CH323752A - Transistor - Google Patents
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Description
Transistor Die Erfindung bezieht sieh auf einen Transistor mit zwei auf einander gegenüber liegenden Seiten des Halbleiterkörpers an geordneten Elektroden. Es ist bekannt, einen solchen halbleitenden liörper, der beispielsweise aus n-Germanium besteht., an der zwisehen den beiden Spitzen elektroden liegenden Stelle sehr dünn zu maehen. Auch wurde bereits vorgeschlagen, eine dieser Spitzenelektroden aus eitlem be stimmten Metall, beispielsweise Gold, her zustellen und den Transistor einer bestimmten Strombehandlung auszusetzen, wodurch sich der Vorteil ergab, dass der Kristall nicht. so dünn sein musste und infolgedessen leichter herstellbar Zwar. Bei diesen bekannten Transistoren ist. es jecloeh nach wie vor erforderlich, die beiden Spitzenkontakte einander genau gegenüber an den halbleitenden Körper anzudrücken, wodurch der Zusammenbau viel schwieriger ist, als derjenige eines Transistors, der zwei nebeneinander angeordnete Spitzenelektroden aufweist. Ein weiterer Nachteil, gleichfalls bau- lieher Art, ist der, dass die Abmessungen eines Transistors mit zwei einander gegen über angeordneten Spitzen verhältnismässig gross sind und völlig abweichen von den Ab- ntessun-en der üblichen Transistoren mit zwei nebeneinander angeordneten Spitzen. Gemäss der Erfindung, die u. a. bezweckt, diese Nachteile zu beheben, weist der Tran sistor einen halbleitenden Körper auf, an den auf einer Seite eine Elektrode angeschmolzen ist, während auf der entgegengesetzten Seite eine Spitzenelektrode angeordnet ist. Der aktive Teil des Transistors kann in an sieh bekannter Weise in einem zylindri schen Metallgehäuse angeordnet. sein, das auf einer Seite zwei Kontaktstifte trägt. Der aktive Teil des Transistors kann auch oberhalb eines Sockels angeordnet sein, iti dem in an sich bekannter Weise drei Kontakt stifte parallel zueinander angebracht sind, -während die Spitzenelektrode senkrecht zur Achse der Kontaktstifte steht. Die Erfindung wird nachstehend an Hand zweier, in der beiliegenden Zeichnung darge stellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Fig.1 zeigt schaubildlich einen Transistor der mit einem zylindrischen Gehäuse ver- sehenen Art. Fig.2 ist ein senkrechter Schnitt durch einen solchen Transistor. Fig.3 ist eine Seitenansicht eines Tran sistors der mit einem Sockel mit drei Stiften versehenen Art. Der Transistor gemäss Fig.1 und 2 weist einen halbleitenden Einkristall 1, der beispiels- ,weise aus n-Germanittni besteht, auf, an den auf der Unterseite eine kleine Indiummenge 2 angesehmolzen ist. Durch die Diffusion die ses Indiums in das Germanium ist letzteres örtlich in p-Gerinanium umgewandelt. Auf Gier Oberseite des Kristalles ist eine Spitzen elektrode 3 angeordnet. Infolge des verhält nismässig ausgedehnten p-it-Lberganges ist die Stelle, an der die Elektrode 3 den Kri stall berührt, nicht kritisch, so da.ss der Zu sammenbau wenig Sehwierigkeiten bereitet. Der Kristall 1 ist zwischen zwei Nickel streifen 4 festgelötet, die ihrerseits in einer Kapsel 5 befestigt sind. Diese Kapsel ist in einem rohrförmigen Gehäuse 6 eingeklemmt. Im obern Ende des Gehäuses ist ein isolieren der Pfropfen 7 eingeklemmt, in dem sieh zwei Kontaktstifte 8 und 9 befinden. Der Stift. 8 trägt. die: Spitzenelektrode, während der Stift 9 hohl ist., so dass ein an die Elektrode 2 angelöteter Draht 10 durch diesen Stift hin durchgeführt. werden kann. Auf diese Weise kann dieser Draht verschoben werden, und wenn diese Teile ihre endgültige Lage einge nommen. haben, wird der Draht 10 bei 11 angelötet. Dieser Transistor kann so bemesssen wer den, dass es möglich ist, ihn durch einen üblichen Transistor mit zwei Spitzen zu er setzen. Eine andere form weist der Transistor gemäss Fig. 3 auf. Dieser ist. auf einen isolie renden Sockel 15 aufgebaut., der drei neben einanderliegende Stifte 16, 17 und 18 enthält.. Ein halbleitender Kristall 19 ist mittels eines Nickelstreifens 20 an dem Stift 17 be festigt.. Eine Diffusionselektrode 21 ist mit tels eines Leiters 22 mit dem Stift 16 ver bunden. Die Spitzenelektrode 23 ist an einem Stift 24 befestigt, der sich klemmend in einer Öse 5 verschieben kann, die auf einer Buehse \_'6 angeordnet ist. Diese Buehse kann sieh ihrerseits über den Kontaktstift 18 verschie ben. Auf diese Weise ist die Spitzenelektrode leicht einstellbar. Der aktive Teil des Transistors ist in eine gestrichelt dargetellte Isoliermasse 27 einge bettet, die sich an den Sockel 15 anschliesst. Dadurch, dass bei diesem Transistor nur ein Spitzenkontakt vorhanden ist, kann das Ganze so bemessen werden, dass dieser Tran sistor durch einen Transistor der bekannten Art mit zwei Diffusionskontakten ersetzbar ist.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH Transistor mit zwei auf einander gegen überliegenden Seiten des Halbleiterkörpers angeordneten Elektroden, dadurch gekenn zeichnet, dass auf der einen Seite des Körpers eine Elektrode angeschmolzen ist, während a a uf der entgegengesetzten Seite eine Spitzen- elektrode angeordnet ist. UNTERANSPRÜCHE 1.Transistor gemäss Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass der aktive Teil des Transistors in einem zvlindrisehen Metall gehäuse angeordnet ist, in dem auf einer Seite zwei Kontaktstifte v oryesehen sind. 2. Transistor gemäss Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass der aktive Teil des Transistors oberhalb eines Sockels angeordnet ist, in dem drei Kontaktstifte parallel zuein ander angeordnet sind, während die Spitzen elektrode senkrecht auf der Achse der Kon taktstifte steht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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NL323752X | 1953-05-26 |
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Publication Number | Publication Date |
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CH323752A true CH323752A (de) | 1957-08-15 |
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ID=19784093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CH323752D CH323752A (de) | 1953-05-26 | 1954-05-26 | Transistor |
Country Status (1)
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CH (1) | CH323752A (de) |
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1954
- 1954-05-26 CH CH323752D patent/CH323752A/de unknown
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