DE102004047306A1 - Leistungs-Halbleiterbauteil - Google Patents

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Abstract

Ein Leistungs-Halbleiterbauteil (1', 1''), das mehrere Bauteilkomponenten (2, 3, 4), die durch Bonddrähte unterschiedlicher Dicken kontaktiert werden, aufweist, zeichnet sich dadurch aus, dass die Oberfläche wenigstens eines Bonddrahts (23, 24) als Kontaktfläche für wenigstens einen weiteren Bonddraht (21¶1¶, 21¶3¶, 23', 24') dient, wobei der als Kontaktfläche dienende Bonddraht (23, 24) dicker als der darauf kontaktierte Bonddraht (21¶1¶, 21¶3¶, 23', 24') ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leistungs-Halbleiterbauteil.
  • Leistungs-Halbleiterbauteile können neben Leistungskomponenten auch Steuerkomponenten, die zur Steuerung der Leistungskomponenten dienen, aufweisen. Da die Stromstärken der elektrischen Ströme, die die Leistungskomponenten durchsetzen, wesentlich höher sind als die Stärken der elektrischen Ströme, die den Steuerkomponenten zugeführt werden, fallen die Dicken von Leistungsbonddrähten, die die Leistungskomponenten kontaktieren, gegenüber den Dicken der Steuerbonddrähte, die die Steuerkomponenten kontaktieren, sehr unterschiedlich aus.
  • Die Verdrahtung von Leistungskomponenten und Steuerkomponenten ist relativ aufwändig, da für jeden Bonddraht Kontaktflächen auf den Leistungskomponenten beziehungsweise Steuerkomponenten vorgesehen werden müssen, wobei der laterale Platzbedarf der Kontaktflächen je nach Art des Bonddrahts (Leistungsbonddraht oder Steuerbonddraht) unterschiedlich ausfällt.
  • In 1 ist eine schematische Draufsicht auf ein bekanntes Leistungs-Halbleiterbauteil gezeigt.
  • Ein Leistungs-Halbleiterbauteil 1 weist eine erste Leistungskomponente 2, eine zweite Leistungskomponente 3 sowie eine Steuerungskomponente 4 zur Steuerung der ersten und zweiten Leistungskomponente 2, 3 auf. Die erste und zweite Leistungskomponente 2, 3 sind nebeneinander angeordnet, die Steuerungskomponente 4 ist auf der zweiten Leistungskomponente 3 vorgesehen. Auf der ersten Leistungskomponente 2 sind eine Leistungskontaktfläche 5 sowie Steuerungskontaktflächen 6, vorgesehen. Auf der zweiten Leistungskomponente 3 sind ebenfalls eine Leistungskontaktfläche 8 sowie Steuerungskontaktflächen 9, 10 vorgesehen. Auf der Steuerungskomponente 4 sind Steuerungskontaktflächen 11 bis 20 vorgesehen. Die auf der ersten und zweiten Leistungskomponente 2, 3 vorgesehenen Steuerungskontaktflächen 6, 7, 9 und 10 sind über Steuerungsbonddrähte 211 , 212 , 213 , 219 mit den auf der Steuerungskomponente 4 vorgesehenen Steuerungskontaktflächen 13, 14, 11, 14 elektrisch verbunden. Weiterhin sind die auf der Steuerungskomponente 4 vorgesehenen Steuerungskontaktflächen 15 bis 20 mit externen Anschlüssen 22 des Leistungs-Halbleiterbauteils 1 über Steuerungsbonddrähte 215 bis 2110 elektrisch verbunden. Die Leistungskontaktflächen 6 und 8 werden jeweils durch einen Leistungsbonddraht 23, 24 elektrisch kontaktiert, wobei jeder Leistungsbonddraht 23, 24 wiederum mit einem externen Anschluss 22 elektrisch verbunden ist.
  • Nachteilig an dem in 1 beschriebenen Leistungs-Halbleiterbauteil 1 ist, dass die Leistungskontaktflächen 5, 8 und die Steuerungskontaktflächen 6, 7, 9 und 10 in ihrer Gesamtheit relativ viel Platz beanspruchen, so dass bei vorgegebener lateraler Ausdehnung der Leistungskomponenten 2 und 3 die innerhalb der Leistungskomponenten 2, 3 vorgesehenen aktiven Gebiete in der Regel umso kleiner ausfallen, je höher die laterale Ausdehnung der Leistungskontaktflächen 5 und 8 ist. Dies führt entweder zu einer erhöhten lateralen Ausdehnung der Leistungskomponenten 2, 3 (bei gleich bleibender Leistung der Leistungskomponenten), oder zu einer geringeren Leistung der Leistungskomponenten 2, 3 (bei gleich bleibenden lateralen Abmessungen).
    •
  • Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe ist, ein Leistungs-Halbleiterbauteil anzugeben, das einen reduzierten lateralen Platzbedarf aufweist, ohne dass Einschränkungen in den Leistungseigenschaften des Halbleiterbauteils hingenommen werden müssten.
  • Zur Lösung der Aufgabe stellt die Erfindung ein Leistungs-Halbleiterbauteil gemäß Patentanspruch 1 bereit. Vorteilhafte Ausgestaltungen bzw. Weiterbildungen des Erfindungsgedanken finden sich in den Unteransprüchen.
  • Das erfindungsgemäße Leistungs-Halbleiterbauteil, das mehrere Bauteilkomponenten, die durch Bonddrähte unterschiedlicher Dicken kontaktiert werden, aufweist, zeichnet sich dadurch aus, dass die Oberfläche wenigstens eines Bonddrahts als Kontaktfläche für wenigstens einen weiteren Bonddraht dient, wobei der als Kontaktfläche dienende Bonddraht dicker als der darauf kontaktierte Bonddraht ist.
  • Durch das Bonden von dünneren Bonddrähten auf dickere Bonddrähte ist gewährleistet, dass die auf der Oberfläche eines unteren Bonddrahts aufliegenden oberen Bonddrähte nicht über die Kontaktfäche des unteren Bonddrahts („Wedge-Pad) hinausreichen und damit die Gefahr von Kurzschlüssen besteht.
  • Vorzugsweise weist das Leistungs-Halbleiterbauteil
    • – wenigstens eine Leistungskomponente, und
    • – wenigstens eine Steuerungskomponente zur Steuerung der Leistungskomponenten auf. Die Leistungskomponenten werden durch Leistungsbonddrähte, die Steuerungskomponenten durch Steuerungsbonddrähte kontaktiert. Die Oberfläche wenigstens eines Leistungsbonddrahts dient als Kontaktfläche für einen Steuerungsbonddraht und/oder einen weiteren Leistungsbonddraht.
  • Erfindungsgemäß werden also die Oberflächen der Leistungsbonddrähte als Kontaktflächen für die Steuerungsbonddrähte beziehungsweise für andere Leistungsbonddrähte „zweckentfrem det". Die Oberfläche eines Leistungsbonddrahts kann insbesondere dann als Kontaktfläche zur Kontaktierung eines Steuerungsbonddrahts/eines weiteren Leistungsbonddrahts eingesetzt werden, wenn die Leistungskontaktfläche, die zur Kontaktierung des Leistungsbonddrahts dient, auf demselben Potenzial wie die Steuerungskontaktfläche zur Kontaktierung des Steuerungsbonddrahts beziehungsweise auf demselben Potenzial wie die Leistungskontaktfläche zur Kontaktierung des weiteren Leistungsbonddrahts liegen soll. Wird die Oberfläche eines Leistungsbonddrahts zur Kontaktierung eines weiteren Leistungsbonddrahts eingesetzt, so fällt die Dicke des Leistungsbonddrahts, dessen Oberfläche als Kontaktfläche genutzt wird, größer aus als die Dicke des anderen Leistungsbonddrahts.
  • Der Durchmesser der Leistungsbonddrähte liegt vorzugsweise in einem Bereich von 350 μm bis 500 μm. Der Durchmesser der Steuerungsbonddrähte beträgt typischerweise circa 50 μm. Die Erfindung ist jedoch nicht auf diese Werte beschränkt.
  • Vorzugsweise wird der als Kontaktfläche dienende dickere Bonddraht durch den dünneren Bonddraht innerhalb eines Bonddraht-Bereichs kontaktiert, der auf der Bauteilkomponente, die durch den dickeren Bonddraht kontaktiert wird, aufliegt. Dies ist fertigungstechnisch sinnvoll, da zum Aufbonden des dünneren Bonddrahts auf den dickeren Bonddraht eine nicht zu vernachlässigende mechanische Stabilität des dickeren Bonddrahts notwendig ist. Diese mechanische Stabilität ist insbesondere in den Bonddraht-Abschnitten, die auf Bauteiilkomponenten aufliegen, gegeben. Derartige Kontakte werden auch als "Wedge"-Kontakte bezeichnet.
  • Die Leistungskomponenten können beispielsweise Leistungs-MOSFET-(Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-)Chips, und die Steuerungskomponenten Steuerchips sein.
    •
  • Die Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die Figuren in beispielsweiser Ausführungsform näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 eine schematische Draufsicht auf ein bekanntes Leistungs-Halbleiterbauteil.
  • 2 eine schematische Draufsicht auf eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Leistungs-Halbleiterbauteils.
  • 3 eine schematische Draufsicht auf eine zweite Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Leistungs-Halbleiterbauteils.
  • In den Figuren sind identische bzw. einander entsprechende Bereiche, Bauteile oder Bauteilgruppen mit denselben Bezugsziffern gekennzeichnet.
  • In 1 ist eine schematische Draufsicht auf ein bekanntes Leistungs-Halbleiterbauteil gezeigt.
  • Ein Leistungs-Halbleiterbauteil 1 weist eine erste Leistungskomponente 2, eine zweite Leistungskomponente 3 sowie eine Steuerungskomponente 4 zur Steuerung der ersten und zweiten Leistungskomponente 2, 3 auf. Die erste und zweite Leistungskomponente 2, 3 sind nebeneinander angeordnet, die Steuerungskomponente 4 ist auf der zweiten Leistungskomponente 3 vorgesehen. Auf der ersten Leistungskomponente 2 sind eine Leistungskontaktfläche 5 sowie eine Steuerungskontaktfläche 7 vorgesehen. Auf der zweiten Leistungskomponente 3 sind ebenfalls eine Leistungskontaktfläche 8 sowie eine Steuerungskontaktfläche 10 vorgesehen. Auf der Steuerungskomponente 4 sind Steuerungskontaktflächen 11 bis 20 vorgesehen. Die auf der ersten und zweiten Leistungskomponente 2, 3 vorgesehenen Steuerungskontaktflächen 7 und 10 sind über Steuerungsbonddrähte 211 , 219 mit den auf der Steuerungskomponente 4 vorgesehenen Steuerungskontaktflächen 13, 14, elektrisch verbunden. Weiterhin sind die auf der Steuerungskomponente 4 vorgesehenen Steuerungskontaktflächen 15 bis 20 mit externen Anschlüssen 22 des Leistungs-Halbleiterbauteils 1 über Steuerungsbonddrähte 215 bis 2110 elektrisch verbunden. Die Leistungskontaktflächen 6 und 8 werden jeweils durch einen Leistungsbonddraht 23, 24 elektrisch kontaktiert, wobei jeder Leistungsbonddraht 23, 24 wiederum mit einem externen Anschluss 22 elektrisch verbunden ist.
  • Das in 2 gezeigte Leistungs-Halbleiterbauteil 1' unterscheidet sich von dem in 1 gezeigten Leistungs-Halbleiterbauteil 1 im Wesentlichen dadurch, dass die auf der ersten Leistungskomponente 2 vorgesehene Steuerungskontaktfläche 6 weggelassen ist, und der entsprechende Steuerungsbonddraht 211 , der die auf der Steuerungskomponente 4 vorgesehene Steuerungskontaktfläche 13 kontaktiert, direkt mit der Oberfläche des Leistungsbonddrahts 23 verbunden ist. Weiterhin ist die auf der zweiten Leistungskomponente 3 vorgesehene Steuerungskontaktfläche 9 weggelassen, und der entsprechende Steuerungsbonddraht 213 , der die auf der Steuerungskomponente 4 vorgesehene Steuerungskontaktfläche 11 kontaktiert, direkt mit der Oberfläche des Leistungsbonddrahts 24 verbunden. Des Weiteren sind die Leistungsbonddrähte 23, 24 im Leistungs-Halbleiterbauteil 1' gegenüber den Leistungsbonddrähten 23, 24 des Leistungs-Halbleiterbauteils 1 verdickt ausgestaltet. Die Steuerungsbonddrähte 211 und 213 greifen das Potenzial ab, das an den Leistungskontaktflächen 5 und 8 vorherrscht, d.h. die Steuerungskontaktflächen 13, 11 liegen auf dem gleichen Potenzial wie die Leistungskontaktflächen 5, 8. Der als Kontaktfläche dienende dickere Leistungsbonddraht 23 wird durch den dünneren Steuerungsbonddraht 211 innerhalb eines Bonddraht-Bereichs kontaktiert, der auf der Leistungskomponente 2, die durch den Leistungsbonddraht 23 kontaktiert wird, aufliegt. Dies ist fertigungstechnisch sinnvoll, da zum Aufbonden eines dünneren Bonddrahts auf einen dickeren Bonddraht eine nicht zu vernachlässigende mechanische Stabilität des dickeren Bonddrahts notwendig ist. Diese mechanische Stabilität bezüglich des Leistungsbonddrahts 23 ist insbesondere in den Bonddraht-Abschnitten, die auf der Leistungskontaktfläche 5 aufliegen, gegeben. Dasselbe glit analog für den Leistungsbonddraht 24.
  • Die verdickte Ausgestaltung der Leistungbonddrähte 23, 24 ermöglicht es, die Leistungskomponenten 2, 3 mit stärkeren elektrischen Strömen zu beaufschlagen, womit bei gleich bleibenden Abmessungen die Leistung des Leistungs-Halbleiterbauteils erhöht werden kann. Bei Vorhandensein der Steuerungskontaktflächen 6 und 9 wäre eine Verbreiterung der Leistungsbonddrähte 23, 24 nicht möglich, da aufgrund von Fertigungstoleranzen ein Mindestabstand zwischen den Leistungsbonddrähten 23, 24 und den Steuerungskontaktflächen 6, 9 nicht mehr gewährleistet wäre. Durch Ausnutzen der Oberfläche der Leistungsbonddrähte 23, 24 als Kontaktfläche für die Steuerungsbonddrähte 211 und 213 kann also bei gleichbleibenden Abmessungen die Leistung des Halbleiterbauteils erhöht werden (dickere Leistungsbonddrähte und größeres aktives Gebiet (von eletrischen Strömen durchsetzbarer Halbleiterkörper) möglich).
  • Die Leistungs-Halbleiterbauteile 1, 1' unterscheiden sich weiterhin dadurch, dass die der Steuerungskomponente 4 abgewandten Enden der Steuerungsbonddrähte 215 , 2110 , die die Steuerungskontaktflächen 15, 20 kontaktieren, direkt auf den Enden der Leistungsbonddrähte 23, 24, die von den Leistungskomponenten 2, 3 abgewandt sind, aufliegen. Vorteilhaft hierbei ist, dass auf diese Weise die gesamte (beschränkte) Kontaktfläche der entsprechenden externen Anschlüsse 22 für die Leistungsbonddrähte 23, 24 genutzt werden kann. Damit können durch die Leistungsbonddrähte 23, 24 dicker ausgestaltet werden und somit höhere elektrische Ströme fließen.
  • In 3 ist eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Leistungs-Halbleiterbauteils 1'' gezeigt.
  • Das Leistungs-Halbleiterbauteil 1'' weist eine erste Leistungskomponente 2, eine zweite Leistungskomponente 3 (jeweils ein Leistungs-MOSFET) sowie eine Steuerungskomponente 4 auf. Die erste Leistungskomponente 2 wird durch einen ersten und einen zweiten Leistungsbonddraht 23, 23' kontaktiert, und die zweite Leistungskomponente 3 durch einen ersten und zweiten Leistungsbonddraht 24, 24'. Der Leistungsbonddraht 23' kontaktiert hierbei die Oberfläche des Leistungsbonddrahts 23. Analog kontaktiert der Leistungsbonddraht 24' die Oberfläche des Leistungsbonddrahts 24. Die Leistungsbonddrähte 23, 23', 24 und 24' kontaktieren jeweils einen separaten externen Anschluss 22. In dieser Ausführungsform kontaktieren die Leistungsbonddrähte 23, 23' ein Sourcegebiet der ersten Leistungskomponente 2 (MOSFET), wohingegen die Leistungsbonddrähte 24, 24' ein Sourcegebiet der zweiten Leistungskomponente 3 (MOSFET) kontaktieren. Über einen externen Anschluss 25 werden die Draingebiete der beiden Leistungskomponenten 2, 3 kontaktiert (der externe Anschluss 25 ist Teil eines Leadframes, auf dem die Leistungskomponenten 2, 3 aufliegen).
  • Die auf den Leistungskomponenten 2, 3 vorgesehene Steuerungskomponente 4 ist über einen Steuerungsbonddraht 211 mit der Oberfläche des Leistungsbonddrahts 23, über einen Steuerungsbonddraht 212 mit der Oberfläche des auf dem Leistungsbonddraht 23 aufgebrachten Leistungsbonddrahts 23', über einen Steuerungsbonddraht 213 mit der Oberfläche des Leistungsbonddrahts 24, und über einen Steuerungsbonddraht 214 mit der Oberfläche des auf dem Leistungsbonddraht 24 aufgebrachten Leistungsbonddrahts 24' elektrisch verbunden. Weiterhin ist die Steuerungskomponente 4 über Steuerungsbonddrähte 215 , 216 mit Gatekontaktflächen 261 , 262 der Leistungskomponenten 2, 3 elektrisch verbunden.
  • Die Steuerungskomponente 4 lässt sich über Steuerungsbonddrähte 217 , 218 , die mit externen Anschlüssen 22 verbunden sind, ansteuern.
  • In dieser Ausführungsform betragen die Durchmesser der Steuerungsbonddrähte 21 75 μm, der Leistungsbonddrähte 23', 24' 350 μm und der Leistungsbonddrähte 23, 24 500 μm.
  • In der folgenden Beschreibung sollen weitere Aspekte der Erfindung erläutert werden.
  • In einem Großteil der Leistungshalbleiter werden heute die elektrischen Ströme mittels Bonddrähten aus Aluminium transportiert, da dieses Material sehr dicke Bonddrähte (circa 500 μm) zuverlässig und kostengünstig zulässt. Doch neben den Leistungskomponenten müssen auch IC-Komponenten innerhalb eines Bauelements verdrahtet werden, wobei hier nur kleine Ströme transportiert werden müssen. Damit treten innerhalb eines Bauelements unterschiedliche Bonddrahtdicken für unterschiedliche Stromstärken auf, wobei zum Teil identische Potenziale verdrahtet werden müssen (1). Die Verdrahtung der einzelnen Komponenten im Bauelement ist mit einem erheblichen Platzbedarf verbunden, der erfindungsgemäß minimiert wird.
  • Um die Verdrahtung der einzelnen Komponenten im Bauelement zu realisieren, müssen auf den einzelnen Chips spezielle Kontaktflächen für die Bonddrähte vorgesehen werden. Diese Kontaktflächen gehen zum Teil auf Kosten der aktiven Strukturen innerhalb der Chips und müssen somit durch Vergrößerung der Chipflächen kompensiert werden. Dies führt dann zu höheren Kosten und/oder geringerer elektrischer Performance pro Chipfläche.
  • Erfindungsgemäß wird zur Reduzierung der Wirebond-Kontaktflächen auf den Chips oder Chipträgern die Oberfläche von bereits vorhandenen dicken Bonddrähten als Wirebond-Pad für dünnere Bonddrähte genutzt. Hierdurch kann bei Verdrahtung identischer Potenziale die Kontaktfläche für dünne Bonddrähte gespart werden und damit die Integrationsdichte erhöht werden.
  • Erfindungsgemäß werden also Aluminium-Kontakte (Wedge) von dicken Bonddrähten auf Chips oder Chipträgern als Wirebond-Pad für einen oder mehrere dünnere Bonddrähte gleichen Potenzials genutzt.
  • Die Anordnung von mehreren zum Teil übereinander angeordneten Bonddrähten auf einer Chip-Vorderseite bzw. einem Montage-Anschluss sind in den Referenzen 1)-5) für Gold-Bonddrähte beschrieben. Hierbei werden aber nur dünne Bonddrähte (ca.
  • 50 μm) mit gleichen Dicken für kleine Ströme (ca. 2 A) übereinander angeordnet. Dies ist für große Ströme, die in einem erfindungsgemäßen Halbleiterbauteil auftreten (beispielsweise 50 A) nicht sinnvoll, da hierfür dann eine sehr große Anzahl (ca. 25) von Bonddrähten neben- und/oder übereinander angeordnet werden müssten. Die großen Ströme lassen sich aber mit einzelnen dicken Bonddrähten (ca. 500 μm) zuverlässig transportieren und bieten dann auf dem Wedge die Möglichkeit, einzelne oder mehrere dünnere Bonddrähte neben- und/oder übereinander anzuordnen (2 und 3).
  • In 3 ist ein Basechip gezeigt, bestehend aus zwei MOSFETs 2, 3, welche über einen IC-Topchip 4 gesteuert werden. Die beiden linken Pins S1 liegen auf Source-Potenzial des linken MOSFETs 2, wobei die Pins S1 unterschiedlich dicke Bonddrähte tragen. Der IC-Topchip ist über die Pins IC extern ansteuerbar. Die beiden rechten Pins S2 liegen auf Source-Potenzial des rechten MOSFETs 3. Durch diese Anordnung können die Bondpads für die Source-Kontakte (Leistungskontaktflächen) auf beispielsweise eine Breite von 500 μm reduziert werden, obwohl zusätzlich Bonddrähte mit Breiten von 360 μm und 75 μm verwendet wurden.
    Referenz 1)JP10125710-A: Wire bonding
    Referenz 2)JP06005647-A: Semiconductor device
    Referenz 3)JP01048438-A: Wire bonding method
    Referenz 4)JP63244633-A: Wire bonding method
    Referenz 5)EP0265927-A2: Wire stacked bonding method
    • 1, 1', 1''
    Leistungs-Halbleiterbauteil
    2, 3
    Leistungskomponente
    4
    Steuerungskomponente
    5
    Leistungskontaktfläche
    6, 7
    Seuerungskontaktfläche
    8
    Leistungskontaktfläche
    9, 10
    Steuerungskontaktfläche
    11 bis 20
    Steuerungskontaktfläche
    21
    Steuerungsbonddraht
    22
    externer Anschluss
    23, 23', 24, 24'
    Leistungsbonddraht
    25
    Externer Anschluss
    26
    Gatekontaktfläche

Claims (6)

  1. Leistungs-Halbleiterbauteil (1', 1'' ), das mehrere Bauteilkomponenten (2, 3, 4), die durch Bonddrähte unterschiedlicher Dicken kontaktiert werden, aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche wenigstens eines Bonddrahts (23, 24) als Kontaktfläche für wenigstens einen weiteren Bonddraht (211 , 213 , 23', 24') dient, wobei der als Kontaktfläche dienende Bonddraht (23, 24) dicker als der darauf kontaktierte Bonddraht (211 , 213 , 23', 24') ist.
  2. Leistungs-Halbleiterbauteil (1', 1'') nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch – wenigstens eine Leistungskomponente (2, 3), und – wenigstens eine Steuerungskomponente (4) zur Steuerung der Leistungskomponenten (2, 3), wobei die Leistungskomponenten (2, 3) durch Leistungsbonddrähte (23, 23', 24, 24'), und die Steuerungskomponenten (4) durch Steuerungsbonddrähte (21) kontaktiert werden, und die Oberfläche wenigstens eines Leistungsbonddrahts (23, 24) als Kontaktfläche für einen Steuerungsbonddraht (211 , 213 ) und/oder einen weiteren Leistungsbonddraht (23', 24') dient.
  3. Leistungs-Halbleiterbauteil (1', 1'') nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Leistungsbonddrähte (23, 23', 24, 24') in einem Bereich von 350 um bis 500 um liegt.
  4. Leistungs-Halbleiterbauteil (1', 1'') nach einem der Ansprüche 2 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Steuerungsbonddrähte (21) circa 50 um beträgt.
  5. Leistungs-Halbleiterbauteil (1', 1'') nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der als Kontaktfläche dienende dickere Bonddraht (23, 24) durch den dünneren Bonddraht (211 , 213 , 23', 24') innerhalb eines Bonddraht-Bereichs kontaktiert wird, der auf der Bauteilkomponente (2,3), die durch den dickeren Bonddraht kontaktiert wird, aufliegt.
  6. Leistungs-Halbleiterbauteil (1', 1'') nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungskomponenten (2, 3) Leistungs-MOSFET-Chips, und die Steuerungskomponenten (4) Steuerchips sind.
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