DE112012006596T5 - Solarzellenmodul und Verfahren zum Fertigen eines Solarzellenmoduls - Google Patents

Solarzellenmodul und Verfahren zum Fertigen eines Solarzellenmoduls Download PDF

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Abstract

Ein Solarzellenmodul (10) besitzt einen fotoelektrischen Wandlerabschnitt (11) mit einem Substrat; Sammelelektroden (12, 13), die sich auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt (11) befinden; Klebstoffschichten (14, 16) auf den Sammelelektroden (12, 13); und Verdrahtungsmaterialstücke (15, 17), die mit den Sammelelektroden (12, 13) über die dazwischen befindlichen Klebstoffschichten (14, 16) verbunden sind. In der Längsrichtung der Sammelelektroden (12, 13) besitzen die Sammelelektroden (12, 13) Endbereiche, die dicker ausgebildet sind als die Mittelbereiche, und in der Längsrichtung der Sammelelektrode (12, 13) besitzen die Klebstoffschichten (14, 16) Bereiche entsprechend den Mittelbereichen der Sammelelektroden (12, 13), die dicker gebildet sind als die Klebstoffschichtbereiche entsprechend den Endbereichen der Sammelelektroden (12, 13).

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Solarzellenmodul, in welchem Solarzellen durch Verdrahtungsmaterial miteinander verbunden sind, ferner betrifft sie ein Verfahren zum Fertigen des Solarzellenmoduls.
  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Zusätzlich zu einem Niederschlagungsverfahren aus der Dampfphase, einem Sputterverfahren und dem Siebdruck, bei dem eine leitende Paste gedruckt wird, wird als Verfahren zum Bilden von Elektroden einer Solarzelle auch ein Plattierverfahren verwendet.
  • Als Verfahren zum Fertigen einer Solarzelle ist z. B. in der Patentschrift 1 ein Verfahren beschrieben, bei dem ein Keim-Metall auf ein Siliziumsubstrat aufgebracht und das Keim-Metall dazu verwendet wird, durch elektrolytisches Plattieren eine Oberflächenelektrode und eine Rückseitenelektrode zu bilden.
  • DRUCKSCHRIFTENLISTE
  • PATENTLITERATUR
  • Patentschrift 1
    • Japanische Patentoffenlegungsschrift 2000-294819
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • TECHNISCHES PROBLEM
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung eines Solarzellenmoduls mit überlegener Leistungsfähigkeit.
  • LÖSUNG DES PROBLEMS
  • Ein Solarzellenmodul gemäß der Erfindung enthält: einen fotoelektrischen Wandlerabschnitt; eine auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt angeordnete Sammelelektrode; eine Klebstoffschicht, die an der Sammelelektrode angebracht ist; und ein Verdrahtungsmaterial, welches mit der Sammelelektrode mittels einer dazwischen befindlichen Klebstoffschicht verbunden ist, wobei: in der Sammelelektrode eine Dicke eines Endbereichs der Sammelelektrode dicker ausgebildet ist als deren Mittelbereich bei Betrachtung in Längsrichtung der Sammelelektrode; und in der Klebstoffschicht eine Dicke eines dem Mittelbereich der Sammelelektrode entsprechenden Bereichs dicker ausgebildet ist als eine Dicke eines dem Endbereich der Sammelelektrode in deren Längsrichtung entsprechenden Bereichs.
  • Ein Verfahren zum Fertigen eines Solarzellenmoduls gemäß der Erfindung ist ein Verfahren, welches auf einem fotoelektrischen Wandlerabschnitt eine Sammelelektrode bildet und Verdrahtungsmaterial mit der Sammelelektrode über eine dazwischen befindliche Klebstoffschicht verbindet, wobei: an beiden Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts in Längsrichtung der Sammelelektrode ein Energiezuführabschnitt vorgesehen wird und die Sammelelektrode gebildet wird durch elektrolytisches Plattieren in einer Bildungszone für die Sammelelektrode auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt; an der Sammelelektrode zur Bildung einer Klebstoffschicht ein Klebstoff aufgeschichtet wird; die Sammelelektrode und das Verdrahtungsmaterial durch Verpressen des Verdrahtungsmaterials von oberhalb der Klebstoffschicht verbunden werden; eine Dicke eines Endbereichs der Sammelelektrode dicker ausgebildet wird als eine Dicke eines Mittelbereichs der Sammelelektrode in deren Längsrichtung durch elektrolytisches Plattieren; und in der Klebstoffschicht eine Dicke eines dem Mittelbereich der Sammelelektrode entsprechenden Bereichs dicker ausgebildet wird als eine Dicke ihres Bereichs, der dem Endbereich der Sammelelektrode in deren Längsrichtung entspricht, durch Verpressen des Verdrahtungsmaterials gegen die Sammelelektrode.
  • VORTEILHAFTE WIRKUNGSWEISEN DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung schafft ein Solarzellenmodul mit überlegener Leistungsfähigkeit mithilfe des oben erläuterten Aufbaus.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1(a) und (b) sind eine Draufsicht bzw. eine Schnittansicht eines Solarzellenmoduls einer Ausführungsform der Erfindung.
  • 2 ist ein Flussdiagramm, welches Prozeduren eines Verfahrens zum Fertigen eines Solarzellenmoduls der Ausführungsform gemäß der Erfindung veranschaulicht.
  • 3(a) und (b) sind Ansichten zum Veranschaulichen eines Substrats mit einer Plattierungsmaske in einer in 2 dargestellten Prozedur.
  • 4 ist eine Ansicht, die elektrolytisches Plattieren veranschaulicht, welches im Anschluss an die in 3(a) und (b) dargestellte Prozedur ausgeführt wird.
  • 5 ist eine Ansicht, die eine Solarzelle mit einer Sammelelektrode veranschaulicht, die durch das in 4 gezeigte elektrolytische Plattieren gebildet wird.
  • 6 ist eine Ansicht, die Klebstoffschichten und Verdrahtungsmaterialien veranschaulicht, die im Anschluss an die in 5 dargestellte Prozedur gebildet werden.
  • 7 ist eine Ansicht, die einen Prozess veranschaulicht, der die Verdrahtungsmaterialien über die Klebstoffschichten an der Sammelelektroden aufweisenden Solarzelle crimpt.
  • 8 ist eine Ansicht, welche ein Solarzellenmodul veranschaulicht, welches durch den Crimp-Prozess nach 7 gebildet wird.
  • 9(a) und (b1) bis (b3) sind Grundriss- und Schnittansichten einer Solarzelle, die durch Ausführen elektrolytischen Plattierens unter Verwendung einer Plattierungsmaske bei der Ausführungsform der Erfindung gebildet werden.
  • 10 ist ein Flussdiagramm, das Prozeduren eines Plattierungsprozesses der Ausführungsform gemäß der Erfindung darstellt.
  • 11 veranschaulicht ein texturiertes Substrat in einer in 10 dargestellten Prozedur.
  • 12 ist eine Ansicht, die eine matt-plattierte Schicht veranschaulicht, die im Anschluss an die in 11 dargestellte Prozedur gebildet wird.
  • 13 ist eine Ansicht, die eine glanz-plattierte Schicht veranschaulicht, die im Anschluss an die in 12 dargestellte Prozedur gebildet wird.
  • 14 ist eine Ansicht, die eine Arbeitsweise eines Solarzellenmoduls veranschaulicht, das von der in dem in 10 beschriebenen Prozess gebildeten Solarzelle Gebrauch macht.
  • BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN
  • Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung im Einzelnen anhand der begleitenden Zeichnungen erläutert. In der folgenden Beschreibung werden ähnliche Bauelemente durch ähnliche Bezugszeichen in sämtlichen Zeichnungen bezeichnet, auf doppelte Beschreibung wird verzichtet. Ferner werden in der Beschreibung bereits erwähnte Bezugszeichen bedarfsweise verwendet.
  • 1(a) und (b) bezeichnen ein Solarzellenmodul 10, wobei (a) eine Draufsicht und (b) eine Schnittansicht ist. Das Solarzellenmodul 10 enthält einen fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11, Sammelelektroden 12 und 13, die auf beiden Seiten des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 gebildet sind, Verdrahtungsmaterial 15, welches mit den Sammelelektroden 12 über eine dazwischen befindliche Klebstoffschicht 14 verbunden ist, und Verdrahtungsmaterial 17, welches mit der Sammelelektrode 13 über eine dazwischen befindliche Klebstoffschicht 16 verbunden ist.
  • Der fotoelektrische Wandlerabschnitt 11 enthält als Hauptflächen eine Lichtaufnahmefläche als Fläche, auf die von außen her Licht auftrifft, und eine Rückseitenfläche, die eine der Lichtaufnahmefläche abgewandte Fläche ist. In 1(b) ist die Seite der Sammelelektrode 12 die Lichtaufnahmefläche, und die Seite der Sammelelektrode 13 ist eine Rückseitenfläche. Obschon die Lichtaufnahmefläche und die Rückseitenfläche in 1(b) als gleiche Struktur aufweisend dargestellt sind, kann es einen Unterschied in den Querschnitten zwischen der Lichtaufnahmefläche und der Rückseitenfläche geben, abhängig von den Spezifikationen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11.
  • Der fotoelektrische Wandlerabschnitt 11 generiert durch Licht erzeugte Ladungsträger, das sind Elektronen-Loch-Paare, indem Licht, beispielsweise Sonnenlicht, aufgenommen wird. Der fotoelektrische Wandlerabschnitt 11 enthält z. B. ein Substrat aus einem Halbleitermaterial wie kristallinem Silizium (c-Si), Galliumarsenid (GaAs) oder Indiumphosphid (InP). Die Struktur des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 ist ein p – n Übergang im breiten Sinn. Beispielsweise kann ein Heteroübergang zwischen dem n-leitenden einkristallinem Siliziumsubstrat und amorphen Silizium verwendet werden. In diesem Fall kann von einer Struktur Gebrauch gemacht werden, in der eine eigenleitende amorphe Siliziumschicht, eine p-leitende amorphe Siliziumschicht, die mit Bor (B) oder dergleichen dotiert ist, und ein transparenter leitender Film (TCO) aus durchscheinendem leitendem Oxid wie z. B. Indiumoxid (In2O3) auf einer Seite der Lichtaufnahmefläche des Substrats aufgeschichtet sind, während eine eigenleitende amorphe Siliziumschicht eine n-leitende amorphe Siliziumschicht, die mit Phosphor (P) oder dergleichen dotiert ist, und ein transparenter leitender Film auf der Seite der Rückseitenfläche des Substrats aufgeschichtet sind.
  • Solange der fotoelektrische Wandlerabschnitt 11 eine Funktion hat, die Licht wie beispielsweise Sonnenlicht in Elektrizität umwandelt, kann auch von einer anderen Struktur als der oben erläuterten Struktur Gebrauch gemacht werden. Beispielsweise kann eine Struktur verwendet werden, die ein p-leitendes polykristallines Siliziumsubstrat, eine auf der Seite der Lichtaufnahmefläche gebildete, n-leitende Diffusionsschicht und eine auf der Seite der Rückseitenfläche gebildete Aluminiummetallschicht enthält.
  • Die Sammelelektroden 12 und 13 sind Elektrodenschichten, die mit Hilfe eines Plattierverfahrens auf der Lichtaufnahmefläche und der Rückseitenfläche des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 gebildet sind, und die elektrisch mit dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 verbunden sind. Da die Sammelelektroden 12 und 13 durch ein Plattierverfahren gebildet sind, ist die Dicke der Sammelelektroden 12 und 13 an den Endbereichen in X-Richtung des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 dicker als die Dicke der Sammelelektroden 12 und 13 im Mittelbereich des fotoelektrischen Wandlerabschnitts. In diesem Fall ist gemäß 1(a) und (b) die X-Richtung die Längsrichtung, in der sich die Sammelelektroden 12 und 13 erstrecken. In 1(b), d. h. in der X-Richtung, ist die Dicke der Sammelelektroden 12 und 13 an den Endbereichen A und B der Lichtaufnahmefläche an dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 und an den Endbereichen C und D der Rückseitenfläche dicker dargestellt. Man sieht, dass in diesem Fall ein Unterschied zwischen den Dicken an den Endbereichen und in dem Mittelbereich der Sammelelektroden 12 und 13 übertrieben deutlich dargestellt ist. Der Begriff ”Endbereiche der Sammelelektroden 12 und 13 in X-Richtung” umfasst die Nähe der peripheren Kantenbereiche des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 und nicht nur die Enden des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 in X-Richtung im streng genommenen Sinn.
  • Das Verdrahtungsmaterial 15 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche ist ein leitender Werkstoff, der durch die Klebstoffschicht 14 gegen den fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 gepresst ist, um mit der Sammelelektrode 12 mechanisch und elektrisch verbunden zu sein.
  • Das Verdrahtungsmaterial 15 ist ein dünnes Plättchen, welches sich aus einem metallisch leitenden Werkstoff wie z. B. Kupfer zusammensetzt. Anstelle eines dünnen Plättchens kann auch Verdrahtungsmaterial mit einer verdrillten Drahtform verwendet werden. Außer Kupfer kann man auch Silber, Aluminium, Nickel, Zinn, Gold oder Legierungen dieser Metalle als leitenden Werkstoff einsetzen. Man beachte, dass zwar in 1(b) eine Stirnfläche des Verdrahtungsmaterials 15 und eine Stirnfläche der Sammelelektrode 12 bündig sind, dies aber nur eine beispielhafte Darstellung ist und das Verdrahtungsmaterial 15 natürlich so eingerichtet werden kann, dass es um ein gewisses Maß länger ist als die Sammelelektrode 12.
  • Die Klebstoffschicht 14 ist zwischen der Sammelelektrode 12 und dem Verdrahtungsmaterial 15 angeordnet, und sie bildet eine Schicht aus Klebstoff-Harzmaterial, welches als Ergebnis des Crimpens die Sammelelektrode 12 und das Verdrahtungsmaterial 17 mechanisch und elektrisch miteinander verbindet. Die Klebstoffschicht 14 ist vorzugsweise ein elastisches und zusammenziehbares Material. Eine durch Hitze erhärtbare Harz-Klebstoffschicht auf Acrylbasis, auf der Basis von hochflexiblen Polyurethan oder auf Epoxibasis kann als Klebstoffschicht 14 verwendet werden. Die Harz-Klebstoffschicht kann eine verflüssigte Schicht oder ein Harz-Klebstoffflachstück im halb ausgehärtetem Zustand sein. Im Folgenden wird die Beschreibung fortgesetzt unter der Annahme, dass ein Harz-Klebstoffflachstück als Klebstoffschicht 14 verwendet wird.
  • Vorzugsweise sind in der Klebstoffschicht 14 leitende Partikel enthalten. In diesem Fall können als leitende Partikel solche aus Nickel, Silber, mit Gold überzogenem Nickel, mit Zinn plattiertem Kupfer und dergleichen verwendet werden. Wird eine isolierende Harz-Klebstoffschicht verwendet, die keine leitenden Partikel enthält, so wird von einer Konfiguration Gebrauch gemacht, bei der entweder beide oder eine der einander abgewandten Flächen des Verdrahtungsmaterials 15 und der Sammelelektrode 12 unregelmäßig gemacht sind, wobei dann das isolierende Harzmaterial in passender Weise zwischen dem Verdrahtungsmagterial 15 und der Sammelelektrode 12 entfernt wird, um das Verdrahtungsmaterial 15 elektrisch mit der Sammelelektrode 12 zu verbinden.
  • Obschon ursprünglich die Klebstoffschicht 14 eine gleichmäßige Dicke besitzt, wird ihre Dicke an den Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 und wird die Dicke an dem Mittelbereich während des Prozesses verungleichmäßigt, in welchem das Verdrahtungsmaterial 15 gegen den fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 gepresst wird. Das heißt, da die Dicke der Sammelelektrode 12 an den Endbereichen A und B des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 groß ist und die Dicke der Sammelelektrode 12 im Mittelbereich des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 gering ist, ist, wenn das Verdrahtungsmaterial 15 über die Klebstoffschicht 14 angedrückt wird, eine auf die Klebstoffschicht 14 einwirkende Anpresskraft dazu imstande, an den Endbereichen A und B, an denen die Sammelelektrode 12 mehr vorsteht, anzusteigen im Vergleich zu dem Mittelbereich. Als Konsequenz hieraus wird die Klebstoffschicht 14 an den Endbereichen A und B der Sammelelektrode 12 stärker verdrängt als im Mittelbereich, und ihre Dicke wird deshalb an den Endbereichen A und B geringer, und sie wird größer im Mittelbereich.
  • In ähnlicher Weise ist das Verdrahtungsmaterial 17 auf der Seite der Rückseitenfläche ein leitender Werkstoff, der gegen den fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 über die Klebstoffschicht 16 angepresst wird, um mit der Sammelelektrode 13 mechanisch und elektrisch verbunden zu werden. Das Material der Verdrahtung 17 ist das gleiche wie das der Verdrahtung 15. Der Werkstoff der Klebstoffschicht 16 ist der gleiche wie der der Klebstoffschicht 14. Auch auf der Rückseitenfläche wird ähnlich wie auf der Seite der Lichtaufnahmefläche die Dicke der Klebstoffschicht 16 an den Endbereichen C und D geringer, und sie wird größer im Mittelbereich.
  • Damit ist bei Betrachtung in X-Richtung die Dicke der jeweiligen Klebstoffschichten 14 und 16 an den den Endbereichen A, B, C und D, an denen die Dicke der Sammelelektroden 12 und 13 groß ist, geringer, und die Dicke der Klebstoffschichten 14 und 16 wird in einer dem Mittelbereich, wo die Dicke der Sammelelektroden 12 und 13 gering ist, entsprechenden Zone dicker. Deshalb lässt sich eine Struktur ausbilden, in der mechanische Verbindungen zwischen den Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 und den Sammelelektroden 12 und 13 stark sind, während der elektrische Widerstand an den Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 dort gering ist, wo wahrscheinlich eine Stromverdichtung in den Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 stattfindet. Der Grund für das Auftreten einer Stromverdichtung an den Bereichen des Verdrahtungsmaterials 15 und 17, die sich in den Endzonen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 befinden, ist Folgender: Obschon Ströme, die durch die Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 fließen, sich im Mittelbereich des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 in sämtliche Richtungen auftrennen, ergibt sich ein Zustand, in welchem sämtliche Ströme sich an den Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 sammeln. Folglich ist die Stromdichte in denjenigen Bereichen der Verdrahtungsmaterialien 15 und 17, die den Endzonen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 entsprechen, hoch, und es kommt zu einer Stromverdichtung, dem so genannten current crowding.
  • 2 ist ein Flussdiagramm, welches Prozeduren eines Verfahrens zum Fertigen des Solarzellenmoduls 10 mit dem oben beschriebenen Aufbau veranschaulicht. 3 bis 8 sind Ansichten zum Veranschaulichen der anhand der 2 beschriebenen Prozeduren.
  • Als erstes wird der fotoelektrische Wandlerabschnitt 11 gefertigt, der ein Substrat aufweist (S10). Als nächstes wird eine Plattierungsmaske auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 angebracht, als Vorbereitung für die anschließende elektrolytische Plattierung. 3(a) und (b) veranschaulichen ein Substrat mit einer Plattierungsmaske 20, wobei (a) eine Draufsicht und (b) eine Seitenansicht ist. Die Seitenansicht in 3(b) ist eine Ansicht entlang einer Linie E-E in der in 3(a) dargestellten Grundrissansicht.
  • In diesem Fall ist auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 als Plattierungsmaske 21 ein Resistmaterial mit Öffnungsabschnitten 22, 23 und 24 zur Ausbildung einer Sammelelektrode vorgesehen. Die Öffnungsabschnitte 22 bis 24 befinden sich sowohl auf der Seite der Lichtaufnahmefläche als auch auf der Seite der Rückseitenfläche des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11. Obschon die Öffnungsabschnitte 22 bis 24 hier eine Rechteckform haben, können sie natürlich auch eine andere als die Reckteckform aufweisen. Die Anzahl der Öffnungsabschnitte kann ebenfalls von der Zahl drei abweichen. Wenngleich die Form der Öffnungsabschnitte 22 bis 24 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche und auf der Seite der Rückseitenfläche gleich sind, können Form und Anzahl der Öffnungsabschnitte auf den beiden Seiten voneinander abweichen.
  • Zur Bildung der Plattierungsmaske 21 auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 kann von einem Verfahren Gebrauch gemacht werden, bei dem ein fotoempfindliches Resistmaterial auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 als Schicht aufgetragen wird, wobei das Resistmaterial dann an den Bereichen, die den Öffnungsabschnitten 22 bis 24 entsprechen, entfernt wird, indem man eine selektive Belichtung und Entwicklung vornimmt. Abgesehen von dem oben erläuterten Verfahren kann auch von einem Verfahren Gebrauch gemacht werden, bei dem eine Maskierungsschicht mit den Öffnungsabschnitten 22 bis 24 durch Siebdruck auf den fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 aufgebracht wird. Hierdurch wird das Substrat mit einer Plattierungsmaske 20 erhalten.
  • Zurückkehrend zu der 2 werden als nächstes Sammelelektroden durch elektrolytisches Plattieren gebildet, wobei das Substrat mit der Plattierungsmaske 12 verwendet wird (S11). 4 ist eine Ansicht, die veranschaulicht, wie das elektrolytische Plattieren von statten geht. Das elektrolytische Plattieren erfolgt gemäß folgender Prozedur:
    Stromanschlüsse zum Plattieren 25, 26, 27 und 28 werden an dem mit einer Plattierungsmaske ausgestatteten Substrat 20 angebracht. Die Stromanschlüsse 25 und 28 werden außerdem mit der Seite der Rückseitenfläche und nicht nur mit der Seite der Lichtaufnahmefläche verbunden.
  • Wenngleich in der Darstellung der 3(a) und (b) nicht veranschaulicht, sind nahe den Endbereichen in X-Richtung des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 in der Plattierungsmaske 21 offene Löcher vorgesehen, um die Stromanschlüsse 25 bis 28 mit dem mit der Plattierungsmaske 20 versehenen Substrat zu verbinden. Da die Ausbildungszonen der Sammelelektrode 12 die Öffnungsabschnitte 22 bis 24 sind, werden die Stromanschlüsse 25 bis 28 an den Stellen angeschlossen, die weiter zu der Seite des Endbereichs hin gelegen sind als die Öffnungsabschnitte 22 bis 24. Damit werden die Stromanschlüsse 25 bis 28 elektrisch mit dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt unter Verwendung der offenen Löcher verbunden, bei denen die Plattierungsmaske 21 des mit einer Plattierungsmaske versehenen Substrats 20 nicht vorhanden ist. Man beachte, dass man auch von einer Konfiguration Gebrauch machen kann, bei der eine Keim-Metallschicht zum Plattieren vorgesehen ist, und die Stromanschlüsse 25 bis 28 mit der Keim-Metallschicht verbunden sind.
  • Die Stromanschlüsse 25 bis 28 sind mit der Seite der Lichtaufnahmefläche und der Seite der Rückseitenfläche des mit einer Maskierungsschicht versehenen Substrats 20 verbunden, und in das Plattierungsbad 30 wird eine vorbestimmte Plattierungslösung 31 eingefüllt. Als Plattierungslösung 31 stehen Ionen des Plattierungsmetalls enthaltende Lösungen auf Zyanidbasis und zyanidfreier Basis zur Verfügung, wobei aus Sicherheitsgründen eine zyanidfreie Lösung bevorzugt wird. Die zyanidfreie Lösung kann irgendeine Lösung auf zyanidfreier Basis von neutralem Typ, von schwach-saurem Typ, von saurem Typ, von schwach-alkalischem Typ und von alkalischen Typ sein. Ms Plattierungsmaterial kann Gold, Silber, Kupfer, Nickel, Palladium, Platin oder dergleichen verwendet werden. Im Fall einer Kupferplattierung, wird Kupfersulfat, Kupferpyrophosphat, Kupferzyanid oder dergleichen verwendet, während im Fall einer Nickelplattierung von Nickelchlorid, Watt-Nickel, Nickelsulfamat oder dergleichen Gebrauch gemacht wird.
  • Außerdem werden Anodenplatten 32 und 33 aus dem gleichen Werkstoff wie das Plattierungsmetall vorbereitet. Die Anodenplatten 32 und 33 dienen zum Plattieren der Seite der Lichtaufnahmefläche und der Seite der Rückseitenfläche des mit der Plattierungsmaske ausgestatteten Substrats 20. Von jedem der Stromanschlüsse 25 bis 28 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche des Substrats 20 mit Plattierungsmaske werden Verbindungsleitungen gezogen, und die vier Verbindungsleitungen werden zusammengeschaltet, um einen einzelnen Kathodenanschluss auf der Seite der Lichtaufnahmefläche zu bilden. Eine Verbindungsleitung wird auch an einen Endbereich der Anodenplatte 32 angeschlossen, um einen Anodenanschluss auf der Seite der Lichtaufnahmefläche zu bilden. In ähnlicher Weise wird, wenngleich in 4 nicht dargestellt, eine Verbindungsleitung an jeden der vier Stromanschlüsse auf der Seite der Rückseitenfläche des mit Plattierungsmaske versehenen Substrats 20 angeschlossen, und die vier Verbindungsleitungen werden zusammengeschlossen, um einen einzelnen Kathodenanschluss auf der Seite der Rückseitenfläche zu bilden. Außerdem wird eine Leitung an einen Endbereich der Anodenplatte 33 angeschlossen, um einen Anodenanschluss auf der Seite der Rückseitenfläche zu bilden.
  • Die Anodenplatte 32 wird auf der Seite der Lichtaufnahmefläche an den Anodenanschluss angeschlossen, und die Anodenplatte 33 wird an den Anodenanschluss auf der Seite der Rückseitenfläche angeschlossen, und das mit der Plattierungsmaske versehene Substrat 20, das an dem Kathodenanschluss auf der Seite der Lichtaufnahmefläche und an den Kathodenanschluss auf der Seite der Rückseitenfläche angeschlossen ist, wird in die Plattierungslösung 31 eingebracht. Bezüglich der Anordnung der Anodenplatten 32 und 33 und des mit Plattierungsmaske versehenen Substrats 20 wird gemäß 4 ein Substrat 20 mit Plattierungsmaske zwischen den Anodenplatten 32 und 33 derart angeordnet, dass die Lichtaufnahmefläche des Substrats 20 mit Plattierungsmaske der Anodenplatte 32 zugewandt ist, während die Rückseitenfläche des Substrats 20 mit Plattierungsmaske der Anodenplatte 33 zugewandt ist. Der Abstand zwischen der Anodenplatte 32 und der Lichtaufnahmefläche des mit Plattierungsmaske versehenen Substrats 20 wird so eingerichtet, dass er dem Abstand der Anodenplatte 32 und der Rückseitenfläche des mit Plattierungsmaske versehenen Substrats 20 gleicht. Diese Abstände bilden eine der Plattierungsbedingungen und können durch Versuche und dergleichen auf einen optimalen Wert eingestellt werden.
  • Eine Stromquelle 34 für die Seite der Lichtaufnahmefläche wird zwischen dem Anodenanschluss und dem Kathodenanschluss auf der Seite der Lichtaufnahmefläche angeschlossen, und eine Plattierungsstromquelle 35 für die Rückseitenfläche wird zwischen dem Anodenanschluss und dem Kathodenanschluss auf der Seite der Rückseitenfläche angeschlossen. Ionen des in der Plattierungslösung 31 enthaltenen Plattierungsmetalls wandern, wenn ein Strom zwischen dem Anodenanschluss und dem Kathodenanschluss auf der Seite der Lichtaufnahmefläche aus der Plattierungsstromquelle 34 fließt, und das Plattierungsmetall lagert sich an den Öffnungsabschnitten 22 bis 24 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche des mit der Plattierungsmaske ausgestatteten Substrats 20 an. In ähnlicher Weise wandern in der Plattierungslösung 31 enthaltene Ionen des Plattierungsmetalls, wenn ein Strom zwischen dem Anodenanschluss und dem Kathodenanschluss auf der Seite der Rückseitenfläche aus der Plattierungsstromquelle 35 fließt, und das Plattierungsmaterial lagert sich an den Öffnungsabschnitten 22 bis 24 auf der Seite der Rückseitenfläche des mit Plattierungsmaske ausgestatteten Substrats 20 an. Damit erfolgt eine elektrolytische Plattierung bzgl. des mit Plattierungsmaske versehenen Substrats 20.
  • Die Dicke einer niedergeschlagenen Metallschicht ist die Plattierungsdicke. Die Plattierungsdicke bestimmt sich durch die Größe der Ladungsmenge pro Flächeneinheit in dem Plattierungsprozess. Da eine Ladungsmenge dargestellt wird durch (Stromstärke × Zeit), erhöht sich bei gleicher Zeitspanne die Plattierungsdicke, wenn die Stromstärke zunimmt. Bei der vorliegenden Ausführungsform sind die Bedingungen für das elektrolytische Plattieren, so z. B. die Orte der Stromanschlüsse 25 bis 28 und die Ladungsmenge und dergleichen derart eingestellt, dass die Plattierungsdicke der Sammelelektroden 12 und 13 an den Endbereichen größer ist als im Mittelbereich, betrachtet in X-Richtung des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11.
  • Nachdem die vorbestimmte elektrolytische Plattierung an dem mit einer Plattierungsmaske ausgestatteten Substrat 20 ausgeführt ist, wird der Betrieb der Plattierungsstromquelle 34 und 35 beendet. Das Substrat 20 mit der Plattierungsmaske, an dem die elektrolytische Plattierung erfolgt ist, wird dann aus der Plattierungslösung 31 herausgehoben, und nach geeignetem Spülen werden die Stromanschlüsse 25 bis 28 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche und die Stromanschlüsse auf dieser Seite der Rückseitenfläche gelöst. Anschließend wird die Plattierungsmaske 21 entfernt. Zum Entfernen der Plattierungsmaske 21 kann ein passendes Lösungsmittel eingesetzt werden.
  • 5 ist eine Ansicht, die eine Solarzelle 40 veranschaulicht von der die Plattierungsmaske entfernt wurde, und auf der die Sammelelektroden 12 und 13 durch elektrolytisches Plattieren auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 gebildet sind. 5 entspricht einer Querschnittansicht entlang einer Linie E-E in 3(a).
  • In der Solarzelle 40 befindet sich die Sammelelektrode 12 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11, und die Sammelelektrode 13 befindet sich auf der Seite der Rückseitenfläche. Die Dicke der Sammelelektroden 12 und 13 in X-Richtung ist an den Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 größer als in dem mittleren Bereich.
  • Erneut zu 2 zurückkehrend, werden, nachdem die Solarzelle 40 auf diese Weise ausgebildet ist (S12) als nächstes der Auftrag von Klebstoffschichten (S13) und der Auftrag von Verdrahtungsmaterialien (S14) durchgeführt. 6 veranschaulicht, auf welche Weise die Klebstoffschicht 41 und das Verdrahtungsmaterial 42 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche angeordnet werden und wie eine Klebstoffschicht 43 und Verdrahtungsmaterial 44 auf der Seite der Rückseitenfläche der Solarzelle 40 angebracht werden.
  • Erneut auf 2 bezugnehmend, erfolgt als nächstes ein Crimp-Vorgang (S15). Ein Paar Crimp-Lehren, bestehend aus einer unteren Crimp-Lehre 45 und einer oberen Crimp-Lehre 46, werden für den Crimp-Vorgang verwendet. Die Solarzelle 40, die Klebstoffschichten 42 und 43 und die Verdrahtungsmaterialien 42 und 44 werden in der in 7 gezeigten Reihenfolge zwischen den paarweisen Crimp-Lehren übereinander gestapelt angeordnet. Das heißt, das Verdrahtungsmaterial 44 befindet sich an der unteren Crimp-Lehre 45. Die Klebstoffschicht 43 befindet sich auf dem Verdrahtungsmaterial 44, die Solarzelle 40 wird dann darauf so angeordnet, dass die Sammelelektrode 13 auf der Seite der Rückseitenfläche der Solarzelle 40 sich an der Klebstoffschicht 43 befindet. Die Klebstoffschicht 41 wird anschließend auf der Sammelelektrode 12 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche der Solarzelle 40 angeordnet, und das Verdrahtungsmaterial 42 wird auf der Klebstoffschicht 41 angeordnet. Die obere Crimp-Lehre 46 wird auf dem Verdrahtungsmaterial 42 platziert.
  • Der Crimp-Prozess wird in der Weise ausgeführt, dass in dem in 7 dargestellten Zustand die obere Crimp-Lehre 46 gegenüber der unteren Crimp-Lehre 45 angepresst wird. Wenn die Klebstoffschichten 41 und 43 Schichten sind, die ein hitzehärtbares Harz enthalten, so finden im Rahmen des Crimp-Prozesses eine Unter-Druck-Setzung und eine Erhitzung statt. Das Erhitzen erfolgt durch Einbau einer Heizvorrichtung in die untere Crimp-Lehre 45 und die obere Crimp-Lehre 46, durch Bestromen der jeweiligen Heizvorrichtungen, und durch Steuern der unteren Crimp-Lehre 45 und der oberen Crimp-Lehre 46 auf eine vorbestimmte Temperatur.
  • Wie in 7 gezeigt ist, ist auf der Seite der Lichtaufnahmefläche der Solarzelle 40 die Dicke der Endbereiche der Sammelelektrode 12 groß, und die Dicke in dem mittleren Bereich ist dünn, betrachtet in X-Richtung. Wenn daher das Verdrahtungsmaterial 15 mithilfe des Crimp-Prozesses durch die Klebstoffschicht 14 gedrückt wird, wird die Anpresskraft bzgl. der Klebststoffschicht 14 an den Endbereichen, an denen die Sammelelektrode 12 mehr vorsteht, ansteigen im Vergleich zu dem Mittelbereich. Im Ergebnis wird die Klebstoffschicht 14 an den Endbereichen der Sammelelektrode 12 leichter entfernt als in deren Mittelbereich, und folglich wird die Dicke der Klebstoffschicht 14 an den Endbereichen dünner und wird im mittleren Bereich dicker. Das Gleiche gilt für die Seite der Rückseitenfläche.
  • Erneut auf 2 bezugnehmend, wird auf diese Weise die Ausbildung der Klebstoffschichten 14 und 16 mithilfe des Crimp-Prozesses vorgenommen, so dass in X-Richtung die Dicke der den Mittelbereichen der Sammelelektroden 12 und 13 entsprechenden Abschnitte dicker werden als die Bereiche, die den Endbereichen A, B, C und D entsprechen (S15), und damit wird das Solarzellenmodul 10 erhalten (S16).
  • Eine Schnittansicht des Solarzellenmoduls nach dem Crimp-Prozess ist in 8 gezeigt. Die Schnittansicht in 8 entspricht der 1 und in 8 sind die Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 schematisch als flach dargestellt. Wie in 8 gezeigt ist, ist in dem Solarzellenmodul 10 in Bezug auf die Sammelelektroden 12 und 13 die Dicke der Endbereiche dieser Sammelelektroden 12 und 13 größer als an deren Mittelabschnitt in X-Richtung. Bezüglich der Klebstoffschichten 14 und 16 sind außerdem Bereiche, die den Mittelbereichen der Sammelelektroden 12 und 13 entsprechen, dicker ausgebildet als in Bereichen, die den Endabschnitten der Sammelelektroden 12 und 13 in der X-Richtung entsprechen. Damit Isst sich eine Struktur ausbilden, in der an den Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11, an welchem es leicht zu einer Stromverdichtung in den Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 kommen kann, Widerstandskomponenten der Klebstoffschichten 14 und 15 verringert, es sind mechanische Verbindungen zwischen den Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 und den Sammelelektroden 12 und 13 stark, und der elektrische Widerstand ist gering.
  • Jetzt kann auch von einer Konfiguration Gebrauch gemacht werden, bei der der als Klebstoffschicht 14 fungierende Klebstoff an den Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 herausgedrückt wird und sich bis hin zu den Seitenflächen der Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 unter Bildung einer Randleiste aufspreizt. Im Ergebnis wird die mechanische Haftfestigkeit der Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 stärker.
  • 9(a) und (b1) bis (b3) veranschaulichen ein Beispiel, bei dem durch geeignetes Einstellen der Dicke der Plattierungsmaske 21 die Breite der Endabschnitte der Sammelelektrode 12 breiter gemacht werden kann als die Breite von deren Mittelabschnitt in X-Richtung. 9(a) ist eine Draufsicht auf die Lichtaufnahmefläche der Solarzelle 40 nach Ausführung des elektrolytischen Plattierens mithilfe des Plattierungsmaske 21, wie in 3(a) und (b) gezeigt ist. 9(b1), (b2) und (b3) sind eine Schnittansicht eines Endabschnitts an der linken Seite eines Öffnungsabschnitts 24 gemäß 9(a), eine Schnittansicht eines Mittelbereichs des Öffnungsabschnitts 24 bzw. eine Schnittansicht eines Endbereichs auf der rechten Seite des Öffnungsabschnitts 24. Die Begriffe ”linke Seite” und ”rechte Seite” beziehen sich auf die Richtungen, wenn die Seite von oben betrachtet wird. Man beachte, dass der Begriff ”Breite der Sammelelektroden 12 und 13” sich auf den Fall bezieht, dass die Lichtaufnahmeseite oder die Rückseitenfläche des fotoelektrischen Wandlerabschnitts von oben betrachtet werden, und zwar in Bezug auf eine Länge in einer Richtung, die rechtwinklig zu der X-Richtung verläuft, in welcher sich die Sammelelektroden 12 und 13 erstrecken.
  • Eine Breitenabmessung der Öffnungsabschnitte 22 bis 24 der Plattierungsmaske 21 ist mit ”W” bezeichnet, eine Dickenabmessung trägt die Bezeichnung ”H”. Wenn das elektrolytische Plattieren stattfindet, wird eine Plattierungsdicke ”h2” der Endbereiche der Sammelelektrode 12 dicker als eine Plattierungsdicke ”h1” in deren Mittelbereich. Die Bedingungen für das elektrolytische Plattieren sind hier derart eingestellt, dass h2 > H > h1. Das heißt, die Ausbildung der Sammelelektrode 12 durch elektrolytisches Plattieren erfolgt solange, bis die Dicke h2 der Endbereiche der Sammelelektrode 12 in X-Richtung größer ist als die Dicke H der Plattierungsmaske 21, und die Dicke h1 im Mittelbereich der Sammelelektrode 12 die Dicke H der Plattierungsmaske 21 nicht überschreitet. Wenn die Sammelelektrode 12 auf diese Weise ausgebildet wird, ist die Breite w1 des Mittelbereichs der Sammelelektrode 12 durch die Breitenabmessung W der Plattierungsmaske 21 beschränkt, und deshalb ist die Breite w1 derart bemessen, dass w1 = W. Im Gegensatz dazu wird an den Endbereichen der Sammelelektrode 12, weil die Plattierungsdicke h2 die Dickenabmessung H der Plattierungsmaske 21 übersteigt, die Breite w2 der Sammelelektrode 12 größer als W. Das heißt, die Breiten sind derart bemessen, dass w2 > W = w1. Das Ergebnis ist auf der Seite der Rückseitenfläche das gleiche.
  • Damit lassen sich die Breiten der Sammelelektroden 12 und 13 an den Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11, wo es leich zu einer Stromverdichtung in den Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 kommt, vergrößern. Im Ergebnis erhält man eine Struktur, in der die mechanischen Verbindungen zwischen den Verdrahtungsmaterialien 15 und 17 und den Sammelelektroden 12 und 13 an den Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11 stärker werden und der elektrische Widerstand geringer wird.
  • Als Plattierungsprozesse stehen ein Glanzplattierungsprozess und ein Mattplattierungsprozess zur Verfügung, wobei eine Verbesserung des fotoelektrischen Wirkungsgrads in dem Solarzellenmodul 10 dadurch erreicht werden kann, dass man selektiv in passender Weise von diesen Plattierungsprozessen Gebrauch macht. Insbesondere hat der Einsatz dieser zwei Arten von Plattierungsprozessen eine vorteilhafte Wirkung, wenn auf der Oberfläche der Solarzelle 40 eine texturierte Struktur vorgesehen ist.
  • 10 ist eine Draufsicht welche die Einzelheiten des Plattierungsprozesses in Bezug auf Prozeduren zur Ausbildung der eine texturierte Struktur aufweisenden Solarzelle 40. 11 bis 13 sind Schnittansichten, welche zeigen, in welcher Weise die in 10 dargestellten Prozeduren ausgeführt werden.
  • In diesem Fall erfolgt die Ausbildung des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11, und dann wird auf dessen Oberfläche eine Textur ausgebildet (S21). Die Inhalte des Schritts S20 sind die gleichen wie die des Schritts S10 in 2. Die im Schritt S21 ausgebildete Textur ist eine Struktur, in der Konkavitäten und Konvexitäten auf der Oberfläche des fotoelektrischen Wandlerabschnitts vorhanden sind, demzufolge Licht, welches auf die Lichtaufnahmefläche der Solarzelle 4 oder dergleichen auftrifft, durch diese gestreut wird. Eine Schnittansicht des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11, in welchem eine Textur 50 ausgebildet ist, ist in 11 gezeigt.
  • Als nächstes erfolgt die Bildung der Sammelelektrode, wobei als Plattierungsverfahren von einem Mattplattierungsverfahren Gebrauch gemacht wird (S22). Das Mattplattierungsverfahren steht im Gegensatz zu dem Glanzplattierungsverfahren. Das Glanzplattierungsverfahren ist ein Verfahren, bei dem ein geeignetes glänzendes Material der Plattierungslösung beigegeben wird, und eine Niederschlagsrate bzgl. konvexer Bereiche derart gesteuert wird, dass eine flache und glänzende Metallschicht gebildet wird. Wenn daher zur Bildung einer Hauptschicht der Sammelelektrode von dem Glanzplattierungsverfahren Gebrauch gemacht wird, verringert sich aufgrund der flachen Elektrodenoberfläche der Lichteinfangeffekt, und dementsprechend nimmt der fotoelektrische Umwandlungswirkungsgrad ab.
  • 12 ist eine Schnittansicht zu einem Zeitpunkt, zu dem auf der Textur eine mattplattierte Schicht 51 gebildet ist. Diese mattplattierte Schicht 51, die durch das Mattplattierungsverfahren erzeugt wurde, hat eine Gestalt, die den Konkavitäten und Konvexitäten der Textur 50 entspricht.
  • Um den fotoelektrischen Umwandlungswirkungsgrad weiter zu steigern, ist es von Nutzen, das Reflexionsvermögen in Bezug auf die konkavo-konvexe Oberfläche zu steigern. Daher wird, erneut auf 10 bezugnehmend, im Anschluss an den Mattplattierungsprozess ein Glanzplattierungsprozess ausgeführt, um die Form der Substratoberfläche einzustellen (S23). 13 ist eine Schnittansicht zu einer Zeit, zu der eine glanzplattierte Schicht 52 auf der mattplattierten Schicht 51 gebildet ist, und die auf ihrer Oberfläche Konkavitäten und Konvexitäten besitzt. Da in diesem Fall die Struktur eine solche ist, die sicherstellt, dass die Konkavitäten und Konvexitäten auf der Oberfläche der mattplattierten Schicht 51, die einen hohen Lichteinfangeffekt haben, bleiben wie sie sind, kann die hier ausgebildete glanzplattierte Schicht eine geringe Dicke haben. Wenn die Metalloberfläche der mattplattierten Schicht 51 einen ausreichend großen Lichteinfangeffekt hat, braucht der Glanzplattierungsprozess nicht ausgeführt zu werden. Eine geschichtetes Produkt, in welchem die glanzplattierte Schicht 52 auf der mattplattierten Schicht 51 gebildet ist, entspricht der Sammelelektrode 12, die oben in Verbindung mit den 1 und 8 beschrieben wurde. Man beachte, dass zwar, wie in Verbindung mit 1 und 8 beschrieben wurde, die Dicke der Sammelelektrode 12, die durch das Plattierungsverfahren gebildet wurde, an den Enden dick und im Mittelbereich dünn ist bei Betrachtung in X-Richtung des fotoelektrischen Wandlerabschnitts 11, ungeachtet der Dicke der Sammelelektrode 12, aber die Oberfläche des geschichteten Produkts der mattplattierten Schicht 51 und der glanzplattierten Schicht 52 Konkavitäten und Konvexitäten aufweist, die die Konkavitäten und Konvexitäten der Textur 50 widerspiegeln.
  • 14 ist eine Schnittansicht eines Solarzellenmoduls 60, welches eine Solarzelle 53 gemäß 13 beinhaltet. Die Solarzelle 53 ist eine Solarzelle, in der eine Sammelelektrode, gebildet durch die mattplattierte Schicht 51 und die glanzplattierte Schicht 52, auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt 11 gebildet ist. Das Solarzellenmodul 60 wird gebildet durch Anordnen eines Füllstoffs 62 zwischen der Solarzelle 53 und einem Schutzelement 61 auf der Seite der Lichtaufnahmefläche. Ein transparenter Plattenkörper oder -film dient als Schutzelement auf der Seite der Lichtaufnahmefläche. Beispielsweise kann ein durchscheinendes Element wie z. B. eine Glasplatte, eine Harzmaterialplatte oder ein Harzfilm eingesetzt werden. Das gleiche Element wie das Schutzelement auf der Seite der Lichtaufnahmefläche kann als Schutzelement auch auf der Seite der Rückseitenfläche vorgesehen sein. Als Füllstoff kommen in Betracht: EVA, EEA, PVB, ein Harzmaterial auf Siliziumbasis, ein Harzmaterial auf Urethanbasis, ein Acrylharz, ein Epoxidharz oder dergleichen.
  • Wenn in 14 Licht durch das Schutzelement 61 und den Füllstoff 62 gelangt, und auf die Sammelelektrode 12 auftrifft, wird das Licht von den Konkavitäten und Konvexitäten auf der Oberfläche der Sammelelektrode 12 gestreut. Obschon etwas von dem gestreuten Licht die Textur 50 unverändert erreicht, läuft ein Teil des gestreuten Lichts in Richtung des Schutzelements 61. Da das in Richtung des Schutzelements 61 laufende Licht gestreutes Licht ist, dessen Richtungsverlauf aufgrund der Konkavitäten und Konvexitäten auf der Oberfläche der Sammelelektrode 12 nicht einheitlich ist, erreicht das gestreute Licht die Grenzfläche zwischen dem Schutzelement 61 und der Außenluft unter verschiedenen Winkeln, und das Licht wird an der oben erwähnten Grenzfläche total reflektiert und kehrt in Richtung der Textur 50 zurück.
  • Durch Ausbilden der mattplattierten Schicht 51 auf der Textur 50 in der genannten Weise dient deren Oberfläche als Konkavitäten und Konvexitäten, demzufolge einfallendes Licht in Streulicht umgesetzt werden kann, und dadurch den fotoelektrischen Umwandlungswirkungsgrad des Solarzellenmoduls 60 zu verbessern.
  • BEZUGSZEICHENLISTE
    • 10, 60 Solarzellenmodul; 11 fotoelektrischer Wandlerabschnitt; 12, 13 Sammelelektrode; 14, 16, 41, 42 Klebstoffschicht; 15, 17, 42, 44 Verdrahtungsmaterial; 20 Substrat mit Plattierungsmaske; 21 Plattierungsmaske; 22, 23, 24 Öffnungsabschnitt; 25, 26, 27, 28 Stromanschluss; 30 Plattierungsbad; 31 Plattierungslösung; 32, 33 Anodenplatte; 34, 35 Plattierungsstromquelle; 40, 53 Solarzelle; 45 untere Crimp-Lehre; 46 obere Crimp-Lehre; 50 Textur; 51 mattplattierte Schicht; 52 glanzplattierte Schicht; 61 Schutzelement; 62 Füllstoff.

Claims (8)

  1. Solarzellenmodul umfassend: einen fotoelektrischen Wandlerabschnitt; eine auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt angeordnete Sammelelektrode; eine Klebstoffschicht, die an der Sammelelektrode angebracht ist; und ein Verdrahtungsmaterial, welches mit der Sammelelektrode mittels einer dazwischen befindlichen Klebstoffschicht verbunden ist, wobei: in der Sammelelektrode eine Dicke eines Endbereichs der Sammelelektrode dicker ausgebildet ist als deren Mittelbereich bei Betrachtung in Längsrichtung der Sammelelektrode; und in der Klebstoffschicht eine Dicke eines dem Mittelbereich der Sammelelektrode entsprechenden Bereichs dicker ausgebildet ist als eine Dicke eines dem Endbereich der Sammelelektrode in deren Längsrichtung entsprechender Bereichs.
  2. Solarzellenmodul nach Anspruch 1, bei dem in der Sammelelektrode eine Breite des Endbereichs der Sammelelektrode größer ist als eine Breite des Mittelbereichs in Längsrichtung der Sammelelektrode.
  3. Solarzellenmodul nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem: der fotoelektrische Wandlerabschnitt Konkavitäten und Konvexitäten auf seiner Oberfläche aufweist, und die Sammelelektrode auf einer Oberfläche von ihr, die den Konkavitäten und Konvexitäten an der Oberfläche des fotoelektrischen Wandlerabschnitts entspricht, Konkavitäten und Konvexitäten besitzt.
  4. Verfahren zum Fertigen eines Solarzellenmoduls in Form eines Verfahrens, welches eine Sammelelektrode auf einem fotoelektrischen Wandlerabschnitt bildet und Verdrahtungsmaterial mit der Sammelelektrode über eine dazwischen befindliche Klebstoffschicht verbindet, wobei an beiden Endbereichen des fotoelektrischen Wandlerabschnitts in Längsrichtung der Sammelelektrode ein Energiezuführabschnitt vorgesehen wird und die Sammelelektrode gebildet wird durch elektrolytisches Plattieren in einer Bildungszone für die Sammelelektrode auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt; an der Sammelelektrode zur Bildung einer Klebstoffschicht ein Klebstoff aufgeschichtet wird; die Sammelelektrode und das Verdrahtungsmaterial durch Verpressen des Verdrahtungsmaterials von oberhalb der Klebstoffschicht verbunden werden; eine Dicke eines Endbereichs der Sammelelektrode durch elektrolytisches Plattieren dicker ausgebildet wird als eine Dicke eines Mittelbereichs der Sammelelektrode in deren Längsrichtung; und in der Klebstoffschicht eine Dicke eines dem Mittelbereich der Sammelelektrode entsprechenden Bereichs dicker ausgebildet wird als eine Dicke ihres Bereichs, der dem Endbereich der Sammelelektrode in deren Längsrichtung entspricht, durch Verpressen des Verdrahtungsmaterials gegen die Sammelelektrode.
  5. Verfahren zum Fertigen eines Solarzellenmoduls nach Anspruch 4, bei dem in einem Schritt des Bildens der Sammelelektrode durch elektrolytisches Plattieren, eine Plattierungsmaske mit einem Öffnungsabschnitt entsprechend der Bildungszone für die Sammelelektrode auf dem fotoelektrischen Wandlerabschnitt angeordnet wird, die Bildung der Sammelelektrode durch elektrolytisches Plattieren solange ausgeführt wird, bis die Dicke des Endbereichs der Sammelelektrode in deren Längsrichtung dicker wird als die Dicke der Plattierungsmaske, und eine Breite eines Bereichs, der dicker ist als die Dicke der Plattierungsmaske der Sammelelektrode, breiter wird als die Breite des Öffnungsabschnitts der Plattierungsmaske.
  6. Verfahren zum Fertigen eines Solarzellenmoduls nach Anspruch 5, bei dem die Bildung der Sammelelektrode durch das elektrolytische Plattieren derart ausgeführt wird, dass die Dicke des Mittelbereichs der Sammelelektrode in deren Längsrichtung dünner wird als die Dicke der Plattierungsmaske.
  7. Verfahren zum Fertigen eines Solarzellenmoduls nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei dem der fotoelektrische Wandlerabschnitt Konkavitäten und Konvexitäten auf seiner Oberfläche aufweist; und die Sammelelektrode derart gebildet wird, dass sie auf einer den Konkavitäten und Konvexitäten auf der Oberfläche des fotoelektrischen Wandlerabschnitts entsprechenden Fläche Konkavitäten und Konvexitäten besitzt.
  8. Verfahren zum Fertigen eines Solarzellenmoduls nach Anspruch 7, bei dem die Sammelelektrode gebildet wird durch Ausbilden einer mattplattierten Schicht durch einen Mattplattierungsprozess der Bildungszone für die Sammelelektrode des fotoelektrischen Wandlerabschnitts, und Bilden einer glanzplattierten Schicht durch einen Glanzplattierungsprozess auf der mattplattierten Schicht.
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