DE102022128677A1

DE102022128677A1 - Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102022128677A1
Application number: DE102022128677.0A
Authority: DE
Inventors: Wondoo KIM
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2021-12-31
Filing date: 2022-10-28
Publication date: 2023-07-06
Also published as: US20230217797A1; CN116419617A; KR20230103569A

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung (100, 200) weist ein Substrat (110) mit einer Mehrzahl von darauf definierten Subpixeln (SP), wobei jedes der Mehrzahl von Subpixeln (SP) einen Emission-Bereich (EA) und einen Nicht-Emission-Bereich (NEA) aufweist, mindestens eine Gate-Leitung (GL), die in dem Nicht-Emission-Bereich (NEA) angeordnet ist und die sich in einer Richtung erstreckt, mindestens eine Signalleitung, die in dem Nicht-Emission-Bereich (NEA) angeordnet ist und die die mindestens eine Gate-Leitung (GL) kreuzt, mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL), die mit der mindestens einen Signalleitung verbunden ist, auf. Die Mehrzahl von Subpixeln (SP) weisen ein rotes Subpixel (SPR), ein weißes Subpixel (SPW), ein grünes Subpixel (SPG) und ein blaues Subpixel (SPB) auf, eine Struktur des grünen Subpixels (SPG) und des blauen Subpixels (SPB) ist in Bezug auf eine Struktur des roten Subpixels (SPR) und des weißen Subpixels (SPW) invertiert, die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) ist in einer Schicht ausgebildet, die sich von einer Schicht der mindestens einen Gate-Leitung (GL) unterscheidet.

Description

QUERVERWEIS AUF BEZOGENE ANMELDUNGEN
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2021-0194525 , die am 31. Dezember 2021 beim koreanischen Amt für geistiges Eigentum eingereicht wurde.
HINTERGRUND
Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Anzeigevorrichtung, die eine Reparatur stabil durchführen kann, während ein hohes Öffnungsverhältnis erreicht wird.
Beschreibung der bezogenen Technik
Als das Zeitalter der Informationstechnologie begonnen hat, ist das Gebiet von Anzeigevorrichtungen, die elektrische Informationssignale graphisch darstellen, schnell gewachsen. In Übereinstimmung damit wurden verschiedene Anzeigevorrichtungen, die dünner, leichter sind und weniger Leistung verbrauchen, entwickelt.
Beispiele von Anzeigevorrichtungen können eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung (LCD), eine Feldemission-Anzeigevorrichtung (FED), eine Elektrobenetzung-Anzeigevorrichtung (EWD) und eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung (OLED), etc. aufweisen.
Von diesen ist eine OLED-Vorrichtung imstande, selbst Licht zu erzeugen, und benötigt daher im Gegensatz zu einer Flüssigkristallanzeige (LCD)-Vorrichtung keine zusätzliche Lichtquelle. Daher kann eine OLED-Vorrichtung leichter und dünner als eine LCD-Vorrichtung hergestellt sein/werden. Darüber hinaus hat eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung darin Vorteile, dass sie mit einer niedrigen Spannung betrieben wird, um weniger Leistung zu verbrauchen, und dass sie lebendige Farben darstellt und eine kurze Reaktionszeit, einen weiten Betrachtungswinkel und ein gutes Kontrastverhältnis (CR) hat. Aus diesen Gründen findet eine Feldemission-Anzeigevorrichtung immer mehr Anwendungen.
Eine organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung ist/wird implementiert, indem eine emittierende Schicht unter Verwendung eines organischen Materials zwischen zwei Elektroden, d.h. als eine Anode und eine Kathode, angeordnet ist/wird. Löcher in der Anode werden in die emittierende Schicht injiziert, und Elektronen in der Kathode werden in die emittierende Schicht injiziert, so dass die Elektronen und die Löcher rekombiniert werden, um Exzitonen in der emittierenden Schicht zu bilden, und Licht wird von dort emittiert.
ÜBERBLICK
In Anbetracht des obigen ist ein Ziel der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, in der ein Reparaturbereich angeordnet dort ist, wo das Öffnungsverhältnis durch Ändern der Struktur einer Referenzverzweigungsleitung erhöht sein/werden kann.
Ein weiteres Ziel der vorliegenden Offenbarung ist, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, bei der ein Gate-Signal während eines Reparaturvorgangs über eine Bypass-Leitung übertragen werden kann, ohne das Öffnungsverhältnis zu beeinträchtigen.
Ziele der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben genannten Ziele beschränkt, und andere Ziele, die oben nicht erwähnt sind, können von einem Fachmann aus den folgenden Beschreibungen deutlich verstanden werden. Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 bereitgestellt. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, welche aufweist: ein Substrat mit einer Mehrzahl von darauf definierten Subpixeln, wobei jedes der Mehrzahl von Subpixeln einen Emission-Bereich und einen Nicht-Emission-Bereich aufweist; mindestens eine Signalleitung, welche in dem Nicht-Emission-Bereich angeordnet ist und welche mindestens eine Gate-Leitung kreuzt; und mindestens eine Reparaturbrückenleitung, die mit der mindestens einen Signalleitung verbunden ist. Die Mehrzahl von Subpixeln weisen ein rotes Subpixel, ein weißes Subpixel, ein grünes Subpixel und ein blaues Subpixel auf. Eine Struktur des grünen Subpixels und des blauen Subpixels ist in Bezug auf eine Struktur des roten Subpixels und des weißen Subpixels invertiert. Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung ist in einer Schicht gebildet, die sich von einer Schicht der mindestens einen Gate-Leitung unterscheidet. Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung ist mit der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung verbunden, um die Emission-Bereiche der Mehrzahl von Subpixeln zu durchqueren.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, welche aufweist: ein Substrat mit einer Mehrzahl von darauf definierten Subpixeln, wobei jedes der Mehrzahl von Subpixeln einen Emission-Bereich und einen Nicht-Emission-Bereich aufweist; mindestens eine Signalleitung, welche in dem Nicht-Emission-Bereich angeordnet ist und welche mindestens eine Gate-Leitung kreuzt; und mindestens eine Reparaturbrückenleitung, welche mit der mindestens einen Signalleitung verbunden ist. Die Mehrzahl von Subpixeln weisen ein rotes Subpixel, ein weißes Subpixel, ein grünes Subpixel und ein blaues Subpixel auf. Eine Struktur des grünen Subpixels und des blauen Subpixels ist in Bezug auf eine Struktur des roten Subpixels und des weißen Subpixels invertiert. Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung ist in einer Schicht gebildet, die sich von einer Schicht der mindestens einen Gate-Leitung unterscheidet. Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung zweigt von der mindestens einen Referenzleitung ab.
Weitere Einzelheiten der beispielhaften Ausführungsformen sind in der ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung hat eine Bypass-Leitung zum Übertragen eines Gate-Signals, das für einen Reparaturvorgang an einer Gate-Leitung benötigt wird, Transparenz, so dass das Öffnungsverhältnis verbessert sein/werden kann.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zweigt eine Bypass-Leitung zum Übertragen eines Gate-Signals, das von einem Reparaturvorgang an einer Gate-Leitung benötigt wird, von einer existierenden Signalleitung ab, so dass das Öffnungsverhältnis verbessert sein/werden kann.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die offene Fläche vergrößert sein/werden, indem die Form einer Referenzverzweigungsleitung geändert ist/wird und ein Reparaturbereich für eine Referenzleitung verlegt/umgelegt ist/wird.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann ein Reparaturvorgang an einer Gate-Leitung stabil durchgeführt werden, während ein hohes Öffnungsverhältnis erreicht wird.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die offene Fläche vergrößert sein/werden, so dass die Biegung der Datenleitung reduziert sein/werden kann, und daher kann das Öffnungsverhältnis vergrößert sein/werden.
Die Effekte gemäß der vorliegenden Offenbarung sind nicht auf die oben beispielhaft ausgeführten Inhalte beschränkt, und weitere verschiedene Effekte sind in der vorliegenden Beschreibung enthalten.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung bereitzustellen, und in dieser Anmeldung eingefügt sind sowie einen Teil davon bilden, stellen Ausführungsformen der Offenbarung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, verschiedene Prinzipien zu erklären. In den Zeichnungen:

ist 1 ein Blockdiagramm einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
ist 2 eine Schaltkreis-Darstellung eines Subpixels einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
ist 3 eine vergrößerte Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
ist 4 eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs A aus 3.
sind 5A und 5B Querschnittsansichten, die entlang der Linie V - V' aus 4 genommen sind.
sind 6A und 6B Querschnittsansichten, die entlang der Linie VI - VI' aus 4 genommen sind.
ist 7 eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs B aus 3.
ist 8 eine vergrößerte Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
ist 9 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs C aus 8.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Vorteile und Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Eigenschaften werden durch Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen, die unten zusammen mit den beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben sind, deutlich. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht auf die hierin offenbarten beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern wird in verschiedenen Formen implementiert. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur beispielhaft dargestellt, sodass ein Fachmann die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Umfang der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann. Daher ist die vorliegende Offenbarung nur durch den Umfang der beigefügten Ansprüche definiert.
Die Formen, Abmessungen, Verhältnisse, Winkel, Zahlen und dergleichen, die in den beigefügten Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellt sind, sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente über die Beschreibung hinweg. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung eine ausführliche Erklärung bekannter bezogener Technologien weggelassen sein, um ein unnötiges Verschleiern des Gegenstands der vorliegenden Offenbarung zu verhindern. Die Begriffe, wie zum Beispiel „aufweisend“, „habend“ und „bestehend aus“, die hierin verwendet werden, sind im Allgemeinen dazu gedacht, es zu ermöglichen, dass andere Komponenten hinzugefügt werden, außer die Begriffe werden mit dem Begriff „nur“ verwendet. Alle Referenzen auf die Einzahl können die Mehrzahl aufweisen, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben.
Komponenten werden so interpretiert, dass sie eine gewöhnliche Fehlerspanne aufweisen, selbst falls dies nicht ausdrücklich angegeben ist.
Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung der Begriffe, wie zum Beispiel „auf“, „über“, „unter“ und „neben“ beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen den zwei Teilen angeordnet sein, außer die Begriffe werden mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet.
Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann ein anderes Element oder eine andere Schicht direkt auf dem anderen Element oder dazwischen angeordnet sein.
Obwohl die Begriffe „erste/erster/erstes“, „zweite/zweiter/zweites“ und dergleichen zum Beschreiben verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zum Unterscheiden einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine erste Komponente, die untenstehend zu erwähnen ist, eine zweite Komponente in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung sein.
Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen gleiche Elemente über die Beschreibung hinweg.
Eine Größe und eine Dicke jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente sind für die Einfachheit der Beschreibung dargestellt, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und Dicke der dargestellten Komponente beschränkt.
Die Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig aneinander gekoppelt oder miteinander kombiniert sein und können auf technisch verschiedene Weisen ineinandergreifen und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
Hierin können in einer Anzeigevorrichtung verwendete Transistoren als einer oder mehrere von N-Kanal-Transistoren (NMOS) und P-Kanal-Transistoren (PMOS) implementiert sein. Die Transistoren können als ein Oxidhalbleitertransistor, der einen Oxidhalbleiter als eine aktive Schicht hat, oder ein LTPS-Transistor, der ein Niedrige-Temperatur-Polysilizium (LTPS) als eine aktive Schicht hat, implementiert sein. Jeder der Transistoren kann mindestens eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweisen. Die Transistoren können als Dünnschichttransistoren (TFT) auf dem Anzeigepanel implementiert sein. In den Transistoren fließen die Ladungsträger von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode. Für einen N-Kanal-Transistor (NMOS), in welchem Elektronen die Träger sind, ist die Spannung an der Source-Elektrode niedriger als die Spannung an der Drain-Elektrode, um zu ermöglichen, dass die Elektronen von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen. In einem N-Kanal-Transistor (NMOS) fließt ein elektrischer Strom von der Drain-Elektrode zur Source-Elektrode, und die Source-Elektrode kann ein Ausgangsanschluss sein. Für einen P-Kanal-Transistor (PMOS), in welchem Löcher die Träger sind, ist die Spannung an der Source-Elektrode höher als die Spannung an der Drain-Elektrode, um zu ermöglichen, dass die Löcher von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen. In einem P-Kanal-Transistor (PMOS), wenn die Löcher von der Source-Elektrode zur Drain-Elektrode fließen, fließt ein elektrischer Strom von der Source zum Drain, und die Drain-Elektrode kann ein Ausgangsanschluss sein. Als solches ist anzumerken, dass die Source und der Drain eines Transistors nicht fest sind, sondern in Abhängigkeit von der angelegten Spannung geschaltet sein/werden können. Hierin wird angenommen, dass Transistoren N-Kanal-Transistoren (NMOS) sind, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. P-Kanal-Transistoren können verwendet werden und die Schaltkreiskonfiguration kann dementsprechend geändert sein/werden.
Für Transistoren, die als Schaltelemente verwendet werden, schwankt ein Gate-Signal zwischen einer Gate-Ein-Spannung und einer Gate-Aus-Spannung. Die Gate-Ein-Spannung ist auf eine Spannung eingestellt, die höher als die Schwellenwertspannung Vth eines Transistors ist, während die Gate-Aus-Spannung auf eine Spannung eingestellt ist, die niedriger als die Schwellenwertspannung Vth des Transistors ist. Der Transistor ist/wird in Reaktion auf die Gate-Ein-Spannung eingeschaltet und ist/wird in Reaktion auf die Gate-Aus-Spannung ausgeschaltet. Für einen NMOS-Transistor kann die Gate-Ein-Spannung eine Gate-Hoch-Spannung (VGH) sein und die Gate-Aus-Spannung kann eine Gate-Niedrig-Spannung (VGL) sein. Für einen PMOS-Transistor kann die Gate-Ein-Spannung eine Gate-Niedrig-Spannung (VGL) sein und die Gate-Aus-Spannung kann eine Gate-Hoch-Spannung (VGH) sein.
Nachfolgend werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben.
1 ist ein Blockdiagramm einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Bezugnehmend auf 1 weist eine Anzeigevorrichtung 100 ein Anzeigepanel 110, einen Gate-Treiber GD, einen Datentreiber DD und eine Zeitablauf-Steuervorrichtung TC auf.
Das Anzeigepanel 110 ist ein Panel zum Anzeigen von Bildern. Das Anzeigepanel 110 kann eine Vielzahl von Schaltkreisen, Leitungen und lichtemittierenden Elementen aufweisen, die auf einem Substrat angeordnet sind. Das Anzeigepanel 110 kann eine Mehrzahl von Pixeln PX aufweisen, von denen jedes mittels einer Mehrzahl von Datenleitungen DL und einer Mehrzahl von Gate-Leitungen GL, die einander schneiden, definiert ist und mit den Datenleitungen DL und den Gate-Leitungen GL verbunden ist. Das Anzeigepanel 110 kann einen Anzeige-Bereich, der von der Mehrzahl von Pixeln PX definiert ist, und einen Nicht-Anzeige-Bereich, in dem verschiedene Signalleitungen, Pads, etc. ausgebildet sind, aufweisen. Das Anzeigepanel 110 kann als ein Anzeigepanel implementiert sein, das in verschiedenen Anzeigevorrichtungen, wie zum Beispiel einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung oder einer elektrophoretischen Anzeigevorrichtung, verwendet wird. In der folgenden Beschreibung wird das Anzeigepanel 110 als ein Panel beschreiben, das in einer organischen lichtemittierenden Anzeigevorrichtung verwendet wird. Es ist jedoch zu verstehen, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Die Zeitablauf-Steuervorrichtung TC empfängt Zeitablauf-Signale, wie zum Beispiel ein vertikales Synchronisationssignal, ein horizontales Synchronisationssignal, ein Datenfreigabesignal oder einen Punkttakt, über einen Empfangsschaltkreis, wie zum Beispiel eine LVDS- oder eine TMDS-Schnittstelle, die mit einem Host-System verbunden ist. Die Zeitablauf-Steuervorrichtung TC erzeugt Zeitablauf-Steuerung-Signale zum Steuern des Datentreibers DD und des Gate-Treibers GD basierend auf den eingegebenen Zeitablauf-Signalen.
Der Datentreiber DD führt einer Mehrzahl von Subpixeln SP eine Datenspannung zu. Der Datentreiber DD kann eine Mehrzahl von Source-Ansteuerung-Integrierten-Schaltkreisen (ICs) aufweisen. Die Mehrzahl von Source-Ansteuerung-ICs können digitale Videodaten und ein Source-Zeitablauf-Steuerung-Signal von der Zeitablauf-Steuervorrichtung TC empfangen. Die Source-Ansteuerung-ICs können die Digitale-Videodaten-Elemente in eine Gammaspannung in Reaktion auf ein Source-Zeitablauf-Steuerung-Signal umwandeln, um eine Datenspannung DATA zu erzeugen, und können die Datenspannung über die Datenleitung DL des Anzeigepanels 110 anlegen. Die Source-Ansteuerung-ICs können mit den Datenleitungen DL des Anzeigepanels 110 mittels eines Chip-on-Glass (COG)-Vorgangs oder eines Tape-Automated-Bonding (TAB)-Vorgangs verbunden sein. Darüber hinaus können die Source-Ansteuerung-ICs auf dem Anzeigepanel 110 gebildet sein oder können auf einem separaten PCB gebildet und mit dem Anzeigepanel 110 verbunden sein.
Der Gate-Treiber GD führt den Subpixeln SP Gate-Signale zu. Der Gate-Treiber GD kann einen Pegelschieber und ein Schieberegister aufweisen. Der Pegelschieber kann den Pegel eines Taktsignals verschieben, das mit einem Transistor-Transistor-Logik (TTL)-Pegel von der Zeitablauf-Steuervorrichtung TC eingegeben wird, und kann es dann dem Schieberegister zuführen. Das Schieberegister kann im Nicht-Anzeige-Bereich des Anzeigepanels 110 unter Verwendung einer GIP-Weise ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Das Schieberegister kann eine Mehrzahl von Stufen zum Verschieben von Gate-Signalen, um sie in Reaktion auf das Taktsignal und das Ansteuerung-Signal auszugeben, aufweisen. Die Mehrzahl von Stufen, die in dem Schieberegister enthalten sind, können Gate-Signale durch die Mehrzahl von Ausgangsanschlüssen sequentiell ausgeben.
Das Anzeigepanel 110 kann eine Mehrzahl von Subpixeln SP aufweisen. Die Mehrzahl von Subpixeln SP können verschiedene Farben emittieren. Zum Beispiel kann jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel, ein blaues Subpixel und ein weißes Subpixel aufweisen, ist aber nicht darauf beschränkt. Solche Subpixel SP können Pixel PX bilden. Insbesondere können ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel, ein blaues Subpixel und ein weißes Subpixel ein Pixel PX bilden, und das Anzeigepanel 110 kann eine Mehrzahl von Pixeln PX aufweisen.
Nachfolgend wird ein Treiberschalkreis zum Ansteuern eines einzelnen Subpixels SP unter Bezugnahme auf 2 ausführlich beschrieben.
2 ist eine Schaltkreis-Darstellung eines Sub-Pixels einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 2 zeigt eine Schaltkreis-Darstellung eines einer Mehrzahl von Subpixeln SP der Anzeigevorrichtung 100.
Unter Bezugnahme auf 2 kann das Subpixel SP einen Schalttransistor SWT, einen Erfassungstransistor SET, einen Treibertransistor DT, einen Speicherkondensator SC und ein lichtemittierendes Element 160 aufweisen.
Das lichtemittierende Element 160 kann eine Anode, eine organische Schicht und eine Kathode aufweisen. Die organische Schicht kann ferner eine Vielzahl von organischen Schichten, wie zum Beispiel eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine organische emittierende Schicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht, aufweisen. Die Anode des lichtemittierenden Elements 160 kann mit dem Ausgangsanschluss des Treibertransistors DT verbunden sein, und eine Niedriger-Pegel-Spannung VSS kann an die Kathode angelegt sein/werden. Obwohl ein organisches lichtemittierendes Element als das lichtemittierende Element 150 in dem Beispiel verwendet wird, das in 2 gezeigt ist, ist die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt. Eine anorganische lichtemittierende Diode, d.h. eine LED, kann auch als das lichtemittierende Element 160 verwendet werden.
Unter Bezugnahme auf 2 ist der Schalttransistor SWT ein Transistor zum Übertragen der Datenspannung DATA an einen ersten Knoten N1, der mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors DT korrespondiert. Der Schalttransistor SWT kann eine Drain-Elektrode, die mit der Datenleitung DL verbunden ist, eine Gate-Elektrode, die mit der Gate-Leitung GL verbunden ist, und eine Source-Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des Treibertransistors DT verbunden ist, aufweisen. Der Schalttransistor SWT kann mittels eines von der Gate-Leitung GL angelegten Scan-Signal SCAN eingeschaltet sein/werden, um die von der Datenleitung DL zugeführte Datenspannung DATA an den ersten Knoten N1, der die Gate-Elektrode des Treibertransistors DT ist, zu übertragen.
Unter Bezugnahme auf 2 ist der Treibertransistor DT ein Transistor zum Ansteuern des lichtemittierenden Elements 160 durch Zuführen eines Treiberstroms zum lichtemittierenden Element 160. Der Treibertransistor DT kann eine Gate-Elektrode, die mit dem ersten Knoten N1 assoziiert ist, eine Source-Elektrode, die mit dem zweiten Knoten N2 assoziiert ist und die als der Ausgangsanschluss arbeitet, und eine Drain-Elektrode, die mit dem dritten Knoten N3 assoziiert ist und die als der Eingangsanschluss arbeitet, aufweisen. Die Gate-Elektrode des Treibertransistors DT kann mit dem Schalttransistor SWT verbunden sein, die Drain-Elektrode kann eine Hoher-Pegel-Spannung VDD durch eine Hoher-Pegel-Spannung-Leitung VDDL empfangen, und die Source-Elektrode kann mit der Anode des lichtemittierenden Elements 160 verbunden sein.
Unter Bezugnahme auf 2 ist der Speicherkondensator SC ein Kondensator zum Halten einer Spannung, die gleich der Datenspannung DATA für einen Rahmen ist. Eine Elektrode des Speicherkondensators SC kann mit dem ersten Knoten N1 verbunden sein, und die andere Elektrode des Speicherkondensators SC kann mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein.
Zunächst, wenn die Ansteuerungszeit jedes Subpixels SP in der Anzeigevorrichtung 100 zunimmt, können die Schaltkreiselemente, wie zum Beispiel der Treibertransistor DT, verschlechtert sein/werden. Als ein Ergebnis können die Eigenschaft-Werte der Schaltkreiselemente, wie zum Beispiel des Treibertransistors DT, verändert sein/werden. Die Eigenschaft-Werte der Schaltkreiselemente können die Schwellenwertspannung Vth des Treibertransistors DT, die Mobilität α des Treibertransistors DT etc. aufweisen. Eine solche Änderung der Eigenschaft-Werte der Schaltkreiselemente kann eine Änderung der Leuchtdichte des jeweiligen Subpixels SP verursachen. Daher kann eine Änderung der Eigenschaft-Werte der Schaltkreiselemente als eine Änderung der Leuchtdichte des Subpixels SP angesehen werden.
Darüber hinaus kann der Grad der Änderung der Eigenschaft-Werte der Schaltkreiselemente jedes der Subpixel SP in Abhängigkeit von dem Grad der Verschlechterung der Schaltkreiselemente unterschiedlich sein. Ein solcher Unterschied im Grad der Änderung der Eigenschaft-Werte zwischen den Schaltkreiselementen kann Abweichungen in der Leuchtdichte zwischen den Subpixeln SP verursachen. Daher können Abweichungen bei den Eigenschaft-Werten der Schaltkreiselemente als Abweichungen bei der Leuchtdichte des Subpixels SP betrachtet werden. Eine Änderung der Eigenschaft-Werte der Schaltkreiselemente, das heißt eine Änderung der Leuchtdichte des Subpixels SP, und Abweichungen bei den Eigenschaft-Werten zwischen den Schaltkreiselementen, das heißt Abweichungen bei der Leuchtdichte zwischen den Subpixeln SP, können die Genauigkeit der von den Subpixeln SP dargestellten Leuchtdichte verringern oder können Defekte auf den Bildern erzeugen.
In Anbetracht des obigen kann das Subpixel SP der Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Merkmal zum Erfassen der Eigenschaft-Werte des Subpixels SP und ein Merkmal zum Kompensieren der Eigenschaft-Werte des Subpixels SP basierend auf den Ergebnissen des Erfassens bereitstellen.
Zu diesem Zweck kann das Subpixel SP, wie in 2 gezeigt, zusätzlich zu dem Schalttransistor SWT, dem Treibertransistor DT, dem Speicherkondensator SC und dem lichtemittierenden Element 160 ferner einen Erfassungstransistor SET zum effektiven Steuern des Spannungsstatus an der Source-Elektrode des Treibertransistors DT aufweisen.
Unter Bezugnahme auf 2 ist der Erfassungstransistor SET zwischen der Source-Elektrode des Treibertransistors DT und einer Referenzleitung RL zum Zuführen einer Referenzspannung Vref angeschlossen, und seine Gate-Elektrode ist mit der Gate-Leitung GL verbunden. Dementsprechend kann der Erfassungstransistor SET mittels eines durch die Gate-Leitung GL angelegten Erfassungssignals SENSE eingeschaltet sein/werden, um die durch die Referenzleitung RL zugeführte Referenzspannung Vref an die Source-Elektrode des Treibertransistors DT anzulegen. Darüber hinaus kann der Erfassungstransistor SET als einer von Spannungserfassungspfaden für die Source-Elektrode des Treibertransistors DT verwendet werden.
Unter Bezugnahme auf 2 können sich der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SET des Subpixels SP die einzige Gate-Leitung GL teilen. Das heißt, der Schalttransistor SWT und der Erfassungstransistor SET können das gleiche Gate-Signal empfangen, das von der gleichen Gate-Leitung GL angelegt ist/wird. Obwohl die an die Gate-Elektrode des Schalttransistors SWT angelegte Spannung als ein Scan-Signal SCAN bezeichnet wird, während die an die Gate-Elektrode des Erfassungstransistors SET angelegte Spannung zur Einfachheit der Darstellung als ein Erfassungssignal SENSE bezeichnet wird, ist es zu verstehen, dass das Scan-Signal SCAN und das Erfassungssignal SENSE, die an ein Subpixel SP angelegt sind/werden, das gleiche Signal sind, das von der gleichen Gate-Leitung GL übertragen wird. Dementsprechend sind in 3 das Scan-Signal SCAN und das Erfassungssignal SENSE als Gate-Signale GATE1, GATE2, GATE3 und GATE4 definiert.
Es ist jedoch zu verstehen, dass die vorliegende Offenlegung nicht darauf beschränkt ist. Nur der Schalttransistor SWT kann/muss mit der Gate-Leitung GL verbunden sein, und der Erfassungstransistor SET kann mit einer separaten Erfassungsleitung verbunden sein. Dementsprechend kann das Scan-Signal SCAN GL an den Schalttransistor SWT durch die Gate-Leitung angelegt sein/werden und das Erfassungssignal SENSE kann an den Erfassungstransistor SET durch die Erfassungsleitung angelegt sein/werden.
Dementsprechend ist/wird die Referenzspannung Vref an die Source-Elektrode des Treibertransistors DT durch den Erfassungstransistor SET angelegt. Darüber hinaus ist/wird die Schwellenwertspannung Vth des Treibertransistors DT oder eine Spannung zum Erfassen der Mobilität α des Treibertransistors DT durch die Referenzleitung RL detektiert. Dann kann der Datentreiber DD die Datenspannung DATA gemäß dem detektierten Änderungsbetrag der Schwellwertenspannung Vth des Treibertransistors DT oder der Mobilität α des Treibertransistors DT kompensieren.
3 ist eine vergrößerte Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 4 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs A aus 3. 5A und 5B sind Querschnittsansichten, die entlang der Linie V - V' aus 4 genommen sind. 6A und 6B sind Querschnittsansichten, die entlang der Linie VI-VI' aus 4 genommen sind.
Unter Bezugnahme auf 3 bis 6B weist die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ein Substrat 110, Gate-Leitungen GL, Datenleitungen DL, Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, eine Referenzleitung RL, lichtemittierende Elemente 160, erste Transistoren 120, zweite Transistoren 130, dritte Transistoren 140, Speicherkondensatoren 150, Farbfilter, eine Pufferschicht 111, einen Gate-Isolator 112, eine Passivierungsschicht 113 und eine Planarisierungsschicht 114 auf. Zur Einfachheit der Darstellung zeigt 4 nur die Datenleitung DL, die Gate-Leitung GL, die Referenzleitung RL, eine Datenverzweigungsleitung DBL, eine Referenzverzweigungsleitung RBL und eine erste Reparaturbrückenleitung RPBL1. Zur Einfachheit der Darstellung zeigen 5A und 6B nur die Elemente zwischen dem Substrat 110 und der Planarisierungsschicht 114 von einer Vielzahl von Elementen der Anzeigevorrichtung 100.
Zunächst, unter Bezugnahme auf 3 weisen eine Mehrzahl von Subpixeln SP ein rotes Subpixel SPR, ein weißes Subpixel SPW, ein blaues Subpixel SPB und ein grünes Subpixel SPG auf, und jedes der Subpixel SP weist einen Emission-Bereich EA und einen Nicht-Emission-Bereich NEA auf.
Der Emission-Bereich EA kann Licht einer Farbe individuell emittieren, in dem die lichtemittierenden Elemente 160 angeordnet sein können. Der Emission-Bereich EA des roten Subpixels SPR kann ein roter Emission-Bereich sein, der rotes Licht emittiert, der Emission-Bereich EA des weißen Subpixels SPW kann ein weißer Emission-Bereich sein, der weißes Licht emittiert, der Emission-Bereich EA des blauen Subpixels SPB kann ein blauer Emission-Bereich sein, der blaues Licht emittiert, und der Emission-Bereich EA des grünen Subpixels SPG kann eine grüner Emission-Bereich sein, der grünes Licht emittiert.
In dem Nicht-Emission-Bereich NEA ist ein Treiberschaltkreis zum Ansteuern der Mehrzahl von lichtemittierenden Elementen 160 angeordnet, und ein erster Transistor 120, ein zweiter Transistor 130, ein dritter Transistor 140 und ein Speicherkondensator 150 können angeordnet sein.
Die Nicht-Emission-Bereiche NEA des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG können eine im Allgemeinen ähnliche Struktur haben. Es sollte angemerkt werden, dass sich die Subpixel SP, die ein Pixel PX bilden, Signalleitungen teilen, und daher können verschiedene Subpixel unterschiedliche Strukturen haben. Unter Bezugnahme auf 3 teilen sich das rote Subpixel SPR, das weiße Subpixel SPW, das blaue Subpixel SPB und das grüne Subpixel SPG die Referenzleitung RL. Das rote Subpixel SPR und das weiße Subpixel SPW teilen sich die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1, und das blaue Subpixel SPB und das grüne Subpixel SPG teilen sich die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2. Dementsprechend bilden das rote Subpixel SPR und das weiße Subpixel SPW ein Paar, und das blaue Subpixel SPB und das grüne Subpixel SPG bilden ein Paar, so dass die Paare eine symmetrische Struktur haben können.
Darüber hinaus, um das Verhältnis zwischen den Flächen während des Schaltkreisgestaltungsvorgangs zu optimieren, können das blaue Subpixel SPB und das grüne Subpixel SPG in Bezug auf das rote Subpixel SPR und das weiße Subpixel SPW in der y-Achse-Richtung invertiert sein/werden, wie in 3 gezeigt. Insbesondere kann in der y-Achse-Richtung in dem roten Subpixel SPR und dem weißen Subpixel SPW der Nicht-Emission-Bereich NEA niedriger als der Emission-Bereich EA angeordnet sein, wohingegen in der y-Achse-Richtung in dem blauen Subpixel SPB und dem grünen Subpixel SPG der Nicht-Emission-Bereich NEA höher als der Emission-Bereich EA angeordnet sein kann. Es ist jedoch zu verstehen, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Bezugnehmend auf 3 sind eine Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, eine Mehrzahl von Datenleitungen DL und eine Referenzleitung RL, die sich in der Spaltenrichtung (y-Achse-Richtung) erstrecken, zwischen einer Mehrzahl von Subpixeln SP auf dem Substrat 110 angeordnet. Die Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, die Mehrzahl von Datenleitungen DL und die Referenzleitung RL können auf der gleichen Schicht auf dem Substrat 110 angeordnet sein und können aus dem gleichen Material hergestellt sein. Zum Beispiel können die Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, die Mehrzahl von Datenleitungen DL und die Referenzleitung RL aus einem leitfähigen Material, wie zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti) und Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, sind aber nicht darauf beschränkt.
Die Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL übertragen ein Versorgungsspannungssignal an die Mehrzahl von Subpixeln SP und weisen eine erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und eine zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 auf. Zwei Subpixel SP, die in der Zeilenrichtung (x-Achse-Richtung) angrenzend aneinander sind, können sich eine der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL teilen. Zum Beispiel kann die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 auf der linken Seite des roten Subpixels SPR angeordnet sein, um ein Versorgungsspannungssignal an den ersten Transistor 120 jedes des roten Subpixels SPR und des weißen Subpixels SPW zu übertragen. Die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 kann auf der rechten Seite des grünen Subpixels SPG angeordnet sein, um ein Versorgungsspannungssignal an den ersten Transistor 120 jedes des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG zu übertragen.
Die Mehrzahl von Datenleitungen DL übertragen ein Datensignal an jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP und weisen eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2, eine dritte Datenleitung DL3 und eine vierte Datenleitung DL4 auf. Die erste Datenleitung DL1 kann zwischen dem roten Subpixel SPR und dem weißen Subpixel SPW, d.h. auf der rechten Seite des roten Subpixels SPR, angeordnet sein, um ein Datensignal an den zweiten Transistor 130 des roten Subpixels SPR zu übertragen. Die zweite Datenleitung DL2 kann zwischen der ersten Datenleitung DL1 und dem weißen Subpixel SPW, d.h. auf der linken Seite des weißen Subpixels SPW, angeordnet sein, um ein Datensignal an den zweiten Transistor 130 des weißen Subpixels SPW zu übertragen. Die dritte Datenleitung DL3 kann zwischen dem blauen Subpixel SPB und dem grünen Subpixel SPG, d.h. auf der rechten Seite des blauen Subpixels SPB, angeordnet sein, um ein Datensignal an den zweiten Transistor 130 des blauen Subpixels SPB zu übertragen. Die vierte Datenleitung DL4 kann zwischen der dritten Datenleitung DL3 und dem grünen Subpixel SPG, d.h. auf der linken Seite des grünen Subpixels SPG, angeordnet sein, um ein Datensignal an den zweiten Transistor 130 des grünen Subpixels SPG zu übertragen.
Die Referenzleitung RL überträgt ein Referenzsignal an jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP und kann zwischen dem weißen Subpixel SPW und dem blauen Subpixel SPB angeordnet sein. Eine Mehrzahl von Subpixeln SP, die ein Pixel bilden, können sich eine einzige Referenzleitung RL teilen. Die Referenzleitung RL kann ein Referenzsignal an den dritten Transistor 140 jedes des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG übertragen.
Die Pufferschicht 111 kann auf der Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, der Mehrzahl von Datenleitungen DL und der Referenzleitung RL angeordnet sein. Die Pufferschicht 111 kann eine Permeation von Feuchtigkeit oder Verunreinigungen durch das Substrat 110 verhindern. Die Pufferschicht 111 kann aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) oder aus mehreren Schichten daraus hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Es sollte angemerkt werden, dass die Pufferschicht 111 in Abhängigkeit von dem Typ des Substrats 110 oder dem Typ des Dünnschichttransistors weggelassen sein/werden kann und nicht auf die oben beschriebene Konfiguration beschränkt ist.
Der erste Transistor 120 ist im Nicht-Emission-Bereich NEA jedes des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG angeordnet. Der erste Transistor 120 weist eine erste Gate-Elektrode 121, eine erste Source-Elektrode 122, eine erste Drain-Elektrode 123 und eine erste aktive Schicht 124 auf. Der erste Transistor 120, der mit der ersten Elektrode des lichtemittierenden Elements 160 und der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL elektrisch verbunden ist, kann ein Treibertransistor DT sein.
Zunächst kann die erste Drain-Elektrode 123 auf der Pufferschicht 111 angeordnet sein. Die erste Drain-Elektrode 123 ist mit der Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL elektrisch verbunden. Insbesondere kann die erste Drain-Elektrode 123 jedes des roten Subpixels SPR und des weißen Subpixels SPW mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 durch ein in der Pufferschicht 111 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein, und die erste Drain-Elektrode 123 jedes des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG kann mit der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 durch ein in der Pufferschicht 111 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Das heißt, die erste Drain-Elektrode 123 jedes des roten Subpixels SPR und des weißen Subpixels SPW kann integral mit einer ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1 ausgebildet sein, die sich von der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 erstreckt, und die erste Drain-Elektrode 123 jedes blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG kann integral mit einer zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL2 ausgebildet sein, die sich von der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 aus erstreckt.
Eine erste aktive Schicht 124 kann auf der Pufferschicht 111 angeordnet sein. Die erste aktive Schicht 124 kann aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium und Polysilizium, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel, wenn die erste aktive Schicht 124 aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, kann die erste aktive Schicht 124 einen Kanal-Bereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich aufweisen, und der Source-Bereich und der Drain-Bereich können gebildet sein/werden, indem das in der ersten aktiven Schicht 124 enthaltene Material leitfähig gemacht ist/wird. Alternativ kann eine Hilfsmetallschicht oder eine transparente Oxidschicht auf bestimmten Bereichen der ersten aktiven Schicht 124 ferner angeordnet sein/werden, um leitfähige Bereiche zu bilden. In diesem Fall kann die Hilfsmetallschicht aus einer undurchsichtigen Metallschicht, wie zum Beispiel Molybdän-Titan (MoTi), hergestellt sein und die transparente Oxidschicht kann aus einem transparenten leitfähigen Material, wie zum Beispiel Zinn-Oxid (TO), Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) und Indium-Zinn-Zink-Oxid (ITZO), hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Die erste Drain-Elektrode 123 des roten Subpixels SPR und die erste Drain-Elektrode 123 des weißen Subpixels SPW können integral ausgebildet sein. Die erste Drain-Elektrode 123 des blauen Subpixels SPB und die erste Drain-Elektrode 123 des grünen Subpixels SPG können integral ausgebildet sein. Insbesondere können die erste Drain-Elektrode 123 in dem roten Subpixel SPR und die erste Drain-Elektrode 123 in dem weißen Subpixel SPW integral ausgebildet sein, um sich eine erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 zu teilen. Zum Beispiel kann das Versorgungsspannungssignal von der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 an die erste Drain-Elektrode 123 des weißen Subpixels SPW durch die erste Drain-Elektrode 123 des roten Subpixels SPR übertragen werden. Das Versorgungsspannungssignal von der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 kann an die erste Drain-Elektrode 123 des blauen Subpixels SPB durch die erste Drain-Elektrode 123 des grünen Subpixels SPG übertragen werden. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung darauf nicht beschränkt ist. Die erste Drain-Elektrode 123 im roten Subpixel SPR und die erste Drain-Elektrode 123 im weißen Subpixel SPW können separat ausgebildet sein, und die erste Drain-Elektrode 123 im blauen Subpixel SPB und die erste Drain-Elektrode 123 im grünen Subpixel SPG können auch separat ausgebildet sein.
Die erste aktive Schicht 124 und die erste Drain-Elektrode 123 jedes des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG können integral ausgebildet sein. Zum Beispiel, wenn eine Spannung an die erste Gate-Elektrode 121 im roten Subpixel SPR angelegt ist/wird, kann die erste Drain-Elektrode 123, die integral mit der ersten aktiven Schicht 124 ausgebildet ist und gebildet ist/wird, indem die erste aktive Schicht 124 leitfähig gemacht ist/wird, ein Versorgungsspannungssignal von der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 an die erste aktive Schicht 124 und die erste Source-Elektrode 122 übertragen. Die erste Drain-Elektrode 123 kann so definiert sein/werden, dass sie integral mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 ausgebildet ist/wird, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
Der Gate-Isolator 112 kann auf der ersten aktiven Schicht 124 angeordnet sein. Der Gate-Isolator 112 kann die erste Gate-Elektrode 121 von der ersten aktiven Schicht 124 elektrisch isolieren. Der Gate-Isolator 112 kann nur in einer Linie mit der ersten Gate-Elektrode 121 und leitfähigen Schichten, die über den gleichen Vorgang unter Verwendung des gleichen Materials wie die erste Gate-Elektrode 121 gebildet sind/werden, angeordnet sein/werden. Zum Beispiel kann der Gate-Isolator 112 auf der gesamten Fläche des Substrats 110 angeordnet sein/werden und kann dann zusammen mit der ersten Gate-Elektrode 121 und den auf dem Gate-Isolator 112 angeordneten leitfähigen Schichten entfernt sein/werden, wenn sie strukturiert sind/werden. Der Gate-Isolator 112 kann aus einer einzelnen Schicht aus einem isolierenden Material, z.B. Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx), oder mehreren Schichten daraus hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die erste Gate-Elektrode 121 kann auf dem Gate-Isolator 112 so angeordnet sein/werden, dass sie sich mit der ersten aktiven Schicht 124 in jedem des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG überlappt. Die erste Gate-Elektrode 121 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die erste Source-Elektrode 122, die im Abstand von der ersten Gate-Elektrode 121 angeordnet ist, ist auf dem Gate-Isolator 112 in jedem des roten Subpixels SPR, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG angeordnet. Die erste Source-Elektrode 122 kann mit der ersten aktiven Schicht 124 durch ein im Gate-Isolator 112 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Die erste Source-Elektrode 122 kann auf der gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode 121 angeordnet sein und kann aus dem gleichen Material hergestellt sein, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Die erste Source-Elektrode 122 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Der zweite Transistor 130 ist in dem Nicht-Emission-Bereich NEA jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Der zweite Transistor 130 weist eine zweite Gate-Elektrode 131, eine zweite Source-Elektrode 132, eine zweite Drain-Elektrode 133 und eine zweite aktive Schicht 134 auf. Der zweite Transistor 130, der mit der Gate-Leitung GL, der Datenleitung DL und der ersten Gate-Elektrode 121 des ersten Transistors 120 elektrisch verbunden ist, kann ein Schalttransistor SWT sein (siehe 2).
Zunächst kann die zweite Drain-Elektrode 133 zwischen dem Substrat 110 und der Pufferschicht 111 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die zweite Drain-Elektrode 133 ist mit einer der Mehrzahl von Datenleitungen DL elektrisch verbunden. Die zweite Drain-Elektrode 133 kann integral mit der Mehrzahl von Datenleitungen DL ausgebildet sein und kann aus dem gleichen Material wie die Mehrzahl von Datenleitungen DL hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. Wie in 3 gezeigt, kann die zweite Drain-Elektrode 133 aus einer Mehrzahl von Datenleitungen DL und Datenverzweigungsleitungen DBL gebildet sein, die durch Kontaktlöcher verbunden sind, und kann auf der gleichen Schicht wie die erste Drain-Elektrode 123 angeordnet und aus dem gleichen Material hergestellt sein. Insbesondere, wie die erste Drain-Elektrode 123, kann die zweite Drain-Elektrode 133 gebildet sein/werden, indem ein Bereich der zweiten aktiven Schicht 134 leitfähig gemacht ist/wird.
Die zweite Source-Elektrode 132, die im Abstand von der zweiten Drain-Elektrode 133 angeordnet ist, ist in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Die zweite Source-Elektrode 132 kann der gleiche Knoten wie die Gate-Elektrode 121 des ersten Transistors 120 sein. Die zweite Source-Elektrode 132 kann als die gleiche Schicht wie die erste Gate-Elektrode 121 oder als die gleiche Schicht wie die zweite Drain-Elektrode 133 definiert sein/werden. Wenn die zweite Source-Elektrode 132 die gleiche Schicht wie die erste Gate-Elektrode 121 ist, kann die zweite Source-Elektrode 132 aus einem leitfähigen Material, zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Wenn die zweite Source-Elektrode 132 die gleiche Schicht wie die zweite Drain-Elektrode 133 ist, kann die zweite Source-Elektrode 132 gebildet sein/werden, indem ein Bereich der zweiten aktiven Schicht 134 leitfähig gemacht ist/wird, wie die zweite Drain-Elektrode 133.
Die zweite aktive Schicht 134 kann auf der Pufferschicht 111 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die zweite aktive Schicht 134 kann mit der zweiten Source-Elektrode 132 und der zweiten Drain-Elektrode 133 elektrisch verbunden sein. Die zweite aktive Schicht 134 kann aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium und Polysilizium, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Eine Hilfsmetallschicht oder eine transparente Oxidschicht kann auf bestimmten Bereichen der zweiten aktiven Schicht 134 ferner angebracht sein/werden, um leitfähige Bereiche zu bilden. In diesem Fall kann die Hilfsmetallschicht aus einer undurchsichtigen Metallschicht, wie zum Beispiel Molybdän-Titan (MoTi), hergestellt sein und die transparente Oxidschicht kann aus einem transparenten leitfähigen Material, wie zum Beispiel Zinn-Oxid (TO), Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) und Indium-Zinn-Zinkoxid (ITZO), hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Die zweite Gate-Elektrode 131 kann auf dem Gate-Isolator 112 so angeordnet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 134 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP überlappt. Die zweite Gate-Elektrode 131 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die zweite Gate-Elektrode 131 kann die Gate-Leitung GL sein. Das heißt, ein Teil der Gate-Leitung GL kann als die zweite Gate-Elektrode 131 arbeiten. Die Gate-Leitung GL kann aus einem leitfähigen Material, z.B. aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Gate-Leitung GL überträgt ein Gate-Signal an jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP und erstreckt sich über die Mehrzahl von Subpixeln SP hinweg in der Zeilenrichtung. Zum Beispiel kann sich die Gate-Leitung GL in der Zeilenrichtung zwischen dem Nicht-Emission-Bereich NEA und dem Emission-Bereich EA jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP erstrecken und kann die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, die Datenleitungen DL und die Referenzleitung RL, die sich in der Spaltenrichtung erstrecken, kreuzen.
Der dritte Transistor 140 ist in dem Nicht-Emission-Bereich NEA jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Der dritte Transistor 140 weist eine dritte Gate-Elektrode 141, eine dritte Source-Elektrode 142, eine dritte Drain-Elektrode 143 und eine dritte aktive Schicht 144 auf. Der dritte Transistor 140, der mit der Referenzleitung RL, der Gate-Leitung GL und der zweiten Kondensatorelektrode 152 des Speicherkondensators 150 elektrisch verbunden ist, kann ein Erfassungstransistor SET sein.
Zunächst kann die dritte Source-Elektrode 142 zwischen dem Substrat 110 und der Pufferschicht 111 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die dritte Source-Elektrode 142 kann auf der gleichen Schicht wie die Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL, die Mehrzahl von Datenleitungen DL und die Referenzleitung RL angeordnet sein und kann aus dem gleichen Material hergestellt sein. Die dritte Source-Elektrode 142 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Darüber hinaus kann die dritte Source-Elektrode 142 mit der zweiten Kondensatorelektrode 152, die den Speicherkondensator 150 bildet, der später beschrieben wird, elektrisch verbunden sein.
Die dritte Source-Elektrode 142 kann als eine lichtblockierende Schicht arbeiten, die auf die erste aktive Schicht 124 des ersten Transistors 120 einfallendes Licht blockiert. Zum Beispiel, falls Licht auf die erste aktive Schicht 124 eingestrahlt wird, kann ein Leckstrom erzeugt sein/werden, wodurch die Zuverlässigkeit des ersten Transistors 120 verringert ist/wird. Die dritte Source-Elektrode 142, die aus einem undurchsichtigen leitfähigen Material hergestellt ist, ist unter der ersten aktiven Schicht 124 und der ersten Gate-Elektrode 121 angeordnet und kann das von unterhalb des Substrats 110 auf die erste aktive Schicht 124 einfallende Licht blockieren. Auf diese Weise kann die Zuverlässigkeit des ersten Transistors 120 verbessert sein/werden.
Die dritte aktive Schicht 144 kann auf der Pufferschicht 111 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die dritte aktive Schicht 144 kann mit der dritten Source-Elektrode 142 durch ein in der Pufferschicht 111 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Die dritte aktive Schicht 144 kann aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium und Polysilizium, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Eine Hilfsmetallschicht oder eine transparente Oxidschicht kann auf bestimmten Bereichen der dritten aktiven Schicht 144 ferner angeordnet sein, um leitfähige Bereiche zu bilden. In diesem Fall kann die Hilfsmetallschicht aus einer undurchsichtigen Metallschicht, wie zum Beispiel Molybdän-Titan (MoTi), hergestellt sein und die transparente Oxidschicht kann aus einem transparenten leitfähigen Material, wie zum Beispiel Zinn-Oxid (TO), Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) und Indium-Zinn-Zink-Oxid (ITZO), hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Die dritte Gate-Elektrode 141 kann auf dem Gate-Isolator 112 so angeordnet sein, dass sie die dritte aktive Schicht 144 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP überlappt. Die dritte Gate-Elektrode 141 kann die Gate-Leitung GL sein. Das heißt, ein Teil der Gate-Leitung GL kann als die dritte Gate-Elektrode 141 arbeiten. Die dritte Gate-Elektrode 141 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die dritte Drain-Elektrode 143 ist auf dem Gate-Isolator 112 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Die dritte Drain-Elektrode 143 kann mit der dritten aktiven Schicht 144 durch ein im Gate-Isolator 112 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Die dritte Drain-Elektrode 143 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. Die dritte Drain-Elektrode 143 kann aus der Referenzverzweigungsleitung RBL gebildet sein, die mit der Referenzleitung RL durch ein Kontaktloch verbunden ist, und kann auf der gleichen Schicht angeordnet und aus dem gleichen Material hergestellt sein wie die zweite Drain-Elektrode 133, wie in 3 gezeigt.
Das heißt, die dritte Drain-Elektrode 143 ist mit der Referenzleitung RL elektrisch verbunden. Obwohl die dritte Drain-Elektrode 143 integral mit der Referenzleitung RL ausgebildet sein kann und aus dem gleichen Material wie die Referenzleitung RL hergestellt sein kann, kann die dritte Drain-Elektrode 143 aus der Referenzverzweigungsleitung RBL, die mit der Referenzleitung RL durch ein Kontaktloch verbunden ist, gebildet sein, kann auf der gleichen Schicht ausgebildet sein und kann aus dem gleichen Material hergestellt sein wie die erste Drain-Elektrode 123, wie in 3 gezeigt. Insbesondere, wie die zweite Drain-Elektrode 133, kann die dritte Drain-Elektrode 143 gebildet sein/werden, indem ein Bereich der dritten aktiven Schicht 134 leitfähig gemacht ist/wird.
Der Speicherkondensator 150 ist in dem Nicht-Emission-Bereich NEA jedes des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG angeordnet. Der Speicherkondensator 150 kann die Spannung zwischen der ersten Gate-Elektrode 121 und der ersten Source-Elektrode 122 des ersten Transistors 120 speichern, so dass das lichtemittierende Element 160 in dem gleichen Zustand für einen Rahmen verbleibt. Der Speicherkondensator 150 weist eine erste Kondensatorelektrode 151 und eine zweite Kondensatorelektrode 152 auf.
Die erste Kondensatorelektrode 151 ist zwischen dem Substrat 110 und der Pufferschicht 111 in jedem des roten Subpixels SPR, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG angeordnet. Die erste Kondensatorelektrode 151 kann von den auf dem Substrat 110 angeordneten leitfähigen Elementen am nächsten zum Substrat 110 angeordnet sein. Dementsprechend ist/wird der Abstand zwischen der ersten Kondensatorelektrode 151 und der zweiten Elektrode 152 vergrößert, so dass es möglich ist, eine parasitäre Kapazität zu unterdrücken, die zwischen der ersten Kondensatorelektrode 151 und der zweiten Elektrode 152 auftreten kann.
Die erste Kondensatorelektrode 151 kann integral mit der zweiten Source-Elektrode 132 ausgebildet sein, um mit der zweiten Source-Elektrode 132 elektrisch verbunden zu sein. Darüber hinaus kann die erste Kondensatorelektrode 151 durch ein in der Pufferschicht 111 ausgebildetes Kontaktloch mit der ersten Gate-Elektrode 121 elektrisch verbunden sein. Das heißt, die zweite Source-Elektrode 132 des zweiten Transistors 130 und die erste Gate-Elektrode 1211 des ersten Transistors 120 können durch die erste Kondensatorelektrode 151 elektrisch verbunden sein. Die erste Kondensatorelektrode 151, die integral mit der zweiten Source-Elektrode 132 ausgebildet ist, kann aus dem gleichen Material wie die zweite Source-Elektrode 132 hergestellt sein. Wie in 3 gezeigt, wie die zweite Source-Elektrode 132, kann die erste Kondensatorelektrode 151 gebildet sein/werden, indem ein Bereich der zweiten aktiven Schicht 134 leitfähig gemacht ist/wird. Alternativ, wenn die Source-Elektrode 132 eine Metallschicht ist, kann die erste Kondensatorelektrode 151 aus einem leitfähigen Material, z.B. aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
In diesem Fall ist die erste Kondensatorelektrode 151 niedriger angeordnet als die erste Gate-Elektrode 121 und die erste Source-Elektrode 122. Die erste Kondensatorelektrode 151 ist so angeordnet, dass sie die erste Source-Elektrode 122 überlappt.
Eine zweite Kondensatorelektrode 152 ist auf dem Gate-Isolator 112 in jedem des roten Subpixels SPR, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG angeordnet. Die zweite Kondensatorelektrode 152 kann auf der ersten Kondensatorelektrode 151 so angeordnet sein, dass sie sich mit der ersten Kondensatorelektrode 151 überlappt. In diesem Fall kann eine Isolierschicht zwischen der zweiten Kondensatorelektrode 152 und der ersten Kondensatorelektrode 151 angeordnet sein.
Die zweite Kondensatorelektrode 152 kann eine Lichtleckage in den Nicht-Emission-Bereichen NEA jedes des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG verhindern. Insbesondere sind im Emission-Bereich EA jedes des roten Subpixels SPR, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG Farbfilter, die mit den jeweiligen Pixeln assoziiert sind, angeordnet, so dass von den lichtemittierenden Elementen 160 emittiertes weißes Licht in rot, blau oder grün umgewandelt werden kann. Falls unerwünschtes Licht aus dem Nicht-Emission-Bereich NEA jedes des roten Subpixels SPR, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG emittiert wird, können das aus dem Emission-Bereich EA emittierte Licht und das Licht aus dem Nicht-Emission-Bereich NEA gemischt sein/werden, und daher können die Farbkoordinaten jedes Subpixels SP verschoben sein/werden. In dieser Hinsicht kann die zweite Kondensatorelektrode 152 aus einem nicht-transparenten leitfähigen Material hergestellt und unter den lichtemittierenden Elementen 160 angeordnet sein. Dementsprechend, selbst falls unerwünschtes Licht von den Schaltkreisen jedes des roten Subpixels SPR, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG emittiert ist/wird, ist es möglich, mittels der zweiten Kondensatorelektrode 152 zu blockieren, dass das von den Schaltkreisen emittierte Licht das Substrat 110 durchläuft. Auf diese Weise ist es möglich, eine Lichtleckage aus dem Schaltkreis zu verhindern und die Farbreinheit in jedem der Subpixel SP zu verbessern.
Die zweite Kondensatorelektrode 152 kann integral mit der ersten Source-Elektrode 122 ausgebildet sein, um mit der ersten Source-Elektrode 122 elektrisch verbunden zu sein. Ein Teil der ersten Source-Elektrode 122, der sich mit der ersten Kondensatorelektrode 151 überlappt, kann als die zweite Kondensatorelektrode 152 definiert sein/werden. Die zweite Kondensatorelektrode 152, die integral mit der ersten Source-Elektrode 122 ausgebildet ist, kann aus dem gleichen Material wie die erste Source-Elektrode 122 hergestellt sein, zum Beispiel kann sie aus einem leitfähigen Material, wie zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti) und Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Zusammenfassend kann die erste Kondensatorelektrode 151 des Speicherkondensators 150 integral mit der zweiten Source-Elektrode 132 ausgebildet sein und kann mit der ersten Gate-Elektrode 121 des ersten Transistors 120 und der zweiten Source-Elektrode 132 des zweiten Transistors 130 elektrisch verbunden sein. Darüber hinaus kann die zweite Kondensatorelektrode 152 integral mit der ersten Source-Elektrode 122 ausgebildet sein und kann mit der ersten Source-Elektrode 122 des ersten Transistors 120 und der dritten Source-Elektrode 142 des dritten Transistors 140 elektrisch verbunden sein.
Anschließend kann die Passivierungsschicht 113 auf dem ersten Transistor 120, dem zweiten Transistor 130, dem dritten Transistor 140, dem Speicherkondensator 150, einer Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL, einer Mehrzahl von Datenleitungen DL, der Referenzleitung RL und der Gate-Leitung GL angeordnet sein/werden. Die Passivierungsschicht 113 ist eine Isolierschicht zum Schützen der Elemente unter ihr. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht 113 aus einer einzelnen Schicht aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) oder mehreren Schichten daraus herstellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt. In manchen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann die Passivierungsschicht 113 eliminiert sein/werden.
Eine Mehrzahl von Farbfiltern sind auf der Passivierungsschicht 113 angeordnet. Insbesondere können eine Mehrzahl von Farbfiltern zwischen der Planarisierungsschicht 114 und der Passivierungsschicht 113 angeordnet sein. Die Mehrzahl von Farbfiltern weisen einen Rote-Farbe-Filter, einen Grüne-Farbe-Filter und einen Blaue-Farbe-Filter auf. Ein Rote-Farbe-Filter ist auf dem Emission-Bereich EA des roten Subpixels SPR angeordnet, ein Blaue-Farbe-Filter ist auf dem Emission-Bereich EA des blauen Subpixels SPB angeordnet, und ein Grüne-Farbe-Filter ist auf dem Emission-Bereich EA des grünen Subpixels SPG angeordnet. Es sollte angemerkt werden, dass die Mehrzahl von Farbfiltern nicht auf dem Emission-Bereich EA des Weiße-Farbe-Filters SPW angeordnet sind. Der Bereich der Farbfilter ist zur Einfachheit der Darstellung in 3 nicht abgebildet.
Die Planarisierungsschicht 114 kann auf der Passivierungsschicht 113 und den Farbfiltern angeordnet sein. Die Planarisierungsschicht 114 ist eine Isolierschicht, die eine ebene/flache Oberfläche über dem ersten Transistor 120, dem zweiten Transistor 130, dem dritten Transistor 140, dem Speicherkondensator 150, einer Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, einer Mehrzahl von Datenleitungen DL, der Referenzleitung RL und der Gate-Leitung GL, die auf dem Substrat 110 angeordnet sind, bereitstellt. Die Planarisierungsschicht 114 kann aus einem organischen Material hergestellt sein und kann zum Beispiel aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten aus Polyimid oder Photoacryl hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Das lichtemittierende Element 160 ist in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Das lichtemittierende Element 160 ist auf der Planarisierungsschicht 114 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Das lichtemittierende Element 160 weist eine erste Elektrode, eine emittierende Schicht und eine zweite Elektrode auf. Das lichtemittierende Element 160 emittiert Licht in dem von einer Bank BNK definierten Emission-Bereich. Mit anderen Worten, Licht kann nur in einem Bereich der ersten Elektrode des lichtemittierenden Elements 160 emittiert werden, der nicht von der Bank BNK bedeckt ist.
Die erste Elektrode ist auf der Planarisierungsschicht 114 im Emission-Bereich EA angeordnet. Da die erste Elektrode der emittierenden Schicht Löcher zuführt, ist sie aus einem leitfähigen Material hergestellt, das eine hohe Austrittsarbeit hat, und kann als eine Anode bezeichnet werden. Die erste Elektrode kann zum Beispiel aus einem transparenten leitfähigen Material, wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid (ITO) und Indium-Zink-Oxid (IZO), hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Zunächst, wenn die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Top-Emission-Architektur hat, kann eine reflektierende Schicht, die aus einem Metallmaterial, das eine exzellente Reflexionseffizienz hat, zum Beispiel Aluminium (Al) oder Silber (Ag), hergestellt ist, unter der ersten Elektrode hinzugefügt sein/werden, so dass das von der emittierenden Schicht emittierte Licht von der ersten Elektrode reflektiert wird und sich zur oberen Seite, d.h. zur zweiten Elektrode, bewegt. Im Gegensatz dazu, wenn die Anzeigevorrichtung 100 eine Bottom-Emission-Architektur hat, kann die erste Elektrode nur aus einem transparenten leitfähigen Material hergestellt sein. In der folgenden Beschreibung wird angenommen, dass die Anzeigevorrichtung 100 eine Bottom-Emission-Architektur hat.
Die emittierende Schicht ist auf der ersten Elektrode in dem Emission-Bereich EA und dem Nicht-Emission-Bereich NEA angeordnet. Die emittierende Schicht kann als eine einzige Schicht über die Mehrzahl von Subpixeln SP hinweg ausgebildet sein. Mit anderen Worten, die emittierende Schicht jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP kann miteinander verbunden und integral ausgebildet sein. Die emittierende Schicht kann aus einer einzigen emittierenden Schicht oder einem Stapel mehrerer Schichten, die Lichter verschiedener Farben emittieren, hergestellt sein. Die emittierende Schicht kann ferner eine organische Schicht, wie zum Beispiel eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht, aufweisen.
Die zweite Elektrode ist auf der emittierenden Schicht in dem Emission-Bereich EA und dem Nicht-Emission-Bereich NEA angeordnet. Da die zweite Elektrode der emittierenden Schicht Elektronen zuführt, ist sie aus einem leitfähigen Material, das eine geringe Austrittsarbeit hat, hergestellt und kann als eine Kathode bezeichnet werden. Die zweite Elektrode kann als eine einzige Schicht über der Mehrzahl von Subpixeln SP ausgebildet sein. Das heißt, die zweiten Elektroden der Mehrzahl von Subpixeln SP können miteinander verbunden und integral ausgebildet sein. Die zweite Elektrode kann zum Beispiel aus einem transparenten leitfähigen Material, wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid (ITO) und Indium-Zink-Oxid (IZO) oder einer Ytterbium (Yb)-Legierung, hergestellt sein und kann ferner eine metalldotierte Schicht aufweisen. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. Zunächst, obwohl nicht in 3 bis 5 gezeigt, kann die zweite Elektrode des lichtemittierenden Elements 160 mit einer Niedriger-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung elektrisch verbunden sein, um eine Niedriger-Pegel-Versorgungsspannung zu erhalten.
Das lichtemittierende Element 160 weist eine Erstreckung auf, die sich von der ersten Elektrode zum Nicht-Emission-Bereich NEA erstreckt. Die Erstreckung kann sich von der ersten Elektrode des Emission-Bereichs EA zur ersten Source-Elektrode 122 des Nicht-Emission-Bereichs NEA erstrecken und kann mit der ersten Source-Elektrode 122 durch ein Kontaktloch, das in der Planarisierungsschicht 114 und der Passivierungsschicht 113 ausgebildet ist, elektrisch verbunden sein. Dementsprechend kann die erste Elektrode des lichtemittierenden Elements 160 mit der ersten Source-Elektrode 122 des ersten Transistors 120, der die zweite Kondensatorelektrode 152 des Speicherkondensators 150 ist, durch die Erstreckung elektrisch verbunden sein.
Als nächstes wird die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 unter Bezugnahme auf 3 bis 6B beschrieben.
Zunächst ist die Gate-Leitung GL, die in dem Nicht-Emission-Bereich NEA angeordnet ist, eine Leitung, die ein Gate-Signal zu jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP überträgt, und erstreckt sich über die Mehrzahl von Subpixeln SP hinweg in der Zeilenrichtung. Da der Gate-Leitung GL unter der Steuerung der Zeitablauf-Steuervorrichtung ein Scan-Signal sequentiell zugeführt wird, kann die Gate-Leitung GL auch als eine Scan-Leitung bezeichnet werden. Wie in 3 gezeigt, wird gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Ein-Scan-Leitung-Struktur, bei der der zweite Transistor 130 und der dritte Transistor 140 an einer Gate-Leitung GL arbeiten, hauptsächlich beschrieben. Es sollte jedoch verstanden werden, dass eine Zwei-Scan-Leitung-Struktur mit zwei Gate-Leitungen GL gleichermaßen verwendet werden kann.
Wenn ein Defekt in einer solchen Gate-Leitung GL auftritt, z.B. die Gate-Leitung GL offen ist, kann ein Reparaturvorgang an der Gate-Leitung GL durchgeführt werden, um die beiden Seiten der Stelle, an der der Defekt aufgetreten ist, abzutrennen. Nachdem der Reparaturvorgang an der Gate-Leitung GL durchgeführt ist/wurde und die Gate-Leitung GL unterbrochen ist/wird, ist es erforderlich, ein Gate-Signal an das nächste Pixel PX des defekten Pixels PX zu übertragen. Daher ist eine Bypass-Leitung für die Gate-Leitung GL notwendig.
In Anbetracht des obigen weist die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform eine Reparaturbrückenleitung RPBL, die als eine Bypass-Leitung zum Übertragen eines Gate-Signals arbeitet, auf, wie es für den Reparaturvorgang an der Gate-Leitung GL notwendig ist. Die Reparaturbrückenleitung RPBL kann mit mindestens einer einer Mehrzahl von Signalleitungen, die die Gate-Leitung GL kreuzen, elektrisch verbunden sein. Die Mehrzahl von Signalleitungen weisen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, Datenleitungen DL und Referenzleitungen RL, die im Nicht-Emission-Bereich angeordnet sind, auf.
Da die Reparaturbrückenleitung RPBL als eine Bypass-Leitung zum Übertragen eines Gate-Signals arbeiten muss, kann sie mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein. Es sollte angemerkt werden, dass die Reparaturbrückenleitung RPBL mit den Signalleitungen, wie zum Beispiel den Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL und den Referenzleitungen RL, verbunden sein kann und auf einer anderen Schicht als die Gate-Leitung GL ausgebildet sein kann. Dies liegt daran, dass die Nicht-Emissionsfläche NEA vergrößert sein/werden kann, falls die Bypass-Leitung aus dem gleichen Material auf der gleichen Schicht wie die Gate-Leitung GL ausgebildet ist.
Darüber hinaus ist die Reparaturbrückenleitung RPBL vor dem Reparaturvorgang mit der Gate-Leitung GL nicht elektrisch verbunden, kann aber nach dem Reparaturvorgang mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein/werden. Das heißt, nachdem ein Schweißvorgang, der in dem Reparaturvorgang enthalten ist, ausgeführt wurde, kann die Reparaturbrückenleitung RPBL mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein/werden, um das Signal zu übertragen. Eine Stelle, an der sich die Signalleitung, die mit der Reparaturbrückenleitung RPBL verbunden ist, mit der Gate-Leitung GL überlappt, und eine Stelle, an der sich die Signalleitung, die mit der Reparaturbrückenleitung RPBL verbunden ist, mit ihr überlappt, können als Schweißstellen W definiert sein/werden. Die an den Schweißstellen W angeordneten Leitungen können elektrisch verbunden sein/werden, indem sie mittels eines während des Laserreparaturvorgangs eingestrahlten Lasers verschweißt sind/werden. Insbesondere kann der Reparaturvorgang durchgeführt werden, indem die Schweißstellen W mit einem Laserstrahl bestrahlt werden, welcher einen Isolierfilm, der zwischen den an den Schweißstellen W angeordneten Leitungen existiert, entfernt wird und eine elektrische Verbindung zwischen den Leitungen bildet. Das heißt, die Reparaturbrückenleitung RPBL kann über den Schweißvorgang mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein/werden und kann eine Bypass-Leitung eines defekten Pixels zum Übertragen eines Gate-Signals werden.
Falls ein Defekt in einem Pixel auftritt, muss die Reparaturbrückenleitung RPBL ein Gate-Signal an das nächste Pixel übertragen. Daher kann die Reparaturbrückenleitung RPBL über das rote Subpixel SPR, das weiße Subpixel SPW, das grüne Subpixel SPG und das blaue Subpixel SPB hinweg angeordnet sein. Darüber hinaus kann die Reparaturbrückenleitung RPBL mit der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL elektrisch verbunden sein, welche die Gate-Leitung GL schneidet. Das heißt, ein Ende der Reparaturbrückenleitung RPBL kann mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 verbunden sein, das andere Ende davon kann mit der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 verbunden sein und sie kann über der Mehrzahl von Subpixeln SP hinweg angeordnet sein.
Insbesondere weist die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform eine erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 auf, die ein Beispiel der Reparaturbrückenleitung RPBL ist.
Die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 kann mit der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL so verbunden sein, dass sie den Emission-Bereich EA jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP kreuzt. Das heißt, wie oben beschrieben, ein Ende der ersten Reparaturbrückenleitung RPBL kann mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 verbunden sein, das andere Ende davon kann mit der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 verbunden sein und sie kann auf dem Emission-Bereich EA zwischen dem einen Ende und dem anderen Ende angeordnet sein.
Die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 kann aus dem gleichen Material auf der gleichen Schicht wie die Mehrzahl von aktiven Schichten 124, 134 und 144 gebildet sein. Die erste Reparatur-Brückenleitung RPBL1 kann eine Halbleiterschicht, wie zum Beispiel einen Oxid-Halbleiter, amorphes Silizium und Polysilizium, aufweisen, ist aber nicht darauf beschränkt. Darüber hinaus kann Hilfsmetallschicht oder eine transparente Oxidschicht auf bestimmten Bereichen der Halbleiterschicht ferner angeordnet sein, um sie leitfähig zu machen. In diesem Fall kann die Hilfsmetallschicht aus einer lichtundurchlässigen Metallschicht, wie zum Beispiel Molybdän-Titan (MoTi), hergestellt sein, und die transparente Oxidschicht kann aus einem transparenten leitfähigen Material, wie zum Beispiel Zinn-Oxid (TO), Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) und Indium-Zinn-Zink-Oxid (ITZO), hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Wenn die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 eine Stapelstruktur aufweist, in der eine Halbleiterschicht und eine Hilfsmetallschicht zumindest in manchen Bereichen aufeinander gestapelt sind, kann ein Teil der ersten Reparaturbrückenleitung RPBL1, der sich mit dem Emission-Bereich EA überlappt, mit der Stapelstruktur angeordnet sein, in der nur die Halbleiterschicht leitfähig gemacht ist/wird, da die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 auf dem Emission-Bereich EA angeordnet sein/werden sollte.
Wenn die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 die Stapelstruktur aus der Halbleiterschicht und der transparenten Oxidschicht in zumindest manchen Bereichen aufweist, hat die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 eine Transparenz in dem gesamten Bereich. Dementsprechend, durch ein Anordnen der Stapelstruktur aus der Halbleiterschicht und der transparenten Oxidschicht auf dem Emission-Bereich EA ist es möglich, die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 frei als eine leitfähige Leitung zu gestalten.
Unter Bezugnahme auf 4 bis 6B kann die Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Schweißstellen W zum Durchführen eines Reparaturvorgangs aufweisen. Die Schweißstellen W können eine erste Schweißstelle W1, eine zweite Schweißstelle W2, eine dritte Schweißstelle W3 und eine vierte Schweißstelle W4 aufweisen. An der ersten Schweißstelle W1 können die Gate-Leitung GL und die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 einander überlappen. An der vierten Schweißstelle W4 können die Gate-Leitung GL und die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 einander überlappen. An der zweiten Schweißstelle W2 können die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 einander überlappen. An der dritten Schweißstelle W3 können die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 und die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 einander überlappen.
5A zeigt die Struktur, bei der die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1, die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 und die Verbindungselektrode CE zum elektrischen Verbinden einander an der zweiten Schweißstelle W2 überlappen, bevor der Reparaturvorgang durchgeführt ist/wird. 5B zeigt die Struktur, nachdem der Reparaturvorgang durchgeführt wurde. Die Verbindungselektrode CE kann mit der ersten Reparaturbrückenleitung RPBL1 durch ein Kontaktloch elektrisch verbunden sein und kann mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 durch ein anderes Kontaktloch verbunden sein. Die Verbindungselektrode CE kann auf der gleichen Schicht angeordnet und aus dem gleichen Material hergestellt sein wie die Gate-Leitung GL. Unter Bezugnahme auf 5B, nachdem der Reparaturverfahren mittels Laser durchgeführt ist/wurde, sind die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 miteinander elektrisch verbunden. Das heißt, durch Bestrahlen der zweiten Schweißstelle W2 mit Laser ist/wird eine Pufferschicht zwischen der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und der ersten Reparaturbrückenleitung RPBL1 teilweise entfernt, so dass die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 in Kontakt mit der ersten Reparaturbrückenleitung RPBL1 ist. Der an der zweiten Schweißstelle W2 durchgeführte Schweißvorgang kann im Wesentlichen gleichermaßen an der dritten Schweißstelle W3 angewendet sein/werden.
6A zeigt eine Struktur, in der sich die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und die Gate-Leitung GL an der ersten Schweißstelle W1 überlappen, bevor ein Reparaturvorgang durchgeführt ist/wird. 6B zeigt die Struktur nachdem der Reparaturvorgang durchgeführt wurde. Unter Bezugnahme auf 6B, nachdem der Reparaturvorgang mittels Laser durchgeführt wurde, sind die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und die Gate-Leitung GL elektrisch miteinander verbunden sind. Das heißt, durch Bestrahlen der ersten Schweißstelle W1 mit Laser ist/wird eine Isolierschicht zwischen der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und der Gate-Leitung GL teilweise entfernt, so dass die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 in Kontakt mit der Gate-Leitung GL ist. Der an der ersten Schweißstelle W1 durchgeführte Schweißvorgang kann im Wesentlichen gleichermaßen an der vierten Schweißstelle W4 angewendet sein/werden.
Das heißt, an der ersten Schweißstelle W 1 und der vierten Schweißstelle W4 können die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 in zugeordneter Weise mittels des Schweißvorgangs mit der Gate-Leitung GL verbunden sein/werden. An der zweiten Schweißstelle W2 und der dritten Schweißstelle W3 können die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 in zugeordneter Weise mittels des Schweißvorgangs mit der ersten Reparaturbrückenleitung RPBL1 elektrisch verbunden sein/werden.
Als ein Ergebnis, falls ein Defekt in einer Gate-Leitung GL auftritt, die in der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet ist, können die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL und die Gate-Leitung GL in der Nähe der defekten Stelle verschweißt sein/werden, und die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL und die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 können verschweißt sein/werden. Zusätzlich kann durch Abtrennen eines Teils des oberen und unteren Abschnitts der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL, die dem Schweißvorgang unterzogen wird, wie in 4 dargestellt, die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 die Bypass-Leitung zum Übertragen eines Gate-Signals werden.
Das heißt, unter Bezugnahme auf die Leitung, die die Übertragung eines Gate-Signals Gate in 4 angibt, selbst wenn das von der Gate-Leitung GL übertragene Gate-Signal an der Stelle, an der der Defekt auftritt, unterbrochen ist/wird, kann das Gate-Signal an die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 durch die erste Schweißstelle W1 übertragen werden, kann das Gate-Signal an die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 durch die zweite Schweißstelle W2 übertragen werden, kann das Gate-Signal an die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 durch die dritte Schweißstelle W3 übertragen werden und kann das Gate-Signal an die Gate-Leitung GL des nächsten Pixels durch die vierte Schweißstelle W4 übertragen werden.
Als nächstes ist 7 eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs B aus 3. Zur Einfachheit der Darstellung zeigt 7 nur eine erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1, eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2, eine Referenzleitung RL, eine Datenverzweigungsleitung DBL, eine Bank BNK und eine Referenzverzweigungsleitung RBL.
Der Nicht-Emission-Bereich NEA kann Signalleitungen aufweisen, welche die Gate-Leitung GL kreuzen und sich in der y-Achse-Richtung erstrecken. Die Signalleitungen, welche die Gate-Leitung GL kreuzen, können die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1, die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2, eine Mehrzahl von Datenleitungen DL und die Referenzleitung RL aufweisen.
Da die Signalleitungen Signale an die Mehrzahl von Subpixeln SP übertragen, sind Verzweigungsleitungen BL, die sich von den jeweiligen Signalleitungen erstrecken, notwendig. Die Verzweigungsleitungen BL können eine erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDBL1, die sich von der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 aus erstreckt, eine zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL2, die sich von der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 aus erstreckt, eine Datenverzweigungsleitung DBL, die sich von einer Datenleitung DL aus erstreckt, und eine erste und eine zweite Referenzverzweigungsleitung RBL1 und RBL2, die sich von der Referenzleitung RL aus erstrecken, aufweisen. Die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1 und die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL2 können in zugeordneter Weise mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 verbunden sein, um die Hoher-Pegel-Spannung an die Mehrzahl von Subpixeln SP anzulegen. Die Datenverzweigungsleitung DBL kann mit der Mehrzahl von Datenleitungen DL verbunden sein, um eine Datenspannung an die Mehrzahl von Subpixeln SP anzulegen, und die erste und zweite Referenzverzweigungsleitung RBL1 und RBL2 können mit der Referenzleitung RL verbunden sein, um eine Referenzspannung an die Mehrzahl von Subpixeln SP anzulegen.
Die Verzweigungsleitungen BL können integral mit den jeweiligen Signalleitungen, die elektrisch mit ihnen verbunden sind, ausgebildet sein und sich von ihnen aus erstrecken. In diesem Fall sind die Verzweigungsleitungen BL auf der gleichen Schicht angeordnet und sind aus dem gleichen Material hergestellt wie die Signalleitungen, die Verzweigungsleitungen BL können aus einem leitfähigen Material, wie zum Beispiel Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, sind aber nicht darauf beschränkt. Es ist zu verstehen, dass die Verzweigungsleitungen BL auf einer Schicht ausgebildet sein können, die von der der Signalleitungen verschieden ist, und damit durch Kontaktlöcher elektrisch verbunden sein können. Insbesondere, wie in 7 gezeigt, können die Verzweigungsleitungen BL aus dem gleichen Material auf der gleichen Schicht wie die Mehrzahl von aktiven Schichten 124, 134 und 144 gebildet sein und können manche leitfähige Bereiche haben. Das heißt, die Verzweigungsleitungen BL können eine Halbleiterschicht, wie zum Beispiel einen Oxidhalbleiter, amorphes Silizium und Polysilizium, aufweisen, sind aber nicht darauf beschränkt. Darüber hinaus können die Verzweigungsleitungen BL ferner eine Hilfsmetallschicht oder ein transparentes Oxid aufweisen, die auf bestimmten Bereichen der Halbleiterschicht angeordnet sind, um sie leitfähig zu machen. In diesem Fall kann die Hilfsmetallschicht aus einer lichtundurchlässigen Metallschicht, wie zum Beispiel Molybdän-Titan (MoTi), hergestellt sein, und die transparente Oxidschicht kann aus einem transparenten leitfähigen Material, wie zum Beispiel Zinn-Oxid (TO), Indium-Zinn-Oxid (ITO), Indium-Zink-Oxid (IZO) und Indium-Zinn-Zink-Oxid (ITZO), hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
Wenn die Verzweigungsleitung BL die Stapelstruktur aufweist, in der eine Halbleiterschicht und eine Hilfsmetallschicht in zumindest manchen Bereichen aufeinander gestapelt sind, kann ein Teil der Verzweigungsleitung BL, der sich mit dem Emission-Bereich EA überlappt, mit der Stapelstruktur angeordnet sein, in der nur die Halbleiterschicht leitfähig gemacht ist/wird, da die Verzweigungsleitung BL auf dem Emission-Bereich EA angeordnet sein/werden sollte. Wenn die Verzweigungsleitung BL die Stapelstruktur aus der Halbleiterschicht und der transparenten Oxidschicht in zumindest manchen Bereichen aufweist, hat die Verzweigungsleitung BL eine Transparenz in dem gesamten Bereich. Dementsprechend ist es durch ein Anordnen der Stapelstruktur aus der Halbleiterschicht und der transparenten Oxidschicht auf der Emissionsfläche EA möglich, die Verzweigungsleitung BL frei als eine leitfähige Leitung zu gestalten.
In Anbetracht des obigen ist/wird in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Form der ersten Referenzverzweigungsleitung RBL1 von den Verzweigungsleitungen BL so geändert, dass ein Reparaturbereich RPA der Referenzleitung RL an einer adäquaten Stelle angeordnet sein/werden kann. Die Referenzverzweigungsleitung RBL kann eine erste Referenzverzweigungsleitung RBL1 und eine zweite Referenzverzweigungsleitung RBL2 aufweisen. Die erste Referenzverzweigungsleitung RBL1 kann sich von der Referenzleitung RL aus erstrecken, um ein Referenzspannungssignal an das rote Subpixel SPR oder das grüne Subpixel SPG zu übertragen. Die zweite Referenzverzweigungsleitung RBL2 kann sich von der Referenzleitung RL aus erstrecken, um ein Referenzspannungssignal an das weiße Subpixel SPW oder das blaue Subpixel SPB zu übertragen. Da die Referenzleitung RL zwischen dem weißen Subpixel SPW und dem blauen Subpixel SPB angeordnet ist, muss sich die erste Referenzverzweigungsleitung RBL1 lang von der Referenzleitung RL her erstrecken. Da sich die erste Referenzverzweigungsleitung RBL1 erstreckt, um ein Signal an das rote Subpixel SPR zu übertragen, kann sie in einer C-Form auf der oberen Seite der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 angeordnet sein.
Darüber hinaus kann die Referenzverzweigungsleitung RBL einen Reparaturbereich RPA aufweisen, um die Referenzleitung RL zu unterbrechen, falls ein Defekt in einem Pixel auftritt. Der Reparaturbereich RPA kann hierin auch als ein Referenzleitungsreparaturbereich bezeichnet werden. Der Reparaturbereich RPA der Referenzverzweigungsleitung RBL kann im Nicht-Emission-Bereich NEA angeordnet sein, da ein Reparaturvorgang durchgeführt wird und eine Laserbearbeitung notwendig ist. Darüber hinaus kann der Reparaturbereich RPA der Referenzverzweigungsleitung RBL ein Volltonbereich sein. Insbesondere kann im Vorgang des Strukturierens der Referenzverzweigungsleitung RBL eine Halbtonmaske verwendet werden. Da die Halbtonmaske einen lichtblockierenden Abschnitt, einen lichttransmittierenden Abschnitt und einen halbdurchlässigen Abschnitt aufweisen kann, können ein Volltonbereich und ein Halbtonbereich in Abhängigkeit von den Bereichen gebildet sein/werden. Da der Reparaturvorgang für die Referenzverzweigungsleitung RBL im Volltonbereich durchgeführt werden muss, kann der Reparaturbereich RPA als ein Volltonbereich ausgebildet sein.
Der Reparaturbereich RPA der Referenzverzweigungsleitung RBL, der als der Volltonbereich ausgebildet ist, kann an dem C-förmigen Bereich auf der oberen Seite der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 angeordnet sein. Das heißt, der Reparaturbereich RPA der ersten Referenzverzweigungsleitung RBL1 kann zwischen der Signalleitung und dem Emission-Bereich EA angeordnet sein. Hierbei kann die Signalleitung die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 sein, und der Emission-Bereich EA kann der Bereich der ersten Elektrode sein, der nicht von der Bank BNK bedeckt ist/wird. Insbesondere kann sich der Reparaturbereich RPA der ersten Referenzverzweigungsleitung RBL1 auf einen Teil der ersten Referenzverzweigungsleitung RBL1 in der C-Form beziehen, der sich weder mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 noch mit dem Emission-Bereich EA überlappt. Bezugnehmend auf 7 kann der Teil der ersten Referenzverzweigungsleitung RBL1 in der C-Form, der sich nicht mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 überlappt, einen Teil der horizontalen Leitung auf der oberen Seite und einen Teil der horizontalen Leitung auf der unteren Seite in der C-Form aufweisen, bei Betrachtung von oben.
Dementsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 so angeordnet, dass der Reparaturvorgang an der Gate-Leitung GL stabil durchgeführt werden kann, ohne das Öffnungsverhältnis zu beeinträchtigen. Darüber hinaus kann die Anzeigevorrichtung 100 das Öffnungsverhältnis erhöhen, indem die erste Referenzverzweigungsleitung RBL1 in der C-Form angeordnet ist/wird und die Stelle/Lage des Reparaturbereichs RPA verändert ist/wird.
Gemäß einem Vergleichsbeispiel, wenn die Mehrzahl von Subpixeln rote Subpixel, weiße Subpixel, grüne Subpixel und blaue Subpixel aufweisen, haben die roten Subpixel, die weißen Subpixel, die blauen Subpixel und die grünen Subpixel alle die Emission-Bereiche und die Nicht-Emission-Bereiche, die in einer Richtung angeordnet sind, und daher haben sie eine ähnliche Struktur. Das heißt, die Subpixel gemäß dem Vergleichsbeispiel haben nicht die invertierte Anordnung zwischen dem Satz eines roten Subpixels und eines weißen Subpixels und einem Satz eines blauen Subpixels und eines grünen Subpixels in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Daher könnte sich gemäß dem Vergleichsbeispiel eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung, die von einer Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung verbunden ist, über das rote Subpixel, das weiße Subpixel, das blaue Subpixel und das grüne Subpixel hinweg erstrecken, und daher könnte eine Leitung, wie zum Beispiel eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung, als eine Bypass-Leitung für den Gate-Leitung-Reparaturvorgang arbeiten.
In letzter Zeit, um den Gestaltungsspielraum zu erhöhen, indem das Verhältnis zwischen dem Emission-Bereich und dem Nicht-Emission-Bereich in jedem Pixel eigestellt ist/wird, sind/werden das blaue Subpixel und das grüne Subpixel in Bezug auf das rote Subpixel und das weiße Subpixel in der y-Achse-Richtung invertiert. Insbesondere ist in dem roten Subpixel und dem weißen Subpixel der Emission-Bereich höher als der Nicht-Emission-Bereich in der y-Achse-Richtung angeordnet, während in dem blauen Subpixel und dem grünen Subpixel der Emission-Bereich niedriger als der Nicht-Emission-Bereich in der y-Achse-Richtung angeordnet ist. Dementsprechend kann eine Leitung, die sich in dem Nicht-Emission-Bereich horizontal erstreckt, wie zum Beispiel eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung, nicht alle der Mehrzahl von Subpixeln durchlaufen.
Dementsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 mit den Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL in einem Pixel verbunden und durchquert den Emission-Bereich EA, so dass ein Gate-Signal selbst während des Reparaturvorgangs an der Gate-Leitung GL stabil übertragen werden kann. Insbesondere, falls ein Defekt in einer Gate-Leitung GL auftritt, wird jede der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL in der Nähe der defekten Stelle mit der Gate-Leitung GL verschweißt, und die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL sind/werden in zugeordneter Weise an einem Ende und dem anderen Ende der ersten Reparaturbrückenleitung RPBL1 verschweißt, so dass die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein/werden kann.
Darüber hinaus, da die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 eine Stapelstruktur aufweist, bei der eine Hilfsmetallschicht oder eine transparente Oxidschicht auf einer Halbleiterschicht in manchen Bereichen gestapelt ist, ist/wird das Öffnungsverhältnis nicht verringert, selbst wenn sie die Emissionsfläche EA durchquert. Das heißt, wenn die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 die Stapelstruktur aus der Halbleiterschicht und der Hilfsmetallschicht in manchen Bereichen aufweist, ist/wird nur die Halbleiterschicht leitfähig gemacht und ist/wird auf dem Emission-Bereich EA angeordnet. Wenn die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 die Gestapelt-Struktur aus der Halbleiterschicht und der transparenten Oxidschicht in manchen Bereichen aufweist, hat die gesamte erste Reparaturbrückenleitung RBPL1 Transparenz, so dass von der emittierenden Schicht emittiertes Licht transmittiert werden kann wie es ist, selbst wenn sie an dem Emission-Bereich angeordnet ist.
Als nächstes wird ein Reparaturbereich einer Referenzverzweigungsleitung gemäß dem Vergleichsbeispiel beschrieben. Gemäß dem Vergleichsbeispiel hat die Referenzverzweigungsleitung eine L-Form, d.h. sie erstreckt sind in der x-Achse-Richtung von der Referenzleitung aus und ist in der vertikalen Richtung gebogen, um sich in der y-Achse-Richtung zu erstrecken, um ein Signal an jedes Subpixel zu übertragen. Der Reparaturbereich war/wurde in bestimmten Bereichen der Referenzverzweigungsleitung angeordnet, die sich in der y-Achse-Richtung erstrecken. Das heißt, der Reparaturvorgang wurde in manchen Bereichen der Referenzverzweigungsleitung durchgeführt, die sich in einer Richtung parallel zu den Signalleitungen, wie zum Beispiel der Referenzleitung, und senkrecht zur Gate-Leitung erstrecken. Wie früher erwähnt, ist der Reparaturbereich der Referenzverzweigungsleitung ein Volltonbereich, wohingegen bestimmte Bereiche der Referenzverzweigungsleitung, die unter der Gate-Leitung angeordnet sind, ein Halbtonbereich sind, da sie als eine aktive Schicht arbeiten müssen. Der Halbtonbereich, der auf der unteren Seite der Gate-Leitung angeordnet ist, muss mindestens eine bestimmte Länge haben für das Transistor-Ansteuern. Dementsprechend sollte der Reparaturbereich höher angeordnet sein als der Halbtonbereich, der eine solche Länge in der y-Achse-Richtung hat, und daher gibt es einen ineffizienten Raum im Nicht-Emission-Bereich, der ansonsten als der Emission-Bereich genutzt werden kann. Mit anderen Worten, die Fläche des Nicht-Emission-Bereichs ist/wird vergrößert und daher ist/wird das Öffnungsverhältnis verringert.
Dementsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die erste Referenzverzweigungsleitung RBL1 in einer C-Form anstelle der L-Form angeordnet, so dass sie sich mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 überlappt, und der Reparaturbereich RPA der Referenzverzweigungsleitung RBL ist vertikal angeordnet. Auf diese Weise kann das Öffnungsverhältnis vergrößert sein/werden. Das heißt, anstelle der ersten Referenzverzweigungsleitung RBL1, die sich in der x-Achse-Richtung erstreckt und die in der vertikalen Richtung gebogen ist, um sich in einer geraden Linie zu erstrecken, kann durch zusätzliches Bilden der C-förmigen Leitung, um die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 zu überlappen, der Reparaturbereich RPA zwischen der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und dem Emission-Bereich EA angeordnet sein. Dementsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung der Reparaturbereich RPA, der der Volltonbereich ist, auf der Seite des Emission-Bereichs EA angeordnet, selbst wenn der Halbtonbereich der ersten Referenzverzweigungsleitung RBL1, der niedriger als der existierende Reparaturbereich ist, in dem Emission-Bereich EA enthalten sein kann. Das heißt, der ineffiziente Raum aufgrund des existierenden Reparaturbereichs kann entfernt sein/werden und die offene Fläche kann vergrößert sein/werden, so dass das Öffnungsverhältnis verbessert sein/werden kann.
Als ein Ergebnis kann in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die Bypass-Leitung für die Gate-Leitung GL gebildet sein, um die offene Fläche durch die erste Reparaturbrückenleitung RPBL1 zu vergrößern, und das Öffnungsverhältnis kann durch Ändern der Position des Reparaturbereichs RPA der ersten Referenzverzweigungsleitung RBL1 effizient verbessert sein/werden. Zusätzlich kann in der Anzeigevorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die offene Fläche vergrößert sein/werden, so dass eine Biegung der Datenleitungen DL reduziert sein/werden kann, wodurch das Öffnungsverhältnis verbessert ist/wird.
8 ist eine vergrößerte Draufsicht einer Anzeigevorrichtung gemäß einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 9 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs C aus 8. 9 zeigt nur Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL, Datenleitungen DL, eine Referenzleitung RL, eine Gate-Leitung GL von einer Vielzahl von Elementen einer Anzeigevorrichtung 200 für die Einfachheit der Darstellung. Die Anzeigevorrichtung 200 gemäß der beispielhaften Ausführungsform aus 8 und 9 ist im Wesentlichen identisch zur Anzeigevorrichtung 100 aus 1 bis 7, mit Ausnahme eines ersten Transistors 220, eines zweiten Transistors 230, eines dritten Transistors 240, einer Verzweigungsleitung BL' und einer Referenzleitung RL'; und daher sind/werden die redundanten Beschreibungen weggelassen.
Unter Bezugnahme auf 8 ist der erste Transistor 220 im Nicht-Emission-Bereich NEA jedes des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG angeordnet. Der erste Transistor 220 weist eine erste Gate-Elektrode 221, eine erste Source-Elektrode 222, eine erste Drain-Elektrode 223 und eine erste aktive Schicht 224 auf. Der erste Transistor 220, der mit der ersten Elektrode des lichtemittierenden Elements 260 und der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL elektrisch verbunden ist, kann ein Treibertransistor DT sein.
Zunächst kann die erste Drain-Elektrode 223 auf der Pufferschicht 111 angeordnet sein. Die erste Drain-Elektrode 223 ist mit der Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL elektrisch verbunden. Insbesondere kann die erste Drain-Elektrode 123 mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 oder der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 durch ein in der Pufferschicht ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein, oder die erste Drain-Elektrode 123 kann integral mit einer Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL' ausgebildet sein. Insbesondere, wie in 8 gezeigt, kann die erste Drain-Elektrode 123 jedes des roten Subpixels SPR und des weißen Subpixels SPW integral mit einer ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1 ausgebildet sein, die sich von der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 aus erstreckt, und die erste Drain-Elektrode 123 jedes des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG kann integral mit einer zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL2 ausgebildet sein, die sich von der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 aus erstreckt.
Die erste aktive Schicht 224 kann auf der Pufferschicht 111 angeordnet sein. Die erste aktive Schicht 224 kann aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium und Polysilizium, gebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel, wenn die erste aktive Schicht 224 aus einem Oxid-Halbleiter gebildet ist, kann die erste aktive Schicht 224 einen Kanal-Bereich, einen Source-Bereich und einen Drain-Bereich aufweisen, und der Source-Bereich und der Drain-Bereich können gebildet sein/werden, indem das in der ersten aktiven Schicht 224 enthaltene Material leitfähig gemacht ist/wird.
Die erste Drain-Elektrode 223 des roten Subpixels SPR und die erste Drain-Elektrode 223 des weißen Subpixels SPW können integral ausgebildet sein. Die erste Drain-Elektrode 223 des blauen Subpixels SPB und die erste Drain-Elektrode 123 des grünen Subpixels SPG können integral ausgebildet sein. Insbesondere können die erste Drain-Elektrode 223 in dem roten Subpixel SPR und die erste Drain-Elektrode 223 in dem weißen Subpixel SPW integral ausgebildet sein, um sich eine erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 zu teilen. Zum Beispiel kann das Versorgungsspannungssignal von der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 an die erste Drain-Elektrode 223 des weißen Subpixels SPW durch die erste Drain-Elektrode 223 des roten Subpixels SPR übertragen werden. Das Versorgungsspannungssignal von der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 kann an die erste Drain-Elektrode 223 des blauen Subpixels SPB durch die erste Drain-Elektrode 223 des grünen Subpixels SPG übertragen werden. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung darauf nicht beschränkt ist. Die erste Drain-Elektrode 223 im roten Subpixel SPR und die erste Drain-Elektrode 223 im weißen Subpixel SPW können separat gebildet sein, und die erste Drain-Elektrode 223 im blauen Subpixel SPB und die erste Drain-Elektrode 223 im grünen Subpixel SPG können ebenfalls separat gebildet sein.
Die erste Gate-Elektrode 221 kann auf dem Gate-Isolator so angeordnet sein, dass sie sich mit der ersten aktiven Schicht 224 in jedem des roten Subpixels SPR, des weißen Subpixels SPW, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG überlappt. Die erste Gate-Elektrode 221 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die erste Source-Elektrode 221, die im Abstand von der ersten Gate-Elektrode 222 angeordnet ist, ist auf dem Gate-Isolator 112 in jedem des roten Subpixels SPR, des blauen Subpixels SPB und des grünen Subpixels SPG angeordnet. Die erste Source-Elektrode 222 kann mit der ersten aktiven Schicht 224 durch ein im Gate-Isolator ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Die erste Source-Elektrode 222 kann auf der gleichen Schicht wie die erste Gate-Elektrode 221 angeordnet sein und kann aus dem gleichen Material hergestellt sein, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Die erste Source-Elektrode 222 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. aus Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Der zweite Transistor 230 ist in dem Nicht-Emission-Bereich NEA jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Der zweite Transistor 230 weist eine zweite Gate-Elektrode 231, eine zweite Source-Elektrode 232, eine zweite Drain-Elektrode 233 und eine zweite aktive Schicht 234 auf. Der zweite Transistor 230, der mit der Gate-Leitung GL, der Datenleitung DL und der ersten Gate-Elektrode 220 des ersten Transistors 221 elektrisch verbunden ist, kann ein Schalttransistor SWT sein.
Zunächst kann die zweite Drain-Elektrode 233 zwischen dem Substrat 110 und der Pufferschicht 111 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die zweite Drain-Elektrode 233 ist mit einer der Mehrzahl von Datenleitungen DL elektrisch verbunden. Die zweite Drain-Elektrode 233 kann integral mit der Mehrzahl von Datenleitungen DL ausgebildet sein und kann aus dem gleichen Material wie die Mehrzahl von Datenleitungen DL hergestellt sein. Es sollte jedoch verstanden werden, dass die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist. Wie in 8 gezeigt, kann die zweite Drain-Elektrode 233 aus einer Mehrzahl von Datenleitungen DL und Datenverzweigungsleitungen DBL gebildet sein, die durch Kontaktlöcher verbunden sind, und kann auf derselben Schicht angeordnet und aus dem gleichen Material wie die erste Drain-Elektrode 223 hergestellt sein. Insbesondere kann die zweite Drain-Elektrode 233 aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die zweite Source-Elektrode 233, die im Abstand von der zweiten Drain-Elektrode 232 angeordnet ist, ist in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Die zweite Source-Elektrode 232 kann der gleiche Knoten wie die Gate-Elektrode 220 des ersten Transistors 221 sein. Die zweite Source-Elektrode 232 kann als die gleiche Schicht wie die erste Gate-Elektrode 221 oder als die gleiche Schicht wie die zweite Drain-Elektrode 233 definiert sein. Wie in 8 gezeigt, wenn die zweite Source-Elektrode 232 die gleiche Schicht wie die erste Gate-Elektrode 221 ist, kann die zweite Source-Elektrode 232 aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die zweite aktive Schicht 234 kann auf der Pufferschicht 111 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die zweite aktive Schicht 234 kann mit der zweiten Source-Elektrode 232 und der zweiten Drain-Elektrode 233 elektrisch verbunden sein. Die zweite aktive Schicht 234 kann aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium und Polysilizium, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die zweite Gate-Elektrode 231 kann auf dem Gate-Isolator 112 so angeordnet sein, dass sie die zweite aktive Schicht 234 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP überlappt. Die zweite Gate-Elektrode 231 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die zweite Gate-Elektrode 231 kann die Gate-Leitung GL sein. Das heißt, ein Teil der Gate-Leitung GL kann als die zweite Gate-Elektrode 231 arbeiten. Die Gate-Leitung GL kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die Gate-Leitung GL überträgt ein Gate-Signal an jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP und erstreckt sich über die Mehrzahl von Subpixeln SP in der Zeilenrichtung hinweg. Zum Beispiel kann sich die Gate-Leitung GL in der Zeilenrichtung zwischen dem Nicht-Emission-Bereich NEA und dem Emission-Bereich EA jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP erstrecken und kann die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL, die Datenleitungen DL und die Referenzleitung RL, die sich in der Spaltenrichtung erstrecken, kreuzen.
Der dritte Transistor 240 ist in dem Nicht-Emission-Bereich NEA jedes der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Der dritte Transistor 240 weist eine dritte Gate-Elektrode 241, eine dritte Source-Elektrode 242, eine dritte Drain-Elektrode 243 und eine dritte aktive Schicht 244 auf. Der dritte Transistor 240, der mit der Referenzleitung RL, der Gate-Leitung GL und der zweiten Kondensatorelektrode 152 des Speicherkondensators 150 elektrisch verbunden ist, kann ein Erfassungstransistor SET sein.
Zunächst kann die dritte Source-Elektrode 242 zwischen dem Substrat 110 und der Pufferschicht 111 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die dritte Source-Elektrode 242 kann auf der gleichen Schicht angeordnet sein wie die Mehrzahl von Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL, die Mehrzahl von Datenleitungen DL und die Referenzleitung RL und kann aus dem gleichen Material hergestellt sein. Die dritte Source-Elektrode 242 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die dritte Source-Elektrode 242 kann als eine lichtblockierende Schicht arbeiten, die auf die erste aktive Schicht 224 des ersten Transistors 220 einfallendes Licht blockiert. Zum Beispiel, falls Licht auf die erste aktive Schicht 224 eingestrahlt wird, kann ein Leckstrom erzeugt werden, wodurch die Zuverlässigkeit des ersten Transistors 220 verringert ist/wird. Die dritte Source-Elektrode 242, die aus einem undurchsichtigen leitfähigen Material hergestellt ist, ist unter der ersten aktiven Schicht 224 und der ersten Gate-Elektrode 221 angeordnet und kann das von unterhalb des Substrats 110 auf die erste aktive Schicht 224 einfallende Licht blockieren. Auf diese Weise kann die Zuverlässigkeit des ersten Transistors 220 verbessert sein/werden.
Die dritte aktive Schicht 244 kann auf der Pufferschicht 111 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet sein. Die dritte aktive Schicht 244 kann mit der dritten Source-Elektrode 242 durch ein in der Pufferschicht 111 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Die dritte aktive Schicht 244 kann aus einem Halbleitermaterial, wie zum Beispiel einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium und Polysilizium, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die dritte Gate-Elektrode 241 kann auf dem Gate-Isolator 112 so angeordnet sein, dass sie die dritte aktive Schicht 244 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP überlappt. Die dritte Gate-Elektrode 241 kann die Gate-Leitung GL sein. Das heißt, ein Teil der Gate-Leitung GL kann als die dritte Gate-Elektrode 241 arbeiten. Die dritte Gate-Elektrode 241 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Die dritte Drain-Elektrode 243 ist auf dem Gate-Isolator 112 in jedem der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet. Die dritte Drain-Elektrode 243 kann mit der dritten aktiven Schicht 244 durch ein im Gate-Isolator 112 ausgebildetes Kontaktloch elektrisch verbunden sein. Die dritte Drain-Elektrode 243 kann integral mit der Referenzverzweigungsleitung RBL' ausgebildet sein, die mit der Referenzleitung RL' durch ein Kontaktloch verbunden ist, und kann auf der gleichen Schicht angeordnet und aus dem gleichen Material hergestellt sein wie die dritte Gate-Elektrode 241. Das heißt, die dritte Drain-Elektrode 143 kann aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein.
Als nächstes wird eine zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 unter Bezugnahme auf 8 und 9 beschrieben.
Wie oben beschrieben, falls ein Defekt in einer Gate-Leitung GL auftritt, z.B. die Gate-Leitung GL offen ist, kann ein Reparaturvorgang an der Gate-Leitung GL durchgeführt werden, um die beiden Seiten der Stelle, an der der Defekt aufgetreten ist, abzutrennen. Nachdem der Reparaturvorgang an der Gate-Leitung GL durchgeführt ist/wurde und die Gate-Leitung GL unterbrochen ist/wurde, ist es erforderlich, ein Gate-Signal an das nächste Pixel PX des defekten Pixels PX zu übertragen. Daher ist eine Bypass-Leitung für die Gate-Leitung GL erforderlich.
In Anbetracht des obigen weist die Anzeigevorrichtung 200 gemäß der beispielhaften Ausführungsform eine Reparaturbrückenleitung RPBL auf, die als eine Bypass-Leitung zum Übertragen eines Gate-Signals arbeitet, wie es für den Reparaturvorgang der Gate-Leitung GL notwendig ist. Da die Reparaturbrückenleitung RPBL als eine Bypass-Leitung zum Übertragen eines Gate-Signals arbeiten muss, kann sie mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein. Es sollte angemerkt werden, dass die Reparaturbrückenleitung RPBL mit den Signalleitungen, wie zum Beispiel den Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL und den Referenzleitungen RL, verbunden sein kann und auf einer anderen Schicht als die Gate-Leitung GL ausgebildet sein kann.
Darüber hinaus ist die Reparaturbrückenleitung RPBL vor dem Reparaturvorgang mit der Gate-Leitung GL nicht elektrisch verbunden, kann aber nach dem Reparaturvorgang mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein. Das heißt, nachdem der Schweißvorgang, der in dem Reparaturvorgang enthalten ist, ausgeführt wurde, kann die Reparaturbrückenleitung RPBL mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein, um das Signal zu übertragen.
Insbesondere weist die Anzeigevorrichtung 200 gemäß der beispielhaften Ausführungsform eine zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 auf, die ein Beispiel der Reparaturbrückenleitung RPBL ist.
Die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 kann von der Referenzleitung RL' abzweigen. Insbesondere kann die Referenzleitung RL' eine Hauptreferenzleitung RLm, die als eine existierende Referenzleitung zum Übertragen einer Referenzspannung arbeiten kann, und die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 aufweisen. Die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 muss mit der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL elektrisch verbunden sein, da sie als eine Bypass-Leitung für das Gate-Signal durch die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL arbeiten muss. Dementsprechend kann sich ein Ende der zweiten Reparaturbrückenleitung RPBL2 mit einer ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1' überlappen, die sich von der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 erstreckt, und das andere Ende davon kann sich mit einer zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL2 überlappen, die sich von der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 erstreckt. Darüber hinaus, da die zweite Reparaturbrückenleitung PRBL2 von der im Nicht-Emission-Bereich NEA angeordneten Referenzleitung RL' abzweigt, überlappt sie sich nicht mit dem Emission-Bereich EA.
Da die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 von der Referenzleitung RL' abzweigt, kann sie aus dem gleichen Material auf der gleichen Schicht wie die Referenzleitung RL' gebildet sein. Das heißt, die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 kann auf der gleichen Schicht angeordnet sein und kann aus dem gleichen Material gebildet sein wie die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL und die Mehrzahl von Datenleitungen DL. Insbesondere kann die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 aus einem leitfähigen Material, z.B. Kupfer (Cu), Aluminium (Al), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, hergestellt sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
Darüber hinaus, unter Bezugnahme auf 9, kann die Anzeigevorrichtung 200 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung Schweißstellen W zum Durchführen eines Reparaturvorgangs aufweisen. Die Schweißstellen W können eine fünfte Schweißstelle W5, eine sechste Schweißstelle W6, eine siebte Schweißstelle W7 und eine achte Schweißstelle W8 aufweisen. An der fünften Schweißstelle W5 können die Gate-Leitung GL und die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 einander überlappen. An der achten Schweißstelle W8 können die Gate-Leitung GL und die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 einander überlappen. An der sechsten Schweißstelle W6 können die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1' und die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 einander überlappen. An der siebten Schweißstelle W7 können die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDL2' und die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 einander überlappen.
Die sechste Schweißstelle W6 wird als ein Beispiel beschrieben. Nachdem der Reparaturvorgang mittels Laser durchgeführt ist/wurde, sind die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1' und die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 miteinander elektrisch verbunden. Das heißt, durch Bestrahlen der sechsten Schweißstelle W6 mit Laser ist/wird eine Pufferschicht zwischen der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1' und der zweiten Reparaturbrückenleitung RPBL2 teilweise entfernt, so dass die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDL1' mit der zweiten Reparaturbrückenleitung RPBL2 in Kontakt ist. Der an der sechsten Schweißstelle W6 durchgeführte Schweißvorgang kann im Wesentlichen gleichermaßen auf die fünfte Schweißstelle W5, die siebte Schweißstelle W7 und die achte Schweißstelle W8 angewendet werden.
Das heißt, an der fünften Schweißstelle W5 und der achten Schweißstelle W8 können die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL1 und die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL2 mittels des Schweißvorgang in zugeordneter Weise mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein/werden. An der sechsten Schweißstelle W6 und der siebten Schweißstelle W7 können die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1' und die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL2' in zugeordneter Weise mittels des Schweißvorgangs mit der zweiten Reparaturbrückenleitung RPBL2 elektrisch verbunden sein/werden.
Als ein Ergebnis, falls ein Defekt in einer Gate-Leitung GL auftritt, die in der Mehrzahl von Subpixeln SP angeordnet ist, können die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL und die Gate-Leitung GL in der Nähe der defekten Stelle verschweißt sein/werden, und die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitungen VDDBL', die sich von den Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL und der zweiten Reparaturbrückenleitung RPBL2 aus erstrecken, können verschweißt sein/werden. Zusätzlich kann durch Abtrennen eines Teils des oberen und des unteren Abschnitts der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung VDDL, die dem Schweißvorgang unterzogen wird, wie in 9 dargestellt, die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 die Bypass-Leitung zum Übertragen eines Gate-Signals werden. Das heißt, unter Bezugnahme auf die Leitung, die die Übertragung eines Gate-Signals Gate in 9 angibt, selbst wenn das von der Gate-Leitung GL übertragene Gate-Signal an der Stelle, an der der Defekt auftritt, unterbrochen ist/wird, kann das Gate-Signal an die erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL1' durch die fünfte Schweißstelle W5 übertragen werden, kann das Gate-Signal kann an die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 durch die sechste Schweißstelle W6 übertragen werden, kann das Gate-Signal an die zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL2' durch die siebte Schweißstelle W7 übertragen werden und kann das Gate-Signal an die Gate-Leitung GL des nächsten Pixels durch die achte Schweißstelle W8 übertragen werden.
Dementsprechend ist in der Anzeigevorrichtung 200 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 so angeordnet, dass der Reparaturvorgang an der Gate-Leitung GL stabil durchgeführt werden kann, ohne das Öffnungsverhältnis zu beeinträchtigen.
Wie oben beschrieben, obwohl es eine Bypass-Leitung für ein Gate-Signal gab, die für einen Gate-Leitung-Reparaturvorgang gemäß dem Vergleichsbeispiel notwendig ist, kann eine solche Bypass-Leitung in der jüngsten invertierten Anordnung zwischen einem Satz eines blauen Subpixels und eines grünen Subpixels und einem Satz eines roten Subpixels und eines weißen Subpixels nicht verwendet werden. Insbesondere ist in dem roten Subpixel und dem weißen Subpixel der Emission-Bereich höher angeordnet als der Nicht-Emission-Bereich in der y-Achse-Richtung, während in dem blauen Subpixel und dem grünen Subpixel der Emission-Bereich niedriger angeordnet ist als der Nicht-Emission-Bereich in der y-Achse-Richtung. Dementsprechend kann eine Leitung, die sich horizontal in dem Nicht-Emission-Bereich erstreckt und als eine Bypass-Leitung für ein Gate-Signal arbeitet, wie zum Beispiel eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung, nicht alle der Mehrzahl von Subpixeln durchlaufen.
In Anbetracht des obigen zweigt in der Anzeigevorrichtung 200 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 von der Referenzleitung RL' ab und überlappt sich mit der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung VDDBL' im Pixel, so dass ein Gate-Signal selbst während des Reparaturvorgangs an der Gate-Leitung GL stabil übertragen werden kann. Insbesondere, falls ein Defekt in einer Gate-Leitung auftritt, ist/wird jede der Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL in der Nähe der defekten Stelle mit der Gate-Leitung GL verschweißt, und die Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitungen VDDBL', die sich von den Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitungen VDDL aus erstrecken, sind/werden an einem Ende und dem anderen Ende der zweiten Reparaturbrückenleitung RPBL2 in zugeordneter Weise verschweißt, so dass die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 mit der Gate-Leitung GL elektrisch verbunden sein kann.
Darüber hinaus wurde die Referenzleitung RL' im Nicht-Emission-Bereich NEA zwischen dem weißen Subpixel SPW und dem blauen Subpixel SPB angeordnet, und die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 zweigt von der Referenzleitung RL' ab, und daher verringert die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 das Öffnungsverhältnis nicht. Das heißt, obwohl die zweite Reparaturbrückenleitung RPBL2 hinzugefügt ist/wird, vergrößert sich die Fläche der im Nicht-Emission-Bereich NEA existierenden Leitungen nicht, und daher ist/wird die offene Fläche nicht verringert.
Als ein Ergebnis ist es in der Anzeigevorrichtung 200 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung möglich, eine Bypass-Leitung für eine Gate-Leitung GL effizient zu bilden, um ein Gate-Signal mit Hilfe der zweiten Reparaturbrückenleitung RPBL2 zu übertragen, ohne das Öffnungsverhältnis zu beeinträchtigen.
Beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Die Anzeigevorrichtung weist ein Substrat auf mit einer Mehrzahl von darauf definierten Subpixeln, wobei jedes der Mehrzahl von Subpixeln einen Emission-Bereich und einen Nicht-Emission-Bereich aufweist. Die Anzeigevorrichtung weist ferner mindestens eine Gate-Leitung auf, die in dem Nicht-Emission-Bereich angeordnet ist und die sich in einer Richtung erstreckt. Die Anzeigevorrichtung weist ferner mindestens eine Signalleitung auf, welche in dem Nicht-Emission-Bereich angeordnet ist und welche die mindestens eine Gate-Leitung kreuzt. Die Anzeigevorrichtung weist ferner mindestens eine Reparaturbrückenleitung auf, die mit der mindestens einen Signalleitung verbunden ist. Die Mehrzahl von Subpixeln weisen ein rotes Subpixel, ein weißes Subpixel, ein grünes Subpixel und ein blaues Subpixel auf. Eine Struktur des grünen Subpixels und des blauen Subpixels ist in Bezug auf eine Struktur des roten Subpixels und des weißen Subpixels invertiert. Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung ist in einer Schicht ausgebildet, die sich von einer Schicht der mindestens einen Gate-Leitung unterscheidet.
Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung kann mit der mindestens einen Gate-Leitung elektrisch verbunden sein
Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung kann so verschweißt sein/werden, dass sie mit der mindestens einen Gate-Leitung elektrisch verbunden ist/wird. Mit anderen Worten, die mindestens eine Reparaturbrückenleitung kann über Schweißen mit der mindestens einen Gate-Leitung elektrisch verbunden sein/werden. Mit anderen Worten, die mindestens eine Reparaturbrückenleitung kann eine Schweißverbindung aufweisen, um mit der mindestens einen Gate-Leitung elektrisch verbunden zu sein/werden.
Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung kann über das rote Subpixel, das weiße Subpixel, das grüne Subpixel und das blaue Subpixel hinweg angeordnet sein.
Die mindestens eine Signalleitung kann mindestens eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung aufweisen, die im Nicht-Emission-Bereich angeordnet ist. Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung kann mit der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung elektrisch verbunden sein, die angrenzend daran ist.
Die mindestens eine Signalleitung kann mindestens eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung, mindestens eine Datenleitung und mindestens eine Referenzleitung aufweisen.
Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung kann mit der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung verbunden sein und den Emission-Bereich jedes der Mehrzahl von Subpixel durchqueren.
Mindestens ein Bereich der mindestens einen Reparaturbrückenleitung kann eine Stapelstruktur aus einer Halbleiterschicht und einer Hilfsmetallschicht aufweisen.
Nur die Halbleiterschicht der Stapelstruktur der mindestens einen Reparaturbrückenleitung kann leitfähig gemacht und wo sie sich mit dem Emission-Bereich überlappt angeordnet sein/werden.
Mindestens ein Bereich der mindestens einen Reparaturbrückenleitung kann eine Stapelstruktur aus einer Halbleiterschicht und einer transparenten Oxidschicht aufweisen.
Die Anzeigevorrichtung kann ferner mindestens eine Referenzverzweigungsleitung aufweisen, die mit der mindestens einen Referenzleitung zum Anlegen einer Referenzspannung an die Mehrzahl von Subpixeln verbunden ist. Die mindestens eine Referenzverzweigungsleitung kann einen Referenzleitungsreparaturbereich aufweisen. Der Referenzleitungsreparaturbereich kann zwischen der mindestens einen Signalleitung und dem Emission-Bereich angeordnet sein.
Die mindestens eine Referenzverzweigungsleitung kann in einer C-Form auf einer oberen Seite der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung angeordnet sein.
Der Referenzleitungsreparaturbereich kann ein Teil der C-Form sein, der sich weder mit der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung noch mit dem Emission-Bereich überlappt.
Der Referenzleitungsreparaturbereich kann ein Volltonbereich sein.
Die mindestens eine Reparaturbrückenleitung kann von der mindestens einen Referenzleitung abzweigen.
Die Anzeigevorrichtung kann ferner eine erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung und eine zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung aufweisen, die sich von der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung erstrecken. Enden der mindestens einen Reparaturbrückenleitung können sich in zugeordneter Weise mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung und der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung überlappen.
Es sollte verstanden werden, dass die oben beschriebenen beispielhaften Ausführungsformen in allen Aspekten erläuternd sind und die vorliegende Offenbarung nicht einschränken. Der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung sollte basierend auf den folgenden Ansprüchen ausgelegt werden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

KR 1020210194525 [0001]

Claims

Anzeigevorrichtung (100, 200), welche aufweist: ein Substrat (110) mit einer Mehrzahl von darauf definierten Subpixeln (SP), wobei jedes der Mehrzahl von Subpixeln (SP) einen Emission-Bereich (EA) und einen Nicht-Emission-Bereich (NEA) aufweist; mindestens eine Gate-Leitung (GL), die in dem Nicht-Emission-Bereich (NEA) angeordnet ist und die sich in einer Richtung erstreckt; mindestens eine Signalleitung, die in dem Nicht-Emission-Bereich (NEA) angeordnet ist und die die mindestens eine Gate-Leitung (GL) kreuzt; mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL), die die mindestens eine Signalleitung mit mindestens einem der Subpixel verbindet; und mindestens eine Schweißstelle, wobei an jeder davon eine Signalleitung und eine Reparaturbrückenleitung einander überlappen, und wobei die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) in einer Schicht ausgebildet ist, die sich von einer Schicht der mindestens einen Gate-Leitung (GL) unterscheidet.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 1, wobei die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) die mindestens eine Gate-Leitung (GL) mit dem mindestens einen der Subpixel (SP) elektrisch verbindet.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 2, wobei die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) so geschweißt ist, dass sie mit der mindestens einen Gate-Leitung (GL) elektrisch verbunden ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 2 oder 3, wobei die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) über ein rotes Subpixel (SPR), ein weißes Subpixel (SPW), ein grünes Subpixel (SPG) und ein blaues Subpixel (SPB) der Mehrzahl von Subpixeln (SP) hinweg angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 4, wobei die mindestens eine Signalleitung mindestens eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung (VDDL) aufweist, die in dem Nicht-Emission-Bereich (NEA) angeordnet ist, und wobei die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) mit der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung (VDDL), die daran angrenzend ist, elektrisch verbunden ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die mindestens eine Signalleitung mindestens eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung (VDDL), mindestens eine Datenleitung (DL) und mindestens eine Referenzleitung (RL, RL') aufweist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 6, wobei die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) die mindestens eine Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung (VDDL) mit dem mindestens einen der Subpixel (SP) verbindet.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 7, wobei mindestens ein Bereich der mindestens einen Reparaturbrückenleitung (RPBL) eine Stapelstruktur aus einer Halbleiterschicht und einer Hilfsmetallschicht aufweist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 8, wobei in einem Bereich, in dem die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) den Emission-Bereich (EA) überlappt, die Hilfsmetallschicht von der Stapelstruktur der mindestens einen Reparaturbrückenleitung (RPBL) weggelassen ist und die Halbleiterschicht in dem besagten Bereich leitfähig gemacht wurde.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 7, wobei mindestens ein Bereich der mindestens einen Reparaturbrückenleitung (RPBL) eine Stapelstruktur aus einer Halbleiterschicht und einer transparenten Oxidschicht aufweist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß irgendeinem der Ansprüche 6 bis 10, welche ferner aufweist: mindestens eine Referenzverzweigungsleitung (RBL), die mit der mindestens einen Referenzleitung (RL, RL') zum Anlegen einer Referenzspannung (Vref) an die Mehrzahl von Subpixeln (SP) verbunden ist, wobei die mindestens eine Referenzverzweigungsleitung (RBL) einen Referenzleitungsreparaturbereich (RPA) aufweist, und wobei der Referenzleitungsreparaturbereich (RPA) zwischen der mindestens einen Signalleitung und dem Emission-Bereich (EA) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 11, wobei die mindestens eine Referenzverzweigungsleitung (RBL) in einer C-Form auf einer oberen Seite der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung (VDDL) angeordnet ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 12, wobei der Referenzleitungsreparaturbereich (RPA) ein Teil der C-Form ist, der sich weder mit der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung (VDDL) noch mit dem Emission-Bereich (EA) überlappt.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 12 oder 13, wobei der Referenzleitungsreparaturbereich (RPA) ein Volltonbereich ist.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß irgendeinem der Ansprüche 6 bis 14, wobei die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) von der mindestens einen Referenzleitung (RL, RL') abzweigt.
Anzeigevorrichtung (100, 200) gemäß Anspruch 15, welche ferner aufweist: eine erste Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung (VDDBL1, VDDBL1') und eine zweite Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung (VDDBL2, VDDBL2'), die sich von der mindestens einen Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Leitung (VDDL) erstrecken, wobei sich Enden der mindestens einen Reparaturbrückenleitung (RPBL) mit der ersten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung (VDDBL1, VDDBL1') und der zweiten Hoher-Pegel-Versorgungsspannung-Verzweigungsleitung (VDDBL2, VDDBL2') in zugeordneter Weise überlappen.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Mehrzahl von Subpixeln (SP) ein rotes Subpixel (SPR), ein weißes Subpixel (SPW), ein grünes Subpixel (SPG) und ein blaues Subpixel (SPB) aufweisen.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 17, wobei eine Struktur des grünen Subpixels (SPG) und des blauen Subpixels (SPB) in Bezug auf eine Struktur des roten Subpixels (SPR) und des weißen Subpixels (SPW) invertiert ist.
Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die mindestens eine Signalleitung und die mindestens eine Reparaturbrückenleitung (RPBL) durch Bestrahlen der Schweißstelle mit einem Laser elektrisch verbunden sind.