CH323752A - Transistor - Google Patents

Transistor

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CH323752A
CH323752A CH323752DA CH323752A CH 323752 A CH323752 A CH 323752A CH 323752D A CH323752D A CH 323752DA CH 323752 A CH323752 A CH 323752A
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CH
Switzerland
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transistor
electrode
tip
contact pins
tip electrode
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Inventor
Johan Tummers Leonard
Gerrit Van Donkersgoed
Original Assignee
Philips Nv
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    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description


  Transistor    Die Erfindung bezieht sieh auf einen  Transistor mit zwei auf einander gegenüber  liegenden Seiten des Halbleiterkörpers an  geordneten Elektroden.  



  Es ist bekannt, einen solchen halbleitenden       liörper,    der beispielsweise aus     n-Germanium     besteht., an der     zwisehen    den beiden Spitzen  elektroden liegenden Stelle sehr dünn zu       maehen.    Auch     wurde    bereits vorgeschlagen,  eine dieser Spitzenelektroden aus     eitlem    be  stimmten Metall, beispielsweise Gold, her  zustellen und den Transistor einer bestimmten  Strombehandlung     auszusetzen,    wodurch sich  der     Vorteil    ergab, dass der Kristall nicht. so  dünn sein musste und infolgedessen leichter       herstellbar        Zwar.     



  Bei diesen bekannten Transistoren ist. es       jecloeh    nach wie vor erforderlich, die beiden  Spitzenkontakte einander genau gegenüber  an den halbleitenden Körper anzudrücken,       wodurch    der Zusammenbau viel schwieriger  ist, als derjenige eines Transistors, der zwei  nebeneinander angeordnete Spitzenelektroden  aufweist.  



  Ein weiterer Nachteil, gleichfalls     bau-          lieher    Art, ist der, dass die Abmessungen  eines Transistors mit zwei einander gegen  über angeordneten Spitzen verhältnismässig  gross sind und völlig abweichen von den     Ab-          ntessun-en    der üblichen Transistoren mit zwei  nebeneinander angeordneten Spitzen.    Gemäss der Erfindung, die u. a. bezweckt,  diese Nachteile zu beheben, weist der Tran  sistor einen halbleitenden Körper auf, an den  auf einer Seite eine Elektrode     angeschmolzen     ist, während auf der entgegengesetzten Seite  eine Spitzenelektrode angeordnet ist.  



  Der aktive Teil des     Transistors        kann    in  an sieh bekannter Weise in     einem    zylindri  schen     Metallgehäuse    angeordnet. sein, das auf  einer Seite zwei     Kontaktstifte    trägt.  



  Der aktive Teil des     Transistors    kann auch  oberhalb eines Sockels angeordnet     sein,        iti     dem in an sich bekannter Weise drei Kontakt  stifte parallel zueinander angebracht sind,  -während die Spitzenelektrode senkrecht zur  Achse der     Kontaktstifte    steht.  



  Die Erfindung wird nachstehend an Hand  zweier, in der beiliegenden Zeichnung darge  stellter Ausführungsbeispiele näher erläutert.  



       Fig.1    zeigt schaubildlich einen Transistor  der mit einem zylindrischen Gehäuse     ver-          sehenen    Art.  



       Fig.2    ist ein senkrechter Schnitt durch  einen solchen Transistor.  



       Fig.3    ist eine Seitenansicht eines Tran  sistors der mit einem Sockel mit drei Stiften       versehenen    Art.  



  Der Transistor gemäss     Fig.1    und 2 weist  einen halbleitenden     Einkristall    1, der     beispiels-          ,weise    aus     n-Germanittni    besteht, auf, an den  auf der     Unterseite        eine        kleine        Indiummenge         2     angesehmolzen    ist. Durch die Diffusion die  ses     Indiums    in das Germanium ist letzteres       örtlich    in     p-Gerinanium    umgewandelt. Auf  Gier Oberseite des     Kristalles    ist eine Spitzen  elektrode 3 angeordnet.

   Infolge des verhält  nismässig ausgedehnten     p-it-Lberganges    ist  die Stelle, an der die Elektrode 3 den Kri  stall berührt, nicht kritisch, so     da.ss    der Zu  sammenbau wenig     Sehwierigkeiten    bereitet.  



  Der Kristall 1 ist zwischen zwei Nickel  streifen 4 festgelötet, die ihrerseits in einer  Kapsel 5 befestigt sind. Diese Kapsel ist in  einem rohrförmigen Gehäuse 6 eingeklemmt.  Im obern Ende des Gehäuses ist ein isolieren  der Pfropfen 7 eingeklemmt, in dem sieh  zwei Kontaktstifte 8 und 9 befinden. Der Stift.  8 trägt. die: Spitzenelektrode, während der  Stift 9 hohl ist., so     dass    ein an die Elektrode 2  angelöteter Draht 10 durch diesen Stift hin  durchgeführt. werden kann. Auf diese Weise  kann dieser Draht verschoben werden, und  wenn diese Teile ihre     endgültige    Lage einge  nommen. haben, wird der Draht 10 bei 11  angelötet.  



  Dieser Transistor kann so     bemesssen    wer  den, dass es möglich ist, ihn durch einen  üblichen Transistor mit zwei Spitzen zu er  setzen. Eine andere     form    weist der Transistor  gemäss     Fig.    3 auf. Dieser ist. auf einen isolie  renden Sockel 15 aufgebaut., der drei neben  einanderliegende Stifte 16, 17 und 18 enthält..  



  Ein halbleitender Kristall 19 ist mittels  eines Nickelstreifens 20 an dem Stift 17 be  festigt.. Eine     Diffusionselektrode    21 ist mit  tels eines Leiters 22 mit dem Stift 16 ver  bunden. Die Spitzenelektrode 23 ist an einem  Stift 24 befestigt, der sich klemmend in einer    Öse      5    verschieben kann, die auf     einer        Buehse          \_'6    angeordnet ist. Diese     Buehse    kann sieh  ihrerseits     über    den Kontaktstift 18 verschie  ben. Auf diese Weise ist die Spitzenelektrode  leicht einstellbar.  



  Der aktive Teil des Transistors ist in eine  gestrichelt     dargetellte    Isoliermasse 27 einge  bettet, die sich an den Sockel 15 anschliesst.  



  Dadurch, dass bei diesem Transistor nur  ein Spitzenkontakt vorhanden ist, kann das  Ganze so bemessen werden, dass dieser Tran  sistor durch einen Transistor der bekannten  Art mit zwei Diffusionskontakten ersetzbar  ist.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRUCH Transistor mit zwei auf einander gegen überliegenden Seiten des Halbleiterkörpers angeordneten Elektroden, dadurch gekenn zeichnet, dass auf der einen Seite des Körpers eine Elektrode angeschmolzen ist, während a a uf der entgegengesetzten Seite eine Spitzen- elektrode angeordnet ist. UNTERANSPRÜCHE 1.
    Transistor gemäss Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass der aktive Teil des Transistors in einem zvlindrisehen Metall gehäuse angeordnet ist, in dem auf einer Seite zwei Kontaktstifte v oryesehen sind. 2. Transistor gemäss Patentanspruch, da durch gekennzeichnet, dass der aktive Teil des Transistors oberhalb eines Sockels angeordnet ist, in dem drei Kontaktstifte parallel zuein ander angeordnet sind, während die Spitzen elektrode senkrecht auf der Achse der Kon taktstifte steht.
CH323752D 1953-05-26 1954-05-26 Transistor CH323752A (de)

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NL323752X 1953-05-26

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CH323752A true CH323752A (de) 1957-08-15

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ID=19784093

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CH323752D CH323752A (de) 1953-05-26 1954-05-26 Transistor

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