CH358867A - Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen

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CH358867A
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DE1192323B (de) * 1960-11-02 1965-05-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens

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FR1194289A (enExample) 1959-11-09
NL216173A (enExample) 1900-01-01
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GB876744A (en) 1961-09-06
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