DE112004001029T5

DE112004001029T5 - Verfahren zum Reduzieren der laufzeitbedingten Verzögerung und Prozess- und Temperaturwirkungen auf einen Puffer

Info

Publication number: DE112004001029T5
Application number: DE112004001029T
Authority: DE
Inventors: Christian Klein; James J.Ii. Mcdonald
Original assignee: Fairchild Semiconductor Corp
Current assignee: Fairchild Semiconductor Corp
Priority date: 2003-06-12
Filing date: 2004-06-10
Publication date: 2006-06-08
Also published as: CN100547925C; CN1806388A; WO2004112249A1; JP4653752B2; KR101099224B1; US6756826B1; KR20060059896A; JP2007517419A

Abstract

Pufferschaltung, Folgendes umfassend:
einen Ausgangstreibertransistor mit einem Steuereingang,
eine erste und eine zweite niederwertigere Stromquelle mit entgegengesetzten Polaritäten,
einen ersten Schalter, der im aktiven Zustand die erste niederwertigere Stromquelle an den Steuereingang anschließt,
einen zweiten Schalter, der im aktiven Zustand die zweite niederwertigere Stromquelle an den Steuereingang anschließt,
eine erste und eine zweite höherwertigere Impulsstromquelle mit entgegengesetzten Polaritäten, wobei beide der Impulsstromquellen an den Steuereingang angeschlossen sind, wobei die erste Impulsstromquele von derselben Polarität ist wie die erste niederwertigere Stromquelle, und die zweite Impulsstromquelle von derselben Polarität ist wie die zweite niederwertigere Stromquelle,
ein Eingangssignal mit einem ersten Zustand, in dem der erste Schalter eingeschaltet wird, und einem zweiten Zustand, in dem der zweite Schalter eingeschaltet wird,
eine Zeitgeberschaltung, die durch die Flankenübergänge des Eingangssignals aktiviert wird, wobei die Zeitgeberschaltung Ausgänge zum Aktivieren der beiden höherwertigeren Impulsstromquellen aufweist, wobei der erste Schalter und...

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Minimieren von Temperatur- und Herstellungsverarbeitungsauswirkungen auf die Verzögerung eines Puffers, während gleichzeitig eine kurze Pufferschaltungslaufzeit bereitgestellt wird.
Hintergrundinformation
Viele elektronische Systeme sind so aufgebaut, dass sie eine Anordnung von Rückwandleiterplattenverdrahtungen verwenden, um unter den verschiedenen Funktionen in bestimmten Systemen gemeinsam Informationen und Daten zu nutzen. Da die Systeme und die Rückwandleiterplattenverdrahtungen willkürlich auf eine Anzahl unterschiedlicher Systeme verstreut und/oder diesen über Busse zugeteilt sind, ist die Impedanzbelastung der Verdrahtungsleitungen ungesteuert. Bei solchen Systemen können Hochgeschwindigkeitsflanken Systemfehler verursachen. Die ungesteuerte Anschlussimpedanz ist fehlangepasst, und Leitungslängen der Verdrahtungsübertragungsleitungen führen zu ausgedehnten Ringverbindungen mit hohen Spannungsschwankungen, die Logikfunktionen stören können. Darüber hinaus koppeln sich die Hochgeschwindigkeitsflanken in andere Signalleitungen kapazitiv ein, wodurch Fehler entstehen, und, wenn sich Ströme aufgrund von Impedanzunregelmäßigkeiten ändern, kann auch eine Magnetkopplung zwischen Signalleitungen Logikfehler verursachen. Die Probleme bereitenden schnellen Flanken erfordern den Einsatz langsamer Flanken, die auch bei den Betriebsbedingungen langsam bleiben.
Routinemäßig werden Rückwandleiterplatten verwendet, um hochschnelle Mikroprozessorsysteme, Massenspeicher, Cache-Speicher, Kommunikationssysteme, Anzeigen, Tastaturen, Drucker und andere typische, in solchen Systemen anzutreffende Peripheriegeräte miteinander zu verschalten. Hochgeschwindigkeitsflanken verursachen in solchen Systemen Probleme.
Puffer, die Rückwandleiterplatten ansteuern, sind mit langsamen Anstieggeschwindigkeiten ausgelegt, um die vorstehend gerade erwähnten Probleme zu senken. Zusätzlich werden temperaturkompensierte Puffer entwickelt, diese Auslegungen tragen aber der Pufferschaltungsverzögerung und den Auswirkungen von Energiezufuhr- und Prozessschwankungen keine Rechnung.
Das US-Patent Nr. 6,437,622 stellt den Stand der Technik dar, indem es langsame Flanken bereitstellt, die so temperaturkompensiert werden, dass sich die langsamen Flanken bei Temperaturänderungen wenig verändern. Die langsamen Flanken werden erzielt, indem die Gates der MOS-Ausgangstransistoren P1 und N1 in einen "Stromaushungerungszustand" versetzt werden. Indem die Gates langsam angesteuert werden, sind die Ausgangsflanken entsprechend langsam. Die erfindungsgemäße 1 aus der 6,437,622 veranschaulicht die Auslegung. Hier sind die Stromquellen gezeigt, die die Gates der Transistoren P1 und N1 langsam ansteuern oder aushungern. In dieser Auslegung passt sich der Steuerstrom der Temperatur an, um die Anstieggeschwindigkeitsveränderungen der Treibertransistoren P1 und N1 auszugleichen. Bei höheren Temperaturen wird mehr Steuerstrom zur Verfügung gestellt.
2 stellt den Ausgang der Pufferschaltung wie von 1 dar. Ein Unterschied in der laufzeitbedingten Verzögerung von einer Nanosekunde oder darüber über die Prozessspannung und -temperatur ist in solchen Auslegungen gang und gäbe. 2 zeigt die Ausgangswellenform für 4 extreme PVT-Bedingungen, die Eckprozessbedingungen (gleichzeitige Extreme verschiedener Parameter), niedrige und hohe VCCs und extreme Temperaturen umfassen. Die Linie 20 stellt im Vergleich zu Linie 22 die Veränderung aufgrund einer Temperaturänderung von +110°C auf –40°C dar. Die Linie 20 zeigt im Vergleich zur Linie 24 die Veränderung von einem "schnellen" zu einem "langsamen" Prozess, gleichzeitig mit einer VCC-Änderung von +3,45 V auf + 3,15 V. Die Linie 26 ist eine Linie bei +3,15 V, –40°C und einem langsamen Prozess. Dieselben Parameterveränderungen sind in 4 in der erfindungsgemäßen Schaltung gezeigt, bei der die in 2 gezeigte Verzögerung von einer Nanosekunde auf weniger als 0,1 Nanosekunden 40 reduziert ist.
Die Ausgangstransistoren P1 und N1 von 1 weisen Schwellenwerte auf, die erreicht werden müssen, bevor die Transistoren ansprechen. Der niedrige Strom wird die Gates zwangsläufig langsam ansteuern, was zu einer Schaltungsverzögerung führt, bevor die Transistoren anzusprechen beginnen. In praktischen Auslegungen schwächen höhere Temperaturen die MOS-Ausgangstreibertransistoren, und, wenn Energiezufuhrschwankungen und Chipherstellungsschwankungen zusammenkommen, können Nanosekunden der Verzögerung bestehen.
In bekannten Auslegungen ist jedoch die Verzögerung des Puffers im Hinblick auf die Temperatur und Schwankungen in den Herstellungsprozessen, die natürlich mit der Zeit auftreten, übermäßig und ungesteuert.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Pufferverzögerung und dessen Schwankungen im Hinblick auf sich verändernde Betriebsbedingungen und Herstellungsschwankungen auf ein Mindestmaß zurückzufahren.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Angesichts der vorstehenden Hintergrunderläuterung stellt die vorliegende Erfindung eine Pufferschaltung und einen Prozess zum Ansteuern eines Ausgangssignals bereit, wobei ein Ausgangstreibertransistor einen Steuereingang bildet, vorzugsweise ein Gate eines MOS-Transistors, der im Ansprechen auf eine Logikeingangssignal langsam in der Plus- und Minusrichtung angesteuert wird, um dadurch am Pufferausgang langsame Flanken herzustellen. Die vorliegende Erfindung stellt zusätzlich Stromimpulse beider Polaritäten bereit, die zu Beginn eines Plus- und eines Minuslogikübergangs ausgelöst werden. Der Stromimpuls dauert nur ausreichend lange an, um irgendwelche Schwellenwerte zu überwinden, die überwunden werden müssen, bevor der Pufferschaltungsausgang auf das Steuereingangssignal zu reagieren beginnt. Vorzugsweise werden die Impulse, ausgelöst durch das Logikeingangssignal, durch eine Einzelschrittzeitgeberschaltung bereitgestellt. Der zeitgesteuerte Ausgang der Einzelschritte aktiviert Schalter, höherrangigere Stromquellen an den Steuereingang der Pufferschaltung anzuschließen.
In einer bevorzugten Ausführungsform können die Einzelschrittzeitgeberimpulse so ausgelegt sein, dass sie Temperatur-, Prozess- und Versorgungsspannungsschwankungen derart ausgleichen, dass die Pufferschaltungsverzögerung bei solchen Schwankungen im Wesentlichen konstant bleibt. Typischerweise wird der Einzelschrittzeitgeberimpuls bei ansteigender Temperatur, langsameren Transistorherstellungsprozessen und niedrigeren Versorgungsspannungen länger.
Digitale Systeme, die Computer- oder Prozessorsysteme, Kommunikationssysteme, Speicher und praktisch jedes andere digitale System umfassen, werden Vorteile in der Implementierung der vorliegenden Erfindung finden.
Dem Fachmann auf dem Gebiet wird klar sein, dass die vorliegende Erfindung, obwohl die folgende ausführliche Beschreibung ausgehend mit Bezug auf veranschaulichende Ausführungsformen, die Zeichnungen und Gebrauchsverfahren erfolgt, nicht auf diese Ausführungsformen und Gebrauchsverfahren beschränkt sein soll. Vielmehr ist die vorliegende Erfindung von einem weiten Umfang und soll nur so definiert sein, wie in den begleitenden Ansprüchen dargelegt ist.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die nachstehende Erfindungsbeschreibung bezieht sich auf die begleitenden Zeichnungen:
1 ist eine Schemaansicht von Pufferschaltungen aus dem Stand der Technik;
2 ist ein Zeitablaufdiagramm, das Verzögerungsschwankungen von Pufferschaltungen aus dem Stand der Technik zeigt;
3 ist ein Blockschema, das eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
4 ist ein Zeitablaufdiagramm, das Schwankungen der Verzögerung der vorliegenden Erfindung bei Temperatur- und Prozessveränderungen veranschaulicht;
5 ist ein Zeitablaufdiagramm des Einschrittimpulses und der Ausgangstransistorsteuerschaltung; und
6 ist eine detailliertere Schemaansicht von 3.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG EINER VERANSCHAULICHENDEN AUSFÜHRUNGSFORM
3 ist eine Schemaansicht, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Der Ansatz besteht darin, in derselben Richtung wie die Stromquellen des Stands der Technik von 1 dem Gate des Ausgangstransistors einen kurzen "Zug" bzw. eine kurze Anzugskraft zukommen zu lassen. Die Anzugskraft treibt die Gates schnell auf die Ausgangstransistorschwellenwerte, um der Verzögerung entgegenzuwirken, die aufgetreten wäre, wenn nur ein schwacher Strom zum Ansteuern der Gates zur Verfügung gestanden hätte. Die Anzugskraft beeinträchtigt die langsame Ausgangsflanke nicht, wenn die Anzugskraft nur auf das Überwinden der Schwellenwerte beschränkt ist, z.B. die ersten mehreren hundert Millivolt an den Gates. Nachdem diese ersten mehreren hundert Millivolt des Übergangs durchschritten wurden, steuern die Schwachstromquellen 10 und 12 das Gate weiter langsam an, wodurch die gewünschten langsamen Ausgangsflanken erzeugt werden. Die Flankenübergänge hängen in erster Linie von dieser Endansteuerung ab, und somit werden die langsamen Flanken aufrechterhal ten. Der Anzug lässt den Ausgang sich deutlich vor dem Zeitpunkt anlaufen, zu dem er ohne die vorliegende Erfindung eingesetzt hätte, und senkt so die Verzögerung, ohne die Flankenübergangsgeschwindigkeit zu beeinträchtigen.
Immer noch mit Bezug auf 3, aktivieren die Einschrittimpulse abwechselnd die Transistoren 20 und 22. Die Dioden 30 und 32 begrenzen die Spannungsschwankung am Gate 34 des Ausgangstransistors 38, wenn die Transistoren 20 und 22 aktiv sind. Die Spannungsabfälle an den Dioden können größenangepasst werden, um so dem Schwellenwert des Ausgangstransistors 38 angepasst zu sein, dass die Einschrittansteuerungen den Schwellenwert des Ausgangstransistors im Wesentlichen übersteigen. Darüber hinaus kann die Auslegung der Einschrittimpulsbreite einen Temperaturausgleich beinhalten, wobei, wenn die Temperatur ansteigt und die Ausgangstransistoransteuerung schwächer wird, der Impuls zunimmt, wodurch ein stärkerer Anfangsimpuls bereitgestellt wird, der den schwächer werdenden Transistoren entgegenwirkt. Auslegungen von Einschrittimpulsen, die mit Temperatur größere Impulsbreiten bereitstellen, sind im Stande der Technik hinlänglich bekannt. Solche Auslegungen können einen zeitbestimmenden Kondensator beinhalten, der mit der Temperatur im Wert zunimmt, oder eine den Kondensator antreibende Stromquelle kann mit der Temperatur abnehmen. In jedem Fall oder in einer Kombination ist die Impulsbreite mit zunehmender Temperatur länger.
Langsamere Prozessveränderungen erzeugen typischerweise höhere Widerstände und niedrigere Antriebsströme. In solchen langsameren Prozessen erzeugen langsamere Einschrittverzögerungsschaltungen längere Pulsbreiten, die so wirken, dass sie die Auswirkungen des langsameren Prozesses auf die anderen Schaltungsbestandteile ausgleichen.
Im Vergleich zu den Linien von 2 veranschaulicht 4, dass die langsamen Ausgangsflanken beibehalten werden, aber weniger als ca. 0,1 Nanosekunden an Verzögerung 40 bei Veränderungen bei Temperatur, Versorgungsspannung und Chipherstellungsprozessen bestehen. Der industrielle Temperaturbereich von –40 bis +85°C wird als Standard zur Beurteilung von Temperaturschwankungen und Energiezufuhrschwankungen von +/–5% von 3,3 V verwendet. Prozessveränderungen lassen sich nicht so einfach standardisieren oder quantifizieren, typischerweise werden aber "langsame" Prozesse angestrebt, bei denen Schwellenspannungen höher, Stromantriebe niedriger und Widerstände stärker sind.
5 zeigt den Einschrittzeitimpuls und eine Steuerspannung. Hier sinkt 52 die Steuerspannung während der Impulsbreite 50 schnell, bis der Schwellenwert des Aus gangstransistors erreicht ist. Das Gate wird nur von der Schwachstromquelle angesteuert, die die langsame Gate-Flanke 54 und die langsamen Ausgangsflanken erzeugt.
6 ist eine repräsentative Schemaansicht einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Hier treibt ein Eingangssignal 50 zwei Einschrittimpulse 52 und 54 an, bzw. aktiviert sie oder löst sie aus, die sowohl an den Plus- als auch Minusflanken des Eingangssignals Impulse erzeugen. Eine Minusflanke des Eingangssignals löst einen negativen Impuls aus dem Einschrittimpuls 52 aus, der einen PMOS 64 aktiviert. Über den an eine Diode angeschlossenen Transistor 70 fährt der PMOS 64 das Gate 75 des Ausgangstransistors 72 schnell hoch. Der an eine Diode angeschlossene PMOS 70 ist so bemessen, dass er einen Spannungsabfall bereitstellt, der mit dem Schwellenwert des Ausgangstransistors 72 übereinstimmt. Das Eingangssignal steuert auch eine in Kaskadenschaltung angeordnete Invertergruppe von MOS-Transistoren 56 und 58 an. Wenn das Eingangssignal auf Tiefpegel geht, aktiviert es den PMOS 56, der den Stromquellen-PMOS 60 an das Gate 75 anschließt. Wenn der höhere Stromimpuls aus dem Transistor 64 erschöpft ist, fährt der Strom aus dem Transistor 60 das Gate 75 weiter hoch. Der Transistor 60 ist so konfiguriert, dass er einen Strom mit niedrigem Wert zum langsamen Ansteuern des Gates 72 bereitstellt, um die langsame Flanke des Ausgangssignals 80 bereitzustellen.
Wenn das Eingangssignal auf Hochpegel geht, stellt der Einschrittimpuls 54 einen positiven Impuls bereit, der einen NMOS 66 aktiviert, der über den Spannungsabfall eines an eine Diode angeschlossenen NMOS 68 das Gate 75 herunterfährt. Wenn der Impuls erschöpft ist, fährt der Strom mit dem niedrigen Pegel, der von der Stromquelle des NMOS 62 bereitgestellt wird, das Gate 75 über den eingeschalteten NMOS 58 weiter herunter. Dieser Vorgang erzeugt ein langsameres Abschalten des Ausgangstransistors 72, um wiederum die langsamen Flanken am Ausgangssignal 80 bereitzustellen. In der speziellen Schaltung von 6 hängt das ansteigende Ausgangssignal auch von der Zeitkonstanten RC des Widerstands 82 und der Kapazität C1 ab, die an den Ausgang 80 angeschlossen ist.
Obwohl die Erfindung als MOS-Transistoren verwendend beschrieben ist, lässt sich derselbe erfindungsgemäße Ansatz auch vorteilhaft bei Bipolartransistoren oder Schaltungssystemen einsetzen, die sowohl MOS- als auch Bipolarschaltungen beinhalten. Der Fachmann wird die vorliegende Erfindung unter Verwendung dieser anderen Prozesse umsetzen können.
Die wie vorstehend erwähnten an Dioden angeschlossenen Transistoren können von Fachleuten so bemessen werden, dass sie andere Spannungsabfälle bereitstellen.
Es sollte klar sein, dass die vorstehend beschriebenen Ausführungsformen hier als Beispiele angeführt sind und viele Varianten und Alternativen davon möglich sind. Dementsprechend sollte die vorliegende Erfindung weitestgehend als nur durch das definiert angesehen werden, was in den nachstehend angefügten Ansprüchen dargelegt ist.
Zusammenfassung
Es wird ein Pufferschaltkreis mit langsamen Ausgangssignalflanken beschrieben. Gepulste höherstromige Ströme werden von Einmalimpulsschaltungen getrieben, um einen Stromimpuls an das Steuergate des Ausgangs-MOSFETs der Pufferschaltung zu injizieren, um den Beginn des Einschalten oder Ausschaltens des Ausgangs-MOSFET zu beschleunigen. Wenn der Beginn und das Ein- und Abschalten erreicht sind, treiben Quellen mit geringeren Strömen das Gate des Ausgangs-MOSFET. In einem Ausführungsbeispiel werden Einmalimpulse von den ansteigenden und abfallenden Flanken des Eingangssignals getriggert. Der Effekte des höherstromigen Stromimpulses liegt in der Reduktion der Schaltungsverzögerung durch den Puffer. Auch kann die Impulsbreite als temperatursensibel und spannungssensibel ausgelegt sein, um die Pufferschaltungsverzögerung im Wesentlichen konstant zu halten, während Temperatur-, Spannung- und Verfahrensabweichungen auftreten.

Claims

Pufferschaltung, Folgendes umfassend: einen Ausgangstreibertransistor mit einem Steuereingang, eine erste und eine zweite niederwertigere Stromquelle mit entgegengesetzten Polaritäten, einen ersten Schalter, der im aktiven Zustand die erste niederwertigere Stromquelle an den Steuereingang anschließt, einen zweiten Schalter, der im aktiven Zustand die zweite niederwertigere Stromquelle an den Steuereingang anschließt, eine erste und eine zweite höherwertigere Impulsstromquelle mit entgegengesetzten Polaritäten, wobei beide der Impulsstromquellen an den Steuereingang angeschlossen sind, wobei die erste Impulsstromquele von derselben Polarität ist wie die erste niederwertigere Stromquelle, und die zweite Impulsstromquelle von derselben Polarität ist wie die zweite niederwertigere Stromquelle, ein Eingangssignal mit einem ersten Zustand, in dem der erste Schalter eingeschaltet wird, und einem zweiten Zustand, in dem der zweite Schalter eingeschaltet wird, eine Zeitgeberschaltung, die durch die Flankenübergänge des Eingangssignals aktiviert wird, wobei die Zeitgeberschaltung Ausgänge zum Aktivieren der beiden höherwertigeren Impulsstromquellen aufweist, wobei der erste Schalter und die erste höherwertigere Impulsstromquelle beide im Wesentlichen gleichzeitig eingeschaltet werden, und der zweite Schalter und die zweite höherwertigere Impulsstromquelle beide im Wesentlichen gleichzeitig eingeschaltet werden.
Pufferschaltung nach Anspruch 1, wobei der Ausgangstransistor ein MOSFET und der Steuereingang das MOSFET-Gate ist.
Pufferschaltung nach Anspruch 1, wobei die erste höherwertigere Impulsstromquelle umfasst: eine dritte höherwertigere Stromquelle, und einen dritten Schalter, der im aktiven Zustand die dritte Stromquelle an den Steuereingang anschließt, und wobei die zweite höherwertigere Impulsstromquelle umfasst: eine vierte höherwertigere Stromquelle, und einen vierten Schalter, der im aktiven Zustand die vierte Stromquelle an den Steuereingang anschließt.
Pufferschaltung nach Anspruch 3, wobei die Zeitgeberschaltung eine erste Einschrittzeitgeberschaltung umfasst, die den dritten Schalter vorübergehend einschaltet, und eine zweite Einschrittzeitgeberschaltung, die den vierten Schalter vorübergehend einschaltet.
Pufferschaltung nach Anspruch 1, wobei die Zeitgeberschaltung zum Ausgleichen von Temperatur-, Prozess- und Versorgungsspannungsschwankungen eingerichtet ist, wobei die Pufferschaltungsverzögerung bei solchen Schwankungen im Wesentlichen konstant bleibt.
Verfahren, das die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen eines Ausgangstransistors mit einem Steuereingang, Anschließen einer ersten und einer zweiten niederwertigeren Stromquelle mit entgegengesetzten Polaritäten an den Steuereingang, Anschließen einer ersten und einer zweiten höherwertigeren Impulsstromquelle mit entgegengesetzten Polaritäten an den Steuereingang, wobei die erste höherwertigere Impulsstromquelle dieselbe Polarität hat wie die erste niederwertigere Stromquelle, und die zweite höherwertigere Impulsstromquelle dieselbe Polarität hat wie die zweite niederwertigere Stromquelle, Bereitstellen eines Eingangssignals mit einem ersten Zustand, in dem der erste Schalter eingeschaltet wird, und einem zweiten Zustand, in dem der zweite Schalter eingeschaltet wird, Aktivieren einer Zeitgeberschaltung durch Flankenübergänge des Eingangssignals, und Bereitstellen von Ausgängen aus der Zeitgeberschaltung, um die beiden höherwertigeren Impulsstromquellen auszulösen, wobei das Anschließen der ersten niederwertigeren Stromquelle und das Auslösen der ersten höherwertigeren Impulsstromquelle im Wesentlichen gleichzeitig stattfindet, und das Anschließen der zweiten niederwertigeren Stromquelle und das Auslösen der zweiten höherwertigeren Impulsstromquelle im Wesentlichen gleichzeitig stattfindet.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Ausgangstransistor ein MOSFET und der Steuereingang das MOSFET-Gate ist.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Anschließen der ersten höherwertigeren Impulsstromquelle die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen einer dritten höherwertigeren Stromquelle, Anschließen der dritten Stromquelle an den Steuereingang über einen dritten Schalter, und wobei der Schritt des Anschließens der zweiten höherwertigeren Impulsstromquelle die folgenden Schritte umfasst: Bereitstellen einer vierten höherwertigeren Stromquelle und Anschließen der vierten höherwertigeren Stromquelle an den Steuereingang über einen vierten Schalter.
Verfahren nach Anspruch 8, darüber hinaus die folgenden Schritte umfassend: vorübergehendes Einschalten des dritten Schalter, und vorübergehendes Einschalten des zweiten Schalters.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei der Schritt des Einschaltens der Zeitgeberschaltung Temperatur-, Prozess- und Versorgungsspannungsschwankungen ausgleicht, wobei die Pufferschaltungsverzögerung bei solchen Schwankungen im Wesentlichen konstant bleibt.