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Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung Nr.
10-2020-0186966 , eingereicht am 30. Dez. 2020, die hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
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HINTERGRUND
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Gebiet
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Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich auf eine Anzeigevorrichtung.
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Beschreibung des Stands der Technik
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Das Wachstum der Informationsgesellschaft führt zu einem gesteigerten Bedarf an Anzeigevorrichtungen zum Anzeigen von Bildern und zur Verwendung verschiedener Typen von Anzeigevorrichtungen, wie z. B. Flüssigkristallanzeigevorrichtungen, organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen usw.
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Die Anzeigevorrichtungen können eine Anzeigetafel enthalten, die mehrere Unterpixel und mehrere Signalleitungen enthält. Die Anzeigevorrichtungen können verschiedene Ansteuerschaltungen enthalten, die die mehreren Unterpixel und die mehreren Signalleitungen ansteuern.
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In einem Fall, in dem ein Defekt eines Schaltungselements oder einer Signalleitung, die sich in dem in der Anzeigetafel angeordneten Unterpixel befindet, auftritt, kann ein Reparaturprozess ausgeführt werden. Der Reparaturprozess kann beispielsweise als ein Verfahren, das Schneiden oder Schweißen unter Verwendung eines Lasers durchführt, ausgeführt werden.
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Somit ist es in dem Reparaturprozess ein Problem vorhanden, dass eine Beschädigung einer Leitung oder eines Elements, die/das sich neben einem Reparaturobjekt befindet, auftreten kann.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigevorrichtung und ein Verfahren zu schaffen, die imstande sind, eine Beschädigung einer Leitung, einer Elektrode oder eines Elements, die/das sich an einer Peripherie eines Reparaturobjekts befindet, in einem Prozess, in dem ein Defekt eines in einer Anzeigetafel angeordneten Unterpixels repariert wird, zu verhindern.
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigevorrichtung zu schaffen, die eine Unterpixelstruktur aufweist, die zum Reparieren verschiedener Typen von Defekten ohne ein Absenken einer Leistung eines Schaltungselements oder einer Signalleitung, die in der Anzeigetafel angeordnet sind, fähig ist.
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Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben.
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In einem Aspekt stellen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung bereit, die mehrere Unterpixel, die in einer Anzeigetafel angeordnet sind, mehrere Referenzspannungsleitungen zum Zuführen einer Referenzspannung zu den mehreren Unterpixeln und mehrere Referenzspannungsleitungsverbindungsstrukturen, von denen jede mit einer entsprechenden Referenzspannungsleitung der mehreren Referenzspannungsleitungen elektrisch verbunden ist und mit einem Dünnschichttransistor, der in einem entsprechenden Pixel unter den mehreren Unterpixeln angeordnet ist, elektrisch verbunden ist, enthält.
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Jede der mehreren Referenzspannungsleitungsverbindungsstrukturen kann eine erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur, die mit dem Dünnschichttransistor verbunden ist, und eine zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur, die auf einer Schicht, die von einer Schicht, in der die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur angeordnet ist, verschieden ist, angeordnet ist und mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur elektrisch verbunden ist, enthalten.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur kann in einem Bereich der einen Teilbereich eines Bereichs, der mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur überlappt, ausschließt, angeordnet sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur kann mit dem Dünnschichttransistor nicht direkt verbunden sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur ist mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur über ein Kontaktloch, das sich in einem mit einer entsprechenden Referenzspannungsleitung überlappten Bereich befindet, verbunden.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur kann einen ersten Teil, der mit der Referenzspannungsleitung teilweise überlappt und mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur elektrisch verbunden ist, und einen zweiten Teil, der von dem ersten Teil getrennt ist und mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur elektrisch verbunden ist, enthalten.
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Die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur, die in wenigstens einer der mehreren Referenzspannungsleitungsverbindungsstrukturen enthalten ist, kann eine unterbrochene Form sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur kann nicht in einem Bereich angeordnet sein, der mit einem Punkt überlappt, an dem die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur zu unterbrechen ist.
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Alternativ kann die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur sich in einem Bereich befinden, der einen Punkt überlappt, an dem die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur unterbrochen ist, und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur kann mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur in einem Bereich, der nicht ein Bereich zwischen dem Punkt, an dem die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur zu unterbrechen ist, und dem Dünnschichttransistor ist, elektrisch verbunden sein.
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In einem weiteren Aspekt können Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung bereitstellen, die mehrere Unterpixel, die in einer Anzeigetafel angeordnet sind, mehrere Referenzspannungsleitungen, die den mehreren Unterpixeln eine Referenzspannung zu führen, und mehrere Referenzspannungsleitungsverbindungsstrukturen, von denen jede mit einer entsprechenden Referenzspannungsleitung der mehreren Referenzspannungsleitungen verbunden ist, enthält, wobei jede der mehreren Referenzspannungsleitungsverbindungsstrukturen eine erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur und eine zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur, die auf einer Schicht, die von einer Schicht, in der die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur angeordnet ist, verschieden ist, angeordnet ist und mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur elektrisch verbunden ist, enthält, wobei die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur, die in wenigstens einer Referenzspannungsleitung der mehreren Referenzspannungsleitungsverbindungsstrukturen enthalten ist, in einem Bereich, der nicht ein Bereich ist, der mit der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur, die in der wenigstens einen Referenzspannungsleitung enthalten ist, überlappt, unterbrochen ist.
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In einem weiteren Aspekt können Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eine Anzeigevorrichtung bereitstellen, die ein Substrat, eine erste Spannungsleitungsverbindungsstruktur, die sich auf dem Substrat befindet und als einem Material, das einen ersten Widerstand aufweist, hergestellt ist, und eine zweite Spannungsleitungsverbindungsstruktur, die sich auf der ersten Spannungsleitungsverbindungsstruktur befindet, die aus einem Material hergestellt ist, das einen zweiten Widerstand kleiner als der erste Widerstand aufweist, die in einem Bereich der einen Teilbereich eines Bereichs, der mit der ersten Spannungsleitungsverbindungsstruktur überlappt, ausschließt, angeordnet ist und mit der ersten Spannungsleitungsverbindungsstruktur elektrisch verbunden ist, enthält, wobei die erste Spannungsleitungsverbindungsstruktur ein Unterpixel in der Anzeigevorrichtung und wenigstens eine Spannungsleitung zum Zuführen einer Spannung zu dem Unterpixel elektrisch verbindet.
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Gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann das das Anordnen eines Abschnitts einer Signalleitung, die ein Schneideobjekt in einem Reparaturprozess ist, unter den Signalleitungen, die in einer Anzeigetafel unter Verwendung einer aktiven Schicht angeordnet sind, ein Schneiden mit einer niedrigen Leistung möglich sein, und eine Beschädigung einer Leitung oder einer Elektrode, die sich an einer Peripherie des Schneideobjekts befindet, in einem Reparaturprozess kann verhindert werden.
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Gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann durch Anordnen eines Abschnitts, der nicht ein Abschnitt ist, der in der Signalleitung, die ein Reparaturobjekt ist, geschnitten wird, als eine Doppelleitung unter Verwendung einer Metallschicht ein Widerstandsanstieg der Signalleitung verhindert werden, und die entsprechende Signalleitung kann als eine Verbindungsleitung in einem Reparaturprozess der anderen Signalleitung verwendet werden.
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Figurenliste
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Das Vorstehende und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Offenbarung werden leicht verstanden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung zusammen mit den begleitenden Zeichnungen; es zeigen:
- 1 ein Diagramm, das eine Konfiguration einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellt;
- 2 ein Diagramm, das ein Beispiel einer Schaltungsstruktur eines Unterpixels, das in einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten ist, darstellt;
- 3 ein Diagramm, das ein Beispiel einer Verbindungsstruktur eines Unterpixels und einer Signalleitung, die in einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten sind, darstellt;
- 4 ein Diagramm, das ein Beispiel einer Struktur, wenn ein Reparaturprozess an einem Unterpixel, das in einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten ist, ausgeführt wird, darstellt;
- 5 ein Diagramm, das ein Beispiel einer spezifischen Ebenenstruktur eines Unterpixels, das in einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten ist, darstellt;
- 6 bis 8 Diagramme, die Beispiele einer Struktur einer Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur, die an einem Unterpixel angeordnet ist, das in einer Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten ist, darstellen; und
- 9 ein Diagramm, das ein Beispiel einer Struktur, in der ein Unterbrechungsdefekt einer Gate-Leitung unter Verwendung der in 8 dargestellten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur repariert wird, darstellt.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
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In der folgenden Beschreibung von Beispielen oder Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird auf die begleitenden Zeichnungen Bezug genommen, in denen durch Darstellung spezifische Beispiele oder Ausführungsformen, die implementiert werden können, gezeigt sind und in denen die gleichen Bezugszeichen und Zeichen verwendet sein können, um die gleichen oder ähnliche Komponenten zu bezeichnen, selbst wenn sie in voneinander verschiedenen begleitenden Zeichnungen gezeigt sind. Ferner werden in der folgenden Beschreibung von Beispielen oder Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung genaue Beschreibungen bekannter Funktionen und Komponenten, die hier integriert sind, weggelassen, wenn bestimmt wird, dass die Beschreibungen den Gegenstand in einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung eher undeutlich machen können. Die Begriffe wie z. B. „enthalten“, „aufweisen“, „beinhalten“, „bilden“, „bestehen aus“ und „gebildet aus“, die hier verwendet sind, sind allgemein so gedacht, dass sie ermöglichen, dass andere Komponenten hinzugefügt werden, sofern die Begriffe nicht mit dem Begriff „nur“ verwendet sind. Wie sie hier verwendet sind, sollen Singularformen Pluralformen enthalten, sofern der Kontext nicht deutlich etwas anderes angibt.
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Begriffe wie z. B. „erster“, „zweiter“, „A“, „B“, „(A)“ oder „(B)“ können hier verwendet sein, um Elemente der vorliegenden Offenbarung zu beschreiben. Jeder dieser Begriffe ist nicht verwendet, um das Wesen, die Reihenfolge, die Sequenz oder Anzahl von Elementen usw. zu definieren, sondern ist lediglich verwendet, um die entsprechenden Elemente von anderen Elementen zu unterscheiden.
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Wenn erwähnt ist, dass ein erstes Element mit einem zweiten Element „verbunden oder gekoppelt ist“, es „kontaktiert oder überlappt“ usw., sollte das so interpretiert werden, dass das erste Element mit dem zweiten Element nicht nur „direkt verbunden oder gekoppelt sein“ oder es „direkt kontaktieren oder überlappen“ kann, sondern auch ein drittes Element zwischen dem ersten und dem zweiten Element „eingeschoben“ sein kann oder das erste und das zweite Element miteinander über ein viertes Element „verbunden oder gekoppelt sein“, sich „kontaktieren oder überlappen“ usw. können. Hier kann das zweite Element in wenigstens zwei oder mehr Elementen, die miteinander „verbunden oder gekoppelt“ sind, einander „kontaktieren oder überlappen“ usw. enthalten sein.
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Wenn zeitbezogene Begriffe wie z. B. „nach“, „nachfolgend“ oder „als Nächstes“, „vor“ und dergleichen verwendet werden, um Prozesse oder Operationen von Elementen oder Konfigurationen oder Abläufe oder Schritte für Betreiben, Verarbeiten, Herstellungsverfahren zu beschreiben, können diese Begriffe verwendet sein, um nicht aufeinanderfolgende oder nicht-sequenzielle Prozesse oder Operationen zu beschreiben, sofern nicht der Begriff „direkt“ oder „unmittelbar“ zusammen damit verwendet ist.
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Zusätzlich sollte, wenn irgendwelche Abmessungen, relative Größen usw. genannt sind, das so betrachtet werden, dass numerische Werte für Elemente oder Merkmale oder entsprechende Informationen (z. B. Pegel, Bereich usw.) eine Toleranz oder einen Fehlerbereich enthalten, die durch verschiedene Faktoren (z. B. Prozessfaktoren, interne oder externe Einflüsse, Rauschen usw.) verursacht sind, selbst wenn keine relevante Beschreibung spezifiziert ist. Ferner kann der Begriff „kann“ alle Bedeutungen des Begriffs „können“ einschließen.
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1 ist ein Diagramm, das eine Konfiguration, die in einer Anzeigevorrichtung 100 gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten ist, schematisch darstellt. Alle Komponenten der Anzeigevorrichtung 100 gemäß allen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung sind betriebstechnisch gekoppelt und konfiguriert.
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Bezugnehmend auf 1 kann die Anzeigevorrichtung 100 eine Anzeigetafel 110 und eine Gate-Ansteuerschaltung 120, eine Daten-Ansteuerschaltung 130 und eine Steuereinheit 140 zum Ansteuern der Anzeigetafel 110 enthalten.
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Die Anzeigetafel 110 kann einen aktiven Bereich AA, in dem mehrere Unterpixel SP angeordnet sind, und einen nicht aktiven Bereich NA, der sich außerhalb des aktiven Bereichs AA befindet, enthalten.
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Mehrere Gate-Leitungen GL und mehrere Datenleitungen DL können auf der Anzeigetafel 110 angeordnet sein. Die mehreren Unterpixel SP können sich in Bereichen befinden, in denen die Gate-Leitungen GL und die Datenleitungen DL einander kreuzen.
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Die Gate-Ansteuerschaltung 120 wird durch die Steuereinheit 140 gesteuert und gibt der Reihe nach Abtastsignale zu den mehreren in der Anzeigetafel 110 angeordneten Gate-Leitungen GL aus und steuert dadurch die Ansteuerzeit der mehreren Unterpixel SP.
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Die Gate-Ansteuerschaltung 120 kann eine oder mehrere integrierte Gate-Ansteuerschaltungen, GDIC, enthalten und kann sich nur auf einer Seite der Anzeigetafel 100 befinden oder kann sich auf beiden Seiten davon gemäß einem Ansteuerverfahren befinden.
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Jede integrierte Gate-Ansteuerschaltung GDIC kann mit einer Bonding-Kontaktstelle der Anzeigetafel 110 durch ein automatisches Band-Bonding-Verfahren, TAB-Verfahren, oder ein Chip-auf-Glas-Verfahren, COG-Verfahren, verbunden sein. Alternativ kann jede integrierte Gate-Ansteuerschaltung GDIC durch ein Gate-in-Tafel-Verfahren, GIP-Verfahren, implementiert sein, um dann direkt auf der Anzeigetafel 100 angeordnet zu sein. Alternativ kann in einigen Fällen jede integrierte Gate-Ansteuerschaltung GDIC auf der Anzeigetafel 110 integriert und angeordnet sein. Alternativ kann jede integrierte Gate-Ansteuerschaltung GDIC durch ein Chip-auf-Film-Verfahren, COF-Verfahren, implementiert sein, in dem ein Element auf einem Film, der mit der Anzeigetafel 110 verbunden ist, montiert ist.
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Die Daten-Ansteuerschaltung 130 empfängt Bilddaten von der Steuereinheit 140 und setzt die Bilddaten in eine analoge Datenspannung Vdata um. Die Daten-Ansteuerschaltung 130 gibt die Datenspannung Vdata zu jeder Datenleitung DL gemäß der Zeit, zu der das Abtastsignal über die Gate-Leitung GL angelegt wird, aus, so dass jedes der mehreren Unterpixel SP Licht mit einer Helligkeit gemäß den Bilddaten emittiert.
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Die Daten-Ansteuerschaltung 130 kann eine oder mehrere integrierte Source-Ansteuerschaltungen SDIC enthalten.
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Jede integrierte Source-Ansteuerschaltung SDIC kann ein Schieberegister, eine Latch-Schaltung, einen Digital/Analog-Umsetzer, einen Ausgangspuffer und dergleichen enthalten.
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Jede integrierte Source-Ansteuerschaltung SDIC kann mit einer Bonding-Kontaktstelle der Anzeigetafel 110 durch ein automatisches Band-Bonding-Verfahren, TAB-Verfahren, oder ein Chip-auf-Glas-Verfahren, COG-Verfahren, verbunden sein. Alternativ kann jede integrierte Source-Ansteuerschaltung direkt auf der Anzeigetafel 110 angeordnet sein. Alternativ kann in einigen Fällen jede integrierte Source-Ansteuerschaltung SDIC auf integriert und der Anzeigetafel 110 angeordnet sein. Alternativ kann jede integrierte Source-Ansteuerschaltung SDIC durch ein Chip-auf-Film-Verfahren, COF-Verfahren, implementiert sein. In diesem Fall kann jede integrierte Source-Ansteuerschaltung SDIC auf einem Film, der mit der Anzeigetafel 110 verbunden ist, montiert sein und kann über die Drähte auf dem Film mit der Anzeigetafel 110 elektrisch verbunden sein.
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Die Steuereinheit 140 ist konfiguriert, der Gate-Ansteuerschaltung 120 und/oder der Daten-Ansteuerschaltung 130 verschiedene Steuersignale zuzuführen. Die Steuereinheit 140 ist konfiguriert, den Betrieb der der Gate-Ansteuerschaltung 120 und/oder der Daten-Ansteuerschaltung 130 zu steuern.
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Die Steuereinheit 140 kann auf einer Leiterplatte, einer flexiblen gedruckten Schaltung oder dergleichen montiert sein.
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Die Steuereinheit 140 kann mit der Gate-Ansteuerschaltung 120 und der Daten-Ansteuerschaltung 130 durch die Leiterplatte, die flexible gedruckte Schaltung oder dergleichen elektrisch verbunden sein.
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Die Steuereinheit 140 kann der Gate-Ansteuerschaltung 120 ermöglichen oder sie anweisen, die Abtastsignale gemäß der Zeitplanung, die in jedem Rahmen implementiert ist, auszugeben.
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Die Steuereinheit 140 kann ein von außen empfangenes Datensignal umsetzen, so dass es mit dem Datensignalformat, das in der Daten-Ansteuerschaltung 130 verwendet wird, konform ist, und dann die umgesetzten Bilddaten zu der Daten-Ansteuerschaltung 130 ausgeben.
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Die Steuereinheit 140 empfängt von außen (z. B. einem Host-System) verschiedene Zeitsignale, die ein Vertikalsynchronisationssignal VSYNC, ein Horizontalsynchronisationssignal HSYNC, ein Eingangsdatenaktivierungs-Signal, Eingangs-DE-Signal, ein Taktsignal CLK und dergleichen enthalten, und außerdem die Bilddaten.
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Die Steuereinheit 140 kann verschiedene Steuersignale unter Verwendung verschiedener von außen empfangener Zeitsignale erzeugen und kann die Steuersignale zu der Gate-Ansteuerschaltung 120 und/oder der Daten-Ansteuerschaltung 130 ausgeben.
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Beispielsweise kann die Steuereinheit 140, um die Gate-Ansteuerschaltung 120 zu steuern, verschiedene Gate-Steuersignale GCS, die einen Gate-Startimpuls GSP, einen Gate-Verschiebetakt GSC, ein Gate-Ausgabeaktivierungssignal GOE oder dergleichen enthalten, ausgeben.
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Der Gate-Startimpuls GSP steuert die Betriebsstartzeit einer oder mehrerer integrierter Gate-Ansteuerschaltungen GDIC, die die Gate-Ansteuerschaltung 120 bilden. Der Gate-Verschiebetakt GSC, der ein Taktsignal ist, das gemeinsam für eine oder mehrere integrierte Gate-Ansteuerschaltungen GDIC eingegeben wird, steuert die Verschiebezeit eines Abtastsignals. Das Gate-Ausgabeaktivierungssignal GOE spezifiziert Zeitinformationen auf einer oder mehreren integrierten Gate-Ansteuerschaltungen GDIC.
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Zusätzlich kann die Steuereinheit 140, um die Daten-Ansteuerschaltung 130 zu steuern, verschiedene Datensteuersignale DCS, die einen Source-Startimpuls SSP, einen Source-Samplingtakt SSC, ein Source-Ausgabeaktivierungssignal SOE und dergleichen enthalten, ausgeben.
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Der Source-Startimpuls SSP steuert eine Daten-Samplingstartzeit einer oder mehrerer integrierter Source-Ansteuerschaltungen SDIC, die die Daten-Ansteuerschaltung 130 bilden. Der Source-Samplingtakt SSC ist ein Taktsignal zum Steuern der Zeitplanung der Samplingdaten in den entsprechenden integrierten Source-Ansteuerschaltungen SDIC. Das Source-Ausgabeaktivierungssignal SOE steuert die Ausgabezeit der Daten-Ansteuerschaltung 130.
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Die Anzeigevorrichtung 100 kann ferner eine integrierte Leistungsmanagementschaltung zum Erzeugen und/oder Zuführen verschiedener Spannungen oder Ströme zu wenigstens einem aus der Anzeigetafel 110, der Gate-Ansteuerschaltung 120, der Daten-Ansteuerschaltung 130 und dergleichen oder zum Steuern verschiedener Spannungen oder Ströme, die ihnen zugeführt werden sollen, enthalten.
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Jedes der mehreren Unterpixel SP ist in einem Bereich, der durch die Kreuzung der Gate-Leitung GL und der Datenleitung DL definiert ist, angeordnet. Jedes Unterpixel SP kann wenigstens ein Schaltungselement enthalten, das ein Lichtemissionselement enthält, das auf dem Unterpixel SP angeordnet sein kann.
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Beispielsweise können in dem Fall, wenn die Anzeigevorrichtung 100 eine organische lichtemittierende Anzeigeeinrichtung ist, eine organische Leuchtdiode OLED und mehrere Schaltungselemente in jedem der mehreren Unterpixel SP angeordnet sein.
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Die Anzeigevorrichtung 100 ist konfiguriert, die mehreren Schaltungselemente anzusteuern, um einen der organischen Leuchtdiode OLED, die in dem Unterpixel SP angeordnet ist, zugeführten Strom zu steuern, und kann steuern, dass jedes Unterpixel SP eine Luminanz, die den Bilddaten entspricht, repräsentiert oder ausgibt.
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2 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Schaltungsstruktur des Unterpixels SP, das in der Anzeigevorrichtung 100 enthalten ist, gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellt.
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2 stellt das Beispiel der Schaltungsstruktur des Unterpixels SP in dem Fall dar, in dem die Anzeigevorrichtung 100 eine organische lichtemittierende Anzeigeeinrichtung ist, jedoch können Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auf unterschiedliche Typen von Anzeigevorrichtungen angewandt werden.
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Bezugnehmend auf 2 können ein Lichtemissionselement ED und ein Ansteuertransistor DRT zum Ansteuern des Lichtemissionselements ED in dem Unterpixel SP angeordnet sein. Darüber hinaus kann ferner wenigstens ein Schaltungselement, das nicht das Lichtemissionselement ED und der Ansteuertransistor DRT ist, in dem Unterpixel SP angeordnet sein.
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Beispielsweise kann, wie in dem in 2 dargestellten Beispiel, ferner ein Schalttransistor SWT, ein Erfassungstransistor SENT und ein Speicherkondensator Cstg in dem Unterpixel SP angeordnet sein.
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Somit stellt das in 2 dargestellte Beispiel eine 3T1C-Struktur dar, in der drei Dünnschichttransistoren und ein Kondensator als ein Beispiel angeordnet sind, die nicht das Lichtemissionselement ED in dem Unterpixel SP sind, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt. Darüber hinaus stellt das in 2 dargestellte Beispiel einen Fall dar, in dem als ein Beispiel alle Dünnschichttransistoren vom N-Typ sind, jedoch können in einigen Fällen die in dem Unterpixel SP angeordneten Dünnschichttransistoren vom P-Typ sein.
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Der Schalttransistor SWT kann zwischen der Datenleitung DL und einem ersten Knoten N1 elektrisch verbunden sein.
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Die Datenspannung Vdata kann dem Unterpixel SP über die Datenleitung DL zugeführt werden. Der erste Knoten N1 kann ein Gate-Knoten des Ansteuertransistors DRT sein.
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Der Schalttransistor SWT kann durch das der Gate-Leitung GL zugeführte Abtastsignal gesteuert werden. Der Schalttransistor SWT kann steuern, dass die Datenspannung Vdata, die über die Datenleitung DL zugeführt wird, an den Gate-Knoten des Ansteuertransistors DRT angelegt wird.
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Der Ansteuertransistor DRT kann zwischen einer Ansteuerspannungsleitung DVL und dem Lichtemissionselement ED elektrisch verbunden sein.
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Eine erste Ansteuerspannung EVDD kann einem dritten Knoten N3 über die Ansteuerspannungsleitung DVL zugeführt werden. Die erste Ansteuerspannung EVDD kann beispielsweise eine Hochpotentialspannung sein. Der dritte Knoten N3 kann ein Drain-Knoten oder ein Source-Knoten des Ansteuertransistors DRT sein.
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Der Ansteuertransistor DRT kann durch eine an den ersten Knoten N1 angelegte Spannung gesteuert werden. Und der Ansteuertransistor DRT kann einen dem Lichtemissionselement ED zugeführten Ansteuerstrom steuern.
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Der Erfassungstransistor SENT kann zwischen einer Referenzspannungsleitung RVL und einem zweiten Knoten N2 elektrisch verbunden sein.
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Eine Referenzspannung Vref kann dem zweiten Knoten N2 über die Referenzspannungsleitung RVL zugeführt werden. Der zweite Knoten N2 kann der Source-Knoten oder der Drain-Knoten des Ansteuertransistors DRT sein.
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Der Erfassungstransistor SENT kann durch das der Gate-Leitung GL zugeführte Abtastsignal gesteuert werden. Die Gate-Leitung GL, die den Erfassungstransistor SENT steuert, kann gleich der Gate-Leitung GL sein, die den Schalttransistor SWT steuert, oder kann von dieser verschieden sein.
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Der Erfassungstransistor SENT kann steuern, dass die Referenzspannung Vref an den zweiten Knoten N2 angelegt wird. Darüber hinaus kann der Erfassungstransistor SENT in einigen Fällen steuern, die Spannung des zweiten Knotens N2 über die Referenzspannungsleitung RVL zu erfassen.
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Der Speicherkondensator Cstg kann zwischen dem ersten Knoten N1 und dem zweiten Knoten N2 elektrisch verbunden sein. Der Speicherkondensator Cstg kann die an den ersten Knoten N1 angelegte Datenspannung Vdata während eines Rahmens aufrechterhalten.
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Das Lichtemissionselement ED kann zwischen dem zweiten Knoten N2 und einer Leitung, die mit einer zweiten Ansteuerspannung EVSS versorgt wird, elektrisch verbunden sein. Die zweite Ansteuerspannung EVSS kann beispielsweise eine Niederpotentialspannung sein.
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Wenn das Abtastsignal eines Einschaltpegels an die Gate-Leitung GL angelegt wird, können der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SENT eingeschaltet werden. Die Datenspannung Vdata kann an den ersten Knoten N1 angelegt werden, und die Referenzspannung Vref kann an den zweiten Knoten N2 angelegt werden.
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Der durch den Ansteuertransistor DRT zugeführte Ansteuerstrom kann gemäß einer Differenz zwischen einer Spannung des ersten Knotens N1 und einer Spannung des zweiten Knotens N2 bestimmt werden.
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Das Lichtemissionselement ED kann eine Luminanz gemäß dem über den Ansteuertransistor DRT zugeführten Ansteuerstrom repräsentieren oder emittieren.
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Verschiedene Leitungen, die dem Unterpixel SP ein Signal oder eine Spannung zuführen, können mit zwei oder mehr Unterpixeln SP elektrisch verbunden sein. Mit dem Unterpixel SP verbunden zu sein kann bedeuten, mit einem Schaltungselement oder einer Signalleitungsstruktur, die in dem Unterpixel SP angeordnet ist, elektrisch verbunden zu sein.
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3 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Verbindungsstruktur der Anzeigevorrichtung, die mehrere Unterpixel SP und Signalleitungen enthält, die in der Anzeigevorrichtung 100 enthalten sind, gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellt.
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Bezugnehmend auf 3 kann jedes Unterpixel SP einen Lichtemissionsbereich EA und einen Schaltungsbereich CA enthalten. Der Lichtemissionsbereich EA ist ein Bereich, in dem Licht aus dem Lichtemissionselement ED emittiert wird und in dem Licht nach außen ausgegeben wird. Der Schaltungsbereich CA ist ein Bereich des Unterpixels SP, in dem ein oder mehrere Schaltungselemente zum Ansteuern des Lichtemissionselements ED angeordnet sind.
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In dem Schaltungsbereich CA, der in dem Unterpixel SP enthalten ist, können beispielsweise ein oder mehrere der Dünnschichttransistoren wie z. B. der Schalttransistor SWT, der Erfassungstransistor SENT und der Ansteuertransistor DRT, die vorstehend beschrieben sind, angeordnet sein. Darüber hinaus kann der Speicherkondensator Cstg in dem Schaltungsbereich CA angeordnet sein.
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Eine oder mehrere Signalleitungen zum Zuführen eines Signals oder einer Spannung zu dem Unterpixel SP können mit zwei oder mehr Unterpixeln SP elektrisch verbunden sein.
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Beispielsweise kann die Gate-Leitung mit zwei oder mehr entlang einer horizontalen Richtung angeordneten Unterpixeln SP elektrisch verbunden sein.
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Die Datenleitung DL kann mit zwei oder mehr entlang einer vertikalen Richtung angeordneten Unterpixeln SP elektrisch verbunden sein.
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Anders als die Datenleitung DL können die Ansteuerspannungsleitung DVL zum Zuführen der ersten Ansteuerspannung EVDD und/oder die Referenzspannungsleitung RVL zum Zuführen der Referenzspannung Vref angeordnet sein.
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Beispielsweise kann die Ansteuerspannungsleitung DVL auf beiden Seiten von vier Unterpixeln SP angeordnet sein. Die Ansteuerspannungsleitung DVL kann mit vier Unterpixeln SP über eine Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP elektrisch verbunden sein. Die Ansteuerspannungsleitung DVL kann die erste Ansteuerspannung EVDD vier Unterpixeln SP, die sich zwischen zwei Ansteuerspannungsleitungen DVL befinden, über die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP zuführen. Die Spannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP kann sich in horizontaler Richtung erstrecken. Die Ansteuerspannungsleitung DVL kann sich in vertikaler Richtung oder entlang der Spaltenrichtung oder parallel zu den Datenleitungen DL erstrecken.
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Die Referenzspannungsleitung RVL kann sich in einer Mitte von vier Unterpixeln SP befinden. Die Referenzspannungsleitung RVL kann mit vier Unterpixeln SP über eine Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP elektrisch verbunden sein. Die Referenzspannungsleitung RVL kann die Referenzspannung Vref vier Unterpixeln SP, die sich auf beiden Seiten der Referenzspannungsleitung RVL befinden, über die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP zuführen. Die Referenzspannungsleitung RVL kann sich in vertikaler Richtung oder entlang der Spaltenrichtung oder parallel zu den Datenleitungen DL erstrecken. Die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP kann sich in horizontaler Richtung oder parallel zu den Gate-Leitungen erstrecken.
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Beispielsweise können eine oder mehrere Referenzspannungsleitungen RVL, die einer Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP entsprechen, das heißt, eine oder mehrere Referenzspannungsleitungen RVL, die mit der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP verbunden sind, als eine „entsprechende Referenzspannungsleitung“ bezeichnet sein. Zusätzlich können beispielsweise ein oder mehrere Unterpixel SP, die einer Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP entsprechen, das heißt, ein oder mehrere Unterpixel SP, die mit der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP verbunden sind, als ein „entsprechendes Unterpixel“ bezeichnet sein.
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Alternativ kann in einigen Fällen die Ansteuerspannungsleitung DVL die erste Ansteuerspannung EVDD zwei oder mehr Unterpixeln SP, die sich auf beiden Seiten der Ansteuerspannungsleitung DVL befinden, zuführen. Darüber hinaus kann in einigen Fällen die Referenzspannungsleitung RVL die Referenzspannung Vref zwei oder mehr Unterpixeln SP, die sich zwischen zwei Referenzspannungsleitungen RVL befinden, zuführen.
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Obwohl 3 ein Beispiel darstellt, in dem sich die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP, die mit der Referenzspannungsleitung RVL verbunden ist, zwischen dem Lichtemissionsbereich EA und dem Schaltungsbereich CA befindet, kann sich jedoch die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL _CP am gleichen Ort an einer Unterseite des Unterpixels SP befinden, wie z. B. die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP.
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Darüber hinaus kann sich die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP zwischen dem Lichtemissionsbereich EA und dem Schaltungsbereich CA befinden.
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Die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP und die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL _CP können sich zwischen dem Lichtemissionsbereich EA und dem Schaltungsbereich CA befinden oder können auf einer Unterseite des Unterpixels SP angeordnet sein.
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Wie vorstehend beschrieben kann eine Anordnungsstruktur der einen oder mehreren Signalleitungen, die mit dem Unterpixel SP elektrisch verbunden sind, verschiedenartig sein. Und in einem Fall, in dem ein Defekt des Lichtemissionselements ED oder des Schaltungselements, das in dem Unterpixel SP angeordnet ist, auftritt, kann ein Reparaturprozess zum Schneiden oder Schweißen der Signalleitung ausgeführt werden.
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4 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Struktur der Anzeigevorrichtung darstellt, und stellt Positionen dar, an denen der Reparaturprozess an dem in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthaltenen Unterpixel SP ausgeführt werden kann.
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4 stellt ein Beispiel für den Reparaturprozess dar, der bewirkt, dass das Unterpixel SP abgedunkelt wird. Ein Abdunkelungsreparaturprozess kann bevorzugt angewandt werden, falls das Lichtemissionselement ED defekt ist und kein Licht mehr emittiert oder emittieren kann. Er kann jedoch auch in einem Fall eines Defekts des einen oder der mehreren Schaltungselemente oder der einen oder mehreren Signalleitungen, die in dem Unterpixel SP angeordnet sind, angewandt werden.
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In dem Reparaturprozess kann beispielsweise das Schneiden unter Verwendung eines Lasers ausgeführt werden.
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Um das Unterpixel SP abzudunkeln, kann eine Verbindung zwischen der Signalleitung, die dem Unterpixel SP eine Spannung zuführt, und dem in dem Schaltungsbereich CA des Unterpixels SP angeordneten Dünnschichttransistor durchgeschnitten werden.
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Beispielsweise kann die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP durchgeschnitten werden, und dadurch kann eine elektrische Verbindung zwischen der Referenzspannungsleitung RVL und dem Schaltungsbereich CA, der in dem Unterpixel SP angeordnet ist, durchgeschnitten werden.
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Darüber hinaus kann die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP durchgeschnitten werden, und dadurch kann eine elektrische Verbindung zwischen der Ansteuerspannungsleitung DVL und dem Schaltungsbereich CA, der auf dem Unterpixel SP angeordnet ist, durchgeschnitten werden.
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Wenn die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP geschnitten wird, kann nur ein Abschnitt, durch den die erste Ansteuerspannung EVDD, die durch die Ansteuerspannungsleitung DVL zugeführt wird, zu der Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP gezogen wird, durchgeschnitten werden, d. h. ein Abschnitt zwischen der Ansteuerspannungsleitung DVL und der Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP. Beispielsweise können in 4 jeder der beiden Abschnitte, die zwischen der Ansteuerspannungsleitung DVL und der Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP verbunden sind, durchgeschnitten werden. Da der Abschnitt zwischen der Ansteuerspannungsleitung DVL und der Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP durchgeschnitten ist, kann die erste Ansteuerspannung EVDD dem Unterpixel SP nicht zugeführt werden. D. h. die erste Ansteuerspannung EVDD wird nur den Schaltungsbereichen CA der Unterpixel SP, die mit der Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP verbunden sind und die nicht abgeschnitten sind, zugeführt. Der Schaltungsbereich CA des Unterpixels SP, das abgeschnitten ist, empfängt keine erste Ansteuerspannung EVDD mehr und kann deshalb kein Licht emittieren, da das Lichtemissionselement ED keinen Strom zum Ansteuern empfangen wird.
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Alternativ kann für ein sichereres Abdunkeln, wie z. B. in einem in 4 dargestellten Beispiel, die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP in einem Bereich benachbart der Datenleitung DL durchgeschnitten werden. Die Abschnitte zwischen der Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL _CP und dem Schaltungsbereich CA können durchgeschnitten werden. In diesem Fall kann sich der abgeschnittene Abschnitt in jedem in 4 dargestellten Unterpixel SP befinden.
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Darüber hinaus kann ein Abschnitt, der zwischen der Datenleitung DL und dem Schaltungsbereich CA, der in dem Unterpixel SP angeordnet ist, verbinden, durchgeschnitten werden. Somit wird dem Unterpixel keine Datenspannung zugeführt, oder sowohl die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP als auch die Datenleitung können durchgeschnitten werden.
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Ein abgedunkeltes Unterpixel SP kann in dem Ansteuern der Anzeige nicht mit einer Spannung versorgt werden, die für ein Ansteuern der Anzeige zugeführt wird.
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Ein weiterer Reparaturprozess könnte das defekte Unterpixel nicht abschalten oder abdunkeln, sondern wird das defekte Unterpixel mit einem benachbarten Pixel verbinden, um dadurch die Möglichkeit zum Emittieren von Licht durch das defekte Unterpixel beizubehalten und/oder einen dunklen Fleck auf der Anzeigevorrichtung, der für den Anwender sichtbar sein könnte, zu verhindern.
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Da eine Anodenelektrode des Lichtemissionselements ED, das in dem abgedunkelten Unterpixel SP angeordnet ist, mit dem Ansteuertransistor DRT, der in einem benachbarten Unterpixel SP angeordnet ist, elektrisch verbunden ist, kann ein repariertes Unterpixel SP gemäß einem Ansteuerzustand des benachbarten Unterpixels SP angesteuert werden.
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In diesem Fall kann eine Datenspannung Vdata höher als die Datenspannung Vdata, die den Bilddaten entspricht, dem benachbarten Unterpixel SP, das mit dem reparierten Unterpixel SP elektrisch verbunden ist, zugeführt werden, und das reparierte Unterpixel SP und das benachbarte Unterpixel SP werden mit einer angepassten Vdata zur Luminanzkompensation angesteuert.
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Wie vorstehend beschrieben kann selbst in einem Fall, in dem ein Defekt einiger Unterpixel SP unter den mehreren Unterpixel SP, die in der Anzeigetafel 110 angeordnet sind, auftritt, die Anzeigetafel 110 durch den Reparaturprozess in einen Zustand gebracht werden, in dem ein Ansteuern defekter Unterpixel möglich ist.
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Darüber hinaus stellen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung Verfahren bereit, die fähig sind zu verhindern, dass das Schaltungselement, die Signalleitung oder eine Elektrode, die sich in einer Peripherie eines Reparaturbereichs befinden, in dem Reparaturprozess beschädigt werden.
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5 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer spezifischen Ebenenstruktur des Unterpixels SP, das in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten ist, darstellt.
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Bezugnehmend auf 5 kann das Unterpixel SP den Lichtemissionsbereich EA und den Schaltungsbereich CA enthalten. In dem Schaltungsbereich CA können der Schalttransistor SWT, der Erfassungstransistor SENT, der Ansteuertransistor DRT und der Speicherkondensator Cstg angeordnet sein.
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Die eine oder mehreren Signalleitungen und das eine oder die mehreren Schaltungselemente, die in dem Unterpixel SP angeordnet sind, können in mehreren Schichten angeordnet sein.
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Beispielsweise können die Ansteuerspannungsleitung DVL, die Datenleitung DL und die Referenzspannungsleitung RVL unter Verwendung einer ersten Metallschicht M1, die sich am nächsten an einem Substrat befindet, angeordnet sein.
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Darüber hinaus kann eine Elektrode des Speicherkondensators Cstg, der in dem Unterpixel SP angeordnet ist, unter Verwendung der ersten Metallschicht Ml angeordnet sein.
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Eine aktive Schicht ACT kann sich auf der ersten Metallschicht M1 befinden.
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Wenigstens eine Isolationsschicht kann sich zwischen der ersten Metallschicht M1 und der aktiven Schicht ACT befinden.
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Die aktive Schicht ACT kann ein Kanalgebiet des in dem Unterpixel SP angeordneten Dünnschichttransistors bilden. Die aktive Schicht ACT kann eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des Dünnschichttransistors bilden.
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Die aktive Schicht ACT kann eine Leitung bilden, die eine Spannungsleitung und den Dünnschichttransistor elektrisch miteinander verbinden. Beispielsweise können die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP und die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet sein.
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Darüber hinaus kann die aktive Schicht ACT in einem Bereich angeordnet sein, in dem die Ansteuerspannungsleitung DVL, die Datenleitung DL und die Referenzspannungsleitung RVL die Gate-Leitung GL kreuzen, um eine Stufendifferenzkompensierungsstruktur COMP zu bilden.
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Die aktive Schicht ACT kann beispielsweise aus einem Halbleitermaterial hergestellt sein. In diesem Fall kann eine Leitung, die die aktive Schicht ACT verwendet, durch einen leitenden Prozess angeordnet sein.
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Alternativ kann die aktive Schicht ACT eine Halbleiterschicht und eine leitfähige Schicht, die auf der Halbleiterschicht angeordnet ist, enthalten. In diesem Fall kann nur die Halbleiterschicht in dem Kanalgebiet des Dünnschichttransistors angeordnet sein. Beispielsweise kann die leitfähige Schicht durch einen Halbtonbelichtungsprozess nicht in dem Kanalgebiet des Dünnschichttransistors angeordnet sein.
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Ein Material, das die Halbleiterschicht, die in der aktiven Schicht ACT enthalten ist, bildet, kann beispielsweise ein Oxidhalbleiter sein. Die Halbleiterschicht kann ein Oxid eines Metalls wie z. B. Molybdän Mo, Zink Zn, Indium In, Gallium Ga, Zinn Sn, Titan Ti oder dergleichen sein. Alternativ kann die Halbleiterschicht aus einer Kombination aus einem Metall wie z. B. Molybdän Mo, Zink Zn, Indium In, Gallium Ga, Zinn Sn, Titan Ti oder dergleichen und dessen Oxid sein. Darüber hinaus kann die Halbleiterschicht ein Halbleitermaterial sein, das nicht der Oxidhalbleiter ist, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht auf diese beschränkt.
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Die in der aktiven Schicht ACT enthaltene leitfähige Schicht kann beispielsweise eines aus einem Metall wie z. B. Aluminium Al, Gold Au, Silber Ag, Kupfer Cu, Wolfram W, Molybdän Mo, Chrom Cr, Tantal Ta und Titan Ti oder dergleichen oder eine Legierung daraus sein, jedoch sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung nicht auf diese beschränkt.
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Eine zweite Metallschicht M2 kann sich auf der aktiven Schicht ACT befinden.
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Wenigstens eine Isolationsschicht kann sich zwischen der aktiven Schicht ACT und der zweiten Metallschicht M2 befinden.
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Die Gate-Leitung GL kann unter Verwendung der zweiten Metallschicht M2 angeordnet sein. Eine Gate-Elektrode des Dünnschichttransistors, der in dem Unterpixel SP angeordnet ist, kann unter Verwendung der zweiten Metallschicht M2 angeordnet sein. Eine Elektrode des Speicherkondensators Cstg, der in dem Unterpixel SP angeordnet ist, kann unter Verwendung der zweiten Metallschicht M2 angeordnet sein. Darüber hinaus kann eine Struktur, die mit der Ansteuerspannungsleitung DVL elektrisch verbunden ist, unter Verwendung der zweiten Metallschicht M2 angeordnet sein.
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Eine dritte Metallschicht M3 kann sich auf der zweiten Metallschicht M2 befinden. Wenigstens eine Isolationsschicht kann sich zwischen der zweiten Metallschicht M2 und der dritten Metallschicht M3 befinden.
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Eine Pixelelektrode PXL kann unter Verwendung der dritten Metallschicht M3 angeordnet sein. Die Pixelelektrode PXL kann eine Anodenelektrode des Lichtemissionselements ED sein.
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Verschiedene Kontaktlöcher können in dem Unterpixel SP angeordnet sein. Beispielsweise können mehrere Kontaktlöcher CHa, die so angeordnet sind, dass sie wenigstens eine Isolationsschicht, die sich zwischen der ersten Metallschicht M1 und der zweiten Metallschicht M2 befindet, durchdringen, in dem Unterpixel SP angeordnet sein. Mehrere Kontaktlöcher CHb, die so angeordnet sind, dass sie wenigstens eine Isolationsschicht, die sich zwischen der zweiten Metallschicht M2 und der aktiven Schicht ACT befindet, durchdringen, können in dem Unterpixel SP angeordnet sein. Mehrere Kontaktlöcher CHc, die so angeordnet sind, dass sie wenigstens eine Isolationsschicht, die sich zwischen der dritten Metallschicht M3 und der zweiten Metallschicht M2 befindet, durchdringen, können in dem Unterpixel SP angeordnet sein.
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Wie vorstehend beschrieben können das Schaltungselement und die Signalleitung, die in dem Unterpixel SP angeordnet sind, unter Verwendung der mehreren Schichten angeordnet sein.
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Und in dem Reparaturprozess kann bei Anordnen eines durch den Laser zu schneidenden Abschnitts unter Verwendung der aktiven Schicht ACT ein Schneideprozess durch den Laser mit geringer Leistung ausgeführt werden.
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Beispielsweise kann wie vorstehend beschrieben die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet sein. Und ein Abschnitt, der die Datenleitung DL und den Schalttransistor SWT verbindet, kann ebenfalls unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet sein.
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Darüber hinaus kann die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet sein.
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Somit kann, da die Signalleitung in dem Schneideprozess durch den Laser mit geringer Leistung geschnitten werden kann, verhindert werden, dass eine Beschädigung einer Elektrode oder eines Elements, die/das sich an einer Peripherie eines Schneideobjekts befindet oder sich über oder unter dem Schneideobjekt befindet, in dem Reparaturprozess auftritt.
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Vorzugsweise wird der Laser von der Unterseite durch das Substrat und die Pufferschicht angewandt.
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Darüber hinaus können Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung durch Anordnen eines Abschnitts der Signalleitung, die unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet ist, als eine Doppelleitung verhindern, dass ein Widerstand der Signalleitung, die unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet ist, ansteigt. Aufgrund des Anordnens eines Abschnitts kann das Schneiden durch den Laser als eine einzige Schicht unter Verwendung der aktiven Schicht ACT ausgeführt werden, und die Einfachheit des Reparaturprozesses kann beibehalten werden.
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Beispielsweise kann ein Abschnitt, wie z. B. ein Abschnitt, der durch 501 in 5 dargestellt angegeben ist, der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP, die mit der Referenzspannungsleitung RVL elektrisch verbunden ist, als eine Doppelleitung angeordnet sein.
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Die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP kann eine erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und eine zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 enthalten.
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Die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 kann beispielsweise unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet sein.
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Die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 kann mit dem Erfassungstransistor SENT, der in dem Unterpixel SP angeordnet ist, direkt verbunden sein. Die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL _CP 1 kann mit der Referenzspannungsleitung RVL elektrisch verbunden sein. Darüber hinaus kann die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 mit der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 elektrisch verbunden sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann beispielsweise unter Verwendung der zweiten Metallschicht M2 angeordnet sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann auf einer Schicht angeordnet sein, die von einer Schicht, wo die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 angeordnet ist, verschieden ist.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 über wenigstens ein Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Darüber hinaus kann die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 in einigen Fällen so angeordnet sein, dass sie eine Oberseite der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 kontaktiert.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL CP2 kann in einem Bereich, der einen Teilbereich eines Bereichs, der mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL _CP1 überlappt, ausschließt, angeordnet sein.
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Beispielsweise kann die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 in einem Bereich angeordnet sein, der nicht ein Bereich ist, der mit einem Bereich überlappt, in dem die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 in dem Reparaturprozess geschnitten wird.
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Somit kann die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 mit einem Abschnitt der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 überlappen. Beispielsweise kann, wie in einem in 5 dargestellten Beispiel, die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 so angeordnet sein, dass sie mit einem Abschnitt ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1, der entlang der horizontalen Richtung angeordnet ist, überlappt.
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In dem Reparaturprozess kann, da die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP, die durch den Laser geschnitten wird, nur die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 enthält, das Schneiden unter Verwendung des Lasers mit geringer Leistung ausgeführt werden. Wenn der Schneideprozess durch den Laser ausgeführt wird, kann verhindert werden, dass eine weitere Elektrode beschädigt wird.
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Es wird darauf hingewiesen, dass, obwohl ein Beispiel, in dem die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 durch die aktive Schicht ACT angeordnet ist, vorstehend beschrieben worden ist, die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist und ein geeignetes Material ausgewählt werden kann, um die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 gemäß den tatsächlichen Bedürfnissen zu bilden. Ähnlich kann ein geeignetes Material ausgewählt werden, um die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 gemäß den tatsächlichen Bedürfnissen zu bilden.
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Darüber hinaus kann ein Widerstand eines Materials, aus dem die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 besteht, kleiner sein als ein Widerstand eines Materials, aus dem die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 besteht.
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Somit kann in einem Fall, in dem die Referenzspannungsleitung RVL unter Verwendung der aktiven Schicht ACT zur Vereinfachung des Reparaturprozesses angeordnet ist, verhindert werden, dass ein Widerstand der Leitung, die eine Spannung zuführt, ansteigt. Und da die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2, deren Widerstand niedrig ist, enthält, kann in einem Fall der Reparatur eines Unterbrechungsdefekts der Signalleitung, die in dem Unterpixel SP angeordnet ist, die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP als eine Verbindungsleitung verwendet werden.
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Obwohl Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, die vorstehend beschrieben sind, ein Beispiel darstellen, in dem die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP als die Doppelleitung angeordnet ist, kann jedoch eine Struktur, in der ein Abschnitt, der einen Schneidepunkt ausschließt, eine Doppelleitung ist, auf einen anderen Typ einer Leitung angewandt werden.
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Beispielsweise kann in einem Fall der Ausführung eines Reparaturprozesses durch Abdunkeln des Unterpixels SP die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP, die einen Abschnitt enthält, der durch den Laser geschnitten wird, als eine Doppelleitung durch die aktive Schicht ACT und die zweite Metallschicht M2 angeordnet sein. Die Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP kann durch die zweite Metallschicht M2 in einem Bereich angeordnet sein, der einen Bereich ausschließt, der mit einem Schneidebereich überlappt, aus einem Bereich auf der Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP, die aus der aktiven Schicht ACT hergestellt ist.
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Somit kann ein Widerstand der Ansteuerspannungsleitungsverbindungsstruktur DVL_CP reduziert sein, und das Schneiden durch den Laser kann einfach ausgeführt werden.
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Wie vorstehend beschrieben können Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung einen Widerstand der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP reduzieren und verhindern, dass eine Elektrode, die sich an einer Peripherie befindet, beschädigt wird, wenn die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP geschnitten wird, da die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP unter Verwendung der aktiven Schicht ACT, so dass das Schneiden durch den Laser einfach ist, und der zweiten Metallschicht M2, deren Widerstand niedrig ist, angeordnet ist.
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Darüber hinaus kann eine vielfältigere Struktur der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP durch eine Ortsanpassung eines Kontaktlochs, durch das die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 elektrisch miteinander verbunden sind, bereitgestellt werden.
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Beispielsweise können, wie in einem in 5 dargestellten Beispiel, die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 durch ein erstes Kontaktloch CH1 elektrisch verbunden sein.
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Das erste Kontaktloch CH1 kann das Kontaktloch CHb sein, das so angeordnet ist, dass es wenigstens eine Isolationsschicht, die sich zwischen der aktiven Schicht ACT und der zweiten Metallschicht M2 befindet, durchdringt.
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Das erste Kontaktloch CH1 kann sich in einem Bereich befinden, der mit der Referenzspannungsleitung RVL überlappt.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann mit der Referenzspannungsleitung RVL über ein zweites Kontaktloch CH2 elektrisch verbunden sein.
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Das zweite Kontaktloch CH2 kann das Kontaktloch CHa sein, das so angeordnet ist, dass es wenigstens eine Isolationsschicht, die sich zwischen der ersten Metallschicht M1 und der zweiten Metallschicht M2 befindet, durchdringt.
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Das zweite Kontaktloch CH2 kann sich in einem Bereich befinden, der mit der Referenzspannungsleitung RVL überlappt.
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Da sich das erste Kontaktloch CH1 und das zweite Kontaktloch CH2 in einem Bereich befinden, der mit der Referenzspannungsleitung RVL überlappt, kann aufgrund der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL CP, die aus einer Doppelschicht besteht, verhindert werden, dass ein Bereich des Kontaktlochs, der in dem Unterpixel SP angeordnet ist, vergrößert wird.
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Darüber hinaus kann, da die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL _CP2 in einem Bereich, der mit der Referenzspannungsleitung RVL überlappt, elektrisch verbunden sind, eine Form der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 vielfältiger angeordnet sein.
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Die 6 bis 8 sind Diagramme, die Beispiele einer Struktur der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP, die in dem in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthaltenen Unterpixel SP angeordnet ist, darstellen.
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Bezugnehmend auf 6 stellt sie einen Abschnitt eines Bereichs dar, in dem die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP angeordnet ist.
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Die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP kann die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2, die in einem Teilbereich auf der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 angeordnet ist, enthalten.
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Die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 kann unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet sein.
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Die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 kann auf einer Pufferschicht BUF, die sich auf einem Substrat SUB befindet, angeordnet sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann unter Verwendung der zweiten Metallschicht M2 angeordnet sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann sich auf der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 befinden. Eine Gate-Isolationsschicht GI kann sich zwischen der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 und der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 befinden.
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Eine Passivierungsschicht PAS, eine Beschichtungsschicht OC, eine Bankschicht BANK, eine Lichtemissionsschicht EL und eine gemeinsame Elektrode COM oder dergleichen können auf der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 angeordnet sein.
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In dem Reparaturprozess kann beispielsweise die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP durch den Laser, der zu einer Unterseite des Substrats SUB gestrahlt wird, geschnitten werden.
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In einem Bereich A, in dem die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP geschnitten wird, kann nur die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 angeordnet sein. Und in einem Bereich wie z. B. einem Bereich B, der nicht der Bereich A ist, können die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 angeordnet sein.
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Da nur die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 in dem Bereich A angeordnet ist, kann das Schneiden durch den Laser mit der geringen Leistung ausgeführt werden. Somit kann verhindert werden, dass die gemeinsame Elektrode COM oder dergleichen, die auf der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP angeordnet ist, durch den Laser beschädigt wird.
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Durch eine Struktur, in der die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 in dem Bereich A und dem Bereich B angeordnet ist und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 nur in dem Bereich B angeordnet ist, kann das Schneiden durch den Laser einfach ausgeführt werden. Darüber hinaus kann, da die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP unter Verwendung der aktiven Schicht ACT und der zweiten Metallschicht M2 angeordnet ist, verhindert werden, dass ein Widerstand der Signalleitung ansteigt.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann in einem Bereich, der nicht der Bereich A ist, angeordnet sein und kann mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 über wenigstens ein Kontaktloch elektrisch verbunden sein.
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Ein Kontaktloch für eine Verbindung der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVLCP2 kann sich auf der Referenzspannungsleitung RVL befinden. In diesem Fall kann eine Struktur, wie die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 angeordnet ist, vielfältiger sein.
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Bezugnehmend auf 7 kann die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 enthalten.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann in einem Teilbereich auf der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 angeordnet sein.
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Beispielsweise kann die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 in Bereich A und Bereich B angeordnet sein. Der Bereich A kann ein Bereich sein, wo der Laser eingestrahlt wird, und der Bereich B kann einen Bereich bedeuten, der nicht der Bereich A ist.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann in dem Bereich B angeordnet sein.
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Darüber hinaus kann die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 in einem Teilbereich des Bereichs A angeordnet sein.
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Da die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 über ein Kontaktloch, das sich auf der Referenzspannungsleitung RVL befindet, mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL _ CP1 elektrisch verbunden ist, kann eine elektrische Verbindung zwischen der Referenzspannungsleitung RVL und der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP abgeschnitten werden, wenn die im Bereich A angeordnete erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 geschnitten wird.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 in einem Bereich, der nicht ein Bereich zwischen einem Unterbrechungspunkt durch Schneiden der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und dem Erfassungstransistor SENT ist, elektrisch verbunden sein.
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Somit kann die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 in einem Teilbereich des Bereichs A angeordnet sein. Darüber hinaus kann in dem Fall des Schneidens der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 durch den Laser die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 eine Funktion zum Schutz einer Elektrode oder dergleichen, die sich auf der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 befindet, vor Beschädigung bereitstellen.
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Darüber hinaus kann, da die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2, deren Widerstand gering ist, enthält, die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP als die Verbindungsleitung zum Reparieren eines Unterbrechungsdefekts der in dem Unterpixel SP angeordneten Signalleitung verwendet werden.
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Bezugnehmend auf 8 kann die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 enthalten.
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Die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 kann in dem Bereich A und dem Bereich B unter Verwendung der aktiven Schicht ACT angeordnet sein. Die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 kann mit dem in dem Unterpixel SP angeordneten Erfassungstransistor SENT verbunden sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann unter Verwendung der zweiten Metallschicht kann unter Verwendung der zweiten Metallschicht M2, die sich auf der aktiven Schicht ACT befindet, angeordnet sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann nicht in dem Bereich A angeordnet sein. Alternativ kann, wie ein vorstehend beschriebenes Beispiel, die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 in einem Teilbereich des Bereichs A angeordnet sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann in einem Teilbereich des Bereichs B angeordnet sein.
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Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann einen Abschnitt, der in dem Bereich B unterbrochen ist, enthalten.
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Somit kann zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 eine Struktur sein, die als zwei Abschnitte getrennt ist. Beispielsweise kann die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 einen ersten Teil RVL_CP2a und einen zweiten Teil RVL_CP2b enthalten.
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Der erste Teil RVL_CP2a der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 über das erste Kontaktloch CH1 elektrisch verbunden sein. Der erste Teil RVL_CP2a der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann mit der Referenzspannungsleitung RVL über das zweite Kontaktloch CH2 elektrisch verbunden sein.
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Der erste Teil RVL_CP2a der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann von dem zweiten Teil RVL_CP2b getrennt sein. Die zweite Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 kann mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL _CP1, die sich in einem Bereich befindet, der mit der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 überlappt, über wenigstens ein Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Alternativ kann in einigen Fällen der zweite Teil RVL_CP2b der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 nicht mit der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 verbunden sein.
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In dem Reparaturprozess, der die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP schneidet, kann die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1, die in dem Bereich A angeordnet ist, geschnitten werden.
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Und in dem Fall, in dem eine Reparatur einer anderen unterbrochenen Signalleitung unter Verwendung der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP ausgeführt wird, kann die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1, die in dem Bereich B angeordnet ist, geschnitten werden.
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Wenn die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1, die in dem Bereich B angeordnet ist, geschnitten wird, können ein Abschnitt der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und der zweite Teil RVL_CP2b der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 von der Referenzspannungsleitung RVL elektrisch getrennt werden.
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Somit können ein getrennter Abschnitt der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und der zweite Teil RVL_CP2b der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 zum Reparieren eines Unterbrechungsdefekts einer anderen Signalleitung verwendet werden.
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9 ist ein Diagramm, das ein Beispiel einer Struktur darstellt, in dem ein Unterbrechungsdefekt der Gate-Leitung GL unter Verwendung der in 8 dargestellten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP repariert wird.
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Bezugnehmend auf 9 kann beispielsweise ein Unterbrechungsdefekt der Gate-Leitung GL, die das Abtastsignal dem Unterpixel SP zuführt, auftreten.
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In diesem Fall kann der Unterbrechungsdefekt der Gate-Leitung GL unter Verwendung der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP repariert werden.
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Um zu reparieren kann die erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1, die sich zwischen dem ersten Teil RVL_CP2a und dem zweiten Teil RVL_CP2b der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 befindet, geschnitten werden.
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Die getrennte erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und der zweite Teil RVL_CP2b der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 können in einem über ein Kontaktloch elektrisch verbundenen Zustand sein. Alternativ können die getrennte erste Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 und der zweite Teil RVL_CP2b der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2 durch Schweißen durch den Laser elektrisch verbunden werden.
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Eine Gate-Elektrode des Erfassungstransistors SENT, die mit der Gate-Leitung GL und der ersten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP1 verbunden ist, kann durch den Laser geschweißt werden.
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Somit kann das über die Gate-Leitung GL zugeführte Abtastsignal über einen Abschnitt der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP, der von dem anderen Abschnitt der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP getrennt ist und an die Gate-Elektrode des Erfassungstransistors SENT geschweißt ist, übertragen werden.
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Und da die getrennte Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP den zweiten Teil RVL_CP2b der zweiten Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP2, dessen Widerstand gering ist, enthält, kann die getrennte Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP als die Verbindungsleitung für die Reparatur der Gate-Leitung GL verwendet werden.
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Obwohl die Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP, die mit der Referenzspannungsleitung RVL elektrisch verbunden ist, vorstehend hauptsächlich beschrieben worden ist, kann auch eine andere Spannungsleitung (wie z. B. die Ansteuerspannungsleitung DVL zum Zuführen der Ansteuerspannung zu dem Unterpixel SP, die Datenleitung DL zum Zuführen der Datenspannung zu dem Unterpixel SP oder dergleichen) mit einer Spannungsleitungsverbindungsstruktur, die eine Struktur ähnlich derjenigen der Referenzspannungsleitungsverbindungsstruktur RVL_CP aufweist, elektrisch verbunden sein.
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Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, die vorstehend beschrieben sind, kann, da ein Abschnitt der Signalleitung, die durch den Laser in dem Reparaturprozess zu schneiden ist, unter Verwendung der aktiven Schicht ACT gebildet ist, das Schneiden durch den Laser mit niedriger Leistung möglich sein, und es kann verhindert werden, dass eine Elektrode, die sich an einer Peripherie befindet, beim Schneiden beschädigt wird.
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Darüber hinaus kann, da ein Abschnitt, der nicht ein Schneidepunkt durch den Laser ist, als eine Mehrfachschicht, die wenigstens eine Metallschicht enthält, gebildet ist, verhindert werden, dass ein Widerstand der Signalleitung, die unter Verwendung der aktiven Schicht ACT gebildet ist, ansteigt.
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Darüber hinaus kann durch Anordnen der Signalleitung, die einfach durch den Laser zu schneiden ist und einen geringen Widerstand aufweist, in dem Unterpixel eine Struktur, die zum Reagieren auf verschiedene Reparaturtypen wie z. B. die Reparatur des Unterbrechungsdefekts einer anderen Signalleitung fähig ist, unter Verwendung dieser Signalleitungen bereitgestellt werden.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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