DE1074765B - Verfahren zur Herstellung eines Leuchtschirms für Kathodenstrahlanregung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Leuchtschirms für KathodenstrahlanregungInfo
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- 230000005284 excitation Effects 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 13
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 10
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L Zinc chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 3
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N HCl Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L MANGANESE CHLORIDE Chemical compound Cl[Mn]Cl GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000002867 manganese chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011565 manganese chloride Substances 0.000 description 2
- 229940099607 manganese chloride Drugs 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N Cadmium sulfide Chemical compound [S-2].[Cd+2] FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N Cesium Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000008425 Protein Deficiency Diseases 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N TiO Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J Titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium(0) Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atoms Chemical group 0.000 description 1
- 229910001929 titanium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/18—Luminescent screens
- H01J29/28—Luminescent screens with protective, conductive or reflective layers
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtschirms mit hoher, elektrischer
Leitfähigkeit für Kathodenstrahlanregung, der im Gegensatz zu den bislang gebräuchlichen Leuchtschirmen
glasartig und transparent ist.
Transparente Leuchtschirme, die kornlos sind und keine Lichtzerstreuung mit sich bringen, können
dadurch hergestellt werden, daß auf einer Unterlage eine Verbindung niedergeschlagen wird, deren metallischer
Bestandteil entweder aus Zink oder Kadmium oder einer Mischung davon besteht und die außerdem
Schwefel oder Selen enthalten.
Es ist ein Verfahren bekannt, bei dem ein klarer Leuchtstoffilm durch eine Dampfreaktion entsprechender
Materialien auf einer erwärmten Glasfläche niedergeschlagen wird. Filme unterschiedlicher
Zusammensetzung werden auf diese Weise mit Erfolg hergestellt, die bei Kathodenstrahlanregung unterschiedliche
Farben liefern. Diese Leuchtstoffilme können aus Zinksulfid und Zinkkadmiumsulfid mit
verschiedenen Aktivatoren bestehen. Im einzelnen werden diese Filme z. B. dadurch hergestellt, daß man
Zinkdampf mit einer, geringen.Menge Manganchlorid über eine erwärmte GTasoberfläche (400 bis 600° C)
in einer Schwefelwasserstoffatmosphäre bei einem Druck von wenigen Millimetern hinwegstreichen läßt.
Das Zinksulfid schlägt sich dabei auf der gereinigten Fläche als klarer gleichmäßiger Film von etwa 1 μ
Dicke nieder, an dem sich die Interferenzfarben des reflektierten Lichtes beobachten lassen.
Ein Nachteil dieser Schirme liegt darin, daß ihre Leitfähigkeit so gering ist, daß eine Anhäufung von
elektrischen Ladungen stattfindet, die die getreue Bildwiedergabe stört.
Um diesen Mangel zu beheben, sind bereits Versuche bekannt, entweder die der Glaswand der Röhre
zunächst liegende Seite des Leuchtschirms oder die der Kathode zunächst liegende Seite mit einer
metallisch leitenden, lichtdurchlässigen Schicht zu überziehen. Hierzu hat man z. B. Barium, Kalium,
Cäsium oder Magnesium verwendet. Wenn diese leitende Schicht zwischen der Leuchtsubstanz und der
Glaswand angeordnet ist, tritt jedoch der Nachteil ein, daß eine Absorption des vom Leuchtschirm aus
gehenden Lichtes verursacht wird. Außerdem wird das Abfließen der Ladungen infolge der dazwischenliegenden,
isolierenden Leuchtsubstanz nicht voll erreicht.
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Leuchtschirms mit hoher, elektrischer Leitfähigkeit für
Kathodenstrahlanregung wird gemäß der Erfindung aus einer Mischung von miteinander reagierenden
Dämpfen eine dünne, transparente Schicht aus Titanoxyd auf einer 150 bis 200° C heißen Glasunterlage
zur Herstellung eines Leuchtschirms
für Kathodenstrahlanregung
für Kathodenstrahlanregung
Anmelder:
General Electric Company,
Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. W. Reichel, Patentanwalt,
Frankfurt/M. 1, Parkstr. 13
Frankfurt/M. 1, Parkstr. 13
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 23. August 1951
V. St. v. Amerika vom 23. August 1951
Dominic Anthony Cusano
und Frank John Studer, Schenectady, N. Y. (V. St. A.)r
sind als Erfinder genannt worden
niedergeschlagen; danach erst wird die auf eine
Temperatur von 500 bis 600° C erwärmte Unterlage in an sich bekannter Weise einer Mischung miteinander
reagierender Gase und Dämpfe ausgesetzt, wobei sich eine transparente Schicht eines zum
Leuchten zu bringenden Sulfids oder Selenids des Zinks oder Kadmiums oder einer Mischung dieser
Substanzen auf der Schicht des Titandioxyds niederschlägt. .
Der technische Fortschritt liegt darin, daß Leuchtstoffilme auf einer transparenten Unterlage aus reinem
Titandioxyd, das einen Widerstand von mehreren tausend Megohm je Flächeneinheit zeigt und somit
praktisch zu den Isolatoren zählt, angebracht werden und daß nach der Anbringung der Leuchtschirm so
leitfähig geworden ist, daß keine Anhäufung von elektrischen Ladungen stattfindet. Es findet offenbar
während oder nach der Anbringung eine Wechselwirkung zwischen dem Titandioxyd und dem Selenid
oder Sulfid des Zinks oder Kadmiums statt, durch,die
der Widerstand des gesamten Leuchtschirms weitgehend herabgesetzt wird.
Zum besseren Verständnis des beschriebenen Verfahrens werden die Figuren ausführlich beschrieben.
Fig. 1 zeigt in einem senkrechten Schnitt eine Einrichtung zum Niederschlagen einer solchen Unterlageschicht;
909 728/435
Fig. 2 zeigt einen senkrechten Schnitt durch eine Einrichtung zum nachträglichen Niederschlagen von
Zinksulfid oder eines gleichwertigen Leuchtschirmmaterials auf der Unterlageschicht, während
Fig. 3 einen vergrößerten Querschnitt durch eine Glasplatte mit der Unterlageschicht und der Leuchtschirmschicht
darstellt.
Fig. 1 zeigt eine Platte 1 aus transparentem Material, gewöhnlich aus Glas in einer Reaktionskammer, die aus einem Gehäuse 2 und einem Deckel 3
besteht und in einem nur schematisch dargestellten Ofen 4 angebracht ist. Über die Leitung 5 wird Titanchloriddampf
durch den Deckel 3 eingeführt. Die Platte 1 wird auf etwa 150 bis 200° C auf beliebige
Weise, beispielsweise durch den äußeren Ofen 4 erhitzt. Durch eine Leitung 6, die ebenfalls durch den
Deckel 3 hindurchläuft, wird Wasserdampf eingeführt. Durch die chemische Reaktion dieser Dämpfe wird
Titandioxyd gebildet, welches sich auf der Platte 1 als ein durchsichtiger Film niederschlägt, der etwa
Vio Mikron oder mehr dick ist. Nebenprodukte der Reaktion und nicht reagierende Dampfmengen werden
über die Leitung 7 abgesaugt.
Die mit dem erwähnten Film überzogene Platte, die der besseren Unterscheidbarkeit halber mit la bezeichnet
sei, wird sodann aus der ersten Reaktionskammer entnommen und sofort in eine zweite
Reaktionskammer 8 (Fig. 2) gebracht. Die Platte 1 a wird dabei in einer nicht näher dargestellten Weise
über einem feuerfesten Gefäß 9 befestigt, welches Zinkdampf oder Zinkchloriddampf liefert. Das Gefäß 9
ist an eine Leitung 10 angeschlossen, die durch den Deckel 11 der zweiten Reaktionskammer hindurchläuft.
Das zu verdampfende Material wird über ein "Ventil 13 aus einem Vorratsgefäß 12 geliefert. Der
Verdampfer 9 der aus synthetischem Korund oder geschmolzenem Quarz bestehen kann, ist mit einem
Widerstandsdraht 14 bewickelt, welcher über Leitungen 16 an eine als Batterie 15 dargestellte Heizstromquelle
angeschlossen werden kann.
Als Beispiel für die Herstellung eines Niederschlags auf der Titandioxydzwischenschicht, d. h. zur
Herstellung eines transparenten Leuchtschirms auf dieser Zwischenschicht soll die Bildung eines Zinksulfidfilms
beschrieben werden.
Die Reaktionskammer mit der bedampften Platte 1 a
wird auf eine Temperatur von beispielsweise etwa 500 bis 600° C erhitzt, was z. B. dadurch geschehen
kann, daß die Reaktionskammer in der in Fig. 2 dargestellten Weise in eine Heizeinrichtung 17 eingesetzt
wird, wobei ein feuerfester Ring 18 die Kammer 8 in der gewünschten Lage hält. Die Heizeinrichtung ist
nur schematisch dargestellt.
Über die Leitung 10 werden aus dem Vorratsgefäß 12 Zinkteilchen oder Zinkchloridteilchen durch Betätigung
des Ventils 13 eingeführt und fallen in den Behälter 9, der auf eine so hohe Temperatur erhitzt
wird, daß das Zink oder das Zinkchlorid verdampft. In die Reaktionskammer wird auch eine kleine
Menge eines geeigneten Aktivators, z. B. von Manganchlorid, eingeführt und gleichzeitig mit dem Zink oder
der Zinkverbindung verdampft. Ferner wird über die Leitung 19 Schwefelwasserstoffgas eingeführt. Bei der
chemischen Reaktion bildet sich Zinksulfid, welches sich auf der bereits bedampften Seite der geheizten
Platte 1 α niederschlägt. Die Nebenprodukte und die überschüssigen nicht reagierenden Gas- und Dampfmengen
werden über die Leitung 20 abgeführt.
Der sich auf diese Weise bildende Film von Zinksulfid kann durch Kathodenstrahlen erregt werden.
Wie in Fig. 3 dargestellt, besteht also der fertige Leuchtschirm aus einer Platte 1 aus Glas oder einem
anderen transparenten Werkstoff, einem daraufliegenden Überzug von Titandioxyd 21 und einem auf
diesem angebrachten Film von Zinksulfid. Der elektrische Widerstand des fertigen Titandioxydleuchtschirms
ist sehr niedrig und beträgt nur 4000 Ohm je Flächeneinheit oder noch weniger. Die Lichtausbeute
des fertigen Leuchtschirms ist etwa dieselbe wie die Lichtausbeute von Zinksulfidschichten
unmittelbar auf Glas.
Die Zinksulfidschicht kann gewünschtenfalls auch wieder entfernt werden.
Die Titandioxydunterlageschicht 21, die ursprünglich einen Widerstand von mehreren tausend Megohm
je Flächeneinheit hat, nimmt nach der Aufbringung des Leuchtschirms einen Widerstand von etwa
4000 Ohm je Flächeneinheit oder weniger an. Diese Zunahme der Leitfähigkeit kann dem Übertritt von
Zink- oder von Schwefelatomen oder von beiden Atomarten aus der Leuchtschirmschicht 22 in die
Unterlageschicht 21 zugeschrieben werden oder der Reduktion eines Teils des Titandioxyds durch Zink oder
Kadmium, d. h. der Bildung eines niederwertigeren Oxyds. Wenn die Zinksulfidschicht durch Waschen in
Salzsäure entfernt wird, bleibt der Widerstand des Titandioxydfilms auf seinem niedrigen Wert.
In ähnlicher Weise können Filme aus Kadmiumsulfid oder Filme aus Zinkkadmiumsulfid auf dem
Titandioxydfilm 21 niedergeschlagen werden. Der Schwefelanteil der Leuchtschirmschicht kann ferner
ganz oder teilweise durch Selen ersetzt werden.
Claims (1)
- PATENTANSPRUCH:Verfahren zur Herstellung eines Leuchtschirms mit hoher elektrischer Leitfähigkeit für Kathodenstrahlerregung, dadurch gekennzeichnet, daß aus einer Mischung von miteinander reagierenden Dämpfen eine dünne, transparente Schicht aus Titandioxyd auf einer 150 bis 200° C heißen Glasunterlage niedergeschlagen wird und daß danach die auf eine Temperatur von 500 bis 600° C erwärmte Unterlage in an sich bekannter Weise einer Mischung miteinander reagierender Gase und Dämpfe ausgesetzt 'wird, wobei sich eine transparente Schicht eines zum Leuchten zu bringenden Sulfids oder Selenids des Zinks oder Kadmiums oder einer Mischung dieser Substanzen auf der Schicht des Titandioxyds niederschlägt.In Betracht gezogene Druckschriften:Deutsche Patentschrift Nr. 720437; französische Patentschrift Nr. 896 650; österreichische Patentschriften Nr. 144 607, 977;Journal of the Optical Society of America, 1951, Heft 8, S. 559;D'Ans-Lax: Taschenbuch für Chemiker und Physiker, 1949, S. 1218.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen© 909 728/435 1.60
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1074765B true DE1074765B (de) | 1960-02-04 |
Family
ID=598742
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1074765D Pending DE1074765B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtschirms für Kathodenstrahlanregung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1074765B (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT144607B (de) * | 1934-02-02 | 1936-02-10 | Telefunken Gmbh | Kathodenstrahlröhre. |
DE720437C (de) * | 1935-06-15 | 1942-05-05 | Fernseh Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines zur Steuerung des Lichtdurchganges dienenden Schirmes in Kathodenstrahlroehren |
FR896650A (fr) * | 1942-07-22 | 1945-02-27 | Philips Nv | Tube à décharge électrique muni d'un écran fluorescent |
AT169977B (de) * | 1949-01-14 | 1951-12-27 | Philips Nv | Leuchtstoff, vorzugsweise für eine elektrische Entladungsröhre |
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0
- DE DENDAT1074765D patent/DE1074765B/de active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT144607B (de) * | 1934-02-02 | 1936-02-10 | Telefunken Gmbh | Kathodenstrahlröhre. |
DE720437C (de) * | 1935-06-15 | 1942-05-05 | Fernseh Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines zur Steuerung des Lichtdurchganges dienenden Schirmes in Kathodenstrahlroehren |
FR896650A (fr) * | 1942-07-22 | 1945-02-27 | Philips Nv | Tube à décharge électrique muni d'un écran fluorescent |
AT169977B (de) * | 1949-01-14 | 1951-12-27 | Philips Nv | Leuchtstoff, vorzugsweise für eine elektrische Entladungsröhre |
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