JPS6134085A - フイルム状接合部材 - Google Patents

フイルム状接合部材

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JPS6134085A
JPS6134085A JP15623784A JP15623784A JPS6134085A JP S6134085 A JPS6134085 A JP S6134085A JP 15623784 A JP15623784 A JP 15623784A JP 15623784 A JP15623784 A JP 15623784A JP S6134085 A JPS6134085 A JP S6134085A
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Hiroshi Minamizawa
南沢 寛
Toshiaki Fukushima
利明 福島
Takashi Morinaga
森永 喬
Hisashi Takagame
高亀 寿
Toyoji Oshima
大島 外代次
Toshihide Yamane
山根 敏英
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体装置における支持部材に半導体素子を
接合するのに適したフィルム状接合部材に関する。
(従来技術) 半導体装置の製造工程の中で、IC,LSTなどの半導
体素子と支持部材の接合(以後ダイボンディングと言う
)には、接合部材として金を用いた金−シリコーンの共
晶法るるいはハンダを用いたハンダ法、樹脂接着剤を用
いた接着剤法が用いられているのは周知である。
接合部材として金が用いられている理由は、耐腐食性に
優れていること及びシリコーンと共晶合金を作るため接
着強度に優れていることが挙げられるが、高価格な金會
用いることはコストアンプにつながる。一方、接合部材
にハンダを用いるハンダ法は、コストは安いので一部実
用化されているが、蒸発したハンダやハンダボールが飛
散して電極などに付着し、腐食断線の原因となる可能性
がるる。これに比べて、有機材料からなる接合部材が近
年急速に実用化されてきていて、コスト面。
作業性の面からグイボンディングの主流となシつつめる
(特公50−19436号公報、特開昭57−104,
234号公報、特開昭57−128,933号公報等参
照)。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、従来の有機接合部材では接合時の樹脂の
収縮が大きいために、半導体素子にストレスを与えて素
子自体を反らせてしまい、これに伴って半導体素子上の
回路に亀裂が生じるなど素子の信頼性を著しく低下させ
てしまう。また、見かけ上、欠点がなくても、封止後の
熱り歴によって同様の問題がおこる。これは大型の素子
になるほど顕著になシ、また。熱膨張係数の大きな銅系
の支持部材を使うと顕著になる。本発明は、このような
問題点を解決するものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上記問題点を解決するために、新規な接合部
材を提供するものである。
すなわち1本発明は樹脂連続相と樹脂分散相から構成さ
れるフィルムからなるフィルム状接合部材に関する。
本発明の接合部材は、樹脂連続相内に該樹脂と相溶性の
ない樹脂が分散された樹脂の二相構造。
いわゆる海(連続相)−島(分散相)構造を有する。分
散されている樹脂は4球状、フ1/−り状等の任意の形
状で樹脂マトリックス(樹脂連続相)内に分散している
樹脂連続相を形成する樹脂と樹脂分散相を形成する樹脂
は、互に非相溶性であればよいが、各々次に示すものが
好ましい。
樹脂連続相を形成する樹脂としては、熱分解温度が35
0℃以上の耐熱性のものが好ましく、熱可塑性樹脂でも
熱硬化性樹脂でもよい。また、°加熱によって可塑化及
び硬化反応しないものでもよい。
上記熱可塑性樹脂としては、ガラス転移点が160℃以
上であるものが好ましい。
以上の条件を満足する場合、封止工程で樹脂の劣化に伴
う半導体素子のはがれや腐食が起こりにくい。
樹脂連続相を形成する樹脂としては、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
イミド、ポリエーテルイミド、ポリアミトイSド、ポリ
エーテルエ・−チルケトン。
シリコーン樹脂、ポリスリボン、ポリフェニルサルファ
イド、ポリエーテルスルホン、ボリアミド。
ポリエーテルアミド、ポリカーボネート等があり。
一種で又は二種以上併用して使用される。
これらのうち、好ましい熱可塑性樹脂についてさらに詳
述すると次のとおシである。
総括的には、下記一般式(り又は一般式(1)で表わさ
れる繰シ返えし単位を有する樹脂である。
一般式(1) 一般式(n) ここに、上記一般式(1)中、Xは結合1 0 1S または−C−でめり、R4および几6はH、CHs 。
CxHs 、 C3H? 、 CFs ’I、たはCC
I!sで口)、YLsおよびR6は同一でも相異ってい
てもよい。また。
R1,& 、 RsおよびR4は、 H、CHs 、 
 CzHs 。
C5Ht m  0CHs *  0CzHII+  
0C3H7+ B rまたはCI!でsb、 R11R
21Rs>よびR4は同一でも相異ってもよい。更に上
記繰シ返えし単位は適宜の組み合わせで結合してもよい
上記樹脂の具体例としては次の如きものが挙げられる。
上記に於て。商品例として他に、アスト、レル36o(
カーポランダム社製、ポリアリーレンスルホン)、エコ
ノール(カーボランダム社a、ポリアリーレンエステル
)も包含される。
樹脂分散相を形成する樹脂としては9本発明の効果を奏
するために弾性を有するものが好ましく。
このために、熱可塑性樹脂が好ましい。
このような樹脂としては、不飽和重合性単量体の重合体
、ポリアミド、ポリエステル、シリコーンゴム、ポリウ
レタン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフ
ェニレンサルファイド等かラシ、これらは一種で又は二
種以上併用して使用される。
上記不飽和重合性単量体としては、エチレン。
プロピレン等のオレフィン、ブタジェン、イソプレン等
のジオレフィン、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピ
ル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシル
等のアクリル酸エステル、メタクリル酸メチル、メタク
リル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブ
チル、メタクリル酸2−エチルヘキシル等のメタクリル
酸エステル、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルト
ルエン、t−ブチルスチレン等のスチレン系単量体。
アクリロニトリル、メタクリロニトリル等のシアン化ビ
ニルなどがロシ、これらの重合体としては。
単独重合体でも共重合体でもよく、また、架橋されてい
てもよい。また、スチレン系単量体、シアン化ビニル等
の単独重合体が比較的小さい弾性を有するものは、他の
不飽和単量体(例えば、オレフィン、ジオレフィン、ア
クリル酸エステル等)と共重合させたものを使用するの
が好ましい。
上記接合部材には、充填剤及び/又は密着性改善剤が含
まれていてもよい。
充填剤としては導電性または絶縁性の粉末状充填剤が例
示されるが、半導体素子から発生する熱を特は支持部材
に放散させる必要がある場合には。
充填剤として銀粉、グラファイトやカーボンブランク等
の炭素粉末、又は炭素粉末と銀粉末との混合物を使用す
ることにより接合部材の熱伝導率を向上させることがで
きる。更には接着力の向上。
揺変性の付与等を目的として、必要に応じてシリカ、金
属酸化物1石英ガラス粉末を使用することも可能である
。これらの使用量は適宜決定されるが、樹脂に対して0
〜10重量%が好ましく、場合によ930重量%まで含
有することができる。
密着性改善剤としては、シラン系、アルミ系。
チタン系等の各種カンプリング剤がロシ、これらは1分
散相樹脂に予め2分散又は付着させておくのが好ましい
。これらの使用量は樹脂の総量に対して0〜0.3重量
%が好ましい。
本発明に係る接合部材は次のようにして製造できる。
連続相を形成する樹脂を溶剤に溶解し、これに分散相を
形成する樹脂を添加し、フェノを得る。
ここで9分散相を形成する樹脂は、連続相を形成する樹
脂と非相溶性のものでるり、また上記溶剤に溶解しない
ものが使用される。分散相を形成する樹脂は1球状、フ
レーク状等の固体小片で、平均粒径が乾燥状態で0.1
〜50μInのものが好ましく、平均粒径は1〜30μ
rnであるのが特に好ましい。
上記溶剤としては、プチルセロンルブ、N−メチルピロ
リドン、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド
、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン等がるる。
また、上記した充填剤を上記接合用フェノに添加しても
よい。
なお、ここで、熱硬化性樹脂を連続相とする場合には、
適宜硬化剤が添加される。硬化剤としては、エポキシ樹
脂に対して酸無水物、アミン等がアシ、硬化性ポリウレ
タンとしては、主剤のアクリルポリオール、ポリエステ
ルポリオールに対して硬化剤のポリイソシアネートが共
存させられる。
次いで、このようにして得られたフェノを、ガラス板等
適当な基板に成膜し、乾燥して溶剤を除去し、フィルム
とし、これを適当な大きさに切断して、接合用フィルム
片を得る。この時、熱硬化性樹脂を使用した時は、該樹
脂は、完全に硬化させず、最大限半硬化状態とされる。
フィルムの厚さは、1〜100μmが好ましい。
本発明のフィルム状接合部材を用いて、半導体装置にお
ける支持部材に半導体素子を接合するには2次のような
方法がおる。
は)上記フィルム状接合部材を支持部材に載せ。
この上に半導体素子を載置して加熱処理をする。
(2)支持部拐に、上記フィルム状接合部材を熱圧着し
て、支持部材上に接合部材層を形成し、これに半導体素
子を載置して、熱処理する。
(3)半導体素子の接合面に、フィルム状接合部材を熱
圧着して、半導体素子の接合面上に接合部材を形成し、
これを支持部材に載置して熱処理する。
なお、フィルム状接合部材は、リポ/状のものを適宜の
大きさに切断しながら接合工程に供給するようにしても
よい。
このような処理の後、適宜に封止工程が施こされる。封
止方法としては、樹脂封止、ガラス封止。
セラミンク封止等がろる。
このようにして得られた半導体装置の一例を第1図に示
す。第1図は、樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面
図でアシ、支持部材(リードフレーム)1に、接合部材
2を介して半導体素子3が接合されてお)、半導体素子
3と外部引出し線4はワイヤ5によってワイヤボンディ
ングされている。全体がエポキシ樹脂6で封止されてい
る。
上記支持部材としては、金属支持体(リードフレーム)
、ガラスエポキシ基板、セラミック基板等半導体装置の
基板として知られているものが使用できるが、特に、金
属支持体、なかでも銅リードフレームを用いた時に1本
発明に係る接合部材を使用することによる効果が顕著で
ある。
(作用) 本発明に係るフィルム状接合部材は、樹脂連続相と樹脂
分散相から構成されているため、接合時における該部材
の硬化収縮が小さく、従って、該フィルム状接合部材を
使用して支持部材に接合された半導体素子にそりがなく
、半導体素子の信頼性を低下させることがない。この効
果を得るために、樹脂連続相に対して樹脂分散相が2〜
50重量%の割合で存在するのが好ましく、特に10〜
30重量係存在するのが好ましい。
(実施例) 比較例1 ポリエーテルスルホン(VICTREX  1.C,I
社製)10重量部、銀粉末(平均粒子径1.2μm)1
0重量部及びN−メチルピロリドン100重量部を均一
に混合した。この組成物をガラス板の上に塗布し、80
℃91時間、200°C3時間で溶媒を加熱除去して、
厚さ30μmのフィルムを得た。
実施例1 ポリエーテルスルホン(VICTREX  1.C,I
社製)10重量部、銀粉末(平均粒子径1.2μm)1
0重量部、ポリエチレンの球状粒子(平均粒子径5μ)
1重量部及びN−メチルピロリドン100重量部を均一
に混合した。この組成物をガラス板の上に塗布し、80
°C,1時間、200℃、3時間で溶媒を加熱除去して
、厚さ30μmのフィルムを得た。
実施例2 ポリx−チルスルホy(VICTREX  1.C,I
社製)10重量部、銀粉末(平均粒子径1.2μm)1
0重量部、6−ナイロンの7レ一ク状粒子(平均粒子径
10μ)1重量部及びN−メチルピロリドン100重量
部を均一に混合した。この組成物をガラス板の上に塗布
し、80℃、1時間、200℃、3時間で溶媒を加熱除
去して、厚さ30μmの接合用フィルムを得た。
応用例1〜8 比較例1及び実施例1〜2で得られたフィルムを5mm
角に切断し、これを支持部材上に載せ。
350℃で10秒間熱溶着させた後、半導体素子(シリ
コーンチップ5mm角)を載置して、荷重100 gw
/cm”をかけて400℃で5秒間加熱処理して接合し
九。得られた半導体素子が接合された支持部材を用いて
、ベレットの支持部材へ接着強度及びそシを調べた。こ
の結果を表1に示す。
なお、応用例2〜3で別に得られた半導体素子が接合さ
れた支持部材をエポキシ樹脂で封止して第1図に示すよ
うな半導体装置としたが、半導体素子に異常はなく、ヒ
ートサイクル試験しても異常はなかった。
表1試験結果 *1)接着強度試験 半導体素子が接合された支持部材を水平に200℃又は
250℃に保たれたヒートブロック上に固定し、プッシ
ュプルゲージのロンドが支持部材上を水平に移動するよ
う圧して、半導体素子の側面を押圧し、ペレットがはが
れた時のブツシュグルゲージの目盛シを読んだ。
*2)顕微鏡に多重干渉装置を対物レンズ側に取シ付け
て、ベレット表面にできた干渉し′まの最初の間隔を測
定し。
(ただし、λは波長、Xは干渉しまの間隔である)で求
めたものでろる。
(発明の効果) 本発明に係るフィルム状接合部材を使用して支持部材に
接合された半導体素子は、そりがなく。
半導体素子表面の回路に亀裂を生じるようなことがなく
、半導体装置として信頼性が高いものを得ることができ
る。     。
【図面の簡単な説明】
第1図は、樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図で
ある。 符号の説明 1・・・支持部材     2・・・接合部材 33・
・・半導体素子    4・・・外部引出し線5・・・
ワイヤ      6・・・エポキシ樹脂第17   
1・屈曲 21椿合僻廿 3:生得4(シ 4:’y)jIv弓すし刑綻 引つイヤ 6:lどキシオ敏脂

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、樹脂連続相と樹脂分散相から構成されるフィルムか
    らなるフィルム状接合部材。 2、樹脂連続相の樹脂が、熱分解開始温度が350℃以
    上の樹脂である特許請求の範囲第1項記載のフィルム状
    接合部材。 3、樹脂連続相の樹脂が、エポキシ樹脂、フェノール樹
    脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド、ポ
    リエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエ
    ーテルケトン、シリコーン樹脂、ポリスルホン、ポリフ
    ェニルサルファイド、ポリエーテルスルン、ポリアミド
    、ポリエーテルアミド及びポリカーボネートからなる群
    から選ばれた少なくとも一種の樹脂である特許請求の範
    囲第1項又は第2項記載のフィルム状接合部材。 4、樹脂連続相の樹脂がガラス転移点160℃以上の熱
    可塑性樹脂である特許請求の範囲第1項又は第2項記載
    のフィルム状接合部材。 5、樹脂連続相の樹脂が芳香族ポリエーテルアミド、ポ
    リカーボネート、芳香族ポリエステル、ポリスルホン、
    ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド、
    ポリエーテルイミド及びポリエーテルエーテルケトンか
    らなる群から選ばれた少なくとも一種の樹脂である特許
    請求の範囲第4項記載のフィルム状接合部材。 6、樹脂分散相の樹脂が、樹脂連続相の樹脂と非相溶性
    であり、かつ弾性に富む樹脂である特許請求の範囲第1
    項記載のフィルム状接合部材。 7、樹脂分散相の樹脂が、熱可塑性樹脂である特許請求
    の範囲第6項記載のフィルム状接合部材。 8、樹脂分散相の樹脂が、不飽和重合性単量体の重合体
    、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、シリコー
    ンゴム、ポリスルホン、ポリフェニレンサルファイド及
    びポリエーテルスルホンからなる群から選ばれた少なく
    とも一種の樹脂である特許請求の範囲第7項記載のフィ
    ルム状接合部材。 9、不飽和重合性単量体の重合体が、オレフィン、ジオ
    レフィン、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステ
    ルからなる群から選ばれた少なくとも一種の単量体の重
    合体及び共重合体並びに該単量体とスチレン系単量体又
    はシアン化ビニルの共重合体からなる群から選ばれた少
    なくとも一種の重合体である特許請求の範囲第8項記載
    のフィルム状接合部材。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6151076A (ja) * 1984-08-21 1986-03-13 Tomoegawa Paper Co Ltd 接着テ−プ
JPS62141038U (ja) * 1986-03-01 1987-09-05
JPS62240374A (ja) * 1986-04-10 1987-10-21 Mitsubishi Paper Mills Ltd 熱活性粘着シ−トおよびその製造方法
JPH02260546A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Toshiba Chem Corp 半導体装置
JPH02262347A (ja) * 1989-04-03 1990-10-25 Toshiba Chem Corp 半導体装置
JPH08120231A (ja) * 1994-10-21 1996-05-14 Toyo Cloth Kk 接着シート
US6593663B2 (en) 2001-07-06 2003-07-15 Denso Corporation Electronic device including stacked microchips
US6607825B1 (en) 1995-12-26 2003-08-19 Ibiden Co., Ltd. Metal film bonded body, bonding agent layer and bonding agent
JP2010280781A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Nissan Chem Ind Ltd 接着剤組成物

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6151076A (ja) * 1984-08-21 1986-03-13 Tomoegawa Paper Co Ltd 接着テ−プ
JPH0228623B2 (ja) * 1984-08-21 1990-06-25 Tomoegawa Paper Co Ltd
JPS62141038U (ja) * 1986-03-01 1987-09-05
JPS62240374A (ja) * 1986-04-10 1987-10-21 Mitsubishi Paper Mills Ltd 熱活性粘着シ−トおよびその製造方法
JPH0248190B2 (ja) * 1986-04-10 1990-10-24 Mitsubishi Paper Mills Ltd
JPH02260546A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Toshiba Chem Corp 半導体装置
JPH02262347A (ja) * 1989-04-03 1990-10-25 Toshiba Chem Corp 半導体装置
JPH08120231A (ja) * 1994-10-21 1996-05-14 Toyo Cloth Kk 接着シート
US6607825B1 (en) 1995-12-26 2003-08-19 Ibiden Co., Ltd. Metal film bonded body, bonding agent layer and bonding agent
US6593663B2 (en) 2001-07-06 2003-07-15 Denso Corporation Electronic device including stacked microchips
JP2010280781A (ja) * 2009-06-03 2010-12-16 Nissan Chem Ind Ltd 接着剤組成物

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