DE10392992B4 - Versorgungs-/Erdungskonfiguration für impedanzarme integrierte Schaltung - Google Patents

Versorgungs-/Erdungskonfiguration für impedanzarme integrierte Schaltung Download PDF

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Abstract

Integrierte Schaltung, mit: – einem Substrat (12); – einem auf dem Substrat (12) angebrachten Chip (11); – einem ersten, auf dem Substrat (12) angebrachten und elektrisch mit dem Chip (11) verbundenen Versorgungsanschluß (14A; 34; 54), wobei der erste Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) einen Hauptteil (15; 35; 55) und einen ersten Vorsprung (16; 36; 56), der von dem Hauptteil (15; 35; 55) vorsteht, aufweist; und – einem ersten, auf dem Substrat (12) angebrachten und elektrisch mit dem Chip (11) verbundenen Erdungsanschluß (24A; 44; 64), wobei der erste Erdungsanschluß (24A; 44; 64) einen Hauptteil (25; 45; 65) und einen zweiten Vorsprung (26; 46; 66), der von dem Hauptteil (25; 45; 65) vorsteht, aufweist, wobei der zweite Vorsprung (26; 46; 66) an dem ersten Erdungsanschluß (24A; 44; 64) neben dem ersten Vorsprung (16; 36; 56) an dem ersten Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) liegt, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) und der erste Erdungsanschluß (24A; 44; 64) planar auf der Rückseite (13A) des Substrats (12) und der Chip (11) auf der Vorderseite (13B) des Substrats (12) angeordnet sind.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung, die zur Stromversorgung eines Chips einen impedanzarmen Strompfad aufweist, und insbesondere eine integrierte Schaltung mit einer ineinandergreifenden Versorgungs-/Erdungskonfiguration. Genauer gesagt betrifft die vorliegende Erfindung eine Schaltung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 und eine Schaltung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 11.
  • STAND DER TECHNIK
  • Die Strompfade in integrierten Schaltungen müssen dazu in der Lage sein, mit dem immer steigenden Strompegeln zurechtzukommen, welche benutzt werden, um Geräte wie etwa Prozessoren und anwendungsspezifische integrierte Schaltungen (ASICs) mit Energie zu speisen. Prozessoren benötigen mehr Leistung, um bei Frequenzen von mehreren Gigahertz zu arbeiten und gleichzeitig zahlreiche Logik- und Speicheroperationen auszuführen. Der Widerstand entlang den Strompfaden bei höheren Strompegeln erzeugt oftmals ausreichend Wärme, um den Prozessor zu beschädigen.
  • Höhere Ströme erzeugen zudem mehr Induktivität entlang den Strompfaden zum Prozessor. Die höhere Induktivität kann die Impedanz in den Strompfaden so weit steigern, daß die hohe Impedanz die an den Prozessor gesendeten Signale beeinträchtigt.
  • Der Prozessor wird üblicherweise über mehrere Stifte mit Strom versorgt. Ein Weg, mit den Problemen umzugehen, die durch die Versorgung mit hohen Strömen entstehen, besteht darin, weitere Stifte hinzuzufügen, da eine größere Anzahl von Stiften eine größere kumulative Querschnittsfläche aufweist, was zu einem niedrigeren Widerstand führt.
  • Zu den Nachteilen, die mit dem Hinzufügen von Stiften verbunden sind, zählen höhere Kosten sowie der Verbrauch kostbaren Platzes auf der integrierten Schaltung. Zudem haben Stifte, die hinzugefügt werden, möglicherweise im Vergleich zu dem Widerstand der Stifte in aktiveren Bereichen des Prozessors keinen wesentlich herabgesetzten Widerstand. Deswegen können die zusätzlichen Stifte den Strom durch bestimmte Bereiche der integrierten Schaltung möglicherweise nicht effektiv reduzieren.
  • Es besteht Bedarf an einer integrierten Schaltung, die einen impedanzarmen Strompfad aufweist, der parallel zu bestehenden Stiften verläuft, so daß ein Anteil des Stroms statt durch die Stifte durch den parallelen, impedanzarmen Pfad geleitet wird. Durch Reduktion der Strommenge in den Stiften verringert sich die Wärme, die von den Stiften während des Betriebs des Chips erzeugt wird.
  • Aus Druckschrift WO 98/15064 A1 ist ein Schlitzleiter-montierter Flip-Chip bekannt. Dabei ist der Flip-Chip in einem Verbindungsbereich auf einer Seite eines Substrat mit einer auf derselben Seite des Substrats angeordneten Leiter auf einem Bezugspotential sowie zwei auf gegenüberliegenden Seiten des Leiter auf einem Bezugspotential, beabstandet davon angeordneten Schlitzleitungen, jeweils bestehend aus zwei voneinander beabstandeten, sich in einem Verbindungsbereich erstreckenden Leitern, die einen Schlitz definieren, mittels von Höckern oder vergleichbarer Kontaktierungsgebilde verbunden. Für eine Impedanzanpassung kann ein weitere Leiter ausgebildet werden oder dies z. B. mittels einer Rückführschleife der Schlitzleitung vom Verbindungsbereich erfolgen.
  • Weiterhin ist aus Druckschrift DE 39 37 183 A1 eine Leiterplatte mit Multilayer-Technik, d. h. Leiterbahnen auf der Vorder- und Rückseite sowie zumindest einem eingebetteten, großflächigen, insbesondere vollflächigen Leiterbelag, wobei der Leiterbelag mit den entsprechenden durchkontaktiert sein kann, bekannt. Dabei können Entstörkapazitäten mittels Leiterbelägen gebildet sein.
  • Schließlich offenbart die US 6 274 925 B1 eine Schaltung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 und eine Schaltung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 11.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Unteransicht einer integrierten Schaltung, die eine ineinandergreifende Versorgungs-/Erdungskonfiguration aufweist.
  • 2 ist eine Seitenansicht der integrierten Schaltung, die in 1 abgebildet ist.
  • 3 ist eine Unteransicht, die eine weitere Form von Versorgungs- und Erdungsanschlüssen veranschaulicht, die in eine integrierte Schaltung eingebaut sind.
  • 4 ist eine Unteransicht ähnlich 3, die eine weitere Form von Versorgungs- und Erdungsanschlüssen veranschaulicht.
  • 5 ist ein Blockschaltbild eines elektronischen Systems, das mindestens eine integrierte Schaltung enthält, die eine ineinandergreifende Versorgungs-/Erdungskonfiguration aufweist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Die nachfolgende detaillierte Beschreibung nimmt Bezug auf die beigefügten Zeichnungen. In den einzelnen Zeichnungen beschreiben gleiche Bezugszahlen im Wesentlichen gleichartige Komponenten. Es können andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle, logische und elektrische Veränderungen vorgenommen werden. Die vorliegend beschriebene integrierte Schaltung kann in einer Vielzahl von Lagen und Ausrichtungen hergestellt, benutzt oder versandt werden.
  • Die integrierte Schaltung weist einen Chip (z. B. einen Prozessor) und einen impedanzarmen Strompfad zur Stromversorgung des Prozessors auf. Um einen niederohmigen Pfad für Gleichstrom zu schaffen, weist die integrierte Schaltung Versorgungs- und Erdungsanschlüsse mit vergleichsweise großen Querschnittsflächen auf. Um die bei der Wechselstromversorgung des Prozessors durch den Versorgungsanschluß auftretende Induktivität zu verringern, erhöht die Konfiguration der Versorgungs- und Erdungsanschlüsse die Kopplung zwischen den Versorgungs- und Erdungsströmen. Wenn die Versorgungs- und Erdungsanschlüsse in Kombination mit Stiften benutzt werden, bilden sie einen parallelen, impedanzarmen Pfad zur Stromversorgung aus, der den Stromfluß durch die Stifte reduziert, welche einen höheren Widerstand aufweisen.
  • 1 und 2 veranschaulichen eine integrierte Schaltung 10, die einen Chip 11 aufweist, der auf einem Substrat 12 befestigt ist. Die integrierte Schaltung 10 weist einen ersten Versorgungsanschluß 14A und einen ersten Erdungsanschluß 24A auf, die auf einer dem Chip 11 gegenüberliegenden Seite des Substrats 12 angeordnet sind. Der erste Erdungsanschluß 24A befindet sich zwischen dem ersten Versorgungsanschluß 14A und einem zweiten Versorgungsanschluß 14B. Der zweite Versorgungsanschluß 14B befindet sich zwischen dem ersten Erdungsanschluß 24A und einem zweiten Erdungsanschluß 24B. Der erste und der zweite Versorgungsanschluß 14A, 14B sowie der erste und der zweite Erdungsanschluß 24A, 24B sind entlang einer Kante 18 des Substrats 12 angeordnet.
  • Die integrierte Schaltung 10 weist weiterhin einen dritten Erdungsanschluß 24C auf, der von einem dritten Versorgungsanschluß 14C abgesetzt ist. Der dritte Versorgungsanschluß 14C befindet sich zwischen dem dritten Erdungsanschluß 24C und einem vierten Erdungsanschluß 24D. Der vierte Erdungsanschluß 24D befindet sich zwischen dem dritten Versorgungsanschluß 14C und einem vierten Versorgungsanschluß 14D. Der dritte und der vierte Versorgungsanschluß 14C, 14D sowie der dritte und der vierte Erdungsanschluß 24C, 24D sind entlang einer gegenüberliegenden Kante 19 des Substrats 12 angeordnet. Die Versorgungsanschlüsse 14A bis D und die Erdungsanschlüsse 24A bis D befinden sich alle auf einer Seite 13A des Substrats 12, und der Chip 11 ist auf einer entgegengesetzten Seite 13B des Substrats 12 angeordnet.
  • In anderen Ausführungsformen können die Versorgungs- und Masseanschlüsse (i) sich nur entlang einer Kante auf dem Substrat 12 erstrecken, (ii) sich entlang allen Kanten des Substrats 12 erstrecken, und (iii) nicht in der Nähe von irgendeiner Kante auf dem Substrat 12 angeordnet sein. Außerdem kann die Anzahl von Versorgungs- und Erdungsanschlüssen variieren, solange mindestens ein Versorgungsanschluß und ein Erdungsanschluß vorhanden sind.
  • Jeder Versorgungsanschluß 14A bis D weist einen Hauptteil 15 und über den Hauptteil 15 hervorstehende Erweiterungen bzw. Vorsprünge 16 auf. Jeder Erdungsanschluß 24A bis D weist einen Hauptteil 25 und über den Hauptteil 25 hervorstehende Erweiterungen bzw. Vorsprünge 26 auf. Die Vorsprünge 16 bei den einzelnen Versorgungsanschlüssen 14A bis D grenzen an mindestens einen Vorsprung 26 bei mindestens einem der Erdungsanschlüsse 24A bis D an. Außerdem grenzen die Vorsprünge 26 an jedem Erdungsanschluß 24A bis D an mindestens einen Vorsprung 16 an mindestens einem der Versorgungsanschlüsse 14A bis D an. In einem Ausführungsbeispiel grenzt jeder der Vorsprünge 16 auf den Versorgungsanschlüssen 14A bis D an mindestens einen Hauptteil 25 bei einem der Erdungsanschlüsse 24A bis D an, und jeder der Vorsprünge 26 an den Erdungsanschlüssen 24A bis D grenzt an mindestens einen Hauptteil 15 bei einem der Versorgungsanschlüsse 14A bis D an.
  • Es ist anzumerken, daß die Anordnung und die Anzahl der Erweiterungen auf den Versorgungs- und Erdungsanschlüssen in anderen Ausführungsformen variieren können. Allerdings neigen in Konfigurationen, bei denen aneinander angrenzende Versorgungs- und Erdungsanschlüsse einander in höherem Maße durchsetzen, die Induktivitäten, die durch den in entgegengesetzten Richtungen durch die Versorgungsanschlüsse und die Erdungsanschlüsse fließenden Strom hervorgerufen werden, dazu, einander aufzuheben. Da die Gestaltung der Anschlüsse tendenziell bewirkt, daß sich die Induktivitäten in den einzelnen Anschlüssen aufheben, bilden die Anschlüsse mit sich durchsetzenden Erweiterungen einen Strompfad aus, der eine niedrigere Impedanz aufweist.
  • 3 veranschaulicht eine Beispielkonfiguration für aneinander angrenzende Versorgungs- und Erdungsanschlüsse, die eine andere Anzahl von Vorsprüngen aufweist. Ein Versorgungsanschluß 34 grenzt an einen Erdungsanschluß 44 an. Der Versorgungsanschluß 34 weist einen Hauptteil 35 und einen über den Hauptteil 35 vorstehenden Vorsprung 36 auf. Der Erdungsanschluß 44 weist einen Hauptteil 45 und einen über den Hauptteil 45 vorstehenden Vorsprung 46 auf. Der Vorsprung 36 an dem Versorgungsanschluß 34 grenzt an den Vorsprung 46 an dem Erdungsanschluß 44 an. In einem Ausführungsbeispiel befindet sich der Vorsprung 36 an dem Versorgungsanschluß 34 in unmittelbarer Nähe zum Hauptteil 45 an dem Erdungsanschluß 44, und der Vorsprung 46 an dem Erdungsanschluß 44 befindet sich in unmittelbarer Nähe zum Hauptteil 35 an dem Versorgungsanschluß 34.
  • 4 veranschaulicht eine weitere Beispielkonfignuration für aneinander angrenzende Versorgungs- und Erdungsanschlüsse. Die Versorgungs- und Erdungsanschlüsse weisen Vorsprünge mit unterschiedlichen Geometrien auf. Ein Versorgungsanschluß 54 grenzt an einen Erdungsanschluß 64 an. Der Versorgungsanschluß 54 weist einen Hauptteil 55 und zwei über den Hauptteil 55 vorstehende Vorsprünge 56 auf. Der Erdungsanschluß 64 weist einen Hauptteil 65 und einen über den Hauptteil 65 vorstehende Vorsprung 66 auf. Der vorstehende Vorsprung 66 an dem Erdungsanschluß 64 steht zwischen die Vorsprünge 56 an dem Versorgungsanschluß 54.
  • 1 bis 4 veranschaulichen, daß in einigen Ausführungsformen die Versorgungs- und Erdungsanschlüsse ineinandergreifend ausgeführt sind. Der Begriff „Ineinandergreifend” wird hier in dem Sinne gebraucht, daß die Versorgungsanschlüsse einen Hauptteil sowie einen über den Hauptteil vorstehende Vorsprung aufweisen, und daß die Erdungsanschlüsse einen Hauptteil und einen über den Hauptteil vorstehenden Vorsprung aufweisen, dergestalt, daß die Vorsprünge an den Erdungsanschlüssen neben den Vorsprüngen an den Versorgungsanschlüssen liegen.
  • Es wird erneut auf 1 und 2 Bezug genommen. Die integrierte Schaltung 10 kann einen oder mehrere Stifte 27 aufweisen, die I/O-Signale an den Chip 11 liefern können. In einer alternativen Ausführungsform ist zur Stromversorgung des Chips 11 an einige oder alle der Stifte 27 eine Spannungsquelle 28 (siehe 2) angeschlossen. Die Stifte 27 sind optimalerweise direkt unterhalb des Chips 11 angeordnet, um den Abstand zwischen den Pins 27 und dem Chip 11 zu minimieren. Die Spannungsquelle 28 kann auch an die Versorgungsanschlüsse 14A bis D und die Erdungsanschlüsse 24A bis D angeschlossen sein. In Abhängigkeit von der Anzahl von Stiften 27 haben die Versorgungsanschlüsse 14A bis D und die Erdungsanschlüsse 24A bis D eine wesentlich größere kumulative Querschnittsfläche als die Stifte 27. Die größere Querschnittsfläche der Versorgungsanschlüsse 14A bis D und der Erdungsanschlüsse 24A bis D schafft einen zu dem Chip 11 führenden Strompfad, dessen Widerstand, insbesondere für Gleichstrom, niedriger ist als derjenige der Stifte 27. In einem Ausführungsbeispiel ist die Querschnittsfläche der Versorgungs- und Erdungsanschlüsse viel größer als die Querschnittsfläche der Stifte 27.
  • Dadurch, daß die Versorgungs- und Erdungsanschlüsse einander durchsetzen, verringert sich die Induktivität innerhalb der Anschlüsse, was die Wechselstromleitfähigkeit des die Anschlüsse umfassenden Strompfads verbessert. Der vergleichsweise geringe Widerstand und die vergleichsweise geringe Induktivität des Strompfads durch die Versorgungs- und Erdungsanschlüsse bilden einen parallelen, impedanzarmen Pfad zur Stromversorgung des Chips 11. Während des Betriebs der integrierten Schaltung 10 wird der meiste Strom durch den von den Versorgungs- und Erdungsanschlüssen 14A bis D, 24A bis D geschaffenen impedanzarmen Pfad geleitet.
  • Ein Chip wird typischerweise aus halbleitendem Material hergestellt, das nach der integrierten Verarbeitung von einem Wafer getrennt wurde. Wafer können aus halbleitenden oder nicht halbleitenden Materialien oder aus Kombinationen von halbleitenden und nicht halbleitenden Materialien hergestellt werden.
  • Die integrierte Schaltung 10 kann zur Verwendung mit einem beliebigen herkömmlichen Sockel angepaßt werden, um die integrierte Schaltung 10 mit einem weiteren Substrat oder einem anderen elektronischen Gerät, wie etwa einer Hauptplatine, zu verbinden. In einigen Ausführungsformen weist der Sockel Versorgungs- und Erdungsanschlüsse auf, die in ihrer Gestaltung den Versorgungs- und Erdungsanschlüssen auf der integrierten Schaltung 10 ähneln, um so gleichartige Vorteile in Form von niedriger Impedanz zu erzielen. Der Sockel wird ausgewählt, indem geeignete Komponenten auf der Basis des verfügbaren Raums und der speziellen elektrischen Situation bestimmt werden.
  • 5 ist ein Blockschaltbild eines elektronischen Systems 70, das mindestens eine elektronische Baugruppe wie die in 1 und 2 veranschaulichte integrierte Schaltung 10 enthält. Bei dem elektronischen System 70 kann es sich um ein Computersystem handeln, das zur elektrischen Kopplung der verschiedenen Komponenten des elektronischen Systems 70 einen Systembus 72 aufweist. Der Systembus 72 kann ein einzelner Bus oder eine beliebige Kombination von Bussen sein. Das elektronische System 70 kann eine Spannungsquelle 73 enthalten, welche die integrierte Schaltung 10 speist. In einigen Ausführungsformen versorgt die Spannungsquelle 73 die integrierte Schaltung 10 über den Bus 72 mit Strom.
  • Die integrierte Schaltung 10 ist elektrisch an den Systembus 72 gekoppelt und kann eine beliebige Schaltung oder beliebige Schaltungskombinationen enthalten. In einer Ausführungsform enthält die integrierte Schaltung 10 einen Prozessor 76, bei dem es sich um einen beliebigen Typ handeln kann. Der Begriff „Prozessor” wird hier in dem Sinn eines beliebigen Schaltungstyps gebraucht, wie zum Beispiel, jedoch nicht ausschließlich, eines Mikroprozessors, eines Mikrocontrollers, eines Graphikprozessors oder eines digitalen Signalprozessors.
  • Weitere Schaltungstypen, die in die integrierte Schaltung 10 aufgenommen werden können, sind eine kundenspezifische Schaltung oder eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung, wie etwa die Übertragungsschaltung 77 zur Verwendung in kabellosen Geräten, wie etwa in Mobiltelefonen, Pagern, tragbaren Computern, Funksprechgeräten und ähnlichen elektronischen Systemen.
  • Das elektronische System 70 kann zudem einen externen Speicher 80 enthalten, der wiederum ein oder mehrere, für die spezielle Anwendung geeignete Speicherelemente enthalten kann, wie etwa einen Hauptspeicher 82 in Form eines Speichers mit wahlfreiem Zugriff (RAM), eine oder mehrere Festplattenlaufwerke 84 und/oder ein oder mehrere Laufwerke, die Wechselmedien 86, wie etwa Disketten, Compact Discs (CDs) und Digital Video Discs (DVDs), handhaben.
  • Das elektronische System 70 kann zudem enthalten: ein Anzeigegerät 88, einen Lautsprecher 89 und ein Steuergerät 90, wie etwa eine Tastatur, eine Maus, einen Trackball, einen Spielecontroller, ein Mikrophon, ein Spracherkennungsgerät oder ein beliebiges anderes Gerät zur Eingabe von Informationen in das elektronische System 70.
  • Wie hier gezeigt, kann die integrierte Schaltung 10 in etlichen verschiedenen Ausführungsformen implementiert werden, darunter eine Elektronikeinheit, ein elektronisches System, ein Computersystem, ein oder mehrere Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung und ein oder mehrere Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Baugruppe, die die integrierte Schaltung enthält. Die Elemente, Materialien, Geometrien, Abmessungen und die Abfolge der Operationen können allesamt abgewandelt werden, um spezielle Erfordernisse betreffend die Unterbringung zu berücksichtigen.
  • 1 bis 5 sind lediglich veranschaulichend zu betrachten; sie sind nicht maßstabsgetreu gezeichnet. Einige Proportionen darin können unmaßstäblich vergrößert sein, insbesondere bezüglich der Versorgungs- und Erdungsanschlüsse, wohingegen andere verkleinert sein können.
  • Die obenstehend beschriebene integrierte Schaltung schafft eine Lösung für integrierte Schaltungen mit hohen Versorgungsströmen. Die ineinandergreifende Versorgungs/Massekonfiguration bietet Entwicklern zahlreiche Wahlfreiheiten bei der Entwicklung von integrierten Schaltungen, die einen Prozessor mit hoher Leistungsaufnahme enthalten. Viele andere Ausführungsformen sind dem Fachmann aus der obigen Beschreibung ersichtlich.

Claims (19)

  1. Integrierte Schaltung, mit: – einem Substrat (12); – einem auf dem Substrat (12) angebrachten Chip (11); – einem ersten, auf dem Substrat (12) angebrachten und elektrisch mit dem Chip (11) verbundenen Versorgungsanschluß (14A; 34; 54), wobei der erste Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) einen Hauptteil (15; 35; 55) und einen ersten Vorsprung (16; 36; 56), der von dem Hauptteil (15; 35; 55) vorsteht, aufweist; und – einem ersten, auf dem Substrat (12) angebrachten und elektrisch mit dem Chip (11) verbundenen Erdungsanschluß (24A; 44; 64), wobei der erste Erdungsanschluß (24A; 44; 64) einen Hauptteil (25; 45; 65) und einen zweiten Vorsprung (26; 46; 66), der von dem Hauptteil (25; 45; 65) vorsteht, aufweist, wobei der zweite Vorsprung (26; 46; 66) an dem ersten Erdungsanschluß (24A; 44; 64) neben dem ersten Vorsprung (16; 36; 56) an dem ersten Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) liegt, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Versorgungsanschluß (14A; 34; 54) und der erste Erdungsanschluß (24A; 44; 64) planar auf der Rückseite (13A) des Substrats (12) und der Chip (11) auf der Vorderseite (13B) des Substrats (12) angeordnet sind.
  2. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, weiterhin mit mindestens einem Eingabe/Ausgabe(I/O)-Stift (27), der elektrisch mit dem Chip (11) verbunden und auf dem Substrat (12) auf derselben Seite (13A) des Substrats (12) wie der erste Versorgungsanschluß (14A) und der erste Erdungsanschluß (24A) angebracht ist.
  3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 2, wobei der erste Versorgungsanschluß (14A) eine erste Querschnittsfläche aufweist und der mindestens eine Eingabe/Ausgabe(I/O)-Stift (27) eine zweite Querschnittsfläche aufweist, die kleiner als die erste Querschnittsfläche ist.
  4. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, weiterhin mit einem zweiten Versorgungsanschluß (14B), der einen Hauptteil (15) und einen dritten Vorsprung (16) aufweist, der vom Hauptteil (16) vorsteht, wobei der dritte Vorsprung (16) an dem zweiten Versorgungsanschluß (14B) neben einem vierten Vorsprung (26) liegt, der vom Hauptteil (25) des ersten Erdungsanschlusses (24A) vorsteht.
  5. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, weiterhin mit einem zweiten Erdungsanschluß (24B), der einen Hauptteil (25) und einen fünften Vorsprung (26) aufweist, der vom Hauptteil (25) vorsteht, wobei der fünfte Vorsprung (26) an dem zweiten Erdungsanschluß (24B) neben einem sechsten Vorsprung (16) liegt, der vom Hauptteil (15) des zweiten Versorgungsanschlusses (14B) vorsteht.
  6. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei der erste Vorsprung (16; 36) an dem ersten Versorgungsanschluß (14A; 34) neben dem Hauptteil (25; 45) des ersten Erdungsanschlusses (24A; 44) liegt.
  7. Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, wobei der zweite Vorsprung (26; 46) an dem ersten Erdungsanschluß (24A; 44) neben dem Hauptteil (15; 35) des ersten Versorgungsanschlusses (14A; 34) liegt.
  8. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, weiterhin mit einem zweiten Versorgungsanschluß (14B) und einem zweiten Erdungsanschluß (24B), wobei der zweite Versorgungsanschluß (14B) zwischen dem ersten und dem zweiten Erdungsanschluß (24A, 24B) und der erste Erdungsanschluß (24A) zwischen dem ersten und dem zweiten Versorgungsanschluß (14A, 14B) angeordnet ist.
  9. Integrierte Schaltung nach Anspruch 8, wobei der erste und der zweite Versorgungsanschluß (14A, 14B) und der erste und der zweite Erdungsanschluß (24A, 24B) entlang einer Kante (18) des Substrats (12) angeordnet sind.
  10. Integrierte Schaltung nach Anspruch 9, weiterhin mit einem dritten und einem vierten Versorgungsanschluß (14C, 14D) und einem dritten und einem vierten Erdungsanschluß (24C, 24D), die entlang einer gegenüberliegenden Kante (19) des Substrats (12) angeordnet sind, wobei der dritte Versorgungsanschluß (14C) zwischen dem dritten und dem vierten Erdungsanschluß (24C, 24D) und der vierte Erdungsanschluß (24D) zwischen dem dritten und dem vierten Versorgungsanschluß (14C, 14D) angeordnet sind.
  11. Integrierte Schaltung mit: – einem Substrat (12); – einen auf dem Substrat (12) angebrachten Chip (11); – einem ersten Versorgungsanschluß (14A), der auf dem Substrat (12) angebracht und elektrisch mit dem Chip (11) verbunden ist, wobei der erste Versorgungsanschluß (14A) einen Hauptteil (15) und einen ersten, vom Hauptteil (15) vorstehenden Vorsprung (16) aufweist, – einem ersten Erdungsanschluß (24A), der auf dem Substrat (12) angebracht und elektrisch mit dem Chip (11) verbunden ist, wobei der erste Erdungsanschluß (24A) einen Hauptteil (25) aufweist, der neben dem ersten Vorsprung (16) liegt, und zweite und dritte, vom Hauptteil (25) vorstehende Vorsprünge (26) aufweist, wobei der zweite Vorsprung (26) neben dem ersten Vorsprung (16) und dem Hauptteil (15) des ersten Versorgungsanschlusses (14A) liegt; – einem zweiten Versorgungsanschluß (14B) einschließlich eines Hauptteils (15) und vierter und fünfter Vorsprünge (16), die vom Hauptteil (15) vorstehen, wobei der vierte Vorsprung (16) neben dem dritten Vorsprung (26) und dem Hauptteil (25) des ersten Erdungsanschlusses (24A) liegt, wobei der erste Erdungsanschluß (24A) zwischen dem ersten und dem zweiten Versorgungsanschluß (14A, 14B) angeordnet ist; – einem zweiten Erdungsanschluß (24B) einschließlich eines sechsten Vorsprungs (26), wobei der sechste Vorsprung (26) neben dem fünften Vorsprung (16) und dem Hauptteil (15) des zweiten Versorgungsanschlusses (14B) liegt, wobei der zweite Versorgungsanschluß (14B) zwischen dem ersten und dem zweiten Erdungsanschluß (24A, 24B) liegt, dadurch gekennzeichnet, dass sich der erste und der zweite Versorgungsanschluß (14A, 14B) und der erste und der zweite Erdungsanschluß (24A, 24B) planar auf der Rückseite (13A) des Substrats (12) befinden und der Chip (11) auf der Vorderseite (13B) des Substrats (12) angeordnet ist.
  12. Integrierte Schaltung nach Anspruch 11, wobei der erste Versorgungsanschluß (14A) einen zusätzlichen Vorsprung (16) aufweist, der neben dem zweiten Vorsprung (26) und dem Hauptteil (26) des ersten Erdungsanschlusses (24A) liegt.
  13. Integrierte Schaltung nach Anspruch 12, wobei der erste Erdungsanschluß (24A) einen zusätzlichen Vorsprung (26), der neben dem ersten Vorsprung (16) und dem Hauptteil (15) des ersten Versorgungsanschlusses (14A) liegt, und einen anderen zusätzlichen Vorsprung (26) aufweist, der neben dem vierten Vorsprung (16) und dem Hauptteil (15) des zweiten Versorgungsanschlusses (14B) liegt.
  14. Integrierte Schaltung nach Anspruch 13, wobei der zweite Versorgungsanschluß (14B) einen zusätzlichen Vorsprung (16), der neben dem dritten Vorsprung (26) und dem Hauptteil (25) des ersten Erdungsanschlusses (24A) liegt, und einen anderen zusätzlichen Vorsprung (16) aufweist, der neben dem sechsten (26) Vorsprung und dem Hauptteil (25) des zweiten Erdungsanschlusses (24B) liegt.
  15. Integrierte Schaltung nach Anspruch 14, wobei der zweite Erdungsanschluß (24B) einen zusätzlichen Vorsprung (26) aufweist, der neben dem fünften Vorsprung (16) und dem Hauptteil (15) des zweiten Versorgungsanschlusses (14B) liegt.
  16. Integrierte Schaltung nach Anspruch 11, weiterhin mit mindestens einem Eingabe/Ausgabe(I/O)-Stift (27), der elektrisch mit dem Chip (11) verbunden und auf dem Substrat (12) auf derselben Seite (13A) des Substrats (12) wie der erste und der zweite Versorgungsanschluß (14A, 14B) und der erste und der zweite Erdungsanschluß (24A, 24B) angebracht ist.
  17. Integrierte Schaltung nach Anspruch 11, wobei sich der erste und der zweite Versorgungsanschluß (14A, 14B) und der erste und der zweite Erdungsanschluß (24A, 24B) entlang einer Kante (18) des Substrats (12) befinden.
  18. Integrierte Schaltung nach Anspruch 17, weiterhin mit dritten und vierten Versorgungsanschlüssen (14C, 14D) und dritten und vierten Erdungsanschlüssen (24C, 24D), die entlang einer gegenüberliegenden Kante (19) des Substrats (12) angeordnet sind, wobei der dritte Versorgungsanschluß (14C) zwischen dem dritten und dem vierten Erdungsanschluß (24C, 24D) und der vierte Erdungsanschluß (24D) zwischen dem dritten und dem vierten Versorgungsanschluß (14C, 14D) angeordnet sind.
  19. Integrierte Schaltung nach Anspruch 18, weiterhin mit mindestens einem Eingabe/Ausgabe(I/O)-Stift (27), der elektrisch mit dem Chip (11) verbunden und auf dem Substrat (12) auf derselben Seite (13A) des Substrats (12) wie die Versorgungsanschlüsse (14A bis 14D) und die Erdungsanschlüsse (24A bis 24D) angebracht ist, wobei der mindestens eine Eingabe/Ausgabe(I/O)-Stift (27) zwischen den ersten und den zweiten Versorgungs- und Erdungsanschlüssen (14A, 14B, 24A, 24B) und den dritten und den vierten Versorgungs- und Erdungsanschlüssen (14C, 14D, 24C, 24D) angeordnet ist.
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