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Die Erfindung betrifft ein Test-Gerät, ein Test-System,
und ein Test-Verfahren, insbesondere ein Verfahren zum Testen der
Kontaktierung zwischen einem Halbleiter-Bauelement und einem Carrier.
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Halbleiter-Bauelemente, z.B. entsprechende,
integrierte (analoge bzw. digitale) Rechenschaltkreise, Halbleiter-Speicherbauelemente
wie z.B. Funktionsspeicher-Bauelemente (PLAs, PALs, etc.) und Tabellenspeicher-Bauelemente
(z.B. ROMs oder RAMs, insbesondere SRAMs und DRAMs), etc. werden
im Verlauf des Herstellprozesses umfangreichen Tests unterzogen.
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Zur gemeinsamen Herstellung von jeweils
einer Vielzahl von (i.A. identischen) Halbleiter-Bauelementen wird
jeweils ein sog. Wafer (d.h. eine dünne, aus einkristallinem Silizium
bestehende Scheibe) verwendet.
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Der Wafer wird entsprechend bearbeitet (z.B.
einer Vielzahl von Beschichtungs-, Belichtungs-, Ätz-, Diffusions-,
und Implantations-Prozess-Schritten, etc. unterzogen), und daraufhin
z.B. zersägt
(oder z.B. geritzt, und gebrochen), so dass dann die einzelnen Bauelemente
zur Verfügung
stehen.
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Bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen
(z.B. von DRAMs (Dynamic Random Access Memories bzw. dynamische
Schreib-Lese-Speicher), insbesondere von DDR-DRAMs (Double Data
Rate – DRAMs
bzw. DRAMs mit doppelter Datenrate)) können – nachdem am Wafer die entsprechenden,
o.g. Bearbeitungsschritte durchgeführt wurden – an einer Test-Station mit Hilfe
eines Testgeräts
die (noch auf dem Wafer befindlichen) Bauelemente entsprechenden
Testverfahren unterzogen werden.
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Nach dem Zersägen des Wafers werden die – dann einzeln
zur Verfügung
stehenden – Bauelemente
an einer Carrier-Belade-Station
jeweils einzeln in sog. Carrier (d.h. eine entsprechende Umverpackung)
geladen (i.A. auf vollautomatisierte Weise mit Hilfe entsprechender
Belade-/Entlade-Maschinen bzw.
-Apparaten).
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Nach dem Beladen eines Carriers mit
einem entsprechenden Bauelement wird der jeweilige Carrier zusammen
mit weiteren, jeweils mit einem entsprechenden Bauelement beladenen
Carriers auf ein Transportmittel, z.B. einen sog. „tray" gelegt, und mit Hilfe
des Transportmittels dann – wiederum
auf vollautomatisierte Weise – zu
einer weiteren Test-Station weitertransportiert.
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Dort werden (vollautomatisch, z.B.
mit Hilfe einer weiteren Belade-/Entlade-Maschine) jeweils einzelne
Carriers in einen entsprechenden – mit einem (weiteren) Testgerät verbundenen – Adapter bzw.
Sockel eingesteckt, und dann das in dem jeweiligen Carrier befindliche
Bauelement entsprechenden (weiteren) Testverfahren unterzogen.
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Das o.g. Beladen des Carriers mit
einem entsprechenden Bauelement an der Carrier-Belade-Station muß mit sehr
hoher Genauigkeit erfolgen (insbesondere mit einer im μm-Bereich
liegenden Genauigkeit). Ansonsten ist nicht gewährleistet, dass die – z.T. nur
geringe Abmessungen aufweisenden – Pads des Bauelements die
entsprechenden Anschlüsse des
Carriers sicher kontaktieren.
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Eine entsprechend fehlerhafte Kontaktierung zwischen
dem Carrier und dem jeweiligen Halbleiter-Bauelement wird – bei der
oben erläuterten
Vorgehensweise – erst
an der o.g. (weiteren) Test-Station festgestellt (d.h. erst nach
dem Weitertransport des Carriers von der Carrier-Beladestation zur
(weiteren) Test-Station, bzw. beim Durchführen des o.g. (weiteren) Testverfahrens).
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Nicht festgestellt werden kann dann
allerdings, ob eine beim (weiteren) Testverfahren ermittelte Fehlfunktion
auf eine Miskontaktierung zwischen Carrier und Bauelement zurückzuführen ist,
oder auf eine Miskontaktierung zwischen Carrier und Adapter bzw.
Sockel, oder auf eine – tatsächliche – Fehlfunktion
des Bauelements.
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Die Erfindung hat zur Aufgabe, ein
neuartiges Test-Gerät,
ein neuartiges Test-System, und ein neuartiges Test-Verfahren, insbesondere
zum Testen der Kontaktierung zwischen einem Halbleiter-Bauelement
und einem Carrier zur Verfügung
zu stellen.
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Sie erreicht dieses und weitere Ziele
durch die Gegenstände
der Ansprüche
1, 12 und 14.
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Vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung sind in den Unteransprüchen
angegeben.
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Gemäß einem Grundgedanken der Erfindung
wird ein Test-Verfahren,
insbesondere zum Testen der Kontaktierung zwischen einem Halbleiter-Bauelement
und einem Carrier zur Verfügung
gestellt, wobei das Verfahren den Schritt umfaßt: Beladen eines Carriers
mit einem Halbleiter-Bauelement, dadurch gekennzeichnet, dass unmittelbar
nach dem Beladen des Carriers mit dem Halbleiter-Bauelement die
Kontaktierung zwischen dem Carrier, und dem Halbleiter-Bauelement
getestet wird.
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Vorteilhaft weist das Test-Verfahren
zusätzlich
den folgenden Schritt auf: Anschließen des Carriers an ein Testgerät.
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Bevorzugt wird die Kontaktierung
zwischen dem Carrier, und dem Halbleiter-Bauelement dann mit Hilfe
des an den Carrier angeschlossenen Testgeräts getestet.
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Besonders bevorzugt wird zunächst der
Carrier an das Testgerät
angeschlossen, und dann erst der Carrier mit dem Halbleiter-Bauelement
beladen (und unmittelbar darauffolgendder o.g. Kontakt-Test durchgeführt).
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Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung
der Erfindung wird der Carrier an einer Carrier-Belade-Station beladen,
wobei die Kontaktierung zwischen dem Carrier, und dem Halbleiter-Bauelement getestet wird,
bevor ein Weitertransport des Carriers zu einer weiteren Station,
insbesondere zu einer Halbleiter-Bauelement-Funktionstest-Station
hin erfolgt.
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Dadurch wird verhindert, dass – bei Miskontaktierung
zwischen dem Carrier und dem Halbleiter-Bauelement – erst an
der weiteren Station, insbesondere an der Halbleiter-Bauelement-Funktionstest-Station
festgestellt wird, dass ein entsprechender Fehler vorliegt.
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Besonders vorteilhaft wird bei der
Erfindung bereits nach relativ kurzer Zeit, insbesondere weniger
als 2 Sekunden, oder weniger als 1, 0.5 oder 0.1 Sekunden nach dem
Beladen des Carriers mit dem Halbleiter-Bauelement die Kontaktierung
zwischen dem Carrier und dem Halbleiter-Bauelement getestet.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der
Erfindung wird ein Test-System
zur Verfügung
gestellt, mit einem Testgerät,
an welches ein Carrier angeschlossen werden kann, und welches so
konfiguriert ist, dass – unmittelbar
nach dem Beladen des Carriers mit einem Halbleiter-Bauelement – vom Testgerät die Kontaktierung
zwischen dem Carrier und dem Halbleiter-Bauelement getestet wird.
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Des weiteren wird gemäß einem
dritten Aspekt der Erfindung ein Test-Gerät zur Verwendung in einem derartigen
Test-System zur Verfügung
gestellt, wobei das Test-Gerät
so konfiguriert ist, dass – unmittelbar
nach dem Beladen eines Carriers mit einem Halbleiter-Bauelement – vom Testgerät die Kontaktierung
zwischen dem Carrier und dem Halbleiter-Bauelement getestet wird.
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Im folgenden wird die Erfindung anhand
eines Ausführungsbeispiels
und der beigefügten Zeichnung
näher erläutert. In
der Zeichnung zeigt:
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1 eine
schematische Darstellung von bei der Fertigung von Halbleiter-Bauelementen
von entsprechenden Halbleiter-Bauelementen
durchlaufenen Stationen
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2 eine
schematische Detail-Darstellung der in 1 gezeigten Carrier-Belade-Station, und des
dort vorgesehenen Test-Systems, zur Veranschaulichung des bei dem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung durchgeführten
Test-Verfahrens;
und
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3 eine
schematische Darstellung eines Ablaufdiagramms für die bei dem gemäß dem Ausführungsbeispiel
der Erfindung durchgeführten Test-Verfahren
durchlaufenen Verfahrensschritte.
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In 1 sind – auf schematische
Weise – einige
(von einer Vielzahl weiterer, hier nicht dargestellter) bei der
Fertigung von Halbleiter-Bauelementen 3a, 3b, 3c, 3d von
entsprechenden Halbleiter-Bauelementen 3a, 3b, 3c, 3d durchlaufenen
Stationen A, B, C, D gezeigt.
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An der Station A werden – mittels
eines Test-Systems 5 – noch
auf einer Silizium-Scheibe bzw. einem Wafer 2 befindliche Halbleiter-Bauelemente 3a, 3b, 3c, 3d einem
oder mehreren Testverfahren unterzogen.
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Der Wafer 2 ist vorher – an den
in 1 gezeigten Stationen
A, B, C, D vorgeschalteten, hier nicht dargestellten Stationen – entsprechenden,
herkömmlichen
Beschichtungs-, Belichtungs-, Ätz-,
Diffusions-, und Implantations-Prozess-Schritten unterzogen worden.
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Bei den Halbleiter-Bauelementen 3a, 3b, 3c, 3d kann
es sich z.B. um entsprechende, integrierte (analoge bzw. digitale)
Rechenschaltkreise handeln, oder um Halbleiter-Speicherbauelemente wie z.B. Funktionsspeicher-Bauelemente
(PLAs, PALs, etc.) oder Tabellenspeicher-Bauelemente (z.B. ROMs oder
RAMS), insbesondere um SRAMs oder DRAMs (hier z.B. um DRAMs (Dynamic
Random Access Memories bzw. dynamische Schreib-Lese-Speicher) mit doppelter
Datenrate (DDR-DRAMs = Double Data Rate – DRAMs), vorteilhaft um High-Speed DDR-DRAMs).
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Die an der Station A zum Testen der
Halbleiter-Bauelemente 3a, 3b, 3c, 3d auf
dem Wafer 2 benötigten
Spannungen bzw. Test-Signale werden von einem Testgerät 6 erzeugt,
und mittels einer mit dem Testgerät 6 verbundenen Halbleiter-Bauelement-Testkarte 8 bzw.
probecard 8 (genauer: mittels entsprechender, an der probecard 8 vorgesehener Kontakt-Nadeln 9a, 9b)
an entsprechende Anschlüsse
der Halbleiter-Bauelemente 3a, 3b, 3c, 3d angelegt.
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Wird das oder die Testverfahren erfolgreich beendet,
wird der Wafer 2 (auf vollautomatisierte Weise) an die
nächste
Station B weitertransportiert (vgl. Pfeil F), und dort – mittels
einer entsprechenden Maschine 7 – zersägt (oder z.B. geritzt, und
gebrochen), so dass dann die einzelnen Halbleiter-Bauelemente 3a, 3b, 3c, 3d zur
Verfügung
stehen.
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Vor dem Zersägen des Wafers 2 kann
dieser noch – auf
an sich bekannte Weise – mit
einer Folie beklebt worden sein.
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Nach dem Zersägen des Wafers 2 an
der Station B werden die Bauelemente 3a, 3b, 3c, 3d dann
(wiederum vollautomatisch – z.B.
mittels einer entsprechenden Förder-Maschine –) an die
nächste Station
C (hier: eine Carrier-Belade-Station C) weitertransportiert (z.B.
direkt (bzw. einzeln), oder alternativ z.B. mittels eines entsprechenden
trays) (vgl. Pfeil G), und dort – jeweils einzeln – auf vollautomatisierte Weise
mit Hilfe einer entsprechenden Maschine 10 (Belade- bzw. Belade-/Entlade-Maschine)
in einen Carrier 11a bzw. eine Umverpackung 11a geladen – vgl. auch
Schritt I, 3 – (alternativ
kann die Funktion der o.g. Förder-
und der o.g. Belade-Maschine 10 z.B. auch von einer einzigen
Maschine erfüllt
werden.)
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Wie in 1 weiter
gezeigt ist, ist an der Carrier-Belade-Station C ein Test-System 1 (oder mehrere,
jeweils identisch aufgebaute Test-Systeme) vorgesehen, mit welchem
an der Carrier-Belade-Station C ein – im folgenden noch genauer
erläutertes, spezielles – Testverfahren
durchgeführt
wird.
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In 2 ist
eine schematische Detail-Darstellung der Carrier-Belade-Station
C gezeigt.
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Wie in 2 veranschaulicht
ist, wird an der Carrier-Beladestation
C der jeweilige Carrier 11a zunächst (vollautomatisch, z.B.
mit Hilfe einer entsprechenden – hier
nicht dargestellten – separaten
Maschine (oder z.B. der o.g. Belade- bzw. Belade-/Förder-Maschine))
in einen – mit
einem entsprechenden Testgerät 4 verbundenen – Carrier-Sockel 12 bzw. Carrier-Adapter 12 eingeführt (vgl.
Pfeil K).
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Als Carrier 11a kann z.B.
ein herkömmlicher TSOP66-Carrier
verwendet werden, und als Sockel 12 ein herkömmlicher
TSOP66-Sockel.
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Durch das Einführen des Carriers 11a in
den Sockel 12 wird erreicht, dass vom Testgerät 4 ausgegebene,
und z.B. mittels entsprechender Leitungen 14 an den Sockel 12 weitergeleitete
Testsignale über – jeweils
entsprechende Anschlüsse
des Sockels 12 kontaktierende – Anschlüsse des Carriers 11a dem Carrier 11a zugeführt werden.
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Wird dann als nächstes – wie durch einen Pfeil L veranschaulicht
ist (und wie bereits oben erläutert
wurde) – das
entsprechende Halbleiter-Bauelement 3a (z.B. mit Hilfe
der o.g. Belade-Maschine 10) in den Carrier 11a eingeführt (und
der Carrier 11a dann – auf
an sich bekannte Weise – geschlossen), kontaktieren
entsprechende (z.B. unten am Halbleiter-Bauelement 3a vorgesehene)
Halbleiter-Bauelement-Kontakte
entsprechende (z.B. oben am Carrier 11a vorgesehene) Kontakte
am Carrier 11a (die mit den o.g. die Sockel-Anschlüsse kontaktierenden
Carrier-Anschlüssen
verbunden sind).
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Auf diese Weise können unmittelbar nach dem Einführen des
Halbleiter-Bauelements 3a in den Carrier 11a (bzw.
unmittelbar nach dem Schließen des
Carriers) die o.g., vom Testgerät 4 ausgegebenen
Testsignale (über
die o.g. Leitungen 14, den Sockel 12, den Carrier 11a,
und die – die
entsprechenden Kontakte am Carrier 11a kontaktierenden – Halbleiter-Bauelement-Kontakte)
an das Halbleiter-Bauelement 3a weitergeleitet werden.
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Die in Reaktion auf die eingegebenen
Testsignale an entsprechenden Halbleiter-Bauelement-Kontakten ausgegebenen
Signale werden von entsprechenden (diese kontaktierenden) Kontakten am
Carrier 11a abgegriffen und über den Sockel 12 und
die Leitungen 14 dem Testgerät 4 zugeführt, wo dann
eine Auswertung der entsprechenden Signale stattfinden kann.
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Dadurch kann – unmittelbar nach dem Einführen des
Halbleiter-Bauelements 3a in
den Carrier 11a (bzw. unmittelbar nach dem Schließen des
Carriers 11a) – insbesondere
z.B. in weniger als 2, 1, 0.5 oder 0.1 Sekunden nach dem Einführen des
Halbleiter-Bauelements 3a bzw. dem Schließen des
Carriers 11a – vom
Testgerät 4 ermittelt
werden, ob sämtliche
am Halbleiter-Bauelement 3a vorgesehenen Kontakte (bzw.
sämtliche – später, z.B.
an der Station E – zu
den – eigentlichen
Bauelement-Funktions-Test-Zwecken verwendeten Halbleiter-Bauelement-Kontakte,
oder ein Teil hiervon, und/oder spezielle, weiter unten im Detail
erläuterte
Bauelement-Kontakte) die entsprechenden Kontakte am Carrier 11a sicher
kontaktieren (oder ob – z.B.,
weil das Bauelement 3a nicht exakt in der richtigen Lage in
den Carrier 11a eingeführt
wurde, oder z.B. weil das Bauelement 3a vor dem bzw. beim
Verschließen des
Carriers 11a verrutscht ist, etc. – bei einem oder mehreren der
o.g. Bauelement-Kontakte kein bzw. kein ausreichender Kontakt mit
dem entsprechenden Carrier-Kontakt besteht) – vgl. auch Schritt II, 3 -.
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Dies wird z.B. dadurch ermittelt,
dass überprüft wird,
ob in Reaktion auf vom Testgerät 4 an
einem entsprechenden Bauelement-Kontakt angelegten Spannungen bzw.
Testsignalen überhaupt
ein entsprechender Stromfluß hervorgerufen
wird (bzw. ein eine vordefinierte minimale Höhe überschreitender Stromfluß) bzw.
ein entsprechendes Signal (bzw. ein eine vordefinierte minimale
Stärke übersteigendes
Signal) ausgegeben wird. Mit anderen Worten wird also vom Testgerät 4 nicht
die – eigentliche – Funktionsfähigkeit
des Bauelements 3a überprüft (dies
geschieht erst später,
z.B. an der Station D), sondern – lediglich – die korrekte
Kontaktierung zwischen Carrier 11a, und Bauelement 3a.
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Hierzu können – bei einem alternativen Ausführungsbeispiel – am Bauelement 3a ein
oder mehrere spezielle Kontakte vorgesehen sein, die ausschließlich zur
Durchführung
des erläuterten
Kontakt-Test-Verfahrens verwendet werden (nicht aber für die – eigentlichen – (z.B.
an der Station D durchgeführten)
Bauelement-Funktions-Tests).
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Wird festgestellt, dass (bei mindestens
einem der getesteten Bauelement-Kontakte) eine Fehl- bzw. Miskontaktierung
vorliegt (z.B., weil das entsprechende, vom Testgerät 4 empfangene
Rück-Signal
eine zu geringe Signal-Stärke
aufweist, oder weil vom Testgerät 4 – in Reaktion
auf ein entsprechendes Test-Signal – (überhaupt) kein Rück-Signal
empfangen wird) wird vom Testgerät 4 ein
entsprechendes Fehler-Signal (FAIL-Signal) ausgegeben, und z.B.
an die Belade-Maschine 10 weitergeleitet.
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Daraufhin wird veranlasst, dass der
Carrier 11a – automatisch – wieder
geöffnet
wird, und die Belade- bzw. Belade-/Entlade-Maschine 10 das Halbleiter-Bauelement
wieder aus dem Carrier 11a entnimmt (vgl. auch Schritt
IIIb, 3).
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Als nächstes kann – bei einer
ersten Variante – das
entsprechende Halbleiter-Bauelement 3a mit Hilfe der Belade- bzw. Belade-/Entlade-Maschine 10 erneut
in den Carrier 11a eingeführt werden, der Carrier 11a dann
erneut geschlossen, und – entsprechend
wie oben beschrieben – erneut
der o.g. Kontakt-Test durchgeführt
werden.
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Alternativ wird – bei einer zweiten Variante – das von
der Belade- bzw. Belade-/Entlade-Maschine 10 aus dem Carrier 11a entnommene
Halbleiter-Bauelement 3a (automatisch) entsorgt bzw. verworfen, und
stattdessen von der Belade- bzw. Belade-/Entlade-Maschine 10 ein – anderes – Halbleiter-Bauelement
gegriffen und in den Carrier 11a eingeführt (und dann der Carrier 11a wieder
geschlossen und erneut der o.g. Kontakt-Test durchgeführt, d.h. getestet, ob das
andere Halbleiter-Bauelement
den Carrier 11a richtig kontaktiert oder nicht).
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Bei einer dritten, alternativen Variante
wird stattdessen nach der Entnahme des Bauelements 3a aus
dem Carrier 11a durch die Belade- bzw. Belade-/Entlade-Maschine 10 der
Carrier 11a ausgewechselt.
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Denkbar ist auch, die o.g. drei Varianten – beliebig – zu kombinieren.
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Beispielsweise kann zunächst ein
oder mehrere Male hintereinander ein- und dasselbe Bauelement 3a (erneut)
in den Carrier 11a eingeführt, und ein entsprechender
Kontakt-Test durchgeführt werden,
woraufhin ggf. – falls
vom Testgerät 4 weiterhin ein
entsprechendes Fehler-Signal (FAIL-Signal) ausgegeben wird – ein oder
mehrere Male versucht wird, den Carrier – erfolgreich – mit einem – anderen – Bauelement
zu bestücken
(und daraufhin ggf. – falls immer
noch ein Fehler-Signal ausgegeben wird – mit einem oder mehreren weiteren
Bauelementen, etc.).
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Als nächstes oder alternativ kann
dann der Carrier 11a ausgewechselt werden.
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Wird vom Testgerät 4 ermittelt, dass
bei keinem der jeweils getesteten Bauelement-Kontakte eine Fehl-
bzw. Miskontaktierung vorliegt, wird statt des o.g. Fehler-Signals
(FAIL-Signal) ein OK-Signal (PASS-Signal) ausgegeben, und z.B. an
die Belade- bzw. Belade-Entlade-Maschine 10 weitergeleitet (und/oder
eine weitere, hier nicht dargestellte, oder die oben bereits erwähnte Förder-Maschine).
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Die Förder-Maschine (oder alternativ
die Belade- bzw. Belade-/Entlade-Maschine 10)
lädt den entsprechenden
Carrier 11a dann – wieder
bezogen auf 1 – zusammen
mit dem darin enthaltenen Halbleiter-Bauelement 3a – wiederum
vollautomatisch – auf
ein entsprechendes Förder-Mittel,
z.B. einen tray 13, mit dessen Hilfe der Carrier 11a (und
das darin enthaltene Halbleiter-Bauelement) – zusammen mit weiteren (entsprechende
Halbleiter-Bauelemente enthaltenden, und entsprechend getesteten) Carriers 11b, 11c, 11d – an die
nächste
Station D weitertransportiert wird (vgl. Pfeile H und I, sowie Schritt
IIIa, 3).
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Daraufhin wird an der Carrier-Beladestation C
mit Hilfe der o.g. – hier
nicht dargestellten – separaten
Maschine (oder z.B. der o.g. Belade- bzw. Belade-/Förder-Maschine))
ein – neuer – Carrier
(anstelle des Carriers 11a) in den mit dem Testgerät 4 verbundenen
Carrier-Sockel 12 bzw. Carrier-Adapter 12 eingeführt (woraufhin
ein neues Halbleiter-Bauelement
in den entsprechenden Carrier eingeführt, und erneut der o.g. Kontakt-Test
durchgeführt
wird).
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An der Station D wird mittlerweile
der entsprechende, mit dem tray 13 weitertransportierte Carrier 11a (und
das darin enthaltene Halbleiter-Bauelement 3a) mit Hilfe
einer – weiteren,
hier nicht dargestellten – Maschine
in einen mit einem weiteren Testgerät 16 verbundenen weiteren
Carrier-Sockel eines
weiteren Test-Systems 15 eingeführt, und dann das entsprechende
Halbleiter-Bauelement 3a einem – die Funktionsfähigkeit
des Halbleiter-Bauelements 3a überprüfenden – (herkömmlichen) Bauelement-Funktions-Tests
unterzogen, bzw. einem „Burn-In"-Test (d.h. einem
Test unter – eine
schnellere Alterung des Bauelements 3a bewirkenden – extremen
Bedingungen (hohe Temperatur, etc.)).
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Dabei wird – zusätzlich – auch ein dem oben erläuterten,
an der Carrier-Beladestation C durchgeführten Kontakt-Test entsprechender
Kontakt-Test durchgeführt.
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Dadurch wird sichergestellt, dass – nach wie vor – die entsprechenden
Kontakte des Bauelements 3a die entsprechenden Kontakte
des Carriers 11a richtig kontaktieren.
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Da – wie oben erläutert – bei dem
hier dargestellten Ausführungsbeispiel
bereits an der Carrier-Belade-Station C ein entsprechender Kontakt-Test durchgeführt wurde
(vgl. auch
-
3),
kann verhindert werden, dass – von vorneherein
mis- bzw. fehl-kontaktierte – Carrier 11a (umsonst)
von der Carrier-Beladestation C an die (eigentliche) Test-Station
D weitertransportiert werden.
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- 1
- Test-System
- 2
- Wafer
- 3a
- Halbleiter-Bauelement
- 3b
- Halbleiter-Bauelement
- 3c
- Halbleiter-Bauelement
- 3d
- Halbleiter-Bauelement
- 4
- Testgerät
- 5
- Test-System
- 6
- Testgerät
- 7
- Zersäge-Maschine
- 8
- probecard
- 9a
- Kontakt-Nadel
- 9b
- Kontakt-Nadel
- 10
- Belade-Maschine
- 11a
- Carrier
- 11b
- Carrier
- 11c
- Carrier
- 11d
- Carrier
- 12
- Sockel
- 13
- tray
- 14
- Leitungen
- 15
- Test-System
- 16
- Testgerät