DE1044471B - Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-Matrix - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-MatrixInfo
- Publication number
- DE1044471B DE1044471B DEST12502A DEST012502A DE1044471B DE 1044471 B DE1044471 B DE 1044471B DE ST12502 A DEST12502 A DE ST12502A DE ST012502 A DEST012502 A DE ST012502A DE 1044471 B DE1044471 B DE 1044471B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- circuit arrangement
- transistors
- switch
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04Q—SELECTING
- H04Q3/00—Selecting arrangements
- H04Q3/42—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
- H03K17/6221—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
- H03K17/6285—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors with several outputs only combined with selecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/74—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of diodes
- H03K17/76—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
- H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
- H03K19/084—Diode-transistor logic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Data Exchanges In Wide-Area Networks (AREA)
Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur einwandfreien Markierung von Kreuzungspunkten
einer Widerstand-Dioden-Matrix.
In der elektronischen Rechen- und datenverarbeitenden Technik werden vielfach Koinzidenzschaltungen
verwendet, um irgendwelche Funktionsabläufe auszuwählen. Man hat derartigeKoinzidenzschaltungen als
Matrizen ausgebildet, deren Schnittpunkte markiert sind, wenn die entsprechenden vertikalen und horizontalen
Leitungen markiert sind. In vielen Fällen ist es z. B. auch erforderlich, daß mehrere horizontale Leitungen
gleichzeitig markiert werden. Ein Beispiel hierfür ist die Spurauswahl bei Trommelspeichern, bei
denen pro Zeichen mehrere Spuren gleichzeitig beschrieben werden sollen. Jedem Magnetkopf einer
Spur ist dabei ein Element der Matrix zugeordnet. Da die Matrix mehrere Spalten hat, können m mal η
Magnetköpfe, also Spuren, gleichzeitig oder wahlweise angeschlossen werden, wenn m die Anzahl der Zeilen
und η die Anzahl der Spalten der Matrix ist.
Die Auswahl der Zeilen und Spalten kann durch Transistorschalter erfolgen, die entsprechend auf
Durchgang oder Sperrung geschaltet werden. Bei den durchgeschalteten Zeilentransistoren fließt nun jeweils
ein geringer Strom über die Diode und den Kollektorwiderstand des Spaltentransistors, so daß an dem
Widerstand ein Spannungsabfall auftritt, der jedoch ungefährlich ist. Wenn nun aber viele Zeilentransistoren
gleichzeitig durchgeschaltet sind, fließt ein relativ hoher Strom über den Kollektorwiderstand des
Spaltentransistors, der nunmehr einen so hohen Spannungsabfall hervorruft, daß die Kreuzungspunkte
markiert sein können, ohne daß der Spaltentransistor durchgeschaltet ist.
Diese Fehlermöglichkeit auszuschalten, ist Aufgabe der Erfindung, der die Erkenntnis zugrunde liegt, daß
der hohe Strom über den Kollektorwiderstand des Spaltentransistors im unmarkierten Zustand abgeleitet
werden muß. Gegenstand der Erfindung ist eine Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten
einer Widerstand-Dioden-Matrix, bei der mehrere Zeilen oder Spalten gleichzeitig über elektronische
Schalter, insbesondere Transistoren, angesteuert werden. Erfindungsgemäß ist zu dem Arbeitswiderstand
des Schalters, der beim Schließen die volle Markierung für die zugeordneten, bereits durch die senkrecht zu
ihm die Matrix beeinflussenden Schalter halbmarkierten Matrixpunkten herbeiführt, ein Nebenschluß vorgesehen,
der im Takte der an dem zugehörigen Schalter eintreffenden Eingangsimpulse mittels elektronischer
Schalter derart gesteuert wird, daß er im halbmarkierten Zustand wirksam und im vollmarkierten Zustand
unwirksam ist.
Mit dieser Anordnung ist es möglich, die hohen Schaltungsanordnung
zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-Matrix
Anmelder:
Standard Elektrik Lorenz
Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausenr
Hellmuth-Hirth-Str. 42
Sieghard Ulmer, Stuttgart-Zuffenhausem,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Ströme im halbmarkierten Zustand von dem Arbeitswiderstand fernzuhalten, so daß das Potential an dem
Kollektor des betreffenden Transistors bei geeigneter Dimensionierung des Nebenschlusses einen bestimmten
Wert nicht überschreitet und folglich eine unerwünschte Markierung nicht eintreten kann. Im Bedarfsfalle
kann man auch zwei oder mehr Nebenschlußstrecken vorsehen. Als Schalter für die Nebenschlüsse
werden vorteilhafterweise Transistoren verwendet, da sie mit den anderen Schalttransistoren
gut abgestimmt werden können. Denn es ist erforderlich, daß die Nebenschlußschalter zeitgerecht und
phasenrichtig betätigt werden.
Um aufeinander abgestimmte Potentialverhältnisse an den Transistoren zu erhalten, ist es zweckmäßig,
die Basis des Nebenschlußtransistors über einen weiteren Transistor anzusteuern, der immer dann mit
Sicherheit Durchgang hat, wenn der Koinzidenztransistor durchgeschaltet ist. Das Potential an der Basis
dieser beiden Transistoren läßt sich durch geeignete Widerstände in der Basisleitung, die an der gemeinsamen
Eingangsleitung liegen, abstimmen.
In einigen Fällen ist es auch zweckmäßig, diese Basisleitungen über getrennte Transistoren von dem
Eingang her anzusteuern, nämlich dann, wenn die Ströme auf den S teuer leitungen sehr unterschiedlich
sind.
Die Erfindung wird im folgenden an Hand eines Beispiels mit Transistorschalter näher erläutert. Es
zeigt
M9 675/539
Fig. 1 eine Widerstand-Dioden-Koinzidenzmatrix,
Fig. 2 einen einzelnen Matrixpunkt mit den entsprechenden Elementen zur Koinzidenzbildung,
Fig. 3 und 4 schematisch mit den Symbolen der Schaltertechnik die Anordnung gemäß der Erfindung
für die beiden Schaltzustände an einem Matrixpunkt,
Fig. 5 eine Weiterbildung der Anordnung nach Fig. 3 und 4,
Fig. 6 eine Anordnung zur Realisierung der Schaltung nach Fig. 5 mit Transistoren,
Fig. 7 eine Weiterbildung der Anordnung nach Fig. 6,
Fig. 8 eine Anordnung zur Verwendung als Umschalter für zwei Speisespannungen eines Verbrauchers,
Fig. 9 ein Diagramm der an dem Verbraucher liegenden Spannungen bei folgeweiser Betätigung der
Schalter S1 und S3,
Fig. IQ ein Diagramm der durch Änderung der Schalterwiderstände entstehenden Spannungen an dem
Verbraucher.
Fig. 1 zeigt eine bekannte Widerstand-Dioden-Matrix mit den horizontalen (Zeilen-) 1 und den vertikalen
(Spalten-) Schaltdrähten 2. Die einzelnen Schnittpunkte der Matrix können über die entsprechenden
Zeilentransistoren 3 und Spaltentransistoren 4 angesteuert werden. Sind beide Transistoren angeschaltet,
d. h., haben beide Transistoren Durchgang, dann ist an dem betreffenden Matrixpunkt Koinzidenz
vorhanden. Die Kollektorwiderstände 5 und 6 liegen beide an dem gleichen festen Potential. An dem Koinzidenzpunkt
7 ist ein Verbraucher 8, z. B. ein Impulsgenerator, angeschaltet, der in Funktion tritt, wenn
Koinzidenz vorhanden ist.
Fig. 2 zeigt die eben beschriebenen Verhältnisse vergrößert für einen Matrixpunkt, wie durch die gleichen
Bezugszeichen ersichtlich ist. An dieser Figur ist deutlich zu erkennen, daß dem Kollektorwiderstand 6 über
die Diode 9 von dem Transistor 3 Strom zugeführt wird, der an dem Widerstand 6 einen bestimmten
Spannungsabfall erzeugt. Sind nun mehrere Zeilentransistoren 3 durchgeschaltet, was bei einigen Aufgaben
erforderlich ist, so würden über die Dioden 9 dem Widerstand 6 entsprechend viele Ströme zugeführt
werden, die einen entsprechend höheren Spannungsabfall bewirkten. Dieser Spannungsabfall kann
so groß werden, daß an dem Kollektor dasselbe Potential erreicht wird, wie es bei durchgeschaltetem Transistor
4t entsteht. Hierdurch würde also fälschlicherweise an dem Punkt 7 Koinzidenz vorhanden sein und
tier Impulsgenerator unerwünscht arbeiten. Es wäre daher praktisch keine Auswahl mehr über die Spaltentransistoren
möglich, da für alle Spalten diese Überlegungen gelten.
Alan kann andererseits aber den Widerstand 6 nicht
beliebig klein machen, da im markierten Zustand ein bestimmter Spannungsabfall an ihm erforderlich ist,
bzw. er den Kollektorstrom I0 derart begrenzt, daß· er
einen bestimmten Wert nicht überschreitet. Der Widerstand soll also einmal niederohmig und einmal hochohmig
sein. Dies wird durch die Anordnung gemäß der Erfindung erfüllt, die in den Fig. 3 und 4 schematisch
mit den Symbolen der Schalttechnik dargestellt ist.
In dem ersten Schaltzustand ist der Schalter Ss, der
dem Transistor 4 entspricht, offen. Über den Punkt 10 wird ein bestimmter Strom I2 zwangsweise zugeführt,
der bei geöffnetem Schalter JT1 an dem Widerstand R0
(gleich Widerstand 6) einen Spannungsabfall XJz =
/, · Rc hervorrufen würde. Die Spannung zwischen
den Punkten 10 und 11 soll nun aber einen bestimmten
Wert nicht überschreiten, wenn S3 geöffnet ist. Um
dies zu erreichen, ist der aus dem Schalter JT1 und dem
Widerstand Rn bestehende Nebenschluß vorgesehen,
der immer dann wirksam ist, wenn S3 geöffnet ist,
d. h. S1 muß geschlossen sein, wenn S3 offen ist, und
offen sein, wenn S3 geschlossen ist. Die Steuerung der
Schalter erfolgt daher von dem gemeinsamen Eingang B aus. Die Bedeutung des bei Verwendung von
Transistoren notwendigen Schalters S2 sowie der
ίο Koppelglieder C1 und C2 wird weiter unten erläutert.
Wenn S1 geschlossen ist, ensteht zwischen 10 und 11
ein durch den Widerstand Rn bedingter Spannungsabfall
Ufi = L1-R0; diese Spannung ist gering, wenn
Rn <^ R0 ist. So wird also über den Nebenschluß der
Strom I -I2- I1 abgeleitet.
Im zweiten Schaltzustand wird der Schalter S3 geschlossen
und damit Iz zwangsweise gleich Null. Der Schalter JT1 ist nun offen, so daß der Strom Ic vollkommen
über den hochohmigen Widerstand R0 fließt
und den Spannungsabfall U0-I0- i?c >
Un hervorruft. Sind die Ströme auf den Steuerleitungen sehr unterschiedlich,
dann ist es zweckmäßig, den Schalter S3 über eine eigene Vorstufe Se zu betätigen (Fig. 5).
Fig. 6 zeigt die Realisierung der Schaltung nach
Fig. 6 zeigt die Realisierung der Schaltung nach
Fig. 3 und 4 mittels Transistoren. Dabei ist zusätzlich angenommen, daß der Strom I2 so groß ist, daß zwei
Schalter^ parallel geschaltet werden müssen. Der Nebenschluß besteht also aus den beiden parallelen
Zweigen S1, Rn und S1, R/. Die Betätigung der
Schalter S2 und S3 erfolgt jeweils über die Basis der
Transistoren von dem gemeinsamen Eingangstransistor S4 aus.
Der bzw. die Schalter .S1 werden aus Gründen der
Sicherheit indirekt über den Transistor ^2 angesteuert;
es ist nämlich nötig, daß der Transistor S1 mit Sicherheit
gesperrt ist, wenn der Transistor S3 durchgeschaltet
ist. Da der Transistor S2 eine höhere Emitterspannung
als der Transistor S3 hat, wird erreicht, daß
im Falle der Durchschaltung beider Transistoren mit Sicherheit an der Basis der Transistoren S1 eine positivere
Spannung als an deren Emitter liegt. Dadurch sind also die Transistoren S1 bestimmt gesperrt, wenn
S3 geöffnet ist.
Die Koppelglieder C1, R1 und C2, R2 dienen zur
zeitgerechten Betätigung der beiden Transistoren S2
und S3. Es ist nämlich erforderlich, daß S1 geöffnet ist"
bevor S3 geschlossen wird bzw. umgekehrt.
Fig. 7 unterscheidet sich gegenüber der Anordnung nach Fig. 6 dadurch, daß zur Ansteuerung der beiden
Transistoren S2 und Ss zwei getrennte Eingangstransistoren
S5 und S6 verwendet werden, was dann zweckmäßig
ist, wenn die Ströme auf den Stetterleitungen
sehr unterschiedlich sind. Die beiden Transistoren S5
und S6 werden über den gemeinsamen Eingang E angesteuert.
Man muß dabei auf die richtige Phasenlage des Eingangsimpulses bei E achten, um an den eigentlichen
Schalttransistoren die richtigen Potentiale zu erhalten.
Nimmt man nun an, daß parallel zu dem Widerstand Re ein beliebiger Verbraucher Rv geschaltet ist,
dann wirkt die gemäß den Fig. 3 bis 7 beschriebene Schaltungsanordnung bei geeigneter Dimensionierung
von I2, R0, Rn und Rv so, als ob der Verbraucher mittels
eines Umschalters wahlweise an die zwei diskreten Spannungen UAl und UÄ2 angeschaltet würde.
Fig. 8 zeigt schematisch einen derartigen Umschalter, bei dem die beschriebenen Schaltelemente
verwendet werden. Die Schaltungsanordnung der Fig. 8 unterscheidet sich nur dadurch von z. B. der
Fig. 4, daß ein Verbraucher Rv parallel zu dem Wider-
stand Rc vorgesehen ist. Im übrigen können auch die
beschriebenen Strom- und Spannungsverhältnisse bei den jeweiligen Stellungen der beiden Schalter^ und
S3 gelten, die über die Steuerleitungen 12 und 13 geschaltet
werden. Man erkennt also, daß der Verbraueher Rv wahlweise an zwei Spannungen UAl und UA2
gelegt werden kann. Die Größe der beiden Spannungen hängt von der Dimensionierung der beteiligten Schaltelemente
ab, so daß die beiden Spannungen beliebig wählbar sind.
Da man die Schalter ,S1 und ,S2 von außen ansteuern
kann und sie nie gleichzeitig geöffnet oder geschlossen sind, läßt sich die Spannung an dem Verbraucher Rv
zeitlich in einem gewünschten Takte verändern.
Fig. 9 zeigt die an dem Verbraucher Rv liegende
Spannung, wenn die beiden Schalter in einem bestimmten Zeittakt betätigt werden. Die Spannung UAl ist
vorhanden, wenn der Schalter S3 geschlossen ist, während
die Spannung UÄ2 bei geschlossenem Schalter S1
an dem Verbraucher Rv liegt.
Eine weitere Möglichkeit, die Spannung an dem Verbraucher Rv zeitlich zu variieren, besteht darin,
den Schalterwiderstand zeitlich zu verändern. Diese Veränderung ist bei Transistorschalter einfach dadurch
möglich, daß man das Basispotential zeitlich ändert. Bei sinusförmiger Änderung des Potentials an
der Basis des Transistors .S1 und impulsförmiger Änderung
des Potentials an der Basis des Transistors ,S3
erhält man die in Fig. 10 dargestellten Spannungsverhältnisse an dem Verbraucher Rv.
Eine weitere Änderung der Spannung UA läßt sich
durch Änderung des Stromes Iz und/oder der Spannung
U0 erreichen, so daß man praktisch jede gewünschte
Spannungsform an dem Verbraucher Rv erzeugen kann.
Claims (13)
1. Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-Matrix,
bei der mehrere Zeilen und/oder Spalten gleichzeitig über elektronische Schalter, insbesondere
Transistorschalter, angesteuert werden können, dadurch gekennzeichnet, daß zu dem Arbeitswiderstand
(Rc) des Schalters GS3), der beim Schließen
die volle Markierung für die zugeordneten, bereits durch die senkrecht zu ihm die Matrix beeinflussenden
Schalter (3) halbmarkierten Kreuzungspunkte herbeiführt, ein Nebenschluß (,S1, Rn) vorgesehen
ist, der im Takte der an dem zugehörigen Schalter eintreffenden Eingangsimpulse mittels
elektronischer Schalter derart gesteuert wird, daß er im halbmarkierten Zustand wirksam und im
vollmarkierten Zustand unwirksam ist.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Falle des Markierens
der Matrix mit Transistoren zum Umschalten des Nebenschlusses ebenfalls Transistoren (.S1) verwendet
werden, deren Kollektoren über den Nebenschlußwiderstand (Rn) an der gleichen Spannungsquelle wie der Kollektor des Transistors (S,)
liegen.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Umschaltung des
Nebenschlußschalters (.S1) indirekt über einen
Transistor (S2) erfolgt, dessen Kollektor über einen
Widerstand (RH) an der gleichen Spannungsquelle wie die Kollektoren der Transistoren (.S1 und .S3)
liegt.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (.S2)
eine positivere Emitterspannung als der Transistor (S3) besitzt.
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Nebenschluß aus
zwei oder mehr parallelen Strecken besteht.
6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltzeiten der
Transistoren (,S2 und .S3) mittels i?C-Gliedern derart
aufeinander abgestimmt sind, daß einer der Schalter immer bevorzugt geöffnet bzw. geschlossen
wird.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuerung der
beiden Schalttransistoren (S2 und S3) über den gemeinsamen
Eingangstransistor (S4) erfolgt.
8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ansteuerung der
beiden Schalttransistoren (^S2 und S3) über getrennte
Eingangstransistoren (S5 und .S6) erfolgt.
9. Verwendung der Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche
als Umschalter zur Erzeugung von zwei diskreten Spannungen (UAl und UA2) für einen
parallel zu dem Widerstand (Rc) geschalteten Verbraucher
(Rv).
10. Umschalter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalter (.S1 und .S3) in
einem vorgegebenen Zeittakt schaltbar sind.
11. Umschalter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalterwiderstände in
einem vorgegebenen Zeittakt zur Modulation der Spannungen (UAl und UA2) veränderbar sind.
12. Umschalter nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
daß bei Verwendung von Transistorschalter (S1 und .S3) das Potential an der Basis
des Transistors (.S1) und/oder des Transistors (S3)
zeitlich veränderbar ist.
13. Umschalter nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß zur Modulation der Spannungen
(JJΑχ und UA2) der Strom (J2) und/oder die Spannung
(U0) veränderbar ist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
© 80Ϊ 679/639 11,58
Priority Applications (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL227219D NL227219A (de) | 1957-04-27 | ||
DEST12502A DE1044471B (de) | 1957-04-27 | 1957-04-27 | Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-Matrix |
DE1957ST013118 DE1065466B (de) | 1957-04-27 | 1957-10-31 | Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Pufferspeichers |
FR1208226D FR1208226A (fr) | 1957-04-27 | 1958-04-11 | Circuits électroniques pour la manipulation des informations binaires |
GB13216/58A GB831408A (en) | 1957-04-27 | 1958-04-25 | Circuit arrangement for marking the points of intersection of a resistance-diode matrix |
CH5881758A CH369791A (de) | 1957-04-27 | 1958-04-26 | Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-Matrix |
US731425A US3107341A (en) | 1957-04-27 | 1958-04-28 | Circuit arrangement for marking the points of intersection of a resistancediode matrix |
BE567175A BE567175A (de) | 1957-04-27 | 1958-04-28 | |
FR770021A FR73950E (fr) | 1957-04-27 | 1958-07-10 | Circuits électroniques pour la manipulation des informations binaires |
US767380A US2985865A (en) | 1957-04-27 | 1958-10-15 | Circuit arrangement for controlling a buffer storage |
FR777935A FR74499E (fr) | 1957-04-27 | 1958-10-30 | Circuits électroniques pour la manipulation des informations binaires |
CH6564358A CH367855A (de) | 1957-04-27 | 1958-10-31 | Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Pufferspeichers |
BE572558A BE572558A (de) | 1957-04-27 | 1958-10-31 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEST12502A DE1044471B (de) | 1957-04-27 | 1957-04-27 | Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-Matrix |
DE1957ST013118 DE1065466B (de) | 1957-04-27 | 1957-10-31 | Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Pufferspeichers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1044471B true DE1044471B (de) | 1958-11-20 |
Family
ID=25993867
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEST12502A Pending DE1044471B (de) | 1957-04-27 | 1957-04-27 | Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-Matrix |
DE1957ST013118 Pending DE1065466B (de) | 1957-04-27 | 1957-10-31 | Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Pufferspeichers |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1957ST013118 Pending DE1065466B (de) | 1957-04-27 | 1957-10-31 | Schaltungsanordnung zur Steuerung eines Pufferspeichers |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3107341A (de) |
BE (2) | BE567175A (de) |
CH (2) | CH369791A (de) |
DE (2) | DE1044471B (de) |
FR (1) | FR1208226A (de) |
GB (1) | GB831408A (de) |
NL (1) | NL227219A (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB967251A (en) * | 1960-05-03 | 1964-08-19 | Int Computers & Tabulators Ltd | Improvements in or relating to matrix switching arrangements |
US3157779A (en) * | 1960-06-28 | 1964-11-17 | Ibm | Core matrix calculator |
US3233224A (en) * | 1960-09-15 | 1966-02-01 | Burroughs Corp | Data processing system |
NL270663A (de) * | 1960-10-26 | |||
NL280267A (de) * | 1961-06-28 | |||
US3259886A (en) * | 1961-07-07 | 1966-07-05 | Bunker Ramo | Data transfer apparatus |
NL289939A (de) * | 1962-03-15 | |||
US3251036A (en) * | 1962-10-01 | 1966-05-10 | Hughes Aircraft Co | Electrical crossbar switching matrix having gate electrode controlled rectifier cross points |
US3333253A (en) * | 1965-02-01 | 1967-07-25 | Ibm | Serial-to-parallel and parallel-toserial buffer-converter using a core matrix |
US3406378A (en) * | 1965-07-14 | 1968-10-15 | Minnesota Mining & Mfg | Digital data transfer system |
US3407389A (en) * | 1965-09-24 | 1968-10-22 | Navy Usa | Input buffer |
US3440613A (en) * | 1966-03-25 | 1969-04-22 | Westinghouse Electric Corp | Interface system for digital computers and serially operated input and output devices |
US3500328A (en) * | 1966-06-20 | 1970-03-10 | Ibm | Data system microprogramming control |
AT278106B (de) * | 1968-02-09 | 1970-01-26 | Siemens Ag | Schaltmatrix mit Schwellwertschalter |
US3803450A (en) * | 1972-06-07 | 1974-04-09 | Owens Illinois Inc | Diode-resistor addressing apparatus and method for gaseous discharge panels |
US4284208A (en) * | 1979-08-09 | 1981-08-18 | H. R. Electronics Company | Vend control system |
US4674260A (en) * | 1985-09-20 | 1987-06-23 | Cummins-Allison Corporation | Coin wrapping mechanism |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2627039A (en) * | 1950-05-29 | 1953-01-27 | Bell Telephone Labor Inc | Gating circuits |
GB701018A (en) * | 1950-10-12 | 1953-12-16 | Ericsson Telefon Ab L M | Improvements in or relating to electronic switching devices for use in radio systemsand multi-channel telephone systems |
US2590950A (en) * | 1950-11-16 | 1952-04-01 | Eckert Mauchly Comp Corp | Signal responsive circuit |
US2801334A (en) * | 1953-04-06 | 1957-07-30 | Ibm | Dynamic storage circuit |
BE534339A (de) * | 1953-12-24 | |||
US2995664A (en) * | 1954-06-01 | 1961-08-08 | Rca Corp | Transistor gate circuits |
US2817072A (en) * | 1954-08-02 | 1957-12-17 | Rca Corp | Serial memory system |
US2960681A (en) * | 1955-08-05 | 1960-11-15 | Sperry Rand Corp | Transistor function tables |
US2992410A (en) * | 1956-02-28 | 1961-07-11 | Bell Telephone Labor Inc | Selector for switching network |
US2985771A (en) * | 1958-07-29 | 1961-05-23 | Ibm | Transistor switching system |
-
0
- NL NL227219D patent/NL227219A/xx unknown
-
1957
- 1957-04-27 DE DEST12502A patent/DE1044471B/de active Pending
- 1957-10-31 DE DE1957ST013118 patent/DE1065466B/de active Pending
-
1958
- 1958-04-11 FR FR1208226D patent/FR1208226A/fr not_active Expired
- 1958-04-25 GB GB13216/58A patent/GB831408A/en not_active Expired
- 1958-04-26 CH CH5881758A patent/CH369791A/de unknown
- 1958-04-28 BE BE567175A patent/BE567175A/xx unknown
- 1958-04-28 US US731425A patent/US3107341A/en not_active Expired - Lifetime
- 1958-10-15 US US767380A patent/US2985865A/en not_active Expired - Lifetime
- 1958-10-31 BE BE572558A patent/BE572558A/xx unknown
- 1958-10-31 CH CH6564358A patent/CH367855A/de unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1065466B (de) | 1959-09-17 |
BE567175A (de) | 1958-10-28 |
NL227219A (de) | |
GB831408A (en) | 1960-03-30 |
CH369791A (de) | 1963-06-15 |
BE572558A (de) | 1959-04-30 |
CH367855A (de) | 1963-03-15 |
US2985865A (en) | 1961-05-23 |
FR1208226A (fr) | 1960-02-22 |
US3107341A (en) | 1963-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1044471B (de) | Schaltungsanordnung zur Markierung von Kreuzungspunkten einer Widerstand-Dioden-Matrix | |
EP0038947B1 (de) | Programmierbare logische Anordnung | |
DE2010366C3 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Einschreiben von Informationen in einen nur zum Ablesen bestimmten Speicher | |
DE1814940C3 (de) | Lernende Klassifizierungsschaltung | |
DE1011181B (de) | Matrix-Schaltung | |
DE1513356B2 (de) | Digitale Programmsteuereinrichtung zur Vorgabe der Anderungsgeschwindigkeit und des Endwertes eines Sollwertes fur eine Temperaturregelung | |
DE2714482A1 (de) | Thermoschreiber-ansteueranordnung | |
DE1237177B (de) | Asynchrone Zaehleinrichtung | |
DE2014034B2 (de) | Digital-Analog-Umwandler | |
DE2805665A1 (de) | Treiberschaltung fuer plasmaanzeigetafeln | |
DE1548587B1 (de) | Einrichtung zur Erfassung und Auswertung von elektrischen Signalen | |
DE1074663B (de) | Schaltungsanordnung für Umrechner in Fernmelde-, insbesondere Fernsprechanlagen | |
DE1249345B (de) | Verschiebematrix für Parallelverschiebung eines Wortes | |
DE2247777C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Speicherung und Anzeige von Signalen insbesondere für Einrichtungen zum Fernüberwachen und/ oder Fernsteuern | |
DE1574759B2 (de) | Magnetkernspeicher mit gemeinsamer Schreib- und Leseleitung | |
DE1574759C (de) | Magnetkernspeicher mit gemeinsamer Schreib und Leseleitung | |
DE1513356C (de) | Digitale Programmsteuereinrichtung zur Vorgabe der Anderungsgeschwindigkeit und des Endwertes eines Sollwertes fur eine Temperaturregelung | |
DE1020688B (de) | Schaltungsanordnung fuer Codiereinrichtungen zur UEberpruefung auf das gleichzeitigeVorhandensein von ªÃ Bedingungen | |
DE4332900C1 (de) | Verfahren zum Betrieb einer Umschaltlogik für einen Umkehrstromrichter | |
DE1614586C (de) | Schaltung zur schrittweisen elektro magnetischen Positionierung des Elektronen Strahls auf dem Schirm einer Kathodenstrahl rohre | |
DE2744490C2 (de) | Bipolar-Halbleiterspeicher | |
DE19852037A1 (de) | Magnetbandgerät mit Treiberschaltung für Matrixkopf | |
DE1774884C (de) | Zeichen-Signalgenerator | |
DE3918775C2 (de) | ||
DE1113241B (de) | Elektronische Schwellwertanordnung |