DE112007001758T5

DE112007001758T5 - Wafer-Behälter mit Polsterfolien

Info

Publication number: DE112007001758T5
Application number: DE112007001758T
Authority: DE
Inventors: Nobuyuki Kasama
Original assignee: Miraial Co Ltd
Current assignee: Miraial Co Ltd
Priority date: 2006-07-25
Filing date: 2007-07-24
Publication date: 2009-09-17
Also published as: JP4744603B2; US20090050518A1; KR20080100163A; JPWO2008013153A1; KR100974509B1; US7588150B2; WO2008013153A1

Abstract

Gepolsterter Wafer-Behälter, umfassend:
eine Vielzahl von übereinander angeordneten Wafer-Ablagen, die jeweils zum Halten eines Halbleiter-Wafers dienen, und
eine elastische Wafer-Halte-Polsterfolie, die auf der Oberseite der jeweiligen Wafer-Ablage angebracht ist, um den Halbleiter-Wafer darauf zu platzieren,
wobei der auf einer Fläche der Wafer-Halte-Polsterfolie platzierte Halbleiter-Wafer in einem zwischen der jeweiligen Wafer-Ablage und einer angrenzend darüber angeordneten anderen Wafer-Ablage gebildeten Innenraum aufgenommen ist,
wobei der Wafer-Behälter ferner umfasst:
eine auf der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildete Wafer-Saughaftfläche, wobei die Wafer-Saughaftfläche durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer haftet,
wobei die Wafer-Ablagen jeweils mit einer Vielzahl von zur Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie hin offenen Bodenöffnungen, einer mit den Bodenöffnungen kommunizierenden Luftkammer und einem Lufteinlass zum Zuführen von Druckluft in die Luftkammer von außen versehen sind,
wobei, wenn Druckluft durch den Lufteinlass in die Luftkammer zugeführt wird, um den Luftdruck in der Luftkammer zu erhöhen, die Wafer-Halte-Polsterfolie an den Bodenöffnungen zugewandten...

Description

Technisches Gebiet:
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Wafer-Behälter mit Polsterfolien (nachfolgend gelegentlich als „gepolsterter Wafer-Behälter” bezeichnet) zur Verwendung beim Transportieren oder Aufbewahren von Halbleiter-Wafern.
Technischer Hintergrund:
Bei einem Halbleiterfertigungsprozess werden dünne Halbleiter-Wafer in einem Wafer-Behälter getragen oder aufbewahrt, wenn sie zwischen Bearbeitungsschritten transportiert oder bei jedem einzelnen Bearbeitungsschritt bewegt oder gelagert werden, um zu verhindern, dass die Halbleiter-Wafer beschädigt oder verunreinigt werden.
Vorgeschlagen wurde ein Wafer-Behälter mit einer Vielzahl von Wafer-Ablagen, die übereinander angeordnet sind, um jeden einzelnen Halbleiter-Wafer in einem zwischen einem Paar aneinander grenzender Wafer-Ablagen gebildeten Innenraum aufzunehmen, so dass die Halbleiter-Wafer darin unabhängig voneinander sicher aufbewahrt werden können (vergl. z. B. Patentdokument 1).
Zum sicheren Aufbewahren von Halbleiter-Wafern, die aufgrund der Tatsache, dass sie in den vergangenen Jahren in der Stärke extrem reduziert wurden, zerbrechlich geworden sind, wurde ein Wafer-Behälter mit Polsterfolien vorgeschlagen, in dem ein einzelner Halbleiter-Wafer in einem zwischen zwei Wafer-Ablagen gebildeten Innenraum zwischen zwei Polsterfolien gehalten ist. Dadurch, dass der Halbleiter-Wafer zwischen den Polsterfolien gehalten ist, wird verhindert, dass er durch äußere Einwirkungen, wie beispielsweise Vibration oder Stoß, beschädigt wird (vergl. z. B. Patentdokument 2).

Patentdokument 1: japanische Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. 2003-168731
Patentdokument 2: japanische Patentanmeldung Veröffentlichtungsnr. 2005-191419

Offenbarung der Erfindung:
Aufgabe der Erfindung:
Ein Halbleiter-Wafer ist flach, wenn er zwischen zwei Polsterfolien zwischen zwei übereinander angeordneten Wafer-Ablagen gehalten ist. Wenn jedoch die obere und die untere Wafer-Ablage voneinander getrennt werden, um den Halbleiter-Wafer aus dem Zustand, in dem er zwischen den Polsterfolien gehalten ist, freizusetzen, kann der zuvor flache Halbleiter-Wafer z. B. durch darin vorhandene innere Spannung gewölbt werden. Wiederholt sich eine derartige Zustandsänderung viele Male, kann der Halbleiter-Wafer beschädigt werden.
Unter diesen Umständen ist es vorstellbar, den Halbleiter-Wafer so an die untere Polsterfolie zu haften, dass der Halbleiter-Wafer immer flach gehalten wird. Ein extrem dünner Halbleiter-Wafer kann jedoch durch die Kraft seiner Haftung an der Polsterfolie beschädigt werden, wenn er von dieser getrennt wird.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Wafer-Behälter mit Polsterfolien anzugeben, der in der Lage ist, Schäden an den Halbleiter-Wafern während des Transports oder der Aufbewahrung zu verhindern, und der in der Lage ist, die Halbleiter-Wafer jederzeit flach zu halten, um Schäden an den Halbleiter-Wafern aufgrund wiederholter Zustandsänderungen (zwischen dem Zustand, in dem sie flach gehalten sind, und dem Zustand, in dem sie gewölbt sind) zu verhindern.
Mittel zum Lösen der Aufgabe:
Zum Lösen obiger Aufgabe gibt die vorliegende Erfindung einen gepolsterten Wafer-Behälter an, der eine Vielzahl von übereinander angeordneten Wafer-Ablagen, die jeweils zum Halten eines Halbleiter-Wafers dienen, und eine elastische Wafer-Halte-Polsterfolie enthält, die auf der Oberseite der jeweiligen Wafer-Ablage angebracht ist, um den Halbleiter-Wafer darauf zu platzieren. Der auf der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie platzierte Halbleiter-Wafer ist in einem zwischen der jeweiligen Wafer-Ablage und einer angrenzend darüber angeordneten anderen Wafer-Ablage gebildeten Innenraum aufgenommen. Der Wafer-Behälter enthält ferner eine Wafer-Saughaftfläche, die auf der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet ist. Die Wafer-Saughaftfläche haftet durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer. Jede Wafer-Ablage ist mit einer Vielzahl von zur Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie hin offenen Bodenöffnungen, einer mit den Bodenöffnungen kommunizierenden Luft kammer und einem Lufteinlass zum Zuführen von Druckluft in die Luftkammer von außen ausgestattet. Wenn Druckluft durch den Lufteinlass in die Luftkammer zugeführt wird, um den Luftdruck in der Kammer zu erhöhen, wird die Wafer-Halte-Polsterfolie an den Bodenöffnungen zugewandten Bereich in eine nach oben aufgeblasene Form elastisch verformt, wodurch die Trennung zwischen dem Halbleiter-Wafer und zumindest einem Teil der Wafer-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie bewirkt wird.
Es sei darauf hingewiesen, dass der gepolsterte Wafer-Behälter folgendermaßen ausgeführt sein kann. Die Wafer-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie ist von einer Vielzahl winzig kleiner Saugnäpfe gebildet, so dass Drücken der winzig kleinen Saugnäpfe gegen den Halbleiter-Wafer das Befestigen des Halbleiter-Wafers durch Ansaugen an den winzig kleinen Saugnäpfen bewirkt.
Der gepolsterte Wafer-Behälter kann folgendermaßen ausgeführt sein. Die Wafer-Halte-Polsterfolie hat eine Größe, die ausreichend bemessen ist, um im Wesentlichen die gesamte Fläche des Halbleiter-Wafers zu halten, und die Wafer-Saughaftfläche ist auf zumindest einem Teil der Vorderseite der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet.
Die Wafer-Saughaftfläche kann nur an solchen Stellen der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet sein, die mit den in der jeweiligen Wafer-Ablage ausgebildeten Bodenöffnungen zusammenfallen. Alternativ kann die Wafer-Saughaftfläche nur an solchen Stellen der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet sein, die nicht mit den in der jeweiligen Wafer-Ablage ausgebildeten Bodenöffnungen zusammenfallen.
Die Wafer-Saughaftfläche kann mit einer gleichmäßigen Dichte oder mit stellenweise unterschiedlichen Dichten auf der Wafer-Halte-Polsterfolie verteilt sein. In diesem Fall kann der übrige Teil der Vorderseite der Wafer-Halte-Polsterfolie, der nicht zu der Wafer-Saughaftfläche gehört, gegenüber der Wafer-Saughaftfläche vertieft sein.
Zusätzlich kann auf der Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie eine Ablage-Saughaftschicht ausgebildet sein, die durch Ansaugen luftdicht an der Oberseite der Wafer-Ablage haftet. Hinsichtlich der jeweiligen Adhäsionskraft der Wafer-Saughaftfläche und der Ablage-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie ist die Adhäsionskraft der Wafer-Saughaftfläche relativ zu dem Halbleiter-Wafer vorzugsweise kleiner gewählt als die Adhäsionskraft der Ablage-Saughaftfläche relativ zu der Oberseite der Wafer-Ablage.
Die Wafer-Halte-Polsterfolie kann einen integrierten Stapel aus einer die Ablage-Saughaftfläche enthaltenden Ablage-Saughaftschicht, einer als elastisches Polster dienenden Polsterschicht und einer die Wafer-Saughaftfläche enthaltenden Wafer-Saughaftschicht umfassen. In diesem Fall kann die Polsterschicht aus einem elastomeren Polymermaterial oder einem elastischen Polymerschaumstoff gebildet sein.
Die Bodenöffnungen können gleichmäßig über einen der Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie zugewandten Bereich verteilt sein. Die in der Wafer-Ablage ausgebildeten Bodenöffnungen können jeweils die Form einer Nut haben, die von ihrer Mitte aus radial auswärts verläuft.
Der gepolsterte Wafer-Behälter kann ferner eine elastische Wafer-Andruck-Polsterfolie an der Bodenseite der jeweiligen Wafer-Ablage enthalten, um den Halbleiter-Wafer gegen die Wafer-Halte-Polsterfolie zu drücken. In diesem Fall hat vorzugsweise zumindest die Wafer-Halte-Polsterfolie oder die Wafer-Andruck-Polsterfolie einen elektrischen Oberflächenwiderstand im Bereich von 10⁸ Ω bis 10¹⁰ Ω. Der gepolsterte Wafer-Behälter kann ferner einen Ablagenverbindungsmechanismus zum lösbaren Verbinden der übereinander angeordneten Wafer-Ablagen zu einem Stapel enthalten, so dass der Stapel aus übereinander angeordneten Wafer-Ablagen an jeder beliebigen Stelle in dem Stapel getrennt werden kann.
Der gepolsterte Wafer-Behälter nach vorliegender Erfindung kann folgendermaßen ausgeführt sein. Der gepolsterte Wafer-Behälter enthält eine Vielzahl übereinander angeordneter Wafer-Ablagen, die jeweils zum Halten eines Halbleiter-Wafers dienen, sowie eine an der Oberseite des jeweiligen Wafer-Behälters angebrachte Wafer-Halte-Polsterfolie, um den Halbleiter-Wafer darauf zu platzieren. Der auf der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie platzierte Halbleiter-Wafer ist in einem zwischen der jeweiligen Wafer-Ablage und einer angrenzend darüber angeordneten weiteren Wafer-Ablage gebildeten Innenraum aufgenommen. Der Wafer-Behälter enthält ferner eine Wafer-Saughaftfläche, die auf der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet ist. Die Wafer-Saughaftfläche haftet durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer. Jede Wafer-Ablage ist mit einer Vielzahl von zur Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie hin offenen Bodenöffnungen, einer mit den Bodenöffnungen kommunizierenden Luftkammer und einer Saugöffnung zum Absaugen von Luft aus der Luftkammer nach außen versehen. Wenn die Luft in der Luftkammer durch die Saugöffnung nach außen gesaugt wird, um den Luftdruck in der Luftkammer zu reduzieren, wird die Wafer-Halte-Polsterfolie an ihren Bereichen, die den Bodenöffnungen zugewandt sind, in einen zu den Bodenöffnungen hin gesaugten Zustand elastisch verformt, wodurch die Trennung zwischen dem Halbleiter-Wafer und zumindest einem Teil der Wafer-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie bewirkt wird. In diesem Fall ist die Wafer-Saughaftfläche vorzugsweise nur an Stellen der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet, die mit den in der jeweiligen Wafer-Ablage ausgebildeten Bodenöffnungen zusammenfallen.
Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung:
Gemäß vorliegender Erfindung ist eine Wafer-Saughaftfläche, die durch Ansaugen an einem Halbleiter-Wafer haftet, auf der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet, wodurch der Halbleiter-Wafer durch Ansaugen an der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie immer festgehalten werden kann. Folglich besteht keine Wahrscheinlichkeit, dass der Halbleiter-Wafer während des Transports beschädigt wird. Zudem kann der Halbleiter-Wafer jederzeit flach gehalten werden, und eine Beschädigung aufgrund wiederholter Zustandsänderung (zwischen dem Zustand, in dem er flach ist, und dem Zustand, in dem er gewölbt ist) kann so verhindert werden.
Ferner wird die Wafer-Halte-Polsterfolie, auf der der Halbleiter-Wafer durch Ansaugen an ihre Oberfläche gehalten ist, an einer Vielzahl von Stellen von ihrer Rückseite her durch Druckluft aufgeblasen (oder an einer Vielzahl von Stellen angesaugt), um dadurch die Trennung zwischen dem Halbleiter-Wafer und zumindest einem Teil der Wafer-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie zu bewirken. Daher kann der Halbleiter-Wafer ohne Beschädigung leicht von der Wafer-Halte-Polsterfolie gelöst werden.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen:
1 ist eine geschnittene Seitenansicht, die zeigt, wie ein Halbleiter-Wafer bei einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung von einer Wafer-Ablage entfernt wird.
2 ist eine perspektivische Ansicht einer Vielzahl von übereinander angeordneten Wafer-Ablagen eines gepolsterten Wafer-Behälters nach dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, die einen Zustand zeigt, in dem ein Teil der übereinander angeordneten Wafer-Ablagen von den übrigen Wafer-Ablagen getrennt ist.
3 ist eine geschnittene Seitenansicht zweier Wafer-Behälter, die bei dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung voneinander getrennt sind.
4 ist eine geschnittene Seitenansicht zweier Wafer-Behälter, die bei dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung miteinander verbunden sind.
5 ist eine schematische Schnittansicht einer Saughaftschicht, die bei dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung durch Ansaugen an einem Halbleiter-Wafer oder am Boden einer Wafer-Ablage lösbar angebracht ist.
6 ist eine geschnittene Seitenansicht, die zeigt, wie eine Polsterfolie bei dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung von einer Wafer-Ablage entfernt wird.
7 ist eine Schnittansicht einer Wafer-Ablage bei dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung entlang der Linie VII-VII in 3.
8 ist eine fragmentarische Schnittansicht, die zeigt, wie zwei Wafer-Ablagen bei dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung voneinander getrennt werden.
9 ist eine geschnittene Seitenansicht, die zeigt, wie ein Halbleiter-Wafer bei einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung von einer Wafer-Ablage entfernt wird.
10 ist eine geschnittene Seitenansicht, die zeigt, wie ein Halbleiter-Wafer bei einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung von einer Wafer-Ablage entfernt wird.
11 ist eine perspektivische Ansicht einer Bodenöffnung, die in einer Wafer-Ablage nach einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung vorgesehen ist.
12 ist eine Draufsicht einer Wafer-Halte-Polsterfolie nach einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
13 ist eine Schnittansicht der Wafer-Halte-Polsterfolie nach dem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
14 ist eine Draufsicht einer Wafer-Halte-Polsterfolie nach einem sechsten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
15 ist eine fragmentarische Seitenansicht, die zeigt, wie ein Halbleiter-Wafer bei einem siebten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung von einer Wafer-Ablage entfernt wird.
Beste Art die Erfindung auszuführen:
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen erläutert.
2 zeigt die allgemeine Anordnung eines Wafer-Behälters mit Polsterfolien. Der Wafer-Behälter hat eine Vielzahl vertikal übereinander angeordneter horizontaler Wafer-Ablagen 1, auf denen jeweils ein Halbleiter-Wafer W zu halten ist. Es sei darauf hingewiesen, dass 2 den Wafer-Behälter in einem Zustand darstellt, in dem ein Teil der übereinander angeordneten Wafer-Ablagen 1 von den übrigen Wafer-Ablagen getrennt ist. Zwei Basis-Ablagen 2 sind am oberen und am unteren Ende des Stapels aus übereinander angeordneten Wafer-Ablagen 1 angebracht. Die Basis-Ablagen 2 sind mit Verbindungsnuten 3 zum Verbinden mit (nicht dargestellten) mechanischen Schnittstellen ausgestattet.
Die Wafer-Ablagen 1 sind aus einem Kunststoff, z. B. einem Polycarbonat-Kunstharz geformt. Wenn die Wafer-Ablagen 1 übereinander angeordnet sind, ist ein auf der jeweiligen Wafer-Ablage 1 platzierter Halbleiter-Wafer W in einem zwischen der Wafer-Ablage 1 und einer angrenzend darüber angeordneten anderen Wafer-Ablage 1 gebildeten Innenraum aufgenommen. Es sei jedoch darauf hingewiesen, dass der Halbleiter-Wafer W nicht direkt auf der Wafer-Ablage 1, sondern auf einer auf der Oberseite der Wafer-Ablage 1 angebrachten Wafer-Halte-Polsterfolie 5 (im Folgenden einfach als „Haltepolster 5” bezeichnet) platziert ist.
Ein elastisches ringförmiges Dichtungselement 6 ist außerhalb des Umfangs des Haltepolsters 5 derart angeordnet, dass es dieses gänzlich umgibt. Jede Wafer-Ablage 1 hat Griffe 7, die an 180°-symmetrischen Stel len an ihrer Außenkante ausgebildet sind, so dass jede Wafer-Ablage 1 von einer Maschine einzeln gehalten werden kann.
Jede Wafer-Ablage 1 hat Verbindungsöffnungen 8, die an ihrer Oberseite jeweils an Stellen (z. B. vier Stellen) ausgebildet sind, die näher an ihrer Außenkante liegen als das ringförmige Dichtungselement 6, um die Wafer-Ablage 1 mit einer darüber angeordneten anderen Wafer-Ablage 1 zu verbinden. Entsprechend den Verbindungsöffnungen 8 sind nach unten vorstehende Verbindungshaken 9 an vier Stellen am Boden der jeweiligen Wafer-Ablage 1 derart ausgebildet, dass sie in die Verbindungsöffnungen 8 lösbar eingreifen.
Somit bilden die Verbindungsöffnungen 8 und die Verbindungshaken 9 einen Ablagenverbindungsmechanismus zum lösbaren Verbinden einer Vielzahl übereinander angeordneter Wafer-Ablagen 1 zu einem Stapel, so dass der Stapel aus übereinander angeordneten Wafer-Ablagen 1 an jeder gewünschten Stelle in dem Stapel getrennt werden kann. Das Bezugszeichen 10 bezeichnet Schlüssellöcher 10 zum Einführen eines (nicht dargestellten) Aufhakschlüssels zum Lösen der Verbindungshaken 9 aus den Verbindungsöffnungen 8. Bezugszeichen 11 bezeichnet einen Lufteinlass 11 zum Zuführen von Druckluft von der äußeren Umgebung, um den Halbleiter-Wafer W von der Wafer-Ablage 1 zu entfernen, der später ausführlich beschrieben wird.
Die 3 und 4 sind geschnittene Seitenansichten, die einen Zustand, in dem zwei Wafer-Ablagen 1 voneinander getrennt sind, bzw. einen Zustand, in dem diese Wafer-Ablagen 1 übereinander angeordnet sind, zeigen. Es sei darauf hingewiesen, dass in diesen Figuren Schnittansichten verschiedener Stellen miteinander kombiniert sind, um die Schnitte der Verbindungshaken 9, der Lufteinlässe 11 usw. in einer einzigen Zeichnung zu zeigen. Das ringförmige Dichtungselement 6 auf der jeweiligen Wafer-Ablage 1 ist so angeordnet, dass seine untere Hälfte in eine ringförmige Nut eingepasst ist, die auf der Oberseite der Wafer-Ablage 1 in einer Position leicht einwärts ihrer Außenkante ausgebildet ist. Jede Wafer-Ablage 1 ist tellerförmig ausgebildet. Das heißt, die Oberseite der Wafer-Ablage 1 ist an ihrem einwärts des ringförmigen Dichtungselements 6 gelegenen Abschnitts vertieft, und ein Abschnitt der Unterseite der Wafer-Ablage 1, der einwärts des ringförmigen Dichtungselements 6 gelegen ist, steht nach unten vor. Das Haltepolster 5 ist in dem vertieften Abschnitt der Oberseite der Wafer-Ablage 1 angeordnet.
Das Haltepolster 5 ist scheibenförmig ausgebildet und seine Größe ist ausreichend bemessen, um im Wesentlichen die gesamte Fläche eines Halbleiter-Wafers W zu halten, wobei ein Material verwendet wird, das über seine Gesamtheit keine chemisch nachteiligen Auswirkungen auf den Halbleiter-Wafer W hat, z. B. aus einem Material, das nicht mehr als eine vorgegebene Menge Verunreinigungsgas erzeugt. Das Haltepolster 5 umfasst einen integrierten Stapel aus drei Schichten: einer Polsterschicht 5A, die als elastisches Polster dient, das den Halbleiter-Wafer W vor einem externen Stoß oder dergleichen schützt, einer Ablage-Saughaftschicht 5B, die eine Ablage-Saughaftfläche hat, die durch Ansaugen lösbar an der Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 haftet, und eine Wafer-Saughaftschicht 5C, die eine Wafer-Saughaftfläche hat, die durch Ansaugen lösbar an dem Halbleiter-Wafer W haftet. Von den drei Schichten ist die Polsterschicht 5A aus einem elastischen Polymermaterial, z. B. einen Polymerschaumstoff wie Urethanschaum, oder einem elastomeren Polymermaterial gebildet.
Die Ablage-Saughaftschicht 5B und die Wafer-Saughaftschicht 5C, die auf der Vorderseite bzw. der Rückseite der Polsterschicht 5A ausgebildet sind, sind jeweils aus einem Material gebildet, das aller Wahrscheinlichkeit nach keine chemisch nachteiligen Auswirkungen auf die Umgebung hat, z. B. aus einem Polymerschaumgummi wie beispielsweise einem Acryllatexschaum, der im Wesentlichen aus einem Acrylester-Copolymer besteht, einem elastomeren Polymerschaumstoff oder einem Urethan-Polymerschaumstoff. Wie in 5 schematisch dargestellt, sind die Ablage-Saughaftschicht 5B und die Wafer-Saughaftschicht 5C aus einem Schaumstoff gebildet und haben somit jeweils eine große Zahl darin ausgebildeter Zellen 5h. Von den Zellen 5h fungieren Zellen 5h', die zur Außenluft offen sind, jeweils als winzig kleine Saugnäpfe.
Folglich bildet jeweils die gesamte freiliegende Fläche der Ablage-Saughaftschicht 5B und der Wafer-Saughaftschicht 5C winzig kleine Saugnäpfe (es sei darauf hingewiesen, dass winzig kleine Saugnäpfe nur auf einem Teil der freiliegenden Fläche ausgebildet sein können). Durch Andrücken der winzig kleinen Saugnäpfe an eine Haftfläche, d. h. die Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 oder den Halbleiter-Wafer W, werden die winzig kleinen Saugnäpfe durch Ansaugen an der Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 oder dem Halbleiter-Wafer W befestigt. Es sei darauf hingewiesen, dass die Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 und die Oberfläche des Halbleiter-Wafers W vorzugsweise glatte Flächen sind, um die für diesen Zweck erforderliche Adhäsionskraft zu gewährleisten. Auch haben die winzig kleinen Saugnäpfe (Zellen 5h') der Saughaftschichten 5B und 5C vorzugsweise einen mittleren Durchmesser von nicht unter ungefähr 10 μm und nicht über ungefähr 50 μm. Es sei darauf hingewiesen, dass es sich bei den Zellen 5h um offene Zellen oder geschlossene Zellen handeln kann. In 5 sind die Zellen 5h vereinfacht und schematisch dargestellt.
Wenn bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel ein Halbleiter-Wafer W wie in 3 gezeigt auf der Wafer-Ablage 1 platziert ist, ist die Rückseite des Haltepolsters 5 durch Ansaugen luftdicht an der Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 befestigt, und der Halbleiter-Wafer W ist durch Ansaugen an der Wafer-Saughaftschicht 5C auf der Oberseite des Haltepolsters 5 befestigt. Selbst wenn die Wafer-Ablage 1 während einer Operation zum Trennen zweiter Wafer-Ablagen 1 voneinander oder während der Überprüfung des Halbleiter-Wafers W gekippt wird, ist es folglich unwahrscheinlich, dass das Haltepolster 5 von der Wafer-Ablage 1 gleitet und dass der Halbleiter-Wafer W von dem Haltepolster 5 gleitet. Zudem wird der Halbleiter-Wafer W jederzeit flach gehalten, ohne gewölbt zu werden, da er durch Ansaugen an der Oberseite des Haltepolsters 5 befestigt ist. Daher ist es möglich, Schäden an dem Halbleiter-Wafer W zu verhindern, die ansonsten durch wiederholte Änderungen zwischen dem Zustand, in dem er flach ist, und dem Zustand, in dem er gewölbt ist, hervorgerufen werden könnten.
Zum Reinigen oder Austauschen kann das Haltepolster 5, wie in 6 gezeigt, leicht von der Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 entfernt werden, indem eine Bedienperson es zwischen die Finger nimmt und es mit einer gewissen Kraft zieht. Es sei jedoch darauf hingewiesen, dass die Adhäsionskraft der Wafer-Saughaftschicht 5C des Haltepolsters 5 relativ zu dem Halbleiter-Wafer W vorzugsweise kleiner gewählt sein sollte als die Adhäsionskraft der Ablage-Saughaftschicht 5B des Haltepolsters 5 relativ zu der Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1, um zu verhindern, dass das Haltepolsters 5 ungewollt von der Wafer-Ablage 1 entfernt wird, bevor der Halbleiter-Wafer W von dem Haltepolster 5 entfernt ist. Ein derartiges Einstellen der Adhäsionskraft kann zum Beispiel bewerkstelligt werden, indem die jeweiligen Zellen 5h der Saughaftschichten 5B und 5C hinsichtlich Durchmesser oder Dichte unterschiedlich ausgebildet werden.
Jede Wafer-Ablage hat eine elastische Wafer-Andruck-Polsterfolie 15 (im Folgenden einfach als „Andruckpolster 15” bezeichnet), die durch Ansaugen lösbar an ihrem Boden 14 befestigt ist, um den darunter liegenden Halbleiter-Wafer W gegen das Haltepolster 5 der unteren angrenzenden Wafer-Ablage 1 zu drücken.
Das Andruckpolster 15 bei diesem Ausführungsbeispiel ist scheibenförmig ausgebildet und seine Größe ist ausreichend bemessen, um einen vorbestimmten Bereich des Halbleiter-Wafers W oder im Wesentlichen seine gesamte Fläche anzudrücken, wobei ein Material verwendet wird, das keine chemisch nachteiligen Auswirkungen auf den Halbleiter-Wafer W hat, wie es auch bei dem Haltepolster 5 der Fall ist. Insbesondere enthält das Andruckpolster 15 einen integrierten Stapel aus zwei Schichten: einer als elastisches Polster dienenden Polsterschicht 15A und einer Saughaftschicht 15B mit einer Saughaftfläche, die durch Ansaugen lösbar an dem Boden 14 der Wafer-Ablage 1 befestigt wird.
Die Polsterschicht 15A und die Saughaftschicht 15B, die bei diesem Ausführungsbeispiel das Andruckpolster 15 bilden, sind auf die gleiche Weise angeordnet, wie die Polsterschicht 5A und die Ablage-Saughaftschicht 5B (oder die Wafer-Saughaftschicht 5C), die das oben beschriebene Haltepolster 5 bilden. Folglich kann das Andruckpolster 15 durch Ansaugen an dem Boden 14 der Wafer-Ablage 1 lösbar befestigt werden. Das Andruckpolster 15 kann zum Reinigen oder Austauschen, wie in 6 gezeigt, leicht von dem Boden 14 der Wafer-Ablage 1 entfernt werden, indem eine Bedienperson es zwischen die Finger nimmt und mit einer gewissen Kraft zieht.
Es sei darauf hingewiesen, dass das Haltepolster 5 und das Andruckpolster 15 durch mechanische Befestigungsmittel unter Verwendung eines Befestigungsrahmens oder dergleichen oder durch Thermoschweißen oder ähnliche Mittel an der Wafer-Ablage 1 befestigt sein können. Wenn das Haltepolster 5 fest an der Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 befestigt ist (zumindest an seinem äußeren Umfangsbereich luftdicht) ist die Einschränkung hinsichtlich des Drucks der Druckluft (später beschrieben) vorteilhaft reduziert, ebenso wie die Einschränkung hinsichtlich der Adhäsionskraft zwischen dem Haltepolster 5 und dem Halbleiter-Wafer W.
Wie weiter in den 3 und 4 dargestellt, ist in jeder Wafer-Ablage 1 eine Luftkammer 16 in der Bodenwand ausgebildet, die mit dem oben beschriebenen Lufteinlass 11 in Verbindung steht. Die Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 hat eine Vielzahl von Bodenöffnungen 17, die an jeweiligen Stellen ausgebildet sind, die der Ablage-Saughaftschicht 5B auf der Rückseite des Haltepolsters 5 zugewandt sind. Die Bodenöffnungen 17 kommunizieren direkt mit der Luftkammer 16.
Genauer gesagt ist eine große Zahl (z. B. von ungefähr 20 bis ungefähr 1000) Bodenöffnungen 17 gleichmäßig über einen Bereich verteilt, der der Rückseite des Haltepolsters 5 zugewandt ist, wie auch in 7 gezeigt, die eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII in 3 ist. Beispielsweise sind die Bodenöffnungen 17 so ausgebildet, dass ihre Gesamtfläche nicht kleiner ist als die Hälfte der Fläche des Halbleiter-Wafers W. Die Luftkammer 16 ist durch Aushöhlen der Wafer-Ablage 1 zu einem einzigen scheibenförmigen Raum ausgebildet, der direkt mit allen Boden öffnungen 17 kommuniziert. Soll verhindert werden, dass die Luftkammer 16 durch eine externe Kraft zerdrückt wird, sollten vorzugsweise säulenförmige Element oder dergleichen auf geeignete Weise in der Luftkammer 16 angeordnet werden. Der Lufteinlass 1 kommuniziert direkt mit einem äußeren Randabschnitt der Luftkammer 16.
Wenn bei der oben beschriebenen Anordnung, wie in 1 gezeigt, Druckluft von einer Druckpumpe 20 oder dergleichen durch den Lufteinlass 11 in die Luftkammer 16 geleitet wird, um den Luftdruck in der Luftkammer 16 zu erhöhen, wird das Haltepolster 5 an den Bodenöffnungen 17 zugewandten Stellen in eine nach außen aufgeblasene Form elastisch verformt. Folglich löst sich der Halbleiter-Wafer W an seinen Bereichen, die nicht zu denjenigen an den Oberseiten der aufgeblasenen Abschnitte und ihren benachbarten Bereichen gehören, von der Wafer-Saughaftschicht 5C des Haltepolsters 5.
Folglich kann danach der Halbleiter-Wafer W mit geringer Kraft von dem Haltepolster 5 getrennt werden. Somit kann der Halbleiter-Wafer W ohne Beschädigung leicht von dem Haltepolster 5 entfernt werden. Wird das Haltepolster 5 mit einer Kraft gezogen, die die Kraft zum Trennen des Halbleiter-Wafers W von dem Haltepolster 5 übersteigt, kann das Haltepolster 5 zum bedarfsweisen Reinigen oder Austauschen von der Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 getrennt werden, wie oben erklärt wurde.
Wie weiter in den 3 und 4 dargestellt ist, hat jeder Verbindungshaken 9 einen länglichen Schaftabschnitt, der von dem Boden 14 der Wafer-Ablage 1 absteht, und einen nach außen gebogenen L-förmigen Hakenabschnitt, der an dem distalen Ende des Schaftabschnitts einstückig ausgebildet ist. Folglich tritt, wie in 4 gezeigt, wenn eine Wafer- Ablage 1 über einer unteren Wafer-Ablage 1 angeordnet und gegen letztere gedrückt wird, der Hakenabschnitt des jeweiligen Verbindungshakens 9 unter elastischer Verformung seines Schaftabschnitts in die zugehörige Verbindungsöffnung 8 ein. Nach Eintreten des Hakenabschnitts in die Verbindungsöffnung 8 kehrt der Verbindungshaken 9 in seine ursprüngliche Form vor der elastischen Verformung zurück. Als Ergebnis steht der Hakenabschnitt des Verbindungshakens 9 fest mit der Verbindungsöffnung 8 in Eingriff, und somit sind die beiden übereinander angeordneten Wafer-Ablagen 1 miteinander verbunden.
Infolgedessen wird das in die untere Wafer-Ablage 1 eingepasste ringförmige Dichtungselement 6 über seinen gesamten Umfang durch den Boden 14 der oberen Wafer-Ablage 1 gedrückt und elastisch verformt. Somit wird der Raum, der den Halbleiter-Wafer W innerhalb des ringförmigen Dichtungselements 6 beherbergt, gegenüber der äußeren Umgebung abgedichtet. Folglich wird der auf der unteren Wafer-Ablage 1 platzierte Halbleiter-Wafer W zwischen dem Haltepolster 5 der unteren Wafer-Ablage 1 und dem Andruckpolster 15 der oberen Wafer-Ablage 1 elastisch gehalten. Somit wird der Halbleiter-Wafer W sicher gehalten, ohne dass er äußeren Einwirkungen wie z. B. einem Stoß direkt ausgesetzt ist.
So sind eine geeignete Anzahl von Wafer-Ablagen 1, die jeweils einen Halbleiter-Wafer W halten, übereinander angeordnet und miteinander verbunden, und in diesem Zustand können die Halbleiter-Wafer W sicher transportiert und aufbewahrt werden. Wenn eine Wafer-Ablage 1 von dem Stapel übereinander angeordneter Wafer-Ablagen 1 getrennt werden soll, wie in 8 gezeigt, wird ein (nicht dargestellter) Aufhakschlüssel in das Schlüsselloch 10 eingeführt, was das elastische Verformen des Schaftabschnitts des Verbindungshakens 9 bewirkt, so dass der Verbindungshaken 9 aus der Verbindungsöffnung 8 lösbar ist. Folglich kann die obere Wafer-Ablage 1 angehoben und von der unteren Wafer-Ablage 1 getrennt werden.
Im Übrigen hat der Halbleiter-Wafer W allgemein einen elektrischen Oberflächenwiderstand der Größenordnung von 10⁹ Ω. Daher können, wenn das Haltepolster 5 und das Andruckpolster 15, die die Vorderseite bzw. Rückseite des Halbleiter-Wafers W berühren, so ausgelegt sind, dass sei einen Oberflächenwiderstand haben, der im Wesentlichen gleich dem des Halbleiter-Wafers W ist, die Adhäsion von Staub an der Kontaktfläche mit dem Halbleiter-Wafer W sowie elektrisch nachteilige Auswirkungen auf auf dem Halbleiter-Wafer W ausgebildete elektrische Schaltungen unterdrückt werden. Folglich sollte vorzugsweise zumindest das Haltepolster 5 oder das Andruckpolster 15 einen elektrischen Oberflächenwiderstand im Bereich von 10⁸ Ω bis 10¹⁰ Ω haben. Im besten Fall haben sowohl das Haltepolster 5 als auch das Andruckpolster 15 einen elektrischen Oberflächenwiderstand der Größenordnung von 10⁹ Ω, d. h. den gleichen elektrischen Widerstand wie derjenige des Halbleiter-Wafers W.
Die 9 und 10 zeigen ein zweites bzw. ein drittes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, wobei jede darstellt, wie ein Halbleiter-Wafer W von einer Wafer-Ablage 1 entfernt wird. Bei diesen Ausführungsbeispielen dienen nur einige Bereiche der Wafer-Saughaftschicht 5C des Haltepolsters 5 als Wafer-Saughaftflächen 50, die durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer W haften. Die übrigen Bereiche der Wafer-Saughaftschicht 5C sind nicht haftende Flächen 51, die nicht durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer W haften. Bei dem in 9 gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel sind Wafer-Saughaftflächen 50 nur an Stellen ausgebildet, die mit den in der Wafer-Ablage 1 ausgebildeten Boden öffnungen 17 zusammenfallen. Bei dem in 10 gezeigten dritten Ausführungsbeispiel sind Wafer-Saughaftflächen 50 nur an Stellen ausgebildet, die nicht mit den in der Wafer-Ablage 1 ausgebildeten Bodenöffnungen 17 zusammenfallen. Bei diesen Anordnungen können der Halbleiter-Wafer W und das Haltepolster 5 noch leichter durch aus dem Lufteinlass 11 eingeblasene Druckluft getrennt werden.
11 zeigt eine der Bodenöffnungen 17 bei einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist jede in der Wafer-Ablage 1 ausgebildete Bodenöffnung 17 eine kreuzförmige Nut. Das Bezugszeichen 17a bezeichnet eine Luftöffnung, die mit der Luftkammer 16 kommuniziert. Die in dieser Form ausgebildeten Bodenöffnungen 17 haben den folgenden vorteilhaften Effekt. Wenn der Druck der Druckluft von den Bodenöffnungen 17 aus auf das Haltepolster 5 wirkt, wird das Haltepolster 5 von seinen entlang den Bodenöffnungen 17 verlaufenden Stellen aus schrittweise verformt. Wenn sich die Verformung schrittweise um die Bodenöffnungen 17 herum entwickelt, trennen sich der Halbleiter-Wafer W und das Haltepolster 5 behutsam voneinander. Daher kann die auf den Halbleiter-Wafer W ausgeübte Belastung reduziert werden. Es sei darauf hingewiesen, dass die Bodenöffnungen 17 in einer Nutform ausgebildet sein können, die von der Mitte der jeweiligen Bodenöffnung 17 radial auswärts verläuft, z. B. als spiralförmige Nut oder als eine Vielzahl von geraden radialen Nuten.
12 zeigt die Wafer-Saughaftschicht 5C des Haltepolsters 5 bei einem fünften Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel bildet nicht die gesamte Fläche des Haltepolsters 5 eine Wafer-Saughaftfläche 50, die durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer W haftet, sondern eine Vielzahl von Wafer-Saughaftflächen 50 ist in regelmäßigen Abständen und mit regelmäßiger Dichte verteilt, während der Rest der Wafer-Saughaftschicht 5C nicht haftende Flächen 51 bildet, die nicht durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer W haften. 13 ist eine Schnittansicht der Wafer-Saughaftschicht 5C. Wenn eine Unregelmäßigkeit auf der Oberfläche der Wafer-Saughaftschicht 5C ausgebildet ist, bilden Erhebungen Wafer-Saughaftflächen 50, während Vertiefungen (d. h. vertiefte Abschnitte) nicht haftende Flächen 51 bilden, wie in 13 dargestellt ist. Alternativ können die nicht haftenden Flächen 51 durch thermische Bearbeitung ausgebildet werden. Die Adhäsionskraft der Wafer-Saughaftschicht 5C kann nach Wunsch eingestellt werden, indem eine geeignete Dichte von Wafer-Saughaftflächen 50 gewählt wird, wie oben erklärt. Die Wafer-Saughaftflächen 50 können in verschiedenen Bereichen mit unterschiedlichen Dichten ausgebildet sein. Die Wafer-Saughaftflächen 50 können in einer durchgängigen netzartigen Struktur ausgebildet sein, wie in 14 dargestellt ist, die ein sechstes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
15 zeigt ein siebtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist anstelle des Lufteinlasses 11 der Wafer-Ablage 1 eine Saugöffnung 11' zum externen Absaugen von Luft aus der Luftkammer 16 vorgesehen. Das heißt, die Luft in der Luftkammer 16 wird durch eine Saugpumpe 30 oder dergleichen durch die Saugöffnung 11' abgesaugt, um den Luftdruck in der Luftkammer 16 zu reduzieren, was bewirkt, dass das Haltepolster 5 an seinen den Bodenöffnungen 17 zugewandten Bereichen in einen Zustand, in dem es zu den Bodenöffnungen 17 hin angesaugt ist, elastisch verformt wird, wodurch ein Teil oder die Gesamtheit der Wafer-Saughaftschicht 5C des Haltepolsters 5 von dem Halbleiter-Wafer W getrennt wird. Es sei darauf hingewiesen, dass bei diesem Ausführungsbeispiel Wafer-Saughaftflächen 50 vorzugs weise nur an Stellen ausgebildet sind, die mit den in der Wafer-Ablage 1 ausgebildeten Bodenöffnungen 17 zusammenfallen, wie es bei dem in 9 gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel der Fall ist.
Was die Inhalte der folgenden Punkte (1) bis (8) betrifft, kann das siebte Ausführungsbeispiel Anordnungen verwenden, die denen der vorhergehenden Ausführungsbeispiele ähneln:

(1) Eine Ablage-Saughaftfläche (5B), die durch Ansaugen luftdicht an der Oberseite 13 der Wafer-Ablage 1 haftet, ist auf der Rückseite des Haltepolsters 5 ausgebildet.
(2) Was die jeweilige Adhäsionskraft der Wafer-Saughaftfläche (5C) und der Ablage-Saughaftfläche (5B) des Haltepolsters 5 betrifft, so ist die Adhäsionskraft der Wafer-Saughaftfläche (5C) relativ zu dem Halbleiter-Wafer W kleiner gewählt als die Adhäsionskraft der Ablage-Saughaftfläche (5B) relativ zu der Oberseite 13 der Wafer-Ablage.
(3) Das Haltepolster 5 umfasst einen integrierten Stapel aus einer Ablage-Saughaftschicht 5B mit einer Ablage-Saughaftfläche, einer als elastisches Polster dienenden Polsterschicht 5A und einer Wafer-Saughaftschicht 5C mit einer Wafer-Saughaftfläche.
(4) Die Polsterschicht 5A ist aus einem elastischen elastomeren Polymermaterial oder einem elastischen Polymerschaumstoff gebildet.
(5) Eine Vielzahl von Bodenöffnungen 17 ist gleichmäßig über einen der Rückseite des Haltepolsters 5 zugewandten Bereich verteilt.
(6) Eine elastisches Andruckpolster 15 ist am Boden 14 der jeweiligen Wafer-Ablage 1 angeordnet, um den Halbleiter-Wafer W gegen das Haltepolster 5 zu drücken.
(7) Zumindest das Haltepolster 5 oder das Andruckpolster 15 hat einen elektrischen Oberflächenwiderstand im Bereich von 10⁸ Ω bis 10¹⁰.
(8) Verbindungsöffnungen 8 und Verbindungshaken 9 (Ablagenverbindungsmechanismus) sind vorgesehen, um eine Vielzahl übereinander angeordneter Wafer-Ablagen 1 derart zu einem Stapel zu verbinden, das der Stapel aus übereinander angeordneten Wafer-Ablagen 1 an jeder beliebigen Stelle in dem Stapel getrennt werden kann.

Es sei darauf hingewiesen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die vorstehenden Ausführungsbeispiele beschränkt ist. Beispielsweise ist der Ablagenverbindungsmechanismus nicht auf die Struktur beschränkt, bei der die Verbindungshaken 9 in die Verbindungsöffnungen 8 eingreifen, sondern kann jede beliebige andere Ablagenverbindungsstruktur sein.
Zusammenfassung
Eine Wafer-Halte-Polsterfolie (5) hat eine auf einer Oberfläche ausgebildete Wafer-Saughaftfläche (5C), die durch Ansaugen an einem Halbleiter-Wafer (W) haftet. Eine Wafer-Ablage (1) ist mit einer Vielzahl von zu der Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie (5) hin offenen Bodenöffnungen (17), einer mit den Bodenöffnungen kommunizierenden Luftkammer (16) und einem Lufteinlass (11) zum Zuführen von Druckluft in die Luftkammer (16) von außen versehen. Wenn also Druckluft durch den Lufteinlass (11) in die Luftkammer (16) zugeführt wird, um den Luftdruck in der Luftkammer (16) zu erhöhen, wird die Wafer-Halte-Polsterfolie (5) an den Bodenöffnungen (17) zugewandten Bereichen in eine aufgeblasene Form elastisch verformt, wodurch die Trennung zwischen dem Halbleiter-Wafer (W) und zumindest einem Teil der Wafer-Saughaftfläche (5C) der Wafer-Halte-Polsterfolie (5) bewirkt wird.

1: Wafer-Ablage
5: Haltepolster (Wafer-Halte-Polsterfolie)
5A: Polsterschicht
5B: Ablage-Saughaftschicht
5C: Wafer-Saughaftschicht
8: Verbindungsöffnung (Ablagenverbindungsmechanismus)
9: Verbindungshaken (Ablagenverbindungsmechanismus)
11: Lufteinlass
11': Saugöffnung
13: Oberseite
14: Boden
15: Andruckpolster (Wafer-Andruck-Polsterfolie)
15A: Polsterschicht
15B: Saughaftschicht
16: Luftkammer
17: Bodenöffnung
20: Druckpumpe
30: Saugpumpe
50: Wafer-Saughaftfläche
51: nicht haftende Fläche
W: Halbleiter-Wafer

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- JP 2003-168731 [0004]
- JP 2005-191419 [0004]

Claims

Gepolsterter Wafer-Behälter, umfassend: eine Vielzahl von übereinander angeordneten Wafer-Ablagen, die jeweils zum Halten eines Halbleiter-Wafers dienen, und eine elastische Wafer-Halte-Polsterfolie, die auf der Oberseite der jeweiligen Wafer-Ablage angebracht ist, um den Halbleiter-Wafer darauf zu platzieren, wobei der auf einer Fläche der Wafer-Halte-Polsterfolie platzierte Halbleiter-Wafer in einem zwischen der jeweiligen Wafer-Ablage und einer angrenzend darüber angeordneten anderen Wafer-Ablage gebildeten Innenraum aufgenommen ist, wobei der Wafer-Behälter ferner umfasst: eine auf der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildete Wafer-Saughaftfläche, wobei die Wafer-Saughaftfläche durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer haftet, wobei die Wafer-Ablagen jeweils mit einer Vielzahl von zur Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie hin offenen Bodenöffnungen, einer mit den Bodenöffnungen kommunizierenden Luftkammer und einem Lufteinlass zum Zuführen von Druckluft in die Luftkammer von außen versehen sind, wobei, wenn Druckluft durch den Lufteinlass in die Luftkammer zugeführt wird, um den Luftdruck in der Luftkammer zu erhöhen, die Wafer-Halte-Polsterfolie an den Bodenöffnungen zugewandten Bereichen in eine nach oben aufgeblasene Form elastisch verformt wird, wodurch die Trennung zwischen dem Halbleiter-Wafer und zumindest einem Teil der Wafer-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie bewirkt wird.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 1, bei dem die Wafer-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie aus einer Vielzahl von winzig kleinen Saugnäpfen gebildet ist, so dass Drücken der winzig kleinen Saugnäpfe gegen den Halbleiter-Wafer das Befestigen des Halbleiter-Wafers durch Ansaugen an den winzig kleinen Saugnäpfen bewirkt.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 1, bei dem die Wafer-Halte-Polsterfolie eine Größe hat, die ausreichend bemessen ist, um im Wesentlichen die gesamte Fläche des Halbleiter-Wafers zu halten, wobei die Wafer-Saughaftfläche auf zumindest einem Teil einer Vorderseite der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet ist.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 3, bei dem die Wafer-Saughaftfläche nur an Stellen der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet ist, die mit den in der jeweiligen Wafer-Ablage ausgebildeten Bodenöffnungen zusammenfallen.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 3, bei dem die Wafer-Saughaftfläche nur an Stellen der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet ist, die nicht mit den in der jeweiligen Wafer-Ablage ausgebildeten Bodenöffnungen zusammen fallen.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 3, bei dem die Wafer-Saughaftfläche mit einer gleichmäßigen Dichte oder mit stellenweise verschiedenen Dichten auf der Wafer-Halte-Polsterfolie verteilt ist.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 6, bei dem der Teil der Vorderseite der Wafer-Halte-Polsterfolie, der nicht zur Wafer-Saughaftfläche gehört, gegenüber der Wafer-Saughaftfläche zurückgesetzt ist.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 1, bei dem eine Ablage-Saughaftfläche, die durch Ansaugen an der Oberseite der Wafer-Ablage luftdicht haftet, auf der Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet ist.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 8, bei dem hinsichtlich der jeweiligen Adhäsionskraft der Wafer-Saughaftfläche und der Ablage-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie, die Adhäsionskraft der Wafer-Saughaftfläche relativ zu dem Halbleiter-Wafer kleiner gewählt ist als die Adhäsionskraft der Ablage-Saughaftfläche relativ zu der Oberseite der Wafer-Ablage.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 8, bei dem die Wafer-Halte-Polsterfolie einen integrierten Stapel aus einer die Ablage-Saughaftfläche enthaltenden Ablage-Saughaftschicht, einer als elastisches Polster dienenden Polsterschicht und einer die Wafer-Saughaftfläche enthaltenden Wafer-Saughaftschicht umfasst.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 10, bei dem die Polsterschicht aus einem elastischen elastomeren Polymermaterial oder einem elastischen Polymerschaumstoff gebildet ist.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 1, bei dem die Bodenöffnungen gleichmäßig über einen der Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie zugewandten Bereich verteilt sind.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 1, bei dem die Bodenöffnungen in der Wafer-Ablage jeweils die Form einer Nut haben, die von deren Mitte aus radial auswärts verläuft.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine elastische Wafer-Andruck-Polsterfolie, die auf der Unterseite der jeweiligen Wafer-Ablage angeordnet ist, um den Halbleiter-Wafer gegen die Wafer-Halte-Polsterfolie zu drücken.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 14, bei dem zumindest die Wafer-Halte-Polsterfolie oder die Wafer-Andruck-Polsterfolie einen elektrischen Oberflächenwiderstand in einem Bereich von 10⁸ Ω bis 10¹⁰ Ω hat.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 1, ferner umfassend: einen Ablagenverbindungsmechanismus zum lösbaren Verbinden der übereinander angeordneten Wafer-Ablagen zu einem Stapel, so dass der Stapel aus übereinander angeordneten Wafer-Ablagen an jeder beliebigen Stelle in dem Stapel getrennt werden kann.
Gepolsterter Wafer-Behälter, umfassend: eine Vielzahl von übereinander angeordneten Wafer-Ablagen, die jeweils zum Halten eines Halbleiter-Wafers dienen, und eine elastische Wafer-Halte-Polsterfolie, die auf der Oberseite der jeweiligen Wafer-Ablage angebracht ist, um den Halbleiter-Wafer darauf zu platzieren, wobei der auf einer Fläche der Wafer-Halte-Polsterfolie platzierte Halbleiter-Wafer in einem zwischen der jeweiligen Wafer-Ablage und einer angrenzend darüber angeordneten anderen Wafer-Ablage gebildeten Innenraum aufgenommen ist, wobei der Wafer-Behälter ferner umfasst: eine auf der Oberfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildete Wafer-Saughaftfläche, wobei die Wafer-Saughaftfläche durch Ansaugen an dem Halbleiter-Wafer haftet, wobei die Wafer-Ablagen jeweils mit einer Vielzahl von zur Rückseite der Wafer-Halte-Polsterfolie hin offenen Bodenöffnungen, einer mit den Bodenöffnungen kommunizierenden Luftkammer und einer Saugöffnung zum Saugen von Luft aus der Luftkammer nach außen versehen sind, wobei, wenn die Luft in der Luftkammer durch die Saugöffnung nach außen abgesaugt wird, um den Luftdruck in der Luftkammer zu reduzieren, die Wafer-Halte-Polsterfolie an ihren den Bodenöffnungen zugewandten Bereichen in einen zu den Bodenöffnungen hin angesaugten Zustand elastisch verformt wird, wodurch die Trennung zwischen dem Halbleiter-Wafer und zumindest einem Teil der Wafer-Saughaftfläche der Wafer-Halte-Polsterfolie bewirkt wird.
Gepolsterter Wafer-Behälter nach Anspruch 17, bei dem die Wafer-Saughaftfläche nur an solchen Stellen der Wafer-Halte-Polsterfolie ausgebildet ist, die mit den in der jeweiligen Wafer-Ablage ausgebildeten Bodenöffnungen zusammenfallen.