DE112010001698B4

DE112010001698B4 - Schmelzwiderstand

Info

Publication number: DE112010001698B4
Application number: DE112010001698.4T
Authority: DE
Inventors: Doo Won Kang; Gyu Jin Ahn; Sung Kwang Kim; Kyung Mi LEE; Jong II Jung
Original assignee: Smart Electronics Inc
Current assignee: Smart Electronics Inc
Priority date: 2009-04-21
Filing date: 2010-04-21
Publication date: 2014-08-21
Anticipated expiration: 2030-04-22
Also published as: DE112010001698T5; CN102414770A; US8400253B2; TWI419192B; CN102414770B; KR101060013B1; JP2012524968A; US20120032774A1; KR20100115980A; WO2010123277A2; JP5027344B1; TW201101362A; WO2010123277A3

Abstract

Schmelzwiderstand mit: einem Widerstand (10); einer Schmelzsicherung (20), die einen Stromkreis unterbricht, wenn von dem Widerstand (10) Wärme an sie abgegeben wird; wobei der Widerstand (10) an einer Seite mit einem ersten Leitungsdraht (31) und an einer gegenüberliegenden Seite mit einem zweiten Leitungsdraht (32) verbunden ist und wobei die Schmelzsicherung (20) an einer Seite mit einem dritten Leitungsdraht (33) und an einer gegenüberliegenden Seite mit einem vierten Leitungsdraht (34) verbunden ist, wobei der erste und dritte Leitungsdraht (31, 33) den Widerstand (10) mit der Schmelzsicherung (20) in Reihe verbinden; einem Gehäuse (40), das eine offene Seite hat, welche dazu dient, den Widerstand (10) und die Schmelzsicherung (20) durch die offene Seite in dem Gehäuse (40) aufzunehmen, wobei Enden des zweiten und vierten Leitungsdrahtes (32, 34) aus dem Gehäuse (40) herausgezogen sind, wobei das Gehäuse (40) an einer seiner Gehäusewände mit Nuten (41) versehen ist, durch welche der zweite und vierte Leitungsdraht (32, 34) gezogen werden; und einem Füllstoff (50), der in das Gehäuse (40) eingefüllt ist, der den Widerstand (10) und die Schmelzsicherung (20) darin einbettet und Siliziumdioxid enthält, ...

Description

Technisches Gebiet
Die Offenbarung betrifft einen Schmelzwiderstand. Zudem werden ein Verfahren zu dessen Herstellung und ein Verfahren zu dessen Installation beschrieben. Insbesondere betrifft die Offenbarung einen Schmelzwiderstand, der für die Leichtigkeit und Schmalheit von elektronischen Vorrichtungen geeignet ist, und es werden ein Verfahren zu dessen Herstellung und ein Verfahren zu dessen Installation beschrieben.
Stand der Technik
Im Allgemeinen enthalten elektrische Stromkreise von großen elektronischen Vorrichtungen, wie einem LCD-Fernseher und einem PDP-Fernseher, eine Schutzvorrichtung, wie einen Schmelzwiderstand bei einem Stromeingangsanschluss, um zu verhindern, dass die Vorrichtung durch einen Einschaltstrom, den Anstieg einer Innentemperatur oder einem kontinuierlichen Überstrom der auftritt, wenn die elektronische Vorrichtung angeschaltet wird, zerstört wird, so dass ein Stromkreis geschützt werden kann.
Der Schmelzwiderstand enthält einen Widerstand und eine Schmelzsicherung, und der Widerstand ist mit der Schmelzsicherung durch Leitungsdrähte in Reihe verbunden.
Zusätzlich sind dementsprechend dem Schmelzwiderstand, der Widerstand und die Schmelzsicherung in einem Gehäuse verpackt, um elektronische Teile davor zu schützen von Fragmenten beschädigt zu werden, die erzeugt werden, wenn das Schmelzglied geschmolzen wird, und Füllstoffe in das Gehäuse eingefüllt werden.
Die Füllstoffe weisen die Form einer Aufschlämmung auf und enthalten Siliziumdioxid (SiO₂) um die Wärmewiderstands-, Leitfähigkeits- und Aushärtungseigenschaften zu verbessern. Für den Fall der Verwendung eines typischen Widerstands ist das Gehäuse aus Keramik gefertigt.
Ein Ende des Leitungsdrahtes ragt aus dem Gehäuse heraus, und der herkömmliche Schmelzwiderstand ist auf einer Leiterplatte (PCB) angebracht, so dass der Widerstand und die Schmelzsicherung auf dem PCB durch Anlöten des Endes des Leitungsdrahtes auf dem PCB aufgestellt sind.
Dementsprechend, wenn ein Einschaltstrom angelegt wird, beschränkt der Schmelzwiderstand den Einschaltstrom auf einen vorbestimmten Stromwert durch Verwendung des Widerstandes. Wenn der Überstrom angelegt wird, überträgt der Schmelzwiderstand Wärme, die von dem Widerstand zu der Schmelzsicherung durch den Füllstoff übertragen wird, um einen Stromkreis zu unterbrechen, so dass das Schmelzglied das in der Schmelzsicherung bereitgestellt wird, und Blei (Pb) in fester Phase oder Polymerkügelchen enthält, geschmolzen wird, und dadurch elektrische Stromkreise der elektronischen Vorrichtungen geschützt werden.
Schmelzwiderstände mit jeweils einem Widerstand und einer Schmelzsicherung, mit der ein Stromkreis unterbrochen wird, wenn sie von dem Widerstand genügend Wärme erhält, sind beschrieben in DE 2 140 140 A , US 5 621 602 A , JP 250 70 73 Y2 , JP 2007 10 36 87 A , JP 2006 31 00 03 A , JP 2000 28 57 88 A und JP 2008 08 47 97 A .
Bei JP 2000 28 57 88 A sind der Widerstand und die Schmelzsicherung in einer verformbaren Hülle aufgenommen. Bei den übrigen Schriften wird ein starres Gehäuse genutzt, das an einer Seite geöffnet ist, um ein Einsetzen des Widerstands und der Schmelzsicherung zu ermöglichen. Leitungsdrähte können aus dem Gehäuse entweder durch die offene Seite oder durch zusätzliche Nuten herausgeführt werden.
Offenbarung
Technisches Problem
Da jedoch der herkömmliche Schmelzwiderstand, der das Gehäuse aufweist, welches aus Keramik gefertigt ist, und der Widerstand, der auf der PCB aufgestellt ist, hinsichtlich der Reduzierung der Dicke und seines Gewichtes eine Beschränkung aufweist, kann der Schmelzwiderstand für die Leichtigkeit und Schmalheit von elektronischen Vorrichtungen ungeeignet sein.
Genauer, da Keramik eine spezifische Dichte aufweist, die, abgesehen von Metallen, größer als anderer Materialien sind, erschwert es der Schmelzwiderstand mit dem Gehäuse, welches aus Keramik gefertigt ist, und mit einer höheren spezifischen Dichte, das Gewicht der elektronischen Vorrichtung, welches mit dem Schmelzwiderstand ausgestattet ist, zu reduzieren.
In dem Fall einer Vorrichtung, wie einem LCD-Fernseher oder einem PDP-Fernseher, wird die tatsächliche Dicke der Vorrichtung, ausschließlich einem äußeren Rahmen und eines Flüssigkristalls, durch eine PCB in dem Rahmen und Vorrichtungen (zum Beispiel Schmelzwiderstand) bestimmt, die auf der PCB angebracht sind. Wenn jedoch der Schmelzwiderstand auf der PCB in einem Zustand angebracht wird, in welchem der Widerstand auf der PCB wie ein herkömmliches Gerät aufgestellt ist, wird die Gesamtlänge des Gehäuses vollständig auf der Dicke der Vorrichtung abgebildet. Aus diesem Grund ist es schwierig die Schmalheit der elektronischen Vorrichtung, welche den Schmelzwiderstand verwendet, zu realisieren.
Das keramische Gehäuse wird durch Sintern von keramischem Pulver hergestellt. Wenn eine innere Wandung des Gehäuses die Dicke von 1,5 mm oder weniger aufweist, kann das Keramikgehäuse aufgrund der Eigenschaft von Keramik, welche eine hohe Sprödigkeit aufweist, leicht zerbrochen werden, während das Gehäuse getragen wird oder das Gehäuse hergestellt wird. In einem Sinterprozess muss, da typische Keramik eine übermäßige Kompressionsrate von ± 0,5 mm oder mehr aufweist, die innere Wandung des Gehäuses mit der Dicke von 2,5 mm oder mehr unter Berücksichtigung der Kompressionsrate gestaltet werden, um die innere Wandung des Gehäuses mit der Dicke von 2,0 mm zu erhalten. Dementsprechend kann, wie oben beschrieben, bei dem herkömmlichen Schmelzwiderstand die Dicke des Gehäuses aufgrund der Materialeigenschaft von dem Gehäuse mit hoher Sprödigkeit nicht effektiv verringert werden und übermäßig geschrumpft werden. Dies dient auch als ein Faktor um die Schmalheit einer elektronischen Vorrichtung zu unterbrechen.
Technische Lösung
Dementsprechend ist es ein Aspekt der Offenbarung einen Schmelzwiderstand, der für die Leichtigkeit und Schlankheit von elektronischen Geräten geeignet ist, bereitzustellen. Zudem werden ein Verfahren zu dessen Herstellung und ein Verfahren zu dessen Installation beschrieben.
Zusätzliche Aspekte und/oder Vorteile der Offenbarung werden teilweise in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch die ausführende Offenbarung erlernt werden.
Die vorangehenden und/oder anderen Aspekte der Offenbarung werden durch Bereitstellen eines Schmelzwiderstandes mit einem Widerstand, einer Schmelzsicherung, welche einen Stromkreis unterbricht, wenn daran von dem Widerstand Hitze angelegt wird, einem Leitungsdraht, der den Widerstand mit der Schmelzsicherung in Reihe verbindet, einem Gehäuse mit einer offenen Oberfläche, die verwendet wird, um den Widerstand und die Schmelzsicherung darin in einen Zustand aufzunehmen, in welchem ein Ende des Leitungsdrahtes aus dem Gehäuse herausgezogen ist, und welche an einer Wandungsoberfläche davon mit einer Ziehnut versehen ist, die verwendet wird, um den Leitungsdraht herauszuziehen, und einem Füllstoff, der in das Gehäuse eingefüllt ist, um den Widerstand und die Schmelzsicherung darin einzubetten und welcher Siliziumdioxid aufweist. Das Gehäuse wird durch Spritzguss mit wärmehärtbarem Harz, welches eine Wärmebeständigkeit aufweist, welche geringer ist als die Wärmebeständigkeit des Füllstoffes, gebildet.
Gemäß der Offenbarung sind der Widerstand und die Schmelzsicherung in dem Gehäuse derart vorgesehen, dass der Widerstand und die Schmelzsicherung der offenen Oberfläche Seite an Seite gegenüberliegen, und eine Wandungsoberfläche des Gehäuses, welche der offenen Oberfläche gegenüberliegt, eine Dicke in einem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 1,5 mm aufweist.
Gemäß einem anderen Aspekt der Offenbarung wird ein Herstellungsverfahren für einen Schmelzwiderstand bereitgestellt. Das Herstellungsverfahren beinhaltet das Verbinden eines Widerstandes und einer Schmelzsicherung miteinander in Reihe unter Verwendung eines Leitungsdrahtes, Spritzgießen eines Gehäuses um den Widerstand und die Schmelzsicherung darin unter Verwendung von wärmehärtbarem Harz zu erhalten, Einsetzen des Widerstandes und der Schmelzsicherung in das Gehäuse während ein Ende des Leitungsdrahtes aus dem Gehäuse gezogen wird, Befüllen des Gehäuses, indem der Widerstand und die Schmelzsicherung aufgenommen sind, mit einem Füllstoff einschließlich Siliziumdioxid, der in Form einer Aufschlämmung vorliegt, und Trocknen des Füllstoffes.
Gemäß einem noch anderen Aspekt der Offenbarung wird ein Installationsverfahren für einen Schmelzwiderstand einschließlich einem Widerstand, einer Schmelzsicherung, welche einen Stromkreis unterbricht, wenn Wärme daran von dem Widerstand angelegt wird, einem Leitungsdraht, welcher den Widerstand mit der Schmelzsicherung in Reihe verbindet, einem Gehäuse einschließlich wärmehärtbarem Harz, einer offenen Oberfläche, welche verwendet wird, um den Widerstand und die Schmelzsicherung darin in einem Zustand aufzunehmen, in welchem ein Ende des Leitungsdrahtes aus dem Gehäuse gezogen wird, einer Ziehnut, die verwendet wird, um den Leitungsdraht an einer Wandungsoberfläche des Gehäuses zu ziehen, und einem Füllstoff, der in das Gehäuse gefüllt ist, um den Widerstand und die Schmelzsicherung darin aufzunehmen. Das Installationsverfahren enthält das Anlöten des Leitungsdrahtes, welcher aus dem Gehäuse gezogen ist, auf eine Leiterplatte, und Biegen eines Leitungsdrahtes, welcher zwischen dem Gehäuse und der Leiterplatte vorgesehen ist, um der offenen Oberfläche des Gehäuses zu erlauben, der Leiterplatte gegenüber zu liegen, so dass der Widerstand und die Schmelzsicherung auf der Leiterplatte niedergelegt sind.
Vorteilhafte Wirkungen
Wie oben beschrieben, wird in dem Schmelzwiderstand und dessen Herstellungsverfahren gemäß der Offenbarung das Gehäuse unter Verwendung von wärmehärtbarem Harz, welches eine Wärmebeständigkeit aufweist, die geringer ist als die eines Füllstoffes des Gehäuses, spritzgegossen.
Daher wird das Gewicht des Schmelzwiderstandes gemäß der Offenbarung verglichen mit dem Gewicht eines Gehäuses gemäß dem Stand der Technik verringert. Sogar wenn das Gehäuse eine dünne Dicke aufweist, kann verhindert werden, dass das Gehäuse leicht zerbrochen wird, so dass das Gehäuse für die Leichtigkeit und Schlankheit einer elektronischen Vorrichtung unter Verwendung des Schmelzwiderstandes geeignet sein kann.
In dem Installationsverfahren des Schmelzwiderstandes gemäß der Offenbarung, liegt der Schmelzwiderstand der Leiterplatte derart gegenüber, dass der Widerstand und die Schmelzsicherung auf der Leiterplatte niedergelegt sind. Daher wirkt sich nur die Dicke des Gehäuses in dem Schmelzwiderstand auf die Dicke der elektronischen Vorrichtung aus, so dass der Schmelzwiderstand für die Schlankheit der elektronischen Vorrichtung, welche den Schmelzwiderstand verwendet, geeignet ist.
Beschreibung der Zeichnungen
Diese und/oder andere Aspekte und Vorteile der Offenbarung werden ersichtlich und einfacher durch die folgende Beschreibung der Ausführungsformen gewürdigt, welche in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen zu sehen sind, wobei:
1 eine perspektivische Ansicht ist, die den Aufbau eines Schmelzwiderstandes gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Offenbarung zeigt;
2 ein Fließdiagramm ist, welches in aufeinanderfolgender Weise das Herstellungsverfahren des Schmelzwiderstandes gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Offenbarung zeigt;
3 eine perspektivische Ansicht ist, welche einen Zustand zeigt, nachdem ein Vorrichtungsverbindungsschritt in dem Herstellungsverfahren des Schmelzwiderstandes gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Offenbarung ausgeführt worden ist;
4 eine perspektivische Ansicht ist, die den Aufbau eines Gehäuses zeigt, welches in einem Spritzgussschritt in dem Herstellungsverfahren des Schmelzwiderstandes gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Offenbarung gebildet ist;
5 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Zustand zeigt, nachdem ein Vorrichtungseinsetzschritt in dem Herstellungsverfahren des Schmelzwiderstandes gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Offenbarung durchgeführt worden ist;
6 eine perspektivische Ansicht ist, die einen Zustand zeigt, nachdem eine Füllstofffüllschritt in dem Herstellungsverfahren des Schmelzwiderstandes gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Offenbarung ausgeführt worden ist;
7 eine Seitenansicht ist, die einen Zustand zeigt, nachdem ein Lötschritt in einem Installationsverfahren des Schmelzwiderstandes gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Offenbarung ausgeführt worden ist, und
8 eine Seitenansicht ist, die einen Zustand nachdem ein Biegeschritt der in dem Installationsverfahren des Schmelzwiderstandes gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung durchgeführt worden ist, zeigt.
Beste Ausführungsform
Es wird jetzt genau Bezug genommen auf die Ausführungsformen der Offenbarung, wovon Beispiele in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sind, wobei sich gleiche Bezugszeichen auf gleiche Elemente beziehen. Die Ausführungsformen werden unten beschrieben, um die Offenbarung unter Bezugnahme auf die Figuren zu erläutern.
Nachfolgend wird der Aufbau eines Schmelzwiderstandes 1 und dessen Herstellungsverfahren gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Offenbarung genau unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
Wie in 1 gezeigt, wird der Schmelzwiderstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform in einem elektrischen Stromkreis einer großen elektronischen Vorrichtung wie einem LCD-Fernseher oder einem PDP-Fernseher verwendet, und enthält einen Widerstand 10, eine Schmelzsicherung 20, um einen Stromkreis durch eine Hitze ausstrahlende Wirkung des Widerstandes 10 zu unterbrechen, und Leitungsdrähte 31, 32, 33 und 34, um den Widerstand 10 mit der Schmelzsicherung 20 in Reihe zu verbinden.
Der Widerstand 10 kann im Allgemeinen als ein Zementwiderstand verwendet werden. Der Widerstand 10 kann eine Vorrichtung sein (zum Beispiel mit einem negativen Temperatur-Koeffizient (NTC) für Strom), um einen Eingangsstrom zu beschränken. Der Widerstand 10 kann gebildet sein durch Aufwickeln eines Legierungsdrahtes aus Kupfer (Cu) und Nickel (Ni) um eine Keramikstange, so dass der Widerstand 10 nicht durch einen starken Strom geschmolzen wird, aber den starken Strom aushält. Die ersten und zweiten Leitungsdrähte 31 und 32 sind mit beiden Enden des Widerstandes 10 verbunden.
Die Schmelzsicherung 20 kann ein Schmelzglied (nicht gezeigt) beinhalten, welches um eine isolierende Keramikstange gewunden ist, welche eine vorbestimmte Länge aufweist. Die Leitungsdrähte 31, 32, 33 und 34 können die dritten und vierten Leitungsdrähte 33 und 34 beinhalten, welche elektrisch mit leitenden Kappen verbunden sind, die an beiden Enden der Isolationskeramikstange installiert sind. Da die verschiedenen Arten der Schmelzsicherung 20, die durch die Hitze des Widerstandes 10 geschmolzen werden, für den Fachmann allgemein gut bekannt sind, werden Einzelheiten davon ausgelassen, um Wiederholungen zu vermeiden.
Der erste Leitungsdraht 31 des Widerstandes 10 ist mit dem dritten Leitungsdraht 33 der Schmelzsicherung 20 in Reihe durch Bogenschweißen oder Punktschweißen verbunden.
Im Schmelzwiderstand 1 sind der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 in einem Gehäuse 40 verpackt, um elektronische Teile, welche auf einer Leiterplatte (PCB) 2 zusammen mit dem Schmelzwiderstand angebracht sind, davor zu schützen, durch Fragmente beschädigt zu werden, die erzeugt werden, wenn das Schmelzglied geschmolzen wird, und ein Füllstoff 50 in das Gehäuse 40 gefüllt wird.
Das Gehäuse 40 weist eine offene Oberfläche derart auf, dass der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 einfach darin eingesetzt werden können. Das Gehäuse 40 weist eine hohlartige rechteckige Parallelepiped-Form auf, mit einer Dicke, die kleiner ist als eine Länge, so dass die Form des Gehäuses 40 der Form des Widerstandes 10 und der Schmelzsicherung 20 entspricht, welche in Form einer Stange vorgesehen sind. Der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20, die in dem Gehäuse 40 aufgenommen sind, liegen der offenen Oberfläche des Gehäuses 40 Seite an Seite gegenüber. Das Gehäuse 40 ist an einer kürzeren Wandungsoberfläche davon mit einem Paar von Ziehnuten 41 vorgesehen, um die zweiten und vierten Leitungsdrähte 32 und 34 aus dem Gehäuse 40 zu ziehen. Da der Durchmesser des Widerstandes 10 größer ist als der Durchmesser der Schmelzsicherung 20, ist die Tiefe eines inneren Aufnahmeraums 40a des Gehäuses 40 leicht größer als der Durchmesser des Widerstandes 10, so dass das Gehäuse 40 eine dünne Dicke aufweist.
Der Füllstoff 50 enthält Siliziumdioxid (SiO₂) unter Berücksichtigung der wärmebeständigen, leitenden und aushärtenden Eigenschaften. Der Füllstoff 50 ist in Form einer Aufschlämmung vorgesehen, und wird durch Vermischen von SiO₂ mit Silizium, das als ein Klebstoff dient, gebildet. Entsprechend wird der Füllstoff 50 durch einen Trocknungsprozess in dem Gehäuse 40 ausgehärtet.
Der Schmelzwiderstand 1 mit dem obigen Aufbau wird auf dem PCB 2 derart angebracht, so dass die zweiten und vierten Leitungsdrähte 32 und 34, die aus dem Gehäuse 4 gezogen werden, auf dem PCB 2 gelötet sind. Dementsprechend beschränkt, wenn der Eingangsstrom angelegt wird, der Schmelzwiderstand 1 den Eingangstrom auf einen vorbestimmten Stromwert unter Verwendung des Widerstandes 10. Wenn ein Überstrom angelegt wird, überträgt der Schmelzwiderstand 1 Wärme, die von dem Widerstand 1 zu dem Schmelzsicherung 20 durch den Füllstoff 50 ausgestrahlt wird, um einen Stromkreis zu unterbrechen, derart, dass das Schmelzglied einschließlich Blei (Pb) fester Phase oder Polymerkügelchen, die in der Schmelzsicherung 20 vorgesehen sind, geschmolzen wird, wodurch ein elektrischer Stromkreis einer elektronischen Vorrichtung geschützt wird.
In dem Schmelzwiderstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird das Gehäuse 40 unter Verwendung von wärmehärtbarem Harz spritzgegossen, welches eine Wärmebeständigkeit aufweist, die geringer ist als die des Füllstoffes 50, so dass der Schmelzwiderstand 1 für die Leichtigkeit und die Schlankheit der elektronischen Vorrichtung, welche den Schmelzwiderstand 1 verwendet, geeignet ist.
Genauer, da gemäß dem Schmelzwiderstand 1 der vorliegenden Ausführungsform der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 in dem Füllstoff 50 eingebettet sind, wird Wärme, die von dem Widerstand 10 ausgestrahlt wird, zu der Schmelzsicherung 20 durch den Füllstoff 50 übertragen. Dementsprechend wird die Wärme von dem Widerstand 10 direkt zu dem Füllstoff 50 übertragen und indirekt zu dem Gehäuse 40 übertragen. Daher wird, auch wenn das Gehäuse 40 unter Verwendung von wärmehartbarem Harz gebildet ist, welches eine Wärmeempfindlichkeit aufweist, die geringer ist als die des Füllstoffes 50, das Gehäuse 40 nicht verformt oder aufgrund der Wärme des Widerstands 10 beschädigt, und dadurch verhindert, dass die Leistung des Schmelzwiderstandes 1 verschlechtert wird. Das wärmehärtbare Harz beeinträchtigt nicht die Leistung des Schmelzwiderstandes 1 und weist eine spezifische Dichte auf, die immer nach geringer ist als die von Keramik, welche ein Gehäuse eines Schmelzwiderstandes gemäß dem Stand der Technik bildet, so dass das Gewicht des Schmelzwiderstandes 1 verglichen mit dem Schmelzwiderstand gemäß dem Stand der Technik verringert werden kann. Daher kann der Schmelzwiderstand 1 für die Leichtigkeit der elektronischen Vorrichtung, welche den Schmelzwiderstand 1 verwendet, geeignet sein.
Da das wärmehärtbare Harz verglichen mit der Keramik nicht leicht zerbrochen werden kann, auch wenn das Gehäuse 40 einen dünne Dicke aufweist, kann das Gehäuse 40 davor verschont werden, beschädigt zu werden, wenn das Gehäuse 40 getragen oder hergestellt wird. Beim Spritzguss wird geschmolzenes Harzmaterial in den Hohlraum einer Spritzform eingespritzt und das geschmolzene Harzmaterial verarbeitet, um einen Kompressionsrate fast zu entfernen, so dass ein Fehler von etwa ± 0,1 mm oder weniger angesteuert wird.
Somit kann bei dem Schmelzwiderstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Wandungsoberfläche des Gehäuses 40 bei einer Dicke in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 1,5 mm ausgebildet werden. Sogar wenn das Gehäuse 40 eine dünnere innere Wandung als oben beschrieben aufweist, kann das Gehäuse 40 davor bewahrt werden, aufgrund eines Stoßes beschädigt zu werden, wenn das Gehäuse 40 getragen oder hergestellt wird.
In einem Installationsaufbau des Schmelzwiderstandes 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform, welcher werter unten beschrieben wird, übt die Dicke einer Wandungsoberflläche des Gehäuses 40, welche der offenen Oberfläche des Gehäuses 40 gegenüber liegt, einen direkten Einfluss auf die Dicke der elektronischen Vorrichtung aus, welche den Schmelzwiderstand 1 verwendet. Dementsprechend weisen alle Wandungsoberflächen des Gehäuses 40 vorzugsweise eine Dicke in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 1,5 mm auf, wenn die Leichtigkeit und die Schlankheit der elektronischen Vorrichtung, welche den Schmelzwiderstand 1 verwendet, in Betracht gezogen wird. Wenn lediglich die Schlankheit der elektronischen Vorrichtung, welche den Schmelzwiderstand 1 verwendet, berücksichtigt wird, so kann lediglich die Wandungsoberfläche, welche der offenen Oberfläche gegenüber liegt, eine Dicke in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis 1,5 mm aufweisen.
Der Schmelzwiderstand 1 wird durch das folgende Herstellungsverfahren gestaltet.
Wie in 2 gezeigt, wird der Schmelzwiderstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform durch einen Vorrichtungsverbindungsschritt (S100) des Verbindens des Widerstandes 10 mit der Schmelzsicherung 20 und der Verwendung der Leitungsdrähte 31, 32, 33 und 34 in Reihe verbunden, einem Gehäusespritzgussschritt (S200) des Spritzgießens des Gehäuses 40, um den Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 darin unter Verwendung von wärmehärtbarem Harz aufzunehmen, einem Vorrichtungseinsetzschritt (S300) des Einsetzens des Widerstandes 10 und der Schmelzsicherung 20 in den Aufnahmeraum des Gehäuses 40, während die Enden der Leitungsdrähte 32 und 34 aus dem Gehäuse 40 gezogen werden, einem Füllstofffüllschritt (S400) des Befüllens des Gehäuses 40, in dem der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 aufgenommen worden sind, wobei der Füllstoff 50 SiO₂ in der Form einer Aufschlämmung enthält, und einem Füllstofftrocknungsschritt (S500) des Trocknens des Füllstoffes 50, welcher in dem Gehäuse 40 eingefüllt ist.
Der Vorrichtungsverbindungsschritt S100 und der Gehäusespritzgussschritt S200 können ohne Berücksichtigung deren Reihenfolge durchgeführt werden. Bei dem in 3 gezeigten Vorrichtungsverbindungsschritt S100 wird das Ende des ersten Leitungsdrahtes 31 des Widerstandes 10 mit dem Ende des dritten Leitungsdrahtes 33 der Schmelzsicherung 20 durch Bogenschweißen oder Punktschweißen in Reihe verbunden.
In dem Gehäusespritzgussschritt S200, wird das wärmehärtbare geschmolzene Harzmaterial in den Hohlraum der Spritzform eingespritzt, welche in der Form des Gehäuses 40 ausgebildet ist, um das Gehäuse 40 spritzzugießen, welches eine offene Oberfläche aufweist und mit einem Paar Ziehnute 41 versehen ist, die verwendet werden, um die zweiten und vierten Leitungsdrähte 32 und 34 herauszuziehen, an einer kürzeren inneren Wandung des Gehäuses 40, wie in 4 gezeigt. In diesem Fall liegen die Dicke der Wandungsoberfläche des Gehäuses 40 in dem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 1,5 mm derart vor, dass die Schlankheit des Schmelzwiderstandes 1 und der elektronischen Vorrichtung, welche den Schmelzwiderstand 1 verwendet, realisiert werden können. Wenn der Spritzguss durchgeführt wird, wird die Kompressionsrate des Gehäuses 40 fast entfernt, so dass ein Fehler von bis zu ± 0,1 mm oder weniger eingestellt werden kann. Dementsprechend weist die Wandungsoberfläche des Gehäuses 40 die ursprünglich entworfene Dicke auf. Da der Durchmesser des Widerstandes 10 größer ist als der der Schmelzsicherung 20, ist die Wandungsoberfläche des Gehäuses 40, welche der offenen Oberfläche des Gehäuses 40 gegenüber liegt, an der Seite des Widerstandes 10 dicker als an der Seite der Schmelzsicherung 20, derart, dass der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20, die in dem Aufnahmeraum 40a des Gehäuses 40 aufgenommen sind, auf der gleichen Höhe ausgerichtet werden können. Daher weist gemäß der vorliegenden Ausführungsform die Wandungsoberfläche des Gehäuses 40, welche der offenen Oberfläche des Gehäuses 40 gegenüber liegt, eine Dicke t1 von etwa 0,7 mm an der Seite des Widerstandes 10 auf und weist eine Dicke t2 von etwa 1,2 mm an der Seite der Schmelzsicherung 20 auf.
Wenn der Vorrichtungsverbindungsschritt (S100) und der Gehäusespritzgussschritt (S200) beendet sind, wird der Vorrichtungseinsetzschritt (S300) ausgeführt. Wie in 5 gezeigt, werden die zweiten und vierten Leitungsdrähte 32 und 34 aus dem Gehäuse 40 durch die Ziehnut 41 in dem Gehäuseeinsetzschritt (S300) herausgezogen, und der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 werden in den Aufnahmeraum 40a des Gehäuses 40 derart eingesetzt, dass der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 der offenen Oberfläche des Gehäuses 40 Seite an Seite gegenüber liegen. Nachfolgend werden in dem Füllstofffüllschritt (S400), der Füllstoff 50 in der Form einer Aufschlämmung in das Gehäuse 40 eingefüllt, welches wie in 6 gezeigt, Gegenstand des Vorrichtungseinsetzschritt (S300) gewesen ist. Der Schmelzwiderstand 1, welcher Gegenstand in dem Füllstofffüllschritt (S400) gewesen ist, wird vollständig durch den Füllstofftrocknungsschritt (S500) des Trocknens des Füllstoffes 50 für einen Tag oder zwei Tage hergestellt.
Der Schmelzwiderstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird auf der PCB 2 in der Form, die verschieden ist von der eines Schmelzwiderstandes gemäß dem Stand der Technik, installiert, um die Schlankheit der elektronischen Vorrichtung zu realisieren. 7 und 8 sind Ansichten die aufeinanderfolgend das installationsverfahren des Schmelzwiderstandes 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform zeigen.
Wie in 7 gezeigt, wenn der Schmelzwiderstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform auf der PCB 2 installiert ist, wird ein Lötschritt durchgeführt, um den Schmelzwiderstand 1 auf dem PCB 2 durch Löten eines umgebenden Abschnitts auf einem Installationsloch 2a in einem Zustand zu befestigen, in welchem die zweiten und vierten Leitungsdrähte 32 und 34 aus dem Gehäuse 40 herausgezogen sind und in das Einsatzloch 2a eingesetzt sind. In diesem Zustand sind der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 auf dem PCB 2 aufgestellt, und das Gehäuse 40 ist, aufgrund der zweiten und vierten Leitungsdrähte 32 und 34, von dem PCB 2 in einem vorbestimmten Abstand beabstandet. Dann wird wie in 8 gezeigt, der Schmelzwiderstand 1 vollständig auf dem PCB 2 durch einen Biegeschritt installiert, um der offenen Oberfläche des Gehäuses 40 zu ermöglichen, dem PCB 2 durch Biegen der zweiten und vierten Leitungsdrähte 32 und 34 gegenüber zu liegen, welche zwischen dem Gehäuse 40 und dem PCB 2 angeordnet sind, so dass der Widerstand 10 und die Schmelzsicherung 20 auf dem PCB 2 niedergelegt sind.
In dem Fall einer Vorrichtung, wie einem LCD-Fernseher oder einem PDP-Fernseher, wird die reale Dicke eines Produktes, ausschließlich eines äußeren Rahmens und eines Flüssigkristalls, durch den PCB 2 innerhalb des Rahmens und einer Vorrichtung, wie dem eines Schmelzwiderstandes 1, der auf dem PCB 2 angebracht ist, bestimmt. Daher wird, wenn der Schmelzwiderstand 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform auf dem PCB 2 in einer Dickenausrichtung derart eingebaut ist, dass der Schmelzwiderstand 1 der PCB 2 gegenüber liegt, nur die Dicke des Gehäuses 40 des Schmelzwiderstandes 1 in der Dicke der elektronischen Vorrichtung abgebildet. Entsprechend ist der Installationsaufbau des Schmelzwiderstandes 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform geeigneter für die Schlankheit einer elektronischen Vorrichtung, welche den Schmelzwiderstand 1 verwendet.
Obwohl einige Ausführungsformen der Offenbarung gezeigt und beschrieben worden sind, würde es von Fachleuten erkannt werden, dass Änderungen an diesen Ausführungsformen durchgeführt werden können ohne von den Prinzipien und dem Geist der Offenbarung abzuweichen, deren Umfang in den Ansprüchen und ihren Äquivalenten definiert ist.

Claims

Schmelzwiderstand mit: einem Widerstand (10); einer Schmelzsicherung (20), die einen Stromkreis unterbricht, wenn von dem Widerstand (10) Wärme an sie abgegeben wird; wobei der Widerstand (10) an einer Seite mit einem ersten Leitungsdraht (31) und an einer gegenüberliegenden Seite mit einem zweiten Leitungsdraht (32) verbunden ist und wobei die Schmelzsicherung (20) an einer Seite mit einem dritten Leitungsdraht (33) und an einer gegenüberliegenden Seite mit einem vierten Leitungsdraht (34) verbunden ist, wobei der erste und dritte Leitungsdraht (31, 33) den Widerstand (10) mit der Schmelzsicherung (20) in Reihe verbinden; einem Gehäuse (40), das eine offene Seite hat, welche dazu dient, den Widerstand (10) und die Schmelzsicherung (20) durch die offene Seite in dem Gehäuse (40) aufzunehmen, wobei Enden des zweiten und vierten Leitungsdrahtes (32, 34) aus dem Gehäuse (40) herausgezogen sind, wobei das Gehäuse (40) an einer seiner Gehäusewände mit Nuten (41) versehen ist, durch welche der zweite und vierte Leitungsdraht (32, 34) gezogen werden; und einem Füllstoff (50), der in das Gehäuse (40) eingefüllt ist, der den Widerstand (10) und die Schmelzsicherung (20) darin einbettet und Siliziumdioxid enthält, wobei das Gehäuse (40) durch Spritzgießen von wärmehärtbarem Harz mit einer Wärmebeständigkeit, die geringer ist als die Wärmebeständigkeit des Füllstoffes (50), gebildet ist, wobei der Widerstand (10) und die Schmelzsicherung (20) in dem Gehäuse (40) derart angeordnet sind, dass der Widerstand (10) und die Schmelzsicherung (20) zueinander Seite an Seite liegen und jeweils der offenen Seite des Gehäuses (40) zugewandt sind, wobei eine hintere Gehäusewand, welche der offenen Seite gegenüber liegt, eine Dicke in einem Bereich von etwa 0,5 mm bis etwa 1,5 mm aufweist, und wobei die Dicke (t1) der hinteren Gehäusewand am Widerstand (10) geringer ist als die Dicke (t2) der hinteren Gehäusewand an der Schmelzsicherung (20), damit der Widerstand (10) und die Schmelzsicherung (20) in einer Abstandsrichtung zur hinteren Gehäusewand auf der gleichen Höhe ausgerichtet werden können.