DE1078194B - Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschluessen - Google Patents
Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden KontaktanschluessenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein elektrisches Bauelement, beispielsweise einen Transistor, mit dicht nebeneinanderliegenden
Konkatanschlüssen.
Bei manchen Transistoren ist es notwendig, auf sehr kleinen Kontaktflächen mit einer Lineardimension
von 20 bis 40 μ, die im Abstand von etwa 20 μ voneinander liegen, elektrische Zuleitungen anzubringen.
Es läßt sich noch eine Reihe weiterer Halbleiteranordnungen angeben, die auch mit sehr kleinen Abmessungen
erwünscht sind. Beispiele hierfür bilden Richtleiter für Höchstfrequenzen, die Kontaktierung
kleinster Einkristallproben, z. B. von Boreinkristallen, sowie die Kontaktierung von kleindimensionierten
Hallgeneratoren. Ein anderes, nicht aus der Halbleitertechnik entnommenes Beispiel sind kleine Thermo-
elemente oder Bolometer, wie sie für hochempfindliche Strahlungsmesser verwendet werden.
Bei den genannten Beispielen und einer Reihe weiterer ähnlicher Geräte kleinster Abmessungen tritt
die Aufgabe auf, Kontaktierungsdrähte mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschlüssen kleinster
Kontaktflächen zu verbinden.
Das Anlöten von Drähten auf derartigen Flächen ist technologisch schwierig durchzuführen und führt
auch nicht ohne weiteres zu elektrisch und mechanisch stabilen Kontakten.
Gleiches gilt für auf die Kontaktflächen aufgesetzte Kontaktspitzen.
Bei dem erfindungsgemäßen Bauelement sind diese Nachteile dadurch vermieden, daß die Kontaktanschlüsse
von einer Isolierstoffmasse umgeben sind, die die Kontaktflächen mindestens teilweise frei läßt,
und daß auf der Isolierstoffmasse elektrisch leitende Bahnen aufgebracht sind, die zu den Kontaktflächen
führen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung und erfindungsgemäße Verfahrensschritte werden im folgenden
an Hand der Figur beschrieben.
Auf einen Halbleiterkörper 1, beispielsweise aus Germanium, sind zwei Elektroden 2 auflegiert. Die 4»
eine Elektrode besteht beispielsweise aus Aluminium, die andere aus Gold. Der Halbleiterkörper 1 ist in
eine Isolierstoffmasse 3, beispielsweise aus Siliconlack, eingebettet. Durch die Isolierstoffmasse sind
verhältnismäßig starke elektrische Zuleitungen 4 geführt.
Von den Zuleitungen 4 zu den Kontaktstellen 2 führen elektrisch leitende Bahnen 5, die z. B. durch
Aufdampfen elektrisch leitender Stoffe im Hochvakuum oder durch Aufspritzen oder durch chemisches,
elektrochemisches oder mechanisches Aufbringen von leitenden Lacken oder mittels einer Kombination
dieser Verfahren hergestellt sind.
In einer anderen Ausbildung der Erfindung wird zuerst der Körper 1 ganz in Isolierstoff eingebettet,
Elektrisches Bauelement
mit dicht nebeneinanderliegenden
Kontaktans chlüss en
Anmelder:
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
Berlin und München,
München 2, Witteisbacherplatz 2
München 2, Witteisbacherplatz 2
Dr. Reinhard Dahlberg, Freiburg (Breisgau),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
so daß also· von dem Isolierstoff auch die Kontaktflächen bedeckt sind, und erst nachträglich werden die
Kontaktflächen mindestens teilweise wieder freigelegt. Dies kann mit an sich bekannten Mitteln auf chemischem,
thermischem, elektrischem oder mechanischem Wege erfolgen.
Claims (5)
1. Elektrisches Bauelement mit dicht nebeneinanderliegenden Kontaktanschlüssen, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktanschlüsse von einer Isolierstoffmasse umgeben sind, die die Kontaktflächen
mindestens teilweise frei läßt, und daß auf der Isolierstoffmasse elektrisch leitende Bahnen
aufgebracht sind, die zu den Kontaktflächen führen.
2. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch der Zwischenraum
zwischen den Kontaktanschlüssen von Isolierstoffmasse frei gelassen ist.
3. Verfahren zur Herstellung der Kontaktanschlüsse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktstellen zunächst von der Isolierstoffmasse unter Freilassung mindestens
eines Teils der Kontaktflächen umgeben werden und daß dann die elektrisch leitenden Bahnen auf
die Isolierstoffmasse aufgebracht werden.
4. Verfahren zur Herstellung der Kontaktanschlüsse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Kontaktstellen ganz von der Isolierstoffmasse umgeben und mit dieser Masse bedeckt
werden, daß dann die Kontaktflächen wieder min-
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destens teilweise freigelegt werden und daß dann die elektrisch leitenden Bahnen auf die Isolierstoffmasse
aufgebracht werden.
5. Elektrisches Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktflächen zu
den einlegierten Elektroden eines Transistors gehören, daß diese Kontaktflächen Linearabmessungen
zwischen etwa 20 und 40 μ aufweisen und daß der Abstand zwischen den Kontaktflächen etwa
20 μ beträgt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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1958
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- 1958-09-26 GB GB30844/58A patent/GB874713A/en not_active Expired
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR1201776A (fr) | 1960-01-06 |
| US3414784A (en) | 1968-12-03 |
| CH365452A (de) | 1962-11-15 |
| GB874713A (en) | 1961-08-10 |
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