DE10321494A1 - Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) mit einer Oberflächenstruktur einer Hauptoberfläche (HF), welche erste Oberflächenbereiche (B1; b1'; B1'') aufweist, die in einer Ebene senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche (HF) verlaufen, und welche zweite Oberflächenbereiche (B2; B2'; B2'') aufweist, die nicht in der Ebene senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche (HF) verlaufen; Durchführen einer Ionenimplantation (I; I'; I'') in einer Richtung senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche (HF), wobei die ersten Oberflächenbereiche (B1; B1'; B1'') nicht implantiert werden und die zweiten Oberflächenbereiche (B2; B2'; B2'') implantiert werden und wobei die Ionen derart gewählt werden, dass die Ätzrate der zweiten Oberflächenbereiche (B2; B2'; B2'') gegenüber der Ätzrate der ersten Oberflächenbereiche (B1; B1'; B1'') hinischtlich eines vorbestimmten Nassätzmediums durch die implantierten Ionen erhöht wird; und Durchführen einer Nassätzung unter Verwendung des vorbestimmten Nassätzmediums zum selektiven Nassätzen der zweiten Oberflächenbereiche (B2; B2'; B2'') gegenüber den ersten Oberflächenbereichen (B1; B1'; B1'').

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur.
  • Obwohl prinzipiell auf beliebige integrierte Schaltungen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf integrierte Speicherschaltungen in Silizium-Technologie erläutert. Bei Oberflächenstrukturen von integrierten Speicherschaltungen in Silizium-Technologie treten oft hohe Aspektverhältnisse auf, insbesondere bei Speicherschaltungen mit sogenannten Grabenkondensatoren. Bei der Herstellung solcher Oberflächenstrukturen stellt sich oft das Problem, eine darüber abgeschiedene Schicht einerseits selektiv und andererseits Profiltiefen-unabhängig zu ätzen. Bei üblichen Nassätzprozessen kommt es häufig vor, dass die Ätzrate an der Oberseite der Oberflächenstruktur wesentlich höher ist als an der Unterseite der Oberflächenstruktur. Weiterhin sind die Selektivitäten oft sehr begrenzt.
  • Somit haben die bekannten Herstellungsverfahren für Halbleiterstrukturen mit hohem Aspektverhältnis, bei denen derartige Nassätzverfahren angewendet werden, oft ein sehr kleines Prozessfenster.
    •
  • Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur zu schaffen, welches ein besser einstellbares Prozessfenster als die bekannten Verfahren aufweist.
  • Erfindungsgemäß wird dieses Problem durch das in Anspruch 1 angegebene Herstellungsverfahren gelöst.
  • Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens liegen insbesondere darin, dass das Prozessfenster durch die Implantation wesentlich besser einstellbar ist.
  • In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des in Anspruch 1 angegebenen Herstellungsverfahrens.
  • Gemäss einer bevorzugten Weiterbildung umfasst die Oberflächenstruktur einen mit einem Kondensatordielektrikum und teilweise mit einer leitenden Füllung gefüllten Graben, eine Hartmaske zur Herstellung des Grabens und eine darüber abgeschiedene Isolationsschicht für einen Isolationskragen im oberen Grabenbereich, wobei die ersten Bereiche durch die auf der Hartmaske und am Boden des Grabens befindliche Isolationsschicht und die zweiten Bereiche durch die an den Wänden des Grabens befindliche Isolationsschicht gebildet werden.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die zweiten Bereiche durch das selektive Nassätzen vollständig entfernt werden, wobei das Nassätzen ebenfalls selektiv bezüglich der Hartmaske und der leitenden Füllung ist.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird beim Durchführen der Ionenimplantation ein Oberflächenbereich der leitenden Füllung ebenfalls implantiert.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung umfasst die Oberflächenstruktur ein Gatedielektrikum und darauf befindliche Gatestapel, wobei die ersten Bereiche durch eine auf dem Gatedielektrikum und auf der Oberseite der Gatestapel befindliche Isolationsschicht und die zweiten Bereiche durch die an den Wänden der Gatestapel befindliche Isolationsschicht gebildet werden.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die zweiten Bereiche durch das selektive Nassätzen vollständig entfernt, wobei das Nassätzen ebenfalls selektiv bezüglich des Gatedielektrikums ist.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung umfasst die Oberflächenstruktur eine Linerschicht und eine darauf angeordnete Isolationsschicht mit bis zur Linerschicht reichenden Durchgangslöchern, wobei die ersten Bereiche durch die Isolationsschicht an den Wänden der Durchgangslöcher und die zweiten Bereiche durch die Linerschicht an den Böden der Durchgangslöcher gebildet werden.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Oberflächenstruktur dritte Oberflächenbereiche auf, die nicht in der Ebene senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche verlaufen und die dritten Bereiche durch die Isolationsschicht an der Oberseite der Oberflächenstruktur gebildet werden, die beim Durchführen der Ionenimplantation ebenfalls implantiert werden, wobei die Ätzrate der dritten Oberflächenbereiche gegenüber der Ätzrate der ersten Oberflächenbereiche hinsichtlich des vorbestimmten Nassätzmediums durch die implantierten Ionen weniger stark erhöht wird als die Ätzrate der zweiten Oberflächenbereiche.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung werden die zweiten Bereiche durch das selektive Nassätzen vollständig entfernt, wobei das Nassätzen ebenfalls selektiv bezüglich des Halbleitersubstrats ist.
  • Gemäss einer weiteren bevorzugten Weiterbildung weist die Oberflächenstruktur der Hauptoberfläche Übergangs-Oberflächenbereiche auf, die in einer Ebene senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche in einem Übergangsbereich zwischen den ersten und zweiten Bereichen liegen und beim Durchführen einer Ionenimplantation ebenfalls implantiert werden, so dass ihre Ätzrate ebenfalls erhöht wird.
    •
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • 1a, b zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterstruktur als erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2a, b zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterstruktur als zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 3a, b zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterstruktur als dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.
  • 1a, b zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterstruktur als erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In 1a bezeichnet Bezugszeichen 1 eine Silizium-Halbleitersubstrat mit einer Hauptoberfläche HF, in dem mittels einer Hartmaske 5, welche typischerweise aus Siliziumnitrid besteht, ein Graben 3 vorgesehen worden ist. Der Graben 3 ist mit einem dünnen Kondensator-Dielektrikum 11 auf seinen Wänden versehen und teilweise mit einer leitenden Füllung 10 aus Polysilizium gefüllt. Nach Abscheiden, Planarisieren und Rückätzen der leitenden Füllung 10 aus Polysilizium wird über dieser Halbleiterstruktur eine Isolationsschicht 8 aus Sili ziumoxid für einen späteren Isolationskragen im oberen Grabenbereich ganzflächig abgeschieden.
  • Nach dem ganzflächigen Abscheiden der Isolationsschicht 8 erfolgt eine Implantation I von Arsen-Ionen (es sind auch Phosphor, Bor und N denkbar, wobei N hinterher elektrisch inaktiv wäre, AS, P, B wären an der Si Grenzschicht aktiv), wobei die Implantationsrichtung senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche HF verläuft.
  • Unbeeinflusst von dieser Implantation I bleiben Oberflächenbereiche B1 der Isolationsschicht 8 aus Siliziumoxid, welche sich entlang der Wände des Grabens 3 erstrecken.
  • Im Gegensatz dazu werden Oberflächenbereiche B2, welche sich oberhalb der Hartmaske 5 an der Oberfläche der Struktur befinden, sowie Oberflächenbereiche B2, welche am Boden der Grabenöffnung nicht senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche HF verlaufen, sowie Übergangsbereiche UB an den oberen Ecken der Grabenöffnung implantiert.
  • Die von der Implantation I betroffenen Oberflächenbereiche B2 sind in 1a mit dem Bezugszeichen 8' gekennzeichnet. Die Ionen werden dabei derart gewählt, dass die Ätzrate der Oberflächenbereiche B2 gegenüber der Ätzrate der ersten Oberflächenbereiche B1 hinsichtlich des Nassätzmediums DHF (diluted HF bevorzugt 200 : 1) durch die implantierten Ionen erhöht wird. Typische Werte für die Selektivität, welche mittels der Implantation I erreicht werden können, sind 10 : 1, dass heißt eine zehnfache Ätzrate der implantierten Oberflächenbereiche B2 gegenüber den nicht implantierten Oberflächenbereichen B1.
  • Insbesondere wird auch die Eindringtiefe der Implantation I derart gewählt, dass ein Oberflächenbereich 10' der leitenden Füllung 10 aus Polysilizium ebenfalls implantiert wird, um dort spätere Grenzflächeneigenschaften für einen späteren vergrabenen Anschluss des Grabenkondensators einzustellen.
  • Mit Bezug auf 1b erfolgt dann eine selektive Nassätzung der Oberflächenbereiche B2 gegenüber den Oberflächenbereichen B1, wobei die Oberflächenbereiche B2 vollständig entfernt werden und wobei kaum ein Abtrag der nicht implantierten Oberflächenbereiche B1 Siliziumoxids an den Seitenwänden des Grabens 3 stattfindet, mit dem Nassätzmedium DHF. Insbesondere erfolgt die nasschemische Nassätzung ebenfalls selektiv zur Hartmaske 5 und zur leitenden Füllung 10 beziehungsweise dessen Oberflächenbereich 10', so dass sie dort jeweils stoppt.
  • Wie in 1b dargestellt, ist somit der Isolationskragen im oberen Grabenbereich, welcher aus der Isolationsschicht 8 aus Siliziumoxid besteht, fertiggestellt. Am Grabenboden liegt der implantierte Oberflächenbereich 10' der leitenden Füllung 10 vor.
  • Die weiteren Prozessschritte zur Fertigstellung des Grabenkondensators beziehungsweise der betreffenden integrierten Speichervorrichtung sind im Stand der Technik bekannt und werden hier nicht näher erläutert.
  • 2a, b zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterstruktur als zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Gemäss 2a ist auf einem Silizium-Halbleitersubstrat 1 ein Gate-Dielektrikum 15 in Form eines Gate-Oxids vorgesehen. Weiterhin vorgesehen auf der Hauptoberfläche HF des Halbleitersubstrats 1 ist ein Gate-Stapel 10, 20, 30, 40, 50, welche die nachstehend erläuterten Komponenten aufweist. Die Komponente 10 ist ein leitender Polysiliziumbereich, die Komponente 20 ist ein Metall-Silizidbereich, die Komponente 30 ist eine Siliziumnitridkappe, und die Komponente 40 ist ein Seitenwandoxid an den Komponenten 10, 20.
  • Im in 2a gezeigten Prozessstadium ist zur Herstellung von Seitenwandspacern eine Spacerschicht 50 aus Siliziumnitrid über dieser Struktur ganzflächig abgeschieden worden.
  • Nach dieser Abscheidung erfolgt eine ganzflächige Implantation I' im wesentlichen senkrecht zur Hauptoberfläche HF des Halbleitersubstrats 1 mit N (Stickstoff)-Ionen.
  • Dabei werden die Oberflächenbereiche B1' der Siliziumnitrid-Spacerschicht 50 nicht implantiert, da sie parallel zur Implantationsrichtung beziehungsweise senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche HF liegen.
  • Implantiert werden lediglich die Oberflächenbereiche B2' oberhalb der Hauptoberfläche HF des Halbleitersubstrats 1 beziehungsweise Oberflächenbereiche B2' oberhalb der Kappe 30 aus Siliziumnitrid beziehungsweise die Übergangsbereiche UB' an den oberen Ecken der Kappe 30 aus Siliziumnitrid, wobei modifizierte Schichten 50' bzw. 30' gebildet werden.
  • Wie beim ersten Ausführungsbeispiel bewirkt die Implantation mit den N+–Ionen, dass die Ätzrate der implantierten Oberflächenbereiche B2' wesentlich gegenüber der Ätzrate der nicht implantierten Oberflächenbereiche B1' für das Nassätzmedium Phosphorsäure erhöht wird.
  • In einem darauffolgenden Nassätzprozess mit Phospohorsäure werden dann die implantierten Oberflächenbereiche B2' selektiv gegenüber den nicht implantierten Oberflächenbereichen B1' und selektiv gegenüber dem Gate-Dielektrikum 15 entfernt, was zum in 2b gezeigten Prozesszustand führt.
  • Die weiteren Herstellungsschritte zur Erzeugung von Ausfalltransistoren führt die betreffende Halbleiterspeicherschaltung sind im Stand der Technik wohl bekannt und werden hier nicht näher erläutert werden.
  • Durch die Möglichkeit des Stoppens dieser Nassätzung auf minimalen Gate-Dielektrikumsdicken ist es möglich, eine extrem hohe Uniformität des restlichen Gate-Dielektrikums zu erzielen, und zwar sowohl von Wafer zu Wafer als auch innerhalb eines einzelnen Wafers. Auch die Verrundung an der Schulter an den Übergangsbereichen UB' lässt sich sehr gering halten.
  • 3a, b zeigen schematische Darstellungen aufeinanderfolgender Verfahrensstadien eines Herstellungsverfahrens einer Halbleiterstruktur als dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Mit Bezug auf 3a ist auf einer Hauptoberfläche HF des Silizium-Halbleitersubstrats 1 eine Linerschicht 17 aus Siliziumoxinitrid abgeschieden worden. Oberhalb der Linerschicht 17 vorgesehen ist eine dicke Isolationsschicht 25 aus Siliziumoxid, beispielsweise ein TEOS-Oxid. Durch einen üblichen Kontaktlochprozess sind in der Isolationsschicht 25 Durchgangslöcher K vorgesehen, welche bis hinunter zur Linerschicht 17 verlaufen.
  • In diesem Prozesszustand folgt eine Implantation I'' von N+–Ionen, deren Richtung im wesentlichen senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche HF verläuft.
  • Bei dieser Implantation werde die Oberflächenbereiche B1'' an den Wänden der Durchgangslöcher K nicht implantiert, da sie parallel zur Richtung der Implantation I'' liegen.
  • Implantiert hingegen werden die freiliegenden Oberflächenbereiche B2'' an den Böden der Durchgangslöcher K der Linerschicht 17 sowie die Oberflächenbereiche B3'' der Isolationsschicht 25 an der Oberseite der Struktur und die Übergangsbereiche UB'' an den oberen Öffnungen der Durchgangslöcher K.
  • Wie bei den anderen Ausführungsbeispielen erhöht die Implantation I'' mit den N+–Ionen die Ätzrate der implantierten Bereiche 17' der Linerschicht 17 für das Nassätzmedium Phosphorsäure erheblich, dass heißt um einen Faktor 10, während die Ätzrate der implantierten Oberflächenbereiche B3'' nur wesentlich weniger stark erhöht wird, beispielsweise um einen Faktor 2. Unverändert bleibt die Ätzrate der nicht implantierten Oberflächenbereiche B1''.
  • In einem darauffolgenden Nassätzprozess mit dem Nassätzmedium Phosphorsäure ist es somit möglich, die Linerschicht 17 vollständig in den implantierten Bereichen 17' zu entfernen , wobei nur ein geringerer Teil der Isolationsschicht 25 entfernt wird und Reste der Oberflächenbereiche B3'' an der Oberseite stehen bleiben.
  • Auch bei dieser Ausführungsform ist die Nassätzung selektiv zum Silizium-Halbleitersubstrat 1, so dass die Nassätzung unmittelbar nach dem Durchbrechen der Linerschicht 17 stoppt.
  • Besonders vorteilhaft bei dieser Ausführungsform ist es, dass sich die Linerschicht 17 öffnen lässt, ohne das darunter liegende Halbleitersubstrat 1 zu schädigen, wie das zum Beispiel im Falle einer Plasmaätzung geschehen würde. Es erfolgt kein direkter Substratbeschuss bei der Kontaktlochimplantation, wobei letztere mit einer Strukturierungsimplantation kombinierbar ist. Weiterhin erfolgt kein Channeling, da die Linerschicht 17 als Streumedium fungiert.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.
  • Insbesondere ist die Auswahl der Schichtmaterialien, Ionen und Nassätzmedien nur beispielhaft und kann in vielerlei Art variiert werden.
    • 1
    Silizium-Halbleitersubstrat
    5
    Hartmaske
    3
    Graben
    8
    Siliziumoxid-Isolationskragenschicht
    B1, B1', B1''
    erste Bereiche
    B2, B2', B2''
    zweite Bereiche
    B3, B3', B3''
    dritte Bereiche
    UB, UB', UB''
    Überhangsbereiche
    8'
    implantierte Bereiche von 8
    I, I', I''
    Implantationen
    HF
    Hauptoberfläche
    10
    leitende Schicht aus Polysilizium
    11
    Kondensator-Dielektrikum
    10'
    implantierter Oberflächenbereich von 10
    100
    Polysiliziumbereich
    200
    Metallsilizidbereich
    300
    Siliziumnitridkappe
    40
    Seitenwandoxid
    50
    Seitenwandspacer-Siliziumnitridschicht
    50'
    implantierter Bereich von 50
    15
    Gate-Dielektrikum
    17
    Linerschicht
    17'
    implantierter Bereich von 17
    25
    Isolationsschicht aus Siliziumoxid
    K
    Kontaktloch

Claims (10)

  1. Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) mit einer Oberflächenstruktur einer Hauptoberfläche (HF), welche erste Oberflächenbereiche (B1; B1'; B1'') aufweist, die in einer Ebene senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche (HF) verlaufen, und welche zweite Oberflächenbereiche (B2; B2'; B2'') aufweist, die nicht in der Ebene senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche (HF) verlaufen; Durchführen einer Ionenimplantation (I; I'; I'') in einer Richtung senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche (HF), wobei die ersten Oberflächenbereiche (B1; B1'; B1'') nicht implantiert werden und die zweiten Oberflächenbereiche (B2; B2'; B2'') implantiert werden und wobei die Ionen derart gewählt werden dass die Ätzrate der zweiten Oberflächenbereiche (B2; B2'; B2'') gegenüber der Ätzrate der ersten Oberflächenbereiche (B1; B1'; B1'') hinsichtlich eines vorbestimmten Nassätzmediums durch die implantierten Ionen erhöht wird; und Durchführen einer Nassätzung unter Verwendung des vorbestimmten Nassätzmediums zum selektiven Nassätzen der zweiten Oberflächenbereiche (B2; B2'; B2'') gegenüber den ersten Oberflächenbereichen (B1; B1'; B1'').
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenstruktur einen mit einem Kondensatordielektrikum (11) und teilweise mit einer leitenden Füllung (10) gefüllten Graben (3), eine Hartmaske (5) zur Herstellung des Grabens (3) und eine darüber abgeschiedene Isolationsschicht (8) für einen Isolationskragen im oberen Grabenbereich aufweist und die ersten Bereiche (B1) durch die auf der Hartmaske (5) und am Boden des Grabens (3) befindliche Isolations schicht (8) und die zweiten Bereiche (B2) durch die an den Wänden des Grabens (3) befindliche Isolationsschicht (8) gebildet werden.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Bereiche (B2) durch das selektive Nassätzen vollständig entfernt werden und das Nassätzen ebenfalls selektiv bezüglich der Hartmaske (5) und der leitenden Füllung (10) ist.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass beim Durchführen der Ionenimplantation (I) ein Oberflächenbereich (10') der leitenden Füllung (10) ebenfalls implantiert wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenstruktur ein Gatedielektrikum (15) und darauf befindliche Gatestapel (10, 20, 30, 40, 50) aufweist und die ersten Bereiche (B1') durch eine auf dem Gatedielektrikum (15) und auf der Oberseite der Gatestapel (10, 20, 30, 40, 50) befindliche Isolationsschicht (30, 50) und die zweiten Bereiche (B2') durch die an den Wänden der Gatestapel (10, 20, 30, 40, 50) befindliche Isolationsschicht (50) gebildet werden.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Bereiche (B2') durch das selektive Nassätzen vollständig entfernt werden und das Nassätzen ebenfalls selektiv bezüglich des Gatedielektrikums (15) ist.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenstruktur eine Linerschicht (17) und eine darauf angeordnete Isolationsschicht (25) mit bis zur Linerschicht (17) reichenden Durchgangslöchern (K) aufweist und die ersten Bereiche (B1'') durch die Isolationsschicht (25) an den Wänden der Durchgangslöcher (K) und die zweiten Bereiche (B2 ") durch die Linerschicht (17) an den Böden der Durchgangslöcher (K) gebildet werden.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenstruktur dritte Oberflächenbereiche (B3'') aufweist, die nicht in der Ebene senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche (HF) verlaufen und die dritten Bereiche (B3'') durch die Isolationsschicht (25) an der Oberseite der Oberflächenstruktur gebildet werden, die beim Durchführen der Ionenimplantation (I'') ebenfalls implantiert werden, wobei die Ätzrate der dritten Oberflächenbereiche (B3'') gegenüber der Ätzrate der ersten Oberflächenbereiche (B1'') hinsichtlich des vorbestimmten Nassätzmediums durch die implantierten Ionen weniger stark erhöht wird als die Ätzrate der zweiten Oberflächenbereiche (B2'').
  9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Bereiche (B2'') durch das selektive Nassätzen vollständig entfernt werden und das Nassätzen ebenfalls selektiv bezüglich des Halbleitersubstrats (1) ist.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenstruktur der Hauptoberfläche (HF) Übergangs-Oberflächenbereiche (UB; UB'; UB'') aufweist, die in einer Ebene senkrecht zur Ebene der Hauptoberfläche (HF) in einem Übergangsbereich zwischen den ersten und zweiten Bereichen liegen und beim Durchführen einer Ionenimplantation (I; I'; I'') ebenfalls implantiert werden, so dass ihre Ätzrate ebenfalls erhöht wird.
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