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TECHNISCHES GEBIET
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle und auf die Solarzelle.
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STAND DER TECHNIK
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In den letzten Jahren werden Solarzellen, die Solarenergie direkt in elektrische Energie umwandeln, zunehmend und schnell als eine Energiequelle für die nächste Generation insbesondere im Hinblick von globalen Umgebungsbedürfnissen erwartet. Während es eine Vielzahl von Solarzellen gibt, wie solche, die Verbindungshalbleiter, organisches Material und/oder dergleichen verwenden, sind solche, die einen Siliziumkristall einsetzen, gegenwärtig vorherrschend.
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Ein Typ einer Solarzelle, der gegenwärtig zumeist hergestellt und verkauft wird, hat eine Struktur mit einer Lichtempfangsoberfläche und einer Oberfläche entgegengesetzt zu der Lichtempfangsoberfläche (d. h. einer Rückseite), die jeweils mit Elektroden versehen sind.
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6 zeigt eine schematische Draufsicht einer Lichtempfangsoberfläche einer herkömmlichen Solarzelle, die in der
japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 2004-014566 (PTD 1) offenbart ist, und
7 zeigt einen schematischen Querschnitt längs einer in
6 dargestellten Linie VII-VII.
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Wie in 7 gezeigt ist, hat eine in PTD 1 beschriebene herkömmliche Solarzelle 101 eine n-Typ-Fremdstoffdiffusionsschicht 104, die auf einer Oberfläche eines p-Typ-Siliziumsubstrats 103 als ein Basisglied enger zu einer Lichtempfangsoberfläche 121 der Solarzelle 101 gebildet ist. Weiterhin ist ein Antireflexionsfilm 105 gebildet, um die n-Typ-Fremdstoffdiffusionsschicht 104 zu bedecken.
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Weiterhin ist, wie in 6 und 7 gezeigt ist, auf der Lichtempfangsoberfläche 121 eine Elektrodeneinheit 102 durch eine Silberelektrode gebildet. Die Elektrodeneinheit 102 ist aus einem Hauptgitter 102a und einem Untergitter 102b gestaltet.
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Weiterhin ist, wie in 7 gezeigt ist, auf einer Rückseite 122 entgegengesetzt zu der Lichtempfangsoberfläche 121 der Solarzelle 101 eine Rückseitenfeld-(BSF-)Schicht 106 gebildet, die eine p+-Typ-Schicht ist. Weiterhin ist auf einer Rückseite 122 eine Aluminiumelektrode 107 gebildet, um die BSF-Schicht 106 zu bedecken, und eine Silberelektrode 108 ist gebildet, um teilweise die Aluminiumelektrode 107 zu überlappen.
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Die Elektrodeneinheit 102 auf der Lichtempfangsoberfläche 121 der Solarzelle 101 ist gebildet durch Drucken einer Silberpaste durch ein Schirm- bzw. Siebdruckverfahren und deren Trocknen und dann deren Brennen in einer oxidierenden Atmosphäre. Beim Brennen der Silberpaste durchdringt die Elektrodeneinheit 102 den Antireflexionsfilm 105 durch Brenndurchgang und wird mit der n-Typ-Diffusionsschicht 104 in Kontakt gebracht. Weiterhin werden in dem Schirmdruckverfahren für die Silberpaste die Muster des Hauptgitters 102a und Untergitters 102b in einem einzigen Schritt gebildet, der die gleiche Silberpaste verwendet.
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ENTGEGENHALTUNGSLISTE
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PATENTDOKUMENT
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- PTD 1: Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 2004-014566
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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TECHNISCHES PROBLEM
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Da Solarenergieerzeugungssysteme sich rasch weit verbreiten, ist es wesentlich, Solarzellen wenig aufwendig herzustellen. Ein effektives Mittel, um wenig aufwendig Solarzellen zu erzeugen, liegt darin, die Menge an Silber, die in der Elektrodeneinheit 102 verwendet ist, zu verringern.
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Ein Reduzieren der Menge an Silber, das in der Elektrodeneinheit 102 verwendet ist, neigt dazu, das Betriebsverhalten bzw. die Performance einer Solarzelle aufgrund einer Steigerung des Widerstandes der Elektrodeneinheit 102 signifikant zu beeinträchtigen.
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Im Hinblick auf die obigen Umstände ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle und eine solche Solarzelle anzugeben, in welchen bzw. welcher eine Menge an Silber, das in einer Elektrode verwendet ist, reduziert werden kann, ohne wesentlich die Performance der Solarzelle zu beeinträchtigen.
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LÖSUNG FÜR PROBLEM
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Die vorliegende Erfindung sieht ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle vor, das den Schritt eines Bildens einer Hauptgitterelektrode und einer Untergitterelektrode auf einer Oberfläche eines Substrats umfasst, wobei ein Silbergehalt in einer Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode verwendet wird, niedriger ist als ein Silbergehalt in einer Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode verwendet ist.
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In dem vorliegenden Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle ist vorzugsweise ein Glasfrittegehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode verwendet wird, höher als ein Glasfrittegehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode verwendet wird.
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Weiterhin ist in dem vorliegenden Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle vorzugsweise ein Verhältnis des Glasfrittegehalts zu dem Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode verwendet wird, höher als ein Verhältnis des Glasfrittegehalts zu dem Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode verwendet wird.
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Weiterhin ist in dem vorliegenden Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle vorzugsweise ein Erweichungspunkt einer Glasfritte in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode verwendet wird, niedriger als ein Erweichungspunkt einer Glasfritte in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode verwendet wird.
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Weiterhin ist in dem vorliegenden Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle vorzugsweise ein BET-Wert von Silber in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode verwendet wird, größer als ein BET-Wert von Silber in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode verwendet wird.
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Weiterhin ist in dem vorliegenden Verfahren zum Erzeugen einer Solarzelle vorzugsweise eine Dicke in einem Mittenteil der Hauptgitterelektrode dünner als eine Dicke in einem Mittenteil der Untergitterelektrode.
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Weiterhin sieht die vorliegende Erfindung eine Solarzelle vor, die die Hauptgitterelektrode und die Untergitterelektrode auf einer Oberfläche eines Substrats umfasst, wobei der Silbergehalt in der Hauptgitterelektrode niedriger ist als der Silbergehalt in der Untergitterelektrode
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VORTEILHAFTER EFFEKT DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung kann so ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle und eine solche Solarzelle vorsehen, in welchem bzw. in welcher eine Menge an Silber, die in einer Elektrode verwendet wird, reduziert werden kann, ohne wesentlich die Performance der Solarzelle zu beeinträchtigen.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist eine schematische Draufsicht einer Lichtempfangsoberfläche eines Beispiels einer Solarzelle nach der vorliegenden Erfindung.
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2 ist eine schematische perspektivische Darstellung eines Teiles, der durch einen in 1 gezeigten Kreis umgeben ist.
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3 ist eine schematische Draufsicht von Verbindungsteilen einer Hauptgitterelektrode und einer Untergitterelektrode.
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4(a) ist eine schematische Vordersicht eines Zustandes von zwei Solarzellen, die in Reihe verbunden sind, und 4(b) ist eine schematische Seitensicht des in 4(a) gezeigten Zustandes.
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5(a) ist eine schematische Vordersicht von Verbindungsteilen einer Hauptgitterelektrode und einer Untergitterelektrode, 5(b) ist ein schematischer Querschnitt längs einer Linie Vb-Vb, die in 5(a) gezeigt ist, und
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5(c) ist eine schematische Konzeptdarstellung zum Veranschaulichen eines Zustandes von Silberpulver an einem Teil, der durch einen in 5(b) gezeigten Kreis umgeben ist.
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6 ist eine schematische Draufsicht einer Lichtempfangsoberfläche einer herkömmlichen Solarzelle, die in PTD 1 beschrieben ist.
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7 ist ein schematischer Querschnitt längs einer Linie VII-VII, die in 6 gezeigt ist.
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BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN
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Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden beschrieben. In den Zeichnungen der vorliegenden Erfindung haben die gleichen oder entsprechende Elemente die gleichen ihnen zugeordneten Bezugszeichen.
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1 zeigt ein schematische Draufsicht einer Lichtempfangsoberfläche eines Beispiels einer Solarzelle der vorliegenden Erfindung, und 2 zeigt eine schematische perspektivische Darstellung eines durch einen in 1 gezeigten Kreis umgebenen Teiles. Eine in den 1 und 2 gezeigte Solarzelle 11 kann beispielsweise wie folgt hergestellt werden:
Anfänglich wird ein p-Typ-Einkristall-Si-Substrat 1 geätzt und so texturiert. Danach wird eine Phosphortitanglas-(PTG-)Flüssigkeit, die Isopropoxytitanat mit einer darin enthaltenen Phosphorverbindung enthält, auf eine Lichtempfangsoberfläche (Vorderfläche) des p-Typ-Einkristall-Si-Substrats 1 zur Einwirkung gebracht und danach getrocknet.
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Sodann wird das p-Typ-Einkristall-Si-Substrat 1 mit der dort aufgebrachten und dann getrockneten PTG-Flüssigkeit auf beispielsweise 800°C bis 900°C erwärmt, um Phosphor in das p-Typ-Einkristall-Si-Substrat 1 zu diffundieren, um gleichzeitig eine n-Typ-Fremdstoffdiffusionsschicht 2 und ein Antireflexionsfilm 3 zu bilden, der aus TiOx gebildet ist, das Phosphor enthält. Die so gebildete n-Typ-Fremdstoffdiffusionsschicht 2 hat einen Schichtwiderstand von beispielsweise angenähert 45 Ohm/Quadrat.
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Dann werden auf der kein Licht empfangenden Oberfläche (Rückseite) des p-Typ-Einkristall-Si-Substrats 1 eine Silberpaste, die zum Bilden einer Rückseiten-Silberelektrode 7 verwendet wird, und eine Aluminiumpaste, die zum Bilden einer Aluminiumelektrode 8 verwendet wird, gedruckt und danach getrocknet. Weiterhin wird auf der Lichtempfangsoberfläche (Vorderseite) des p-Typ-Einkristall-Si-Substrats 1 eine Silberpaste, die zum Bilden einer Untergitterelektrode 5 verwendet wird, gedruckt, und anschließend wird eine Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, gedruckt. Nachdem die Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, und die Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, gedruckt sind, werden sie getrocknet.
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Die Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, ist verschieden von der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, so dass ein Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, niedriger ist als ein Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird.
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Die Silberpaste und die Aluminiumpaste können beispielsweise durch ein Schirm- bzw. Siebdruckverfahren wie folgt gedruckt werden: ein Schirm oder ein Sieb mit einer Öffnung, die in gewünschter Weise gemustert ist, wird verwendet, um eine Paste zur Bildung eines Elektrodenmusters zu walzen bzw. zu glätten. Hier ist die Silberpaste eine Paste, die Silber enthält, um als eine Hauptkomponente eines elektrischen leitenden Materials zu dienen, und die Aluminiumpaste ist eine Paste, die Aluminium enthält, um als eine Hauptkomponente eines elektrisch leitenden Materials zu dienen.
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Danach werden, nachdem alle Elektrodenmuster gedruckt sind, die Silberpaste und die Aluminiumpaste beispielsweise bei ungefähr 800°C gebrannt. Wenn die Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, und die Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, eine Brenndurchgangseigenschaft haben, dringen die Silberpasten in den Antireflexionsfilm 3 ein und sind elektrisch mit der n-Typ-Fremdstoffdiffusionsschicht 2 verbunden.
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Weiterhin bildet das Brennen der Aluminiumpaste ein p-Typ-Einkristall-Si-Substrat 1 mit einer BSF-Schicht 6, die eine p+-Schicht ist. Eine Solarzelle 11 ist so hergestellt.
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3 zeigt eine schematische Draufsicht von Verbindungsteilen der Hauptgitterelektrode 4 und der Untergitterelektrode 5. Um eine Menge der Silberpaste zu reduzieren, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, ist die Untergitterelektrode 5 an einem Teil hiervon, der die Hauptgitterelektrode 4 überlappt, unterteilt.
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Hier kann die Untergitterelektrode 5 gebildet werden, um beispielsweise eine Strecken- bzw. Leitungsbreite von angenähert 80 μm und eine mittlere Dicke von angenähert 15 μm zu haben. Weiterhin kann die Hauptgitterelektrode 4 gebildet werden, um beispielsweise eine Leitungs- bzw. Streckenbreite von angenähert 3 mm aufzuweisen und einen mittleren Teil mit einem flachen Teil zu haben, der eine Dicke von angenähert 15 μm aufweist.
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4(a) zeigt eine schematische Vordersicht eines Zustandes von zwei Solarzellen 11, die in Reihe verbunden sind, und 4(b) zeigt eine schematische Seitensicht des in 4(a) dargestellten Zustandes. Die 4(a) und 4(b) zeigen eine Struktur einer Solarzelle 11 in einer vereinfachten Form.
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Wie in den 4(a) und 4(b) gezeigt ist, werden allgemein mehrere Solarzellen 11 in einer Reihenverbindung verwendet. Ein Zwischenverbinder 9 ist ein Verbindungsglied zum Verbinden der Solarzellen 11 in Reihe und verbindet eine Hauptgitterelektrode 4 auf der vorderen Oberfläche einer Solarzelle 11 und eine Rückseiten-Silberelektrode 7 auf der Rückseite einer anderen Solarzelle 11. Der Zwischenverbinder 9 kann beispielsweise über Lot verbunden sein. Der Zwischenverbinder 9 kann eine Breite von beispielsweise angenähert 2 mm haben.
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Die Untergitterelektrode 5 und die Hauptgitterelektrode 4 müssen Eigenschaften haben, wie dies weiter unten beschrieben wird. Die Untergitterelektrode 5 dient zum Sammeln eines Fotostroms, der in der Solarzelle 11 mit einem Minimalverlust von einem Ende der Untergitterelektrode 5 zur Hauptgitterelektrode 4 für einen Abstand von einigen Zentimetern erzeugt ist, und daher muss sie klein im Widerstand sein. Als solches ist ein Verringern eines Silbergehalts in einer Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, infolge eines zunehmenden Widerstandes nicht vorteilhaft.
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Die Hauptgitterelektrode 4 und die Untergitterelektrode 5 werden aus gebranntem Silber gebildet, das etwa um eine Ziffer bzw. Größenordnung im spezifischen Widerstand höher ist als reines Silber. Dagegen ist der Zwischenverbinder 9 ein mit Lot beschichteter Kupferdraht und kann im spezifischen Widerstand mit reinem Kupfer vergleichbar sein.
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Demgemäß dient die Hauptgitterelektrode 4 nicht zum Leiten eines Stromes über eine lange Distanz; vielmehr dient sie zum Leiten eines Stromes, der durch die Untergitterelektrode 5 erzeugt ist, zum Zwischenverbinder 4. Der Strom verläuft durch die Hauptgitterelektrode 4 für einen Abstand gleich zu der oder kleiner als die Breite der Hauptgitterelektrode 4 und damit kürzer als ein Abstand, den der Strom durch die Untergitterelektrode 4 verläuft, und der Strom wird nicht so viel durch den Widerstand der Hauptgitterelektrode 4 verloren.
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Selbst wenn als solches der Widerstand der Hauptgitterelektrode 4 aufgrund einer Reduktion eines Silbergehalts in einer Silberpaste hoch ist, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, hat dies nicht einen signifikanten Effekt auf die Performance bzw. das Betriebsverhalten der Solarzelle 11. Die vorliegenden Erfinder haben dies festgestellt und versucht, den Silbergehalt in der zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendeten Silberpaste bis zu einem Ausmaß zu verringern, das nicht wesentlich die Performance bzw. das Betriebsverhalten der Solarzelle 11 beeinträchtigt.
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Weiterhin werden in dem Fall, in welchem eine zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendete Silberpaste verschieden ist von einer zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendeten Silberpaste ein niedriger Widerstand zwischen diesen Elektroden, eine hohe Haftstärke zwischen diesen Elektroden und Zuverlässigkeit für eine lange Dauer von diesen Elektroden gefordert.
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Weiterhin kann die Hauptgitterelektrode 4 externe Kraft von dem Zwischenverbinder 9 empfangen. Demgemäß muss die Hauptgitterelektrode 4 eine hohe Haftstärke haben, um sicher an einer Oberfläche der Solarzelle 11 zu haften, und Zuverlässigkeit für eine lange Dauer zeigen, um nicht durch die externe Kraft von der Solarzelle 11 abgeschält zu werden. Um derartige Bedingungen zu erfüllen, haben die vorliegenden Erfinder verschiedene Bedingungen geprüft, wie beispielsweise eine Menge an Glasfritte in einer Silberpaste.
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Beispiele
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Im Folgenden werden Beispiele der Erfindung näher erläutert.
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In den folgenden Beispielen wurde die Untergitterelektrode 5 von dem gleichen Typ einer Silberpaste gebildet, wohingegen die Hauptgitterelektrode 4 aus einer Vielzahl von Typen von Silberpasten gebildet wurde, um deren Eigenschaften zu prüfen.
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Es sei darauf hingewiesen, dass die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendete Silberpaste als eine Referenzsilberpaste dient. Es sei darauf hingewiesen, dass die in den folgenden Beispielen verwendeten Silberpasten alle eine Brandübertragungseigenschaft haben.
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<Beispiele 1–4>
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In Beispielen 1–4 werden Solarzellen von Beispielen 1–4 hergestellt, indem eine Silberpaste verwendet wird, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, wobei ein Silbergehalt und ein Glasfrittegehalt verändert werden. Weiterhin wird in den Beispielen 1–4 die Referenzsilberpaste beim Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet. Weiterhin wird als eine Referenz eine Referenzsolarzelle ebenfalls hergestellt, indem die Referenzsilberpaste beim Bilden der Hauptgitterelektrode und der Untergitterelektrode 5, also beiden Elektroden, verwendet wird.
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Tabelle 1 zeigt die Eigenschaften der Solarzellen der Beispiele 1–4 und der Referenzsolarzelle. Tabelle 1
| Beispiel 1 | Beispiel 2 | Beispiel 3 | Beispiel 4 | Referenz |
Silbergehalt (%) | 80 | 78 | 80 | 70 | 83 |
Glasfrittegehalt (Gew.-%) | 1,6 | 1,6 | 3,6 | 4,1 | 1,5 |
Verhältnis von Glasfrittegehalt/Silbergehalt (%) | 2 | 2,1 | 4,5 | 5,8 | 1,8 |
Silbergehaltverhältnis (%) | 96,4 | 94,0 | 96,4 | 84,3 | 100 |
Maximales Leistungsverhältnis (%) | 100,4 | 100,1 | 99,7 | 99,9 | 100 |
Haftstärke | A | A | A | A | A |
Zuverlässigkeit | A | A | A | A | A |
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Anfänglich wird jede der Größen von Tabelle 1 beschrieben.
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Der ”Silbergehalt” und ”Glasfrittegehalt”, die in Tabelle 1 gezeigt sind, beziehen sich jeweils auf einen Silbergehalt in einer Silberpaste und ein Glasfrittegehalt in einer Silberpaste. Der ”Silbergehalt” und ”Glasfrittegehalt”, gezeigt in Tabelle 1, sind durch Gew.-% (Prozent je Masse) dargestellt.
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Das ”Verhältnis von Glasfrittegehalt/Silbergehalt”, das in Tabelle 1 angegeben ist, bezieht sich auf ein Verhältnis eines Glasfrittegehalts zu einem Silbergehalt in einer Silberpaste. Das ”Verhältnis von Glasfrittegehalt/Silbergehalt” ist durch Prozent dargestellt.
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Das in Tabelle 1 angegebene ”Silbergehaltverhältnis” bezieht sich auf ein Verhältnis eines Silbergehalts in jeder der Silberpasten zu dem Silbergehalt in dem Referenzsilbergehalt. In Tabelle 1 bedeutet das ”Silbergehaltverhältnis” kleiner als 100%, dass eine Verwendung von Silber reduziert werden kann.
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Das ”maximale Leistungsverhältnis”, das in Tabelle 1 angegeben ist, bezieht sich auf ein Verhältnis von jeder der maximalen Leistungen (Pm) der Solarzellen der Beispiele 1–4 und der maximalen Leistung (Pm) der Referenzsolarzelle, die mittels der Referenzsilberpaste beim Herstellen der Hauptgitterelektrode 4 und der Untergitterelektrode 5, also beiden Elektroden, verwendet wird. In Tabelle 1 bedeutet das ”maximale Leistungsverhältnis” um 100% dass die Solarzelle Eigenschaften hat, die äquivalent zu denjenigen der Referenzsolarzelle sind.
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Die in Tabelle angegebene ”Haftstärke” bezieht sich auf eine Haftstärke der Hauptgitterelektrode 4. Ein Zwischenverbinder 9, der eine Breite von 2,0 mm und eine Dicke von 0,5 mm aufweist und mit Lot beschichtet ist, wurde auf die Hauptgitterelektrode 4 von jeder der Solarzellen der Beispiele 1–4 und der Referenzsolarzelle gelötet und in einer Richtung unter einem Winkel von 45 Grad abgezogen, und eine Solarzelle mit dem Zwischenverbinder 9, die eine Abschälstärke gleich zu oder größer als 2 N hat, wird als eine bestandene Solarzelle erkannt. In der Spalte von ”Haftstärke” von Tabelle 1 ist eine Solarzelle, die in der Haftstärke bestanden hat, durch ”A” dargestellt, und eine Solarzelle, die in der Haftstärke zurückgewiesen wurde, ist durch ”B” angegeben.
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Die in Tabelle angegebene ”Zuverlässigkeit” anerkennt von den Solarzellen der Beispiele 1–4 und der Referenzsolarzelle eine Solarzelle, die 98% oder mehr ihrer maximalen Leistung zurückbehält, nachdem die Solarzelle in einer Umgebung von 85°C in der Temperatur und 85% in der Feuchtigkeit für 500 Stunden belassen wurde, als eine bestandene Solarzelle. Auch in der Spalte von ”Zuverlässigkeit” von Tabelle 1 ist eine Solarzelle, die in der Zuverlässigkeit bestanden hat, durch ”A” angegeben, und eine Solarzelle, die in der Zuverlässigkeit zurückgewiesen wurde, wird durch ”B” wiedergegeben.
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Anfänglich hat gemäß dem Ergebnis der Referenzsilberpaste, das in Tabelle 1 gezeigt ist, die Referenzsilberpaste in der Haftstärke und der Zuverlässigkeit bestanden. Es kann so gesehen werden, dass die Referenzsolarzelle, die wenigstens die Hauptgitterelektrode 4 und die Untergitterelektrode 5 beide aus der Referenzsilberpaste gebildet hat, im praktischen Gebrauch beständig ist.
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Danach war gemäß den Ergebnissen der Solarzellen der Beispiele 1–4 der Silbergehalt in der Silberpaste in jeder der Solarzellen der Beispiele 1–4 kleiner als 100% Demgemäß kann gesehen werden, dass der Gebrauch von Silber reduziert werden kann. Weiterhin ist der Glasfrittegehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 in jeder der Solarzellen der Beispiele 1 bis 4 verwendet wird, größer als derjenige der Referenzsilberpaste (1,5 Gew.-%), was gleichwertig zu oder größer als 1,6 Gew.-% ist. Darüber hinaus ist das Verhältnis von Glasfrittegehalt/Silbergehalt in der zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendeten Silberpaste von jeder der Solarzellen der Beispiele 1–4 größer als dasjenige der Referenzsilberpaste (1,8%), was gleichwertig zu oder größer als 2% ist.
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Andererseits ist das maximale Leistungsverhältnis von jeder der Solarzellen der Beispiele 1–4 von 99,7% bis 100,4% und zeigt so nicht eine wesentliche Differenz im Betriebsverhalten bzw. in der Performance. Weiterhin hat jede der Solarzellen der Beispiele 1–4 in der Haftstärke und der Zuverlässigkeit, also in beiden Größen, bestanden.
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Somit hat sich gezeigt, dass durch Verringern des Silbergehalts in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptelektrode 4 verwendet wird, unter den Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, der Gebrauch an Silber reduziert werden konnte, ohne wesentlich das Betriebsverhalten bzw. die Performance von jeder der Solarzellen der Beispiele 1–4 zu beeinträchtigen.
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Weiterhin hat sich gezeigt, dass durch Verringern des Glasfrittegehalts in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, unter den Glasfrittegehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, selbst dann, wenn der Gebrauch an Silber in der Silberpaste reduziert wurde, die Solarzellen in der Lage sind, ein Betriebsverhalten bzw. eine Performance gleichwertig zu derjenigen der Solarzelle zu haben, die mittels der Referenzsilberpaste gebildet wurde. Somit wird in diesem Fall eine Kostenreduktion erreicht, ohne wesentlich die Performance von jeder der Solarzellen zu beeinträchtigen.
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Weiterhin hat sich gezeigt, dass durch Vergrößern des Verhältnisses des Glasfrittegehalts zu dem Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, über das Verhältnis des Glasfrittegehalts zu dem Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, selbst dann, wenn der Gebrauch an Silber in der Silberpaste reduziert wurde, die Solarzellen in der Lage sind, die Performance zu haben, die äquivalent zu derjenigen von der Solarzelle ist, die mittels der Referenzsilberpaste gebildet wurde. Somit wird in diesem Fall eine Kostenreduktion erreicht, ohne wesentlich die Performance von jeder der Solarzellen zu beeinträchtigen.
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<Beispiele 5–8>
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In Beispielen 5–8 wurden die Solarzellen von Beispielen 5–8 hergestellt, indem eine zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendete Silberpaste benutzt wird, in welcher ein Silbergehalt und ein Erweichungspunkt der Glasfritte verändert und deren Eigenschaften geprüft wurden. Weiterhin wurde in den Beispielen 5–8 die Referenzsilberpaste beim Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet. Weiterhin wurde als eine Referenz, wie dies oben erläutert wurde, auch eine Referenzsolarzelle mittels der Referenzsilberpaste beim Bilden der Hauptgitterelektrode 4 und der Untergitterelektrode 5, also von beiden Elektroden hergestellt.
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Tabelle 2 zeigt die Eigenschaften der Solarzellen der Beispiele 5–8 und der Referenzsolarzelle. Tabelle 2
| Beispiel 5 | Beispiel 6 | Beispiel 7 | Beispiel 8 | Referenz |
Silbergehalt (%) | 80 | 78 | 80 | 70 | 83 |
Glasfritte-Erweichungspunkt (°C) | 550 | 460 | 460 | 560 | 590 |
Differenz in Erweichungspunkt von Untergitter (°C) | –40 | –130 | –130 | –30 | 0 |
Silbergehaltverhältnis (%) | 96,4 | 94,0 | 96,4 | 84,3 | 100 |
Maximales Leistungsverhältnis (%) | 100,4 | 100,1 | 99,7 | 99,9 | 100 |
Haftstärke | A | A | A | A | A |
Zuverlässigkeit | A | A | A | A | A |
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Von den Größen von Tabelle 2 werden lediglich diejenigen beschrieben, die verschieden von denjenigen von Tabelle 1 sind.
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Der in Tabelle 2 angegebene ”Glasfritte-Erweichungspunkt” bezieht sich auf den Erweichungspunkt der Glasfritte in jeder der Silberpasten, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 von jeder der Solarzellen der Beispiele 5–8 verwendet werden.
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Die in Tabelle 2 angegebene ”Differenz im Erweichungspunkt von Untergitter” bezieht sich auf eine Differenz in der Temperatur zwischen dem Erweichungspunkt der Glasfritte in der zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 von jeder der Solarzellen der Beispiele 5–8 verwendeten Silberpaste und dem Erweichungspunkt von 590°C der Referenzsilberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet ist.
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Wie in Tabelle 2 gezeigt ist, ist der Silbergehalt in der zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 von jeder der Solarzellen der Beispiele 5–8 verwendeten Silberpaste kleiner als 100%. Demgemäß kann so gesehen werden, dass der Gebrauch von Silber reduziert werden kann.
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Weiterhin ist der Erweichungspunkt der Glasfritte in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 in jeder der Solarzellen der Beispiele 5–8 verwendet ist, niedriger als der Erweichungspunkt (590°C) der Glasfritte der Referenzsilberpaste, was gleich zu oder niedriger als 560°C ist.
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Andererseits ist das maximale Leistungsverhältnis von jeder der Solarzellen der Beispiele 5–8 von 99,7% bis 100,4% und zeigt somit keine wesentliche Differenz in der Performance bzw. im Betriebsverhalten von der Referenzsolarzelle. Weiterhin haben die Solarzellen der Beispiele 5–8 in der Haftstärke und der Zuverlässigkeit beide bestanden.
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Aus den obigen Ergebnissen kann geschlossen werden, dass durch Vermindern des Silbergehalts in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, unter den Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, der Gebrauch an Silber in der Silberpaste reduziert werden kann.
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Weiterhin hat sich gezeigt, dass durch Verringern des Erweichungspunkts der Glasfritte in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, unter den Erweichungspunkt der Glasfritte in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, selbst dann, wenn der Gebrauch an Silber in der Silberpaste reduziert wird, die Solarzellen in der Lage sind, die Performance bzw. das Betriebsverhalten äquivalent zu derjenigen bzw. demjenigen der Solarzelle zu machen, bei der die Hauptgitterelektrode 4 mittels der Referenzsilberpaste gebildet ist. Somit wird in diesem Fall eine Kostenreduktion erreicht, ohne wesentlich das Betriebsverhältnis bzw. die Performance von jeder der Solarzellen zu beeinträchtigen.
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<Beispiele 9–12>
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In den Beispielen 9–12 werden die Solarzellen der Beispiele 9–12 hergestellt, indem eine Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 eingesetzt wird, verwendet wird, in welcher der Silbergehalt und der BET-Wert (Brunaure Emmett Teller Value) eines Silberpulvers verändert werden und indem deren Eigenschaften geprüft werden. Als eine Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 von jeder der Solarzellen der Beispiele 9–12, wie oben erläutert, verwendet wird, wird die Referenzsilberpaste eingesetzt. Weiterhin wird als eine Referenz, wie oben erläutert wurde, ebenfalls eine Referenzsolarzelle hergestellt, indem die Referenzsilberpaste beim Herstellen der Hauptgitterelektrode 4 und der Untergitterelektrode 5, also bei beiden Elektroden, verwendet wird.
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Die Tabelle 3 zeigt die Eigenschaften der Solarzellen der Beispiele 9–12 und der Referenzsolarzelle. Tabelle 3
| Beispiel 9 | Beispiel 10 | Beispiel 11 | Beispiel 12 | Referenz |
Silbergehalt (%) | 80 | 78 | 80 | 70 | 83 |
Klassifizierung von BET-Wert des Silberpulvers | Groß | Groß | Groß | Groß | Mittel |
Silbergehaltverhältnis (%) | 96,4 | 94,0 | 96,4 | 84,3 | 100 |
Maximales Leistungsverhältnis (%) | 100,4 | 100,1 | 99,7 | 99,9 | 100 |
Haftstärke | A | A | A | A | A |
Zuverlässigkeit | A | A | A | A | A |
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Von den Größen von Tabelle 3 werden lediglich diejenigen beschrieben, die von den Größen der Tabellen 1 und 2 verschieden sind.
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Der in Tabelle 3 angegebene BET-Wert ist ein Wert, der auch als spezifisches Oberflächengebiet bezeichnet wird, und ist ein Oberflächengebiet eines Objekts je Einheitsmasse. Der BET-Wert wird als ein Indikator eines Partikeldurchmessers eines Silberpulvers verwendet. Ein größerer BET-Wert in Tabelle 3 bezieht sich auf einen kleineren Partikeldurchmesser eines Silberpulvers. Unabhängig von der Form bzw. Gestalt eines Silberpulvers in einer Silberpaste ist er in drei Klassen klassifiziert: ein BET-Wert, der gleich ist wie oder kleiner als 0,25 m2/g wird als ”Klein” bezeichnet; ein BET-Wert von 0,25–0,50 m2/g wird als ”Mittel” angegeben; und ein BET-Wert, der gleich ist zu oder größer als 0,50 m2/g wird als ”Groß” angegeben, und diese Darstellungen sind in Tabelle 3 als eine Klassifizierung des BET-Wertes eines Silberpulvers gezeigt.
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Da, wie aus Tabelle 3 ersehen werden kann, das Silbergehaltverhältnis in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 von jeder der Solarzellen der Beispiele 9–12 verwendet wird, kleiner ist als 100%, kann der Gebrauch von Silber reduziert werden. Weiterhin ist die Klassifizierung des BET-Wertes des Silberpulvers von jedem der Beispiele ”Groß”, und der BET-wert ist größer als die Klassifizierung ”Mittel” der Referenzsilberpaste. D. h. der Partikeldurchmesser des Silberpulvers in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 von jeder der Solarzellen der Beispiele 9–12 verwendet wird, ist kleiner als der Partikeldurchmesser des Silberpulvers, das in der Referenzsilberpaste verwendet wird.
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Andererseits beträgt das maximale Leistungsverhältnis von jeder der Solarzellen der Beispiele 9–12 von 99,7% bis 100,4% und somit liegt keine wesentliche Differenz in der Performance bzw. dem Betriebsverhalten von der Referenzsolarzelle vor. Weiterhin bestehen die Solarzellen der Beispiele 9–12 in der Haftstärke und der Zuverlässigkeit, also in beiden Größen.
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Aus den obigen Ergebnissen wird geschlossen, dass durch Verringern des Silbergehalts in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, unter den Silbergehalt in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, der Verbrauch an Silber in der Silberpaste verringert werden kann.
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Weiterhin hat sich gezeigt, dass durch Vergrößern des BET-Wertes von Silber in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, über den BET-Wert von Silber in der Silberpaste, die zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, selbst dann, wenn der Gebrauch an Silber in der Silberpaste reduziert wird, die Solarzellen in der Lage sind, die Performance von Solarzellen zu haben, die gleichwertig zu derjenigen der Solarzelle ist, die mittels der Referenzsilberpaste gebildet ist. Das heißt, es kann eine Kostenreduktion erreicht werden, ohne wesentlich die Performance von jeder der Solarzellen zu beeinträchtigen.
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Die 5(a) bis 5(c) zeigen schematisch einen Zustand von Verbindungsteilen der Hauptgitterelektrode 4 und der Untergitterelektrode 5 in den Beispielen 9–12. 5(a) zeigt eine schematische Vordersicht der Verbindungsteile der Hauptgitterelektrode 4 und der Untergitterelektrode 5. 5(b) zeigt eine schematische Schnittdarstellung längs einer Linie Vb-Vb, dargestellt in 5(a), und 5(c) zeigt eine schematische konzeptuelle Darstellung zum Veranschaulichen eines Zustandes von Silberpulvern bei einem Teil, der durch einen in 5(b) gezeigten Kreis umgeben ist. Es sei darauf hingewiesen, dass in 5(c) der weiße Kreis ein Silberpulver darstellt, das die Hauptgitterelektrode 4 bildet, und der schraffierte Kreis stellt ein Silberpulver dar, das die Untergitterelektrode 5 bildet.
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Da, wie in 5(c) gezeigt ist, der Partikeldurchmesser des Silberpulvers, das die Hauptgitterelektrode 4 bildet, kleiner ist als der Partikeldurchmesser des Silberpulvers, das die Untergitterelektrode 5 bildet, wird angenommen, dass das Silberpulver, das zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, in einen Spalt eindringt, der in dem Silberpulver gebildet ist, das zum Bilden der Untergitterelektrode 5 verwendet wird, und somit die Hauptgitterelektrode 4 und die Untergitterelektrode 5 zusammen mit einem niedrigeren Widerstand verbindet, so dass ein enger Kontakt der Elektroden erlaubt ist.
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<Beispiele 13–15 und Referenzbeispiel 1>
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In Beispielen 13 bis 15 und einem Referenzbeispiel 1 wird versucht, die Dicken der Hauptgitterelektroden 4 dünner zu machen, ohne wesentlich die Performance von jeder der Solarzellen zu beeinträchtigen. Dies beruht darauf, dass der Verbrauch an Silber in der Silberpaste weiter reduziert werden kann, wenn die Hauptgitterelektrode 4 dünner gebildet wird.
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Die Referenzsilberpaste wird als eine Silberpaste verwendet, die benutzt wird, um die Untergitterelektrode 5 von jeder der Solarzellen der Beispiele 13–15 und des Bezugsbeispiels 1 zu bilden. Die Referenzsilberpaste wird durch ein Sieb- oder Schirmdruckverfahren gedruckt, so dass eine Streckenbreite der Untergitterelektrode 5 angenähert 80 μm ist und eine durchschnittliche Breite der Untergitterelektrode 5 angenähert 15 μm beträgt.
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Weiterhin werden die Solarzellen der Beispiele 13–15 und des Referenzbeispiels 1 hergestellt durch Drucken der Silberpaste, die verwendet wird, um die Hauptgitterelektrode 4 der Solarzelle des Beispiels durch ein Siebdruckverfahren zu bilden, das vier verschiedene Typen von Dicken hat, um die Hauptgitterelektroden 4 zu bilden. Jede der Dicken der Hauptgitterelektroden 4 wird gemessen durch Messen eines flachen Teiles eines mittleren Teiles der Hauptgitterelektrode 4 an drei Punkten je Elektrode, die gemittelt werden, um eine mittlere Dicke zu liefern.
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Tabelle 4 zeigt die Spezifikation des zum Herstellen jeder der Solarzellen der Beispiele 13–15 und des Bezugsbeispiels 1 verwendeten Siebes und deren Bewertungsergebnisse. Tabelle 4
| Beispiel 13 | Beispiel 14 | Beispiel 15 | Referenzbeispiel 1 |
Spezifikation des Siebes | 165 Maschen
45 μm
Linear | 200 Maschen
30 μm
Linear | 250 Maschen
30 μm
Linear | 280 Maschen
30 μm
Linear |
Durchschnittliche Dicke von Hauptgitterelektrode (μm) | 10,5 | 6,8 | 5,9 | 4,8 |
Maximales Leistungsverhältnis (%) | 100,1 | 99,7 | 100,2 | 99,6 |
Haftstärke | A | A | A | B |
Zuverlässigkeit | A | A | A | B |
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Wie in Tabelle 4 gezeigt ist, ist die mittlere Dicke der Hauptgitterelektrode 4 von Beispiel 13 am größten und diejenige von Referenzbeispiel 1 ist am kleinsten. Das maximale Leistungsverhältnis von jeder der Solarzellen der Beispiele 13–15 und des Referenzbeispiels 1 beträgt von 99,6% bis 100,2% und hat so nicht eine wesentliche Differenz voneinander in der Performance. Weiterhin haben die Solarzellen der Beispiele 13–15 in der Haftstärke und der Zuverlässigkeit, also in beiden Größen bestanden, wohingegen die Solarzelle von Referenzbeispiel 1 nicht bestanden hat.
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Die durchschnittliche Dicke von jeder der Solarzellen der Beispiele 13–15, die in Haftstärke und Zuverlässigkeit bestanden haben, ist dünner als die durchschnittliche Dicke von 15 μm der Untergitterelektrode 5. Als solches erlaubt zusätzlich zum Verringern des Silbergehalts in der Silberpaste, die zum Bilden der Hauptgitterelektrode 4 verwendet wird, ein Dünnermachen der durchschnittlichen Dicke an dem Mittenteil der Hauptgitterelektrode 4 als die durchschnittliche Dicke der Untergitterelektrode 5 eine Kostenreduktion durch Verringern des Verbrauchs an Silber in der Silberpaste, ohne wesentlich die Performance von jeder der Solarzellen zu beeinträchtigen.
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Andererseits hat sich gemäß dem Ergebnis des Referenzbeispiels 1 gezeigt, dass ein exzessives Reduzieren der durchschnittlichen Dicke an den mittleren Teil der Hauptgitterelektrode 4 die Haftstärke und die Zuverlässigkeit beeinträchtigt. Gemäß den obigen Ergebnissen besteht eine kritische Situation zwischen der durchschnittlichen Dicke von 5,9 μm an dem mittleren Teil der Hauptgitterelektrode 4 der Solarzelle von Beispiel 15 und der durchschnittlichen Dicke von 4,8 μm an dem mittleren Teil der Hauptgitterelektrode 4 der Solarzelle des Referenzbeispiels 1 und demgemäß ist vorzugsweise die durchschnittliche Dicke des mittleren Teiles der Hauptgitterelektrode 4 gleich zu oder größer als 5,4 μm und noch bevorzugter gleich zu oder größer als 5,9 μm.
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In den Beispielen 13–15 und dem Referenzbeispiel 1 wird die Dicke der Hauptgitterelektrode 4 durch Verändern der Spezifikation des Schirmes bzw. Siebes verändert. Jedoch kann die Dicke der Hauptgitterelektrode 4 auch durch Verändern einer Viskosität einer Silberpaste verändert werden.
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Somit kann die vorliegende Erfindung wenig aufwendig eine Solarzelle mit elektrischen Eigenschaften, Haftstärke und Zuverlässigkeit erzeugen, die gleichwertig zu denjenigen einer gegenwärtigen Solarzelle sind.
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Während die vorliegende Erfindung in einem Ausführungsbeispiel und Beispielen beschrieben wurde, können das Ausführungsbeispiel und jedes Beispiel auch ursprünglich miteinander in der Konfiguration kombiniert werden, wie dies geeignet ist.
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Es ist zu verstehen, dass das Ausführungsbeispiel und die Beispiele, die hier beschrieben sind, lediglich für den Zweck der Veranschaulichung erläutert und in keiner Weise beschränkend sind. Der Bereich der vorliegenden Erfindung sind durch die Terminologie der Patentansprüche und nicht durch die obigen Beschreibung begrenzt und soll jegliche Modifikationen innerhalb der Bedeutung und des Bereiches der Patentansprüche umfassen.
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INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
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Die vorliegende Erfindung ist weit auf Verfahren zum Erzeugen von Solarzellen anwendbar, die jeweils eine Hauptgitterelektrode und eine Untergitterelektrode haben, die jeweils von verschiedenen Silberpasten gebildet sind, auf Solarzellen und Solarzellenmodule, die die Solarzellen im Allgemeinen verwenden.
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BEZUGSZEICHENLISTE
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- 1: p-Typ-Einkristall-Si-Substrat; 2: n-Typ-Fremdstoffdiffusionsschicht; 3: Antireflexionsfilm; 4: Hauptgitterelektrode; 5: Untergitterelektrode; 6: BSF-Schicht; 7: Rückseiten-Silberelektrode; 8: Aluminiumelektrode; 9: Zwischenverbinder; 11: Solarzelle; 101: Solarzelle; 102: Elektrodeneinheit; 102a: Hauptgitter; 102b: Untergitter; 103: Siliziumsubstrat; 104: n-Typ-Fremdstoffdiffusionsschicht; 105: Antireflexionsfilm; 106: BSF-Schicht; 107: Aluminiumelektrode; 108: Silberelektrode; 121: Lichtreflexionsfläche; 122: Rückseite