DE1031428B - Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern und Anordnung fuer die Durchfuehrung dieses Verfahrens - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern und Anordnung fuer die Durchfuehrung dieses Verfahrens

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DE1031428B
DE1031428B DES44242A DES0044242A DE1031428B DE 1031428 B DE1031428 B DE 1031428B DE S44242 A DES44242 A DE S44242A DE S0044242 A DES0044242 A DE S0044242A DE 1031428 B DE1031428 B DE 1031428B
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Georg Hoppe
Rudolf Hahmann
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2121603A (en) * 1936-05-30 1938-06-21 Westinghouse Electric & Mfg Co Method of producing selenium rectifiers
US2193598A (en) * 1936-09-05 1940-03-12 Westinghouse Electric & Mfg Co Method of producing selenium rectifiers
DE724888C (de) * 1936-05-30 1942-09-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern
CH239449A (de) * 1941-07-24 1945-10-15 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Selensperrschichtzelle.
DE820318C (de) * 1948-10-02 1951-11-08 Siemens & Halske A G Selenkoerper, insbesondere fuer Trockengleichrichter, Fotoelemente und lichtempfindliche Widerstandszellen

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2121603A (en) * 1936-05-30 1938-06-21 Westinghouse Electric & Mfg Co Method of producing selenium rectifiers
DE724888C (de) * 1936-05-30 1942-09-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern
US2193598A (en) * 1936-09-05 1940-03-12 Westinghouse Electric & Mfg Co Method of producing selenium rectifiers
CH239449A (de) * 1941-07-24 1945-10-15 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer Selensperrschichtzelle.
DE820318C (de) * 1948-10-02 1951-11-08 Siemens & Halske A G Selenkoerper, insbesondere fuer Trockengleichrichter, Fotoelemente und lichtempfindliche Widerstandszellen

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