reduziert werden. Insbesondere kann in einem Fall, in welchem ein Harz, das eine hohe Isolationseigenschaft aufweist, als ein Material für das Kühlbauteil 17 verwendet wird, ein Abstand für eine Isolierung so ausgelegt werden, dass er verglichen mit einer metallischen Gegenbeispielkomponente des Stands der Technik kurz ist, und daher kann die Halbleitervorrichtung weiter in einer Größe reduziert werden.
  • Weiter können das Lamellenteil 16 und die Wärmeübertragungsgrundplatte 11 durch ein Verbindungsteil (nicht gezeigt) zum Beispiel aus Ag oder dergleichen verbunden sein. Gemäß einer solchen Anordnung können andere Komponenten als das Lamellenteil 16 verallgemeinert werden, und eine optimale Lamelle kann für jede Gelegenheit in dem Lamellenteil 16 eingesetzt werden. Entsprechend kann eine Halbleitervorrichtung verwirklicht werden, die geeignet ist, eine angemessene Kühlung gemäß einer Situation einer Wärmeerzeugung des Halbleiterelements 14 auszuführen. Es ist zu beachten, dass in einem Fall, in welchem solch eine Wirkung unnötig ist, zum Beispiel ein Teil der Wärmeübertragungsgrundplatte 11 so bearbeitet werden kann, dass es das Lamellenteil 16 bildet.
  • Weiter kann die vorstehend beschriebene Halbleitervorrichtung in einer Invertervorrichtung vorgesehen sein, oder kann in einem Fahrzeug (z.B. einer Motorsteuerschaltung in einem Fahrzeug, das geeignet ist, durch einen Motor angetrieben zu werden) vorgesehen sein. Damit kann eine Halbleitervorrichtung, die in einem Kühlvermögen verbessert ist, als eine Halbleitervorrichtung einer Invertervorrichtung und eines Fahrzeugs verwendet werden.
  • Es ist zu beachten, dass in der vorliegenden Erfindung jede der Ausführungsformen und jedes der modifizierten Beispiele frei kombiniert werden können, und jede der Ausführungsformen und jedes der modifizierten Beispiele kann innerhalb des Gültigkeitsumfangs der Erfindung geeignet modifiziert oder weggelassen werden.
  • Die vorliegende Erfindung ist detailliert beschrieben worden, aber die vorstehende Beschreibung ist in allen Aspekten nur ein Beispiel, und die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Es wird verstanden, dass zahlreiche modifizierte Beispiele, die hier nicht dargestellt sind, angenommen werden können, ohne den Gültigkeitsumfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
  • 11 Wärmeübertragungsgrundplatte, 11b oberes Teil, 14 Halbleiterelement, 14a erstes Halbleiterelement, 14b zweites Halbleiterelement, 16 Lamellenteil, 17 Kühlbauteil, 17a Einlass, 17b Auslass, 17c Wasserdurchlassloch, 18 Verteiler, 19 Wasserflusssteuerungsplatte, 22 äußerer Lamellenumfangsrahmen, 23a Schlitz, 24 Wasserflusssteuerungsbauteil, 25a erster Schlitz, 25b zweiter Schlitz.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 11204700 [0002]
    • JP 4600199 [0002]
    • JP 2014082311 [0002]
    • JP 11297906 [0002]
    • JP 2007141872 [0002]

Claims (16)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: ein Halbleiterelement; eine Wärmeübertragungsgrundplatte, die unter dem Halbleiterelement vorgesehen ist; ein Lamellenteil, das eine Mehrzahl von vorstehenden Teilen aufweist, welche mit einer unteren Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte verbunden sind; ein Kühlbauteil, das das Lamellenteil bedeckt und mit einem Einlass, durch welchen ein in Richtung des Lamellenteils fließendes Kühlmittel einfließt, und einem Auslass, durch welchen ein von dem Lamellenteil fließendes Kühlmittel ausfließt, verbunden ist; und einen Verteiler, der eine Wasserspeicherkammer ist, welche zwischen dem Einlass und dem Lamellenteil vorgesehen ist und von dem Lamellenteil getrennt ist, sodass sie geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Einlass zu dem Lamellenteil durchzufließen.
  2. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, weiter aufweisend ein Wasserflusssteuerungsbauteil, das mit dem Lamellenteil oder der Wärmeübertragungsgrundplatte verbunden ist und den Verteiler und das Lamellenteil trennt, sodass es geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Verteiler zu dem Lamellenteil durchzufließen.
  3. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei mindestens einer von dem Einlass und dem Auslass unter dem Lamellenteil vorgesehen ist.
  4. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei: das Wasserflusssteuerungsbauteil eine Wasserflusssteuerungsplatte aufweist, die eine Oberfläche aufweist, die mit dem Lamellenteil verbunden ist; das Kühlbauteil das Lamellenteil und die Wasserflusssteuerungsplatte bedeck; und der Verteiler durch die Wasserflusssteuerungsplatte und das Kühlbauteil gebildet wird.
  5. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, weiter aufweisend einen äußeren Umfangsrahmen, der mit einer unteren Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte verbunden ist und eine Peripherie des Lamellenteils umgibt, wobei: das Wasserflusssteuerungsbauteil eine Wasserflusssteuerungsplatte aufweist, die eine obere Oberfläche, die mit dem äußeren Umfangsrahmen und dem Lamellenteil verbunden ist, und eine untere Oberfläche, die mit dem Kühlbauteil verbunden ist, aufweist; der Verteiler durch die Wasserflusssteuerungsplatte und das Kühlbauteil gebildet wird; die Wasserflusssteuerungsplatte einen Schlitz aufweist, der geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Verteiler zu dem Lamellenteil durchzufließen; und eine Fläche der Wasserflusssteuerungsplatte größer ist als jede einer Fläche eines Teils, das in einer Draufsicht durch den äußeren Umfangsrahmen umgeben ist, und einer Fläche eines Teils, das in einer Draufsicht durch ein äußeres Umfangsteil des Kühlbauteils umgeben ist.
  6. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei: das Wasserflusssteuerungsbauteil eine Wasserflusssteuerungsplatte aufweist, die eine obere Oberfläche, die mit dem Lamellenteil verbunden ist, und eine untere Oberfläche, die mit dem Kühlbauteil verbunden ist, aufweist; der Verteiler durch die Wasserflusssteuerungsplatte und das Kühlbauteil gebildet wird; die Wasserflusssteuerungsplatte einen Schlitz aufweist, der geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Verteiler zu dem Lamellenteil durchzufließen; und ein Endteil der Wasserflusssteuerungsplatte in Richtung einer Seite der Wärmeübertragungsgrundplatte gebogen ist, sodass es mit der Wärmeübertragungsgrundplatte verbunden ist und eine Peripherie des Lamellenteils umgibt.
  7. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei: das Wasserflusssteuerungsbauteil eine Wasserflusssteuerungsplatte aufweist, die eine obere Oberfläche, die mit dem Lamellenteil verbunden ist, und eine untere Oberfläche, die mit dem Kühlbauteil verbunden ist, aufweist; der Verteiler durch die Wasserflusssteuerungsplatte und das Kühlbauteil gebildet wird die Wasserflusssteuerungsplatte einen Schlitz aufweist, der geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Verteiler zu dem Lamellenteil durchzufließen; und ein Endteil der Wärmeübertragungsgrundplatte in Richtung einer Seite der Wasserflusssteuerungsplatte gebogen ist, sodass es mit der Wasserflusssteuerungsplatte verbunden ist und eine Peripherie des Lamellenteils umgibt.
  8. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei: der Einlass unter der Wärmeübertragungsgrundplatte vorgesehen ist; das Wasserflusssteuerungsbauteil lotrecht mit einer unteren Oberfläche der Wärmeübertragungsgrundplatte verbunden ist, sodass es ein oberes Teil, das ein über dem Einlass positioniertes Teil der Wärmeübertragungsgrundplatte ist, umgibt; der Verteiler durch das obere Teil, das Wasserflusssteuerungsbauteil und das Kühlbauteil gebildet wird; das Lamellenteil auf einem anderen Teil der Wärmeübertragungsgrundplatte als dem oberen Teil vorgesehen ist; und das Lamellenteil weggelassen ist, oder ein Lamellenteil, das eine geringere Höhe als das Lamellenteil aufweist, auf dem oberen Teil der Wärmeübertragungsgrundplatte vorgesehen ist.
  9. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 8, wobei: das Wasserflusssteuerungsbauteil einen ersten Schlitz, der geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Verteiler zu dem Lamellenteil, welches unter einem ersten des Halbleiterelements vorgesehen ist, durchzufließen, und einen zweiten Schlitz, der geeignet ist, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Verteiler zu dem Lamellenteil, welches unter dem zweiten des Halbleiterelements vorgesehen ist, das eine größere Wärmeerzeugung aufweist als das erste des Halbleiterelements, durchzufließen, aufweist; und eine Breite des zweiten Schlitzes größer ist als eine Breite des ersten Schlitzes.
  10. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei: der Verteiler zwischen dem Einlass und einer unteren Oberfläche des Kühlbauteils, das mit dem Einlass verbunden ist, vorgesehen ist; und eine Mehrzahl von Wasserdurchlasslöchern, die geeignet sind, einem Kühlmittel zu ermöglichen, von dem Verteiler zu dem Lamellenteil durchzufließen, in der unteren Oberfläche des Kühlbauteils ausgebildet ist.
  11. Halbleitervorrichtung gemäß Anspruch 5, wobei: mindestens eins des äußeren Umfangsrahmens und der Wasserflusssteuerungsplatte Cu oder eine AI-Legierung aufweist; und das Kühlbauteil ein harzbasiertes Material aufweist.
  12. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Mehrzahl von vorstehenden Teilen des Lamellenteils mindestens eine einer Stiftlamelle und einer Plattenlamelle aufweist.
  13. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Halbleiterelement einen Halbleiter mit breiter Bandlücke aufweist.
  14. Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Lamellenteil und die Wärmeübertragungsgrundplatte durch ein Verbindungsteil verbunden sind.
  15. Invertervorrichtung, die die Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweist.
  16. Fahrzeug, das die Halbleitervorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 aufweist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019200142A1 (de) * 2019-01-08 2020-07-09 Volkswagen Aktiengesellschaft Kühleinheit zur Abfuhr von Abwärme von zumindest einem Leistungsbauteil

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10331182B2 (en) * 2015-07-31 2019-06-25 Hewlett Packard Enterprise Development Lp Heat exchangers
CN109416036A (zh) * 2016-11-14 2019-03-01 株式会社Ihi 电动压缩机
DE102017101126B4 (de) * 2017-01-20 2021-08-19 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungselektroniksystem und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2018146816A1 (ja) * 2017-02-13 2018-08-16 新電元工業株式会社 電子機器
CN107316852B (zh) * 2017-08-08 2019-09-27 苏州能讯高能半导体有限公司 一种半导体器件的散热结构及半导体器件
JP7033443B2 (ja) * 2017-12-05 2022-03-10 昭和電工株式会社 半導体冷却装置
USD920242S1 (en) * 2018-04-13 2021-05-25 Abb Power Grids Switzerland Ag Transformer monitor
USD887355S1 (en) * 2018-04-20 2020-06-16 Delta Electronics, Inc. Inverter
CN110531571B (zh) * 2018-05-24 2021-08-24 中强光电股份有限公司 液冷式散热器
USD914594S1 (en) * 2018-06-08 2021-03-30 Siemens Ltd., China Automation demo case
USD894833S1 (en) * 2018-11-05 2020-09-01 Fuji Electric Co., Ltd. Inverter
USD889405S1 (en) * 2018-11-15 2020-07-07 Hevo, Inc. Inverter component of a charging system
US11129310B2 (en) * 2018-11-22 2021-09-21 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor module, vehicle and manufacturing method
USD896753S1 (en) * 2018-12-31 2020-09-22 Panoramic Power Ltd. Modularly connecting bridge, meter and power supply unit assembly
JP7257893B2 (ja) * 2019-06-25 2023-04-14 日立Astemo株式会社 電子制御装置
CN110377130B (zh) * 2019-07-04 2024-04-26 东莞市冰点智能科技有限公司 一种新型水冷散热器
DE102020207966A1 (de) * 2019-11-25 2021-05-27 Volkswagen Aktiengesellschaft Kühlanordnung für elektronische Komponenten eines Kraftfahrzeugs
WO2021155018A1 (en) * 2020-01-30 2021-08-05 Colorado State University Research Foundation Jet impingement cooling devices, systems, and methods
JP7474629B2 (ja) 2020-03-31 2024-04-25 株式会社フジクラ コールドプレート
JP7380417B2 (ja) * 2020-05-21 2023-11-15 株式会社デンソー 電力変換装置
CN114121849A (zh) * 2020-08-27 2022-03-01 讯凯国际股份有限公司 水冷散热装置及其制造方法
US11482482B2 (en) * 2020-09-11 2022-10-25 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Substrate structures, methods for forming the same and semiconductor device structures comprising the same
CN113377180A (zh) * 2021-06-16 2021-09-10 英业达科技有限公司 液冷式散热器
US20230284414A1 (en) * 2022-03-04 2023-09-07 Aavid Thermalloy, Llc Liquid cooled heat exchanger
WO2023171529A1 (ja) * 2022-03-07 2023-09-14 ニデック株式会社 冷却装置、放熱部材、および半導体モジュール
JP2023150887A (ja) * 2022-03-31 2023-10-16 三菱重工業株式会社 冷却装置
CN114975405B (zh) * 2022-05-27 2024-06-07 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 一种晶圆封装系统及其制备方法

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1071156A (en) * 1911-12-21 1913-08-26 John Haug Internal-combustion engine.
JPH0783078B2 (ja) * 1987-09-11 1995-09-06 株式会社日立製作所 半導体冷却装置
US5316075A (en) * 1992-12-22 1994-05-31 Hughes Aircraft Company Liquid jet cold plate for impingement cooling
JPH11204700A (ja) 1998-01-19 1999-07-30 Hitachi Ltd 放熱フィン一体型パワーモジュール
JPH11297906A (ja) 1998-03-23 1999-10-29 Motorola Inc 電子アセンブリおよび製造方法
US20040217472A1 (en) * 2001-02-16 2004-11-04 Integral Technologies, Inc. Low cost chip carrier with integrated antenna, heat sink, or EMI shielding functions manufactured from conductive loaded resin-based materials
JP4138562B2 (ja) * 2002-04-18 2008-08-27 株式会社日立製作所 車両用インバータ装置及びそれを搭載した電動車両
JP4600199B2 (ja) 2005-07-29 2010-12-15 三菱マテリアル株式会社 冷却器及びパワーモジュール
JP4672529B2 (ja) 2005-11-14 2011-04-20 トヨタ自動車株式会社 冷却装置
JP5024600B2 (ja) * 2007-01-11 2012-09-12 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 発熱体冷却構造及びその構造を備えた駆動装置
US20080230208A1 (en) * 2007-03-22 2008-09-25 Claus Nygaard Rasmussen Liquid Cooling System Cold Plate Assembly
CA2688583C (en) * 2007-06-11 2013-05-14 Mitsubishi Electric Corporation Electric power converting apparatus
US9453691B2 (en) * 2007-08-09 2016-09-27 Coolit Systems, Inc. Fluid heat exchange systems
US7834448B2 (en) * 2007-09-05 2010-11-16 Delphi Technologies, Inc. Fluid cooled semiconductor power module having double-sided cooling
US20090114373A1 (en) 2007-11-02 2009-05-07 Calsonic Kansei Corporation Heat exchanger
JP4445566B2 (ja) 2007-11-02 2010-04-07 カルソニックカンセイ株式会社 熱交換器
US8210243B2 (en) * 2008-07-21 2012-07-03 International Business Machines Corporation Structure and apparatus for cooling integrated circuits using cooper microchannels
JP5013213B2 (ja) * 2008-10-29 2012-08-29 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 発熱体冷却装置
US7952875B2 (en) * 2009-05-29 2011-05-31 GM Global Technology Operations LLC Stacked busbar assembly with integrated cooling
WO2011049067A1 (ja) * 2009-10-22 2011-04-28 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、パワーモジュール、パワーモジュール用基板の製造方法及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
US8243451B2 (en) * 2010-06-08 2012-08-14 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Cooling member for heat containing device
EP2468170A1 (de) * 2010-12-21 2012-06-27 Electrolux Home Products Corporation N.V. Tischplatten-Geschirrspüler
US20120175094A1 (en) * 2011-01-10 2012-07-12 Asetek A/S Liquid Cooling System Cold Plate Assembly
CN103503131B (zh) * 2011-04-26 2016-07-06 富士电机株式会社 半导体模块用冷却器以及半导体模块
CN103477432B (zh) * 2011-05-16 2017-06-20 富士电机株式会社 半导体模块冷却器
US8526186B2 (en) * 2011-07-11 2013-09-03 Texas Instruments Incorporated Electronic assembly including die on substrate with heat spreader having an open window on the die
US9355986B2 (en) * 2012-02-14 2016-05-31 Mitsubishi Materials Corporation Solder joint structure, power module, power module substrate with heat sink and method of manufacturing the same, and paste for forming solder base layer
US9219022B2 (en) * 2012-03-08 2015-12-22 International Business Machines Corporation Cold plate with combined inclined impingement and ribbed channels
JP6060553B2 (ja) * 2012-04-06 2017-01-18 株式会社豊田自動織機 半導体装置
KR101540146B1 (ko) * 2012-06-22 2015-07-28 삼성전기주식회사 전력 모듈용 방열 시스템
US20140004376A1 (en) * 2012-06-28 2014-01-02 Robert J. Gaster Hard-faced composite article
WO2014045766A1 (ja) * 2012-09-19 2014-03-27 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2014082311A (ja) 2012-10-16 2014-05-08 Toyota Motor Corp 衝突噴流冷却器およびその製造方法
JP2014135396A (ja) * 2013-01-10 2014-07-24 Fujitsu Ltd 冷却ヘッド及び電子機器
US9374855B2 (en) * 2013-10-24 2016-06-21 Osram Sylvania Inc. Power line communication for lighting systems
JP6164304B2 (ja) * 2013-11-28 2017-07-19 富士電機株式会社 半導体モジュール用冷却器の製造方法、半導体モジュール用冷却器、半導体モジュール及び電気駆動車両
CN105308743B (zh) * 2013-12-19 2018-01-09 富士电机株式会社 半导体模块及电驱动车辆
US9282681B2 (en) * 2014-01-21 2016-03-08 Seagate Technology Llc Dissipating heat during device operation
JP6098760B2 (ja) * 2014-05-20 2017-03-22 富士電機株式会社 半導体モジュール用冷却器及びその製造方法
JP6318857B2 (ja) * 2014-05-27 2018-05-09 富士通株式会社 ヒートシンク及び基板ユニット
JP6315091B2 (ja) * 2014-06-19 2018-04-25 富士電機株式会社 冷却器及び冷却器の固定方法
JP6365691B2 (ja) * 2015-01-22 2018-08-01 三菱電機株式会社 半導体装置
JP6351804B1 (ja) * 2017-07-06 2018-07-04 株式会社ケーヒン 電力変換装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019200142A1 (de) * 2019-01-08 2020-07-09 Volkswagen Aktiengesellschaft Kühleinheit zur Abfuhr von Abwärme von zumindest einem Leistungsbauteil

Also Published As

Publication number Publication date
US10388589B2 (en) 2019-08-20
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