DE1105523B - Transistor - Google Patents

Description

• Transistor Die Erfindung bezieht sich auf einen Transistor, der aus einem dünnen halbleitenden Körper besteht, der auf zwei einander gegenüberliegenden Seiten mit einer Elektrode versehen ist.
• Es ist bekannt, einen solchen halbleitenden Körper, der beispielsweise aus Germanium der n-Art besteht, sehr dünn zu gestalten an einer Stelle, an der zwei Spitzenelektroden einander gegenüberliegen. - Auch wurde bereits vorgeschlagen, eine dieser Spitzenelektroden aus einem bestimmten Metall, beispielsweise Gold, herzustellen und den Transistor einer bestimmten Strombehandlung auszusetzen, wodurch sich der Vorteil ergab, daß der Kristall nicht so dünn sein mußte und infolgedessen leichter herstellbar war.
• Bei diesen bekannten Transistoren ist es jedoch nach wie vor erforderlich, die beiden Spitzenkontakte einander genau gegenüber an den halbleitenden Körper anzudrücken, wodurch der Zusammenbau viel schwieriger ist als derjenige eines Transistors, der zwei nebeneinander angeordnete Spitzenelektroden aufweist.
• Ein weiterer Nachteil, gleichfalls baulicher Art, ist der, daß die Abmessungen eines Transistors mit zwei einander gegenüber angeordneten Spitzen verhältnismäßig groß sind und völlig abweichen von den Abmessungen der üblichen Transistoren mit zwei nebeneinander angeordneten Spitzen.
• Die Erfindung bezweckt unter anderem, diese Nachteile zu vermeiden.
• Bei einem Transistor, der aus einem dünnen halbleitenden Körper mit zwei auf den beiden Seiten einander genau gegenüberliegenden Elektroden sowie einem ohmschen Basisanschluß besteht, ist gemäß der Erfindung die Elektrode auf der einen Seite des Körpers angeschmo-lzen, während auf der entgegengesetzten Seite eine Spitzenelektrode angeordnet ist.
• Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform ist der Transistor auf an sich bekannte Weise in einem zylindrischen Metallgehäuse angeordnet, in dem auf einer Seite zwei Kontaktstifte angeordnet sind.
• Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Transistor oberhalb eines Sockels angeordnet, in dem auf an sich bekannte Weise drei Kontaktstifte angebracht sind, während die Spitzenelektrode parallel zum Sockel angeordnet ist.
• Die Erfindung wird nachstehend an Hand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert.
• Fig. 1 zeigt schaubildlich einen Transistor, der mit einem zylindrischen Gehäuse versehenen Art; Fig. 2 ist ein senkrechter Schnitt durch einen solchen Transistor; Fig.3 ist eine Seitenansicht eines Transistors der mit einem Sockel mit drei Stiften versehenen Art Der Transistor gemäß Fig. 1 und 2 besteht aus einem halbleitenden Einkristall 1, der beispielsweise aus Germanium der n-Art besteht, an den auf der Unterseite eine geringe Indiummenge 2 angeschmolzen ist. Durch die Diffusion dieses Indiums in das Germanium ist letzteres örtlich in die p-Art umgewandelt. Auf der Oberseite des Kristalls ist eine Spitzenelektrode 3 angeordnet. Infolge des verhältnismäßig ausgedehnten Überganges der Elektrode 2 zum Kristall 1 kann die Stelle der Elektrode 3 innerhalb eines größeren Bereichs gewählt werden, so daß der Zusammenbau wenig Schwierigkeiten bereitet.
• Der Kristall 1 ist zwischen zwei Nickelstreifen 4 gelötet, die ihrerseits in einer Kapsel 5 befestigt sind. Diese Kapsel ist in einem rohrförmigen Gehäuse 6 eingeklemmt. Im oberen Ende des Gehäuses ist ein isolierender Pfropfen 7 geklemmt, in dem sich zwei Kontaktstifte 8 und. 9 befinden. Der Stift 8 trägt die Spitzenelektrode, während der Stift 9 hohl ist, so daß ein an die Elektrode 2 angelöteter Draht 10 durch diesen Stift hindurchgeführt werden kann. Auf diese Weise kann dieser Draht eingeführt werden, wenn die Spitzenelektrode 3 und der Kristall 1 zusammengebracht werden; wenn diese Teile ihre endgültige Lage eingenommen haben, wird der Draht 10 bei 1i angelötet.
• Dieser Transistor kann so bemessen werden, daß es möglich ist, ihn mit einem üblichen Transistor mit zwei Spitzen auszutauschen. Eine andere Form weist der Transistor gemäß Fig. 3 auf. Dieser ist auf einen isolierenden Sockel 15 gebaut, der drei nebeneinanderliegende Stifte 16, 17 und 18 enthält.
• Ein halbleitender Kristall 19 ist mittels eines Nickelstreifens 20 an dem Stift 17 befestigt. Eine angesclimolzene Elektrode 21 ist mittels eines Leiters 22 mit dem Stift 16 verbunden. Die Spitzenelektrode 23 ist an einem Stift 24 befestigt, der sich klemmend in einer Öse 25 verschieben kann, die auf einer Buchse 26 angeordnet ist. Diese Buchse kann sich ihrerseits über den Kontaktstift 18 verschieben. Auf diese Weise ist die Spitzenelektrode leicht einstellbar.
• Der gesamte Transistor ist in der gestrichelt angedeuteten Weise in eine Isoliermasse 27 eingebettet, die sich an den Sockel 15 anschließt.
• Dadurch, daß bei diesem Transistor nur ein Spitzenkontakt vorhanden ist, kann das Ganze so bemessen werden, daß dieser Transistor mit einem Transistor der bekannten Art mit zwei Diffusionskontakten austauschbar ist.

Claims (3)

1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Transistor, der aus einem dünnen halbleitenden Körper mit zwei auf den beiden Seiten einander genau gegenüberliegenden Elektroden sowie einem ohmschen Basisanschluß besteht, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode auf der einen Seite des Körpers angeschmolzen ist, während auf der entgegengesetzten Seite eine Spitzenelektrode angeordnet ist.
2. 2. Transistor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor auf an sich bekannte Weise in einem zylindrischen Metallgehäuse angeordnet ist, in dem auf einer Seite zwei Kontaktstifte vorgesehen sind.
3. 3. Transistor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor oberhalb eines Sockels angeordnet ist, in dem auf an sich bekannte Weise drei Kontaktstifte parallel zueinander angeordnet sind, während die Spitzenelektrode parallel zum Sockel angeordnet ist. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 814 487; deutsche Patentanmeldung p 44957 VIIIc/21g (bekanntgemacht am B. 3. 1951).