DE102022134468A1

DE102022134468A1 - Organometallische verbindung und organische leuchtdiode mit derselben

Info

Publication number: DE102022134468A1
Application number: DE102022134468.1A
Authority: DE
Inventors: Kusun CHOUNG; Gyuhyeong Kim; Yoojeong JEONG; Hansol Park; KyoungJin PARK; Hyun Kim; Jin Ri HONG; Yeon Gun Lee
Original assignee: LG Display Co Ltd; Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd; Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd
Priority date: 2021-12-27
Filing date: 2022-12-22
Publication date: 2023-06-29
Also published as: TW202325715A; GB202219215D0; GB2615641B; JP2023097408A; CN116355020A; GB2615641A; US20230203075A1; KR20230099168A

Abstract

Eine neue organometallische Verbindung wird offenbart, in der ein Hauptligand (LA) eine fusionierte Ringstruktur mit einer Thiophengruppe umfasst. Die organometallische Verbindung wirkt als Dotierungsmaterial einer Phosphoreszenzlichtemissionsschicht einer organischen Leuchtdiode. Folglich wird eine Betriebsspannung der Diode gesenkt und eine Leuchteffizienz und eine Lebensdauer davon werden verbessert.

Description

HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine organometallische Verbindung und insbesondere auf eine organometallische Verbindung mit Phosphoreszenzeigenschaften und eine organische Leuchtdiode mit derselben.
Beschreibung des Standes der Technik
Da eine Anzeigevorrichtung auf verschiedenen Gebieten angewendet wird, nimmt das Interesse an der Anzeigevorrichtung zu. Eine der Anzeigevorrichtungen ist eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode (OLED), die sich schnell entwickelt.
Wenn in der organischen Leuchtdiode elektrische Ladungen in eine Lichtemissionsschicht injiziert werden, die zwischen einer positiven Elektrode und einer negativen Elektrode ausgebildet ist, werden ein Elektron und ein Loch in der Lichtemissionsschicht miteinander rekombiniert, um ein Exziton zu bilden, und folglich wird Energie des Exzitons in Licht umgewandelt. Folglich emittiert die organische Leuchtdiode das Licht. Im Vergleich zu herkömmlichen Anzeigevorrichtungen kann die organische Leuchtdiode mit einer niedrigen Spannung arbeiten, relativ wenig Leistung verbrauchen, ausgezeichnete Farben wiedergeben und kann in einer Vielfalt von Weisen verwendet werden, da ein flexibles Substrat darauf angewendet werden kann. Ferner kann eine Größe der organischen Leuchtdiode frei einstellbar sein.
ZUSAMMENFASSUNG
Die organische Leuchtdiode (OLED) weist einen überragenden Blickwinkel und ein überragendes Kontrastverhältnis im Vergleich zu einer Flüssigkristallanzeige (LCD) auf und ist leichtgewichtig und ist ultradünn, da die OLED kein Hintergrundlicht erfordert. Die organische Leuchtdiode umfasst mehrere organische Schichten zwischen einer negativen Elektrode (Elektroneninjektionselektrode; Kathode) und einer positiven Elektrode (Lochinjektionselektrode; Anode). Die mehreren organischen Schichten können eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Lochtransporthilfsschicht, eine Elektronensperrschicht und eine Lichtemissionsschicht, eine Elektronentransportschicht usw. umfassen.
In dieser Struktur der organischen Leuchtdiode werden, wenn eine Spannung über die zwei Elektroden angelegt wird, Elektronen und Löcher von der negativen bzw. der positiven Elektrode in die Lichtemissionsschicht injiziert und folglich werden Exzitonen in der Lichtemissionsschicht erzeugt und fallen dann auf einen Grundzustand um Licht zu emittieren.
Organische Materialien, die in der organischen Leuchtdiode verwendet werden, können weitgehend in Lichtemissionsmaterialien und Ladungstransportmaterialien klassifiziert werden. Das Lichtemissionsmaterial ist ein wichtiger Faktor, der die Leuchteffizienz der organischen Leuchtdiode bestimmt. Das Lumineszenzmaterial weist eine hohe Quanteneffizienz, ausgezeichnete Elektronen- und Lochmobilität auf und existiert gleichmäßig und stabil in der Lichtemissionsschicht. Die Lichtemissionsmaterialien können in Lichtemissionsmaterialen, die Licht mit blauer, roter und grüner Farbe emittieren, auf der Basis der Farben des Lichts klassifiziert werden. Ein Farberzeugungsmaterial kann einen Wirt und Dotierungsmaterialien umfassen, um die Farbreinheit und Leuchteffizienz durch Energieübertragung zu erhöhen.
In den letzten Jahren besteht ein Trend, vielmehr Phosphoreszenzmaterialien als Fluoreszenzmaterialien für die Lichtemissionsschicht zu verwenden. Wenn das Fluoreszenzmaterial verwendet wird, werden Singuletts als etwa 25 % von Exzitonen, die in der Lichtemissionsschicht erzeugt werden, verwendet, um Licht zu emittieren, während die meisten Tripletts als 75 % der Exzitonen, die in der Lichtemissionsschicht erzeugt werden, als Wärme abgeleitet werden. Wenn jedoch das Phosphoreszenzmaterial verwendet wird, werden Singuletts und Tripletts verwendet, um Licht zu emittieren.
Herkömmlich wird eine organometallische Verbindung als Phosphoreszenzmaterial verwendet, das in der organischen Leuchtdiode verwendet wird. Forschung und Entwicklung des Phosphoreszenzmaterials, um Probleme der niedrigen Effizienz und Lebensdauer zu lösen, sind kontinuierlich erforderlich.
Folglich besteht ein Zweck der vorliegenden Erfindung darin, eine organometallische Verbindung, die in der Lage ist, die Betriebsspannung zu senken und die Effizienz und Lebensdauer zu verbessern, und eine organische Leuchtdiode mit einer organischen Lichtemissionsschicht, die dieselbe enthält, zu schaffen.
Zwecke der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf den vorstehend erwähnten Zweck begrenzt. Andere Zwecke und Vorteile der vorliegenden Offenbarung, die nicht erwähnt sind, können auf der Basis der folgenden Beschreibungen verstanden werden und können auf der Basis von Beispielausführungsformen der vorliegenden Offenbarung deutlicher verstanden werden. Ferner ist leicht verständlich, dass die Zwecke und Vorteile der vorliegenden Offenbarung unter Verwendung von Mitteln, die in den Ansprüchen gezeigt sind, und Kombinationen davon verwirklicht werden können.
Um den obigen Zweck zu erreichen, schafft die vorliegende Offenbarung eine organometallische Verbindung mit einer neuen Struktur, die durch die folgende chemische Formel 1 dargestellt ist, eine organische Leuchtdiode, in der eine Lichtemissionsschicht dieselbe als Dotierungsmaterialien davon enthält, und eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit der organischen Leuchtdiode: Ir(L_A)_m(L_B)_n [Chemische Formel 1] wobei in der chemischen Formel 1,
L_A durch eines dargestellt sein kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus der folgenden chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6 besteht,
L_B ein zweizähniger Ligand sein kann, der durch die folgende chemische Formel 3 dargestellt ist,
m 1, 2 oder 3 sein kann, n 0, 1 oder 2 sein kann und eine Summe von m und n 3 sein kann,
wobei in jeder der chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6,
X eines darstellen kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus -CH₂-, Sauerstoff, -NH- und Schwefel besteht,
jedes von R_1-1, R_1-2, R_1-3, R_1-4, R_2-1, R_2-2, R_3-1, R_3-2, R_4-1 und R_4-2 unabhängig eines darstellen kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Deuterium, Halogenid, Alkyl, Cycloalkyl, Heteroalkyl, Arylalkyl, Alkoxy, Aryloxy, Amino, Silyl, Alkenyl, Cycloalkenyl, Heteroalkenyl, Alkynyl, Aryl, Heteroaryl, Acyl, Carbonyl, Carbonsäure, Ester, Nitril, Isonitril, Sulfanyl, Sulfinyl, Sulfonyl, Phosphino und Kombinationen davon besteht,
wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R_1-1, R_1-2, R_1-3, R_1-4, R_2-1, R_2-2, R_3-1, R_3-2, R_4-1 und R_4-2 aneinander binden können, um eine Ringstruktur zu bilden.
In der chemischen Formel 3 sind Z₁ und Z₂ unabhängig voneinander ein aromatischer oder alicyclischer Kohlenstoff, Sauerstoff oder Stickstoff.
Die organometallische Verbindung gemäß Beispielausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann als Dotierungsmaterial der Phosphoreszenzlichtemissionsschicht der organischen Leuchtdiode verwendet werden, so dass die Betriebsspannung der organischen Leuchtdiode gesenkt werden kann und die Effizienz- und Lebensdauercharakteristiken der organischen Leuchtdiode verbessert werden können.
Effekte der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die vorstehend erwähnten Effekte begrenzt und andere Effekte, die nicht erwähnt sind, werden vom Fachmann auf dem Gebiet aus den folgenden Beschreibungen deutlich verstanden.
Selbstverständlich sind sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung der vorliegenden Offenbarung beispielhaft und erläuternd und sollen eine weitere Erläuterung der Erfindungskonzepte schaffen, wie beansprucht.
Figurenliste
Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um für ein weiteres Verständnis der Offenbarung zu sorgen, und in diese Anmeldung eingegliedert sind und einen Teil davon bilden, stellen Ausführungsformen der Offenbarung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von Prinzipien der Offenbarung.

1 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine organische Leuchtdiode zeigt, in der eine Lichtemissionsschicht eine organometallische Verbindung gemäß einer erläuternden Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthält.
2 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine organische Leuchtdiode mit einer Tandemstruktur mit zwei Lichtemissionsstapeln, die eine organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, gemäß einer erläuternden Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten, darstellt.
3 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine organische Leuchtdiode mit einer Tandemstruktur mit drei Lichtemissionsstapeln, die eine organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, gemäß einer erläuternden Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten, darstellt.
4 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit einer organischen Leuchtdiode gemäß einer erläuternden Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNGEN
Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Merkmale werden mit Bezug auf Beispielausführungsformen, die später im Einzelnen zusammen mit den begleitenden Zeichnungen beschrieben werden, ersichtlich. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die Beispielausführungsformen, wie nachstehend offenbart, begrenzt, sondern kann in verschiedenen unterschiedlichen Formen implementiert werden. Folglich werden diese Beispielausführungsformen nur dargelegt, um die vorliegende Offenbarung vollständig zu machen und den Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung dem Fachmann auf dem technischen Gebiet, zu dem die vorliegende Offenbarung gehört, vollständig zu vermitteln, und die vorliegende Offenbarung ist nur durch den Schutzbereich der Ansprüche definiert.
Eine Form, eine Größe, ein Verhältnis, ein Winkel, eine Anzahl usw., die in den Zeichnungen zum Beschreiben der Beispielausführungsformen der vorliegenden Offenbarung offenbart sind, sind erläuternd und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt. Dieselben Bezugszeichen beziehen sich hier auf dieselben Elemente. Ferner werden Beschreibungen und Details von gut bekannten Schritten und Elementen wegen der Einfachheit der Beschreibung weggelassen. Ferner werden in der folgenden ausführlichen Beschreibung der vorliegenden Offenbarung zahlreiche spezielle Details dargelegt, um für ein gründliches Verständnis der vorliegenden Offenbarung zu sorgen. Es ist jedoch selbstverständlich, dass die vorliegende Offenbarung ohne diese speziellen Details ausgeführt werden kann. In anderen Fällen wurden gut bekannte Verfahren, Prozeduren, Komponenten und Schaltungen nicht im Einzelnen beschrieben, um Aspekte der vorliegenden Offenbarung nicht unnötig unklar zu machen.
Die hier verwendete Terminologie ist nur auf den Zweck der Beschreibung von speziellen Ausführungsformen gerichtet und soll die vorliegende Offenbarung nicht begrenzen. Wie hier verwendet, sollen die Singularbezeichnungen „ein“ und „eine“ ebenso die Pluralbezeichnungen umfassen, wenn der Zusammenhang nicht deutlich Anderes angibt. Ferner ist selbstverständlich, dass die Begriffe „umfassen“, „umfassend“, „einschließen“ und „einschließlich“, wenn sie in dieser Patentbeschreibung verwendet werden, die Anwesenheit der angegebenen Merkmale, ganzen Zahlen, Operationen, Elemente und/oder Komponenten angeben, aber die Anwesenheit oder den Zusatz von einem oder mehreren anderen Merkmalen, ganzen Zahlen, Operationen, Elementen, Komponenten und/oder Abschnitten davon nicht ausschließen. Wie hier verwendet, umfasst der Begriff „und/oder“ sämtliche Kombinationen von einem oder mehreren der zugehörigen aufgelisteten Gegenstände. Der Ausdruck wie z. B. „mindestens eines von“, wenn er einer Liste von Elementen vorangeht, kann die ganze Liste von Elementen modifizieren und kann die individuellen Elemente der Liste nicht modifizieren. Bei der Interpretation von Zahlenwerten kann ein Fehler oder eine Toleranz darin auftreten, selbst wenn keine explizite Beschreibung davon vorliegt.
Außerdem ist auch selbstverständlich, dass, wenn ein erstes Element oder eine erste Schicht als „auf“ einem zweiten Element oder einer zweiten Schicht vorhanden bezeichnet wird, das erste Element direkt auf dem zweiten Element angeordnet sein kann oder indirekt auf dem zweiten Element angeordnet sein kann, wobei ein drittes Element oder eine dritte Schicht zwischen dem ersten und dem zweiten Element oder der ersten und der zweiten Schicht angeordnet ist. Es ist selbstverständlich, dass, wenn ein Element oder eine Schicht als mit einem anderen Element oder einer anderen Schicht „verbunden“ oder „gekoppelt“ bezeichnet wird, es direkt an dem anderen Element oder der anderen Schicht befindlich, damit verbunden oder damit gekoppelt sein kann oder ein oder mehrere Zwischenelemente oder Zwischenschichten vorhanden sein können. Außerdem ist auch selbstverständlich, dass, wenn ein Element oder eine Schicht als „zwischen“ zwei Elementen oder Schichten bezeichnet wird, es das einzige Element oder die einzige Schicht zwischen den zwei Elementen oder Schichten sein kann oder ein oder mehrere Zwischenelemente oder Zwischenschichten auch vorhanden sein können.
Ferner kann, wie hier verwendet, wenn eine Schicht, ein Film, ein Bereich, eine Platte oder dergleichen „auf“ oder „auf einer Oberseite“ einer anderen Schicht, eines anderen Films, eines anderen Bereichs, einer anderen Platte oder dergleichen angeordnet ist, das erstere das letztere direkt kontaktieren oder noch eine andere Schicht, ein anderer Film, ein anderer Bereich, eine andere Platte oder dergleichen kann zwischen dem ersteren und dem letzteren angeordnet sein. Wie hier verwendet, wenn eine Schicht, ein Film, ein Bereich, eine Platte oder dergleichen direkt „auf“ oder „auf einer Oberseite“ einer anderen Schicht, eines anderen Films, eines anderen Bereichs, einer anderen Platte oder dergleichen angeordnet ist, kontaktiert das erstere direkt das letztere und noch eine andere Schicht, ein anderer Film, ein anderer Bereich, eine andere Platte oder dergleichen ist nicht zwischen dem ersteren und dem letzteren angeordnet. Ferner kann, wie hier verwendet, wenn eine Schicht, ein Film, ein Bereich, eine Platte oder dergleichen „unterhalb“ oder „unter“ einer anderen Schicht, einem anderen Film, einem anderen Bereich, einer anderen Platte oder dergleichen angeordnet ist, das erstere direkt das letztere kontaktieren oder noch eine andere Schicht, ein anderer Film, ein anderer Bereich, eine andere Platte oder dergleichen kann zwischen dem ersteren und dem letzteren angeordnet sein. Wie hier verwendet, wenn eine Schicht, ein Film, ein Bereich, eine Platte oder dergleichen direkt „unterhalb“ oder „unter“ einer anderen Schicht, einem anderen Film, einem anderen Bereich, einer anderen Platte oder dergleichen angeordnet ist, kontaktiert das erstere direkt das letztere und noch eine andere Schicht, ein anderer Film, ein anderer Bereich, eine andere Platte oder dergleichen ist nicht zwischen dem ersteren und dem letzteren angeordnet.
In Beschreibungen von zeitlichen Beziehungen, beispielsweise zeitlichen vorangehenden Beziehungen zwischen zwei Ereignissen, wie z. B. „nach“, „im Anschluss an“, „bevor“ usw., kann ein anderes Ereignis dazwischen stattfinden, wenn nicht „direkt nach“, „direkt im Anschluss“ oder „direkt bevor“ angegeben ist.
Es ist selbstverständlich, dass, obwohl die Begriffe „erster“, „zweiter“, dritter" und so weiter hier verwendet werden können, um verschiedene Elemente, Komponenten, Bereiche, Schichten und/oder Abschnitte zu beschreiben, diese Elemente, Komponenten, Bereiche, Schichten und/oder Abschnitte nicht durch diese Begriffe begrenzt werden sollten. Diese Begriffe werden verwendet, um ein Element, eine Komponente, einen Bereich, eine Schicht oder einen Abschnitt von einem anderen Element, einer anderen Komponente, einem anderen Bereich, einer anderen Schicht oder einem anderen Abschnitt zu unterscheiden. Folglich könnte ein erstes Element, eine erste Komponente, ein erster Bereich, eine erste Schicht oder ein erster Abschnitt, der nachstehend beschrieben ist, als zweites Element, zweite Komponente, zweiter Bereich, zweite Schicht oder zweiter Abschnitt bezeichnet werden, ohne vom Gedanken und Schutzbereich der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.
Die Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig miteinander kombiniert werden und können technisch einander zugeordnet sein oder miteinander arbeiten. Die Beispielausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander implementiert werden und können in einer Zusammenhangbeziehung miteinander implementiert werden.
Beim Interpretieren eines Zahlenwerts wird der Wert als einen Fehlerbereich umfassend interpretiert, wenn keine separate explizite Beschreibung davon besteht.
Es ist selbstverständlich, dass, wenn ein Element oder eine Schicht als “mit einem anderen Element oder einer anderen Schicht „verbunden“ oder „gekoppelt“ bezeichnet wird, es direkt an dem anderen Element oder der anderen Schicht befindlich, damit verbunden oder damit gekoppelt sein kann oder ein oder mehrere Zwischenelemente oder Zwischenschichten vorhanden sein können. Außerdem ist auch selbstverständlich, dass, wenn ein Element oder eine Schicht als „zwischen“ zwei Elementen oder Schichten bezeichnet wird, es das einzige Element oder die einzige Schicht zwischen den zwei Elementen oder Schichten sein kann oder ein oder mehrere Zwischenelemente oder Zwischenschichten auch vorhanden sein können.
Die Merkmale der verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig miteinander kombiniert werden und können technisch einander zugeordnet sein oder miteinander arbeiten. Die Beispielausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können unabhängig voneinander implementiert werden und können in einer Zusammenhangbeziehung miteinander implementiert werden.
Wenn nicht anders definiert, weisen alle Begriffe, einschließlich der hier verwendeten technischen und wissenschaftlichen Begriffe, dieselbe Bedeutung auf, wie üblicherweise durch einen Fachmann auf dem Gebiet verstanden, zu dem dieses Erfindungskonzept gehört. Ferner ist selbstverständlich, dass Begriffe, wie z. B. die in üblicherweise verwendeten Wörterbüchern definierten, als eine Bedeutung aufweisend interpretiert werden sollten, die mit ihrer Bedeutung im Zusammenhang mit dem relevanten Fachgebiet konsistent ist und nicht in einer idealisierten oder übermäßig formalen Hinsicht interpretiert wird, wenn nicht ausdrücklich hier so definiert.
Wie hier verwendet, bedeutet eine Wendung „benachbarte funktionale Gruppen binden aneinander, um eine Ringstruktur zu bilden“, dass benachbarte funktionale Gruppen aneinander binden können, um eine substituierte oder unsubstituierte alicyclische Ringstruktur (Cycloalkylgruppe), eine substituierte oder unsubstituierte aromatische Ringstruktur (Arylgruppe) oder eine Ringstruktur (Alkylarylgruppe oder Arylalkylgruppe) mit sowohl substituierten oder unsubstituierten aliphatischen als auch aromatischen Ringen zu bilden. Eine Wendung „benachbarte funktionale Gruppe“ zu einer bestimmten funktionalen Gruppe kann eine funktionale Gruppe, die ein Atom ersetzt, das direkt mit einem Atom verbunden ist, das die bestimmte funktionale Gruppe ersetzt, eine funktionale Gruppe, die sterisch am nächsten zu der bestimmten funktionalen Gruppe liegt, oder eine funktionale Gruppe, die ein Atom ersetzt, das durch die bestimmte funktionale Gruppe ersetzt ist, bedeuten. Zwei funktionale Gruppen, die eine Orthoposition in einer Benzolringstruktur ersetzen, und zwei funktionale Gruppen, die denselben Kohlenstoff in einem aliphatischen Ring ersetzen, können beispielsweise als „benachbarte funktionale Gruppen“ interpretiert werden.
Wie hier verwendet und wenn nicht anders angegeben, bedeutet der Begriff „substituiert“, dass die spezifizierte Gruppe oder der spezifizierte Anteil einen oder mehrere Substituenten trägt. Der Begriff „unsubstituiert“ bedeutet, dass die spezifizierte Gruppe keine Substituenten trägt.
Wie hier verwendet und wenn nicht anders angegeben, bedeutet der Begriff „Substituent“ einen Nicht-Wasserstoff-Anteil, beispielsweise Deuterium, Hydroxy, Halogen (z. B. Fluor, Chlor oder Brom), Carboxy, Carboxamido, Imino, Alkanoyl, Cyano, Cyanomethyl, Nitro, Amino, Alkyl, Alkenyl, Alkynyl, Cycloalkyl, Arylalkyl, Aryl, Heterocyclus, Heteroaryl, Hydroxyl, Amino, Alkoxy, Halogen, Carboxy, Carbalkoxy, Carboxamido, Monoalkylaminosulfmyl, Dialkylaminosulfmyl, Monoalkylaminosulfonyl, Dialkylaminosulfonyl, Alkylsulfonylamino, Hydroxysulfonyloxy, Alkoxysulfonyloxy, Alkylsulfonyloxy, Hydroxysulfonyl, Alkoxysulfonyl, Alkylsulfonylalkyl, Monoalkylaminosulfonylalkyl, Dialkylaminosulfonylalkyl, Monoalkylaminosulfmylalkyl, Dialkylaminosulfmylalkyl und dergleichen.
Wie hier verwendet und wenn nicht anders angegeben, bedeutet der Begriff „Alkyl“ einen substituierten oder unsubstituierten, gesättigten, linearen oder verzweigten Kohlenwasserstoffkettenrest. Beispiele von Alkylgruppen umfassen, sind jedoch nicht begrenzt auf lineares, verzweigtes oder cyclisches C1-C15-Alkyl, wie z. B. Methyl, Ethyl, Propyl, Isopropyl, Cyclopropyl, 2-Methyl-1-propyl, 2-Methyl-2-propyl, 2-Methyl-1-butyl, 3-Methyl-1-butyl, 2-Methyl-3-butyl, 2,2-Dimethyl-1-propyl, 2-Methyl-1-pentyl, 3-Methyl-1-pentyl, 4-Methyl-1-pentyl, 2-Methyl-2-pentyl, 3-Methyl-2-pentyl, 4-Methyl-2-pentyl, 2,2-Dimethyl-1-butyl, 3,3-Dimethyl-1-butyl, 2-Ethyl-1-butyl, Butyl, Isobutyl, sec-Butyl, t-Butyl, Cyclobutyl, Pentyl, Isopentyl, Neopentyl, Hexyl und Cyclohexyl, und längere Alkylgruppen, wie z. B. Heptyl, Octyl, Nonyl und Decyl. Ein Alkyl kann unsubstituiert oder mit einem oder zwei geeigneten Substituenten substituiert sein.
Wie hier verwendet und wenn nicht anders angegeben, bedeutet der Begriff „Cycloalkyl“ einen monocyclischen oder polycyclischen gesättigten Ring mit Kohlenstoff- und Wasserstoffatomen und mit keinen Kohlenstoff-Kohlenstoff-Mehrfachbindungen. Eine Cycloalkylgruppe kann unsubstituiert oder substituiert sein. Beispiele von Cycloalkylgruppen umfassen, sind jedoch nicht begrenzt auf (C3-C7)Cycloalkylgruppen, einschließlich Cyclopropyl, Cyclobutyl, Cyclopentyl, Cyclohexyl und Cycloheptyl, und gesättigte cyclische und bicyclische Terpene. Eine Cycloalkylgruppe kann unsubstituiert oder substituiert sein. Vorzugsweise ist die Cycloalkylgruppe ein monocyclischer Ring oder bicyclischer Ring.
Wie hier verwendet und wenn nicht anders angegeben, bedeutet der Begriff „Aryl“ eine monocyclische oder polycyclische konjugierte Ringstruktur, die auf dem Fachgebiet gut bekannt ist. Beispiele von geeigneten Arylgruppen oder aromatischen Ringen umfassen, sind jedoch nicht begrenzt auf Phenyl, Tolyl, Anthacenyl, Fluorenyl, Indenyl, Azulenyl und Naphthyl. Eine Arylgruppe kann unsubstituiert oder mit einem oder zwei geeigneten Substituenten substituiert sein.
Wie hier verwendet und wenn nicht anders angegeben, umfasst der Begriff „substituiertes Aryl“ eine Arylgruppe, die wahlweise mit einer oder mehreren funktionalen Gruppen substituiert ist, wie z. B. Halo, Alkyl, Haloalkyl (z. B. Trifluormethyl), Alkoxy, Haloalkoxy (z. B. Difluormethoxy), Alkenyl, Alkynyl, Aryl, Heteroaryl, Arylalkyl, Aryloxy, Aryloxyalkyl, Arylalkoxy, Alkoxycarbonyl, Alkylcarbonyl, Arylcarbonyl, Arylalkenyl, Aminocarbonylaryl, Arylthio, Arylsulfmyl, Arylazo, Heteroarylalkyl, Heteroarylalkenyl, Heteroaryloxy, Hydroxy, Nitro, Cyano, Amino, substituiertes Amino, wobei das Amino 1 oder 2 Substituenten umfasst (die wahlweise substituiertes Alkyl, Aryl oder irgendeiner der hier angeführten anderen Substituenten sind), Thiol, Alkylthio, Arylthio, Heteroarylthio, Arylthioalkyl, Alkoxyarylthio, Alkylaminocarbonyl, Arylaminocarbonyl, Aminocarbonyl, Alkylcarbonyloxy, Arylcarbonyloxy, Alkylcarbonylamino, Arylcarbonylamino, Arylsulfmyl, Arylsulfmylalkyl, Arylsulfonylamino oder Arylsulfonaminocarbonyl und/oder irgendeinen der hier angeführten Alkylsubstituenten.
Wie hier verwendet und wenn nicht anders angegeben, bezieht sich der Begriff „Heteroaryl“, wie hier allein oder als Teil einer anderen Gruppe verwendet, auf einen 5- bis 7-gliedrigen aromatischen Ring, der 1, 2, 3 oder 4 Heteroatome umfasst, wie z. B. Stickstoff, Sauerstoff oder Schwefel, und solche Ringe, die mit einem Aryl-, Cycloalkyl-, Heteroaryl- oder Heterocycloalkylring fusioniert sind (z. B. Benzothiophenyl, Indolyl), und umfasst mögliche N-Oxide. „Substituiertes Heteroaryl“ umfasst eine Heteroarylgruppe, die wahlweise mit 1 bis 4 Substituenten substituiert ist, wie z. B. die Substituenten, die vorstehend in der Definition von „substituiertem Alkyl“ und „substituiertem Cycloalkyl“ enthalten sind. Substituiertes Heteroaryl umfasst auch fusionierte Heteroarylgruppen, die beispielsweise Chinolin, Isochinolin, Indol, Isoindol, Carbazol, Acridin, Benzimidazol, Benzofuran, Isobenzofuran, Benzothiophen, Phenanthrolin, Purin und dergleichen umfassen.
Nachstehend werden eine Struktur und ein Vorbereitungsbeispiel einer organometallischen Verbindung gemäß der vorliegenden Offenbarung und einer organischen Leuchtdiode mit derselben beschrieben.
Herkömmlich wurde eine organometallische Verbindung als Dotierungsmaterial in einer Lichtemissionsschicht einer organischen Leuchtdiode verwendet. 2-Phenylpyridin und 2-Phenylchinolin, in denen ein fusionierter Ring in einen Pyridinanteil in einer Struktur von 2-Phenylpyridin eingeführt ist, sind beispielsweise als Hauptligandenstruktur der organometallischen Verbindung bekannt. Das herkömmliche Lichtemissionsdotierungsmaterial weist jedoch eine Grenze beim Verbessern der Effizienz und Lebensdauer der organischen Leuchtdiode auf. Folglich ist es erforderlich, ein neues Lichtemissionsdotierungsmaterial zu entwickeln. Folglich haben die Erfinder der vorliegenden Offenbarung ein Lichtemissionsdotierungsmaterial abgeleitet, das die Effizienz und Lebensdauer der organischen Leuchtdiode weiter verbessern kann, und haben folglich die vorliegende Offenbarung durchgeführt.
Insbesondere kann eine organometallische Verbindung gemäß einer Implementierung der vorliegenden Offenbarung durch die folgende chemische Formel 1 dargestellt sein. In L_A als Hauptligand der chemischen Formel 1 ist eine fusionierte Ringstruktur von Thiophen mit einem Schwefelatom (S-Atom) in einen Ring, mit dem Kohlenstoff (C) verbunden ist, unter zwei Ringen eingeführt, die mit Ir (Iridium) als zentrales Koordinationsmetall verbunden sind. Die organometallische Verbindung kann ferner durch eine, die aus der folgenden chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6 ausgewählt ist, auf der Basis einer Verbindungsposition und einer Orientierung des fusionierten Thiophenrings dargestellt sein. Die Erfinder der vorliegenden Offenbarung haben experimentell identifiziert, dass, wenn die durch die chemische Formel 1 dargestellte organometallische Verbindung als Dotierungsmaterial der Phosphoreszenzlichtemissionsschicht der organischen Leuchtdiode verwendet wurde, die Lichtemissionseffizienz und die Lebensdauer der organischen Leuchtdiode verbessert wurden und die Betriebsspannung davon gesenkt wurde, und haben folglich die vorliegende Offenbarung durchgeführt: Ir(L_A)_m(L_B)_n [Chemische Formel 1]
wobei in der chemischen Formel 1,
L_A durch eines dargestellt sein kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus der folgenden chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6 besteht,
L_B ein zweizähniger Ligand sein kann, der durch die folgende chemische Formel 3 dargestellt ist,
m 1, 2 oder 3 sein kann, n 0, 1 oder 2 sein kann und eine Summe von m und n 3 sein kann,

wobei in jeder der chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6,
X eines darstellen kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Kohlenstoff, Sauerstoff, Stickstoff und Schwefel besteht,
jedes von R_1-1, R_1-2, R_1-3, R_1-4, R_2-1, R_2-2, R_3-1, R_3-2, R_4-1 und R_4-2 unabhängig eines darstellen kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Deuterium, Halogenid, Alkyl, Cycloalkyl, Heteroalkyl, Arylalkyl, Alkoxy, Aryloxy, Amino, Silyl, Alkenyl, Cycloalkenyl, Heteroalkenyl, Alkynyl, Aryl, Heteroaryl, Acyl, Carbonyl, Carbonsäure, Ester, Nitril, Isonitril, Sulfanyl, Sulfinyl, Sulfonyl, Phosphino und Kombinationen davon besteht,
wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R_1-1, R_1-2, R_1-3, R_1-4, R_2-1, R_2-2, R_3-1, R_3-2, R_4-1 und R_4-2 aneinander binden können, um eine Ringstruktur zu bilden.
In der chemischen Formel 3 sind Z₁ und Z₂ unabhängig voneinander ein aromatischer oder alicyclischer Kohlenstoff, Sauerstoff oder Stickstoff.
In der organometallischen Verbindung gemäß einer Implementierung der vorliegenden Offenbarung kann ein Hilfsligand, der an das zentrale Koordinationsmetall gebunden ist, der zweizähnige Ligand sein. Der zweizähnige Ligand kann einen Elektronendonor enthalten, wodurch ein Betrag an MLCT (Metall-zu-Ligand-Ladungsübertragung) erhöht ist, wodurch ermöglicht wird, dass die organische Leuchtdiode verbesserte Leuchteigenschaften wie z. B. eine hohe Leuchteffizienz und hohe externe Quanteneffizienz aufzeigt.
Ein bevorzugter Hilfsligand gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ein zweizähniger Ligand sein, der durch die chemische Formel 3 dargestellt ist. Die chemische Formel 3 kann eine sein, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus der folgenden chemischen Formel 4 und chemischen Formel 5 besteht:

wobei in der chemischen Formel 4 jedes von R_5-1, R_5-2, R_5-3, R_5-4, R_6-1, R_6-2, R_6-3 und R_6-4 unabhängig eines darstellen kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Deuterium, einer geradkettigen C1-C5-Alkylgruppe und einer verzweigten C1-C5-Alkylgruppe besteht, und wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R_5-1, R_5-2, R_5-3, R_5-4, R_6-1, R_6-2, R_6-3 und R_6-4 aneinander binden können, um eine Ringstruktur zu bilden,
wobei in der chemischen Formel 5 jedes von R₇, R₈ und R₉ unabhängig eines darstellen kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Wasserstoff, Deuterium, einer geradkettigen C1-C5-Alkylgruppe und einer verzweigten C1-C5-Alkylgruppe besteht, und wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R₇, R₈ und R₉ aneinander binden können, um eine Ringstruktur zu bilden,
wobei die geradkettige C1-C5-Alkylgruppe oder die verzweigte C1-C5-Alkylgruppe mit mindestens einem substituiert sein kann, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Deuterium und einem Halogenelement besteht.
Die organometallische Verbindung gemäß einer Implementierung der vorliegenden Offenbarung kann eine heteroleptische oder homoleptische Struktur aufweisen. Die organometallische Verbindung gemäß einer Beispielausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann beispielsweise eine heteroleptische Struktur, in der in der chemischen Formel 1 m 1 ist und n 2 ist; oder eine heteroleptische Struktur, in der in der chemischen Formel 1 m 2 ist und n 1 ist; oder eine homoleptische Struktur, in der in der chemischen Formel 1 m 3 ist und n 0 ist, aufweisen.
Ein spezielles Beispiel der durch die chemische Formel 1 der vorliegenden Offenbarung dargestellten Verbindung kann eine umfassen, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus den folgenden Verbindungen 1 bis 540 besteht. Das spezielle Beispiel der durch die chemische Formel 1 der vorliegenden Offenbarung dargestellten Verbindung ist jedoch nicht darauf begrenzt, solange sie die obige Definition der chemischen Formel 1 erfüllt:
Gemäß einer Implementierung der vorliegenden Offenbarung kann die durch die chemische Formel 1 der vorliegenden Offenbarung dargestellte organometallische Verbindung als Dotierungsmaterial, das eine rote Phosphoreszenz oder eine grüne Phosphoreszenz erreicht, vorzugsweise als Dotierungsmaterial, das die grüne Phosphoreszenz erreicht, verwendet werden.
Mit Bezug auf 1 kann gemäß einer Implementierung der vorliegenden Offenbarung eine organische Leuchtdiode 100 bereitgestellt werden, die eine erste Elektrode 110; eine zweite Elektrode 120, die der ersten Elektrode 110 zugewandt ist; und eine organische Schicht 130, die zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 120 angeordnet ist, umfasst. Die organische Schicht 130 kann eine Lichtemissionsschicht 160 umfassen und die Lichtemissionsschicht 160 kann ein Wirtsmaterial 160' und Dotierungsmaterialeien 160" umfassen. Die Dotierungsmaterialien 160" können die organometallische Verbindung umfassen, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist. Außerdem kann in der organischen Leuchtdiode 100 die organische Schicht 130, die zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 120 angeordnet ist, durch sequentielles Stapeln einer Lochinjektionsschicht 140 (HIL), einer Lochtransportschicht 150 (HTL), einer Lichtemissionsschicht 160 (EML), einer Elektronentransportschicht 170 (ETL) und einer Elektroneninjektionsschicht 180 (EIL) auf die erste Elektrode 110 ausgebildet werden. Die zweite Elektrode 120 kann auf der Elektroneninjektionsschicht 180 ausgebildet sein und eine Schutzschicht (nicht gezeigt) kann darauf ausgebildet sein.
Obwohl in 1 nicht gezeigt, kann ferner eine Lochtransporthilfsschicht zwischen der Lochtransportschicht 150 und der Lichtemissionsschicht 160 hinzugefügt sein. Die Lochtransporthilfsschicht kann eine Verbindung mit guten Lochtransporteigenschaften enthalten und kann eine Differenz zwischen HOMO-Energieniveaus der Lochtransportschicht 150 und der Lichtemissionsschicht 160 verringern, um die Lochinjektionseigenschaften einzustellen. Die Akkumulation von Löchern an einer Grenzfläche zwischen der Lochtransporthilfsschicht und der Lichtemissionsschicht 160 kann somit verringert werden, wodurch ein Löschphänomen verringert wird, bei dem Exzitonen an der Grenzfläche aufgrund von Polaronen verschwinden. Folglich kann die Verschlechterung des Elements verringert werden und das Element kann stabilisiert werden, wodurch die Effizienz und Lebensdauer davon verbessert werden.
Die erste Elektrode 110 kann als positive Elektrode wirken und kann ITO, IZO, Zinnoxid oder Zinkoxid als leitfähiges Material mit einem relativ großen Arbeitsfunktionswert umfassen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die zweite Elektrode 120 kann als negative Elektrode wirken und kann Al, Mg, Ca, oder Ag als leitfähiges Material mit einem relativ kleinen Arbeitsfunktionswert oder eine Legierung oder Kombination davon umfassen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Lochinjektionsschicht 140 kann zwischen der ersten Elektrode 110 und der Lochtransportschicht 150 positioniert sein. Die Lochinjektionsschicht 140 kann eine Funktion zum Verbessern von Grenzflächencharakteristiken zwischen der ersten Elektrode 110 und der Lochtransportschicht 150 aufweisen und kann aus Materialien mit geeigneter Leitfähigkeit ausgewählt sein. Die Lochinjektionsschicht 140 kann eine Verbindung umfassen, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus N1-Phenyl-N4,N4-bis(4-(phenyl(tolyl)amino)phenyl)-N1-(tolyl)benzol-1,4-diamin (MTDATA), Kupfer(II)phthalocyanin (CuPc), Tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amin (TCTA), 1,4,5,8,9,11-Hexaazatriphenylenhexacarbonitril (HATCN), 1,3,5-Tris[4-(diphenylamino)phenyl]benzol (TDAPB), Poly(3,4-ethylendioxythiophen)polystyrolsulfonat (PEDOT/PSS) und N1,N1'-([1,1'-Biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1,N4,N4)-triphenylbenzol-1,4-diamin) besteht. Vorzugsweise kann die Lochinjektionsschicht 140 N1,N1'-([1,1'-Biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1,N4,N4-triphenylbenzol-1,4-diamin) umfassen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch darauf begrenzt.
Die Lochtransportschicht 150 kann benachbart zur Lichtemissionsschicht 160 und zwischen der ersten Elektrode 110 und der Lichtemissionsschicht 160 positioniert sein. Ein Material der Lochtransportschicht 150 kann mindestens eine Verbindung umfassen, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenylbenzidin (TPD), N,N'-Di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamin (NPB), 4,4'-Bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl (CBP), N-(Biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amin, N-(Biphenyl-4-yl)-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)biphenyl)-4-amin usw. besteht. Vorzugsweise kann das Material der Lochtransportschicht 150 NPB umfassen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann die Lichtemissionsschicht 160 durch Dotieren eines Wirtsmaterials 160' mit der organometallischen Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, als Dotierungsmaterial 160" ausgebildet werden, um die Leuchteffizienz der Diode 100 zu verbessern. Das Dotierungsmaterial 160" kann als grünes oder rotes Lichtemissionsmaterial und vorzugsweise als grünes Phosphoreszenzmaterial verwendet werden.
Eine Dotierungskonzentration des Dotierungsmaterials 160" gemäß einer Beispielausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann so eingestellt werden, dass sie innerhalb eines Bereichs von 1 bis 30 Gewichts- % auf der Basis eines Gesamtgewichts des Wirtsmaterials 160' liegt. Die Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Die Dotierungskonzentration kann beispielsweise in einem Bereich von 2 bis 20 Gew.- %, beispielsweise 3 bis 15 Gew.- %, beispielsweise 5 bis 10 Gew.- %, beispielsweise 3 bis 8 Gew.- %, beispielsweise 2 bis 7 Gew.- %, beispielsweise, 5 bis 7 Gew.- % oder beispielsweise 5 bis 6 Gew.- % liegen.
Die Lichtemissionsschicht 160 gemäß einer Beispielausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthält das Wirtsmaterial 160', das auf dem Fachgebiet bekannt ist und einen Effekt der vorliegenden Offenbarung erreichen kann, während die Schicht 160 die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, als Dotierungsmaterial 160" enthält. Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann das Wirtsmaterial 160' beispielsweise eine Verbindung umfassen, die eine Carbazolgruppe enthält, und kann vorzugsweise ein Wirtsmaterial umfassen, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus CBP (Carbazolbiphenyl), mCP (1,3-Bis(carbazol-9-yl) und dergleichen besteht. Die Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Ferner können die Elektronentransportschicht 170 und die Elektroneninj ektionsschicht 180 sequentiell zwischen der Lichtemissionsschicht 160 und der zweiten Elektrode 120 gestapelt sein. Ein Material der Elektronentransportschicht 170 erfordert eine hohe Elektronenmobilität, so dass Elektronen stabil zur Lichtemissionsschicht unter einem reibungslosen Elektronentransport zugeführt werden können.
Das Material der Elektronentransportschicht 170 kann beispielsweise dem Fachgebiet bekannt sein und kann mindestens eine Verbindung umfassen, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Alq3 (Tris(8-hydroxychinolino)aluminium), 8-Hydroxychinolinolatolithium (Liq), 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol (PBD), 3-(4-Biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazol (TAZ), Spiro-PBD, Bis(2-methyl-8-chinolinolat)-4-(phenylphenolato)aluminium (BAlq), Bis(2-methyl-8-hydroxychinolin)(triphenylsiloxy)aluminium (SAlq), 2,2',2-(1,3,5-Benzintriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazol (TPBi), Oxadiazol, Triazol, Phenanthrolin, Benzoxazol, Benzthiazol und 2-(4-(9,10-Di(naphthalin-2-yl)anthracen-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol besteht. Vorzugsweise kann das Material der Elektronentransportschicht 170 2-(4-(9,10-Di(naphthalin-2-yl)anthracen-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol umfassen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die Elektroneninj ektionsschicht 180 dient dazu, die Elektroneninj ektion zu erleichtern. Ein Material der Elektroneninjektionsschicht kann dem Fachgebiet bekannt sein und kann mindestens eine Verbindung umfassen, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus Alq3 (Tris(8-hydroxychinolino)aluminium), PBD), TAZ), Spiro-PBD, BAlq, SAlq usw. besteht. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Alternativ kann die Elektroneninjektionsschicht 180 aus einer Metallverbindung bestehen. Die Metallverbindung kann beispielsweise eines oder mehrere umfassen, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die aus Liq, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF₂, MgF₂, CaF₂, SrF₂, BaF₂ und RaF₂ besteht. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Die organische Leuchtdiode gemäß einer Beispielausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann als weiße Leuchtdiode mit einer Tandemstruktur verkörpert sein. Die organische Tandemleuchtdiode gemäß einer erläuternden Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann in einer Struktur ausgebildet sein, in der benachbarte von zwei oder mehr Lichtemissionsstapeln über eine Ladungserzeugungsschicht (CGL) miteinander verbunden sind. Die organische Leuchtdiode kann mindestens zwei Lichtemissionsstapel umfassen, die auf einem Substrat angeordnet sind, wobei jeder der mindestens zwei Lichtemissionsstapel eine erste und eine zweite Elektrode, die einander zugewandt sind, und die Lichtemissionsschicht, die zwischen der ersten und der zweiten Elektrode angeordnet ist, um Licht in einem speziellen Wellenlängenband zu emittieren, umfasst. Die mehreren Lichtemissionsstapel können Licht mit derselben Farbe oder verschiedenen Farben emittieren. Außerdem können eine oder mehrere Lichtemissionsschichten in einem Lichtemissionsstapel enthalten sein und die mehreren Lichtemissionsschichten können Licht mit derselben Farbe oder verschiedenen Farben emittieren.
In diesem Fall kann die Lichtemissionsschicht, die in mindestens einem der mehreren Lichtemissionsstapel enthalten ist, die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt ist, als Dotierungsmaterialien enthalten. Benachbarte der mehreren Lichtemissionsstapel in der Tandemstruktur können über die Ladungserzeugungsschicht CGL mit einer Ladungserzeugungsschicht vom N-Typ und einer Ladungserzeugungsschicht vom P-Typ miteinander verbunden sein.
2 und 3 sind Querschnittsansichten, die schematisch eine organische Leuchtdiode in einer Tandemstruktur mit zwei Lichtemissionsstapeln bzw. eine organische Leuchtdiode in einer Tandemstruktur mit drei Lichtemissionsstapeln gemäß einigen Implementierungen der vorliegenden Offenbarung zeigen.
Wie in 2 gezeigt, umfasst eine organische Leuchtdiode 100 gemäß einer Beispielausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine erste Elektrode 110 und eine zweite Elektrode 120, die einander zugewandt sind, und eine organische Schicht 230, die zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 120 positioniert ist. Die organische Schicht 230 kann zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 120 positioniert sein und kann einen ersten Lichtemissionsstapel ST1 mit einer ersten Lichtemissionsschicht 261, einen zweiten Lichtemissionsstapel ST2, der zwischen dem ersten Lichtemissionsstapel ST1 und der zweiten Elektrode 120 positioniert ist und eine zweite Lichtemissionsschicht 262 umfasst, und die Ladungserzeugungsschicht CGL, die zwischen dem ersten und dem zweiten Lichtemissionsstapel ST1 und ST2 positioniert ist, umfassen. Die Ladungserzeugungsschicht CGL kann eine Ladungserzeugungsschicht 291 vom N-Typ und eine Ladungserzeugungsschicht 292 vom P-Typ umfassen. Die erste Lichtemissionsschicht 261 und/oder die zweite Lichtemissionsschicht 262 können die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt ist, als Dotierungsmaterialien umfassen. Wie in 2 gezeigt, kann beispielsweise die zweite Lichtemissionsschicht 262 des zweiten Lichtemissionsstapels ST2 ein Wirtsmaterial 262' und in dieses dotierte Dotierungsmaterialien 262" mit der durch die chemische Formel 1 dargestellten organometallischen Verbindung enthalten. Obwohl in 2 nicht gezeigt, kann jeder des ersten und des zweiten Lichtemissionsstapels ST1 und ST2 ferner zusätzlich zu jeder der ersten Lichtemissionsschicht 261 und der zweiten Lichtemissionsschicht 262 eine zusätzliche Lichtemissionsschicht umfassen. Die erste Lichtemissionsschicht 261 ist zwischen einer ersten Lochtransportschicht 251 und einer ersten Elektronentransportschicht 271 positioniert. Ebenso ist die zweite Lichtemissionsschicht 262 zwischen einer zweiten Lochtransportschicht 252 und einer zweiten Elektronentransportschicht 272 positioniert. In einer Ausführungsform können die erste 251 und die zweite HTL 252 eine ähnliche oder identische Struktur und ähnliche oder identische Materialien wie die HTL 150 von 1 aufweisen. In einer Ausführungsform können die erste ETL 271 und die zweite ETL 272 eine ähnliche oder identische Struktur und ähnliche oder identische Materialien wie die ETL 170 von 1 aufweisen.
Wie in 3 gezeigt, umfasst die organische Leuchtdiode 100 gemäß einer Beispielausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 120, die einander zugewandt sind, und eine organische Schicht 330, die zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 120 positioniert ist. Die organische Schicht 330 kann zwischen der ersten Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 120 positioniert sein und kann den ersten Lichtemissionsstapel ST1 mit der ersten Lichtemissionsschicht 261, den zweiten Lichtemissionsstapel ST2 mit der zweiten Lichtemissionsschicht 262, einen dritten Lichtemissionsstapel ST3 mit einer dritten Lichtemissionsschicht 263, eine erste Ladungserzeugungsschicht CGL1, die zwischen dem ersten und dem zweiten Lichtemissionsstapel ST1 und ST2 positioniert ist, und eine zweite Ladungserzeugungsschicht CGL2, die zwischen dem zweiten und dem dritten Lichtemissionsstapel ST2 und ST3 positioniert ist, umfassen. Die erste Ladungserzeugungsschicht CGL1 kann eine Ladungserzeugungsschicht 291 vom N-Typ und eine Ladungserzeugungsschicht 292 vom P-Typ umfassen. Die zweite Ladungserzeugungsschicht CGL2 kann eine Ladungserzeugungsschicht 293 vom N-Typ und eine Ladungserzeugungsschicht 294 vom P-Typ umfassen. Die erste Lichtemissionsschicht 261, die zweite Lichtemissionsschicht 262 und/oder die dritte Lichtemissionsschicht 263 können die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 gemäß der vorliegenden Offenbarung dargestellt ist, als Dotierungsmaterialien enthalten. Wie in 3 gezeigt, kann beispielsweise die zweite Lichtemissionsschicht 262 des zweiten Lichtemissionsstapels ST2 das Wirtsmaterial 262' und die in dieses dotierten Dotierungsmaterialien 262", die aus der organometallischen Verbindung bestehen, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, enthalten. Obwohl in 3 nicht gezeigt, kann jeder des ersten, des zweiten und des dritten Lichtemissionsstapels ST1, ST2 und ST3 ferner eine zusätzliche Lichtemissionsschicht zusätzlich zu jeder der ersten Lichtemissionsschicht 261, der zweiten Lichtemissionsschicht 262 und der dritten Lichtemissionsschicht 263 umfassen. Die erste Lichtemissionsschicht 261 ist zwischen einer ersten Lochtransportschicht 251 und einer ersten Elektronentransportschicht 271 positioniert. Ebenso ist die zweite Lichtemissionsschicht 262 zwischen einer zweiten Lochtransportschicht 252 und einer zweiten Elektronentransportschicht 272 positioniert. Ferner ist die dritte Lichtemissionsschicht 263 zwischen einer dritten Lochtransportschicht 253 und einer dritten Elektronentransportschicht 273 positioniert. In einer Ausführungsform können die erste HTL 251, die zweite HTL 252 und die dritte HTL 253 eine ähnliche oder identische Struktur und ähnliche oder identische Materialien wie die HTL 150 von 1 aufweisen. In einer Ausführungsform können die erste ETL 271, die zweite ETL 272 und die dritte ETL 273 eine ähnliche oder identische Struktur und ähnliche oder identische Materialien wie die ETL 170 von 1 aufweisen.
Ferner kann eine organische Leuchtdiode gemäß einer Beispielausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Tandemstruktur umfassen, in der vier oder mehr Lichtemissionsstapel und drei oder mehr Ladungserzeugungsschichten zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet sind.
Die organische Leuchtdiode gemäß einer Beispielausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann als Lichtemissionselement von jeder einer organischen Lichtemissionsanzeigevorrichtung und einer Beleuchtungsvorrichtung verwendet werden. In einer Implementierung ist 4 eine Querschnittsansicht, die schematisch eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung mit der organischen Leuchtdiode gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung als Lichtemissionselement davon darstellt.
Wie in 4 gezeigt, umfasst eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 3000 ein Substrat 3010, eine organische Leuchtdiode 4000 und einen Einkapselungsfilm 3900, der die organische Leuchtdiode 4000 bedeckt. Ein Ansteuerdünnschichttransistor Td als Ansteuerelement und die organische Leuchtdiode 4000, die mit dem Ansteuerdünnschichttransistor Td verbunden ist, sind auf dem Substrat 3010 positioniert.
Obwohl in 4 nicht explizit gezeigt, sind eine Gate-Leitung und eine Datenleitung, die einander schneiden, um einen Pixelbereich zu definieren, eine Leistungsleitung, die sich parallel zu einer der Gate-Leitung und der Datenleitung erstreckt und davon beabstandet ist, ein Schaltdünnschichttransistor, der mit der Gate-Leitung und der Datenleitung verbunden ist, und ein Speicherkondensator, der mit einer Elektrode des Dünnschichttransistors und der Leistungsleitung verbunden ist, ferner auf dem Substrat 3010 ausgebildet.
Der Ansteuerdünnschichttransistor Td ist mit dem Schaltdünnschichttransistor verbunden und umfasst eine Halbleiterschicht 3100, eine Gate-Elektrode 3300, eine Source-Elektrode 3520 und eine Drain-Elektrode 3540.
Die Halbleiterschicht 3100 kann auf dem Substrat 3010 ausgebildet sein und kann aus einem Oxidhalbleitermaterial oder polykristallinem Silizium bestehen. Wenn die Halbleiterschicht 3100 aus einem Oxidhalbleitermaterial besteht, kann ein Lichtabschirmmuster (nicht gezeigt) unter der Halbleiterschicht 3100 ausgebildet sein. Das Lichtabschirmmuster verhindert, dass Licht in die Halbleiterschicht 3100 einfällt, um zu verhindern, dass die Halbleiterschicht 3100 aufgrund des Lichts verschlechtert wird. Alternativ kann die Halbleiterschicht 3100 aus polykristallinem Silizium bestehen. In diesem Fall können beide Kanten der Halbleiterschicht 3100 mit Störstellen dotiert sein.
Die Gate-Isolationsschicht 3200, die aus einem Isolationsmaterial besteht, ist über einer Gesamtheit einer Oberfläche des Substrats 3010 und auf der Halbleiterschicht 3100 ausgebildet. Die Gate-Isolationsschicht 3200 kann aus einem anorganischen Isolationsmaterial wie z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid bestehen.
Die Gate-Elektrode 3300, die aus einem leitfähigen Material wie z. B. einem Metall besteht, ist auf der Gate-Isolationsschicht 3200 ausgebildet und entspricht einem Zentrum der Halbleiterschicht 3100. Die Gate-Elektrode 3300 ist mit dem Schaltdünnschichttransistor verbunden.
Die Zwischenschichtisolationsschicht 3400, die aus einem Isolationsmaterial besteht, ist über der Gesamtheit der Oberfläche des Substrats 3010 und auf der Gate-Elektrode 3300 ausgebildet. Die Zwischenschichtisolationsschicht 3400 kann aus einem anorganischen Isolationsmaterial wie z. B. Siliziumoxid oder Siliziumnitrid oder einem organischen Isolationsmaterial wie z. B. Benzocyclobuten oder Photoacryl bestehen.
Die Zwischenschichtisolationsschicht 3400 weist ein erstes und ein zweites Halbleiterschichtkontaktloch 3420 und 3440 auf, die darin definiert sind, die jeweils beide gegenüberliegenden Seiten der Halbleiterschicht 3100 freilegen. Das erste und das zweite Halbleiterschichtkontaktloch 3420 und 3440 sind jeweils auf beiden gegenüberliegenden Seiten der Gate-Elektrode 3300 positioniert und sind von der Gate-Elektrode 3300 beabstandet.
Die Source-Elektrode 3520 und die Drain-Elektrode 3540, die aus einem leitfähigen Material wie z. B. Metall bestehen, sind auf der Zwischenschichtisolationsschicht 3400 ausgebildet. Die Source-Elektrode 3520 und die Drain-Elektrode 3540 sind um die Gate-Elektrode 3300 positioniert und sind voneinander beabstandet und kontaktieren jeweils beide gegenüberliegenden Seiten der Halbleiterschicht 3100 über das erste bzw. das zweite Halbleiterschichtkontaktloch 3420 und 3440. Die Source-Elektrode 3520 ist mit einer Leistungsleitung (nicht gezeigt) verbunden.
Die Halbleiterschicht 3100, die Gate-Elektrode 3300, die Source-Elektrode 3520 und die Drain-Elektrode 3540 bilden den Ansteuerdünnschichttransistor Td. Der Ansteuerdünnschichttransistor Td weist eine koplanare Struktur auf, in der die Gate-Elektrode 3300, die Source-Elektrode 3520 und die Drain-Elektrode 3540 auf der Halbleiterschicht 3100 positioniert sind.
Alternativ kann der Ansteuerdünnschichttransistor Td eine umgekehrte gestaffelte Struktur aufweisen, in der die Gate-Elektrode unter der Halbleiterschicht angeordnet ist, während die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode über der Halbleiterschicht angeordnet sind. In diesem Fall kann die Halbleiterschicht aus amorphem Silizium bestehen. In einem Beispiel kann der Schaltdünnschichttransistor (nicht gezeigt) im Wesentlichen dieselbe Struktur wie jene des Ansteuerdünnschichttransistors (Td) aufweisen.
In einem Beispiel kann die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 3000 ein Farbfilter 3600 umfassen, das das Licht absorbiert, das vom Elektrolumineszenzelement (Leuchtdiode) 4000 erzeugt wird. Das Farbfilter 3600 kann beispielsweise rotes (R), grünes (G), blaues (B) und weißes (W) Licht absorbieren. In diesem Fall können die Muster des roten, grünen und blauen Farbfilters, die Licht absorbieren, separat in verschiedenen Pixelbereichen ausgebildet sein. Jedes dieser Farbfiltermuster kann so angeordnet sein, dass es mit jeder organischen Schicht 4300 der organischen Leuchtdiode 4000 überlappt, um Licht eines Wellenlängenbandes zu emittieren, das jedem Farbfilter entspricht. Die Übernahme des Farbfilters 3600 kann ermöglichen, dass die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 3000 eine Vollfarbe verwirklicht.
Wenn beispielsweise die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 3000 von einem Unterseitenemissionstyp ist, kann das Farbfilter 3600, das Licht absorbiert, auf einem Abschnitt der Zwischenschichtisolationsschicht 3400 positioniert sein, der der organischen Leuchtdiode 4000 entspricht. In einer optionalen Ausführungsform, wenn die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 3000 von einem Oberseitenemissionstyp ist, kann das Farbfilter auf der organischen Leuchtdiode 4000, das heißt auf einer zweiten Elektrode 4200, positioniert sein. Das Farbfilter 3600 kann beispielsweise so ausgebildet sein, dass es eine Dicke von 2 bis 5 µm aufweist.
In einem Beispiel ist eine Schutzschicht 3700 mit einem Drain-Kontaktloch 3720, das darin definiert ist, das die Drain-Elektrode 3540 des Ansteuerdünnschichttransistors Td freilegt, so ausgebildet, dass sie den Ansteuerdünnschichttransistor Td bedeckt.
Auf der Schutzschicht 3700 ist jede erste Elektrode 4100, die mit der Drain-Elektrode 3540 des Ansteuerdünnschichttransistors Td über das Drain-Kontaktloch 3720 verbunden ist, individuell in jedem Pixelbereich ausgebildet.
Die erste Elektrode 4100 kann als positive Elektrode (Anode) wirken und kann aus einem leitfähigen Material mit einem relativ großen Arbeitsfunktionswert bestehen. Die erste Elektrode 4100 kann beispielsweise aus einem transparenten leitfähigen Material wie z. B. ITO, IZO oder ZnO bestehen.
In einem Beispiel, wenn die organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung 3000 von einem Oberseitenemissionstyp ist, kann eine Reflexionselektrode oder eine Reflexionsschicht ferner unter der ersten Elektrode 4100 ausgebildet sein. Die Reflexionselektrode oder die Reflexionsschicht kann beispielsweise Aluminium (Al), Silber (Ag), Nickel (Ni) und/oder eine Aluminium-Palladium-Kupfer-Legierung (APC-Legierung) umfassen.
Eine Bankschicht 3800, die eine Kante der ersten Elektrode 4100 bedeckt, ist auf der Schutzschicht 3700 ausgebildet. Die Bankschicht 3800 legt ein Zentrum der ersten Elektrode 4100 frei, das dem Pixelbereich entspricht.
Eine organische Schicht 4300 ist auf der ersten Elektrode 4100 ausgebildet. Falls erforderlich, kann die organische Leuchtdiode 4000 eine Tandemstruktur aufweisen. Hinsichtlich der Tandemstruktur kann auf 2 bis 4, die einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung zeigen, und auf die obigen Beschreibungen davon verwiesen werden.
Die zweite Elektrode 4200 ist auf dem Substrat 3010 ausgebildet, auf dem die organische Schicht 4300 ausgebildet wurde. Die zweite Elektrode 4200 ist über der Gesamtheit der Oberfläche der Anzeigefläche angeordnet und besteht aus einem leitfähigen Material mit einem relativ kleinen Arbeitsfunktionswert und kann als negative Elektrode (Kathode) verwendet werden. Die zweite Elektrode 4200 kann beispielsweise aus einem von Aluminium (Al), Magnesium (Mg) und einer Aluminium-Magnesium-Legierung (Al-Mg-Legierung) bestehen.
Die erste Elektrode 4100, die organische Schicht 4300 und die zweite Elektrode 4200 bilden die organische Leuchtdiode 4000.
Ein Einkapselungsfilm 3900 ist auf der zweiten Elektrode 4200 ausgebildet, um zu verhindern, dass externe Feuchtigkeit in die organische Leuchtdiode 4000 eindringt. Obwohl in 4 nicht explizit gezeigt, kann der Einkapselungsfilm 3900 eine Dreifachschichtstruktur aufweisen, in der eine erste anorganische Schicht, eine organische Schicht und eine anorganische Schicht sequentiell gestapelt sind. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf begrenzt.
Nachstehend werden ein Vorbereitungsbeispiel und ein vorliegendes Beispiel der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Das folgende vorliegende Beispiel ist jedoch nur ein Beispiel der vorliegenden Offenbarung. Die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf begrenzt.
Vorbereitungsbeispiel - Vorbereitung eines Liganden
(1) Vorbereitung des Liganden A
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung A-2
Die Verbindung SM-1 (4,58 g, 20 mmol), die Verbindung SM-2 (3,67 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung A-2 (4,72 g, 82 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung A-1
Die Verbindung A-2 (5,76 g, 20 mmol), die Verbindung SM-3 (4,28 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt, und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung A-1 (6,04 g, 80 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung A
Die Verbindung A-1 (7,55 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung A (4,58 g, 64 %) zu erhalten.
(2) Vorbereitung der Ligandenverbindung B
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung B-2
Die Verbindung A-2 (5,76 g, 20 mmol), die Verbindung SM-4 (4,56 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung B-2 (6,50 g, 83 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung B-1
Die Verbindung B-2 (7,83 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung B-1 (5,05 g, 68 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung B
Die Verbindung B-1 (7,43 g, 20 mmol) und Natrium-tert-butoxid (4 ml, 40 mmol) wurden zu 100 ml DMSO-d₆ in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben, und dann wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 135 °C für 48 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde das Reaktionsgefäß auf Raumtemperatur gekühlt und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und gründlich mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Dichlormethan unterzogen, um die Verbindung B (6,13 g, 82 %) zu erhalten.
(3) Vorbereitung der Ligandenverbindung C
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung C-2
Die Verbindung SM-5 (4,86 g, 20 mmol), die Verbindung SM-2 (3,67 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung C-2 (4,77 g, 79 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung C-1
Die Verbindung C-2 (6,04 g, 20 mmol), die Verbindung SM-3 (4,28 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung C-1 (6,58 g, 84 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung C
Die Verbindung C-1 (7,83 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung C (4,83 g, 65 %) zu erhalten.
(4) Vorbereitung der Ligandenverbindung D
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung D-2
Die Verbindung C-2 (6,04 g, 20 mmol), die Verbindung SM-4 (4,56 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung D-2 (6,81 g, 84 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung D-1
Die Verbindung D-2 (8,11 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung D-1 (6,32 g, 82 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung D
Die Verbindung D-1 (7,71 g, 20 mmol) und Natrium-tert-butoxid (4 ml, 40 mmol) wurden zu 100 ml DMSO-d₆ in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben und dann wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 135 °C für 48 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde das Reaktionsgefäß auf Raumtemperatur gekühlt und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und gründlich mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Dichlormethan unterzogen, um die Verbindung D (5,43 g, 70 %) zu erhalten.
(5) Vorbereitung der Ligandenverbindung E
Schritt 1 Vorbereitung des Liganden E-2
Die Verbindung SM-6 (4,58 g, 20 mmol), die Verbindung SM-2 (3,67 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung E-2 (4,90 g, 85 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung E-1
Die Verbindung E-2 (5,76 g, 20 mmol), die Verbindung SM-3 (4,28 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung E-1 (6,42 g, 85 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung E
Die Verbindung E-1 (7,55 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung E (4,86 g, 68 %) zu erhalten.
(6) Vorbereitung der Ligandenverbindung F
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung F-2
Die Verbindung E-2 (5,76 g, 20 mmol), die Verbindung SM-4 (4,56 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung F-2 (6,34 g, 81 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung F-1
Die Verbindung F-2 (7,83 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung F-1 (6,17 g, 83 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung F
Die Verbindung F-1 (7,43 g, 20 mmol) und Natrium-tert-butoxid (4 ml, 40 mmol) wurden zu 100 ml DMSO-d₆ in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 135 °C für 48 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde das Reaktionsgefäß auf Raumtemperatur gekühlt und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und gründlich mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Dichlormethan unterzogen, um die Verbindung F (5,01 g, 67 %) zu erhalten.
(7) Vorbereitung der Ligandenverbindung G
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung G-2
Die Verbindung SM-7 (4,86 g, 20 mmol), die Verbindung SM-2 (3,67 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung G-2 (4,83 g, 80 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung G-1
Die Verbindung G-2 (6,04 g, 20 mmol), die Verbindung SM-3 (4,28 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung G-1 (6,58 g, 84 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung G
Die Verbindung G-1 (7,83 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung G (4,76 g, 64 %) zu erhalten.
(8) Vorbereitung der Ligandenverbindung H
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung H-2
Die Verbindung G-2 (6,04 g, 20 mmol), die Verbindung SM-4 (4,56 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung H-2 (6,65 g, 82 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung H-1
Die Verbindung H-2 (8,11 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung H-1 (6,25 g, 81 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung H
Die Verbindung H-1 (7,71 g, 20 mmol) und Natrium-tert-butoxid (4 ml, 40 mmol) wurden zu 100 ml DMSO-d₆ in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben und dann wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 135 °C für 48 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde das Reaktionsgefäß auf Raumtemperatur gekühlt und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und gründlich mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Dichlormethan unterzogen, um die Verbindung H (5,19 g, 67 %) zu erhalten.
(9) Vorbereitung der Ligandenverbindung I
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung 1-3
Die Verbindung SM-8 (4,58 g, 20 mmol), die Verbindung SM-2 (3,67 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung 1-3 (4,67 g, 81 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung 1-2
Die Verbindung 1-3 (5,76 g, 20 mmol), die Verbindung SM-4 (4,56 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung 1-2 (6,42 g, 82 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung I-1
Die Verbindung I-2 (7,83 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst, und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben, und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung I-1 (5,80 g, 78 %) zu erhalten.
Schritt 4) Vorbereitung der Ligandenverbindung I
Die Verbindung I-1 (7,43 g, 20 mmol) und Natrium-tert-butoxid (4 ml, 40 mmol) wurden zu 100 ml DMSO-d₆ in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben und dann wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 135 °C für 48 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde das Reaktionsgefäß auf Raumtemperatur gekühlt und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und gründlich mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Dichlormethan unterzogen, um die Verbindung I (4,86 g, 65 %) zu erhalten.
(10) Vorbereitung der Ligandenverbindung J
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung J-3
Die Verbindung SM-9 (4,86 g, 20 mmol), die Verbindung SM-2 (3,67 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung J-3 (4,71 g, 78 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung J-2
Die Verbindung J-3 (6,04 g, 20 mmol), die Verbindung SM-4 (4,56 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung J-2 (6,49 g, 80 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung J-1
Die Verbindung J-2 (8,11 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung J-1 (5,09 g, 66 %) zu erhalten.
Schritt 4) Vorbereitung der Ligandenverbindung J
Die Verbindung J-1 (7,71 g, 20 mmol) und Natrium-tert-butoxid (4 ml, 40 mmol) wurden zu 100 ml DMSO-d₆ in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben und dann wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 135 °C für 48 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde das Reaktionsgefäß auf Raumtemperatur gekühlt und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und gründlich mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Dichlormethan unterzogen, um die Verbindung J (6,36 g, 82 %) zu erhalten.
(11) Vorbereitung der Ligandenverbindung K
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung K-3
Die Verbindung SM-10 (4,58 g, 20 mmol), die Verbindung SM-2 (3,67 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung K-3 (4,44 g, 77 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung K-2
Die Verbindung K-3 (5,76 g, 20 mmol), die Verbindung SM-4 (4,56 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung K-2 (6,26 g, 80 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung K-1
Die Verbindung K-2 (7,83 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung K-1 (6,17 g, 83 %) zu erhalten.
Schritt 4) Vorbereitung der Ligandenverbindung K
Die Verbindung K-1 (7,43 g, 20 mmol) und Natrium-tert-butoxid (4 ml, 40 mmol) wurden zu 100 ml DMSO-d₆ in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben und dann wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 135 °C für 48 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde das Reaktionsgefäß auf Raumtemperatur gekühlt und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und gründlich mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Dichlormethan unterzogen, um die Verbindung K (5,08 g, 68 %) zu erhalten.
(12) Vorbereitung der Ligandenverbindung L
Schritt 1) Vorbereitung der Ligandenverbindung L-3
Die Verbindung SM-11 (4,86 g, 20 mmol), die Verbindung SM-2 (3,67 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung L-3 (4,53 g, 75 %) zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Ligandenverbindung L-2
Die Verbindung L-3 (6,04 g, 20 mmol), die Verbindung SM-4 (4,56 g, 20 mmol), Pd(PPh₃)₄ (2,31 g, 2 mmol), P(t-Bu)₃ (0,81 g, 4 mmol) und NaOtBu (7,68 g, 80 mmol) wurden in 200 ml Toluol in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und danach wurde eine gemischte Lösung unter Rückfluss erhitzt und wurde für 12 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde mit Dichlormethan davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Hexan unterzogen, um die Verbindung L-2 (6,33 g, 78 %) zu erhalten.
Schritt 3) Vorbereitung der Ligandenverbindung L-1
Die Verbindung L-2 (8,11 g, 20 mmol) wurde in 80 ml Essigsäure und 25 ml THF in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre gelöst und dann wurde tert-Butylnitrit (5 ml, 38 mmol) zu einer gemischten Lösung tropfenweise bei 0 °C zugegeben und die gemischte Lösung wurde gerührt. Nach der Vollendung des Rührens bei 0 °C für 4 Stunden wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur angehoben und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und ausreichend mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Dichlormethan und Hexan unterzogen, um die Verbindung L-1 (5,01 g, 65 %) zu erhalten.
Schritt 4) Vorbereitung der Ligandenverbindung L
Die Verbindung L-1 (7,71 g, 20 mmol) und Natrium-tert-butoxid (4 ml, 40 mmol) wurden zu 100 ml DMSO-d₆ in einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben und dann wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 135 °C für 48 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wurde das Reaktionsgefäß auf Raumtemperatur gekühlt und eine organische Schicht wurde mit Essigsäureethylester davon extrahiert und gründlich mit Wasser gewaschen. Feuchtigkeit wurde mit wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt und die Lösung wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde dann unter vermindertem Druck konzentriert und wurde dann Trennung unter Verwendung von Säulenchromatographie mit Essigsäureethylester und Dichlormethan unterzogen, um die Verbindung L (6,51 g, 84 %) zu erhalten.
Vorbereitungsbeispiel - Vorbereitung der Vorstufe (Iridiumvorstufe) der Iridiumverbindung
(1) Vorbereitung der Iridiumvorstufenverbindung M'
Schritt 1) Vorbereitung der Verbindung MM
Eine gemischte Lösung, in der die Verbindung M (3,38 g, 20 mmol) und IrCl₃ (2,39 g, 8,0 mmol) in Ethoxyethanol: destilliertem Wasser = 90 ml: 30 ml gelöst waren, wurde in einen Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre eingegeben und die gemischte Lösung wurde unter Rückfluss für 24 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wird eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und ein resultierender Feststoff wird über Filtration unter vermindertem Druck davon getrennt. Der Feststoff wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde ausreichend mit Wasser und kaltem Methanol gewaschen und wurde Filtration unter vermindertem Druck wiederholt mehrere Male unterzogen, um 4,24 g (94 %) der festen Verbindung MM zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Iridiumvorstufenverbindung M'
In einem Rundkolben mit 250 ml wurden die Verbindung MM (4,51 g, 4 mmol) und Silbertrifluormethansulfonat (AgOTf, 3,02 g, 12 mmol) in Dichlormethan gelöst und eine gemischte Lösung wurde bei Raumtemperatur für 24 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wird eine feste Ausfällung über Filtration durch Celite davon entfernt. Ein resultierendes Filtrat wurde durch einen Filter filtriert und wurde unter vermindertem Druck destilliert, um 5,34 g (90 %) der resultierenden festen Verbindung M' zu erhalten.
(2) Vorbereitung der Iridiumvorstufenverbindung B'
Schritt 1) Vorbereitung der Verbindung BB
Eine gemischte Lösung, in der die Verbindung B (7,47 g, 20 mmol) und IrCl₃ (2,39 g, 8,0 mmol) in Ethoxyethanol: destilliertem Wasser = 90 ml: 30 ml gelöst waren, wurde in einen Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre eingegeben und die gemischte Lösung wurde unter Rückfluss erhitzt und wurde für 24 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wird eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und ein resultierender Feststoff wird über Filtration unter vermindertem Druck davon getrennt. Der Feststoff wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde ausreichend mit Wasser und kaltem Methanol gewaschen und wurde Filtration unter vermindertem Druck wiederholt mehrere Male unterzogen, um 7,00 g (90 %) der festen Verbindung BB zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Iridiumvorstufenverbindung B'
In einem Rundkolben mit 250 ml wurden die Verbindung BB (7,78 g, 4 mmol) und Silbertrifluormethansulfonat (AgOTf, 3,02 g, 12 mmol) in Dichlormethan gelöst und eine gemischte Lösung wurde bei Raumtemperatur für 24 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wird eine feste Ausfällung über Filtration durch Celite davon entfernt. Ein resultierendes Filtrat wurde durch einen Filter filtriert und wurde unter vermindertem Druck destilliert, um 3,87 g (84 %) der resultierenden festen Verbindung B' zu erhalten.
(3) Vorbereitung der Iridiumvorstufenverbindung D'
Schritt 1) Vorbereitung der Verbindung DD
Eine gemischte Lösung, in der die Verbindung D (7,75 g, 20 mmol) und IrCl₃ (2,39 g, 8,0 mmol) in Ethoxyethanol: destilliertem Wasser = 90 ml: 30 ml gelöst waren, wurde in einen Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre eingegeben und die gemischte Lösung wurde unter Rückfluss erhitzt und wurde für 24 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wird eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und ein resultierender Feststoff wird über Filtration unter vermindertem Druck davon getrennt. Der Feststoff wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde ausreichend mit Wasser und kaltem Methanol gewaschen und wurde Filtration unter vermindertem Druck wiederholt mehrere Male unterzogen, um 6,88 g (86 %) der festen Verbindung BB zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Iridiumvorstufenverbindung D'
In einem Rundkolben mit 250 ml wurden die Verbindung DD (8,01 g, 4 mmol) und Silbertrifluormethansulfonat (AgOTf, 3,02 g, 12 mmol) in Dichlormethan gelöst und eine gemischte Lösung wurde bei Raumtemperatur für 24 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wird eine feste Ausfällung über Filtration durch Celite davon entfernt. Ein resultierendes Filtrat wurde durch einen Filter filtriert und wurde unter vermindertem Druck destilliert, um 4,01 g (85 %) der resultierenden festen Verbindung D' zu erhalten.
(4) Vorbereitung der Iridiumvorstufenverbindung F'
Schritt 1) Vorbereitung der Verbindung FF
Eine gemischte Lösung, in der die Verbindung F (7,47 g, 20 mmol) und IrCl₃ (2,39 g, 8,0 mmol) in Ethoxyethanol: destilliertem Wasser = 90 ml: 30 ml gelöst waren, wurde zu einem Rundkolben mit 250 ml unter einer Stickstoffatmosphäre zugegeben und die gemischte Lösung wurde unter Rückfluss erhitzt und wurde für 24 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wird eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und ein resultierender Feststoff wird über Filtration unter vermindertem Druck davon getrennt. Der Feststoff wurde unter Verwendung eines Filters filtriert und wurde ausreichend mit Wasser und kaltem Methanol gewaschen und wurde Filtration unter vermindertem Druck wiederholt mehrere Male unterzogen, um 6,54 g (84 %) der festen Verbindung FF zu erhalten.
Schritt 2) Vorbereitung der Iridiumvorstufenverbindung F'
In einem Rundkolben mit 250 ml wurden die Verbindung FF (7,78 g, 4 mmol) und Silbertrifluormethansulfonat (AgOTf, 3,02 g, 12 mmol) in Dichlormethan gelöst und eine gemischte Lösung wurde bei Raumtemperatur für 24 Stunden gerührt. Nach der Vollendung einer Reaktion wird eine feste Ausfällung über Filtration durch Celite davon entfernt. Ein resultierendes Filtrat wurde durch einen Filter filtriert und wurde unter vermindertem Druck destilliert, um 4,05 g (88 %) der resultierenden festen Verbindung F' zu erhalten.
Vorbereitungsbeispiel - Vorbereitung der Iridiumverbindung
1. Vorbereitung der Iridiumverbindung 66
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden A (1,07 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 66 (1,00 g, 75 %) zu erhalten.
2. Vorbereitung der Iridiumverbindung 67
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden B (1,12 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 67 (0,96 g, 71 %) zu erhalten.
3. Vorbereitung der Iridiumverbindung 96
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden C (1,11 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 96 (1,03 g, 76 %) zu erhalten.
4. Vorbereitung der Iridiumverbindung 97
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden D (1,16 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 97 (1,11 g, 81 %) zu erhalten.
5. Vorbereitung der Iridiumverbindung 216
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden E (1,07 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 216 (1,14 g, 86 %) zu erhalten.
6. Vorbereitung der Iridiumverbindung 217
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden F (1,12 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 217 (1,09 g, 81 %) zu erhalten.
7. Vorbereitung der Iridiumverbindung 246
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden G (1,11 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 246 (1,07 g, 79 %) zu erhalten.
8. Vorbereitung der Iridiumverbindung 247
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden H (1,16 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 247 (1,10 g, 80 %) zu erhalten.
9. Vorbereitung der Iridiumverbindung 309
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden I (1,12 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 309 (0,96 g, 71 %) zu erhalten.
10. Vorbereitung der Iridiumverbindung 319
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden J (1,16 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 319 (1,04 g, 76 %) zu erhalten.
11. Vorbereitung der Iridiumverbindung 349
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden K (1,12 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 349 (1,19 g, 88 %) zu erhalten.
12. Vorbereitung der Iridiumverbindung 359
Wir gaben die Iridiumvorstufe M' (1,11 g, 1,5 mmol) und den Liganden L (1,16 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 25:75 gereinigt, um die Iridiumverbindung 359 (1,15 g, 84 %) zu erhalten.
13. Vorbereitung der Iridiumverbindung 469
Wir gaben die Iridiumvorstufe B' (1,72 g, 1,5 mmol) und den Liganden N (0,47 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 50:50 gereinigt, um die Iridiumverbindung 469 (1,23 g, 75 %) zu erhalten.
14. Vorbereitung der Iridiumverbindung 470
Wir gaben die Iridiumvorstufe D' (1,76 g, 1,5 mmol) und den Liganden N (0,47 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 50:50 gereinigt, um die Iridiumverbindung 470 (1,21 g, 72 %) zu erhalten.
15. Vorbereitung der Iridiumverbindung 479
Wir gaben die Iridiumvorstufe F' (1,72 g, 1,5 mmol) und den Liganden N (0,47 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 50:50 gereinigt, um die Iridiumverbindung 479 (1,28 g, 78 %) zu erhalten.
16. Vorbereitung der Iridiumverbindung 509
Wir gaben die Iridiumvorstufe B' (1,72 g, 1,5 mmol) und den Liganden O (0,73 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 40:60 gereinigt, um die Iridiumverbindung 509 (1,38 g, 80 %) zu erhalten.
17. Vorbereitung der Iridiumverbindung 510
Wir gaben die Iridiumvorstufe D' (1,76 g, 1,5 mmol) und den Liganden O (0,73 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert, und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 40:60 gereinigt, um die Iridiumverbindung 510 (1,39 g, 79 %) zu erhalten.
18. Vorbereitung der Iridiumverbindung 519
Wir gaben die Iridiumvorstufe F' (1,72 g, 1,5 mmol) und den Liganden O (0,73 g, 3 mmol) in 2-Ethoxyethanol (50 ml) und DMF (50 ml) in einem Rundkolben mit 150 ml unter einer Stickstoffatmosphäre ein und danach wurde eine gemischte Lösung erhitzt und bei 130 °C für 24 Stunden gerührt. Wenn eine Reaktion vollendet war, wurde eine Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt und eine organische Schicht wurde unter Verwendung von Dichlormethan und destilliertem Wasser davon extrahiert und Feuchtigkeit wurde durch Zugabe von wasserfreiem Magnesiumsulfat davon entfernt. Ein Filtrat wurde durch Filtration davon erhalten und wurde im Druck verringert, um ein resultierendes Rohprodukt zu erhalten. Das resultierende Rohprodukt wurde unter Verwendung von Säulenchromatographie unter einer Bedingung von Essigsäureethylester:Hexan = 40:60 gereinigt, um die Iridiumverbindung 519 (1,40 g, 81 %) zu erhalten.
Vorliegende Beispiele
<Vorliegendes Beispiel 1>
Ein Glassubstrat mit einem Dünnfilm aus ITO (Indiumzinnoxid) mit einer Dicke von 1000 Ä, der darauf aufgetragen war, wurde gewaschen, gefolgt von Ultraschallreinigung mit Aceton. Dann wurde das Glassubstrat getrocknet. Folglich wurde eine transparente ITO-Elektrode ausgebildet. HI-1 als Lochinjektionsmaterial wurde auf der transparenten ITO-Elektrode in einer thermischen Vakuumabscheidungskammer abgeschieden. Folglich wurde eine Lochinjektionsschicht mit einer Dicke von 60 nm ausgebildet. Dann wurde NPB als Lochtransportmaterial auf der Lochinjektionsschicht in einer thermischen Vakuumabscheidungskammer abgeschieden. Folglich wurde eine Lochtransportschicht mit einer Dicke von 80 nm ausgebildet. Dann wurde CBP als Wirtsmaterial einer Lichtemissionsschicht auf der Lochtransportschicht in einer thermischen Vakuumabscheidungsweise abgeschieden. Die Verbindung 66 als Dotierungsmaterial wurde in das Wirtsmaterial mit einer Dotierungskonzentration von 5 % dotiert. Folglich wurde eine Lichtemissionsschicht mit einer Dicke von 30 nm ausgebildet. ET-1: Liq (1:1) (30 nm) als Material für eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht wurde auf der Lichtemissionsschicht abgeschieden. Dann wurde 100 nm dickes Aluminium darauf abgeschieden, um eine negative Elektrode auszubilden. In dieser Weise wurde eine organische Leuchtdiode, die grünes Licht emittiert, hergestellt.

HI-1 bedeutetN1,N1'-([1,1'-Biphenyl]-4,4'-diyl)bis(N1,N4,N4-triphenylbenzol-1,4-diamin).
ET-1 bedeutet2-(4-(9,10-Di(naphthalin-2-yl)anthracen-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol.
<Vorliegende Beispiele 2 bis 18 und Vergleichsbeispiele 1 bis 7>
Organische Leuchtdioden der vorliegenden Beispiele 2 bis 18 und Vergleichsbeispiele 1 bis 7 wurden in derselben Weise wie im vorliegenden Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Verbindungen, die in den folgenden Tabellen 1 bis 2 angegeben sind, anstelle der Verbindung 66 als Dotierungsmaterial im vorliegenden Beispiel 1 verwendet wurden.
<Leistungsbewertung der organischen Leuchtdioden >

Hinsichtlich der organischen Leuchtdioden, die gemäß den vorliegenden Beispielen 1 bis 18 und Vergleichsbeispielen 1 bis 7 vorbereitet wurden, wurden Betriebsspannungen und Effizienzcharakteristiken bei 10 mA/cm² Strom und Lebensdauercharakteristiken unter Beschleunigung mit 20 mA/cm² gemessen. Dann wurden die Betriebsspannung (V), EQE (externe Quanteneffizienz) (%) und LT95 (%) gemessen und wurden in Werte relativ zum Vergleichsbeispiel 1 umgewandelt und Ergebnisse sind in den nachstehenden Tabellen 1 bis 2 gezeigt. LT95 bezieht sich auf ein Lebensdauerbewertungsschema und bedeutet eine Zeit, die es dauert, bis eine organische Leuchtdiode 5 % der anfänglichen Helligkeit davon verliert. Tabelle 1

Beispiele	Dotierungsmaterial	Betriebsspannung (V)	Maximale Leuchteffizienz (%, relativer Wert)	EQE (%, relativer Wert)	LT95 (%, relativer Wert)
Vergleichsbeispiel 1	Ref-1	4,25	100	100	100
Vergleichsbeispiel 2	Ref-2	4,26	101	102	101
Vergleichsbeispiel 3	Ref-3	4,25	95	96	105
Vergleichsbeispiel 4	Ref-4	4,32	94	90	101
Vergleichsbeispiel 5	Ref-S	4,30	91	88	104
Vergleichsbeispiel 6	Ref-6	4,31	95	92	100
Vergleichsbeispiel 7	Ref-7	4,34	92	90	106

Strukturen von Ref-1 bis Ref-7 als Dotierungsmaterialien in den Vergleichsbeispielen 1 bis 7 in der obigen Tabelle 1 sind wie folgt.

Tabelle 2

Beispiele	Dotierungsmaterial	Betriebsspannung (V)	Maximale Leuchteffizienz (%, relativer Wert)	EQE (%, relativer Wert)	LT95 (%, relativer Wert)
Vorliegendes Beispiel 1	Verbindung 66	4,22	110	110	127
Vorliegendes Beispiel 2	Verbindung 67	4,21	111	111	129
Vorliegendes Beispiel 3	Verbindung 96	4,22	112	112	130
Vorliegendes Beispiel 4	Verbindung 97	4,21	113	113	132
Vorliegendes Beispiel 5	Verbindung 216	4,23	109	110	124
Vorliegendes Beispiel 6	Verbindung 217	4,24	108	109	125
Vorliegendes Beispiel 7	Verbindung 246	4,22	117	119	127
Vorliegendes Beispiel 8	Verbindung 247	4,23	117	117	129
Vorliegendes Beispiel 9	Verbindung 309	4,24	108	109	124
Vorliegendes Beispiel 10	Verbindung 319	4,23	112	115	127
Vorliegendes Beispiel 11	Verbindung 349	4,24	106	108	126
Vorliegendes Beispiel 12	Verbindung 359	4,22	112	114	129
Vorliegendes Beispiel 13	Verbindung 469	4,23	116	112	126
Vorliegendes Beispiel 14	Verbindung 470	4,21	115	111	128
Vorliegendes Beispiel 15	Verbindung 479	4,22	116	114	126
Vorliegendes Beispiel 16	Verbindung 509	4,22	117	113	127
Vorliegendes	Verbindung 510	4,23	118	115	126
Beispiel 17
Vorliegendes Beispiel 18	Verbindung 519	4,24	115	114	124

Aus den Ergebnissen der obigen Tabelle 1 bis Tabelle 2 kann identifiziert werden, dass in der organischen Leuchtdiode, in der die organometallische Verbindung von jedem der vorliegenden Beispiele 1 bis 18 gemäß der vorliegenden Offenbarung als Dotierungsmaterial der Lichtemissionsschicht der Diode verwendet wird, im Vergleich zu jenen im Vergleichsbeispiel 1 die Betriebsspannung der Diode gesenkt ist und die maximale Leuchteffizienz, die externe Quanteneffizienz (EQE) und die Lebensdauer (LT95) der Diode verbessert sind.
Die vorliegende Erfindung ist ferner auf die folgenden Punkte gerichtet.

1. Eine organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist:
- Ir(L_A)_m(L_B)_n (Chemische Formel 1)
- wobei in der chemischen Formel 1, L_A durch eines dargestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus der
- chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6 besteht, L_B ein zweizähniger Ligand ist, der durch die chemische Formel 3 dargestellt
- ist, m 1, 2 oder 3 ist, n 0, 1 oder 2 ist und eine Summe von m und n 3 ist,
- wobei in jeder der chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6, X Kohlenstoff, Sauerstoff, Stickstoff oder Schwefel darstellt, jedes von R_1-1, R_1-2, R_1-3, R_1-4, R_2-1, R_2-2, R_3-1, R_3-2, R_4-1 und R_4-2 unabhängig
- Wasserstoff, Deuterium, Halogenid, Alkyl, Cycloalkyl, Heteroalkyl, Arylalkyl, Alkoxy, Aryloxy, Amino, Silyl, Alkenyl, Cycloalkenyl, Heteroalkenyl, Alkynyl, Aryl, Heteroaryl, Acyl, Carbonyl, Carbonsäure, Ester, Nitril, Isonitril, Sulfanyl, Sulfinyl, Sulfonyl, Phosphino oder Kombinationen davon darstellt, wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R_1-1, R_1-2, R_1-3, R_1-4,
- R_2-1, R_2-2, R_3-1, R_3-2, R_4-1 und R_4-2 aneinander binden, um eine Ringstruktur zu bilden, wobei in der chemischen Formel 3 Z₁ und Z₂ unabhängig voneinander ein aromatischer oder alicyclischer Kohlenstoff, Sauerstoff oder Stickstoff sind.
2. Die organometallische Verbindung von Punkt 1, wobei der zweizähnige Ligand, der durch die chemische Formel 3 dargestellt ist, die chemische Formel 4 oder chemische Formel 5 umfasst:

wobei in der chemischen Formel 4, jedes von R_5-1, R_5-2, R_5-3, R_5-4, R_6-1, R_6-2, R_6-3 und R_6-4 unabhängig Wasserstoff, Deuterium, eine geradkettige C1-C5-Alkylgruppe oder eine verzweigte C1-C5-Alkylgruppe darstellt, und wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R_5-1, R_5-2, R_5-3, R_5-4, R_6-1, R_6-2, R_6-3 und R_6-4 aneinander binden, um eine Ringstruktur zu bilden, wobei in der chemischen Formel 5, jedes von R₇, R₈ und R₉ unabhängig Wasserstoff, Deuterium, eine geradkettige C1-C5-Alkylgruppe oder eine verzweigte C1-C5-Alkylgruppe darstellt, und wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R₇, R₈ und R₉ aneinander binden, um eine Ringstruktur zu bilden, und wobei die geradkettige C1-C5-Alkylgruppe oder die verzweigte C1-C5-Alkylgruppe mit Deuterium oder einem Halogenelement substituiert ist.
3. Die organometallische Verbindung von Punkt 1, wobei die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, eine heteroleptische Struktur aufweist, in der m 1 ist und n 2 ist.
4. Die organometallische Verbindung von Punkt 1, wobei die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, eine heteroleptische Struktur aufweist, in der m 2 ist und n 1 ist.
5. Die organometallische Verbindung von Punkt 1, wobei die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, eine homoleptische Struktur aufweist, in der m 3 ist und n 0 ist.
6. Die organometallische Verbindung von Punkt 1, wobei die Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, eine umfasst, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus den vorstehend offenbarten Verbindungen 1 bis 540 besteht.
7. Eine organische Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst:
- eine erste Elektrode;
- eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und
- eine organische Schicht, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist,
wobei die organische Schicht eine Lichtemissionsschicht umfasst, die Lichtemissionsschicht ein Dotierungsmaterial enthält, und das Dotierungsmaterial die organometallische Verbindung gemäß Punkt 1 umfasst.
8. Die Vorrichtung von Punkt 7, wobei die Lichtemissionsschicht eine grüne Lichtemissionsschicht umfasst.
9. Die Vorrichtung von Punkt 7, wobei die organische Schicht ferner eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninj ektionsschicht umfasst.
10. Eine organische Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst:
- eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die einander zugewandt sind; und
- einen ersten Lichtemissionsstapel und einen zweiten Lichtemissionsstapel, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode positioniert sind,
wobei jeder des ersten Lichtemissionsstapels und des zweiten Lichtemissionsstapels mindestens eine Lichtemissionsschicht umfasst, mindestens eine der Lichtemissionsschichten eine grüne Phosphoreszenzlichtemissionsschicht umfasst, die grüne Phosphoreszenzlichtemissionsschicht ein Dotierungsmaterial enthält, und das Dotierungsmaterial die organometallische Verbindung gemäß Punkt 1 umfasst.
11. Eine organische Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst:
- eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die einander zugewandt sind; und
- einen ersten Lichtemissionsstapel, einen zweiten Lichtemissionsstapel und einen dritten Lichtemissionsstapel, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode positioniert sind,
wobei jeder des ersten Lichtemissionsstapels, des zweiten Lichtemissionsstapels und des dritten Lichtemissionsstapels mindestens eine Lichtemissionsschicht umfasst, mindestens eine der Lichtemissionsschichten eine grüne Phosphoreszenzlichtemissionsschicht umfasst, die grüne Phosphoreszenzlichtemissionsschicht ein Dotierungsmaterial enthält, und das Dotierungsmaterial die organometallische Verbindung gemäß Punkt 1 umfasst.
12. Eine organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung, die umfasst:
- ein Substrat;
- ein Ansteuerelement, das auf dem Substrat positioniert ist; und
- ein organisches Lichtemissionselement, das auf dem Substrat angeordnet ist und mit dem Ansteuerelement verbunden ist, wobei das organische Lichtemissionselement die organische Lichtemissionsvorrichtung gemäß Punkt 7 umfasst.
13. Die organometallische Verbindung von Punkt 1, wobei die Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, mindestens eine der folgenden Verbindungen umfasst:
14. Eine organische Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst:
- eine erste Elektrode;
- eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und
- eine organische Schicht, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist,
wobei die organische Schicht eine Lichtemissionsschicht umfasst, die Lichtemissionsschicht ein Dotierungsmaterial enthält, und das Dotierungsmaterial die organometallische Verbindung gemäß Punkt 2 umfasst.
15. Die Vorrichtung von Punkt 14, wobei die Lichtemissionsschicht eine grüne Lichtemissionsschicht umfasst.
16. Die Vorrichtung von Punkt 14, wobei die organische Schicht ferner eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninj ektionsschicht umfasst.
17. Eine organische Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst:
- eine erste Elektrode;
- eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und
- eine organische Schicht, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist,
wobei die organische Schicht eine Lichtemissionsschicht umfasst, die Lichtemissionsschicht ein Dotierungsmaterial enthält, und das Dotierungsmaterial die organometallische Verbindung gemäß Punkt 3 umfasst.
18. Die Vorrichtung von Punkt 17, wobei die Lichtemissionsschicht eine grüne Lichtemissionsschicht umfasst.
19. Die Vorrichtung von Punkt 17, wobei die organische Schicht ferner eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninj ektionsschicht umfasst.

Claims

Organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist: Ir(L_A)_m(L_B)_n (Chemische Formel 1) wobei in der chemischen Formel 1, L_A durch eines dargestellt ist, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus der chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6 besteht, L_B ein zweizähniger Ligand ist, der durch die chemische Formel 3 dargestellt ist, m 1, 2 oder 3 ist, n 0, 1 oder 2 ist und eine Summe von m und n 3 ist,

wobei in jeder der chemischen Formel 2-1 bis chemischen Formel 2-6, X -CH₂-, Sauerstoff, -NH- oder Schwefel darstellt, jedes von R_1-1, R_1-2, R_1-3, R_1-4, R_2-1, R_2-2, R_3-1, R_3-2, R_4-1 und R_4-2 unabhängig Wasserstoff, Deuterium, Halogenid, Alkyl, Cycloalkyl, Heteroalkyl, Arylalkyl, Alkoxy, Aryloxy, Amino, Silyl, Alkenyl, Cycloalkenyl, Heteroalkenyl, Alkynyl, Aryl, Heteroaryl, Acyl, Carbonyl, Carbonsäure, Ester, Nitril, Isonitril, Sulfanyl, Sulfinyl, Sulfonyl, Phosphino oder Kombinationen davon darstellt, wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R_1-1, R_1-2, R_1-3, R_1-4, R_2-1, R_2-2, R_3-1, R_3-2, R_4-1 und R_4-2 aneinander binden, um eine Ringstruktur zu bilden, wobei in der chemischen Formel 3 Z₁ und Z₂ unabhängig voneinander ein aromatischer oder alicyclischer Kohlenstoff, Sauerstoff oder Stickstoff sind.
Organometallische Verbindung nach Anspruch 1, wobei der zweizähnige Ligand, der durch die chemische Formel 3 dargestellt ist, die chemische Formel 4 oder chemische Formel 5 umfasst:

wobei in der chemischen Formel 4, jedes von R_5-1, R_5-2, R_5-3, R_5-4, R_6-1, R_6-2, R_6-3 und R_6-4 unabhängig Wasserstoff, Deuterium, eine geradkettige C1-C5-Alkylgruppe oder eine verzweigte C1-C5-Alkylgruppe darstellt, und wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R_5-1, R_5-2, R_5-3, R_5-4, R_6-1, R_6-2, R_6-3 und R_6-4 aneinander binden, um eine Ringstruktur zu bilden, wobei in der chemischen Formel 5, jedes von R₇, R₈ und R₉ unabhängig Wasserstoff, Deuterium, eine geradkettige C1-C5-Alkylgruppe oder eine verzweigte C1-C5-Alkylgruppe darstellt, und wahlweise zwei benachbarte funktionale Gruppen unter R₇, R₈ und R₉ aneinander binden, um eine Ringstruktur zu bilden, und wobei die geradkettige C1-C5-Alkylgruppe oder die verzweigte C1-C5-Alkylgruppe mit Deuterium oder einem Halogenelement substituiert ist.
Organometallische Verbindung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, eine heteroleptische Struktur aufweist, in der m 1 ist und n 2 ist.
Organometallische Verbindung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, eine heteroleptische Struktur aufweist, in der m 2 ist und n 1 ist.
Organometallische Verbindung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die organometallische Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, eine homoleptische Struktur aufweist, in der m 3 ist und n 0 ist.
Organometallische Verbindung nach Anspruch 1, wobei die Verbindung, die durch die chemische Formel 1 dargestellt ist, eine umfasst, die aus einer Gruppe ausgewählt ist, die aus den Verbindungen 1 bis 540 besteht:
Organische Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst: eine erste Elektrode; eine zweite Elektrode, die der ersten Elektrode zugewandt ist; und eine organische Schicht, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnet ist, wobei die organische Schicht eine Lichtemissionsschicht umfasst, die Lichtemissionsschicht ein Dotierungsmaterial enthält, und das Dotierungsmaterial die organometallische Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 6 umfasst.
Organische Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst: eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die einander zugewandt sind; und einen ersten Lichtemissionsstapel und einen zweiten Lichtemissionsstapel, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode positioniert sind, wobei jeder des ersten Lichtemissionsstapels und des zweiten Lichtemissionsstapels mindestens eine Lichtemissionsschicht umfasst, mindestens eine der Lichtemissionsschichten eine grüne Phosphoreszenzlichtemissionsschicht umfasst, die grüne Phosphoreszenzlichtemissionsschicht ein Dotierungsmaterial enthält, und das Dotierungsmaterial die organometallische Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 6 umfasst.
Organische Lichtemissionsvorrichtung, die umfasst: eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, die einander zugewandt sind; und einen ersten Lichtemissionsstapel, einen zweiten Lichtemissionsstapel und einen dritten Lichtemissionsstapel, die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode positioniert sind, wobei jeder des ersten Lichtemissionsstapels, des zweiten Lichtemissionsstapels und des dritten Lichtemissionsstapels mindestens eine Lichtemissionsschicht umfasst, mindestens eine der Lichtemissionsschichten eine grüne Phosphoreszenzlichtemissionsschicht umfasst, die grüne Phosphoreszenzlichtemissionsschicht ein Dotierungsmaterial enthält, und das Dotierungsmaterial die organometallische Verbindung nach einem der Ansprüche 1 bis 6 umfasst.
Organische Lichtemissionsanzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat; ein Ansteuerelement, das auf dem Substrat positioniert ist; und ein organisches Lichtemissionselement, das auf dem Substrat angeordnet ist und mit dem Ansteuerelement verbunden ist, wobei das organische Lichtemissionselement die organische Lichtemissionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9 umfasst.