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Halbleitervorrichtung
Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper mit mehreren Zonen, wobei aneinandergrenzende Zonen verschiedene elektrische Eigenschaften, z. B. einen verschiedenen Leitfähigkeitstyp, haben und wenigstens eine der Zonen mit einer für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht elektrisch verbunden ist, die auf einer zwischen dieser Metallschicht und dem Halbleiter- körper befindlichen Isolierschicht liegt.
Halbleitervorrichtungen der oben erwähnten Art sind z. B. planare Dioden und Transistoren. Ein Planar-Transistor kann z. B. einen Halbleiterkörper enthalten, der mit einer Isolierschicht, wie einer
Siliziumoxydschicht, bedeckt ist, wobei unter der Oxydschicht stellenweise eine Oberflächenzone, die Basiszone, vorhanden ist und wobei der die Basiszone umgebende Teil des Halbleiterkörpers als Kollektorzone dient und stellenweise in der Basiszone eine Emitterzone angebracht ist.
Elektrische Anschlüsse mit der Emitter- und Basiszone und gegebenenfalls auch mit der Kollektorzone können über in der Oxydschicht angebrachte Öffnungen hergestellt werden.
Für Hochfrequenztransistoren ist es besonders wichtig, dass die Kapazität zwischen den verschiedenen Zonen minimal ist. Die Grösse der Oberfläche der Basis- und Emitterzone wird daher sehr klein gewählt und dies bedeutet, dass die Öffnungen in der Oxydschicht zum Herstellen elektrischer Anschlüsse nur sehr klein sein können. Diese Öffnungen sind oft zu klein, um z. B. einen Anschlussdraht unmittelbar an der betreffenden Zone zu befestigen. Auf der Oxydschicht wird daher eine Metallschicht mit einer grösseren Oberfläche als die einer Öffnung in der Oxydschicht angebracht, wobei ein vorspringender Teil dieser Metallschicht in eine Öffnung in der Oxydschicht reicht und mit der betreffenden Zone, z. B. durch Legieren, elektrisch verbunden ist. Ein Anschlussleiter kann dann an dieser Metallschicht befestigt werden.
Wegen der kleinen Abmessungen der Basis- und Emitterzone liegt eine für Kontaktzwecke bestimmte Metallschicht, welche mit einer dieser Zonen elektrisch verbunden ist, gewöhnlich grösstenteils oberhalb des die Basiszone umgebenden, zur Kollektorzone gehörigen Teiles des Halbleiterkörpers.
Der Erfindung liegt unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass hiedurch eine in vielen Schaltungen unerwünschte Vergrösserung der Basis-Kollektor- und/oder Emitter-Kollektor-Kapazität auftritt, die in einfacher Weise durch weniger schädliche Kapazitäten ersetzt werden kann. Auch bei andern Halbleitervorrichtungen als Transistoren, z. B. bei planaren Dioden, kann zwischen einer für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht und dem Halbleiterkörper eine solche unerwünschte Kapazität auftreten.
Die Erfindung bezweckt, eine Halbleitervorrichtung der eingangs erwähnten Art zu schaffen, bei der die unerwünschte Kapazität im Betrieb wenigstens herabgesetzt werden kann.
Zu diesem Zweck weist die erfindungsgemässe Halbleitervorrichtung das Merkmal auf, dass der von der Metallschicht bedeckte Teil der Isolierschicht wenigstens teilweise auf einer leitenden Abschirm-
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schicht mit einem freiliegenden Teil für Kontaktzwecke liegt, mit welchem freien Teil ein Zufüh- rungsleiter verbunden ist, und zwischen der Abschirmschicht und dem darunterliegenden Teil des Halb- leiterkörpers eine Sperrschicht vorhanden ist. Die Abschirmschicht kann einfach aus einer Metallschicht bestehen, wobei die Sperrschicht eine auf den Halbleiterkörper aufgebrachte Isolierschicht, wie eine
Siliziumoxydschicht, sein kann.
Es ist verständlich, dass, wenn im Betrieb ein geeignetes Potential an die Abschirmschicht angelegt wird, die Kapazität zwischen der für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht und dem Halbleiterkör- per herabgesetzt werden kann. Ist die für Kontaktzwecke bestimmte Metallschicht z. B. mit der Basis- zone eines Transistors verbunden und erstreckt sich diese Metallschicht bis oberhalb der Kollektorzone, so tritt eine Rückkopplung herbeiführende Basis-Kollektor-Kapazität auf, wenn der Transistor als Ver- stärkerelement mit seiner Emitterelektrode an einem Punkt konstanten Potentials, z. B. mit geerdeter
Emitterelektrode, verwendet wird. Diese eine Rückkopplung herbeiführende Basis-Kollektor-Kapazität wird vermieden, wenn die Abschirmschicht gleichfalls an einen Punkt konstanten Potentials, z. B. an Erde, gelegt wird.
Die Basis-Kollektor-Kapazität wird dann gleichsam durch eine Kapazität zwischen z. B. Basiselektrode und Erde und eine Kapazität zwischen Kollektorelektrode und Erde ersetzt, welche gewöhnlich nicht störend sind.
Unter anderem kann in diesem Falle eine sehr einfache Struktur erzielt werden, wenn die Abschirmschicht aus einer Oberflächenzone des Halbleiterkörpers besteht, die einen pn-Übergang mit dem darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers bildet. Wird diese Abschirmschicht in Form der Oberflächenzone an Erde gelegt, so ist der pn-Übergang selbsttätig in der Umkehrrichtung vorgespannt, wobei sich an der Stelle des pn-Überganges bekanntlich eine hochohmige Sperrschicht bildet.
Eine weitere vorzugsweise Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung weist daher das Kennzeichen auf, dass die Abschirmschicht aus einer Oberflächenzone des Halbleiterkörpers besteht, wobei die Sperrschicht vom pn-Übergang gebildet wird, den die Oberflächenschicht mit dem darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers bildet.
Sind wenigstens zwei Zonen des Halbleiterkörpers mit getrennten, für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten elektrisch verbunden, so kann in vielen Fällen für diese Metallschichten vorteilhaft eine gemeinsame Abschirmschicht vorhanden sein.
Die Erfindung ist insbesondere für Halbleitervorrichtungen mit einer Transistorstruktur von Wichtigkeit, wie sich aus dem Vorhergehenden bereits ergeben hat. Eine wichtige Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung weist daher das Kennzeichen auf, dass die Halbleitervorrichtung eine Transistorstruktur mit einer Emitter-, Basis- und Kollektorzone hat, wobei die Emitter- und Basiszone eine kleinere Oberfläche haben als die Kollektorzone und elektrisch mit für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten verbunden sind, die, auf einer Isolierschicht liegend, sich bis über die Kollektorzone erstrecken, und zwischen wenigstens einer dieser Metallschichten und dem darunterliegenden, zur Kollektorzone gehörigen Teil des Halbleiterkörpers eine Abschirmschicht vorhanden ist, und eine Öffnung in der Isolierschicht vorgesehen ist,
über die der Zuführungsleiter mit der Abschirmschicht verbunden ist.
Wie sich aus dem vorhergehenden bereits ergibt, betrifft die Erfindung auch eine Schaltung zum Verstärken elektrischer Signale mit einer Halbleitervorrichtung nach der Erfindung. Eine solche Schaltung ist dadurch gekennzeichnet, dass an die Abschirmschicht ein Potential angelegt ist, das die Kapazität zwischen der für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht und dem Halbleiterkörper herabsetzt.
Die Abschirmschicht kann vorteilhaft mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden sein.
Eine erste wichtige Ausführungsform einer solchen Schaltung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der mit der Basiszone verbundenen, für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht und der Kollektorzone eine Abschirmschicht vorhanden ist und Eingangssignale dem von Basis und Emitter gebildeten Eingang zugeführt und Ausgangssignale dem von Kollektor und Emitter gebildeten Ausgang entnommen werden.
Eine zweite wichtige Ausführungsform einer solchen Schaltung ist dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der mit der Emitterzone verbundenen, für Kontaktzwecke bestimmten Metallschicht und der Kollektorzone eine Abschirmschicht vorhanden ist und Eingangssignale dem von Emitter und Basis gebildeten Eingang zugeführt und Ausgangssignale dem von Kollektor und Basis gebildeten Ausgang entnommen werden.
Es ist verständlich, dass die Erfindung auch vorteilhaft bei Halbleitervorrichtungen mit einem Halbleiterkörper anwendbar ist, in dem mehrere Halbleiterschaltelemente, wie Transistoren oder Dioden, angebracht sind ("solid circuits") und bei denen eine für Kontaktzwecke bestimmte und auf einer Iso-
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lierschicht liegende Metallschicht eine elektrische Verbindung zwischen zwei Schaltelementen bilden kann.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnungen näher erläutert, in denen einige Ausführungsbeispiele dargestellt sind. Es zeigen : Fig. l eine schematische Draufsicht eines Transistors nach der Erfindung ; Fig. 2 einen Querschnitt durch diesen Transistor gemäss der Linie II-II der Fig. 1 ; Fig. 3 einen Querschnitt durch diesen Transistor gemäss der Linie III- III der Fig. l ; Fig. 4 eine Draufsicht auf ein zweites Ausführungsbeispiel eines Transistors nach der Erfindung ; Fig. 5 einen Querschnitt durch diesen Transistor gemäss der Linie V-V der Fig. 4 und Fig. 6 einen Querschnitt gemäss der Linie VI-VI der Fig. 4.
Das Ausführungsbeispiel nach den Fig. l, 2 und 3 zeigt eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper --1-- mit mehreren Zonen --2, 3 und 4--, wobei aneinandergrenzende Zonen verschiedene elektrische Eigenschaften, in diesem Falle einen verschiedenen Leitfähigkeitstyp, haben. Die Zonen - 3 und 4-- sind mit für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten --5 bzw. 6-- elektrisch verbunden. Diese Metallschichten --5 und 6--liegen auf zwischen diesen Metallschichten und dem Halbleiterkörper --1-- befindlichen Isolierschichten --7 bzw. 8--.
Nach der Erfindung liegen die von den Metallschichten --5 und 6-- überdeckten Teile der Isolierschichten --7 und 8-- grösstenteils auf der leitenden Abschirmschicht --9--, die einen freiliegenden Tell-10-- four Kontaktzwecke hat, während zwischen der Abschirmschicht --9-- und dem darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers --1-- eine Sperrschicht --15-- vorhanden ist.
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--9-- istschicht --15-- aus einer isolierenden Siliziumoxydschicht besteht, die auf dem Halbleiterkörper-l- aus Silizium angebracht ist.
Für die für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten --5 und 6--, welche mit den Zonen --3 bzw. 4-verbunden sind, können getrennte Abschirmschichten vorhanden sein. Im vorliegenden Beispiel ist für die für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten --5 und 6-aber eine gemeinsame Abschirmschicht --9-- vorhanden, Auch die Isolierschichten --7 und 8-- sind hier als eine gemeinsame Isolierschicht --7, 8-- ausgebildet, wie es aus Fig. l ersichtlich ist.
In Fig. l ist deutlichkeitshalber nur der Umriss der zwischen den Metallschichten --6 und 5-- und der Abschirmschicht --9-- liegenden Isolierschicht --7,8-- dargestellt.
Die Halbleitervorrichtung nach den Fig. l, 2 und 3 ist eine Transistorstruktur mit einer Emitterzone --4--, die, wie aus Fig. l ersichtlich, aus zwei Teilen einer Basiszone --3-- und einer Kollektorzone - besteht, wobei die Emitterzone --4-- und die Basiszone --3-- eine kleinere Oberfläche haben als die Kollektorzone-2-- und mit den für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten --6 bzw. 5-elektrisch verbunden sind. Die Metallschichten --5 und 6-- erstrecken sich bis über die Kollektorzone - und die Abschirmschicht --9-- liegt zwischen den Metallschichten --6 und 5-- und der Kollek- torzone --2--.
Die Grösse der Basiszone --3-- und der Emitterzone-4-- ist zu klein, um Anschlussleiter unmittelbar mit diesen Zonen verbinden zu können. Deswegen sind die für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten --5 und 6-- angebracht, welche über vorspringende Teile --16 bzw. 17-- in die Öffnungen --18 bzw. 19-- der Oxydschicht --15-- reichen und dort mit der Basiszone --3-- bzw. der Emitterzone --4-- verbunden sind.
Der Transistor nach den Fig. l, 2 und 3 kann auf folgende Weise hergestellt werden.
Gewöhnlich wird eine grosse Zahl von Transistorstrukturen gleichzeitig in einer Halbleiterscheibe hergestellt, worauf die Scheibe unterteilt wird und die einzelnen Transistoren entstehen. Die Herstellung wird an Hand nur einer Transistorstruktur beschrieben werden.
Es wird von einer n-leitenden Siliziumscheibe mit einer Stärke von etwa 250 und einem spezifi- schen Widerstand von etwa 5 Ohm cm ausgegangen. Pro Rechteck in der Grössenordnung von 400 x 500 j wird eine Transistorstruktur angebracht.
Auf eine in der Halbleitertechnik üblicheweise wird der Halbleiterkörper-l- (s. Fig. l, 2 und 3) z. B. durch Oxydieren in feuchtem Sauerstoff mit einer Siliziumoxydschicht --15-- bedeckt, worauf eine Öffnung --12-- in der Oxydschicht --15--, welche ungefähr 0, 5 Il stark ist, angebracht wird. Bekanntlich werden Öffnungen in solchen Oxydschichten in der Halbleitertechnik gewöhnlich mit Hilfe eines photo-erhärtenden Lacks ("Photoresist") und eines Ätzmittels erzielt. Die Abmessungen der Öffnung-12-- sind etwa 100 x 65 2.
Anschliessend wird etwa 15 min lang Boroxyd (BOg) auf die Oxydschicht --15-- und die Öffnung - aufgedampft, wobei sich der Halbleiterkörper auf einer Temperatur von etwa 9000 C befindet.
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Der Halbleiterkörper --1-- wird dann etwa 20 min lang auf einer Temperatur von etwa 12000 C gehal- ten, wobei durch Eindiffusion von Bor die p-leitende Basiszone --3-- mit einer Stärke von etwa 3 J. l er- zielt wird.
Anschliessend wird durch z. B. Oxydieren mit feuchtem Sauerstoff die Öffnung --12-- in der Oxyd- schicht --15-- wieder gedichtet und dann die Öffnungen --19-- mit Abmessungen von etwa 10 x 50 J. l2 angebracht. Der Halbleiterkörper --1-- wird dann etwa 15 min lang auf einer Temperatur von etwa
11000 C gehalten, während in der Nähe des Halbleiterkörpers-l-eine Menge an P205 auf etwa
2000 C gehalten wird. Dabei entstehen durch Eindiffusion von Phosphor die n-leitenden Emitterzonen - mit einer Stärke von etwa 1 bis 2 p.
In der Oxydschicht --15-- werden dann die Öffnungen --18-- angebracht, wobei gleichzeitig die Öffnungen --19-- gereinigt werden, worauf die metallische Abschirmschicht --9-- dadurch aufgebracht wird, dass auf die Oxydschicht --15-- Aluminium aufgedampft und die erzielte Aluminiumschicht mittels eines photo-erhärtenden Lacks und eines Ätzmittels teilweise wieder entfernt wird, so dass die Abschirmschicht--9--übrigbleibt.
Anschliessend muss die Isolierschicht --7, 8-- aufgebracht werden. Man kann z. B. SiO aufdampfen und die entstandene Isolierschicht mit Hilfe eines photo-erhärtenden Lacks und eines Ätzmittels teilweise wieder entfernen. Auch ist es möglich, den photo-erhärtenden Lack selbst als Isolierschicht zu verwenden. Dann braucht man nur eine photo-erhärtende Lackschicht aufzubringen und diese Schicht auf eine übliche Weise zum Teil wieder zu entfernen.
Das entstandene Gebilde wird anschliessend durch Aufdampfen wieder mit einer Aluminiumschicht bedeckt, welche teilweise derart entfernt wird, dass die für Kontaktzwecke bestimmten Schichten --5 und 6-- verbleiben. Durch Erhitzung auf etwa 5000 C können die vorspringenden Teile --16 und 17-in den Öffnungen --18 und 19-- mit dem Halbleiterkörper-l-legiert werden.
Anschliessend werden Anschlussleiter, z. B. Golddrähte --13 und 14-- mit einem Durchmesser von etwa 25 Il, mit den Metallschichten-5 und 6-- z. B. durch Wärmedruckverbinden ("pressure bonding") verbunden. Der Anschlussleiter --13-- ist der Emitteranschluss und der Anschlussleiter --14-- ist der Basisanschluss. Deutlichkeitshalber sind die Anschlussleiter --13 und 14-- nur in Fig. 3 dargestellt.
Mit dem Teil --10-- der Abschirmschicht --9-- kann auf ähnliche Weise ein Anschlussleiter verbunden werden, der deutlichkeitshalber nicht gezeigt ist.
Bildet der Halbleiterkörper-l-einen Teil einer grösseren Scheibe, so wird er aus dieser Scheibe herausgeschnitten und z. B. mit Hilfe eines Indium-Antimon-Lots-21- (etwa 2 Gew.-% Antimon) mit einer Tragplatte --20--, z. B. aus vergoldetem Ferniko, verlötet. Die Tragplatte stellt dann den Kollektoranschlussleiter dar.
Es sei bemerkt, dass der Durchmesser der mit einem Anschlussleiter zu verbindenden Teile der Me- tallschichten --5, 6 und 9-- z. B. etwa 75 u beträgt und die Metallschichten --5 und 6--, von oben her gesehen (Fig. l), um wenige Mikron innerhalb der Metallschicht --9-- bleiben und die Metallschicht - um wenige Mikron innerhalb der Isolierschicht --7, 8-- bleibt.
Wird der beschriebene Transistor als Verstärkerelement, z. B. in einer Schaltung mit der Emitterelektrode an einem Punkt konstanten Potentials, z. B. an Erde, angewendet, so werden Eingangssignale dem von dem Basis- und Emitteranschluss --14 bzw. 13-- gebildeten elektrischen Eingang zugeführt und die Ausgangssignale werden dem von dem Kollektor- und Emitteranschluss --20 bzw. 13-- gebildeten elektrischen Ausgang entnommen. Wäre die Abschirmschicht-9-- nicht vorhanden, so tritt eine Basis-Kollektor-Kapazität von etwa 0, 6 pF auf, welche eine Rückkopplung herbeiführt. Ist die Abschirmschicht --9-- vorhanden und wird sie über einen Anschlussleiter, der mit dem Teil --10-- der Abschirmschicht verbunden wird, an einen Punkt konstanten Potentials, z.
B. an Erde, gelegt, so beträgt die Basis-Kollektor-Kapazität etwa 0, 15 pF und ist also nahezu um einen Faktor --4-- kleiner geworden. Die mögliche Verstärkung wird dadurch um etwa einen Faktor --4-- grösser, was in Mehrstufenschaltungen die Möglichkeit bietet, eine Stufe fortfallen zu lassen. Es ist einleuchtend, dass dies besonders wichtig ist. Wird eine Schaltung mit der Basiselektrode an einem Punkt konstanten Potentials verwendet, so wird von der z. B. geerdeten Abschirmschicht die eine Rückkopplung herbeiführende Emitter-Kollektor-Kapazität herabgesetzt.
An Hand der Fig. 4, 5 und 6 wird nunmehr ein Ausführungsbeispiel besprochen, bei dem die Abschirmschicht aus einer Oberflächenzone des Halbleiterkörpers besteht, während die Sperrschicht von dem pn-Übergang gebildet wird, den die Oberflächenschicht mit dem darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers bildet.
Das Ausführungsbeispiel nach den Fig. 4, 5 und 6 betrifft einen Transistor mit einem Halbleiterkör-
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per --30-- aus Silizium mit Abmessungen von etwa 500 x 400 x 250 b ? und mit der n-leitenden Kollektorzone --31--, der p-leitenden Basiszone --32-- und der n-leitenden Emitterzone-33-. Der Halbleiterkörper --30-- ist mit einer Siliziumoxydschicht --35-- bedeckt, in der Öffnungen --36 und 39-- mit Abmessungen von etwa 10 X 50 t ? vorhanden sind, über welche die für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten --44 und 45-- mit der Basiszone-32-bzw. der Emitterzone --33-- verbunden sind. Der Durchmesser der praktisch kreisförmigen Teile der Metallschichten --44 und 45-- be- trägt etwa 75 .
Unterhalb dieser Teile und auch unterhalb der Oxydschicht --15-- sind die p-leitenden Oberflächenzonen --37-- vorhanden, welche als Abschirmschicht dienen und die pn-Übergänge - mit dem darunterliegenden Teil des Halbleiterkörpers-30-, d. h. der Kollektorzone --31--, bilden. In der Oxydschicht --35-- sind Öffnungen --40-- mit einem Durchmesser von etwa 75 li vorhanden, um Anschlussleiter mit den Abschirmschichten --37-- verbinden zu können. Mit den für Kontaktzwecke bestimmten Metallschichten --44 und 45-- sind ein Basisanschlussleiter-46-bzw. ein Emitteranschlussleiter-47-- verbunden, die deutlichkeitshalber nur in Fig. 5 gezeigt sind.
Der Transistor kann auf einer Trägerplatte --50-- befestigt sein, die gleichzeitig als Kollektoranschluss dient.
Für den Transistor nach den Fig. 4, 5 und 6 können gleiche oder ähnliche Materialien verwendet werden wie für den Transistor nach den Fig. 1, 2 und 3, und während der Herstellung sind zum Aufbringen der verschiedenen Schichten und Zonen gleiche oder ähnliche Verfahren anwendbar, wie im Zusammenhang mit dem Anbringen ähnlicher Zonen und Schichten des Transistors nach den Fig. l, 2 und 3 beschrieben wurde.
Die Abschirmschichten --37-- können durch Diffusion gleichzeitig mit der Basiszone --33-- wäh- rend einer gemeinsamen Diffusionsbehandlung erzielt werden. Dazu werden neben einer zum Erzielen der Basiszone --32-- erforderlichen Öffnung --32-- von etwa 65 X 65 J1 gleichzeitig zum Erzielen der diffundierten Abschirmschichten --37-- Öffnungen --38-- von etwa 175 x 85 J1 in der Oxydschicht - angebracht, welche nach der Diffusionsbehandlung wieder gedichtet werden, z. B. durch Oxydation mit feuchtem Sauerstoff. Es ist naturgemäss auch möglich, die Abschirmschichten --37-- durch eine getrennte Diffusionsbehandlung anzubringen, was z. B. beim Anbringen einer verhältnismässig hochohmigen Basiszone nützlich sein kann.
Vorzugsweise werden in diesem Falle zunächst die Abschirmschichten --37-- und anschliessend die Basiszone --32-- angebracht, da die Wärmebehandlung wegen des Aufbringens der Abschirmschichten dann keinen Einfluss auf die Basiszone --32-- hat.
Im vorliegenden Beispiel sind für die Metallschichten --44 und 45-- also getrennte Abschirm-
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dargestellt. Solche Leiter können auf eine in der Halbleitertechnik übliche Weise angebracht werden.
Wird dieser Transistor als Verstärkerelement, z. B. in Emitterschaltung oder Basisschaltung, verwendet, wobei die Abschirmschichten --37-- z. B. an Erde gelegt sind, so wird ebenso wie beim vorhergehenden Beispiel die Rückkopplung stark herabgesetzt und die Verstärkung verbessert. Die pn-Über- gänge --48-- sind dabei in der Sperrichtung vorgespannt, wodurch sie als Sperrschichten wirksam sind.
Ist der Transistor nur dazu bestimmt, in Schaltungen mit dem Emitter an einem Punkt konstanten Potentials verwendet zu werden, so ist nur die Abschirmschicht --37-- unter der Metallschicht-44-, die mit der Basiszone --32-- verbunden ist, von Bedeutung und die Abschirmschicht-37-- unter der Metallschicht --45-- ist gegebenenfalls entbehrlich. Ist der Transistor nur dazu bestimmt, in Schaltungen mit der Basis an einem Punkt konstanten Potentials verwendet zu werden, so kann die Abschirm- schicht--37-- unter der Metallschicht --44-- fortfallen.
Es ist einleuchtend, dass die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist und für den Fachmann im Rahmen der Erfindung noch viele Änderungen möglich sind. So kann der Halbleiterkörper statt aus Silizium z. B. aus Germanium oder einer ABy-Verbindung bestehen und die Metallschichten können aus andern Metallen als Aluminium bestehen. So kann die Abschirmschicht - in den Fig. 1, 2 und 3 z. B. auch aus Nickel sein. Weiterhin ist die Erfindung bei andern Halblei- tervorrichtungen als Transistoren, z. B. bei Dioden oder komplexen Halbleitervorrichtungen ("solid circuits"), anwendbar, bei denen für Kontaktzwecke bestimmte, auf einer Isolierschicht liegende Metallschichten verwendet werden.
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