DE1051985B - Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen - Google Patents

Verfahren zur elektrolytischen Behandlung eines Halbleiterkoerpers fuer Halbleiteranordnungen

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DE1051985B
DE1051985B DEP17335A DEP0017335A DE1051985B DE 1051985 B DE1051985 B DE 1051985B DE P17335 A DEP17335 A DE P17335A DE P0017335 A DEP0017335 A DE P0017335A DE 1051985 B DE1051985 B DE 1051985B
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DE
Germany
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electrode
semiconductor body
electroplating
semiconductor
electrolyte
Prior art date
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Pending
Application number
DEP17335A
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German (de)
English (en)
Inventor
Gerald Kenneth Clymer
Walter Leonard Doelp Jun
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Maxar Space LLC
Original Assignee
Philco Ford Corp
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Publication date
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • H10P14/47—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
    • C25F3/02—Etching
    • C25F3/12—Etching of semiconducting materials
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1144403B (de) * 1959-05-13 1963-02-28 Ass Elect Ind Leistungstransistor
DE1146982B (de) * 1959-05-28 1963-04-11 Ibm Verfahren zur Herstellung von Halbleiterzonen mit genauer Dicke zwischen flaechenhaften PN-UEbergaengen in einkristallinen Halbleiterkoerpern von Halbleiterbauelementen,insbesondere von Dreizonentransistoren
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DE1253825B (de) * 1960-06-07 1967-11-09 Philips Nv Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Halbleiterkoerper aus Galliumarsenid durch AEtzen

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US2497770A (en) * 1948-12-29 1950-02-14 Bell Telephone Labor Inc Transistor-microphone

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