DE1614818C3 - Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines PlanartransistorsInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors mit einem Halbleiterkörper aus
Silizium, bei dem der Halbleiterkörper zur Verbesserung und Stabilisierung der elektrischen Eigenschaften
nach der Herstellung der Halbleiterzonen vor dem Aufbringen der die Haibleilerzonen kontaktierenden
Elektroden in einer Phosphoratmosphäre behandelt wird.
Durch die GB-PS 1049 017 ist ein Verfahren zum Herstellen von Planaranordnungen bekannt, bei dem
die Planaranordnung zur Verbesserung und Stabilisierung der elektrischen Eigenschaften in einer Phosphoratmosphäre
behandelt wird. Zu diesem Zweck wird nach der Eindiffusion der Halbleiterzonen in den Halbleiterkörper
auf die diffusionshemmende Isolierschicht sowie auf die freie Halbleiteroberfläche im Bereich des
Diffusionsfensters eine Oxydschicht aufgebracht und diese Oxydschicht mit einer weiteren Schicht bedeckt,
die aus phosphordotiertem Siliziumdioxyd besteht. Anschließend werden Kontaktierungsfenster in die Isolierschichten
bis zur Halbleiteroberfläche eingeätzt.
Das bekannte Verfahren hat den Nachteil, daß nach der Phosphorbehandlung zur Stabilisierung und Verbesserung
der elektrischen Eigenschaften noch ein Lackprozeß zur Herstellung der Kontaktierungsfenster
erforderlich ist und daß dieser Lackprozeß durch die Phosphorbehandlung beeinträchtigt wird, da die Haftfestigkeit
von Photolacken durch eine Phosphorbehandlung beeinträchtigt wird. Der Erfindung liegt die
Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, welches diesen Nachteil nicht aufweist. Zur Lösung dieser Aufgabe
wird bei einem Verfahren der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß die
Phosphorbehandlung bei einer Temperatur zwischen 400 und 700°C nach der Herstellung der Kontaktierungsfenster
vor dem Aufdampfen der Elektroden erfolgt.
Die Erfindung bietet beispielsweise die Möglichkeit, die Planartransistoren nach der Eindiffusion der Halbleiterzonen
noch vor der Phosphorbehandlung zu messen und auf ihre Eignung zu prüfen, da vor einer stabilisierenden
Phosphorbehandlung die eindiffundierten Halbleiterzonen durch Kontaktierungsfenster freigelegt
sind. Auf diese Weise ist es möglich, nur diejenigen Planartransistoren einer stabilisierenden Phosphorbehandlung
zu unterziehen, die noch nicht die erforderlichen elektrischen Eigenschaften aufweisen und durch
eine Phosphorbehandlung verbessert werden können. Durch die Zeitschrift »IBM Journal of Research and
ίο Development«, Bd. 8, Nr. 4 (1964), S. 376 bis 384, ist ein
Verfahren zur Herstellung von Planaranordnungen bekannt, bei dem eine Phosphorbehandlung zur Stabilisierung
und Verbesserung der elektrischen Eigenschaften in Verbindung mit der Eindiffusion von Halbleitcrzo-
'5 nen erfolgt.
Die Erfindung hat sich beispielsweise beim Aufdampfen von Elektroden aus Aluminium bewährt, jedoch
werden durch eine Phosphorbehandlung nach der Erfindung Verbesserungen auch bei anderen Materialien
wie z. B. Wolfram, Platin, Palladium, Nickel, Chrom, Silber, Gold oder Titan erzielt.
Die für die Phosphorbehandlung erforderliche Phosphoratmosphäre wird beispielsweise durch Verdampfen
von Phosphorhalogenverbindungen, Phosphoroxyden, sonstigen Phosphorverbindungen sowie durch
Verdampfen von elementarem Phosphor erzielt.
Die Behandlungsdauer hängt von der Temperatur ab, bei der die Phosphorbehandlung stattfindet. Je höher
die Behandlungstemperatur, desto geringer ist die Bchandlungsdauer.
Die Behandlungsdauer beträgt beispielsweise eine halbe Minute bis fünf Minuten bei Behandlungstemperaturen
zwischen 400 und 7000C. Es empfiehlt sich, die Phosphorbehandlung in einer nichtoxydierenden
Atmosphäre vorzunehmen, um zu verhindern, daß sich auf dem Halbleiterkörper ein Oxyd
bildet. Dadurch erspart man einen Ätzprozeß vor dem Aufdampfen der Elektroden zur Beseitigung einer auf
der Halbleiteroberfläche entstandenen Oxydschicht.
Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel erläutert.
Die F i g. 1 zeigt einen Planartransistor, der aus einem Halbleiterkörper 1 vom Leitungstyp der Kollektorzone
besteht, in den die Basiszone 2 und die Emitterzone 3 durch Diffusion eingebracht sind. Auf dem HaIbleiterkörper,
der beispielsweise aus Silizium besteht, befindet sich zum Schutz der pn-Übergänge eine Siliziumdioxydschicht
4, die Öffnungen 5, 6 an denjenigen Stellen aufweist, an denen die Basis- und die Emitterzone
kontaktiert werden sollen.
Die Kontaktierung der Basis- und der Emitterzone erfolgt nach der F i g. 2 durch Aufdampfen der Basiselektrode
7 sowie der Emitterelektrode 8, die z. B. aus Aluminium bestehen. Die Kollektorzone wird auf der
gegenüberliegenden Seite durch die Kollektorelektrode 9 kontaktiert, die mit dem Halbleiterkörper verlötet
wird.
Die Vorbehandlung vor dem Aufdampfen der Elektroden erfolgt in einer Phosphoratmosphäre bei einer
Temperatur von beispielsweise 5000C. Die Behänd-.
lungsdauer beträgt bei dieser Temperatur z. B. 1 Minute.
Sind die Elektrodenflächen groß genug, so werden an den Elektroden im allgemeinen Drähte angelötet,
während bei kleineren Elektroden in bekannter Weise Leitbahnen zu ihrer Kontaktierung aufgebracht werden,
die auf der Oxydschicht verlaufen und durch diese vom Halbleiterkörper isoliert sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors mit einem Halbleiterkörper aus Silizium, bei
dem der Halbleiterkörper zur Verbesserung und Stabilisierung der elektrischen Eigenschaften nach
der Herstellung der Halbleiterzonen vor dem Aufbringen der die Halbleiterzonen kontaktierenden
Elektroden in einer Phosphoratmosphäre behandelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die
Phosphorbehandlung bei einer Temperatur zwischen 400 und 7000C nach der Herstellung der Kontaktierungsfenster
vor dem Aufdampfen der Elektroden erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Phosphorbehandlung eine halbe
Minute bis fünf Minuten dauert.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Phosphorbehandlung; in
einer nichtoxydierenden Atmosphäre erfolgt.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET0034004 | 1967-06-01 | ||
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Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
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| DE1614818A1 DE1614818A1 (de) | 1971-05-19 |
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