DE102022112559A1 - Schaltvorrichtung, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Schaltvorrichtung - Google Patents

Schaltvorrichtung, Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Schaltvorrichtung Download PDF

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Hitoshi Makishima
Yuki Matsutaka
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Abstract

Eine Schaltvorrichtung enthält: ein Schaltelement; ein Die-Pad; einen Gate-Anschluss; einen ersten Leistungsanschluss, der mit dem Die-Pad integral ist; und einen zweiten Leistungsanschluss, wobei der Gate-Anschluss, der erste Leistungsanschluss und der zweite Leistungsanschluss in Draufsicht auf einer Seite einer ersten Richtung des Die-Pads gelegen sind, der Gate-Anschluss, der erste Leistungsanschluss und der zweite Leistungsanschluss in einer zweiten Richtung orthogonal zur ersten Richtung in Draufsicht in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der Gate-Anschluss, der erste Leistungsanschluss und der zweite Leistungsanschluss oder der zweite Leistungsanschluss, der erste Leistungsanschluss und der Gate-Anschluss, das Schaltelement auf seiner oberen Oberfläche ein erstes Gate-Pad und ein zweites Gate-Pad aufweist, das erste Gate-Pad näher zum Gate-Anschluss als das zweite Gate-Pad liegt, das zweite Gate-Pad näher zum zweiten Leistungsanschluss als das erste Gate-Pad liegt und das erste Gate-Pad durch einen Draht mit dem Gate-Anschluss verbunden ist.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf Schaltvorrichtungen, Halbleitervorrichtungen und Verfahren zum Herstellen von Schaltvorrichtungen.
  • Beschreibung der Hintergrundtechnik
  • In der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2005-327752 ist beispielsweise eine Halbleitervorrichtung offenbart, die einen Source-Anschluss, einen Drain-Anschluss und einen Gate-Anschluss aufweist.
  • Je nach Nutzungsbedingung sind manchmal Schaltvorrichtungen erforderlich, die sich in der Anordnung bzw. im Layout der Anschlüsse unterscheiden. Eine Änderung im Layout der Anschlüsse einer Schaltvorrichtung kann zu einer Änderung der Eigenschaften führen.
  • Zusammenfassung
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Schaltvorrichtung bereitzustellen, die imstande ist, eine Änderung der Eigenschaften, wenn das Layout von Anschlüssen geändert wird, zu unterdrücken.
  • Eine Schaltvorrichtung gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Offenbarung umfasst: ein Schaltelement; ein Die-Pad, einen Gate-Anschluss, der mit dem Die-Pad nicht einteilig bzw. nicht-integral ist; einen ersten Leistungsanschluss, der mit dem Die-Pad integral ist; und einen zweiten Leistungsanschluss, der mit dem Die-Pad nicht-integral ist. Das Schaltelement ist über dem Die-Pad angeordnet. Eine untere Oberfläche des Schaltelements und das Die-Pad sind elektrisch verbunden. Der Gate-Anschluss, der erste Leistungsanschluss und der zweite Leistungsanschluss befinden sich in Draufsicht auf einer Seite einer ersten Richtung des Die-Pads. Der Gate-Anschluss, der erste Leistungsanschluss und der zweite Leistungsanschluss sind in Draufsicht in einer zweiten Richtung orthogonal zur ersten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet: der Gate-Anschluss, der erste Leistungsanschluss und der zweite Leistungsanschluss oder der zweite Leistungsanschluss, der erste Leistungsanschluss und der Gate-Anschluss. Das Schaltelement weist auf seiner oberen Oberfläche ein erstes Gate-Pad und ein zweites Gate-Pad auf. Das erste Gate-Pad liegt näher zum Gate-Anschluss als das zweite Gate-Pad. Das zweite Gate-Pad liegt näher zum zweiten Leistungsanschluss als das erste Gate-Pad. Das erste Gate-Pad ist durch einen Draht mit dem Gate-Anschluss verbunden. Das zweite Gate-Pad ist nicht mit dem Gate-Anschluss oder dem zweiten Leistungsanschluss verbunden.
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung wird eine Schaltvorrichtung bereitgestellt, die imstande ist, Kosten zu reduzieren, die für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen, die sich im Layout der Anschlüsse unterscheiden, erforderlich sind.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
  • Figurenliste
    • 1 zeigt ein Beispiel einer Schaltvorrichtung in einer Ausführungsform 1;
    • 2 zeigt ein Beispiel der Schaltvorrichtung in der Ausführungsform 1;
    • 3 zeigt ein Schaltelement der Schaltvorrichtung in der Ausführungsform 1;
    • 4 zeigt ein Beispiel einer Schaltvorrichtung in einer Ausführungsform 2;
    • 5 zeigt ein Beispiel der Schaltvorrichtung in der Ausführungsform 2;
    • 6 zeigt eine Orientierung eines Gate-Pads, wenn ein Schaltelement im Beispiel der Schaltvorrichtung in der Ausführungsform 2 imaginär gedreht wird;
    • 7 zeigt ein Beispiel der Schaltvorrichtung in der Ausführungsform 1;
    • 8 zeigt ein Beispiel der Schaltvorrichtung in der Ausführungsform 1; und
    • 9 zeigt eine Schaltvorrichtung in einer Ausführungsform 3.
  • Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • <A. Ausführungsform 1>
  • <A-1. Konfiguration>
  • 7 und 8 zeigen eine Schaltvorrichtung 11a bzw. eine Schaltvorrichtung 11b, die jeweils eine Schaltvorrichtung in der vorliegenden Ausführungsform sind.
  • 1 und 2 zeigen die Schaltvorrichtung 11a bzw. die Schaltvorrichtung 11b ohne deren Versiegelungsmaterial 17, um das Innere des Versiegelungsmaterials 17 zu zeigen. Das Versiegelungsmaterial 17 ist in jeder der 1 und 2 in einer abwechselnd lang und zweimal kurz gestrichelten Linie dargestellt. Das Versiegelungsmaterial 17 weist ein Loch 70 auf, das genutzt wird, um die Schaltvorrichtung 11a oder die Schaltvorrichtung 11b an einem Kühlkörper und dergleichen zu befestigen.
  • Sowohl die Schaltvorrichtung 11a als auch die Schaltvorrichtung 11b enthalten ein Schaltelement 1, ein Die-Pad 3, einen Anschluss 4, einen Anschluss 5, der mit dem Die-Pad 3 integral ist, und einen Anschluss 6. Das Die-Pad 3 und der Anschluss 4 sind nicht einteilig bzw. nicht-integral. Das Die-Pad 3 und der Anschluss 6 sind nicht-integral.
  • Der Anschluss 4, der Anschluss 5 und der Anschluss 6 befinden sich auf einer Seite einer ersten Richtung (d. h. einer x-Richtung in 1 oder 2) des Die-Pads 3. Der Anschluss 4, der Anschluss 5 und der Anschluss 6 ragen aus dem Versiegelungsmaterial 17 von einer Seite der ersten Richtung desselben heraus. Der Anschluss 4, der Anschluss 5 und der Anschluss 6 erstrecken sich entlang der ersten Richtung. Der Anschluss 4, der Anschluss 5 und der Anschluss 6 ragen aus dem Versiegelungsmaterial 17 in der ersten Richtung heraus.
  • Das Schaltelement 1, das Die-Pad 3, ein Abschnitt bzw. Teilbereich des Anschlusses 4, ein Teilbereich des Anschlusses 5 und ein Teilbereich des Anschlusses 6 sind durch das Versiegelungsmaterial 17 versiegelt. Das Versiegelungsmaterial 17 ist beispielsweise ein Harz.
  • Das Schaltelement 1 ist über dem Die-Pad 3 angeordnet. Das Schaltelement 1 ist über ein Bonding-Material über dem Die-Pad 3 angeordnet und ist beispielsweise an das Die-Pad 3 gebondet. Das Bonding-Material ist beispielsweise ein Lötmetall.
  • Das Schaltelement 1 weist auf seiner unteren Oberfläche eine Drain-Elektrode auf, die nicht veranschaulicht ist. Die Drain-Elektrode und das Die-Pad 3 sind über ein Bonding-Material elektrisch verbunden.
  • Das Schaltelement 1 weist auf seiner oberen Oberfläche eine Source-Elektrode 21 auf. Das Schaltelement 1 weist auf seiner oberen Oberfläche zwei Gate-Pads, das heißt ein Gate-Pad 22 und ein Gate-Pad 23, auf.
  • Die Source-Elektrode 21 ist in einem Bereich auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 angeordnet, der von einem Bereich verschieden ist, in dem das Gate-Pad 22 und das Gate-Pad 23 angeordnet sind. Die Source-Elektrode 21 nimmt einen großen Umfang eines Bereichs auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 mit Ausnahme des Gate-Pads 22 und des Gate-Pads 23 ein. Die Source-Elektrode 21 nimmt beispielsweise einen Bereich ein, der gleich der Hälfte der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 oder größer ist. Die Source-Elektrode 21 nimmt einen Bereich ein, der beispielsweise gleich 75% der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 oder größer ist.
  • Das Schaltelement 1 ist ein Schaltelement, um einen zwischen der Source-Elektrode 21 und der Drain-Elektrode fließenden Strom entsprechend einem in das Gate-Pad 22 oder das Gate-Pad 23 eingespeisten Gate-Signal zu steuern.
  • Das Schaltelement 1 ist beispielsweise ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) oder ein rückwärts leitender IGBT (RC-IGBT).
  • Das Schaltelement 1 ist ein Halbleiterelement, das beispielsweise einen Silizium-Halbleiter, einen SiC-Halbleiter oder einen GaN-Halbleiter enthält.
  • In der Schaltvorrichtung 11a sind der Anschluss 6 und die Source-Elektrode 21 durch einen Draht 7 verbunden.
  • In der Schaltvorrichtung 11b sind der Anschluss 4 und die Source-Elektrode 21 durch den Draht 7 verbunden.
  • In der Schaltvorrichtung 11a sind der Anschluss 4 und das Gate-Pad 22 durch einen Draht 8 verbunden. In der Schaltvorrichtung 11a ist das Gate-Pad 23 nicht mit dem Anschluss 4 oder dem Anschluss 6 verbunden. In der Schaltvorrichtung 11a ist das Gate-Pad 22 ein Beispiel eines ersten Gate-Pads und ist das Gate-Pad 23 ein Beispiel eines zweiten Gate-Pads.
  • In der Schaltvorrichtung 11b sind der Anschluss 6 und das Gate-Pad 23 durch den Draht 8 verbunden. In der Schaltvorrichtung 11b ist das Gate-Pad 22 nicht mit dem Anschluss 4 oder dem Anschluss 6 verbunden. In der Schaltvorrichtung 11b ist das Gate-Pad 22 ein Beispiel des zweiten Gate-Pads und ist das Gate-Pad 23 ein Beispiel des ersten Gate-Pads.
  • In der Schaltvorrichtung 11a ist der Anschluss 4 ein Gate-Anschluss, ist der Anschluss 5 ein Drain-Anschluss und ist der Anschluss 6 ein Source-Anschluss. Das heißt, in der Schaltvorrichtung 11a sind der Gate-Anschluss als der Anschluss 4, der Drain-Anschluss als der Anschluss 5 und der Source-Anschluss als der Anschluss 6 in einer zweiten Richtung (d. h. einer y-Richtung in 1), die zur ersten Richtung orthogonal ist, in der folgenden Reihenfolge angeordnet: der Gate-Anschluss, der Drain-Anschluss und der Source-Anschluss. In der Schaltvorrichtung 11a ist der Drain-Anschluss ein Beispiel eines ersten Leistungsanschlusses und ist der Source-Anschluss ein Beispiel eines zweiten Leistungsanschlusses.
  • In der Schaltvorrichtung 11b ist der Anschluss 4 ein Source-Anschluss, ist der Anschluss 5 ein Drain-Anschluss und ist der Anschluss 6 ein Gate-Anschluss. Das heißt, in der Schaltvorrichtung 11b sind der Gate-Anschluss als der Anschluss 6, der Drain-Anschluss als der Anschluss 5 und der Source-Anschluss als der Anschluss 4 in der zweiten Richtung (d. h. einer y-Richtung in 2) in der folgenden Reihenfolge angeordnet: der Source-Anschluss, der Drain-Anschluss und der Gate-Anschluss. In der Schaltvorrichtung 11b ist der Drain-Anschluss ein Beispiel des ersten Leistungsanschlusses und ist der Source-Anschluss ein Beispiel des zweiten Leistungsanschlusses.
  • Wie oben beschrieben wurde, sind die Schaltvorrichtung 11a und die Schaltvorrichtung 11b Schaltvorrichtungen, die sich im Layout der Anschlüsse (d. h. des Gate-Anschlusses, des Drain-Anschlusses und des Source-Anschlusses) unterscheiden.
  • Wenn die Schaltvorrichtung 11a oder die Schaltvorrichtung 11b hergestellt wird, werden zunächst das Schaltelement 1 und das Die-Pad 3 verbunden bzw. gebondet. Danach kann die Schaltvorrichtung 11a erhalten werden, wenn der Anschluss 4 und das Gate-Pad 22 verbunden werden und der Anschluss 6 und die Source-Elektrode 21 verbunden werden, und kann die Schaltvorrichtung 11b erhalten werden, wenn der Anschluss 4 und die Source-Elektrode 21 verbunden werden und der Anschluss 6 und das Gate-Pad 23 verbunden werden. Das heißt, die Schaltvorrichtung 11a und die Schaltvorrichtung 11b können beispielsweise Schaltelemente 1 mit der gleichen Konfiguration und Leiterrahmen mit der gleichen Konfiguration enthalten. Die Leiterrahmen sind jeweils ein Leiterrahmen, der das Die-Pad 3, den Anschluss 4, den Anschluss 5 und den Anschluss 6 umfasst. Die Schaltvorrichtung 11a und die Schaltvorrichtung 11b können beispielsweise einen Prozess zum Bonden des Schaltelements 1 und des Die-Pads 3 gemeinsam nutzen. Das heißt, sowohl die Schaltvorrichtung 11a als auch die Schaltvorrichtung 11b können hergestellt werden, indem eine Vielzahl von Schaltelementen 1, eine Vielzahl von Die-Pads 3, eine Vielzahl von Anschlüssen 4, die mit den Die-Pads 3 nicht-integral sind und jeweils der Gate-Anschluss oder der Source-Anschluss sein sollen, eine Vielzahl von Anschlüssen 5, die mit den Die-Pads integral sind und jeweils der Drain-Anschluss sein sollen, und eine Vielzahl von Anschlüssen 6, die mit den Die-Pads 3 nicht-integral sind und jeweils der Source-Anschluss oder der Gate-Anschluss sein sollen, präpariert werden, die Schaltelemente 1 über den jeweiligen Die-Pads 3 angeordnet werden und zwischen einem Verbinden des Anschlusses 4 und des Gate-Pads 22 durch den Draht 8 und einem Verbinden des Anschlusses 6 mit dem Gate-Pad 23 durch den Draht 8 umgeschaltet wird.
  • In der Schaltvorrichtung 11a liegt das Gate-Pad 22 näher zum Anschluss 4 als dem Gate-Anschluss als das Gate-Pad 23. In der Schaltvorrichtung 11a liegt das Gate-Pad 23 näher zum Anschluss 6 als dem Source-Anschluss als das Gate-Pad 22. In der Schaltvorrichtung 11b liegt das Gate-Pad 23 näher zum Anschluss 6 als dem Gate-Anschluss als das Gate-Pad 22. In der Schaltvorrichtung 11b liegt das Gate-Pad 22 näher zum Anschluss 4 als dem Source-Anschluss als das Gate-Pad 23. Indem man das Gate-Pad 22 und das Gate-Pad 23 wie oben beschrieben anordnet, das Gate-Pad 22 und den Anschluss 4 in der Schaltvorrichtung 11a verbindet und das Gate-Pad 23 und den Anschluss 6 in der Schaltvorrichtung 11b verbindet, wird ein Unterschied in der Länge des Drahts 8 zwischen der Schaltvorrichtung 11a und der Schaltvorrichtung 11b unterdrückt und wird ein Unterschied in den Eigenschaften zwischen der Schaltvorrichtung 11a und der Schaltvorrichtung 11b unterdrückt. Das heißt, die Schaltvorrichtung 11a und die Schaltvorrichtung 11b sind Schaltvorrichtungen, die eine Änderung in den Eigenschaften unterdrücken können, wenn das Layout der Anschlüsse geändert wird.
  • Ein nicht versiegelter Teilbereich des Anschlusses 4 und ein nicht versiegelter Teilbereich des Anschlusses 6 sind verformbare Teilbereiche und können beispielsweise so verformt werden, dass sie dem Gate-Pad 22 oder dem Gate-Pad 23 am nächsten liegen, oder können in solch einem Zustand hergestellt werden. Auch in solch einem Zustand bezieht sich jedoch ein Abstand zwischen dem Anschluss 4 oder dem Anschluss 6 und dem Gate-Pad 22 oder dem Gate-Pad 23 auf einen Abstand zwischen einem Teilbereich des Anschlusses 4 oder des Anschlusses 6, der durch das Versiegelungsmaterial 17 versiegelt ist, und dem Gate-Pad 22 oder dem Gate-Pad 23.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b ist der Gate-Anschluss mit dem einen des Gate-Pads 22 und des Gate-Pads 23, das näher zum Gate-Anschluss liegt, verbunden.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b sind das Gate-Pad 22 und das Gate-Pad 23 auf der oberen Oberfläche des Schaltelements in der zweiten Richtung so angeordnet, dass eine Lage in der ersten Richtung des Gate-Pads 22 und eine Lage in der ersten Richtung des Gate-Pads 23 einander zumindest teilweise überlappen. Das Gate-Pad 22 und das Gate-Pad 23 sind in der zweiten Richtung so angeordnet, dass die Lage in der ersten Richtung des Gate-Pads 22 und die Lage in der ersten Richtung des Gate-Pads 23 beispielsweise gleich sind.
  • Das Schaltelement 1 ist in Draufsicht rechteckig. In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b erstreckt sich ein Paar von zwei gegenüberliegenden Seiten der Form des Schaltelements 1 in der Draufsicht entlang der ersten Richtung und erstreckt sich ein Paar seiner anderen zwei gegenüberliegenden Seiten entlang der zweiten Richtung.
  • Das Die-Pad 3 ist in Draufsicht rechteckig. In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b erstreckt sich ein Paar von zwei gegenüberliegenden Seiten der Form des Die-Pads 3 in Draufsicht entlang der ersten Richtung und erstreckt sich ein Paar seiner anderen zwei gegenüberliegenden Seiten entlang der zweiten Richtung.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b ist das Gate-Pad 22 an einem Ende, das einem Ende in der zweiten Richtung entgegengesetzt ist, auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 angeordnet und ist das Gate-Pad 22 an dem Ende in der zweiten Richtung auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 angeordnet.
  • Ein Abstand (d. h. L12 in 3) in der zweiten Richtung von einer Mitte (d. h. einer gestrichelten Linie 81 in 3) in der zweiten Richtung des Schaltelements 1 zum Gate-Pad 22 und ein Abstand (d. h. L11 in 3) in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements 1 zum Gate-Pad 23 sind gleich. In der vorliegenden Offenbarung bezieht sich ein Fall, in dem zwei Abstände gleich sind, nicht nur auf einen Fall, in dem die beiden Abstände exakt gleich sind, sondern auch auf einen Fall, in dem ein größerer der zwei Abstände das 1,1-Fache oder weniger als ein kleinerer der zwei Abstände beträgt. In einem Fall, in dem die zwei Abstände als gleich beschrieben werden, ist ein größerer der zwei Abstände vorzugsweise das 1,05-Fache oder weniger als ein kleinerer der beiden Abstände. Das Gleiche gilt für die folgenden Absätze, die die anderen Ausführungsformen einbeziehen.
  • Wenn das Gate-Pad 22 und das Gate-Pad 23 an einem Ende in der ersten Richtung auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 angeordnet sind, kann die Länge des Drahts 8 in sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b reduziert werden. Eine Reduzierung der Länge des Drahts 8 kann zu einer Reduzierung der Zeit führen, die für eine Übertragung des Gate-Signals erforderlich ist.
  • Beispielsweise ist das Gate-Pad 22 an einer dem Anschluss 4 am nächsten gelegenen Ecke auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 angeordnet und ist das Gate-Pad 23 an einer dem Anschluss 6 am nächsten gelegenen Ecke auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 1 angeordnet. Das Schaltelement 1 hat beispielsweise eine rechteckige Form, bei der in Draufsicht das Paar von zwei gegenüberliegenden Seiten länger als das Paar der anderen zwei gegenüberliegenden Seiten ist. Das Gate-Pad 22 und das Gate-Pad 23 sind an durch eine längere Seite verbundenen zwei Ecken angeordnet, und die längere Seite ist entlang der zweiten Richtung vorgesehen, so dass der Abstand zwischen dem Gate-Pad 22 und dem Anschluss 4 und der Abstand zwischen dem Gate-Pad 23 und dem Anschluss 6 reduziert werden können.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b ist das Schaltelement 1 über dem Die-Pad 3 so angeordnet, dass ein Abstand (d. h. L3 in 1 oder 2) in der zweiten Richtung von einer Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 (d. h. einer gestrichelten Linie 80 in 1 oder 2) bis zu einem Ende in der zweiten Richtung des Schaltelements 1 und ein Abstand (d. h. L4 in 1 oder 2) in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 zu einem Ende, das dem Ende in der zweiten Richtung des Schaltelements 1 entgegengesetzt ist, beispielsweise gleich sind. Das Schaltelement 1 ist über dem Die-Pad 3 so angeordnet, dass die Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3, die in der gestrichelten Linie 80 in 1 oder 2 angegeben ist, und die Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements 1, die in der gestrichelten Linie 81 in 3 angegeben ist, beispielsweise miteinander übereinstimmen.
  • Der Anschluss 4 und der Anschluss 6 liegen auf entgegengesetzten Seiten in der zweiten Richtung der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3. Ein Abstand (d. h. L10 in 1 oder 2) in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 bis zum Anschluss 4 und ein Abstand (d. h. L9 in 1 oder 2) in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 zum Anschluss 6 sind beispielsweise gleich. Darüber hinaus sind beispielsweise eine Lage in der ersten Richtung eines Endes, das einem Ende in der ersten Richtung des Anschlusses 4 entgegengesetzt ist, und eine Lage in der ersten Richtung eines Endes, das einem Ende in der ersten Richtung des Anschlusses 6 entgegengesetzt ist, gleich.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b ist das Schaltelement 1 über dem Die-Pad 3 beispielsweise so angeordnet, dass ein Abstand (d. h. L2 in 1 oder 2) in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 zum Gate-Pad 22 und ein Abstand (d. h. L1 in 1 oder 2) in der zweiten Richtung von der Mitte des Die-Pads 3 zum Gate-Pad 23 gleich sind.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b liegen das Gate-Pad 22 und das Gate-Pad 23 in Bezug auf eine Linie (d. h. die gestrichelte Linie 80), die die Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 repräsentiert, beispielsweise symmetrisch. Auf einen Fall, bei dem das Gate-Pad 22 und das Gate-Pad 23 in Bezug auf die die Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 repräsentierende Linie (d. h. gestrichelte Linie 80) symmetrisch sind, wird hierin als ein Fall verwiesen, bei dem, wenn das Gate-Pad 22 bezüglich der gestrichelten Linie 80 gefaltet wird, die Fläche eines Bereichs, der die Vereinigung eines Bereichs des Gate-Pads 22 ist, der bezüglich der gestrichelten Linie 80 gefaltet wird, und eines Bereichs des Gate-Pads 23 ist, das 1,1-Fache der oder weniger als die Fläche eines Teilbereichs ist, in dem die beiden Bereiche einander überlappen.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b ist das Schaltelement 1 über dem Die-Pad 3 beispielsweise so angeordnet, dass ein Abstand (d. h. L5 in 1 oder 2) von dem Ende in der zweiten Richtung des Schaltelements 1 zu einem Ende in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 und ein Abstand (d. h. L6 in 1 oder 2) von dem Ende, das dem Ende in der zweiten Richtung des Schaltelements 1 entgegengesetzt ist, zu einem Ende, das dem Ende in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 entgegengesetzt ist, gleich sind.
  • Aufgrund des oben erwähnten Layouts sind in sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b ein Abstand (d. h. L8) zwischen dem Anschluss 4 und dem Gate-Pad 22 und ein Abstand (d. h. L7) zwischen dem Anschluss 6 und dem Gate-Pad 23 beispielsweise gleich. Darüber hinaus sind der Abstand zwischen dem Anschluss 4 und dem Gate-Pad 22 in der Schaltvorrichtung 11a und der Abstand zwischen dem Anschluss 6 und dem Gate-Pad 23 in der Schaltvorrichtung 11b gleich.
  • Eine Änderung der Länge des Drahts 8 führt zu einer Änderung der Zeit, die für eine Übertragung des Gate-Signals erforderlich ist. Da der Abstand zwischen dem Anschluss 4 und dem Gate-Pad 22 und der Abstand zwischen dem Anschluss 6 und dem Gate-Pad 23 gleich sind, wird der Unterschied in der Länge des Drahts 8 zwischen der Schaltvorrichtung 11a und der Schaltvorrichtung 11b weiter unterdrückt. Der Unterschied in den Eigenschaften zwischen der Schaltvorrichtung 11a und der Schaltvorrichtung 11b kann dadurch weiter unterdrückt werden.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 11a als auch der Schaltvorrichtung 11b ist der Anschluss 5 als der Drain-Anschluss zwischen dem Anschluss 4 und dem Anschluss 6 vorhanden und sind der Anschluss 4 und der Anschluss 6 in der zweiten Richtung voneinander entfernt gelegen. In diesem Fall wird ein großer Effekt erhalten, indem der Unterschied in der Länge des Drahts 8 zwischen der Schaltvorrichtung 11a und der Schaltvorrichtung 11b aufgrund des Vorhandenseins sowohl des Gate-Pads 22 als auch des Gate-Pads 23 unterdrückt wird.
  • Ein Schaltelement, das den SiC-Halbleiter oder den GaN-Halbleiter enthält, ist für ein schnelles Schalten geeigneter als ein den Silizium-Halbleiter enthaltendes Schaltelement. Wenn das Schaltelement 1 ein Element ist, um schnelles Schalten durchzuführen, hat die Länge des Drahts 8 einen großen Einfluss auf die Schalteigenschaften. Wenn das Schaltelement 1 das den SiC-Halbleiter oder den GaN-Halbleiter enthaltende Schaltelement ist, ist es somit effektiver, den Unterschied in den Eigenschaften zwischen der Schaltvorrichtung 11a und der Schaltvorrichtung 11b zu unterdrücken, indem der Unterschied in der Länge des Drahts 8 zwischen der Schaltvorrichtung 11a und der Schaltvorrichtung 11b wie in der vorliegenden Ausführungsform unterdrückt wird.
  • <B. Ausführungsform 2>
  • <B-1. Konfiguration>
  • 4 und 5 zeigen eine Schaltvorrichtung 12a bzw. eine Schaltvorrichtung 12b, die jeweils eine Schaltvorrichtung in der vorliegenden Ausführungsform sind.
  • Die Schaltvorrichtung 12a unterscheidet sich von der Schaltvorrichtung 11a in der Ausführungsform 1 dadurch, dass anstelle des Schaltelements 1 ein Schaltelement 2 enthalten ist. In der Schaltvorrichtung 12a sind der Anschluss 4 und ein Gate-Pad 24 des Schaltelements 2 durch den Draht 8 verbunden. Die Schaltvorrichtung 12a ist in den sonstigen Gesichtspunkten der Schaltvorrichtung 11a in der Ausführungsform 1 ähnlich.
  • Die Schaltvorrichtung 12b unterscheidet sich von der Schaltvorrichtung 11b in der Ausführungsform 1 dadurch, dass anstelle des Schaltelements1 das Schaltelement 2 enthalten ist. In der Schaltvorrichtung 12b sind der Anschluss 8 und das Gate-Pad 24 des Schaltelements 2 durch den Draht 8 verbunden. Die Schaltvorrichtung 12b ist in den sonstigen Gesichtspunkten der Schaltvorrichtung 11b in der Ausführungsform 1 ähnlich.
  • Das Schaltelement 2 ist über dem Die-Pad 3 angeordnet. Das Schaltelement 2 ist beispielsweise durch ein Bonding-Material über dem Die-Pad 3 angeordnet und an das Die-Pad 3 gebondet. Das Bonding-Material ist beispielsweise ein Lötmetall.
  • Das Schaltelement 2 weist auf seiner unteren Oberfläche eine Drain-Elektrode auf, die nicht veranschaulicht ist. Die Drain-Elektrode und das Die-Pad 3 sind durch ein Bonding-Material elektrisch verbunden.
  • Das Schaltelement 2 weist auf seiner oberen Oberfläche die Source-Elektrode 21 auf. Das Schaltelement 2 weist auf seiner oberen Oberfläche das Gate-Pad 24 auf.
  • Die Source-Elektrode 21 ist in einem Bereich auf der oberen Oberfläche des Schaltelements angeordnet, der von einem Bereich, in dem das Gate-Pad 24 angeordnet ist, verschieden ist. Die Source-Elektrode 21 nimmt einen großen Umfang eines Bereichs auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 mit Ausnahme des Gate-Pads 24 ein. Die Source-Elektrode 21 nimmt einen Bereich ein, der beispielsweise gleich der Hälfte der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 oder größer ist. Die Source-Elektrode 21 nimmt beispielsweise einen Bereich ein, der gleich 75 % der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 oder größer ist.
  • Das Schaltelement 2 ist ein Schaltelement, um einen zwischen der Source-Elektrode 21 und der Drain-Elektrode fließenden Strom entsprechend einem in das Gate-Pad 24 eingespeisten Gate-Signal zu steuern.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 12a als auch der Schaltvorrichtung 12b liegen der Anschluss 4, der Anschluss 5 und der Anschluss 6 auf einer Seite der ersten Richtung (d. h. einer x-Richtung in 4 oder 5) des Die-Pads 3. Der Anschluss 4, der Anschluss 5 und der Anschluss 6 erstrecken sich entlang der ersten Richtung. Der Anschluss 4, der Anschluss 5 und der Anschluss 6 ragen aus dem Versiegelungsmaterial 17 in der ersten Richtung heraus.
  • In der Schaltvorrichtung 12a ist der Anschluss 4 der Gate-Anschluss, ist der Anschluss 5 der Drain-Anschluss und ist der Anschluss 6 der Source-Anschluss. Das heißt, in der Schaltvorrichtung 12a sind der Gate-Anschluss als der Anschluss 4, der Drain-Anschluss als der Anschluss 5 und der Source-Anschluss als der Anschluss 6 in der zweiten Richtung (d.h. einer y-Richtung in 4) orthogonal zur ersten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet: der Gate-Anschluss, der Drain-Anschluss und der Source-Anschluss.
  • In der Schaltvorrichtung 12b ist der Anschluss 4 der Source-Anschluss, ist der Anschluss 5 der Drain-Anschluss und ist der Anschluss 6 der Gate-Anschluss. Das heißt, in der Schaltvorrichtung 12b sind der Gate-Anschluss als der Anschluss 6, der Drain-Anschluss als der Anschluss 5 und der Source-Anschluss als der Anschluss 4 in der zweiten Richtung (d.h. einer y-Richtung in 5) in der folgenden Reihenfolge angeordnet: der Source-Anschluss, der Drain-Anschluss und der Gate-Anschluss.
  • Wie oben beschrieben wurde, sind die Schaltvorrichtung 12a und die Schaltvorrichtung 12b Schaltvorrichtungen, die sich im Layout der Anschlüsse (d. h. des Gate-Anschlusses, des Drain-Anschlusses und des Source-Anschlusses) unterscheiden.
  • Wenn die Schaltvorrichtung 12a oder die Schaltvorrichtung 12b hergestellt wird, werden zunächst das Schaltelement 2 und das Die-Pad 3 gebondet. In diesem Fall wird eine Orientierung des Schaltelements 2 in Abhängigkeit davon getauscht bzw. geändert. ob die Schaltvorrichtung 12a oder die Schaltvorrichtung 12b hergestellt werden soll. Wenn das Schaltelement 2 an das Die-Pad 3 in einer in 4 gezeigten Orientierung gebondet wird, der Anschluss 4 mit dem Gate-Pad 24 verbunden wird und der Anschluss 6 mit der Source-Elektrode 21 verbunden wird, kann die Schaltvorrichtung 12a erhalten werden. Wenn das Schaltelement 2 in einer in 5 gezeigten Orientierung an das Die-Pad 3 gebondet wird, der Anschluss 4 mit der Source-Elektrode 21 verbunden wird und der Anschluss 6 mit dem Gate-Pad 24 verbunden wird, kann das Schaltvorrichtung 12b erhalten werden.
  • Die Schaltvorrichtung 12a und die Schaltvorrichtung 12b können beispielsweise Schaltelemente 2 mit der gleichen Konfiguration und Leiterrahmen der gleichen Konfiguration enthalten. Die Leiterrahmen sind jeweils ein Leiterrahmen, der das Die-Pad 3, den Anschluss 4, den Anschluss 5 und den Anschluss 6 umfasst. Falls sich das Schaltelement 2 in einer Ausrichtung in der Schaltvorrichtung 12a und in einer Ausrichtung in der Schaltvorrichtung 12b nur wenig in seiner Form ändert, können die Schaltvorrichtung 12a und die Schaltvorrichtung 12b beispielsweise einen Prozess zum Bonden des Schaltelements 2 und des Die-Pads 3 gemeinsam nutzen.
  • Sowohl die Schaltvorrichtung 12a als auch die Schaltvorrichtung 12b können hergestellt werden, indem eine Vielzahl von Schaltelementen 2, eine Vielzahl von Die-Pads 3, eine Vielzahl von Anschlüssen 4, die mit den Die-Pads 3 nicht-integral sind und jeweils der Gate-Anschluss oder der Source-Anschluss sein sollen, eine Vielzahl von Anschlüssen 5, die mit den Die-Pads integral sind und jeweils der Drain-Anschluss sein sollen, und eine Vielzahl von Anschlüssen 6. die mit den Die-Pads 3 nicht-integral sind und jeweils der Source-Anschluss oder der Gate-Anschluss sein sollen, präpariert werden, die Schaltelemente 2 über den jeweiligen Die-Pads 3 angeordnet werden und zwischen einem Anordnen des Schaltelements 2 über dem Die-Pad 3 in einer Orientierung, in der das Gate-Pad 24 näher zum Anschluss 4 als die Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements 2 liegt, und einem Verbinden des Gate-Pads 24 und des Anschlusses 4 durch den Draht 8 oder einem Anordnen des Schaltelements 2 über dem Die-Pad 3 in einer Orientierung, in der das Gate-Pad 24 näher zum Anschluss 6 als die Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements 2 liegt, und einem Verbinden des Gate-Pads 24 und des Anschlusses 6 durch den Draht 8 gewechselt bzw. umgeschaltet wird.
  • In der Schaltvorrichtung 12a ist das Gate-Pad 24 so angeordnet, dass es eine Mitte in der ersten Richtung der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 einschließt. Ein Abstand (d. h. L16 in 4) in der ersten Richtung von einem Ende in der ersten Richtung des Schaltelements 2 zum Gate-Pad 24 und ein Abstand (d. h. L15 in 4) in der ersten Richtung von einem Ende, das dem Ende in der ersten Richtung des Schaltelements 2 entgegengesetzt ist, zum Gate-Pad 24 sind beispielsweise gleich. Darüber hinaus ist das Gate-Pad 24 auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 so angeordnet, dass es näher zum Anschluss 4 als die Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements 2 liegt.
  • In der Schaltvorrichtung 12b ist das Gate-Pad 24 so angeordnet, dass es die Mitte in der ersten Richtung der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 einschließt. Ein Abstand (d. h. L15 in 5) in der ersten Richtung von dem Ende in der ersten Richtung des Schaltelements 2 zum Gate-Pad 24 und ein Abstand (d. h. L16 in 5) in der ersten Richtung von dem Ende, das dem Ende in der ersten Richtung des Schaltelements 2 entgegengesetzt ist, zum Gate-Pad 24 sind beispielsweise gleich. Darüber hinaus ist das Gate-Pad 24 auf der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 so angeordnet, dass es näher zum Anschluss 6 als die Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements 2 liegt.
  • Da das Gate-Pad 24 in der Mitte in der ersten Richtung der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 angeordnet ist, kann ein Unterschied in der Länge des Drahts 8 zwischen der Schaltvorrichtung 12a und der Schaltvorrichtung 12b unterdrückt werden.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 12a als auch der Schaltvorrichtung 12b ist das Schaltelement 2 in einer Orientierung angeordnet, in der das Gate-Pad 24 näher zum Gate-Anschluss in der zweiten Richtung als die Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements 2 liegt. Die Länge des Drahts 8 kann dadurch reduziert werden.
  • In der Schaltvorrichtung 12a ist ein Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 4 geringer als ein Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 6, und, wenn das Schaltelement 2 um das Zentrum des Schaltelements 2 in einer Ebene des Schaltelements 2 um 180° imaginär gedreht wird, ist der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 6 geringer als der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 4.
  • In der Schaltvorrichtung 12b ist der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 6 geringer als der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 4, und, wenn das Schaltelement 2 um das Zentrum des Schaltelements 2 um 180° in der Ebene des Schaltelements 2 imaginär gedreht wird, ist der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 4 geringer als der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 6.
  • Das heißt, in sowohl der Schaltvorrichtung 12 als auch der Schaltvorrichtung 12b ist das Gate-Pad 24 in einem Bereich angeordnet, der die Mitte in der ersten Richtung der oberen Oberfläche des Schaltelements 2 einschließt, ist der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Gate-Anschluss geringer als der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Source-Anschluss und ist, wenn das Schaltelement 2 um das Zentrum des Schaltelements 2 um 180° in der Ebene des Schaltelements 2 imaginär gedreht wird, der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Source-Anschluss geringer als der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Gate-Anschluss. Folglich kann der Unterschied in der Länge des Drahts 8 zwischen der Schaltvorrichtung 12a und der Schaltvorrichtung 12b unterdrückt werden und kann der Unterschied in den Eigenschaften zwischen der Schaltvorrichtung 12a und der Schaltvorrichtung 12b unterdrückt werden. Das heißt, die Schaltvorrichtung 12a und die Schaltvorrichtung 12b sind Schaltvorrichtungen, die eine Änderung in den Eigenschaften, wenn das Layout der Anschlüsse geändert wird, unterdrücken können.
  • Bei einer Orientierung des Schaltelements 2 in der Schaltvorrichtung 12b handelt es sich um eine Orientierung des Schaltelements 2, wenn das Schaltelement 2 in der Schaltvorrichtung 12a um das Zentrum des Schaltelements 2 um 180° in der Ebene des Schaltelements 2 gedreht wird.
  • In der Schaltvorrichtung 12a sind der Abstand (d. h. L7 in 6) zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 4 und der Abstand (d. h. L19 in 6) zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 6, wenn das Schaltelement 2 um das Zentrum des Schaltelements 2 um 180° in der Ebene des Schaltelements 2 imaginär gedreht wird, beispielsweise gleich. In 6 ist eine Lage des Gate-Pads 24, wenn das Schaltelement 2 um das Zentrum des Schaltelements 2 um 180° in der Ebene des Schaltelements 2 imaginär gedreht wird, durch eine abwechselnd lang und zweimal kurz gestrichelte Linie angegeben.
  • Ähnlich sind in der Schaltvorrichtung 12b der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 6 und der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 4, wenn das Schaltelement 2 um das Zentrum des Schaltelements 2 um 180° in der Ebene des Schalelements 2 imaginär gedreht wird, beispielsweise gleich.
  • In sowohl der Schaltvorrichtung 12a als auch der Schaltvorrichtung 12b ist das Schaltelement 2 über dem Die-Pad 3 so angeordnet, dass ein Abstand (d. h. L13 in 4 oder 5) in der zweiten Richtung von der Mitte (d. h. der gestrichelten Linie 80 in 4 oder 5) in der zweiten Richtung des Die-Pads 3 zu einem Ende in der zweiten Richtung des Schaltelements 2 und ein Abstand (d. h. L14 in 4 oder 5) in der zweiten Richtung von der Mitte des Die-Pads 3 zu einem Ende, das dem Ende in der zweiten Richtung des Schaltelements 2 entgegengesetzt ist, gleich sind.
  • Aufgrund des oben erwähnten Layouts können der Abstand (d. h. L7 in 4) zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 4 in der Schaltvorrichtung 12a und der Abstand (d. h. L8 in 5) zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 6 in der Schaltvorrichtung 12b gleich sein.
  • Da der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 4 in der Schaltvorrichtung 12a und der Abstand zwischen dem Gate-Pad 24 und dem Anschluss 6 in der Schaltvorrichtung 12 gleich sind, wird der Unterschied in der Länge des Drahts 8 zwischen der Schaltvorrichtung 12a und der Schaltvorrichtung 12b unterdrückt. Der Unterschied in den Eigenschaften zwischen der Schaltvorrichtung 12a und der Schaltvorrichtung 12b kann dadurch weiter unterdrückt werden.
  • <C. Ausführungsform 3>
  • <C-1. Konfiguration>
  • 9 zeigt eine Halbleitervorrichtung 50 in der vorliegenden Ausführungsform. Die Halbleitervorrichtung 50 weist ein Substrat 30, Schaltvorrichtungen 11a (Beispiele einer ersten Schaltvorrichtung), Schaltvorrichtungen 11b (Beispiele einer zweiten Schaltvorrichtung) und einen Kühlkörper 31 auf. Die Halbleitervorrichtung 50 ist beispielsweise ein Leistungswandler.
  • Das Substrat 30 erstreckt sich in einer zur Ebene von 9 senkrechten Richtung.
  • In der Halbleitervorrichtung 50 sind die Schaltvorrichtungen 11a auf einer Seite der einen Hauptoberfläche des Substrats 30 angeordnet und sind die Schaltvorrichtungen 11b auf einer Seite der anderen Hauptoberfläche des Substrats 30 angeordnet.
  • Während in 9 drei Paare 110 einer Schaltvorrichtung 11a und einer Schaltvorrichtung 11b dargestellt sind, muss die Halbleitervorrichtung 50 nur ein oder mehr Paare 110 einer Schaltvorrichtung 11a und einer Schaltvorrichtung 11b aufweisen. Die Paare 110 müssen keine Paare einer Schaltvorrichtung 11a und einer Schaltvorrichtung 11b sein und können Paare einer Schaltvorrichtung 12a und einer Schaltvorrichtung 12b sein. Ein oder mehr Paare der Paare 110 können Paare einer Schaltvorrichtung 11a und einer Schaltvorrichtung 11b sein, und die anderen ein oder mehr Paare der Paare 110 können Paare einer Schaltvorrichtung 12a und einer Schaltvorrichtung 12b sein. In jedem der ein oder mehr Paare der Paare 110 kann die Schaltvorrichtung 11a auf einer Seite der einen Oberfläche des Substrats 30 angeordnet sein und kann die Schaltvorrichtung 11b auf einer Seite der anderen Oberfläche des Substrats 30 angeordnet sein, und in jedem der anderen ein oder mehr Paare der Paare 110 kann die Schaltvorrichtung 11b auf der Seite der einen Oberfläche des Substrats 30 angeordnet ist und kann die Schaltvorrichtung 11a auf der Seite der anderen Oberfläche des Substrats 30 angeordnet sein.
  • In jedem der Paare 110 sind die Schaltvorrichtung 11a und die Schaltvorrichtung 11b parallel verbunden. Bei solch einer parallelen Verbindung zwischen zwei Schaltvorrichtungen weisen die Schaltvorrichtungen vorteilhafterweise einen geringeren Unterschied in den Eigenschaften auf. Wie in der Ausführungsform 1 beschrieben wurde, sind die Schaltvorrichtung 11a und die Schaltvorrichtung 11b Schaltvorrichtungen mit einem unterdrückten Unterschied in den Eigenschaften. Ein längerer des Drahts 8 der Schaltvorrichtung 11a und des Drahts 8 der Schaltvorrichtung 11b ist vorzugsweise das 1,1-Fache des Kürzeren des Drahts 8 der Schaltvorrichtung 11a und des Drahts 8 der Schaltvorrichtung 11b oder weniger und ist bevorzugter das 1,05-Fache des Kürzeren des Drahts 8 der Schaltvorrichtung 11a und des Drahts 8 der Schaltvorrichtung 11b oder weniger.
  • Der Anschluss 6 als der Gate-Anschluss, der Anschluss 5 als der Drain-Anschluss und der Anschluss 4 als der Source-Anschluss der Schaltvorrichtung 11b sind entlang einer Richtung angeordnet, in der der Anschluss 4 als der Gate-Anschluss, der Anschluss 5 als der Drain-Anschluss und der Anschluss 6 als der Source-Anschluss der Schaltvorrichtung 11a in Richtung der Ebene des Substrats 30 in der gleichen Reihenfolge wie die Reihenfolge angeordnet sind, in der der Anschluss 4 als der Gate-Anschluss, der Anschluss 5 als der Drain-Anschluss und der Anschluss 6 als der Source-Anschluss der Schaltvorrichtung 11a angeordnet sind. Indem man zwei Schaltelemente auf entgegengesetzten Oberflächen des Substrats 30 montiert und sie wie oben beschrieben parallel verbindet, wird eine Verdrahtung des Substrats 30 vereinfacht. Indem man Schaltelemente auf den entgegengesetzten Oberflächen des Substrats 30 anordnet, kann die Größe des Substrats 30 reduziert werden.
  • Wenn die Schaltvorrichtungen 11a und die Schaltvorrichtungen 11b wie oben beschrieben auf dem Substrat 30 montiert sind, liegen das Schaltelement 1 von jeder der Schaltvorrichtungen 11a und das Schaltelement 1 von jeder der Schaltvorrichtungen 11b auf der gleichen Seite, das heißt einer Seite vor der Ebene von 9, der Die-Pads 3 in Richtung der Ebene des Substrats 30.
  • Der Kühlkörper 31 befindet sich auf einer Seite hinter der Ebene von 9 von jeder der Schaltvorrichtungen 11a und der Schaltvorrichtungen 11b. Der Kühlkörper 31 ragt in einer Richtung senkrecht zur Ebene des Substrats 30 auf Seiten der entgegengesetzten Oberflächen des Substrats 30 vor. Der Kühlkörper 31 weist eine Kühlfläche 310 in einer das Substrat 30 kreuzenden Orientierung auf. Die Schaltvorrichtungen 11a und die Schaltvorrichtungen 11b sind an der Kühlfläche 310 angebracht. Die Schaltvorrichtungen 11a und die Schaltvorrichtungen 11b sind an der gleichen Seite des Kühlkörpers 31 in Richtung der Ebene des Substrats 30 angebracht.
  • Der Kühlkörper 31 kann beispielsweise eine Kombination eines an der einen Oberfläche des Substrats 30 angebrachten Kühlkörpers und eines an der anderen Oberfläche des Substrats 30 angebrachten Kühlkörpers sein oder kann ein integraler Kühlkörper sein, der an einem Ende des Substrats 30 angebracht ist.
  • Indem man parallele Verbindungen unter Verwendung der Schaltvorrichtungen 11a und der Schaltvorrichtungen 11b, zwischen denen der Gate-Anschluss, der Drain-Anschluss und der Source-Anschluss in umgekehrter Reihenfolge wie oben beschrieben angeordnet sind, ausbildet, kann eine Verdrahtung vereinfacht werden und kann der Kühlkörper 31 an der gleichen Seite der Schaltvorrichtungen 11a und der Schaltvorrichtungen 11b angebracht werden. Selbst wenn die Schaltvorrichtungen 11a und die Schaltvorrichtungen 11b jeweils eine Schaltvorrichtung sind, die auf einer Seite gekühlt werden muss, können somit die Schaltvorrichtungen 11a und die Schaltvorrichtungen 11b auf entgegengesetzten Seiten des Substrats 30 wie oben beschrieben leicht parallel montiert werden.
  • Ausführungsformen können frei miteinander kombiniert werden und können gegebenenfalls modifiziert oder weggelassen werden.
  • Wenngleich die Erfindung im Detail dargestellt und beschrieben wurde, ist die vorhergehende Beschreibung in allen Aspekten veranschaulichend und nicht einschränkend. Es versteht sich daher, dass zahlreiche Modifikationen und Varianten konzipiert werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2005327752 [0002]

Claims (17)

  1. Schaltvorrichtung (11a, 11b), aufweisend: ein Schaltelement (1); ein Die-Pad (3); einen Gate-Anschluss (4, 6), der mit dem Die-Pad (3) nicht-integral ist; einen ersten Leistungsanschluss (5), der mit dem Die-Pad (3) integral ist; und einen zweiten Leistungsanschluss (4, 6), der mit dem Die-Pad (3) nicht-integral ist, wobei das Schaltelement (1) über dem Die-Pad (3) angeordnet ist, eine untere Oberfläche des Schaltelements (1) und das Die-Pad (3) elektrisch verbunden sind, der Gate-Anschluss (4, 6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4, 6) sich in Draufsicht auf einer Seite einer ersten Richtung des Die-Pads (3) befinden, der Gate-Anschluss (4, 6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4, 6) in Draufsicht in einer zweiten Richtung orthogonal zur ersten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der Gate-Anschluss (4, 6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4, 6) oder der zweite Leistungsanschluss (4, 6), der erste Leistungsanschluss (5) und der Gate-Anschluss (4, 6), das Schaltelement (1) auf seiner oberen Oberfläche ein erstes Gate-Pad (22) und ein zweites Gate-Pad (23) aufweist, das erste Gate-Pad (22) näher zum Gate-Anschluss (4, 6) als das zweite Gate-Pad (23) liegt, das zweite Gate-Pad (23) näher zum zweiten Leistungsanschluss (4, 6) als das erste Gate-Pad (22) liegt, das erste Gate-Pad (22) durch einen Draht (8) mit dem Gate-Anschluss (4, 6) verbunden ist und das zweite Gate-Pad (23) nicht mit dem Gate-Anschluss (4, 6) oder dem zweiten Leistungsanschluss (4, 6) verbunden ist.
  2. Schaltvorrichtung (11a, 11b) nach Anspruch 1, wobei ein Abstand zwischen dem Gate-Anschluss (4, 6) und dem ersten Gate-Pad (22) und ein Abstand zwischen dem zweiten Leistungsanschluss (4, 6) und dem zweiten Gate-Pad (23) gleich sind.
  3. Schaltvorrichtung (11a, 11b) nach Anspruch 1 oder 2, wobei das erste Gate-Pad (22) und das zweite Gate-Pad (23) auf der oberen Oberfläche des Schaltelements (1) in der zweiten Richtung so angeordnet sind, dass eine Lage in der ersten Richtung des ersten Gate-Pads (22) und eine Lage in der ersten Richtung des zweiten Gate-Pads (23) einander zumindest teilweise überlappen.
  4. Schaltvorrichtung (11a, 11b) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ein Abstand in der zweiten Richtung von einer Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements (1) zum ersten Gate-Pad (22) und ein Abstand in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements (1) zum zweiten Gate-Pad (23) gleich sind.
  5. Schaltvorrichtung (11a, 11b) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein Abstand in der zweiten Richtung von einer Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads (3) zum ersten Gate-Pad (22) und ein Abstand in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads (3) zum zweiten Gate-Pad (23) gleich sind.
  6. Schaltvorrichtung (11a, 11b) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das erste Gate-Pad (22) und das zweite Gate-Pad (23) in Bezug auf eine eine Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads (3) repräsentierende Linie symmetrisch gelegen sind.
  7. Schaltvorrichtung (12a, 12b), aufweisend: ein Schaltelement (2); ein Die-Pad (3); einen Gate-Anschluss (4, 6), der mit dem Die-Pad (3) nicht-integral ist; einen ersten Leistungsanschluss (5), der mit dem Die-Pad (3) integral ist; und einen zweiten Leistungsanschluss (4, 6), der mit dem Die-Pad (3) nicht-integral ist, wobei das Schaltelement (2) über dem Die-Pad (3) angeordnet ist, eine untere Oberfläche des Schaltelements (2) und das Die-Pad (3) elektrisch verbunden sind, der Gate-Anschluss (4, 6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4, 6) sich in Draufsicht auf einer Seite einer ersten Richtung des Die-Pads (3) befinden, der Gate-Anschluss (4, 6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4, 6) in Draufsicht in einer zweiten Richtung orthogonal zur ersten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der Gate-Anschluss (4, 6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4, 6) oder der zweite Leistungsanschluss (4, 6), der erste Leistungsanschluss (5) und der Gate-Anschluss (4, 6), das Schaltelement (2) auf seiner oberen Oberfläche ein Gate-Pad (24) aufweist, das Gate-Pad (24) in einem Bereich auf der oberen Oberfläche des Schaltelements (2) angeordnet ist, der eine Mitte in der ersten Richtung des Schaltelements (2) einschließt, ein Abstand zwischen dem Gate-Pad (24) und dem Gate-Anschluss (4, 6) geringer ist als ein Abstand zwischen dem Gate-Pad (24) und dem zweiten Leistungsanschluss (4, 6), wenn das Schaltelement (2) um ein Zentrum des Schaltelements (2) um 180° in einer Ebene des Schaltelements (2) imaginär gedreht wird, der Abstand zwischen dem Gate-Pad (24) und dem zweiten Leistungsanschluss (4, 6) geringer als der Abstand zwischen dem Gate-Pad (24) und dem Gate-Anschluss (4, 6) ist und der Gate-Anschluss (4, 6) und das Gate-Pad (24) durch einen Draht (8) verbunden sind.
  8. Schaltvorrichtung (12a, 12b) nach Anspruch 7, wobei der Abstand zwischen dem Gate-Pad (24) und dem Gate-Anschluss (4, 6) und der Abstand zwischen dem Gate-Pad (24) und dem zweiten Leistungsanschluss (4, 6), wenn das Schaltelement (2) um das Zentrum des Schaltelements (2) um 180° in der Ebene des Schaltelements (2) imaginär gedreht wird, gleich sind.
  9. Schaltvorrichtung (12a, 12b) nach Anspruch 7 oder 8, wobei ein Abstand in der ersten Richtung von einem Ende in der ersten Richtung des Schaltelements (2) zum Gate-Pad (24) und ein Abstand in der ersten Richtung von einem Ende, das dem Ende in der ersten Richtung des Schaltelements (2) entgegengesetzt ist, zum Gate-Pad (24) gleich sind.
  10. Schaltvorrichtung (11a, 11b, 12a, 12b) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei ein Abstand von einer Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads (3) zu einem Ende in der zweiten Richtung des Schaltelements (1, 2) und ein Abstand von der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads (3) zu einem Ende, das dem Ende in der zweiten Richtung des Schaltelements (1, 2) entgegengesetzt ist, gleich sind.
  11. Schaltvorrichtung (11a, 11b, 12a, 12b) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der Gate-Anschluss (4, 6) und der zweite Leistungsanschluss (4, 6) auf entgegengesetzten Seiten in der zweiten Richtung einer Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads (3) gelegen sind und ein Abstand in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads (3) zum Gate-Anschluss (4, 6) und ein Abstand in der zweiten Richtung von der Mitte in der zweiten Richtung des Die-Pads (3) zum zweiten Leistungsanschluss (4, 6) gleich sind.
  12. Schaltvorrichtung (11a, 11b, 12a, 12b) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Schaltelement (1, 2) einen SiC-Halbleiter aufweist.
  13. Halbleitervorrichtung (50), aufweisend eine erste Schaltvorrichtung (11a, 12a) und eine zweite Schaltvorrichtung (11b, 12b), die jeweils die Schaltvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12 sind, wobei der Gate-Anschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (6) der ersten Schaltvorrichtung (11a, 12a) in der zweiten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der Gate-Anschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (6), der Gate-Anschluss (6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4) der zweiten Schaltvorrichtung (11b, 12b) in der zweiten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der zweite Leistungsanschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der Gate-Anschluss (6), und die erste Schaltvorrichtung (11a, 12a) und die zweite Schaltvorrichtung (11b, 12b) parallel verbunden sind.
  14. Halbleitervorrichtung (50) nach Anspruch 13, ferner aufweisend ein Substrat (30), wobei die erste Schaltvorrichtung (11a, 12a) und die zweite Schaltvorrichtung (11b, 12b) auf einer Seite der einen Hauptoberfläche und einer Seite der anderen Hauptoberfläche des Substrats (30) so angeordnet sind, dass sie mit dem Substrat (30) dazwischen einander gegenüberliegen, und der Gate-Anschluss (6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4) der zweiten Schaltvorrichtung (11b, 12b) entlang einer Richtung, in der der Gate-Anschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (6) der ersten Schaltvorrichtung (11a, 12a) angeordnet sind, in der gleichen Reihenfolge wie die Reihenfolge angeordnet sind, in der der Gate-Anschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (6) der ersten Schaltvorrichtung (11a, 12a) angeordnet sind.
  15. Halbleitervorrichtung (50) nach Anspruch 14, ferner aufweisend einen Kühlkörper (31), wobei die erste Schaltvorrichtung (11a, 12a) und die zweite Schaltvorrichtung (11b, 12b) an der gleichen Seite des Kühlkörpers (31) in Richtung der Ebene des Substrats (30) angeordnet sind.
  16. Verfahren zum Herstellen einer Schaltvorrichtung, um eine Vielzahl von Schaltvorrichtungen herzustellen, die jeweils die Schaltvorrichtung (11a, 11b) nach einem der Ansprüche 1 bis 6 oder 10 bis 12 und die Schaltvorrichtung (11a, 11b) nach Anspruch 1 sind, wobei das Verfahren aufweist ein Präparieren einer Vielzahl von Schaltelementen (1), einer Vielzahl von Die-Pads (3), einer Vielzahl erster Anschlüsse (4), die mit den Die-Pads (3) nicht-integral sind, einer Vielzahl zweiter Anschlüsse (5), die mit den Die-Pads (3) integral sind, und einer Vielzahl dritter Anschlüsse (6), die mit den Die-Pads (3) nicht-integral sind, wobei die ersten Anschlüsse (4) jeweils der Gate-Anschluss (4) oder der zweite Leistungsanschluss (4) sein sollen, die zweiten Anschlüsse (5) jeweils der erste Leistungsanschluss (5) sein sollen, die dritten Anschlüsse (6) jeweils der zweite Leistungsanschluss (6) oder der Gate-Anschluss (6) sein sollen; ein Anordnen der Vielzahl von Schaltelementen (1) über den jeweiligen Die-Pads (3); und ein Herstellen sowohl einer Schaltvorrichtung (11a), in der der Gate-Anschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (6) in der zweiten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der Gate-Anschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (6), als auch einer Schaltvorrichtung (11b), in der der Gate-Anschluss (6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4) in der zweiten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der zweite Leistungsanschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der Gate-Anschluss (6), indem zwischen einem Verbinden des ersten Anschlusses (1) und des ersten Gate-Pads (22) durch einen Draht (8) und einem Verbinden des dritten Anschlusses (6) und des zweiten Gate-Pads (23) durch einen Draht (8) umgeschaltet wird.
  17. Verfahren zum Herstellen einer Schaltvorrichtung, um eine Vielzahl von Schaltvorrichtungen herzustellen, die jeweils die Schaltvorrichtung (12a, 12b) nach einem der Ansprüche 7 bis 12 und die Schaltvorrichtung (12a, 12b) nach Anspruch 7 sind, wobei das Verfahren aufweist: ein Präparieren einer Vielzahl von Schaltelementen (2), einer Vielzahl von Die-Pads (3), einer Vielzahl erster Anschlüsse (4), die mit den Die-Pads (3) nicht-integral sind, einer Vielzahl zweiter Anschlüsse (5), die mit den Die-Pads (3) integral sind, und einer Vielzahl dritter Anschlüsse (6), die mit den Die-Pads (3) nicht-integral sind, wobei die ersten Anschlüsse (4) jeweils der Gate-Anschluss (4) oder der zweite Leistungsanschluss (4) sein sollen, die zweiten Anschlüsse (5) jeweils der erste Leistungsanschluss (5) sein sollen, die dritten Anschlüsse (6) jeweils der zweite Leistungsanschluss (6) oder der Gate-Anschluss (6) sein sollen; ein Anordnen der Vielzahl von Schaltelementen (2) über den jeweiligen Die-Pads (3); und ein Herstellen sowohl einer Schaltvorrichtung (12a), in der der Gate-Anschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (6) in der zweiten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der Gate-Anschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (6), als auch einer Schaltvorrichtung (12b), in der der Gate-Anschluss (6), der erste Leistungsanschluss (5) und der zweite Leistungsanschluss (4) in der zweiten Richtung in der folgenden Reihenfolge angeordnet sind: der zweite Leistungsanschluss (4), der erste Leistungsanschluss (5) und der Gate-Anschluss (6), indem zwischen einem Anordnen des Schaltelements (2) über dem Die-Pad (3), so dass das Gate-Pad (24) auf einer Seite des ersten Anschlusses (4) einer Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements (2) liegt, und einem Verbinden des Gate-Pads (24) und des ersten Anschlusses (4) durch einen Draht (8) und einem Anordnen des Schaltelements (2) über dem Die-Pad (3), so dass das Gate-Pad (24) auf einer Seite des dritten Anschlusses (6) der Mitte in der zweiten Richtung des Schaltelements (2) liegt, und einem Verbinden des Gate-Pads (24) und des dritten Anschlusses (6) durch einen Draht (8) umgeschaltet wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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