DE102022211985A1 - Band-druckverbindungsvorrichtung - Google Patents

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Yoshinobu Saito
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Abstract

Eine Band-Druckverbindungsvorrichtung weist eine obere Kammer, eine untere Kammer, einen Anhebemechanismus, der zwischen einem geschlossenen Zustand, in dem die obere Kammer nach unten bewegt wird, um mit der unteren Kammer in Kontakt gebracht zu werden, und einem offenen Zustand, in dem die obere Kammer von der unteren Kammer getrennt ist, umschaltet, einen Vakuumabschnitt, der die obere Kammer und die untere Kammer evakuiert, und einen Atmosphären-Öffnungsabschnitt auf, der die obere Kammer und die untere Kammer zur Atmosphäre öffnet. Die untere Kammer nimmt einen Wafertisch auf, der eine Halteoberfläche aufweist, die eine kreisförmige Vertiefung aufweist, um nur einen Umfangsüberschussbereich des Wafers zu tragen und einen Bauelementbereich in einen kontaktlosen Zustand zu versetzen. Die Band-Druckverbindungsvorrichtung weist ein Überdruck-Erzeugungsmittel auf, das Luft zu der kreisförmigen Vertiefung des Wafertisches zuführt, um in der kreisförmigen Vertiefung einen Überdruckzustand zu bilden.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Band-Druckverbindungsvorrichtung zum Druckverbinden eines Bandes, das mit einem ringförmigen Rahmen druckverbunden ist, der eine Öffnung zum Aufnehmen eines Wafers in einer Mitte des ringförmigen Rahmens aufweist, mit einer hinteren Oberfläche des Wafers.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Ein Wafer mit einem Bauelementbereich und einem Umfangsüberschussbereich, der an einer vorderen Oberfläche davon ausgebildet ist, wobei in dem Bauelementbereich mehrere Bauelemente wie beispielsweise integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integrationsschaltungen (LSIs) durch mehrere sich kreuzende Straßen unterteilt sind, und der Umfangsüberschussbereich den Bauelementbereich umgibt. Die Seite der hinteren Oberfläche des oben beschriebenen Wafers wird geschliffen, und der Wafer wird in einer gewünschten Dicke ausgebildet und anschließend durch eine Teilungsvorrichtung oder eine Laserbearbeitungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt. Dann werden die so geteilten Bauelementchips für elektrische Geräte wie beispielsweise Mobiltelefone und PCs verwendet.
  • Der vorliegende Erfinder hat eine Technologie vorgeschlagen, bei der zur Erleichterung des Beförderns eines geschliffenen Wafers ein ringartiger Verstärkungsabschnitt an der hinteren Oberfläche verbleibt, die dem peripheren Überschussbereich entspricht, und nach Durchführung einer vorgegebenen Bearbeitung ein Teilungsband mit der hinteren Oberfläche des Wafers druckverbunden wird und der Wafer durch einen ringförmigen Rahmen getragen wird, und der ringförmige Verstärkungsabschnitt von dem Wafer entfernt wird (siehe beispielsweise die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2010-62375 ).
  • Die in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 2010 - 62375 offenbarte Technologie weist jedoch das Problem auf, dass ein Vorgang des Druckverbindens des Teilungsbands mit der hinteren Oberfläche des Wafers, der mit einem ringförmigen Verstärkungsabschnitt an seinem Umfang ausgebildet ist, und des Verbindens des Wafers mit einem ringförmigen Rahmen durch das Teilungsband schwierig durchzuführen ist, und dass es schwierig ist, den ringförmigen Verstärkungsabschnitt vom Wafer zu schneiden und zu entfernen, was zu einer geringen Produktivität führt.
  • Um dieses Problem zu beheben, könnte man in Betracht ziehen, einen Wafertisch verwenden, der die Seite der vorderen Oberfläche des Wafers für einen Vorgang trägt, um das Teilungsband an der hinteren Oberfläche des Wafers anzubringen, um den Wafer mit dem ringförmigen Rahmen zu verbinden. Um eine Beschädigung des an der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildeten Bauelementbereichs zu verhindern, ist der Wafertisch vorzugsweise mit einer kreisförmigen Vertiefung ausgebildet, die nur den Umfangsüberschussbereich trägt und nicht mit dem Bauelementbereich in Kontakt steht.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Die Ausgestaltung, bei der nur der Umfangsüberschussbereich an der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers durch den Wafertisch mit der kreisförmigen Vertiefung getragen wird und das Band eines ringförmigen Rahmens mit angebrachtem Band durch eine Drückwalze mit der hinteren Oberfläche des Wafers druckverbunden wird, könnte jedoch eine Beschädigung des Wafers verursachen.
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Band-Druckverbindungsvorrichtung vorzusehen, die einen Wafer nicht beschädigt, selbst wenn ein Band eines ringförmigen Rahmens mit angebrachtem Band durch eine Drückwalze mit der hinteren Oberfläche des Wafers druckverbunden wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Band-Druckverbindungsvorrichtung bereitgestellt, die ein Band, das mit einem ringförmigen Rahmen druckverbunden ist, der eine Öffnung zum Unterbringen eines Wafers in einer Mitte des ringförmigen Rahmens aufweist, mit einer hinteren Oberfläche des Wafers druckverbindet, wobei die Band-Druckverbindungsvorrichtung aufweist: eine obere Kammer, eine untere Kammer, die einen Wafertisch unterbringt, der eine Halteoberfläche aufweist, die eine kreisförmige Vertiefung aufweist, um nur einen Umfangsüberschussbereich des Wafers zu tragen und einen Bauelementbereich in einen kontaktlosen Zustand zu versetzen, einen Anhebemechanismus, der zwischen einem geschlossenen Zustand, in dem die obere Kammer nach unten bewegt ist, um in Kontakt mit der unteren Kammer gebracht zu werden, und einem offenen Zustand, in dem die obere Kammer von der unteren Kammer getrennt ist, umschaltet, einen Vakuumabschnitt, der die obere Kammer und die untere Kammer in dem geschlossenen Zustand evakuiert, einen Atmosphären-Öffnungsabschnitt, der die obere Kammer und die untere Kammer zur Atmosphäre öffnet, und ein Überdruck-Erzeugungsmittel, das Luft in die kreisförmige Vertiefung des Wafertisches zuführt, um einen Überdruckzustand in der kreisförmigen Vertiefung auszubilden, wobei der Überdruckzustand, in dem ein Druck in der kreisförmigen Vertiefung höher ist als ein Druck in der oberen Kammer und der unteren Kammer, hergestellt wird. In einem Zustand, in dem ein Band des ringförmigen Rahmens mit dem angebrachtem Band an der hinteren Oberfläche des vom Wafertisch getragenen Wafers positioniert ist, werden die obere Kammer und die untere Kammer evakuiert, während der geschlossene Zustand durch ein Betätigen des Anhebemechanismus aufrechterhalten wird, und das Band des ringförmigen Rahmens mit dem angebrachtem Band wird durch eine in der oberen Kammer angeordnete Drückwalze mit der hinteren Oberfläche des Wafers druckverbunden.
  • Bevorzugt arbeitet das Überdruck-Erzeugungsmittel, wenn die Drückwalze den Wafer durch das Band drückt. Ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt könnte an der hinteren Oberfläche, die dem Umfangsüberschussbereich des Wafers entspricht, auf eine vorstehende Weise ausgebildet sein.
  • Die Band-Druckverbindungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung weist ein Überdruck-Erzeugungsmittel auf, das Luft in die ringförmige Vertiefung des Wafers zuführt, um einen Überdruckzustand in der kreisförmigen Vertiefung auszubilden, wobei bei dem Überdruckzustand ein Druck in der ringförmigen Vertiefung höher eingestellt ist als ein Druck in der oberen Kammer und der unteren Kammer, und daher würde die Band-Druckverbindungsvorrichtung den Wafer nicht beschädigen, selbst wenn das Band des ringförmigen Rahmens mit angebrachtem Band durch die Drückwalze mit der hinteren Oberfläche des Wafers druckverbunden wird.
  • Die obigen und andere Gegenstände, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Band-Druckverbindungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 2 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung der in 1 dargestellten Band-Druckverbindungsvorrichtung;
    • 3 ist eine Schnittansicht des in 1 dargestellten Band-Druckverbindungselements;
    • 4A ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers mit einem Verstärkungsabschnitt;
    • 4B ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers ohne Verstärkungsabschnitt;
    • 5 ist eine perspektivische Ansicht eines ringförmigen Rahmens mit angebrachtem Band;
    • 6 ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem das Drücken des Bandes begonnen wird; und
    • 7 ist eine schematische Schnittansicht, die einen Zustand zeigt, in dem das Drücken des Bandes beendet ist.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine Band-Druckverbindungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • (Band-Druckverbindungsvorrichtung 2)
  • Wie in 1 dargestellt, weist die Band-Druckverbindungsvorrichtung 2 eine obere Kammer 4, eine untere Kammer 6, einen Anhebemechanismus 8, der zwischen einem geschlossenen Zustand, in dem die obere Kammer 4 nach unten bewegt wird, um mit der unteren Kammer 6 in Kontakt gebracht zu werden, und einem offenen Zustand, in dem die obere Kammer 4 von der unteren Kammer 6 getrennt ist, umschaltet, einen Vakuumabschnitt 10, der die obere Kammer 4 und die untere Kammer 6 in dem geschlossenen Zustand evakuiert, und einen Atmosphären-Öffnungsabschnitt 12 auf, der die obere Kammer 4 und die untere Kammer 6 für die atmosphärische Luft öffnet.
  • (Obere Kammer 4)
  • Die obere Kammer 4 weist eine kreisförmige obere Platte 14 und eine zylindrische Seitenwand 16 auf, die sich von einem Umfangsrand der oberen Platte 14 nach unten erstreckt, und ein unterer Teil der Seitenwand 16 ist geöffnet. Bezugnehmend auf die 2 und 3 sind in einem Aufnahmeraum, der durch eine untere Oberfläche der oberen Platte 14 und eine innere Umfangsoberfläche der Seitenwand 16 definiert ist, eine Drückwalze 18 zum Druckverbinden eines Bandes eines ringförmigen Rahmens, der mit dem Band an einem Wafer befestigt wird, ein Tragteil 20, der die Drückwalze 18 drehbar trägt, und ein X-Achsen-Zuführmechanismus 22 (siehe 2) angeordnet, der den Tragteil 20 in einer X-Achsen-Richtung bewegt, die durch einen Pfeil X in 2 angezeigt ist.
  • Wie in 2 dargestellt, weist der X-Achsen-Zuführmechanismus 22 eine Kugelgewindespindel 24, die mit dem Tragteil 20 verbunden ist und sich in der X-Achsen-Richtung erstreckt, sowie einen Motor 26 zum Drehen der Kugelgewindespindel 24 auf. Der X-Achsen-Zuführmechanismus 22 wandelt eine Drehbewegung des Motors 26 in eine geradlinige Bewegung um und überträgt die geradlinige Bewegung über die Kugelgewindespindel 24 an den Tragteil 20, wodurch die Drückwalze 18 zusammen mit dem Tragteil 20 entlang eines Paares von Führungsschienen 28 bewegt wird, die sich in der X-Achsen-Richtung erstrecken.
  • (Untere Kammer 6)
  • Wie in 2 und 3 dargestellt, weist die untere Kammer 6 eine zylindrische Seitenwand 30 auf. Die Seitenwand 30 ist an einem oberen Teil geöffnet und an einem unteren Teil geschlossen. In der Seitenwand 30 ist ein Wafertisch 32 aufgenommen, der den Wafer und den ringförmigen Rahmen hält.
  • Der Wafertisch 32 weist eine Halteoberfläche 34 auf, die in einer vertieften Form ausgebildet ist, um nur einen Umfangsüberschussbereich des Wafers zu halten und einen Bauelementbereich in einen kontaktlosen Zustand zu versetzen. Die Halteoberfläche 34 weist einen ringförmigen Halteabschnitt 36 auf, der den Umfangsüberschussbereich des Wafers und den ringförmigen Rahmen hält, sowie eine kreisförmige Vertiefung 38, die dem Bauelementbereich entspricht. Der ringförmige Halteabschnitt 36 weist einen Gummiring 40 auf, der entlang eines Umfangsrandes der kreisförmigen Vertiefung 38 angeordnet ist, und der Gummiring 40 ist mit mehreren Ansauglöchern 40a versehen, die in Abständen entlang einer Umfangsrichtung angeordnet sind. Jedes der Ansauglöcher 40a ist über einen Kanal 42 mit einer Ansaugquelle 44 (siehe 2) verbunden.
  • (Anhebemechanismus 8, Vakuumabschnitt 10, Atmosphären-Öffnungsabschnitt 12)
  • Der Anhebemechanismus 8 kann durch ein geeignetes Betätigungselement wie beispielsweise einen Luftzylinder ausgestaltet sein, der an einer oberen Oberfläche der oberen Platte 14 der oberen Kammer 4 angebracht ist. Die Ausgestaltung des Vakuumabschnitts 10 kann durch eine geeignete Vakuumpumpe erfolgen. Der Vakuumabschnitt 10 ist über einen Kanal 46 mit der unteren Kammer 6 verbunden. Zusätzlich ist der Kanal 46 mit einem Atmosphären-Öffnungsabschnitt 12 vorgesehen, der ein geeignetes Ventil aufweist, das den Kanal 46 für die Atmosphärenluft öffnen kann.
  • (Überdruck-Erzeugungsmittel 48)
  • In Fortsetzung der Beschreibung unter Bezugnahme auf die 2 und 3 weist die Band-Druckverbindungsvorrichtung 2 der vorliegenden Ausführungsform ein Überdruck-Erzeugungsmittel 48 auf, das Luft in den Bereich (kreisförmige Vertiefung 38) des in vertiefter Form ausgebildeten Wafertisches 32 zuführt, um einen Überdruckzustand in der kreisförmigen Vertiefung 38 zu erzeugen, d.h. einen Druck in der kreisförmigen Vertiefung 38 zu erzeugen, der höher ist als ein Druck in der oberen Kammer 4 und der unteren Kammer 6. Das Überdruck-Erzeugungsmittel 48 weist ein in der kreisförmigen Vertiefung 38 ausgebildetes Zufuhrloch 50 und eine Luftzufuhrquelle 54 (siehe 2) auf, die über einen Kanal 52 mit dem Zufuhrloch 50 verbunden ist.
  • (Wafer W)
  • 4A zeigt einen scheibenförmigen Wafer W, der an dem Band des ringförmigen Rahmens mit angebrachtem Band durch die Band-Druckverbindungsvorrichtung 2 angebracht wird. Der Wafer W kann aus einem geeigneten Halbleitermaterial wie beispielsweise Silizium (Si) und Siliziumkarbid (SiC) ausgebildet sein. Eine vordere Oberfläche Wa des Wafers W weist einen kreisförmigen Bauelementbereich Rd und einen Umfangsüberschussbereich Rs auf, der den Bauelementbereich Rd umgibt. Der Bauelementbereich Rd ist durch Straßen S in einem Gittermuster in mehrere rechteckige Bereiche unterteilt, und in jedem der rechteckigen Bereiche ist ein Bauelement D, wie beispielsweise ein IC und ein LSI, ausgebildet. Beachte, dass eine Grenze B zwischen dem Bauelementbereich Rd und dem Umfangsüberschussbereich Rs der Einfachheit halber durch abwechselnd lange und zwei kurze Striche dargestellt ist, in der Praxis ist die Grenze B jedoch nicht vorhanden.
  • Bei dem in 4A dargestellten Wafer W ist an einer hinteren Oberfläche Wb, die dem Umfangsüberschussbereich Rs entspricht, ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt R vorstehend ausgebildet. Daher ist die Dicke des Umfangsüberschussbereichs Rs größer als die Dicke des Bauelementbereichs Rd.
  • Zusätzlich könnte der Wafer, der durch die Band-Druckverbindungsvorrichtung 2 mit dem Band des ringförmigen Rahmens mit angebrachtem Band druckverbunden werden soll, ein Wafer sein, wie ein in 4B dargestellter Wafer W', der nicht mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt an einer hinteren Oberfläche Wb' des Wafers W' versehen ist. Beachte, dass in der folgenden Beschreibung hauptsächlich ein Fall des Druckverbindens des Bandes mit dem Wafer W, der mit dem Verstärkungsabschnitt R vorgesehen ist, beschrieben wird.
  • (Ringförmiger Rahmen mit angebrachtem Band FT)
  • 5 zeigt einen ringförmigen Rahmen mit angebrachtem Band FT, mit dem der Wafer W druckverbunden werden soll. Der ringförmige Rahmen mit angebrachtem Band FT weist einen ringförmigen Rahmen F auf, der eine Öffnung Fo zur Aufnahme des Wafers W aufweist, sowie ein kreisförmiges Band T, das mit dem ringförmigen Rahmen F druckverbunden ist.
  • Als nächstes wird die Funktionsweise der Band-Druckverbindungsvorrichtung 2, wie oben beschrieben, beschrieben.
  • In der vorliegenden Ausführungsform wird zunächst der Anhebemechanismus 8 betätigt, um einen offenen Zustand zu bilden, in dem die obere Kammer 4 von der unteren Kammer 6 getrennt ist. Als nächstes wird, wie in 2 dargestellt, der Wafer W an der Halteoberfläche 34 des Wafertisches 32 in einem Zustand platziert, in dem die mit den Bauelementen D ausgebildete vordere Oberfläche Wa nach unten gerichtet ist.
  • Beim Platzieren des Wafers W an der Halteoberfläche 34 wird der Umfangsüberschussbereich Rs des Wafers W an dem Gummiring 40 des ringförmigen Halteabschnitts 36 platziert, und der Bauelementbereich Rd des Wafers W wird an der kreisförmigen Vertiefung 38 positioniert. Dadurch werden selbst dann, wenn der Wafer W an der Halteoberfläche 34 des Wafertisches 32 in einem Zustand platziert wird, in dem die mit den Bauelementen D ausgebildete vordere Oberfläche Wa nach unten gerichtet ist, die Bauelemente D im Bauelementbereich Rd und die Halteoberfläche 34 nicht miteinander in Kontakt gebracht, und eine Beschädigung der Bauelemente D kann verhindert werden.
  • Als nächstes wird die Ansaugquelle 44 betätigt, um in jedem Ansaugloch 40a des Gummirings 40 eine Ansaugkraft zu erzeugen und dadurch den Umfangsüberschussbereich Rs des Wafers W unter Ansaugen zu halten. Der Druck in den Ansauglöchern 40a könnte zu diesem Zeitpunkt beispielsweise ein absoluter Druck von im Wesentlichen 100 Pa sein.
  • Wenn der Wafer W durch den Wafertisch 32 unter Ansaugen gehalten wird, wird der ringförmige Rahmen mit angebrachtem Band FT an dem ringförmigen Halteabschnitt 36 des Wafertisches 32 platziert (siehe 2). Zu diesem Zeitpunkt wird das Band T des ringförmigen Rahmens mit angebrachtem Band FT an der hinteren Oberfläche Wb des vom Wafertisch 32 getragenen Wafers W positioniert, und eine Haftoberfläche des Bandes T ist nach unten gerichtet, so dass die Haftoberfläche des Bandes T der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W zugewandt ist.
  • Nachdem der ringförmige Rahmen mit angebrachtem Band FT auf dem Wafertisch 32 platziert ist, wird die obere Kammer 4 durch den Anhebemechanismus 8 abgesenkt, und ein unteres Ende der Seitenwand 16 der oberen Kammer 4 wird mit einem oberen Ende der Seitenwand 30 der unteren Kammer 6 in Kontakt gebracht (siehe 3). Hierdurch werden die obere Kammer 4 und die untere Kammer 6 in einen geschlossenen Zustand versetzt. Dann kommt, wie in 6 dargestellt, die Drückwalze 18 in Kontakt mit dem ringförmigen Rahmen mit angebrachtem Band FT und die Haftoberfläche des Bandes T kommt mit einem oberen Ende des Verstärkungsabschnitts R des Wafers W in Kontakt.
  • Als nächstes wird der Vakuumabschnitt 10 in einem Zustand betrieben, in dem der Atmosphären-Öffnungsabschnitt 12 geschlossen ist, um das Innere der oberen und unteren Kammern 4 und 6 zu evakuieren. Es ist zu beachten, dass der Druck in den oberen und unteren Kammern 4 und 6 höher festgelegt ist als der Druck in den Ansauglöchern 40a (beispielsweise ein absoluter Druck von im Wesentlichen 200 Pa). Infolgedessen kann ein Zustand, in dem der Wafer W durch den Wafertisch 32 unter Ansaugen gehalten wird, aufrechterhalten werden, auch wenn die obere und die untere Kammer 4 und 6 evakuiert werden, obwohl eine Kraft zum Ansaugen des Wafers W leicht abgeschwächt ist.
  • Danach wird, wie in den 6 und 7 dargestellt, die in der oberen Kammer 4 angeordnete Drückwalze 18 durch den X-Achsen-Zuführmechanismus 22 in der X-Achsen-Richtung gedrückt, und der ringförmige Rahmen mit angebrachtem Band FT wird durch die Drückwalze 18 mit der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W druckverbunden. Zu diesem Zeitpunkt wird der Wafer W von der Drückwalze 18 durch das Band T nach unten gedrückt. Da der Wafer W nur den Umfangsüberschussbereich Rs aufweist, der vom Gummiring 40 des ringförmigen Halteabschnitts 36 getragen wird, und der Bauelementbereich Rd an der kreisförmigen Vertiefung 38 positioniert ist, wird der Wafer W dann infolge des Drückens durch die Drückwalze 18 nach unten verformt, und der Wafer W könnte gebrochen werden.
  • Da jedoch die Band-Druckverbindungsvorrichtung 2 der vorliegenden Ausführungsform mit dem Überdruck-Erzeugungsmittel 48 vorgesehen ist, das Luft in die kreisförmige Vertiefung 38 zuführt, um einen Überdruckzustand in der kreisförmigen Vertiefung 38 zu bilden, wobei der Überdruckzustand, in dem der Druck in der kreisförmigen Vertiefung 38 höher ist als der Druck in den oberen und unteren Kammern 4 und 6, kann verhindert werden, dass der Wafer W aufgrund des Drückens durch die Drückwalze 18 verformt wird, und es kann verhindert werden, dass er bricht.
  • Insbesondere, wenn der Wafer W durch die Drückwalze 18 durch das Band T gedrückt wird, wird die Luftzufuhrquelle 54 des Überdruck-Erzeugungsmittels 48 betätigt, um Luft in die kreisförmige Vertiefung 38 durch das Zufuhrloch 50 zuzuführen, wodurch die kreisförmige Vertiefung 38 in einen Überdruckzustand versetzt wird, in dem der Druck in der kreisförmigen Vertiefung 38 höher wird als der Druck in der oberen und unteren Kammer 4 und 6. Zu diesem Zeitpunkt ist der Druck in der kreisförmigen Vertiefung 38 etwas höher festgelegt als der Druck in den oberen und unteren Kammern 4 und 6. Beispielsweise könnte in einem Fall, in dem der Luftdruck in den oberen und unteren Kammern 4 und 6 ein Absolutdruck von im Wesentlichen 200 Pa ist, der Luftdruck in der kreisförmigen Vertiefung 38 ein Absolutdruck von im Wesentlichen 300 Pa sein.
  • Auf diese Weise kann in der Band-Druckverbindungsvorrichtung 2 der vorliegenden Ausführungsform, da der Druck in der kreisförmigen Vertiefung 38 durch das Überdruck-Erzeugungsmittel 48 positiver (höher) als der Druck in den oberen und unteren Kammern 4 und 6 wird, wenn der Wafer W durch die Drückwalze 18 durch das Band T gedrückt wird, verhindert werden, dass der Wafer W verbogen wird, und es kann verhindert werden, dass der Wafer W gebrochen wird.
  • Wenn das Band T durch die Drückwalze 18 mit dem Wafer W druckverbunden ist, würde die Ansaugkraft für den Wafer W durch den Wafertisch 32 geschwächt werden, wenn die obere und untere Kammer 4 und 6 evakuiert werden, wie oben erwähnt. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Umfangsüberschussbereich Rs des Wafers W jedoch an dem Gummiring 40 des ringförmigen Halteabschnitts 36 positioniert. Wenn also das Band T durch die Drückwalze 18 mit dem Wafer W druckverbunden wird, wird eine Positionsabweichung des Wafers W durch eine Reibungskraft zwischen dem Gummiring 40 und dem Wafer W verhindert.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist die hintere Oberfläche Wb des Wafers W mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt R ausgebildet. Dementsprechend könnte selbst dann, wenn das Band T durch die Drückwalze 18 mit der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W druckverbunden wird, ein Teil, mit dem das Band T nicht in engem Kontakt steht, an einem Ursprung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts R erzeugt werden.
  • In diesem Zusammenhang wird in der vorliegenden Ausführungsform das Band T durch die Drückwalze 18 in einem Zustand, in dem die oberen und unteren Kammern 4 und 6 evakuiert sind, mit dem Wafer W druckverbunden. Wenn also der Atmosphären-Öffnungsabschnitt 12 geöffnet wird, nachdem die Drückwalze 18 bewegt wurde, kann das Band T durch den Atmosphärendruck an den Wafer W gedrückt werden, und das Band T kann entlang der Wurzel des Verstärkungsabschnitts R in engen Kontakt mit dem Wafer W gebracht werden.
  • Beachte, dass in der vorliegenden Ausführungsform ein Fall beschrieben wurde, in dem das Band T ein Haftband ist, das Band T jedoch ein Thermokompressions-Verbindungsband sein könnte, bei dem keine Haftmittelschicht auf einer in dem Band enthaltenen Folie ausgebildet ist. Das Thermokompressions-Verbindungsband ist ein Band aus einem thermoplastischen synthetischen Kunststoff (beispielsweise einem Polyolefinkunststoff), das eine Haftkraft zeigt, indem es erweicht oder schmilzt, wenn es auf eine Temperatur in der Nähe seines Schmelzpunktes erwärmt wird.
  • In einem Fall, in dem das Band T ein Thermokompressions-Verbindungsband ist, kann das Band T durch Thermokompression mit der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W durch die Drückwalze 18 thermokompressionsverbunden werden, indem die Drückwalze 18 und/oder der Wafertisch 32 auf eine Temperatur erwärmt wird, bei der das Band T erweicht oder geschmolzen wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2010062375 [0003]
    • JP 2010 [0004]
    • JP 62375 [0004]

Claims (3)

  1. Band-Druckverbindungsvorrichtung, die ein Band, das mit einem ringförmigen Rahmen druckverbunden ist, der eine Öffnung zum Unterbringen eines Wafers in einer Mitte des ringförmigen Rahmens aufweist, mit einer hinteren Oberfläche des Wafers druckverbindet, wobei die Band-Druckverbindungsvorrichtung aufweist: eine obere Kammer; eine untere Kammer, die einen Wafertisch unterbringt, der eine Halteoberfläche aufweist, die eine kreisförmige Vertiefung aufweist, um nur einen Umfangsüberschussbereich des Wafers zu tragen und einen Bauelementbereich in einen kontaktlosen Zustand zu versetzen; einen Anhebemechanismus, der zwischen einem geschlossenen Zustand, in dem die obere Kammer nach unten bewegt ist, um in Kontakt mit der unteren Kammer gebracht zu werden, und einem offenen Zustand, in dem die obere Kammer von der unteren Kammer getrennt ist, umschaltet; einen Vakuumabschnitt, der die obere Kammer und die untere Kammer in dem geschlossenen Zustand evakuiert; einen Atmosphären-Öffnungsabschnitt, der die obere Kammer und die untere Kammer zur Atmosphäre öffnet; und ein Überdruck-Erzeugungsmittel, das Luft in die kreisförmige Vertiefung des Wafertisches zuführt, um einen Überdruckzustand in der kreisförmigen Vertiefung auszubilden, wobei der Überdruckzustand, in dem ein Druck in der kreisförmigen Vertiefung höher ist als ein Druck in der oberen Kammer und der unteren Kammer, hergestellt wird, wobei in einem Zustand, in dem ein Band des ringförmigen Rahmens mit dem angebrachtem Band an der hinteren Oberfläche des vom Wafertisch getragenen Wafers positioniert ist, die obere Kammer und die untere Kammer evakuiert werden, während der geschlossene Zustand durch ein Betätigen des Anhebemechanismus aufrechterhalten wird, und das Band des ringförmigen Rahmens mit dem angebrachtem Band durch eine in der oberen Kammer angeordnete Drückwalze mit der hinteren Oberfläche des Wafers druckverbunden wird.
  2. Band-Druckverbindungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei das Überdruck-Erzeugungsmittel arbeitet, wenn die Drückwalze den Wafer durch das Band drückt.
  3. Band-Druckverbindungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt an der hinteren Oberfläche, die dem Umfangsüberschussbereich des Wafers entspricht, auf eine vorstehende Weise ausgebildet ist.
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