DE1514810B2

DE1514810B2 -

Info

Publication number: DE1514810B2
Application number: DE19511514810
Authority: DE
Inventors: Reinhard Dipl.-Phys. Dr. 7100 Heilbronn Dahlberg
Original assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Current assignee: Telefunken Patentverwertungs GmbH
Priority date: 1951-01-28
Filing date: 1951-01-28
Publication date: 1974-04-18
Also published as: DE1514810A1

Description

dene Isolierschicht, vorzugsweise eine Oxydschicht, 55 Die fertige Anordnung zeigt die F i g. 4. Mit 1 ist aufgebracht werden. wieder der Halbleiterkörper und mit 2 die auf der

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im Halbleiteroberfläche befindliche Oxydschicht befolgenden an Hand der Fig. 1 bis4 näher erläutert. zeichnet. Die Basiszone3 wird durch die gestrichel-

Die F i g. 1 bis 4 zeigen die Verfahrensschritte der ten Linien 8 und 9 begrenzt. In die Basiszone 3, die Herstellung eines Planartransistors nach der Erfin- 60 durch die Basiselektrode 7 sperrfrei kontaktiert ist, dung, bei dem sowohl die Basis- als auch die ist die Emitterzone 4 eingebracht. Das Isolierstoffpo-Emitterzone Mäanderform aufweisen. Zur Herstel- dest5 für die Emitterleitbahn 13 hat als Begrenlung einer mäanderförmigen Basiszone wird, vgl. zungslinie die Linie 10, während das Isolierstoffpo-Fig. 1, der Halbleiterkörper 1 des Planartransistors dest6 für die Basisleitbahn 12 durch die Linie 11 bemit einer Oxydschicht 2 versehen, in die mit Hilfe 65 grenzt wird. Die kammförmig ineinandergreifenden einer Photolackätzung eine mäanderförmige Ausspa- Emitter- und Basiselektroden sind voneinander rung entsprechend der Mäanderform der Basiszone durch den schmalen Bereich 14 der Basiszone 3 geeingebracht wird. Durch dieses Diffusionsfenster trennt.

Hierzu 2 Blatt Zeichnunsen

Claims

1 2 wird dann die Basiszone 3 eindiffundiert, deren Patentansprüche: Mäanderform aus der Fig. 1 zu ersehen ist. Die Mäanderlinie kann enger oder weiter geschwungen

1. Planartransistor, bei dem in den Halbleiter- oder auch langer sein. An Stelle einer mäanderförmikörper die Basiszone und in die Basiszone die 5 gen Aussparung können jedoch auch viele einzelne Emitterzone eingebracht ist, dadurch ge- Diffusionsfenster, die sich in einer Mäanderlinie ankennzeichnet, daß die Basiszone (3) einanderreihen, verwendet werden,
mäanderförmig ausgebildet ist. Während oder nach dieser Basisdiffusion wird er-

2. Planartransistor nach Anspruch 1, dadurch neut oxydiert, so daß das Basis-Diffusionsfenster vergekennzeichnet, daß die Emitterzone (4) mäander- io schwindet und ein Emitter-Diffusionsfenster hergeförmig ausgebildet ist. stellt werden kann. In dieses Emitter-Diffusionsf en-

3. Planartransistor nach Anspruch 1 oder 2, ster wird nun, vgl. F i g. 2, die ebenfalls mäanderfördadurch gekennzeichnet, daß die Emitter- und mige Emitterzone 4 eindiffundiert.

die Basiselektrode (7) kammförmig ausgebildet Die Emitter- und die Basiszone werden durch von

sind und mit ihren Kammzähnen ineinandergrei- 15 Leitbahnen gebildete Elektroden kontaktiert. Leitfen. bahnen werden zur Kontaktierung stets dann ver-

4. Planartransistor nach Anspruch 3, dadurch wendet, wenn die Kontaktstellen sehr klein sind und gekennzeichnet, daß die Emitterleitbahn (13) und nicht mehr durch Drähte kontaktiert werden können, die Basisleitbahn (12) auf kammförmigen Isolier- Vor der Herstellung der Leitbahnen werden, vgl. Stoffpodesten (5, 6) aufgebracht sind. 20 Fig. 3, auf die auf der Halbleiteroberfläche vorhandene Oxydschicht 2 kammförmig ineinandergreifende

Isolierstoffpodeste 5,6 aufgebracht, die zur Verringerung der Kapazitäten zwischen der Halbleiterober-

Die Erfindung betrifft einen Planartransistor, bei fläche und den Leitbahnen dienen. Das kammförmig dem in den Halbleiterkörper die Basiszone und in die 25 ausgebildete Isolierstoffpodest 5 dient dabei zur Kon-Basiszone die Emitterzone eingebracht ist. taktierung der Emitterzone 4, während das Isolier-

Bei den bekannten Planartransistoren weist die Stoffpodest 6 zur Kontaktierung der Basiszone 3 vorBasiszone eine Rechteck- oder eine Kreisform auf. gesehen ist. Die Isolierstoffpodeste 5,6, die beispiels-Solche Planartransistoren haben eine relativ hohe weise aus Siliziumoxyd bestehen, können durch Auf-Basis-Kollektorkapazität. Der Erfindung liegt die 30 dampfen erzeugt werden. Im Ausführungsbeispiel ist Aufgabe zugrunde, einen Planartransistor so auszu- die Basiszone 3 durch die sperrfreie Basiselektrode 7 bilden, daß die Basis-Kollektorkapazität bei gleichen kontaktiert.

Abmessungen des Halbleiterkörpers verringert wird. Nach den Isolierstoffpodesten 5,6 werden die

Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einem Planartran- Emitterleitbahn 13 und die Basisleitbahn 12 hergesistor nach der Erfindung die Basiszone mäanderför- 35 stellt. Zu diesem Zweck wird auf die Halbleiterobermig ausgebildet. fläche eine Photolackschicht aufgebracht, die an den-

Es ist bekannt, die Emitter- und die Basiszone jenigen Stellen belichtet wird, an denen die noch aufeines Planartransistors durch kammförmige Elektro- zubringende Metallschicht später in Leitbahnen aufden zu kontaktieren. Die Kammzähne der Emitter- getrennt werden soll. Dadurch entsteht beim Entwik- und der Basiselektrode greifen dabei ineinander. 40 kein nach den bekannten Photolackverfahren in der

Bei einem Planartransistor nach der Erfindung ist Photolackschicht das für die Leitbahnen vorgesehene es von Vorteil, neben der Basiszone auch die Emitter- Muster. Im Anschluß daran wird auf die Photolackzone mäanderförmig auszubilden. Die Kontaktierung schicht eine zusammenhängende Metallschicht aufgeder Basis- und der Emitterzone erfolgt vorzugsweise dampft, aus der die Emitter- und die Basisleitbahn durch ineinandergreifende kammförmige Elektroden, 45 durch Entfernen des restlichen Teils des Photolacks die dem Mäanderverlauf folgen. Diese kammförmige mit den auf diesen befindlichen Teilen der Metall-Kontaktierung hat den Vorteil, daß Elektroden mit schicht hergestellt werden. Es kann aber auch in an kleinen Widerständen und Kapazitäten hergestellt sich bekannter Weise zunächst (ohne Photolackwerden können. schicht) eine zusammenhängende Metallschicht auf-

Die Kapazität zwischen der Emitter- und der Basis- 50 gedampft werden. Mit Hilfe einer — zum vorher Geelektrode und den Halbleiterzonen kann bei einem sagten negativen — Photomaskierung und eines Ätz-Planartransistor nach der Erfindung durch die Ver- prozesses läßt sich ebenfalls die zusammenhängende wendung von Isolierstoffpodesten verringert werden, Metallschicht in die Emitter- und die Bäsisleitbahn die zusätzlich auf die bei Planartransistoren vorhan- auftrennen.