DE10254611B4 - Kristalloszillator und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 35
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 silicon alkoxide Chemical class 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N ctk1a7239 Chemical compound C12=CC=CC=C2N2CC=CC3=NC=CC1=C32 VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
- H03H2003/022—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the cantilever type
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Abstract
Ein
Kristalloszillator mit:
einem Träger mit einem vertieften Teil auf einer Seite, der durch Bearbeiten eine inverse Mesaform aufweist;
einem auf der anderen Seite des Trägers durch epitaktisches Wachsen gebildeter Dünnfilmkristall mit einer Dicke von 10 µm oder weniger;
einem schwingenden Zungenabschnitt des Dünnfilmkristalls; und
Anregungselektroden zum mechanischen Stützen des Dünnfilmkristalls und zur Schwingungsanregung des schwingenden Zungenabschnitts.
einem Träger mit einem vertieften Teil auf einer Seite, der durch Bearbeiten eine inverse Mesaform aufweist;
einem auf der anderen Seite des Trägers durch epitaktisches Wachsen gebildeter Dünnfilmkristall mit einer Dicke von 10 µm oder weniger;
einem schwingenden Zungenabschnitt des Dünnfilmkristalls; und
Anregungselektroden zum mechanischen Stützen des Dünnfilmkristalls und zur Schwingungsanregung des schwingenden Zungenabschnitts.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf Kristalloszillatoren, die für oszillierende Einrichtungen mit einem Dünnfilmkristalloszillator verwendet werden, und insbesondere auf Kristalloszillatoren mit einem Kristallfilter (crystal filter). Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zum Herstellen des Kristalloszillators.
- Ein Kristalloszillator weist üblicherweise einen auf Grundlage der erforderlichen Leistungsfähigkeit ausgelegten Kristallstreifen, auf der Oberfläche des Kristallstreifens angeordnete Dünnfilmelektroden und ein Gehäuse mit einer dünnen Stützplatte auf, die sowohl als mechanische Stütze als auch als elektrische Leitung dient, wobei der Kristallstreifen und die Dünnfilmelektroden in dem Gehäuse versiegelt aufgenommen sind. Andererseits ist ein Kristallfilter eine Einrichtung mit der Funktion, gewünschte Frequenzkomponenten aus verschiedenen Signalkomponenten zu extrahieren und unerwünschte Frequenzkomponenten zu dämpfen. Unter solchen Filtern ist ein MCF (Monolithischer Kristallfilter bzw. Monolithic Crystal Filter) verbreitet, der zwei auf einem kristallinen Waver angeordnete Elektroden umfaßt und Filtercharakteristika aufweist, die auf einer Kombination von zwei Schwingungsmodi basieren. Da sich die Erfindung allgemein auf Kristalloszillatoren, deren Strukturen und Herstellungsverfahren bezieht, umfaßt der Begriff Kristalloszillator auch Kristallfilter und wird hier in einem breiten Sinn verwendet.
- Kristalloszillatoren sind als wichtige Einrichtungen und aufgrund ihrer hohen Stabilität unentbehrlich für die Datenkommunikation. Mit der jüngsten Entwicklung von Kommunikationssatelliten und Mobiltelefonen wurden eine hohe Leistungsfähigkeit und Miniaturisierung notwendig.
- Auf Basis der obigen Anforderungen wurden verschiedene Verfahren vorgeschlagen. Ein Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Dünnfilmkristalls durch einen Sol-Gel-Prozeß ist in der ungeprüften japanischen Patentanmeldung Nr. 8-157297 offenbart. Ein Verfahren zum Verarbeiten eines Rohkristalls ist in der ungeprüften japanischen Patentanmeldung Nr. 5-327383 offenbart. In der japanischen Patentanmeldung Nr. 2000-270300 schlagen die Erfinder ein Gasphasen-Epitaktisches Verfahren (AP-VPE) bei Atmosphärendruck vor, bei dem das epitaktische Wachstum auf einem Träger durch die Reaktion von Silizium-Alkoholat mit Sauerstoff bei Atmosphärendruck ohne die Verwendung einer Vakuumvorrichtung erfolgt.
- Aus der
US 6,028,020 ist ein einkristalliner Quarz-Dünnfilm und ein Verfahren zu seiner Herstellung bekannt. Der Kristall weist einen schwingenden Zungenabschnitt auf, der mit Anregungselektroden versehen ist. - Die
EP 0 823 780 A1 beschreibt ein Anordnung, bei der Halbleiterschaltungen auf einem Halbleiterkristall-Träger eines Kristalloszillators angeordnet werden. - Da die in mobilen Kommunikationssystemen verwendeten Frequenzen den GHz-Bereich erreicht haben, sollen die darin verwendeten Kristalloszillatoren höhere Frequenz hervorbringen.
- Da die Schwingfrequenz eines Kristalloszillators umgekehrt proportional zur Dicke des Rohkristalls ist, sollte der Rohkristall eine geringe Dicke aufweisen. Es ist jedoch schwierig, durch heutige Verarbeitungsverfahren einen Rohkristall mit einer Dicke von 40 µm oder weniger herzustellen. Daher übersteigen die Schwingfrequenzen von in Massenproduktion hergestellten Kristalloszillatoren bei Verwendung der Grundschwingung nicht 40 MHz.
- Zur Erhöhung der Frequenz ist es notwendig, ein Verarbeitungsverfahren wie z.B. Naßätzen oder Trockenätzen anzuwenden. Wenn jedoch die Ätzrate zur Verbesserung der Dickenkontrolle herabgesetzt wird, entsteht das Problem, daß es lange dauert, die gewünschte Dicke zu erreichen, weil eine große Anzahl von beim Ätzen gebildeter Kristall-chippings entfernt werden müssen.
- Zur Lösung des obigen Problems haben die Erfinder ein Gasphasen-Epitaktisches Verfahren bei Atmosphärendruck (AP-VPE) entwickelt, bei dem das epitaktische Wachstum auf einem Trägermaterial durch die Reaktion von Silizium-Alkoholat mit Sauerstoff bei Atmosphärendruck ohne Verwendung einer Vakuumvorrichtung erfolgt, und sie haben die japanische Patentanmeldung Nr. 2000-270300 eingereicht.
- Es ist Aufgabe der Erfindung, einen verbesserten Kristalloszillator mit einem Träger und einem durch das oben erwähnte Verfahren auf dem Trägermaterial gebildeten Dünnfilmkristall zur Verfügung zu stellen. Es ist ferner Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen des Kristalloszillators zur Verfügung zu stellen.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Kristalloszillator gemäß Patentanspruch 1 sowie durch ein Herstellungsverfahren nach Anspruch 6 oder 7 gelöst.
- Der Träger des Kristalloszillators besteht vorzugsweise aus einem Einzelelement-Halbleiter, einem Verbundhalbleiter oder einem Oxid.
- Der Einzelelement-Halbleiter besteht aus Si oder Ge, der Verbundhalbleiter besteht aus GaAs, GaP, GaN, ZnS oder ZnSe und das Oxid ist ein AL2O3, ZnO oder MgO.
- Der Kristalloszillator enthält ferner eine Halbleiterschaltung in einem Bereich des Trägers, in dem sich der schwingende Zungenabschnitt nicht befindet, wobei der Träger ein Halbleiterkristall ist.
- Zur Lösung der obigen Aufgabe wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators ein kristalliner Wafer als Träger ausgebildet, auf dem Träger eine kristalline Schicht epitaktisch aufgebaut, ein schwingender Zungenabschnitt durch Bearbeiten der kristallinen Schicht und des Trägermaterials gebildet und Anregungselektroden zum Anregen des schwingenden Zungenabschnitts geschaffen.
- Bei dem Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators wird vorzugsweise auf dem kristallinen Wafer eine Pufferschicht angeordnet, wobei der schwingende Zungenabschnitt auf der Pufferschicht angeordnet wird.
- Bei dem Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators wird vorteilhafterweise ferner der Träger nach dem epitaktischen Wachsen des Dünnfilmkristalls auf dem Träger bearbeitet, wobei ein Teil oder der gesamte bearbeitete Träger eine Dicke von einigen Hundert Mikrometern aufweist.
- Bei dem Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators wird vorzugsweise ferner der Dünnfilmkristall oder der Träger teilweise durch mechanische oder chemische Behandlung, nach dem Bilden des Dünnfilmkristalls durch epitaktisches Wachsen, entfernt.
- Die obige Aufgabe wird ferner gelöst durch einen Kristalloszillator mit einem Träger, der eine auf seiner einen Seite ausgebildete und durch Bearbeitung geschaffene Ausnehmung mit einer inversen Mesa-Form aufweist, einen auf der anderen Seite des Träges durch epitaktisches Wachsen gebildeten Dünnfilmkristall mit einer Dicke von 10 µm oder weniger, einem schwingenden Zungenabschnitt und Anregungselektroden zum mechanischen Stützen des Dünnfilmkristalls und zum Schwingen des schwingenden Zungenabschnitts.
- Wie oben beschrieben wird erfindungsgemäß der Dünnfilmkristall unmittelbar auf dem Träger gebildet, der aus einem durch epitaktisches Wachstum geschaffenen Einelement-Halbleiter wie Ge und Si, Verbundhalbleiter oder Oxid besteht. Der Dünnfilmkristall kann also sehr genau bearbeitet werden und extrem dünn hergestellt sein, so daß Kristalloszillatoren mit einer Resonanzfrequenz von mindestens 100 MHz und mit einem Dünnfilmkristall mit einer Dicke von 20 µm oder weniger leicht hergestellt werden können, was auf konventionellem Weg nicht erreicht wurde.
- Ferner hat der Dünnfilmkristall eine extrem geringe Dicke und ist leicht zu handhaben.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators ist es nicht erforderlich, Kristall-chippings während des Ätzschrittes zu entfernen, während hingegen das Entfernen bei konventionellen Verfahren erforderlich war. Die Herstellungskosten können also reduziert werden.
- Erfindungsgemäß kann eine als Oszillatorschaltung verwendete Halbleiterschaltung auf dem Träger eines Kristalloszillators gebildet werden, d.h., es wird in integrierter Weise ein Kristalloszillator mit einer Oszillatorschaltung geschaffen. Wenn der Kristalloszillator in einem Kristallfilter verwendet wird, kann ein integrierter Filter mit einem Vorverstärker oder einem Pufferverstärker in integrierter Weise geschaffen werden. Ein derartiger integrierter Filter weist Filter-Charakteristika auf, die unempfindlich gegenüber Störungen von externen Schaltungen sind. Weiterhin ist die Impedanzanpassung des integrierten Filters einfach.
-
1 zeigt in einer perspektivischen Ansicht einen durch ein erstes Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten Kristalloszillator. -
2 zeigt eine Schnittansicht des Kristalloszillators nach1 ; -
3 zeigt eine Schnittansicht eines anderen Kristalloszillators, der durch ein von dem ersten Verfahren abgewandeltes zweites Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt worden ist; -
4 zeigt in einer perspektivischen Ansicht einen durch ein drittes Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten Kristalloszillator ohne Elektroden; -
5 zeigt eine Schnittansicht des in4 gezeigten Kristalloszillators; -
6 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Kristalloszillators mit Elektroden, der durch das dritte Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt worden ist; -
7 zeigt eine Schnittansicht des Kristalloszillators nach6 ; -
8 zeigt eine perspektivische Ansicht eines weiteren durch ein viertes Verfahren gemäß der Erfindung hergestellten Kristalloszillators; -
9 zeigt eine Schnittansicht des Kristalloszillators nach8 ; -
10 zeigt ein Zwei-Kristall-Röntgenbeugungsspektrum einer epitaktisch gewachsenen kristallinen Schicht, die auf einem in dem oben erwähnten Verfahren verwendeten Träger gebildet worden ist; und -
11 zeigt in einem Kurvenverlauf die Intensität der Oszillationsfrequenz eines erfindungsgemäßen Kristalloszillators. - Im folgenden wird ein Kristalloszillator und ein Verfahren zu dessen Herstellung unter Bezug auf die beiliegenden Abbildungen beschrieben.
- BEISPIEL 1
- (Erstes Verfahren zum Bilden eines Dünnfilmkristalls)
- Epitaktische Dünnfilmkristalle mit einer Dicke von 1-300 µm wurden unter den folgenden Bedingungen durch das Verfahren der Gasphasenepitaxie bei Atmosphärendruck (AP-VPE) gebildet, das von den Erfindern entwickelt wurde und in der japanischen Patentanmeldung Nr. 2000-270300 offenbart ist. Bei den folgenden Messungen wurde einer der epiktaktischen Dünnfilmkristalle mit einer Dicke von 96 µm verwendet.
- Typische Reaktionsbedingungen sind in Tabelle 1 dargestellt, wobei "sccm" "Standardkubikzentimeter pro Minute" bedeutet.
- Die entstandenen epitaktischen Dünnfilmkristalle werden nachfolgend beschrieben.
10 zeigt das Röntgenbeugungsmuster (XRD) eines bei 800°C epitaktisch gebildeten Dünnfilmkristalls. Der Dünnfilm weist eine Dicke von 96 µm auf. - Die Bedingungen der mit einem "RIGAKU RINT 2000"-Gerät durchgeführten Messungen sind in Tabelle 2 dargestellt.
- Das Röntenbeugungsmuster in
10 zeigt Peaks bei 50,6° (2θ) und bei 28,44° (2θ). Der Peak bei 50,6° (2θ) ist einer (003)-Ebene eines hexagonalen Kristalls zugeordnet, was bedeutet, daß die epitaktischen Dünnfilmkristalle eine hexagonale Kristallstruktur aufweisen. Der Peak bei 28,44° (2θ) ist einer (111)-Ebene eines Siliziumsubstrats zugeordnet. - BEISPIEL 2
- (Erstes Verfahren zum Herstellen eines Oszillators)
- Zur Herstellung eines Kristalloszillators wurde durch Bearbeiten des Dünnfilmkristalls
1 , der direkt auf einem ein Si(111)-Substrat aufweisenden Träger angeordnet ist, ein schwingender Zungenabschnitt2 wie oben beschrieben gebildet, wobei Halbleiter-Verarbeitungstechniken verwendet wurden. -
1 zeigt in einer perspektivischer Ansicht einen gemäß einem ersten Verfahren hergestellten Kristalloszillator, wobei der schwingende Zungenabschnitt2 auf dem Trägermaterial5 angeordnet ist.2 zeigt eine Schnittansicht des Kristalloszillators. Der Dünnfilmkristall1 ist auf dem ein Si(111)-Substrat aufweisenden Träger5 angeordnet. Eine obere Anregungselektrode3a ist auf der Oberseite des schwingenden Zungenabschnitts2 angeordnet. Eine untere Anregungselektrode3b erstreckt sich von der Unterseite des schwingenden Zungenabschnitts2 zu der Unterseite des Trägers5 , wobei die obere und die untere Anregungselektrode3a und3b durch die Abscheidung von Au oder Ag gebildet sind. - Es wird auf
2 Bezug genommen. Der schwingende Zungenabschnitt2 erstreckt sich von der rechten Seite über einen vertieften Abschnitt4 mit einer gewinkelten Form, wobei der schwingende Zungenabschnitt2 durch Bearbeiten des Dünnfilmkristalls1 gebildet wurde und der vertiefte Abschnitt4 in der Mitte des Trägermaterials5 durch Bearbeiten des Trägermaterials5 geschaffen wurde. Der rechtwinklige schwingende Zungenabschnitt2 weist eine Breite von 0,8 mm und eine Länge von 5 mm auf. Die obere und die untere Anregungselektrode3a und3b weisen jeweils einen wirksamen Abschnitt mit einer Breite von 0,5 mm und einer Länge von 2 mm auf. Der Träger5 weist eine in der Unterseite ausgebildete Nut auf. Die untere Anregungselektrode3b erstreckt sich durch die Nut des Trägermaterials5 hindurch zu der Unterseite des schwingenden Zungenabschnitts. - Bei diesem Beispiel weist der Dünnfilmkristall
1 eine Dicke von 96 µm auf und wurde durch Trockenätzen bearbeitet, um den schwingenden Zungenabschnitt zu bilden. - Bei diesem Beispiel wurde der Kristalloszillator in den folgenden Schritten hergestellt.
- (1) Vorbereiten eines kristallinen Substrats für einen Träger
- Das Si(111)-Substrat für den Träger
5 wurde bereitgestellt. - (2) Bilden eines Dünnfilmkristalls
- Der Dünnfilmkristall
1 wurde epitaktisch auf dem das Si(111)-Substrat umfassenden Träger5 aufgewachsen. - (3) Bilden eines schwingenden Zungenabschnitts
- Der Dünnfilmkristall
1 und der Träger5 wurden zum Bilden eines schwingenden Zungenabschnitts2 mit der oben beschriebenen Form geätzt. - (4) Bilden der Anregungselektroden
- Zur Bildung der Anregungselektroden
3a und3b wurde sowohl auf der Oberseite als auch auf der Unterseite des schwingenden Zungenabschnitts2 Au (Gold) oder Ag (Silber) abgeschieden. -
11 zeigt den Zusammenhang zwischen der Frequenz und der Schwingungsintensität des gemäß dem oben beschriebenen Verfahren hergestellten Kristalloszillators. Eine starke Intensität tritt bei 17,34 MHz auf. Dies bedeutet, daß der durch dieses Verfahren gebildete Dünnfilmkristall eine exzellente Charakteristik aufweist. Da der Dünnfilmkristall unmittelbar auf dem das Si-Substrat enthaltenden Träger gebildet und die Dicke des Dünnfilms gesteuert werden kann, ist ein bei den herkömmlichen Verfahren zum Herstellen von Kristalloszillatoren erforderlicher Ätzschritt nicht notwendig. Daher wird die Herstellungszeit bedeutend herabgesetzt. - Da Dünnfilmkristalle durch Anwenden von Halbleiterverarbeitungsverfahren wie Fotolithographie oder Ätzen in beliebige Form oder Abmessungen gebracht werden können, ist dieses Herstellungsverfahren insoweit vorteilhaft, als Hochleistungs-Miniaturisierungs- und Massenproduktion erreicht werden kann.
- BEISPIEL 3
- (Zweites Verfahren zum Herstellen eines Oszillators)
- Als weiteres Beispiel wird im folgenden eine Variation des Beispiels 2 unter Bezugnahme auf
3 beschrieben. -
3 zeigt einen weiteren Kristalloszillator mit einem Träger5A , der hochdotiert wurde, um als Elektrode zu wirken. Bei diesem Beispiel wurde der Kristalloszillator in den folgenden Schritten hergestellt. - (1) Vorbereiten eines kristallinen Substrats für einen Träger
- Ein hochdotiertes Si(111) Substrat für den Träger
5A wurde bereitgestellt. - (2) Bilden eines Dünnfilmkristalls
- Ein Dünnfilmkristall
1 wurde epitaktisch auf dem das Si(111)-Substrat aufweisenden Träger5A aufgewachsen. Das Verfahren entspricht dem BEISPIEL 2. - (3) Bilden eines schwingenden Zungenabschnitts
- Der Dünnfilmkristall
1 und der Träger5A wurden zum Bilden eines schwingenden Zungenabschnitts2 mit der oben beschriebenen Form geätzt. - (4) Bilden von Anregungselektroden
- Au oder Ag wurde nur auf der Oberseite des schwingenden Zungenabschnitts
2 zum Bilden einer oberen Anregungselektrode3a abgeschieden. In Schritt (3 ) wurde ein Abschnitt des Trägers5A gelassen, der als weitere Elektrode auf der Unterseite des schwingenden Zungenabschnitts2 wirkt. -
3 zeigt die obere Anregungselektrode3a und den Abschnitt des Trägermaterials5A , der sich unter dem schwingenden Zungenabschnitt2 befindet und als untere Anregungselektrode3b wirkt. - BEISPIEL 4
- (Drittes Verfahren zum Herstellen eines Oszillators)
- Bei diesem Beispiel wurde eine sich von einem Träger unterscheidende kristalline Schicht epiktaktisch auf dem Träger
5 aufgewachsen, und anschließend wurde ein Dünnfilmkristall1 epitaktisch auf der kristallinen Schicht aufgewachsen. Die kristalline Schicht enthält GaAs und ZnO. Der Kristalloszillator wurde in den folgenden Schritten hergestellt. - (1) Vorbereiten eines kristallinen Substrats für einen Träger.
- Ein Si(111)-Substrat für den Träger
5 wurde bereitgestellt. - (2) Bilden einer sich von dem Träger unterscheidenden kristallinen Schicht
- Eine sich von dem Träger unterscheidende kristalline GaAs-Schicht
6 wurde auf dem Träger5 epitaktisch mit einer Dicke von einigen zehn Mikrometern aufgewachsen. - (3) Bilden eines Dünnfilmkristalls
- Der Dünnfilmkristall
1 wurde epitaktisch auf der GaAs-Schicht6 aufgewachsen. - (4) Bilden eines schwingenden Zungenabschnitts
- Ein schwingender Zungen-Abschnitt
2 , der mit dem im Beispiel 2 unter Bezug auf die1 und2 beschriebenen schwingenden Zungenabschnitt übereinstimmt, wurde nach dem in den4 bis7 dargestellten folgenden Ablauf gebildet. Der Träger5 , die GaAs-Schicht6 und der Dünnfilmkristall1 wurden mit dem Ätzmittel Flußsäure Flußsäure geätzt, um einen vertieften Bereich4 zu bilden, der die in den4 und5 gezeigte Form aufweist. Bei diesem Schritt verblieb die GaAs-Schicht6 unter der Unterseite des schwingenden Zungenabschnitts2 , wie es in5 dargestellt ist. Ein Teil der GaAs-Schicht unter der Unterseite des schwingenden Zungenabschnitts2 wurde dann durch Ätzen in die in den6 und7 gezeigte Form gebracht, wobei als Ätzmittel Schwefelsäure, Salpetersäure, Flußsäure oder Wasserstoffperoxyd verwendet wurde, welche die GaAs-Schicht6 ätzen, jedoch nicht den Träger5 und den Dünnfilmkristall1 . Dieser Ätzvorgang ist einfacher als der in Beispiel 2. - (5) Bilden der Anregungselektroden
- Au oder Ag wurde sowohl auf der Oberseite als auch auf der Unterseite des schwingenden Zungenabschnitts
2 zum Bilden von Anregungselektroden3a und3b abgeschieden. - BEISPIEL 5
- (Viertes Verfahren zum Herstellen eines Oszillators)
- Dieses Beispiel ist eine Abwandlung der Beispiele 2 und 3 und stellt ein Verfahren zur Herstellung eines Oszillators mit sehr geringer Dicke zur Verfügung, z.B. einer Dicke von 10 µm oder weniger. Ein bei diesem Beispiel verwendeter Träger
5B ist wie in Beispiel 3 für eine hohe Leitfähigkeit und den Einsatz als Elektrode hoch dotiert. - Ein in den
8 und9 gezeigter Oszillator wurde nach den folgenden Schritten hergestellt. - (1) Vorbereiten eines kristallinen Substrats für einen Träger
- Ein Si(111)-Substrat für einen hochdotierten Träger
5B wurde bereitgestellt. - (2) Bearbeiten des Trägers
- Der Träger
5B wurde berarbeitet, um auf einer Seite einen vertieften Bereich mit einer inversen Mesaform zu bilden. Der Teil des Trägers5B mit der ausgesparten inversen Mesaform wies ein Dicke auf, die es gestattete, einen schwingenden Abschnitt eines in dem nachfolgenden Schritt gebildeten Dünnfilmkristall1 schwingen zu lassen und den Dünnfilmkristall1 mechanisch zu stützen. - (3) Bilden eines Dünnfilmkristalls
- Der Dünnfilmkristall
1 wurde epitaktisch auf dem Träger5 aufgewachsen. Das Verfahren stimmt mit dem der obigen Beispiele überein. - (4) Bilden eines schwingenden Zungenabschnitts
- Der Bereich des Dünnfilmkristalls
1 auf dem Teil des Trägers5B mit der ausgesparten inversen Mesaform wurde für die Funktion als schwingender Zungen-Abschnitt (schwingender Dünnfilm)2a bearbeitet. - (5) Bilden von Anregungselektroden
- Au oder Ag wurden auf der Oberseite des schwingenden Zungenabschnitts
2a abgeschieden, um eine Anregungselektrode3a zu bilden. Die andere Anregungselektrode war Teil des Trägers5B und in den obigen Schritten stehengelassen. Die8 und9 zeigen die obere Anregungselektrode3a und den Abschnitt des Trägers5B , der sich unter dem schwingenden Zungen-Abschnitt2a befindet und als untere Anregungselektrode3b wirkt. - BEISPIEL 6
- (Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmkristalls)
- Bei diesem Beispiel wurde eine Pufferschicht auf einem ein Silizium(111)-Substrat aufweisenden Träger durch Abscheiden von Kristall bei 550°C und anschließendem Ausheilen des abgeschiedenen Kristalls gebildet. Anschließend wurde ein Dünnfilmkristall auf der Pufferschicht durch ein epitaktisches Wachstumsverfahren gebildet. Die resultierende Struktur mit dem Träger, der Pufferschicht (25 nm) und dem Dünnfilmkristall (96 µm), wobei diese in der angegebenen Reihenfolge geschichtet sind, wurden zum Bilden eines Oszillators mit gleicher Form wie die des Oszillators aus Beispiel 2 bearbeitet. Die Charakteristika wurden vermessen.
- Als Ergebnis der Messung der Beziehung zwischen der Frequenz und der Oszillationsstärke zeigte sich bei einer Fre quenz von 17,34 MHz eine stärkere Intensität als die des Oszillators von Beispiel 2.
- Es zeigt sich also deutlich, daß die Pufferschicht die Kristallinität des Dünnfilmkristalls und damit die Oszillationsintensität verbessert. Eine Änderung der Dicke der Pufferschicht ermöglicht verschiedene Wirkungen.
- BEISPIEL 7
- (Änderung des Trägermaterials)
- Es wurden Träger ausgewertet, die einelementige Halbleiter wie Ge, einen Verbundhalbleiter wie GaAs, GaP, GaN, ZnS und ZnSe oder ein Oxid wie ZnO oder MgO aufweisen. Ein Dünnfilmkristall wurde durch ein epitaktisches Wachstumsverfahren unmittelbar auf jedem dieser Träger gebildet, um einen Oszillator herzustellen. Bei der Untersuchung des Oszillators wurden die gleichen Auswirkungen wie bei den Oszillatoren der obigen Beispiele erhalten.
- Erfindungsgemäß kann ein Dünnfilmkristall auf einem einen Verbundhalbleiter aufweisenden Träger aufgewachsen werden, um darauf eine Verbundhalbleiterschaltung zu bilden. Wenn also die Schaltung als eine Oszillatorschaltung verwendet wird, kann ein Kristalloszillator mit der Oszillatorschaltung leicht in einer integrierten Weise hergestellt werden. Wenn ferner der Dünnfilmkristall für einen Kristallfilter verwendet wird, können in einer integrierten Weise Filter-Vorverstärker oder Pufferverstärker hergestellt werden.
Claims (10)
- Ein Kristalloszillator mit: einem Träger mit einem vertieften Teil auf einer Seite, der durch Bearbeiten eine inverse Mesaform aufweist; einem auf der anderen Seite des Trägers durch epitaktisches Wachsen gebildeter Dünnfilmkristall mit einer Dicke von 10 µm oder weniger; einem schwingenden Zungenabschnitt des Dünnfilmkristalls; und Anregungselektroden zum mechanischen Stützen des Dünnfilmkristalls und zur Schwingungsanregung des schwingenden Zungenabschnitts.
- Der Kristalloszillator nach Anspruch 1, wobei der Dünnfilmkristall durch epitaktisches Wachstum unter Atmosphärendruck auf der Oberfläche des Trägers gebildet ist.
- Kristalloszillator nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Träger einen einelementigen Halbleiter, einen Verbundhalbleiter oder ein Oxid aufweist.
- Kristalloszillator nach Anspruch 3, wobei der einelementige Halbleiter Si oder Ge ist, der Verbundhalbleiter aus der Gruppe aus GaAs, GaP, GaN, ZnS und ZnSE ausgewählt ist, und das Oxid aus der Gruppe von Al2O3, ZnO, MgO ausgewählt ist.
- Kristalloszillator nach Anspruch 1, ferner aufweisend: eine Halbleiterschaltung, die in einem Bereich des Trägers angeordnet ist, wo sich der schwingende Zungenabschnitt nicht befindet, wobei der Träger ein Halbleiterkristall ist.
- Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators, umfassend die Schritte: Vorbereiten eines kristallinen Wafers für einen Träger; epitaktisches Aufwachsen eines Dünnfilmkristalls auf dem Trägermaterial; Bilden eines schwingenden Zungenabschnitts durch Bearbeiten des Dünnfilmkristalls und des Trägers; und Bereitstellen von Anregungselektroden zum Anregen des schwingenden Zungenabschnitts.
- Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators, umfassend die Schritte: Vorbereiten eines kristallinen Wafers für einen Träger; Epitaktisches Aufwachsen einer kristallinen Schicht auf dem Kristall des Trägers; Epitaktisches Aufwachsen eines Dünnfilmkristalls auf der kristallinen Schicht; Bilden eines schwingenden Zungenabschnitts durch Bearbeiten des Dünnfilmkristalls, der kristallinen Schicht und des Trägers; und Bereitstellen von Anregungselektroden zum Anregen des schwingenden Zungenabschnitts.
- Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators nach Anspruch 6, wobei auf dem kristallinen Wafer eine Pufferschicht angeordnet wird und der schwingende Zungenabschnitt auf der Pufferschicht angeordnet wird.
- Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei ferner der Träger nach dem epitaktischem Wachstum des Dünnfilmkristalls auf dem Träger bearbeitet wird, wobei ein Teil oder der gesamte bearbeitete Träger eine Dicke von einigen Hundert Mikrometern aufweist.
- Verfahren zum Herstellen eines Kristalloszillators nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei ferner der Dünnfilmkristall oder der Träger maschinell oder durch chemische Behandlung, nach Bilden des Dünnfilmkristalls durch epitaktisches Wachstum, teilweise entfernt wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002-091372 | 2002-03-28 | ||
JP2002091372A JP3703773B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 水晶振動子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10254611A1 DE10254611A1 (de) | 2003-10-16 |
DE10254611B4 true DE10254611B4 (de) | 2007-04-19 |
Family
ID=28449594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2002154611 Expired - Fee Related DE10254611B4 (de) | 2002-03-28 | 2002-11-22 | Kristalloszillator und Verfahren zu dessen Herstellung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6750728B2 (de) |
JP (1) | JP3703773B2 (de) |
KR (1) | KR100588398B1 (de) |
CN (1) | CN1211923C (de) |
DE (1) | DE10254611B4 (de) |
TW (1) | TW589786B (de) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7830074B2 (en) * | 2006-08-08 | 2010-11-09 | Hrl Laboratories, Llc | Integrated quartz oscillator on an active electronic substrate |
US7994877B1 (en) | 2008-11-10 | 2011-08-09 | Hrl Laboratories, Llc | MEMS-based quartz hybrid filters and a method of making the same |
US8766745B1 (en) | 2007-07-25 | 2014-07-01 | Hrl Laboratories, Llc | Quartz-based disk resonator gyro with ultra-thin conductive outer electrodes and method of making same |
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-
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- 2002-03-28 JP JP2002091372A patent/JP3703773B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-12 TW TW91115574A patent/TW589786B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-19 US US10/197,805 patent/US6750728B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-24 CN CNB021265747A patent/CN1211923C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-25 KR KR20020058189A patent/KR100588398B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-11-22 DE DE2002154611 patent/DE10254611B4/de not_active Expired - Fee Related
-
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- 2004-04-16 US US10/825,370 patent/US7057470B2/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100588398B1 (ko) | 2006-06-12 |
DE10254611A1 (de) | 2003-10-16 |
KR20030078605A (ko) | 2003-10-08 |
CN1211923C (zh) | 2005-07-20 |
US6750728B2 (en) | 2004-06-15 |
JP3703773B2 (ja) | 2005-10-05 |
JP2003289236A (ja) | 2003-10-10 |
US7057470B2 (en) | 2006-06-06 |
US20040189415A1 (en) | 2004-09-30 |
US20030184397A1 (en) | 2003-10-02 |
CN1449109A (zh) | 2003-10-15 |
TW589786B (en) | 2004-06-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: H03H 302 |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20140603 |