DE10228793A1 - Elektronisches Bauelement, welches aufgestapelte Mikrochips enthält - Google Patents
Elektronisches Bauelement, welches aufgestapelte Mikrochips enthältInfo
- Publication number
- DE10228793A1 DE10228793A1 DE10228793A DE10228793A DE10228793A1 DE 10228793 A1 DE10228793 A1 DE 10228793A1 DE 10228793 A DE10228793 A DE 10228793A DE 10228793 A DE10228793 A DE 10228793A DE 10228793 A1 DE10228793 A1 DE 10228793A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- microchip
- microchips
- electronic component
- acceleration
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
- H01L2224/29191—The principal constituent being an elastomer, e.g. silicones, isoprene, neoprene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06506—Wire or wire-like electrical connections between devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06582—Housing for the assembly, e.g. chip scale package [CSP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30105—Capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
Ein elektronisches Bauelement enthält zwei Mikrochips und eine Bondschicht, in welcher die Mikrochips zusammengebondet sind. Die Bondschicht ist eine Haftschicht eines Silikontyps, welche eine Einfrierungstemperatur besitzt, die größer als +120 DEG C oder kleiner als -40 DEG C ist. Daher wird der Einfluß der Änderung des Elastizitätsmoduls der Bondschicht infolge des Einfrierens in Bezug auf die elektronische Charakteristik von einem der Mikrochips in dem Temperaturbereich zwischen -40 DEG C und +120 DEG C im wesentlichen aufgehoben. Darüber hinaus ist der Elastizitätsmodul in dem Temperaturbereich zwischen -40 DEG C und +120 DEG C verringert. Daher wird der Einfluß einer thermischen Spannung in einem der Mikrochips in Bezug auf die elektronische Charakteristik unterdrückt.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein elektronisches Bauelement, in welchem in der Mehrzahl vorkommende Mikrochips aufgestapelt sind.
- Als elektronisches Bauelement dieses Typs wird ein Beschleunigungssensor (Beschleunigungsmesser) vorgeschlagen, welcher einen verarbeitenden Mikrochip, einen abtastenden Mikrochip und ein Gehäuse enthält. Der Beschleunigungssensor wird unter derart harten thermischen Bedingungen verwendet, wie sie in einem Fahrzeug auftreten, in welchem die Temperatur des Sensors im Gebrauch zwischen -40°C und +120°C liegt.
- Der verarbeitende Mikrochip, welcher in dem Gehäuse befindlich ist, besitzt einen Bondbereich. Auf diesem Bondbereich ist der abtastende Mikrochip befindlich. Der abtastende Mikrochip enthält ein aus einem Halbleiter wie Silizium gebildetes Substrat und ein Abtastgebiet, welches in dem Substrat lokalisiert ist. Das Abtastgebiet dient dem Abtasten einer Beschleunigung eines Zielobjekts, d. h. einer Geschwindigkeitsänderungsrate des Zielobjekts. Wenn die Geschwindigkeit des Zielobjekts ansteigt, ist die Beschleunigung positiv, und wenn die Geschwindigkeit sich verringert, ist die Beschleunigung negativ. Positive und negative Beschleunigungen können auf dieselbe Weise erfaßt werden, was im folgenden lediglich für den Fall gilt, bei welchem eine positive Beschleunigung erfaßt wird.
- Bei dem vorgeschlagenen Beschleunigungssensor sind der verarbeitende Mikrochip und der abtastende Mikrochip durch einen Haftfilm eines Polyimidtyps zusammengebondet. Wie in Fig. 5 dargestellt, ändert sich jedoch das Elastizitätsmodul des Haftfilms des Polyimidtyps relativ bedeutsam bei etwa 110°C infolge des Einfrierens (glas transition) des Haftfilms des Polyimidtyps. Daher wird die Abtastgenauigkeit des abtastenden Mikrochips durch die relativ bedeutsame Änderung des Elastizitätsmoduls des Haftfilms des Polyimidtyps unerwünscht verringert.
- Der vorgeschlagene Beschleunigungssensor kann verschiedene Beschleunigungsbereiche (dynamischer Bereich) durch Kombinieren der Empfindlichkeit (Ausgangssignal pro Einheit der Beschleunigung) des abtastenden Mikrochips und eines Verstärkungsfaktors des verarbeitenden Mikrochips abdecken. Insbesondere kann der vorgeschlagene Beschleunigungssensor mehrere Beschleunigungsbereiche von einem minimalen Bereich von 0 g-0,3 g bis zu einem maximalen Bereich 0 g-250 g abdecken (die Einheit g ist die Erdbeschleunigung). Jedoch wird in dem Fall, bei welchem der vorgeschlagene Beschleunigungssensor derart entworfen ist, daß er einen relativ kleinen Beschleunigungsbereich abdeckt, beispielsweise in dem Fall, bei welchem die obere Erfassungsgrenze der Beschleunigung in dem Bereich zwischen 0,3 g und 1,5 g liegt, die Abtastgenauigkeit des abtastenden Mikrochips durch die Änderung des Elastizitätsmoduls der Haftschicht des Polyimidtyps ernsthaft verringert.
- In dem Fall, bei welchem der vorgeschlagene Beschleunigungssensor ein Maximum von 5 V in dem durch den vorgeschlagenen Beschleunigungssensor abgedeckten dynamischen Bereich ausgibt und die obere Erfassungsgrenze 50 g beträgt und die Abweichung des Ausgangssignals von dem vorgeschlagenen Beschleunigungssensor durch Dvol (V) dargestellt wird, beträgt das Ausgangssignal (V) pro Einheitsbeschleunigung (g) 0,1 + 0,02 Dvol (V/g). In dem Fall, bei welchem die obere Erfassungsgrenze bei 1,5 g liegt, beträgt das Ausgangssignal (V) pro Einheitsbeschleunigung (g) 3,3 + 0,67 Dvol (V/g). Die Abtastgenauigkeit wird durch die Änderung des Elastizitätsmoduls der Haftschicht des Polyimidtyps ernsthaft verringert, wenn der vorgeschlagene Beschleunigungssensor eine derartige relativ hohe Empfindlichkeit wie in dem zuletzt genannten Fall besitzt.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein elektronisches Bauelement zu schaffen, welches zwei Mikrochips und eine Bondschicht enthält, in welcher die Mikrochips zusammengebondet sind, und bei welchem der Einfluß des Elastizitätsmoduls der Bondschicht auf die elektronische Charakteristik von einem der Mikrochips vorzugsweise unterdrückt wird.
- Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch die Merkmale des Anspruchs 1.
- Bei der vorliegenden Erfindung ist die Bondschicht ein Haftfilm eines Silikontyps, welche eine Einfriertemperatur größer als +120°C oder kleiner als -40°C besitzt. Daher wird der Einfluß der Änderung des Elastizitätsmoduls der Bondschicht infolge des Einfrierens auf die elektronische Charakteristik im wesentlichen in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C aufgehoben. Insbesondere ist der Elastizitätsmodul in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C verringert. Daher wird der Einfluß einer thermischen Spannung in einem der Mikrochips auf die elektronische Charakteristik unterdrückt.
- Die vorliegende Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung erläutert.
- Fig. 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Beschleunigungssensors der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
- Fig. 2 zeigt einen Graphen, welcher die Korrelation zwischen dem Elastizitätsmodul eines Haftfilms eines Silikontyps und der Temperatur darstellt;
- Fig. 3 zeigt einen Graphen, welcher die Korrelation zwischen dem anfänglichen Fehler bei der Beschleunigung und der Temperatur eines Bezugsbeschleunigungssensors darstellt, welcher einen Haftfilm eines Polyimidtyps enthält;
- Fig. 4 zeigt einen Graphen, welcher die Korrelation zwischen dem anfänglichen Fehler bei der Empfindlichkeit und der Temperatur des Bezugsbeschleunigungssensors darstellt;
- Fig. 5 zeigt einen Graphen, welcher die Korrelation zwischen dem Elastizitätsmodul des Haftfilms des Polyimidtyps und der Temperatur darstellt;
- Fig. 6 zeigt einen Graphen, welcher die Korrelation zwischen dem anfänglichen Fehler bei der Beschleunigung und der Temperatur des Beschleunigungssensors der Ausführungsform darstellt; und
- Fig. 7 zeigt einen Graphen, welcher die Korrelation zwischen dem anfänglichen Fehler bei der Empfindlichkeit und der Temperatur des Beschleunigungssensors der Ausführungsform darstellt.
- Die vorliegende Erfindung wird detailliert unter Bezugnahme auf eine Ausführungsform und mehrere Modifizierungen der Ausführungsform beschrieben.
- Ein in Fig. 1 dargestelltes elektronisches Bauelement ist ein Beschleunigungssensor S1, der unter einer derart rauhen Bedingung verwendet werden kann, wie sie in einem Fahrzeug auftritt, wobei die Temperatur der Sensoren im Gebrauch in einem Bereich zwischen -40°C und +120°C liegt. Der Beschleunigungssensor S1 enthält einen verarbeitenden Mikrochip 3 (einen ersten Mikrochip), einen abtastenden Mikrochip 5 (einen zweiten Mikrochip) und ein Gehäuse 1. Das Gehäuse 1 enthält einen Keramikkörper und ein Verdrahtungsteil für eine elektrische Verbindung. Das Gehäuse 1 wird nicht nur zur Anpassung des verarbeitenden Mikrochips 3 und des abtastenden Mikrochips 5, sondern ebenfalls auch zum Anbringen des Beschleunigungssensors S1 auf einem Zielobjekt und ebenfalls zum Senden eines elektrischen Signals von dem verarbeitenden Mikrochip 3 verwendet. Wie in Fig. 1 dargestellt, besitzt der verarbeitende Mikrochip 3 einen Bondbereich 3a, und der abtastende Mikrochip 5 ist auf dem Bondbereich 3a des verarbeitenden Mikrochips 3 lokalisiert, welcher in dem Gehäuse 1 befindlich ist. Bei dem Beschleunigungssensor S1 von Fig. 1 sind der verarbeitende Mikrochip 3 und das Gehäuse 1 durch ein aus einem Harz eines Silikontyps gebildetes Haftmittel 2 gebondet, und der abtastende Mikrochip 5 und der verarbeitende Mikrochip 3 sind durch eine Haftschicht 4 (Bondschicht) gebondet.
- Der abtastende Mikrochip 5 enthält ein aus einem Halbleiter wie Silizium gebildetes Substrat und ein Abtastgebiet. Obwohl nicht dargestellt, befindet sich das Abtastgebiet in dem Substrat, um eine Beschleunigung des Zielobjekts abzutasten. Obwohl nicht dargestellt, enthält das Abtastgebiet eine bewegliche Elektrode und eine feste Elektrode. Jede Elektrode besitzt Ausleger, welche die Form von Kammzähnen besitzen, wobei zwei Sätze von Auslegern ineinander greifen. Jeder Ausleger der beweglichen Elektrode bewegt sich relativ, wobei die Kapazität zwischen der beweglichen Elektrode und der festen Elektrode verändert wird, wenn sich die Geschwindigkeit des Zielobjekts erhöht oder verringert. Die Beschleunigung des Zielobjekts wird auf der Grundlage der Änderung der Kapazität erfaßt.
- Der verarbeitende Mikrochip 3 enthält ein aus einem Halbleiter wie Silizium gebildetes Substrat und ein verarbeitendes Gebiet. Obwohl nicht dargestellt enthält das verarbeitende Gebiet eine C/V-Wandlerschaltung und befindet sich in dem Substrat, um ein kapazitives Signal von dem abtastenden Mikrochip 5 zu verarbeiten. Die C/V-Wandlerschaltung ist unter Verwendung von Transistoren wie einem MOSFET und einem Bipolartransistor gebildet, welche mit einem Halbleiterherstellungsverfahren auf bekannte Weise gebildet worden sind. Wie in Fig. 1 dargestellt sind der abtastende Mikrochip 5 und der verarbeitende Mikrochip 3 elektrisch mit einem Bonddraht 6 verbunden, und es sind der verarbeitende Mikrochip 3 und das Gehäuse 1 mit einem Bonddraht 7 elektrisch verbunden. Das kapazititve Signal wird von dem abtastenden Mikrochip 5 dem verarbeitenden Mikrochip 3 durch den Bonddraht 6 übertragen, und es wird das kapazitive Signal durch die C/V-wandlerschaltung in ein Potentialsignal umgewandelt. Danach wird das Potentialsignal dem Gehäuse 1 durch den Bonddraht 7 ausgegeben.
- Der Haftfilm 4, welcher zum Bonden des abtastenden Mikrochips 5 und des verarbeitenden Mikrochips 3 verwendet wird, ist ein Haftmittelfilm 4 eines Silikontyps, welcher aus Silikonharz mit einer Einfriertemperatur von etwa -100°C gebildet ist. Daher wird der Einfluß der Änderung des Elastizitätsmoduls des Haftfilms 4 infolge des Einfrierens in Bezug auf die Abtastgenauigkeit des abtastenden Mikrochips 5 wenigstens in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C im wesentlichen aufgehoben. Darüber hinaus beträgt der Elastizitätsmodul des Haftfilms 4 in etwa 1 MPa und ist im wesentlichen in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C wie in Fig. 2 dargestellt konstant, in welcher der Elastizitätsmodul zwischen +20°C und 200°C dargestellt ist. Daher ist die thermische Spannung, welche durch eine Temperaturdifferenz zwischen den Mikrochips 3, 5 hervorgerufen wird, in dem abtastenden Mikrochip 5 in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C relativ niedrig, und es wird der Einfluß der thermischen Spannung auf die Abtastgenauigkeit des abtastenden Mikrochips 5 unterdrückt. Es ist möglich, anstelle des Silikonharzes andere Materialien zu verwenden, die eine Einfriertemperatur besitzen, welche größer als 120°C oder kleiner als -40°C ist, und einen Elastizitätsmodul zwischen 1 MPa und 10 MPa in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C besitzen. Die anderen Materialien sind Epoxidharz, Polyimidharz, Acrylharz, Urethanharz, Gummi, ein Flüssigkristallpolymer, usw.
- Die Ausleger der beweglichen Elektrode, welche sich relativ bewegen, so daß sich die Kapazität im Ansprechen auf die Beschleunigkeit des Zielobjekts ändert, bewegen sich ebenfalls, so daß sich die Kapazität ändert, wenn sich der Elastizitätsmodul des Haftfilms 4 relativ bedeutsam ändert oder wenn eine relativ große thermische Spannung in dem Mikrochip 5 gebildet wird. Daher liefert wie in Fig. 3 und 4 dargestellt ein Bezugsbeschleunigungssensor, welcher einen Haftfilm eines Polyimidtyps enthält, dessen Elastizitätsmodul sich relativ bedeutsam bei etwa 110°C infolge des Einfrierens wie in Fig. 5 dargestellt ändert, relativ große Meßfehler bei der Beschleunigung und Empfindlichkeit. Der Bezugsbeschleunigungssensor besitzt dieselbe Struktur wie der Beschleunigungssensor S1 von Fig. 1 mit der Ausnahme, daß der Haftfilm des Polyimidtyps verwendet wird. Der Bezugsbeschleunigungssensor besitzt denselben dynamischen Bereich, dessen obere Grenze 1,5 g beträgt, wie der Beschleunigungssensor S1.
- Demgegenüber ist wie in Fig. 2 dargestellt der Elastizitätsmodul des Haftfilms des Silikontyps viel kleiner und stabiler als derjenige des Haftfilms des Polyimidtyps, so daß die thermische Spannung vorzugsweise niedrig und stabil in dem Beschleunigungssensor S1 von Fig. 1 ist. Daher liefert wie in Fig. 6 und 7 dargestellt, der Beschleunigungssensor S1 von Fig. 1 kleinere Fehler bei der Beschleunigung und der Empfindlichkeit als der Bezugsbeschleunigungssensor. In Fig. 3 und 6 wird ein Toleranzbereich durch die Toleranzlinien dargestellt, welcher auf der Grundlage der Toleranzen (±50 mV) bei der Abweichung Dvol gezogen worden sind. In Fig. 4 und 7 wird ein Toleranzbereich durch die Toleranzlinien dargestellt, welche auf einer Grundlage der Toleranz von (± 1,4%) des Fehlers der Empfindlichkeit gezogen worden sind. In Fig. 3, 4, 6 und 7 sind eine Mehrzahl von Meßergebnissen bei -30°C, +25°C und 85°C von einer Mehrzahl von Beschleunigungssensoren S1 und einer Mehrzahl von Bezugssensoren aufgezeichnet. Alle Meßergebnisse von den Beschleunigungssensoren S1 liegen wie in Fig. 6 und 7 dargestellt in den Toleranzbereichen.
- Der Beschleunigungssensor S1 von Fig. 1 wird wie folgt hergestellt. Nachdem das Haftmittel 2 auf die innere Oberfläche des Gehäuses 1 aufgetragen worden ist, wird der verarbeitende Mikrochip 3 auf dem Haftmittel 2 plaziert. Danach wird das Haftmittel 2 ausgehärtet. Es wird bevorzugt, daß die Tröpfchen (beads), welche eine vorbestimmte Teilchengröße besitzen, einstweilig dem Haftmittel 2 hinzugefügt werden, um die Dicke des Haftmittels 2 zu homogenisieren und den verarbeitenden Mikrochip 3 relativ genau auf einem vorbestimmten Pegel zu tragen.
- Darauffolgend werden der Haftfilm 4 und der abtastende Mikrochip 5 einer nach dem anderen in dieser Reihenfolge auf dem Bondbereich 3a des verarbeitenden Mikrochips 3 angebracht. Nachdem ein Blatt, welches eine Mehrzahl von Haftfilmen 4 enthält, an einem Wafer befestigt worden ist, welcher eine Mehrzahl von abtastenden Mikrochips 5 enthält, werden alternativ der Wafer und das Blatt geschnitten und in eine Mehrzahl von Paaren des abtastenden Mikrochips 5 und der Haftschicht 4 getrennt, und danach wird eines der Paare en Block auf dem Bondbereich 3a angebracht.
- Wenn ein flüssiges Haftmittel anstelle des Haftfilms 4 verwendet wird, können Bondinseln des verarbeitenden Mikrochips, auf welchem die Bonddrähte 6, 7 gebondet sind, durch Polymere mit einem niedrigen Molekulargewicht verunreinigt werden, welche von den flüssigen Haftmitteln auslaufen, und es kann die Drahtbondqualität verringert werden. Bei dem Beschleunigungssensor S1 von Fig. 1 werden der abtastende Mikrochip 5 und der verarbeitende Mikrochip 3 nicht mit dem flüssigen Haftmittel sondern mit dem Haftfilm 4 gebondet. Daher besteht ein Vorteil dahingehend, daß sich die Drahtbondqualität durch die Verunreinigung in dem Beschleunigungssensor S1 von Fig. 1 nicht verringert.
- Nachdem der Haftfilm 4 und der abtastende Mikrochip 5 auf dem Bondbereich 3a des verarbeitenden Mikrochips 3 angebracht worden sind, wird der Haftfilm 4 gehärtet, um die Mikrochips 3, 5 relativ fest und dauerhaft zu bonden. Danach werden die Mikrochips 3, 5 und das Gehäuse durch den Bonddraht 6, 7 elektrisch verbunden, welcher aus Gold oder Aluminium hergestellt wird, um den in Fig. 1 dargestellten Beschleunigungssensor S1 fertigzustellen.
- Die vorliegende Erfindung kann auf elektronische Bauelemente wie einen Winkelgeschwindigkeitssensor, einen Drucksensor, einen Temperatursensor oder einen optischen Sensor durch Ersetzen des abtastenden Mikrochips 5 mit entsprechenden Abtastchips angewandt werden. Zusätzlich zu der C/V-Wandlerschaltung kann der verarbeitenden Mikrochip 3 eine Speicherschaltung enthalten, welche unter Verwendung von Transistoren wie einem MOSFET und einem Bipolartransistor gebildet wird. Bei dem Beschleunigungssensor S1 von Fig. 1 wird der abtastende Mikrochip 5 auf dem verarbeitenden Mikrochip gestapelt. Daher kann die Stapelstruktur entgegengesetzt sein, d. h. es kann der Verarbeitungsmikrochip 3 auf dem abtastenden Mikrochip 5 gestapelt werden. Die vorliegende Erfindung kann ebenfalls auf ein elektronisches Bauelement angewandt werden, bei welchem zwei abtastende Mikrochips oder zwei verarbeitende Mikrochips aufgestapelt sind.
- Vorstehend wurde ein elektronisches Bauelement offenbart, welches aufgestapelte Mikrochips enthält. Das elektronisches Bauelement enthält zwei Mikrochips und eine Bondschicht, in welcher die Mikrochips zusammengebondet sind. Die Bondschicht ist eine Haftschicht eines Silikontyps, welche eine Einfriertemperatur besitzt, die größer als +120°C oder kleiner als -40°C ist. Daher wird der Einfluß der Änderung des Elastizitätsmoduls der Bandschicht infolge des Einfrierens in Bezug auf die elektronische Charakteristik von einem der Mikrochips in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C im wesentlichen aufgehoben. Darüber hinaus ist der Elastizitätsmodul in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C verringert. Daher wird der Einfluß einer thermischen Spannung in einem der Mikrochips in Bezug auf die elektronische Charakteristik unterdrückt.
Claims (6)
1. Elektronisches Bauelement (S1) mit:
einem ersten Mikrochip (3), welcher einen Bondbereich (3a) besitzt;
einem zweiten Mikrochip (5); und
einer Bondschicht (4), welche sich in Kontakt mit den ersten und zweiten Mikrochips (3, 5) befindet, um die ersten und zweiten Mikrochips (3, 5) auf dem Bondbereich (3a) zu bonden, wobei die Bondschicht (4) eine Einfriertemperatur besitzt, die größer als +120°C oder kleiner als -40°C ist, um einen Einfluß der Änderung des Elastizitätsmoduls der Bondschicht (4) infolge des Einfrierens bezüglich einer elektronischen Charakteristik des zweiten Mikrochips (5) in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C im wesentlichen aufzuheben.
einem ersten Mikrochip (3), welcher einen Bondbereich (3a) besitzt;
einem zweiten Mikrochip (5); und
einer Bondschicht (4), welche sich in Kontakt mit den ersten und zweiten Mikrochips (3, 5) befindet, um die ersten und zweiten Mikrochips (3, 5) auf dem Bondbereich (3a) zu bonden, wobei die Bondschicht (4) eine Einfriertemperatur besitzt, die größer als +120°C oder kleiner als -40°C ist, um einen Einfluß der Änderung des Elastizitätsmoduls der Bondschicht (4) infolge des Einfrierens bezüglich einer elektronischen Charakteristik des zweiten Mikrochips (5) in dem Temperaturbereich zwischen -40°C und +120°C im wesentlichen aufzuheben.
2. Elektronisches Bauelement (S1) nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Bondschicht (4) ein
Haftfilm (4) eines Silikontyps ist.
3. Elektronisches Bauelement (S1) nach Anspruch 1
oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Mikrochip
(5) ein elektrisches Signal im Ansprechen auf eine
Beschleunigung eines Zielobjekts ausgibt, wobei die
Beschleunigung auf der Grundlage des elektrischen Signals
erfaßt wird und eine obere Erfassungsgrenze der
Beschleunigung in dem Bereich zwischen 0,3 g und 1,5 g liegt.
4. Elektronisches Bauelement (S1) nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Einfriertemperatur kleiner als -40°C ist.
5. Elektronisches Bauelement (S1) nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der
Elastizitätsmodul kleiner als 10 MPa in dem Temperaturbereich
zwischen -40°C und +120°C ist, um einen Einfluß einer
thermischen Spannung in dem zweiten Mikrochip (5) in
Bezug auf die elektronische Charakteristik zu unterdrücken.
6. Elektronisches Bauelement (S1) nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß der Elastizitätsmodul in dem
Bereich zwischen 1 MPa und 10 MPa liegt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001206684A JP2003021647A (ja) | 2001-07-06 | 2001-07-06 | 電子装置 |
JP206684/01 | 2001-07-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10228793A1 true DE10228793A1 (de) | 2003-04-10 |
DE10228793B4 DE10228793B4 (de) | 2010-03-18 |
Family
ID=19042779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10228793A Expired - Lifetime DE10228793B4 (de) | 2001-07-06 | 2002-06-27 | Elektronisches Bauelement, welches aufgestapelte Mikrochips enthält |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6593663B2 (de) |
JP (1) | JP2003021647A (de) |
DE (1) | DE10228793B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010007605A1 (de) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | Epcos Ag, 81669 | Miniaturisiertes Bauelement mit zwei Chips |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4397653B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2010-01-13 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用接着シート |
JP4337570B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2009-09-30 | 株式会社デンソー | センサ装置およびその製造方法 |
JP2005331258A (ja) | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Denso Corp | 振動型角速度センサ |
JP2006017524A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Denso Corp | 角速度センサ |
US7640807B2 (en) * | 2004-07-21 | 2010-01-05 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor Sensor |
JP4206984B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2009-01-14 | 株式会社デンソー | 角速度検出装置 |
JP4438579B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2010-03-24 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
US7262493B2 (en) * | 2005-01-06 | 2007-08-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | System and method for mounting electrical devices |
JP4569322B2 (ja) * | 2005-03-02 | 2010-10-27 | 株式会社デンソー | 可動センサ素子 |
JP4492432B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2010-06-30 | 株式会社デンソー | 物理量センサ装置の製造方法 |
JP2007035965A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法、ならびにそれに使用される接着材料およびその製造方法 |
JP2007033393A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Denso Corp | 角速度センサ装置 |
JP2007057238A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Denso Corp | センサ |
JP4692260B2 (ja) * | 2005-12-12 | 2011-06-01 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ装置およびその製造方法 |
JP2009092545A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | 角速度および加速度検出用複合センサ |
KR101505551B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2015-03-25 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 온도 감지소자가 장착된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그제조방법 |
US8044792B2 (en) * | 2008-01-30 | 2011-10-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for controlling remote sensors |
CN204732405U (zh) | 2014-06-12 | 2015-10-28 | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 | 集成电路芯片的堆叠和电子装置 |
WO2020161937A1 (ja) * | 2019-02-05 | 2020-08-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | センサ装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5715455A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPS6134085A (ja) | 1984-07-26 | 1986-02-18 | Hitachi Chem Co Ltd | フイルム状接合部材 |
JPS62228926A (ja) | 1986-03-31 | 1987-10-07 | Hitachi Ltd | 半導体式圧力センサ |
JPH0676790B2 (ja) * | 1987-07-30 | 1994-09-28 | 株式会社東芝 | イグナイタ |
US5107586A (en) * | 1988-09-27 | 1992-04-28 | General Electric Company | Method for interconnecting a stack of integrated circuits at a very high density |
JP2800463B2 (ja) | 1991-05-10 | 1998-09-21 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH06120527A (ja) | 1992-10-05 | 1994-04-28 | Fujikura Ltd | 半導体圧力センサ |
JP3445641B2 (ja) * | 1993-07-30 | 2003-09-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP3278363B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2002-04-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体加速度センサ |
US5948991A (en) * | 1996-12-09 | 1999-09-07 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor device having semiconductor sensor chip integrated with semiconductor circuit chip |
JPH10270497A (ja) | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体素子固定方法 |
US6108210A (en) * | 1998-04-24 | 2000-08-22 | Amerasia International Technology, Inc. | Flip chip devices with flexible conductive adhesive |
JPH11326085A (ja) | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Omron Corp | センサ |
US6212767B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Assembling a stacked die package |
-
2001
- 2001-07-06 JP JP2001206684A patent/JP2003021647A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-27 DE DE10228793A patent/DE10228793B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-03 US US10/187,952 patent/US6593663B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010007605A1 (de) * | 2010-02-11 | 2011-08-11 | Epcos Ag, 81669 | Miniaturisiertes Bauelement mit zwei Chips |
DE102010007605B4 (de) * | 2010-02-11 | 2015-04-16 | Epcos Ag | Miniaturisiertes Bauelement mit zwei Chips und Verfahren zu dessen Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030006508A1 (en) | 2003-01-09 |
DE10228793B4 (de) | 2010-03-18 |
JP2003021647A (ja) | 2003-01-24 |
US6593663B2 (en) | 2003-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10228793A1 (de) | Elektronisches Bauelement, welches aufgestapelte Mikrochips enthält | |
DE102009038706B4 (de) | Sensorbauelement | |
DE102007027127B4 (de) | Sensor für eine physikalische Grösse | |
DE19727214C2 (de) | Halbleiterbeschleunigungssensor, insb. für Airbags | |
DE102005031128B4 (de) | Winkelgeschwindigkeitsdetektor | |
DE3741941C2 (de) | ||
DE102007044204B4 (de) | Sensor einer dynamischen Grösse | |
US8394673B2 (en) | Semiconductor device | |
DE10351761B4 (de) | Sensor für eine dynamische Grösse | |
DE102005043013B4 (de) | Sensoranordnung mit einem Stopper zur Begrenzung einer Verschiebung | |
DE19709731C2 (de) | Elektrostatisch-kapazitiver Beschleunigungssensor und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102012107403B4 (de) | Chip-Gehäuse-Modul für einen Chip und ein Verfahren zum Herstellen eines Chip-Gehäuse-Moduls | |
DE102014210006A1 (de) | Sensoreinheit und Verfahren zur Herstellung einer Sensoreinheit | |
DE19743749A1 (de) | Halbleiterdrucksensor | |
DE19734530A1 (de) | Halbleiterbeschleunigungssensor | |
CN1514251A (zh) | 加速度传感器 | |
DE10305625A1 (de) | Drucksensor | |
EP0964252A1 (de) | Vorrichtung zum Erfassen einer Dehnung und/oder einer Stauchung eines Körpers | |
DE102010031452A1 (de) | Niederdrucksensor-Vorrichtung mit hoher Genauigkeit und hoher Empfindlichkeit | |
US20230184603A1 (en) | Temperature coefficient of offset compensation for force sensor and strain gauge | |
DE112011105884T5 (de) | Verbundsensor und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102017220349B3 (de) | Mikromechanische Drucksensorvorrichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE112014003020B4 (de) | Sensorvorrichtung vom Spritzpresstyp | |
WO2020173624A1 (de) | Messgerät mit einem sensorelement und einer mess- und betriebsschaltung | |
DE102005006666A1 (de) | Piezoelektrischer Sensor und dessen Verwendung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: MURATA MANUFACTURING CO., LTD., NAGAOKAKYO-SHI, JP Free format text: FORMER OWNER: DENSO CORPORATION, KARIYA-CITY, AICHI-PREF., JP |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: DENNEMEYER & ASSOCIATES S.A., DE |
|
R071 | Expiry of right |