DE1052574B - Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper

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DE1052574B
DE1052574B DEN14907A DEN0014907A DE1052574B DE 1052574 B DE1052574 B DE 1052574B DE N14907 A DEN14907 A DE N14907A DE N0014907 A DEN0014907 A DE N0014907A DE 1052574 B DE1052574 B DE 1052574B
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Germany
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room
electrode systems
temperature
constant
semiconducting body
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Pending
Application number
DEN14907A
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German (de)
English (en)
Inventor
Hedwig Sandmeijer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
    • H10W76/42—Fillings
    • H10W76/48—Fillings including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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GB (1) GB876744A (enExample)
NL (2) NL107368C (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1192323B (de) * 1960-11-02 1965-05-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens

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DE1192323B (de) * 1960-11-02 1965-05-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens

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FR1194289A (enExample) 1959-11-09
NL216173A (enExample) 1900-01-01
NL107368C (enExample) 1900-01-01
GB876744A (en) 1961-09-06
CH358867A (de) 1961-12-15

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