DE10240662A1

DE10240662A1 - Interdigitalkondensator mit BGA-Anschlüssen (BGA:Ball Grid Array)

Info

Publication number: DE10240662A1
Application number: DE10240662A
Authority: DE
Inventors: John L Galvagni; Andrew P Ritter; Thomas Brown
Original assignee: AVX Corp
Current assignee: Kyocera Avx Components Corp
Priority date: 2001-10-04
Filing date: 2002-09-04
Publication date: 2003-04-10
Also published as: GB2382925A; US6496355B1; JP2003124062A; CN1412796A; GB0222407D0

Abstract

Es ist ein verbesserter Kondensator niedriger Induktivität und ein entsprechendes Anschlussschema für Grid-Array-Kondensatoren offenbart. Die offenbarte Technologie schafft einen Interdigitalkondensator (IDC), welcher in der Lage ist, BGA-abgeschlossene (BGA: Ball Grid Array) Aktivelemente anzubringen. Die Anordnung umfasst allgemein verschachtelte dielektrische Schichten und Elektrodenschichten in einer Interdigitalgestaltung. Anschließend werden Anschlussstege auf die Seiten der Vielschichtgestaltung aufgebracht, um elektrische Verbindungen mit freigelegten Abschnitten der Elektrodenschichten zu bilden. Ausgewählte Kanten dieser IDC-Vorrichtung werden dann vorzugsweise mit einem Lötstoppmaterial beschichtet, wodurch eine BLM (BLM: Ball Limiting Metallurgy) auf den größeren Flächen des Chipkondensators geliefert wird. Lötpreformen können direkt auf die Umfangsanschlussstege aufgebracht werden, wodurch ein BGA-gepackter Chip (BGA: BAll Grid Array) geliefert wird, welcher bereit ist für eine Befestigung auf einer Leiterplatte und einen Reflow. Eine Gestaltung derartiger Lötpunkte kann leicht geändert werden, um spezifischen Brennbedingungen gerecht zu werden. Derartige Kondensatorchips sind ebenso mit LGA-Packungstechniken kompatibel. Das Interdigitalelektrodendesign der vorliegenden Erfindung kann dazu verwendet werden, einen einzelnen Vielschichtkondensator bzw. mehrfache diskrete Kondensatoren zu bilden. Eine derartige Kondensatoranordnung kann gebildet werden durch ...

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein einen Mehrschichtentkopplungskondensator, welcher durch eine niedrige Induktivität gekennzeichnet ist, und insbesondere betrifft diese einen Vielschichtkondensator mit Interdigitalelektrodenschichtabschnitten sowie BGA-Anschlüssen.
Integrierte Schaltungen (ICs) werden seit einiger Zeit realisiert, jedoch beeinflussen viele spezifische Merkmale dieser ICs die Designkriterien für elektronische Komponenten sowie entsprechende Verfahren zur Montage derartiger Komponenten. Mit zunehmender Funktionalität integrierter Schaltungskomponenten muss das Design elektronischer Komponenten in zunehmendem Maße effizienter werden. Die Miniaturisierung elektronischer Komponenten ist ein andauernder Trend in der Elektronikindustrie, und es ist von besonderer Wichtigkeit, Elemente zu entwickeln, welche ausreichend klein und dennoch gleichzeitig durch eine hohe Betriebsqualität gekennzeichnet sind. Es werden Komponenten gewünscht, welche eine kleine Größe und zuverlässige Leistungscharakteristiken aufweisen und dennoch zu verhältnismäßig geringen Kosten hergestellt werden können.
Eine Komponentenminiaturisierung ermöglicht eine Montage höherer Dichte auf Leiterplatten bzw. anderen Trägern. Somit ist der Abstand zwischen Komponenten ebenso ein limitierender Faktor bei derzeitigen Gestaltungen integrierter Schaltungen. Da der Abstand eine derartige kritische Designcharakteristik ist, ist die Größe und die Anordnung von Abschlusseinrichtungen bzw. Elementen für IC-Komponenten ebenso eine bedeutende Designcharakteristik.
Eine spezifische Elektronikkomponente, welche bei IC-Anwendungen verwendet wurde, ist der Entkopplungskondensator. Entkopplungskondensatoren werden oft dazu verwendet, mit den elektrischen Rauschproblemen fertig zu werden, welche bei Schaltungsanwendungen auftreten. Sie liefern stabile lokale Ladungsquellen, welche zum Schalten und Auffrischen der logischen Gatter erforderlich sind, die bei derzeitigen digitalen Schaltungen verwendet werden. Eine dramatische Zunahme der Geschwindigkeit und der Packungsdichte integrierter Schaltungen erfordert Fortschritte in der Entkopplungskondensatortechnologie. Werden Entkopplungskondensatoren hoher Kapazität den hohen Frequenzen vieler derzeitiger Anwendungen ausgesetzt, so werden Leistungscharakteristiken immer wichtiger. Ein Weg, eine verbesserte Leistung zu erzielen, besteht darin, die Induktivität der Vorrichtung zu verringern. Somit ist es ideal, dass derartige Kondensatorstrukturen eine geringe Serienersatzinduktivität (ESL) liefern, um den Schaltungswirkungsgrad aufrecht zu erhalten.
Es wurden mehrere Designaspekte realisiert, welche die Selbst- und Gegeninduktivität von Entkopplungskondensatoren verringern. Eine Verringerung des Strompfads verringert die Selbstinduktivität. Da der Strom oft die gesamte Kondensatorlänge zurücklegen muss, verringert ein Anschluss an den längeren Enden der Struktur den Strompfad. Verläuft der Strom in angrenzenden Kondensatorelektroden in entgegengesetzten Richtungen, so verringert dies die Gegeninduktivität in einem Kondensator. Mehrfachanschlüsse, wie bei einer Interdigitalkondensatortechnologie verwendet, verringert den Induktivitätswert.
Ein weiterer Ansatz zur Verringerung der ESL eines Entkopplungskondensators besteht in der Minimierung der Leitungsinduktivität, welche aus Anschlussgestaltungen und Montagesystemen resultiert. Typische Anschlussschemata enthalten lange Spuren zu den Kondensatorelektrodenkontaktstellen. Eine solche Verbindung ist gekennzeichnet durch eine hohe Induktivität und verhindert oftmals einen sehr engen Abstand zwischen Komponenten. Somit wird ein effizienterer Anschluss gewünscht, welcher eine niedrige ESL aufweist und eine hohe Komponentendichte bezüglich integrierter Schaltungen vereinfacht. Es ist ferner ideal, ein derartig effizientes Anschlussschema vorzusehen, ohne die Raumeffizienz der Komponente zu verringern.
Ein weiterer Beitrag zum Verringern der ESL eines Entkopplungskondensators besteht in der Reduzierung des Strompfads zwischen einer Masseebene bzw. einer Leistungsebene bei einer integrierten Schaltung zu den Elektrodenplatten bei einer Vielschichtkondensatorgestaltung. Typische Vielschichtkondensatordesigns erfordern verhältnismäßig dicke Deckschichten sowohl auf der Ober- als auch auf der Unterseite einer derartigen Mehrschichtgestaltung. Diese Schutzschichten liefern idealerweise ausreichend Masse, um der Beanspruchung einer typischen Glas/Metall-Fritte standzuhalten, welche an einen Kondensatorkörper gebrannt werden muss. Dieser typische Bedarf an äußeren Schutzschichten behindert eine potentielle Verringerung einer Schleifeninduktivität.
Im Kontext von Entkopplungskondensatoren ist es oftmals ideal, andere Designcharakteristiken auf der Grundlage spezifischer Anwendungen zu integrieren. Kunden von Kondensatorherstellern spezifizieren oftmals derartige Wahlentscheidungen, einschließlich einer Kondensatorgehäusegestaltung und einer Anschlussgestaltung. Genauer ist es zweckmäßig, Kondensatoren zu haben, welche entweder LGA- oder AGA-Designs (LGA: Land Grid Array; AGA: Area Grid Array) umfassen können. Im Verlauf der restlichen Offenbarung wird ersichtlich, dass ein LGA-Design Anbringungen entspricht, welche auf dem Umfang einer gegebenen Oberfläche eines Komponentengehäuses angeordnet sind; ein AGA-Design entspricht Anbringungen, welche derart verteilt sind, dass diese eine Gestaltung eines Matrixtyps über eine gesamte gegebene Oberfläche (Umfang und interne Bereiche davon) eines Komponentengehäuses bilden. Es ist ideal, derartige Optionen in ein Kondensatordesign in einer kostengünstigen und zweckdienlichen Weise zu integrieren. Während Beispiele verschiedener Aspekte und alternative Ausführungsbeispiele auf dem Gebiet von Mehrschichtentkopplungskondensatoren bekannt sind, ist keinerlei Design bekannt, welches allgemein sämtliche der oben erwähnten bevorzugten Kondensatorcharakteristiken umfasst.

Das U.S.-Patent Nr. 6 064 108 zeigt ein Beispiel eines Vielschichtkondensators, welcher eine Anordnung "interdigitaler" Kondensatorplatten umfasst. Dieses '108-Patent stellt eine exemplarische Elektrodengestaltung dar, welche zuverlässige Mehrschichtvorrichtungen hoher Kapazität gewährleistet.

Das U.S.-Patent Nr. 5 661 450 offenbart Widerstandsanordnungen mit Anschlussschemata geringer Induktivität. Derartige Anordnungen beinhalten leitfähige Kontaktlöcher durch ein Substrat mit angebrachten Lötpunkten. Diese Gestaltung ist beispielhaft für ein Design, welches Verbindungen geringer Induktivität für eine Umgebung einer integrierten Schaltung erzielt.

Die U.S.-Patente Nr. 5 666 272 und 5 892 245 offenbaren Beispiele von BGA-Gehäusen, welche eine erhöhte Komponentendichte auf Leiterplatten vereinfachen.

Das U.S.-Patent Nr. 6 097 609 zeigt eine beispielhafte Gehäuseanordnung, welche sowohl mit BGA- als auch mit LGA-Designgestaltungen kompatibel ist.

Das U.S.-Patent Nr. 5 880 925 offenbart einen beispielhaften Vielschichtkondensator mit einer Interdigitalanordnung von Anschlussstrukturen.

Die Japanischen Patente Nr. 7 037 756 und 7 037 757 betreffen Kondensatoranordnungen, welche zu einer Komponentenpackung hoher Dichte in der Lage sind.

Weitere Patente liefern veränderte Beispiele von Kondensatordesigns, wie nachfolgend aufgeführt:

Die Offenbarungen sämtlicher der oben genannten U.S.-Patente sind hiermit vollständig in dieser Anmeldung mittels Verweis enthalten.

KURZE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Angesichts der oben genannten Nachteile und anderer beim Stand der Technik vorhandener Unzulänglichkeiten, durch die vorliegende Erfindung anerkannt und angegangen, wurde eine verbesserte Kondensatortechnologie geringen Widerstands entwickelt. Somit besteht, allgemein ausgedrückt, eine allgemeine Aufgabe der hier offenbarten Technologie in verbesserten Anschlussschemata für Vielschichtkondensatoranordnungen.

Es ist eine weitere allgemeine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Kondensatoranordnung geringer Induktivität zu schaffen, welche einen engeren Komponentenabstand in einer Integrierte-Schaltungs-Umgebung vereinfacht.

Es ist eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Kondensatoranordnungstechnologie zu schaffen, welche sowohl mit LGA- als auch mit AGA-Packungsgestaltungen kompatibel ist.

Es ist eine weitere Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vielschichtkondensatoranordnung mit einer niedrigeren Serienersatzinduktivität (ESL) zu schaffen.

Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, Kondensatoren mit Interdigitalelektrodengestaltungen zu schaffen, welche einen einzelnen Kondensator oder eine Kondensatoranordnung definieren können.

Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, verbesserte Anschlussmerkmale und Anordnungen für Mehrschicht-IDCs ohne Verringerung der Raumeffizienz bzw. der potentiellen Kapazität derartiger Kondensatorgestaltungen zu schaffen.

Es ist eine weitere Aufgabe der hier offenbarten Technologie, Anschlussmerkmale zu schaffen, welche einen eine Beanspruchung absorbierenden Abstand bewirken und eine zusätzliche Unempfindlichkeit bezüglich eines differentiellen Wärmeausdehnungskoeffizienten (TCE) und einem Wärmeschock.

Weitere Aufgaben und Vorteile der offenbarten Technologie sind in der hier enthaltenen genauen Beschreibung dargelegt bzw. werden Fachleuten auf diesem Gebiet anhand dieser ersichtlich. Ferner sollte ersichtlich sein, dass Abwandlungen und Änderungen an den spezifisch dargestellten, verwiesenen und erläuterten Merkmalen hiervon an verschiedenen Ausführungsbeispielen und Anwendungen der vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne von Wesen und Umfang davon abzuweichen, kraft des vorliegenden Verweises darauf. Derartige Änderungen können ein Austauschen äquivalenter Einrichtungen und Merkmale gegen die dargestellten, verwiesenen oder erläuterten Einrichtungen und Merkmale sowie die funktionale, operationale bzw. positionale Umkehrung verschiedener Elemente, Merkmale oder ähnlichem sein.

Ferner sollte klar sein, dass verschiedene Ausführungsbeispiele sowie verschiedene hier bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung verschiedene Kombinationen bzw. Gestaltungen hier offenbarter Merkmale bzw. der Äquivalente davon (einschließlich Kombinationen von Merkmalen bzw. Elementen bzw. Gestaltungen davon, welche nicht ausdrücklich in den Figuren dargestellt bzw. in der genauen Beschreibung aufgeführt sind) enthalten können. Ein derartiges beispielhaftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung betrifft einen Vielschichtkondensator. Ein derartiges Kondensatorelement kann einen Körper aus dielektrischem Material, eine Vielzahl von Elektrodenschichten mit entsprechenden Elektrodenkontaktnasen, eine Vielzahl von Anschlussstegen und Abschnitten aus Lötstoppmaterialien umfassen.

Noch bevorzugter werden derartige beispielhafte dielektrische Schichten und Elektrodenschichten verschachtelt, um eine Mehrschichtgestaltung zu bilden. Elektrodenkontaktnasen können sich von bestimmten Elektrodenschichten in einer vordefinierten Weise erstrecken, um eine Interdigitalkondensatoranordnung zu bilden. Die Anschlussstege sind vorzugsweise mit freigelegten Abschnitten der Elektrodenkontaktnasen verbunden, und Lötelemente können auf ausgewählten Abschnitten der Anschlussstege angeordnet werden. Ein Lötstopp wird vorzugsweise auf ausgewählte Seiten des Kondensators aufgebracht, um einen begrenzten Fluss der Lötelemente zu bewirken. "Lötstopp-" bzw. "Lötmasken"-Materialien sind in der Industrie sehr bekannt und können aus organischen bzw. anorganischen Materialien bestehen, welche als flüssiges oder bandartiges Material aufgetragen werden, und können entweder vor Ort ausgehärtet oder gebrannt werden, um einen Fluss der Lötschmelze während des nachfolgenden Reflow-Vorgangs zu verhindern.

Ein weiteres derzeitiges beispielhaftes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung betrifft einen Vielschichtkondensator wie oben beschrieben zur Verwendung als Kondensatoranordnung. Eine Kondensatoranordnung kann vorzugsweise zur Verwendung entweder mit BGA/LGA- bzw. AGA- Packungstechniken (BGA/LGA: Ball/Land Grid Array; AGA: Area Grid Array) gestaltet werden. Noch bevorzugter kann eine derartige Anordnungsgestaltung eine Mehrschichtanordnung aus dielektrischen Schichten und Elektrodenschichten, Elektrodenkontaktnasen, welche sich ausgehend von ausgewählten Elektrodenschichten erstrecken, Anschlussstege, welche mit freigelegten Abschnitten der Elektrodenkontaktnasen verbunden sind sowie einen entlang ausgewählter Seiten des Kondensators aufgetragenen Lötstopp umfassen. Die Anschlussstege legen sich vorzugsweise auf die oberen und unteren Oberflächen der Mehrschichtanordnung, auf welchen anschießend Lötpunkte platziert werden können. Vordefinierte Lötstoppabschnitte begrenzen dementsprechend die Platzierung und den Reflow der Lötpunkte.

Ein weiteres derzeitiges beispielhaftes Ausführungsbeispiel der Erfindung entspricht einer Mehrschichtelektronikkomponente. Derartige Elektronikkomponenten umfassen vorzugsweise einen allgemein rechtwinkligen Körper, welcher gekennzeichnet ist durch eine erste und eine zweite gegenüberliegende Stirnfläche, einen ersten und einen zweiten Umfangsanschluss und mindestens eine Lötstoppschicht. Der erste Umfangsanschluss wird vorzugsweise auf die erste Stirnfläche aufgebracht, und der zweite Umfangsanschluss wird vorzugsweise auf die zweite Stirnfläche aufgebracht. Ein Lötstopp wird dann auf mindestens eine Seite des rechtwinkligen Körpers aufgebracht und deckt vorzugsweise Abschnitte mindestens eines der Umfangsanschlüsse ab, so dass eine Lötbegrenzmetallurgie bewirkt wird.

Weitere beispielhafte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beinhalten verschiedene Kombinationen aus ausgewählten Merkmalen der oben genannten Merkmale, wobei ausgewählte Elektrodenschichten der beispielhaften Elektrodenschichten unterteilt werden, um mehrfache diskrete Kondensatorelemente zu liefern. Dieses optionale Merkmal der offenbarten Ausführungsbeispiele vereinfacht die vielseitige Designauswahl zum Bilden entweder einer Einfachschichtkondensator- oder einer Vielschichtkondensatoranordnung. Wenn in Verbindung mit einzelnen Vielschichtkondensatoren verwendet, so tragen die offenbarten Anschlussverbesserungen zur Verhinderung eines "Grabsteineffekts" ("tomb stoning") bei, einem Phänomen, bei welchem die hohe Oberflächenspannung einer Lötschmelze auf die Stirnfläche des Kondensators wirken kann, wobei ein Aufrichten davon am Ende davon bewirkt wird, was zu einem fehlgeschlagenen Betrieb führt.

Weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung, welche in dem vorliegenden zusammengefassten Abschnitt nicht notwendigerweise erwähnt sind, können verschiedene Kombinationen von Merkmalsaspekten bzw. Elementen, auf welche bei obigen zusammengefassten Zielvorgaben verwiesen wurde, und/oder andere Merkmale, Abschnitte und Elemente als ansonsten bei dieser Anmeldung diskutiert, einschließen bzw. umfassen.

Fachleuten auf diesem Gebiet werden Merkmale und Aspekte solcher Ausführungsbeispiele und anderer bei Durchsicht der restliche Beschreibung verständlicher.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Eine vollständige und befähigende Offenbarung der vorliegenden Erfindung, einschließlich des besten Verfahrens davon, gerichtet an einen Fachmann auf diesem Gebiet, ist in der Beschreibung dargelegt, welche auf die beiliegenden Figuren Bezug nimmt. Es zeigt
Fig. 1 eine teilweise perspektivische Ansicht einer beispielhaften Elektrodenschichtgestaltung (teilweise in zerlegter Anordnung) zur Verwendung bei einem erfindungsgemäßen Mehrschichtinterdigitalkondensator;
Fig. 2A ein erfindungsgemäßes beispielhaftes Kondensatorausführungsbeispiel von Elektrodenschichten und entsprechenden Kontaktnasen, angeordnet innerhalb eines Körpers aus dielektrischem Material;
Fig. 2B ein erfindungsgemäßes beispielhaftes Kondensatorausführungsbeispiel, wie das in Fig. 2A dargestellte, mit Anschlussstegen;
Fig. 3A ein beispielhaftes Kondensatorausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gemäß offenbarter Lötstoppmerkmalen;
Fig. 3B ein beispielhaftes Kondensatorausführungsbeispiel der hier offenbarten Technologie, wie das in Fig. 3A dargestellte, zusätzlich mit Lötelementanschlüssen;
Fig. 4A ein Schaltbild eines erfindungsgemäßen beispielhaften Kondensators mit Mehrfachanschlüssen;
Fig. 4B ein Schaltbild einer beispielhaften Kondensatoranordnung, bestehend aus mehrfachen diskreten Kondensatoren bei einer einzelnen Komponente, gemäß der Erfindung;
Fig. 5 allgemeine eine Seitenansicht einer beispielhaften Gestaltung von sowie ein Abschlussschema für erfindungsgemäße Vielschichtkondensatorausführungsbeispiele; und
Fig. 6A bis 6C jeweils beispielhafte Ausführungsbeispiele eines Vielschichtkondensators mit veränderten Anschlussmerkmalen gemäß der offenbarten Technologie.
Eine wiederholte Verwendung von Bezugszeichen durch die vorliegende Beschreibung und die beiliegende Zeichnung hindurch soll gleiche bzw. analoge Merkmale bzw. Elemente der Erfindung darstellen. Ferner sollte verständlich sein, dass bestimmte Elemente bzw. Merkmale der Zeichnung nicht maßstabsgetreu bzw. in dimensionalem Verhältnis zu anderen Elementen bzw. Merkmalen der Zeichnung gezeichnet sind.

GENAUE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Wie in dem obigen Abschnitt "Kurze Beschreibung der Erfindung" Bezug genommen, betrifft die vorliegende Erfindung insbesondere Vielschichtkondensatoren mit verbesserten Anschlussschemata. Aspekte mehrerer beispielhafter Gestaltungen, welche teilweise bei einer typischen Kondensatortechnologie verwendet werden, sind in den Fig. 1, 2A und 2B dargestellt. Sämtliche solcher Figuren werden in der vorliegenden Beschreibung im Kontext der vorliegenden Erfindung erörtert. Die Fig. 3A, 3B, 5, 6A, 6B und 6C stellen allesamt Verbesserungen bezüglich herkömmlicher Kondensatorgestaltungen dar, woraus sich beispielhafte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ergeben. Zusätzliche hervorstechende Eigenschaften beispielhafter Ausführungsbeispiele der Erfindung werden in Bezug auf die Fig. 4A und 4B erörtert.
Es sei darauf hingewiesen, dass keines der beispielhaften Ausführungsbeispiel Einschränkungen der Erfindung darstellen soll. Merkmale, welche als Teil eines Ausführungsbeispiels dargestellt bzw. beschrieben werden, können in Kombination mit einem anderen Ausführungsbeispiel verwendet werden, um noch weitere Ausführungsbeispiele zu ergeben. Ferner können bestimmte Merkmale mit ähnlichen Vorrichtungen bzw. Merkmalen ausgetauscht werden, die die gleiche bzw. eine ähnliche Funktion bzw. Funktionen haben, auch wenn dies nicht ausdrücklich erwähnt ist.
Es folgt ein genauer Verweis auf derzeit bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung. In der Zeichnung zeigt Fig. 1 eine beispielhafte Gestaltung einer Vielzahl von Elektrodenschichten 10 und 12 und einer Vielzahl von Elektrodenkontaktnasen 14 zur Verwendung bei einem Vielschichtkondensator bzw. einer Vielschichtkondensatoranordnung. Die Elektrodenschichten 10 und 12 sind in einer im allgemeinen parallelen Weise mit Kontaktfahnen angeorndet, welche sich ausgehend von den Schichten derart erstrecken, dass Elektrodenkontaktnasen, welche sich von wechselnden Elektrodenschichten erstrecken, in jeweiligen Spalten ausgerichtet sind. Eine solche beispielhafte Gestaltung führt zu einer Interdigitalanordnung von Elektrodenschichten, wie potentiell anwendbar zur Verwendung bei einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.
Die beispielhafte Darstellung von Fig. 1 zeigt insgesamt vier derartige Elektrodenschichten 10 und 12 mit entsprechenden Kontaktnasen 14, typische Anordnungen jedoch, welche in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung verwendet werden, können variieren und oftmals viel mehr Elektrodenschichten und/oder entsprechende Kontaktnasen umfassen. Dieses Merkmal liefert die Designoption einer Schaffung von Kondensatorelementen mit einer großen Bandbreite von Kapazitätswerten (durch Auswählen der Anzahl und der Größe von Elektroden).
Die in Fig. 1 dargestellte Anordnung liefert eine Elektrodengestaltung mit allgemein geringer Serienersatzinduktivität (ESL). Sowohl die Selbst- als auch die Gegeninduktivität des Elements werden allgemein infolge der beispielhaften Interdigitalelektrodengestaltung verringert. Stromflüsse bei derartigen beispielhaften Kondensatorplatten werden dargestellt durch Aufwärtspfeile (unnummeriert) und Abwärtspfeile (unnummeriert), wobei die Aufwärtspfeile die Stromflussrichtung in abwechselnden Elektrodenschichten 10 und die Abwärtspfeile die Stromflussrichtung in den Elektrodenschichten 12, die zwischen den definierten abwechselnden Schichten 10 versetzt sind, anzeigen. Da der Strom nicht die gesamte Länge beider Elektroden zurücklegen muss, um den Kreis zu schließen, wird die Selbstinduktivität der Vorrichtung verringert.
Angrenzende Schichten bei der beispielhaften Anordnung von Fig. 1 können sich schematisch als positive und negative Platten vorgestellt werden. Die Elektrodenanordnung ist derart, dass der aus einer positiven Platte 10 fließende Strom in der entgegensetzten Richtung entlang einer angrenzenden negativen Platte 12 zurückfließt. Ein derartiges Vorsehen von Stromflüssen in entgegengesetzten Richtungen eliminiert jegliche Gegeninduktivität, welche durch angrenzende Stromflüsse in der gleichen Richtung erzeugt wird.
Die Fig. 2A, 2B, 3A und 3B zeigen verschiedene Merkmale, welche in einem beispielhaften Vielschichtkondensator integriert sind, um die hier offenbarte Kondensatoranschlussanordnung zu bewirken. Fig. 2A zeigt einen beispielhaften Interdigitalkondensator (IDC) 20 mit Elektrodenplatten wie die in Fig. 1 dargestellten, welche in einem Körper aus dielektrischem Material 22 angeordnet sind. Der IDC 20 kann alternativ als Vielschichtanordnung von Elektrodenschichten 10, 12, beschrieben werden, welche mit einer Vielzahl dielektrischer Schichten verschachtelt sind. Das dielektrische Material 22 umfasst vorzugsweise sämtliche Abschnitte von Elektrodenschichten 10 und 12, mit Ausnahme von Abschnitten der Kontaktnasen 14, welche entlang der Seiten der Kondensatorgestaltung 20 freigelegt sind.
Beim besten Verfahren (bzw. bei bevorzugten Ausführungsbeispielen) der vorliegenden Erfindung können die Elektrodenschichten 10 und 12 typischerweise aus Platin, Nickel, einer Palladium-Silber-Legierung bzw. anderen geeigneten Elementen oder Kombinationen von Elementen bestehen. Ein typischerweise verwendetes dielektrisches Material kann Bariumtitanat bzw. ein anderes geeignetes Dielektrikum sein. Geeignete Dielektrika werden oft verwendet, so dass eine maximale Kapazität bei Temperaturen irgendwo oberhalb Raumtemperatur (oftmals etwa 60°C) geliefert wird.
Anschlussstege 24 werden dann auf den Umfang des IDC 20 aufgebracht, um die freigelegten Abschnitte der Elektrodenkontaktnasen 14 zu verbinden. Die Elektrodenkontaktnasen 14 sind typischerweise in Interdigitalspalten ausgerichtet; das beispielhafte Ausführungsbeispiel von Fig. 2A ist gekennzeichnet durch zwei Sätze aus vier Kontaktnasenspalten. Lediglich vier dieser Kontaktnasenspalten sind aus der Sicht von Fig. 2A sichtbar. Typischerweise kann die Anzahl von Kontaktnasenspalten somit der Anzahl von Anschlussstegen 24 entsprechen, welche zum Verbinden mit sämtlichen freigelegten Abschnitten von Elektrodenstegen 14 erforderlich sind. Die acht Anschlussstege 24, dargestellt in Fig. 2B, umspannen ausgewählte Seiten des IDC 20, so dass ein Abschnitt jedes Stegs auf obersten und untersten Schichten des Kondensators 20 angeordnet ist. Es ist ebenso aus Fig. 2B ersichtlich, dass ein Umspannen der Umfangsstege 24 entlang der längeren Seiten 18 des beispielhaften IDC im Gegensatz zu der kürzeren Seite 16 bevorzugt ist. Das folgende Anschlussschema, welche entlang des Kondensatorchips 20 gebildet wird, befindet sich entlang der längeren Seite 18 des Kondensatorchips. Im Gegensatz zu einem Anschließen entlang der kürzeren Seite 16 des Chips 20, liefert die Gestaltung der vorliegenden Erfindung eine kürzere Strecke des Strompfads, wodurch eine niedrigere ESL erzeugt wird. Typische Abmessungen für solch kürzere Seiten 16 bzw. längere Seiten 18 eines Chips 20 können etwa 60 × 120 tausendstel Zoll bzw. etwa 50 × 80 tausendstel Zoll sein. Bei einigen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung können verschiedene Abmessungen realisiert werden, wie Fachleuten auf diesem Gebiet leicht verständlich.
Der nächste Schritt zum Bewirken der Anschlussanordnung der vorliegenden Erfindung besteht im Beschichten der längeren Seiten 18 des IDC 20 mit einem Lötstoppmaterial 26, wie in Fig. 3A. Beispielhafte Substanzen zur Verwendung als Lötstopp 26 beinhalten Glas bzw. andere geeignete organische Materialien. Durch Beschichten der Kanten des IDC 20 mit einem Lötstopp wird eine BLM (BLM: Ball Limiting Metallurgy) für die obere und untere Fläche des IDC 20 bewirkt.
Nach dem Vorsehen eines Lötstoppmaterials 26 können Lötelemente 28 dann wie in Fig. 3B aufgebracht werden, um ein BGA-Gehäuse niedriger Induktivität zu bilden. Die Lötelemente 28 können typischerweise Lötpunkte umfassen, welche eine typische Abmessung von etwa 10-15 tausendstel Zoll aufweisen können (obwohl andere Größen realisiert werden können, wie in der Technik bekannt). Eine zusätzliche Durchführung derartiger BGA- Packungstechniken können die Verteilung von Lötpreformen über eine gesamte Oberfläche eines Kondensatorchips 20 beinhalten. Lötpunkte 28 können über die gesamte Oberfläche, Bodenfläche bzw. beide Flächen des Kondensatorelements gemäß der vorliegenden Anschluss- und Montagetechniken verteilt werden.
Sobald die Lötpreformen 28 einem Reflow-Vorgang unterzogen wurden, wird ein Spaltenelement aus Lötmittel gebildet. Diese Lötelemente dienen zum Montieren des Kondensators 20 und dienen als beanspruchsaufnehmender Abstand. Eine derartige Anschlussanordnung entspricht allgemein dem Vorsehen externer Kontaktlöcher, ausgebildet entlang der Seiten der Kondensatorstruktur 20. Da keine internen Kontaktlöcher erforderlich sind, wird die Raumeffizienz und die maximale Kapazität der Struktur aufrechterhalten. Sobald das Kondensatorelement aus Fig. 3B gebildet ist (und mit Lötelementen 28 zusammengebaut ist), ist der Chip 20 ohne die Verwendung eines zusätzlichen Lötmittels montierbar. Da feine Lötspuren oft schwer zu bilden sind, ist es ziemlich vorteilhaft, dass bei einer solchen Vorrichtung der Chip 20 einfach auf einer Leiterplatte angeordnet werden kann und anschließend ein Lötmittel-Reflow zum Vervollständigen der Anordnung durchgeführt wird. Es ist bevorzugt, eine Vielzahl von Lötpunktzusammensetzungen vorzusehen, um verschiedenen Kundenbedürfnissen und Kundenvorlieben gerecht zu werden. Eine derartige Designflexibilität gewährleistet Low-Fire- bzw. High-Fire-Lötmittel-Reflow-Abläufe geringer, wie Fachleuten auf diesem Gebiet ohne genauere Erläuterung verständlich ist.
Das Chipdesign von Fig. 3A ist nicht nur mit einer LGA-Packung, wie in Fig. 3B dargestellt, sondern ebenso mit einer AGA-Packung kompatibel. Unterschiedliche Packungs- und Anschlussgestaltungen können für einige Anwendungen geeigneter sein als andere, was Fachleuten auf diesem Gebiet leicht ersichtlich sein sollte.
Eine weitere Designoption beim Realisieren verschiedener Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung besteht darin, ob Einzelkondensatoren oder Mehrfachkondensatoren 30 gewünscht sind oder nicht. Fig. 4A und 4B stellen jeweils beispielhafte Schemata dieser beiden Optionen dar.
Wie in den obigen beispielhaften Ausführungsbeispielen dargelegt, können Elektrodenschichten 10 und 12 einen Einzelinterdigitalkondensator (IDC) 30 mit Mehrfachanschlüssen vorsehen, wie das in der Fig. 4A dargestellte beispielhafte Ausführungsbeispiel. Jedoch kann eine derartige Anordnung in Übereinstimmung mit umfassenderen Aspekten der vorliegenden Erfindung modifiziert werden, so dass beispielhafte Ausführungsbeispiele, wie das in der Fig. 4B ausgeführte Element, erhalten werden. Gemäß der vorliegenden Offenbarung werden externe Merkmale des zuvor genannten Chipaufbaus beibehalten, wohingegen die Elektroden 10 und 12 innen unterteilt werden. Fig. 4B zeigt, dass derartige Abwandlungen mehrere diskrete Kondensatoren 30 bzw. eine Kondensatoranordnung ergeben. Somit kann das Anschlussschema der vorliegenden Erfindung in Übereinstimmung mit IDCs oder integrierten passiven Komponenten (IPCs) realisiert werden.
Eine im allgemeinen seitliche Ansicht eines beispielhaften Vielschichtkondensatoranschlussschemas gemäß der offenbarten Technologie ist in Fig. 5 dargestellt. Abwechselnde Elektrodenschichten 10 und 12 sind in einem Chipkörper angeordnet, und Abschnitte dieser Elektroden können vorzugsweise an ausgewählten Seiten des Chips 20 offengelegt sein. Bei einer derartigen typischen Kondensatorgestaltung wie in Fig. 5 dargestellt sind Abdeckschichten minimaler Dicke erforderlich, um bestimmten Beanspruchungen, welche beim Herstellverfahren entstehen, zu widerstehen. Das Vorhandensein einer derartigen Oberschicht der Dicke 32 und einer Bodenschicht der Dicke 34 in Kombination mit dem Anschlussschema von Fig. 5 verleiht einer solchen Kondensatorvorrichtung mehr Serienersatzinduktivität, genauer durch Erhöhen der Schleifenbahninduktivität. Erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele ermöglichen eine Verringerung solcher oberen und unteren Abdeckschichten. Noch einmal wiederholt, diese Potentialdifferenz hat eine Kondensatorgestaltung mit wesentlich niedrigerer ESL zur Folge.
Es können einige mehr spezielle beispielhafte Anordnungen von Anschlüssen und eines Lötstoppmaterials in Übereinstimmung mit Vielschichtkondensatoren (MLCs) realisiert werden. Ein allgemeiner MLC-Chipkörper 36 ist in den Fig. 6A, 6B und 6C mit veränderten Anschlussschemata dargestellt. Obwohl die hier dargestellten MLCs 36 durch einfache Chipgestaltungen wiedergegeben sind, kann deren Innengestaltung ähnlich der beispielhaften IDC-Querschnittsansicht von Fig. 5 realisiert werden.
Gegenüberliegende Umfangsanschlüsse 24, wie in den Fig. 6A und 6B dargestellt, können jeweils eine gesamte Stirnfläche eines MLC 36 abdecken, wobei sich diese zu jeder der vier Flächen, welche an jede entsprechende Stirnfläche angrenzen, erstrecken. Bei diesem beispielhaften sechsseitigen MLC deckt somit jeder Umfangsanschluss Abschnitte von fünf Oberflächen eines MLC 36 ab. In Übereinstimmung mit der Bildung von Umfangsanschlüssen wie in den Fig. 6A und 6B kann dann entsprechend einem einzelnen Umfangsanschluss ein Lötstopp 26 entweder auf eine Oberfläche (wie in Fig. 6A) oder auf drei Oberflächen (wie in Fig. 6B) aufgebracht werden. Die Wahl einer Lötstoppgestaltung wird dann vorzugsweise in einer ähnlichen Weise an dem gegenüberliegenden Anschluss 24 bei jedem beispielhaften Ausführungsbeispiel eines MLC angewendet. Jede dieser jeweiligen beispielhaften Gestaltungen liefert eine begrenzende Metallurgie ("limiting metallurgy"), wie zuvor gemäß der vorliegenden Technologie beschrieben.
Die in Fig. 6C dargestellte beispielhafte Gestaltung ähnelt in gewisser Weise den Anschluss- und Lötmasken-Merkmalen des in Fig. 3A dargestellten beispielhaften Ausführungsbeispiels. Ein Anschlusssteg 24 verläuft über eine Stirnfläche einer MLC 36 und dann zu zwei ausgewählten gegenüberliegenden Flächen angrenzend an die Stirnfläche. Somit deckt jeder der beiden beispielhaften Umfangsanschlüsse 24 von Fig. 6C Abschnitte dreier Flächen eines beispielhaften MLC-Chipkörpers 36 ab. Gemäß dieser beispielhaften Gestaltung wird ein Lötstopp 26 dann vorzugsweise lediglich auf jede entsprechende Stirnfläche aufgebracht, wie in den Fig. 6A und 6C. Jegliche Kombination aus den Anschlussmerkmalen 24 und dem Lötstopp 26 der Fig. 6A, 6B und 6C könnte verwendet werden, um zusätzliche beispielhafte Ausführungsbeispiele der entsprechenden Technologie zu bilden.
Die verschiedenen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung, wie in obiger Beschreibung dargelegt, beinhalten viele flexible Designoptionen. Diese können die Wahl des Typs eines Grid-Array-Gehäuses, die Festlegung der Anzahl diskreter Kondensatoren 30 sowie die Wahl einer bevorzugten Zusammensetzung der Lötpunkte 28 beinhalten. Ein Ausführungsbeispiel, welche durch jegliche Kombination derartiger Wahlentscheidungen charakterisiert ist, kann noch immer mit dem Anschlussschema niedriger Induktivität der vorliegenden Erfindung kombiniert werden. Jede dieser Kombinationen erbringt Kondensatoren niedriger Induktivität zu verhältnismäßig geringen Kosten zur Verwendung bei jeglicher Hochfrequenzanwendung, welche Entkopplungskondensatoren erfordert.
Während die vorliegende Erfindung genau unter Bezugnahme auf spezifische Ausführungsbeispiele davon beschrieben wurde, ist klar, dass Fachleute auf diesem Gebiet bei Erlangung eines Verständnisses der vorhergehenden Beschreibung leicht Abwandlungen, Veränderungen und Äquivalente bezüglich derartiger Ausführungsbeispiele ersinnen können. Dementsprechend hat der Umfang der vorliegenden Offenbarung eher beispielhaften denn begrenzenden Charakter, und die entsprechende Offenbarung schließt einen Einbezug derartiger Abwandlungen, Veränderungen und/oder Hinzunahmen bezüglich der vorliegenden Erfindung nicht aus, was einem Fachmann auf diesem Gebiet leicht verständlich ist, wobei der Umfang der vorliegenden Erfindung in den beiliegenden Ansprüchen dargelegt ist.

Claims

1. Vielschichtkondensator, umfassend:
einen Körper aus dielektrischem Material;
eine Vielzahl von Elektrodenschichten, angeordnet in dem Körper aus dielektrischem Material;
eine Vielzahl von Elektrodenkontaktnasen, welche ausgehend von ausgewählten Schichten der Elektrodenschichten erstrecken und auf ausgewählten Seiten des Körpers aus dielektrischem Material offengelegt sind;
eine Vielzahl von Anschlussstegen, angeordnet auf dem Umfang des Körpers aus dielektrischem Material und verbunden mit offengelegten Abschnitten ausgewählter Elektrodenkontaktnasen der Vielzahl von Elektrodenkontaktnasen; und
mindestens einen Körper aus einem Lötstopp, aufgebracht auf ausgewählte Seiten des Vielschichtkondensators.

2. Vielschichtkondensator nach Anspruch 1, ferner umfassend eine Vielzahl von Lötelementen, einem Reflow unterzogen und verbunden mit ausgewählten Abschnitten der Vielzahl von Anschlussstegen, wobei der Lötmittelfluss infolge des Lötstopps in einer vorbestimmten Weise eingegrenzt wird.

3. Vielschichtkondensator nach Anspruch 1, wobei die Vielzahl von Elektrodenkontaktnasen derart angeordnet ist, dass ausgewählte Elektrodenkontaktnasen, welche sich ausgehend von abwechselnden Elektrodenschichten erstrecken, in jeweiligen Spalten ausgerichtet sind, wodurch ein Interdigitalkondensatorelement gebildet wird.

4. Vielschichtkondensator nach Anspruch 2, wobei der Körper aus dielektrischem Material durch eine obere Fläche und eine untere Fläche gekennzeichnet ist, und wobei die Elektrodenschichten in dem dielektrischen Körper derart angeordnet sind, dass jede dieser Elektrodenschichten im allgemeinen parallel zu der oberen Fläche und der unteren Fläche ausgerichtet ist.

5. Vielschichtkondensator nach Anspruch 4, wobei Abschnitte jedes der Umfangsstege auf der oberen Fläche und der unteren Fläche des Körpers aus dielektrischem Material angeordnet sind, wodurch ein oberer Satz aus Stegabschnitten und ein unterer Satz aus Stegabschnitten gebildet wird.

6. Vielschichtkondensator nach Anspruch 5, wobei die Lötelemente mit ausgewählten Stegabschnitten des oberen Satzes von Stegabschnitten und des unteren Satzes von Stegabschnitten verbunden sind.

7. Vielschichtkondensator nach Anspruch 2, wobei die Lötelemente aus vorausgewählten, in geeigneter Weise leitfähigen Materialien innerhalb eines Bereichs unterschiedlicher Schmelzpunkte bestehen können.

8. Vielschichtkondensator nach Anspruch 1, wobei ausgewählte Elektrodenschichten aus der Vielzahl von Elektrodenschichten unterteilt sind, um eine Kondensatoranordnung aus mehrfachen diskreten Kondensatorelementen zu liefern.

9. Vielschichtkondensator, welcher ausgewählte Merkmale aus LGA- und AGA-Anschlussmerkmalen beinhaltet, umfassend:
eine Vielzahl von Elektrodenschichten, wobei jede der Elektrodenschichten durch eine erste und eine zweite Seite gekennzeichnet ist;
eine Vielzahl dielektrischer Schichten, wobei ausgewählte Schichten der dielektrischen Schichten sowohl auf der ersten als auch der zweiten Seite jeder der Elektrodenschichten angeordnet sind, wodurch eine Vielschichtanordnung aus abwechselnden dielektrischen Schichten und Elektrodenschichten gebildet wird, so dass die Vielschichtanordnung durch eine oberste dielektrische Schicht und eine unterste dielektrische Schicht gekennzeichnet ist;
eine Vielzahl von Elektrodenkontaktnasen, welche sich ausgehend von ausgewählten Schichten der Elektrodenschichten erstrecken und entlang ausgewählter Seiten der Vielschichtanordnung freigelegt sind;
eine Vielzahl von Anschlussstegen, angeordnet auf dem Umfang der Vielschichtanordnung und verlaufend ausgehend von der obersten dielektrischen Schicht entlang ausgewählter Seiten der Vielschichtanordnung zu der untersten dielektrischen Schicht, und wobei die Anschlussstege mit ausgewählten freigelegten Abschnitten der Elektrodenkontaktnasen verbunden sind; und
einen Lötstopp, aufgebracht entlang ausgewählter Seiten der Vielschichtanordnung und aufgebracht über ausgewählte Abschnitte der Vielzahl von Anschlussstegen.

10. Vielschichtkondensator nach Anspruch 9, ferner umfassend eine Vielzahl von Lötpreformen, angeordnet auf ausgewählten Schichten der obersten dielektrischen Schicht und der untersten dielektrischen Schicht des Vielschichtkondensators und verbunden mit ausgewählten Abschnitten der Anschlussstege.

11. Vielschichtkondensator nach Anspruch 10, wobei die Lötpreformen aufgeschmolzen werden, um entsprechende Lötsäulen zum Montieren des Vielschichtkondensators zu bilden, und wobei der Lötmittelfluss dementsprechend durch das Vorsehen und die Anordnung des Lötstopps begrenzt wird.

12. Vielschichtkondensator nach Anspruch 10, wobei die Vielzahl von Elektrodenkontaktnasen derart angeordnet ist, dass ausgewählte Elektrodenkontaktnasen, welche sich ausgehend von abwechselnden Elektrodenschichten erstrecken, in entsprechenden Spalten ausgerichtet sind, wodurch ein Interdigitalkondensatorelement gebildet wird.

13. Vielschichtkondensator nach Anspruch 10, wobei die Lötpreformen aus vorausgewählten leitfähigen Materialien innerhalb eines Bereichs unterschiedlicher Schmelzpunkte bestehen können, wodurch verschiedene Brennbedingungen vereinfacht werden.

14. Vielschichtkondensator nach Anspruch 10, wobei ausgewählte Schichten der Elektrodenschichten unterteilt werden, um eine Kondensatoranordnung aus mehrfachen diskreten Kondensatorelementen zu liefern.

15. Vielschichtkondensator nach Anspruch 10, wobei die Dicke der obersten dielektrischen Schicht und die Dicke der untersten dielektrischen Schicht minimiert werden, um die Gesamtinduktivität des Vielschichtkondensators zu verringern.

16. Vielschichtkondensatoranordnung mit Anschlüssen niedriger Induktivität, umfassend:
eine Vielzahl dielektrischer Schichten;
eine Vielzahl von Elektrodenschichten, verschachtelt mit ausgewählten Schichten der dielektrischen Schichten, um eine Vielschichtanordnung zu bilden, wobei die Vielschichtanordnung eine definierte obere Fläche, eine definierte untere Fläche und eine Vielzahl von Seitenflächen aufweist;
eine Vielzahl von Elektrodenkontaktnasen, welche sich ausgehend von ausgewählten Schichten der Elektrodenschichten erstrecken und auf ausgewählten Seitenflächen der Vielschichtanordnung freigelegt sind;
eine Vielzahl von Anschlussstegen, welche mit dem Umfang der Vielschichtanordnung und mit ausgewählten freigelegten Abschnitten der Elektrodenkontaktnasen verbunden sind und sich auf ausgewählte Schichten der obersten und untersten Schichten der Vielschichtanordnung erstrecken;
einen Lötstopp, aufgebracht auf ausgewählte Seiten der Vielschichtanordnung und aufgebracht über Abschnitte der Anschlussstege, wodurch eine BLM (BLM: Ball Limiting Metallurgy) auf den obersten und untersten Flächen der Vielschichtanordnung bewirkt wird; und
eine Vielzahl von Lötelementen, angebracht an ausgewählten Abschnitten der Anschlussstege auf ausgewählten Schichten der obersten und untersten Schichten der Vielschichtanordnung.

17. Vielschichtkondensatoranordnung nach Anspruch 16, wobei die Vielzahl von Elektrodenkontaktnasen derart angeordnet sind, dass ausgewählte Elektrodenkontaktnasen, welche sich ausgehend von abwechselnden Elektrodenschichten erstrecken, in entsprechenden Spalten ausgerichtet sind, wodurch ein Interdigitalkondensatorelement gebildet wird.

18. Vielschichtkondensatoranordnung nach Anspruch 16, wobei die Vielzahl von Lötelementen aus vorausgewählten leitfähigen Materialien innerhalb eines Bereich verschiedener Schmelzpunkte bestehen kann, wodurch verschiedene Brennbedingungen vereinfacht werden.

19. Vielschichtkondensatoranordnung nach Anspruch 16, wobei die Vielzahl von Seitenflächen ein Paar längerer Seiten und ein Paar kürzerer Seiten umfasst, und wobei der Lötstopp entlang jeder Seite in dem Paar längerer Seiten aufgebracht wird.

20. Vielschichtelektronikkomponente, umfassend:
einen im allgemeinen rechtwinkligen Körper, gekennzeichnet durch ersten und zweite gegenüberliegende Stirnflächen;
einen ersten Umfangsanschluss, welcher auf die erste Stirnfläche aufgebracht ist und einen ausgewählten Abschnitt davon abdeckt;
einen zweiten Umfangsabschluss, welcher auf die zweite Stirnfläche aufgebracht ist und einen ausgewählten Abschnitt davon abdeckt; und
mindestens eine Schicht aus einem Lötstopp, welche auf ausgewählte Seiten des im allgemeinen rechtwinkligen Körpers aufgebracht ist und Abschnitte aus einem ausgewählten Anschluss aus dem ersten Umfangsanschluss und dem zweiten Umfangsanschluss abdeckt.

21. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 20, wobei der erste Umfangsanschluss eine Mehrheit der ersten Stirnfläche abdeckt und sich hin zu mindestens zwei anderen angrenzenden Seiten des im allgemeinen rechtwinkligen Körpers erstreckt, und wobei der zweite Umfangsanschluss eine Mehrheit der zweiten Stirnfläche abdeckt und sich hin zu mindestens zwei anderen angrenzenden Flächen des im allgemeinen rechtwinkligen Körpers erstreckt.

22. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 21, wobei die Schicht aus einem Lötstopp im allgemeinen die erste Stirnfläche und jegliche Abschnitte des ersten Umfangsanschlusses darauf abdeckt, und wobei die Vielschichtelektronikkomponente ferner eine zweite Schicht aus einem Lötstopp umfasst, welche im allgemeinen die zweite Stirnfläche und jegliche Abschnitte des zweiten Umfangsanschlusses darauf abdeckt.

23. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 20, wobei der erste Umfangsanschluss die erste Stirnfläche vollständig abdeckt und sich hin zu Abschnitten jeder Fläche des im allgemeinen rechtwinkligen Körpers angrenzend an die erste Stirnfläche erstreckt, und wobei der zweite Umfangsanschluss die zweite Stirnfläche vollständig abdeckt und sich hin zu Abschnitten jeder Fläche des im allgemeinen rechtwinkligen Körpers angrenzend an die zweite Stirnfläche erstreckt.

24. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 23, wobei die erste Schicht aus einem Lötstopp im allgemeinen die erste Stirnfläche und Abschnitte des ersten Umfangsanschlusses darauf abdeckt, und wobei die Vielschichtelektronikkomponente ferner eine zweite Schicht aus einem Lötstopp umfasst, welche im allgemeinen die zweite Stirnfläche und Abschnitte des zweiten Umfangsanschlusses davon abdeckt.

25. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 24, wobei die Schicht aus einem Lötstopp, welche die erste Stirnfläche abdeckt, sich hin zu mindestens zwei anderen Flächen des im allgemeinen rechtwinkligen Körpers angrenzend an die erste Stirnfläche erstreckt, wobei Abschnitte des ersten Umfangsanschlusses davon abgedeckt werden, und wobei der zweite Umfangsanschluss, welcher die zweite Stirnfläche abdeckt, sich hin zu mindestens zwei anderen Flächen des im allgemeinen rechtwinkligen Körpers angrenzend an die zweite Stirnfläche erstreckt, wobei Abschnitte des zweiten Umfangsanschlusses darauf abgedeckt werden.

26. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 25, ferner umfassend eine Vielzahl von Lötpreformen, verbunden mit ausgewählten Abschnitten der ersten und zweiten Umfangsanschlüsse, wobei der Reflow der Lötpreformen begrenzt und eingeschränkt ist durch die entsprechenden Schichten eines Lötstopps.

27. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 26, wobei die Vielzahl von Lötpreformen entweder in einer LGA-Gestaltung oder in einer AGA- Gestaltung angeordnet sind.

28. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 22, ferner umfassend eine Vielzahl von Lötpreformen, verbunden mit ausgewählten Abschnitten der ersten und zweiten Umfangsanschlüsse, wobei der Reflow der Lötpreformen begrenzt und eingeschränkt ist durch die jeweiligen Schichten eines Lötstopps.

29. Vielschichtelektronikkomponente nach Anspruch 28, wobei die Vielzahl von Lötpreformen entweder in einer LGA-Gestaltung oder in einer AGA- Gestaltung angeordnet ist.