DE102018124684A1

DE102018124684A1 - Anzeigevorrichtung

Info

Publication number: DE102018124684A1
Application number: DE102018124684.6A
Authority: DE
Inventors: Geondo PARK
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2017-10-16
Filing date: 2018-10-08
Publication date: 2019-04-18
Anticipated expiration: 2038-10-09
Also published as: JP2019075370A; DE102018124684B4; JP6683788B2; TW201917881A; US10854842B2; KR20190042361A; CN109728034B; KR102417452B1; TWI674672B; US20190115563A1; CN109728034A

Abstract

Eine Anzeigevorrichtung zum Verhindern einer Beschädigung eines Elektrodenkontaktabschnitts (CC) ist offenbart. Die Anzeigevorrichtung weist eine Anzeigeeinheit (AA), auf der eine organische Leuchtdiode (OLED) mit einer ersten Elektrode (ANO), einer organischen Schicht (OLE) und einer zweiten Elektrode (CAT) angeordnet ist, und eine Nicht-Anzeigeeinheit (NA), die außerhalb der Anzeigeeinheit (AA) angeordnet ist, auf. Die Nicht-Anzeigeeinheit (NA) weist einen Elektrodenkontaktabschnitt (CC), bei dem die zweite Elektrode (CAT) und eine Niedrigpotential-Spannungsleitung (VSSL) durch mindestens eine Verbindungsstruktur miteinander verbunden sind, auf. Der Elektrodenkontaktabschnitt (CC) weist eine Passivierungsschicht (PAS) mit einer Vielzahl von Passivierungslöchern (PACH), die die mindestens eine Verbindungsstruktur freilegen, und eine Überzugsschicht (OC) mit einem Überzugsloch (OCH), die die Passivierungsschicht freilegt (PAS), auf.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Anzeigevorrichtung zum Verhindern einer Beschädigung eines Elektrodenkontaktabschnitts, die sich aus einem Widerstand ergibt.
Diskussion der bezogenen Technik
Mit der Entwicklung der Informationsgesellschaft steigen die Anforderungen an Anzeigevorrichtungen, die ein Bild anzeigen, auf unterschiedliche Weise. Auf einem Gebiet der Anzeigevorrichtungen wurde eine große Kathodenstrahlröhre (CRT) schnell durch eine Flachbildschirmanzeige (FPD) mit den Vorteilen eines dünnen Profils, eines geringen Gewichts und eines großen Bildschirms ersetzt. Beispiele der Flachbildschirmanzeige umfassen eine Flüssigkristallanzeige (LCD), eine Plasmaanzeigepanel (PDP), eine organische Leuchtdiode (OLED)-Anzeige und eine Elektrophoreseanzeige (EPD).
Eine OLED-Anzeige umfasst selbstemittierende Elemente, die in der Lage sind, Licht selbst zu emittieren, und hat die Vorteile einer schnellen Antwortzeit, einer hohen Emissionseffizienz, einer hohen Leuchtdichte und eines weiten Betrachtungswinkels. Insbesondere kann das OLED-Display auf einem flexiblen Kunststoffsubstrat hergestellt werden. Darüber hinaus hat die OLED-Anzeige im Vergleich zu einer Plasmaanzeigepanel oder einer anorganischen Elektrolumineszenzanzeige die Vorteile einer niedrigeren Ansteuerspannung, eines geringeren Energieverbrauchs und eines besseren Farbtons.
Die OLED-Anzeige enthält eine erste Elektrode als eine Anode, eine organische Schicht als ein lichtemittierendes Element und eine zweite Elektrode als eine Kathode. Eine Spannung mit hohem Potential wird an die erste Elektrode angelegt, und eine Spannung mit niedrigem Potential wird an die zweite Elektrode angelegt. Ein Ansteuerstrom fließt zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode, und die organische Schicht emittiert Licht durch den Ansteuerstrom. Eine Vielzahl von Signal-Leitungen des gleichen Typs oder unterschiedlichen Typs oder eine Vielzahl von Elektroden des gleichen Typs oder unterschiedlichen Typs stehen miteinander in Kontakt und sind verbunden, um dadurch die OLED-Anzeige anzusteuern. Wenn jedoch die Signal-Leitungen oder die Elektroden verschiedener Typen miteinander in Kontakt stehen, steigt die Temperatur in Abhängigkeit von einem Widerstand eines Kontaktabschnitts. Wenn die Temperatur größer oder gleich einem kritischen Wert wird, wird der Kontaktabschnitt beschädigt.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Die vorliegende Offenbarung stellt eine Anzeigevorrichtung bereit, die eine durch einen Widerstand verursachte Beschädigung eines Elektrodenkontaktabschnitts verhindern kann.
Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. In einem Aspekt wird eine Anzeigevorrichtung bereitgestellt, die eine Anzeigeeinheit aufweist, auf der eine organische Leuchtdiode mit einer ersten Elektrode, einer organischen Schicht und einer zweiten Elektrode angeordnet ist, und eine außerhalb der Anzeigeeinheit angeordnete Nicht-Anzeigeeinheit aufweist, wobei die Nicht-Anzeigeeinheit einen Elektrodenkontaktabschnitt aufweist, in dem die zweite Elektrode und eine Niedrigpotential-Spannungsleitung durch mindestens eine Verbindungsstruktur miteinander verbunden sind, wobei der Elektrodenkontaktabschnitt eine Passivierungsschicht aufweist, die eine Vielzahl von Passivierungslöchern aufweist, die mindestens einen Abschnitt der mindestens einen Verbindungsstruktur freilegen, und eine Überzugsschicht mit einem Überzugsloch aufweist, das die Passivierungsschicht freilegt.
Ein gesamter Umfang der Vielzahl von Passivierungslöchern kann länger als ein Umfang des Überzugslochs sein.
Eine Fläche von geneigten Abschnitten der Vielzahl von Passivierungslöchern kann größer sein als eine Fläche eines geneigten Abschnitts des Überzugslochs.
Die Vielzahl von Passivierungslöchern können innerhalb des Überzugslochs angeordnet sein.
Die Anzeigevorrichtung (z. B. die mindestens eine Verbindungsstruktur) kann eine erste Verbindungsstruktur aufweisen, die auf der Niedrigpotential-Spannungsleitung angeordnet ist und die Niedrigpotential-Spannungsleitung kontaktiert, und eine zweite Verbindungsstruktur aufweisen, die auf der ersten Verbindungsstruktur angeordnet ist und die erste Verbindungsstruktur kontaktiert.
Die zweite Verbindungsstruktur kann die erste Verbindungsstruktur entlang geneigter Abschnitte der Vielzahl von Passivierungslöchern kontaktieren.
Die Passivierungsschicht kann zwischen der ersten Verbindungsstruktur und der zweiten Verbindungsstruktur angeordnet sein. Die Vielzahl von Passivierungslöchern können die erste Verbindungsstruktur freilegen.
Die zweite Elektrode kann auf der zweiten Verbindungsstruktur angeordnet sein und kann die zweite Verbindungsstruktur kontaktieren.
Die erste Elektrode kann eine Anode sein und die zweite Elektrode kann eine Kathode sein.
Die Vielzahl von Passivierungslöchern kann eine ebene Streifen-Form oder eine ebene Punkt-Form haben.
Figurenliste
Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sein können, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung zu ermöglichen und in dieser Beschreibung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, stellen Ausführungsformen der Offenbarung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, verschiedene Prinzipien der Offenbarung zu erläutern.

1 ist ein schematisches Blockdiagramm einer organischen Leuchtdiode (OLED) -Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
2 veranschaulicht schematisch eine Schaltungskonfiguration eines Subpixels.
3 veranschaulicht detailliert eine Schaltungskonfiguration eines Subpixels.
4 veranschaulicht ein Beispiel einer Querschnittsansicht eines Anzeigepanels.
5 ist eine Draufsicht einer OLED-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Subpixels einer OLED-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung veranschaulicht.
7 ist eine vergrößerte Ansicht eines Elektrodenkontaktabschnitts, der in 5 veranschaulicht ist.
8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 7.
9 veranschaulicht ein Bild eines Elektrodenkontaktabschnitts, in dem eine Verbrennung (z. B. ein verbrannter Bereich, z. B. ein verbrannter Abschnitt, z. B. ein Brandschaden) erzeugt ist.
10 ist eine Draufsicht eines Elektrodenkontaktabschnitts gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung.
11 veranschaulicht schematisch eine Beziehung zwischen einer Signal-Leitung und einem Widerstand.
12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' von 10.
13 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III' von 10.
14 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV" von 10.
15 bis 17 veranschaulichen verschiedene ebene Formen eines Passivierungslochs.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
Es wird nun im Detail auf Ausführungsformen der Offenbarung Bezug genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Wo immer es möglich ist, werden in allen Zeichnungen die gleichen Bezugszeichen verwendet, um auf dieselben oder ähnliche Teile Bezug zu nehmen. Es wird darauf geachtet, dass eine detaillierte Beschreibung bekannter Techniken weggelassen wird, wenn festgestellt wird, dass die Technik die Ausführungsformen der Offenbarung in die Irre führen kann. Namen der jeweiligen Elemente, die in den folgenden Erläuterungen verwendet werden, werden nur aus Bequemlichkeit des Schreibens der Beschreibung ausgewählt und können sich daher von den in tatsächlichen Produkten verwendeten unterscheiden. Wenn in der Beschreibung der Positionsbeziehungen beschrieben wird, dass eine Struktur „auf oder über“, „unter oder darunter“, „neben“ einer anderen Struktur angeordnet ist, sollte diese Beschreibung so ausgelegt werden, dass sie einen Fall umfasst, in dem die Strukturen jeweils direkt miteinander in Kontakt stehen sowie ein Fall, in dem eine dritte Struktur dazwischen angeordnet ist.
Eine Anzeigevorrichtung gemäß Ausführungsformen der Offenbarung ist eine Anzeigevorrichtung, bei der ein Anzeigeelement auf einem Glassubstrat oder einem flexiblen Substrat gebildet ist. Beispiele der Anzeigevorrichtung umfassen eine organische Leuchtdiode (OLED)-Anzeige, eine Flüssigkristallanzeige (LCD) und eine Elektrophoreseanzeige. Ausführungsformen der Offenbarung werden anhand des OLED-Displays beispielhaft beschrieben. Eine OLED-Anzeige enthält eine organische Schicht, die zwischen einer ersten Elektrode, die als eine Anode dient, und einer zweiten Elektrode, die als eine Kathode dient, unter Verwendung eines organischen Materials gebildet wird. Die OLED-Anzeige ist eine selbstemittierende Anzeige, die eingerichtet ist, um Loch-Elektron-Paare, d.h. Exzitonen, zu bilden, indem in der organischen Schicht empfangene Löcher von der ersten Elektrode und Elektronen von der zweiten Elektrode rekombiniert werden und Licht mittels der Energie emittieren, die erzeugt wird, wenn Exzitonen in einen Grundzustand zurückkehren.
Ausführungsformen der Offenbarung werden unter Bezugnahme auf die 1 bis 17 beschrieben.
1 ist ein schematisches Blockdiagramm einer OLED-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung. 2 veranschaulicht schematisch eine Schaltungskonfiguration eines Subpixels. 3 veranschaulicht detailliert eine Schaltungskonfiguration eines Subpixels. 4 veranschaulicht ein Beispiel einer Querschnittsansicht eines Anzeigepanels.
Wie in 1 gezeigt, kann eine OLED-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung eine Bildverarbeitungseinheit 110, eine Timing-Steuereinheit 120, einen Daten-Treiber 130, einen Abtast-Treiber 140 und ein Anzeigepanel 150 aufweisen.
Die Bildverarbeitungseinheit 110 gibt ein Daten-Signal DATA, ein Daten-Freigabe-Signal DE usw. aus, die von außen zugeführt werden. Die Bildverarbeitungseinheit 110 kann zusätzlich zu dem Daten-Freigabe-Signal DE eines oder mehrere von einem vertikalen Synchronisationssignal, einem horizontalen Synchronisationssignal und einem Taktsignal ausgeben. Diese Signale werden zur Vereinfachung der Erklärung nicht veranschaulicht.
Die Timing-Steuereinheit 120 empfängt das Daten-Signal DATA und Treiber-Signale, die das Daten-Freigabe-Signal DE, das vertikale Synchronisationssignal, das horizontale Synchronisationssignal, das Taktsignal usw. enthalten, von der Bildverarbeitungseinheit 110. Die Timing-Steuereinheit 120 gibt ein Gate-Timing-Steuersignal GDC zum Steuern des Betriebs-Timings des Abtast-Treibers 140 und ein Daten-Timing-Steuersignal DDC zum Steuern des Betriebs-Timings des Daten-Treibers 130 basierend auf den Treibersignalen aus.
Der Daten-Treiber 130 tastet und speichert das von der Timing-Steuereinheit 120 empfangene Daten-Signal DATA als Reaktion auf das von der Timing-Steuereinheit 120 empfangene Daten-Timing-Steuersignal DDC ab und wandelt das zwischengespeicherte Daten-Signal DATA in eine Gamma-Referenzspannung um, um die Gamma-Referenzspannung auszugeben. Der Daten-Treiber 130 gibt das Daten-Signal DATA an die Daten-Leitungen DL1 bis DLn aus. Der Daten-Treiber 130 kann als integrierte Schaltung (IC) ausgebildet sein.
Der Abtast-Treiber 140 gibt ein Abtast-Signal als Reaktion auf das Gate-Timing-Steuersignal GDC aus, das von der Timing-Steuereinheit 120 zugeführt wird. Der Abtast-Treiber 140 gibt das Abtast-Signal an die Gate-Leitungen GL1 bis GLm aus. Der Abtast-Treiber 140 kann als ein IC ausgebildet sein oder auf dem Anzeigepanel 150 in einer Gate-In-Panel (GIP)-Weise ausgebildet sein.
Das Anzeigepanel 150 zeigt ein Bild in Reaktion auf das Daten-Signal DATA und das Abtast-Signal an, die vom Daten-Treiber 130 bzw. Abtast-Treiber 140 empfangen wurden. Das Anzeigepanel 150 enthält Subpixel SP, die zum Anzeigen eines Bildes eingerichtet sind.
Die Subpixel SP können rote Subpixel, grüne Subpixel und blaue Subpixel enthalten oder können weiße Subpixel, rote Subpixel, grüne Subpixel und blaue Subpixel enthalten. Ferner können eines oder mehrere der Subpixel SP in Abhängigkeit von den Emissionseigenschaften unterschiedliche Emissionsbereiche aufweisen.
Wie in 2 gezeigt, kann jedes Subpixel einen Schalt-Transistor SW, einen Treiber-Transistor DR, einen Kondensator Cst, eine Kompensationsschaltung CC und eine organische Leuchtdiode OLED enthalten.
Der Schalt-Transistor SW führt einen Schaltvorgang aus, so dass ein über eine Daten-Leitung DL1 zugeführtes Daten-Signal als eine Daten-Spannung im Kondensator Cst in Reaktion auf ein Abtast-Signal, das durch eine Gate-Leitung GL1 zugeführt wird, gespeichert wird. Der Treiber-Transistor DR ermöglicht, dass ein Ansteuerstrom zwischen einer ersten Stromleitung (oder auch „Hochpotential-Stromleitung“) EVDD und einer zweiten Stromleitung (oder auch als „Niedrigpotential-Stromleitung“ bezeichnet) EVSS in Abhängigkeit von der im Kondensator Cst gespeicherten Daten-Spannungen fließt. Die organische Leuchtdiode OLED emittiert Licht mit dem durch den Treiber-Transistor DR bereitgestellten Treiberstrom.
Die Kompensationsschaltung CC wird zu dem Subpixel hinzugefügt und kompensiert eine Charakteristik einschließlich einer Schwellenspannung usw. des Treiber-Transistors DR. Die Kompensationsschaltung CC enthält einen oder mehrere Transistoren. Die Konfiguration der Kompensationsschaltung CC kann abhängig von einem externen Kompensationsverfahren gemäß verschiedenen Ausführungsformen verschiedenartig geändert werden und wird im Folgenden unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
Wie in 3 gezeigt, kann die Kompensationsschaltung CC einen Erfassungstransistor ST und eine Erfassungsleitung (oder auch als „Referenzleitung“ bezeichnet) VREF enthalten. Der Erfassungstransistor ST ist zwischen der Erfassungsleitung VREF und einem Knoten (im Folgenden als „Erfassungsknoten“ bezeichnet) geschaltet, der elektrisch mit einer zweiten Elektrode, z. B. einer Drain-Elektrode des Treiber-Transistors DR, und mit einer Anoden-Elektrode der organischen Leuchtdiode OLED gekoppelt ist. Der Erfassungstransistor ST kann eine Erfassungsspannung (oder auch als „Initialisierungsspannung“ bezeichnet), die durch die Erfassungsleitung VREF an den Erfassungsknoten des Treiber-Transistors DR übertragen wird, liefern, oder er kann eine Spannung oder einen Strom des Erfassungsknotens des Treiber-Transistors DR oder eine Spannung oder einen Strom der Erfassungsleitung VREF erfassen.
Eine erste Elektrode des Schalt-Transistors SW ist mit der Daten-Leitung DL1 verbunden, und eine zweite Elektrode des Schalt-Transistors SW ist mit einer Gate-Elektrode des Treiber-Transistors DR verbunden. Eine erste Elektrode des Treiber-Transistors DR ist mit der ersten Stromleitung EVDD verbunden, und eine zweite Elektrode des Treiber-Transistors DR ist mit der Anoden-Elektrode der organischen Leuchtdiode OLED verbunden. Eine erste Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Gate-Elektrode des Treiber-Transistors DR verbunden, und eine zweite Elektrode des Kondensators Cst ist mit der Anoden-Elektrode der organischen Leuchtdiode OLED verbunden. Die Anoden-Elektrode der organischen Leuchtdiode OLED ist mit der zweiten Elektrode des Treiber-Transistors DR verbunden, und eine Kathoden-Elektrode der organischen Leuchtdiode OLED ist mit der zweiten Stromleitung EVSS verbunden. Eine erste Elektrode des Erfassungstransistors ST ist mit der Erfassungsleitung VREF verbunden, und eine zweite Elektrode des Erfassungstransistors ST ist mit dem Erfassungsknoten verbunden, d.h. der Anoden-Elektrode der organischen Leuchtdiode OLED und der zweiten Elektrode des Treiber-Transistors DR.
Eine Betriebszeit des Erfassungstransistors ST kann abhängig von einem externen Kompensationsalgorithmus (oder abhängig von einer Konfiguration der Kompensationsschaltung) ähnlich (oder gleich) sein oder sich von einer Betriebszeit des Schalt-Transistors SW unterscheiden. Zum Beispiel kann eine Gate-Elektrode des Schalt-Transistors SW mit einer 1a-Gate-Leitung GL1a verbunden sein, und eine Gate-Elektrode des Erfassungstransistors ST kann mit einer 1b-Gate-Leitung GL1b verbunden sein. In diesem Fall kann ein Abtast-Signal (Scan) an die 1a-Gate-Leitung GL1a übertragen werden, und ein Erfassungssignal (Sense) kann an die 1b-Gate-Leitung GL1b übertragen werden. Als ein anderes Beispiel können sich die Gate-Elektrode des Schalt-Transistors SW und die Gate-Elektrode des Erfassungstransistors ST die 1a-Gate-Leitung GL1a oder die 1b-Gate-Leitung GL1b teilen und somit können die Gate-Elektroden des Schalt-Transistors SW und des Erfassungstransistors ST verbunden sein.
Die Erfassungsleitung VREF kann mit dem Daten-Treiber verbunden sein, z. B. dem in 1 gezeigten Daten-Treiber 130. In diesem Fall kann der Daten-Treiber den Erfassungsknoten des Subpixels während einer Nicht-Anzeige-Periode eines Echtzeitbilds oder einer N-Frame-Periode erfassen und kann ein Ergebnis der Erfassung erzeugen, wobei N eine ganze Zahl ist, die gleich oder ist größer als 1. Der Schalt-Transistor SW und der Erfassungstransistor ST können gleichzeitig eingeschaltet sein. In einem solchen Fall werden ein Erfassungsvorgang, der die Erfassungsleitung VREF verwendet, und ein Daten-Ausgabe-Vorgang, der das Daten-Signal ausgibt, gemäß einem Zeitmultiplexverfahren des Daten-Treibers voneinander getrennt (oder unterschieden).
Außerdem kann ein Kompensationsziel gemäß dem Erfassungsergebnis ein digitales Daten-Signal, ein analoges Daten-Signal, ein Gammasignal oder dergleichen sein. Die Kompensationsschaltung zum Erzeugen eines Kompensationssignals (oder einer Kompensationsspannung) basierend auf dem Erfassungsergebnis kann innerhalb des Daten-Treibers, innerhalb der Timing-Steuereinheit oder als separate Schaltung implementiert sein.
Eine Lichtabschirmschicht LS kann nur unter einem Kanal-Bereich des Treiber-Transistors DR angeordnet sein. Alternativ kann die Lichtabschirmschicht LS unter dem Kanal-Bereich des Treiber-Transistors DR und unter Kanal-Bereichen des Schalt-Transistors SW und des Erfassungstransistors ST angeordnet sein. Die Lichtabschirmschicht LS kann einfach zur Abschirmung von externem Licht verwendet werden. Zusätzlich kann die Lichtabschirmschicht LS mit einer anderen Elektrode oder einer anderen Leitung verbunden sein und als eine Elektrode verwendet werden, die den Kondensator usw. bildet. Daher kann die Lichtabschirmschicht LS als ein aus Metall gebildetes mehrschichtiges Element (z. B. eine Mehrfachschicht aus verschiedenen Metallen) vorgesehen sein, um Lichtabschirmungseigenschaften zu haben.
3 veranschaulicht das Subpixel mit einer 3T (Transistor) 1C (Kondensator) -Konfiguration, die beispielsweise den Schalt-Transistor SW, den Treiber-Transistor DR, den Kondensator Cst, die organische Leuchtdiode OLED und den Erfassungstransistor ST aufweist. Wenn jedoch die Kompensationsschaltung CC zu dem Subpixel hinzugefügt wird, kann das Subpixel verschiedene Konfigurationen aufweisen, wie etwa 3T2C, 4T2C, 5T1C und 6T2C.
Wie in 4 gezeigt, werden Subpixel auf einem Anzeigebereich AA eines Substrats (oder als „Dünnfilmtransistorsubstrat“ bezeichnet) SUB gebildet, und jedes Subpixel kann die in 3 veranschaulichte Schaltungsstruktur aufweisen. Die Subpixel auf dem Anzeigebereich AA werden durch ein Schutzelement ENC versiegelt. In 4 bezeichnet ein Bezugszeichen „NA“ einen Nicht-Anzeigebereich des Anzeigepanels 150. Hier kann ein „Anzeigebereich“ auch als „Anzeigeeinheit“ bezeichnet werden, und ein „Nicht-Anzeigebereich“ kann auch als „Nicht-Anzeigeeinheit“ bezeichnet werden.
Die Subpixel sind auf einer Oberfläche des Substrats SUB angeordnet und können horizontal oder vertikal in der Reihenfolge rotes (R), weißes (W), blaues (B) und grünes (G) Subpixel abhängig von einer Orientierung des Substrats SUB auf dem Anzeigebereich AA angeordnet sein. Das rote (R), weiße (W), blaue (B) und grüne (G) Subpixel bilden zusammen ein Pixel P. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Zum Beispiel kann die Anordnungsreihenfolge der Subpixel in Abhängigkeit von einem Emissionsmaterial, einem Emissionsbereich, einer Konfiguration (oder Struktur) der Kompensationsschaltung und dergleichen verschiedenartig geändert werden. Ferner können das rote (R), blaue (B) und grüne (G) Subpixel ein Pixel P bilden.
5 ist eine Draufsicht einer OLED-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung. 6 ist eine Querschnittsansicht, die einen Abschnitt eines Subpixels einer OLED-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung veranschaulicht. 7 ist eine vergrößerte Ansicht eines Elektrodenkontaktabschnitts, der in 5 veranschaulicht ist. 8 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie I-I' von 7. 9 veranschaulicht ein Bild eines Elektrodenkontaktabschnitts, in dem eine Verbrennung (z. B. ein verbrannter Bereich, z. B. ein verbrannter Abschnitt, z. B. ein Brandschaden) erzeugt ist.
Bezugnehmend auf 5 weist eine OLED-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung eine Anzeigeeinheit AA und eine Nicht-Anzeigeeinheit NA auf einem Substrat SUB auf. Die Nicht-Anzeigeeinheit NA umfasst GIP-Treiber GIP, die jeweils auf der linken und rechten Seite des Substrats SUB angeordnet sind, und eine Pad-Einheit PD, die auf einer unteren Seite des Substrats SUB angeordnet ist. Die Anzeigeeinheit AA enthält eine Vielzahl von Subpixeln SP. Zum Beispiel können R (rote), G (grüne) und B (blaue) Subpixel oder R, G, B und W (weiße) Subpixel der Anzeigeeinheit AA Licht emittieren, um eine Vollfarbe darzustellen. Die GIP-Treiber GIP legt ein Gate-Treibersignal an die Anzeigeeinheit AA an. Chip-on-Filme COF sind an der Pad-Einheit PD angebracht, die auf einer Seite angeordnet ist, beispielsweise auf der unteren Seite der Anzeigeeinheit AA. Ein Daten-Signal und elektrische Energie werden an eine Vielzahl von Signal-Leitungen (nicht gezeigt) angelegt, die mit der Anzeigeeinheit AA durch die Chip-On-Filme COF verbunden sind.
Eine partielle Querschnittsstruktur eines Subpixels SP der OLED-Anzeige gemäß der Ausführungsform der Offenbarung wird nachstehend unter Bezugnahme auf 6 beschrieben.
Wie in 6 gezeigt, ist in der OLED-Anzeige gemäß der Ausführungsform der Offenbarung eine erste Pufferschicht BUF1 auf dem Substrat SUB angeordnet. Das Substrat SUB kann ein flexibles Substrat oder ein Glassubstrat sein und das flexible Substrat kann ein flexibles Harzsubstrat sein, das beispielsweise aus Polyimid gebildet ist. Die erste Pufferschicht BUF1 schützt einen in einem nachfolgenden Prozess gebildeten Dünnfilmtransistor vor Verunreinigungen, beispielsweise Alkali-Ionen, die aus dem Substrat SUB austreten. Die erste Pufferschicht BUF1 kann aus einer Siliziumoxid (SiOx)-Schicht, einer Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht oder einer Mehrfachschicht davon gebildet sein.
Eine Lichtabschirmschicht LS ist auf der ersten Pufferschicht BUF1 angeordnet. Die Lichtabschirmschicht LS hindert externes Licht daran einzufallen und kann somit verhindern, dass in einem Dünnfilmtransistor ein Lichtstrom erzeugt wird. Ein zweiter Puffer BUF2 ist auf der Lichtabschirmschicht LS angeordnet. Der zweite Puffer BUF2 schützt einen in einem nachfolgenden Prozess gebildeten Dünnfilmtransistor vor Verunreinigungen, beispielsweise Alkali-Ionen, die von der Lichtabschirmschicht LS austreten. Die zweite Pufferschicht BUF2 kann aus einer Siliziumoxid (SiOx)-Schicht, einer Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht oder einer Mehrfachschicht davon gebildet sein.
Eine Halbleiterschicht ACT ist auf der zweiten Pufferschicht BUF2 angeordnet und kann aus einem Siliziumhalbleiter oder einem Oxidhalbleiter gebildet sein. Der Siliziumhalbleiter kann amorphes Silizium oder kristallines Polysilizium enthalten. Das Polysilizium besitzt eine hohe Beweglichkeit (beispielsweise mehr als 100 cm²/Vs), einen geringen Stromverbrauch und eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit. Somit kann das Polysilizium auf einen Gate-Treiber und/oder einen Multiplexer (MUX) in einem Treiberelement oder auf einen Treiber-TFT jedes Pixels der OLED-Anzeige angewendet werden. Da der Oxidhalbleiter einen niedrigen AUS-Strom aufweist, ist der Oxidhalbleiterfür einen Schalt-TFT geeignet, der eine kurze EIN-Zeit und eine lange AUS-Zeit aufweist. Da der Oxidhalbleiter aufgrund des niedrigen AUS-Stroms eine Spannungshaltezeit des Pixels erhöht, ist der Oxidhalbleiter außerdem für eine Anzeigevorrichtung geeignet, die eine Ansteuerung mit niedriger Geschwindigkeit und/oder einen geringen Energieverbrauch erfordert. Außerdem weist die Halbleiterschicht ACT einen Drain-Bereich und einen Source-Bereich auf, die jeweils Verunreinigungen vom p-Typ oder n-Typ enthalten, und weist auch einen Kanal-Bereich zwischen dem Drain-Bereich und dem Source-Bereich auf.
Eine Gate-Isolierschicht GI ist auf der Halbleiterschicht ACT angeordnet und kann aus einer Siliziumoxid (SiOx)-Schicht, einer Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht oder einer Mehrfachschicht hiervon gebildet sein. Eine Gate-Elektrode GA ist auf der Gate-Isolierschicht GI an einer Stelle angeordnet, die einem vorbestimmten Bereich (d.h. Dem Kanal-Bereich, wenn Verunreinigungen injiziert sind) der Halbleiterschicht ACT entspricht. Die Gate-Elektrode GA kann aus einem von Molybdän (Mo), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Kombination davon gebildet sein. Ferner kann die Gate-Elektrode GA eine Mehrfachschicht sein, die aus Molybdän (Mo), Aluminium (Al), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Kombination davon gebildet wird. Zum Beispiel kann die Gate-Elektrode GA als Doppelschicht aus Mo/Al-Nd oder Mo/AI ausgebildet sein.
Eine Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD ist auf der Gate-Elektrode GA angeordnet und isoliert die Gate-Elektrode GA. Die Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD kann aus einer Siliziumoxid (SiOx)-Schicht, einer Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht oder einer Mehrfachschicht davon gebildet sein. Kontaktlöcher CH, die einen Abschnitt der Halbleiterschicht ACT freilegen, sind an einem Abschnitt ausgebildet, an dem sowohl die Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD als auch die Gate-Isolierschicht GI ausgebildet sind.
Eine Drain-Elektrode DE und eine Source-Elektrode SE sind auf der Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD angeordnet. Die Drain-Elektrode DE ist durch das Kontaktloch CH, das den Drain-Bereich der Halbleiterschicht ACT freilegt, mit der Halbleiterschicht ACT verbunden, und die Source-Elektrode SE ist durch das Kontaktloch CH, das den Source-Bereich der Halbleiterschicht ACT freilegt, mit der Halbleiterschicht ACT verbunden. Die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE können jeweils als einzelne Schicht oder als Mehrfachschicht ausgebildet sein. Wenn sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE als einzelne Schicht ausgebildet sind, können sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE aus einem von Molybdän (Mo), Aluminium (AI), Chrom (Cr), Gold (Au), Titan (Ti), Nickel (Ni), Neodym (Nd) und Kupfer (Cu) oder einer Kombination davon gebildet sein. Wenn sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE als Mehrfachschicht ausgebildet sind, können sowohl die Source-Elektrode SE als auch die Drain-Elektrode DE als eine Doppelschicht aus Mo/Al-Nd oder als Dreifachschicht aus Ti/Al/Ti, Mo/Al/Mo oder Mo/Al-Nd/Mo ausgebildet sein. Somit kann ein Dünnfilmtransistor TFT, der die Halbleiterschicht ACT, die Gate-Elektrode GA, die Source-Elektrode SE und die Drain-Elektrode DE aufweist, gebildet sein.
Ferner ist eine Passivierungsschicht PAS auf dem Substrat SUB, das den Dünnfilmtransistor TFT aufweist, angeordnet. Die Passivierungsschicht PAS ist eine Isolierschicht, die die unter der Passivierungsschicht PAS liegende Komponente schützt, und kann aus einer Siliziumoxid (SiOx)-Schicht, einer Siliziumnitrid (SiNx)-Schicht oder einer Mehrfachschicht davon gebildet sein. Ein Farbfilter CF ist auf der Passivierungsschicht PAS angeordnet. Der Farbfilter CF dient dazu, weißes Licht, das von einer organischen Leuchtdiode (OLED) emittiert wird, in rotes, grünes oder blaues Licht umzuwandeln. Eine Überzugsschicht OC ist auf dem Farbfilter CF angeordnet. Die Überzugsschicht OC kann eine Planarisierungsschicht zum Verringern eines Höhenunterschieds (oder einer Stufenbedeckung) einer darunter liegenden Struktur sein und kann aus einem organischen Material wie Polyimid, einem Harz auf Benzocyclobuten-Basis und Acrylat gebildet sein. Zum Beispiel kann die Überzugsschicht OC durch ein Spin-On-Glas (SOG) -Verfahren gebildet werden, um das organische Material in einem flüssigen Zustand zu beschichten und dann das organische Material zu härten.
Ein Durchgangsloch VIA, das die Drain-Elektrode DE des Dünnfilmtransistors TFT freilegt, ist in einem Abschnitt der Überzugsschicht OC angeordnet. Die organische Leuchtdiode OLED ist auf der Überzugsschicht OC angeordnet. Insbesondere ist eine erste Elektrode ANO auf der Überzugsschicht OC angeordnet. Die erste Elektrode ANO dient als Pixel-Elektrode und ist durch das Durchgangsloch VIA mit der Drain-Elektrode DE des Dünnfilmtransistors TFT verbunden. Die erste Elektrode ANO ist eine Anode und kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) und Zinkoxid (ZnO) gebildet sein. Wenn die erste Elektrode ANO eine reflektierende Elektrode ist, kann die erste Elektrode ANO ferner eine reflektierende Schicht enthalten. Die reflektierende Schicht kann aus Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Silber (Ag), Nickel (Ni), Palladium (Pd) oder einer Kombination davon gebildet sein. Beispielsweise kann die reflektierende Schicht aus einer Ag/Pd/Cu (APC)-Legierung gebildet sein.
Zusätzlich ist eine Bankschicht BNK, die Pixel definiert, auf dem Substrat SUB, das die erste Elektrode ANO enthält, angeordnet. Die Bankschicht BNK kann aus einem organischen Material wie Polyimid, Harz auf Benzocyclobuten-Basis und Acrylat gebildet sein. Die Bankschicht BNK weist einen Pixel-Definitionsabschnitt OP auf, der die erste Elektrode ANO freilegt. Eine organische Schicht OLE, die die erste Elektrode ANO kontaktiert, ist an einer Vorderseite des Substrats SUB angeordnet. Die organische Schicht OLE ist eine Schicht, in der Elektronen und Löcher rekombinieren und Licht emittieren. Eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Lochtransportschicht können/kann zwischen der organischen Schicht OLE und der ersten Elektrode ANO angeordnet sein, und eine Elektroneninjektionsschicht und/oder eine Elektronentransportschicht können/kann auf der organischen Schicht OLE angeordnet sein.
Eine zweite Elektrode CAT ist auf der organischen Schicht OLE angeordnet und kann auf einer Vorderseite der Anzeigeeinheit AA angeordnet sein. Außerdem ist die zweite Elektrode CAT eine Kathoden-Elektrode und kann aus Magnesium (Mg), Calcium (Ca), Aluminium (AI), Silber (Ag) oder einer Kombination davon gebildet sein, die jeweils eine niedrige Austrittsarbeit haben. Wenn die zweite Elektrode CAT eine durchlässige Elektrode ist, kann die zweite Elektrode CAT dünn genug sein, um Licht durchzulassen. Wenn die zweite Elektrode CAT eine reflektierende Elektrode ist, kann die zweite Elektrode CAT dick genug sein, um Licht zu reflektieren. Eine Schutzschicht PRL ist auf der zweiten Elektrode CAT angeordnet. Ein Schutzelement ENC ist an einer oberen Oberfläche des Substrats SUB angebracht, auf dem der Dünnfilmtransistor TFT und die organische Leuchtdiode OLED durch eine Klebstoff-Schicht FSA ausgebildet sind. Das Schutzelement ENC kann ein Metalldünnfilm sein.
Wieder Bezugnehmend auf 5, weist die Nicht-Anzeigeeinheit NA der so eingerichteten OLED-Anzeige eine Niedrigpotential-Spannungsleitung auf, die der zweiten Elektrode CAT eine Niedrigpotential-Spannung zuführt, und weist einen Elektrodenkontaktabschnitt CC auf, der mit der zweiten Elektrode CAT verbunden ist. Dies wird im Folgenden ausführlich beschrieben.
Bezugnehmend auf 7 ist der Elektrodenkontaktabschnitt CC in der Nicht-Anzeigeeinheit NA der OLED-Anzeige angeordnet. In dem Elektrodenkontaktabschnitt CC überlappen sich eine Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL, die sich von der Pad-Einheit (nicht veranschaulicht) erstreckt, und eine zweite Elektrode CAT, die sich von der Anzeigeeinheit AA erstreckt, und sind miteinander verbunden. Ein Strompfad von der zweiten Elektrode CAT zu der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL ist gebildet.
Insbesondere kontaktiert bezugnehmend auf 8 die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL eine erste Verbindungsstruktur SDC, die auf der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL angeordnet ist, durch ein ZwischenschichtLoch ILCH der Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD. Die erste Verbindungsstruktur SDC kann aus einem Material der Source- und Drain-Elektroden gebildet sein. Die erste Verbindungsstruktur SDC kontaktiert eine zweite Verbindungsstruktur ITC, die auf der ersten Verbindungsstruktur SDC angeordnet ist, durch ein Passivierungsloch PACH der Passivierungsschicht PAS und ein Überzugsloch OCH der Überzugsschicht OC. Die zweite Verbindungsstruktur ITC kann aus demselben Material wie die erste Elektrode ANO gebildet sein, zum Beispiel Metalloxid wie ITO. Die zweite Elektrode CAT auf der zweiten Verbindungsstruktur ITC kontaktiert direkt die zweite Verbindungsstruktur ITC und ist schließlich elektrisch mit der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL verbunden.
Der Elektrodenkontaktabschnitt CC kann einen ersten Bereich A, einen zweiten Bereich B und einen dritten Bereich C aufweisen. Der erste Bereich A ist ein Bereich, in dem das Überzugsloch OCH angeordnet ist. Der zweite Bereich B ist ein Bereich, von dem das Passivierungsloch PACH ausgeht, und ein geneigter Abschnitt SL des Passivierungslochs PACH ist im zweiten Bereich B angeordnet. Der dritte Bereich C ist ein Bereich, in dem die Passivierungsschicht PAS nicht vorhanden ist und entspricht einem inneren Bereich des Passivierungslochs PACH.
Ein Strompfad in dem ersten bis dritten Bereich A, B und C ist so eingerichtet, dass ein Strom von der zweiten Elektrode CAT des ersten Bereichs A via den zweiten Bereich B zu der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL des dritten Bereichs C fließt. In diesem Fall nimmt eine Dicke der zweiten Elektrode CAT in dem geneigten Abschnitt SL des Passivierungslochs PACH ab. Insbesondere wenn das Passivierungsloch PACH durch Trockenätzen aufgrund der Eigenschaften eines anorganischen Materials der Passivierungsschicht PAS ausgebildet wird, nimmt der Neigungswinkel des geneigten Abschnitts SL stark zu. Da andererseits das Überzugsloch OCH durch Nassätzen aufgrund der Eigenschaften eines organischen Materials der Überzugsschicht OC gebildet wird, nimmt der Neigungswinkel des Überzugslochs OCH ab. Da somit die Dicke der zweiten Elektrode CAT in dem zweiten Bereich B abnimmt, in dem der geneigte Abschnitt SL des Passivierungslochs PACH angeordnet ist, nimmt der Widerstand der zweiten Elektrode CAT des zweiten Bereichs B zu. Ein Widerstand für den gleichen Bereich in dem ersten bis dritten Bereich A, B und C hat einen maximalen Wert in dem zweiten Bereich B und nimmt in der Reihenfolge des ersten Bereichs A und des dritten Bereichs C ab. Wie in 9 gezeigt, steigt die Wärmeerzeugung in Abhängigkeit von dem Widerstand in dem zweiten Bereich B, in dem der geneigte Abschnitt SL des Passivierungslochs PACH angeordnet ist, und somit wird eine Verbrennung (z. B. verbrannter Bereich, z. B. verbrannter Abschnitt, z. B. Brandschaden) erzeugt.
Im Folgenden werden Ausführungsformen beschrieben, die in der Lage sind, ein Problem der Verbrennung (z. B. verbrannter Bereich, z. B. verbrannter Abschnitt, z. B. Verbrennungsschaden) in dem Elektrodenkontaktabschnitt durch Ändern einer Struktur des Elektrodenkontaktabschnitts zu lösen.
<Ausführungsform>
10 ist eine Draufsicht eines Elektrodenkontaktabschnitts gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung. 11 veranschaulicht schematisch eine Beziehung zwischen einer Signal-Leitung und einem Widerstand. 12 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie II-II' von 10. 13 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie III-III' von 10. 14 ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie IV-IV' von 10. 15 bis 17 veranschaulichen verschiedene ebene Formen eines Passivierungslochs.
Bezugnehmend auf 10 weist eine OLED-Anzeige gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung einen Elektrodenkontaktabschnitt CC in einer Nicht-Anzeigeeinheit NA auf. In dem Elektrodenkontaktabschnitt CC überlappen sich eine Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL, die sich von einer Pad-Einheit (nicht gezeigt) erstreckt, und eine zweite Elektrode CAT, die sich von einer Anzeigeeinheit AA erstreckt, und sind miteinander verbunden.
Die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL ist auf einem Substrat (nicht gezeigt) angeordnet, und eine Passivierungsschicht PAS und eine Überzugsschicht OC sind auf der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL angeordnet. Die zweite Elektrode CAT ist auf der Überzugsschicht OC angeordnet. Die Überzugsschicht OC weist ein Überzugsloch OCH auf, das die Passivierungsschicht PAS freilegt, und die Passivierungsschicht PAS weist eine Vielzahl von Passivierungslöchern PACH auf, so dass die zweite Elektrode CAT die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL kontaktiert. Somit ist die zweite Elektrode CAT durch das Überzugsloch OCH der Überzugsschicht OC und die Passivierungslöcher PACH der Passivierungsschicht PAS mit der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL verbunden. Ein Strompfad zwischen der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL und der zweiten Elektrode CAT verläuft von der zweiten Elektrode CAT zu der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL.
Die Ausführungsform der Offenbarung weist im Gegensatz zu 7 die Vielzahl von Passivierungslöchern PACH zum Verbinden der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL und der zweiten Elektrode CAT auf. Die Vielzahl von Passivierungslöchern PACH ist von der Ebene aus gesehen innerhalb des Überzugslochs OCH angeordnet. In hier offenbarten Ausführungsformen ist ein gesamter Umfang der Vielzahl von Passivierungslöchern PACH länger als ein Umfang des Überzugslochs OCH.
Bezugnehmend auf 11 gibt es eine Signal-Leitung mit einer vorbestimmten Dicke T, einer vorbestimmten Breite W und einer vorbestimmten Länge L. Ein Widerstand der Signal-Leitung kann durch Erhöhen der Breite W unter der Bedingung der gleichen Dicke abnehmen.
Unter Verwendung eines Prinzips, das in 11 veranschaulicht ist, kann die Ausführungsform der Offenbarung einen Widerstand der zweiten Elektrode CAT reduzieren, indem sie einen Bereich (d.h. einen Bereich eines geneigten Abschnitts SL des Passivierungslochs PACH) vergrößert, in dem der Widerstand der zweiten Elektrode CAT aufgrund von einer Verringerung der Dicke der zweiten Elektrode CAT ansteigt. In diesem Fall ist die Fläche des geneigten Abschnitts SL des Passivierungslochs PACH proportional zu einer Länge eines Umfangs des Passivierungslochs PACH. Somit kann die Ausführungsform der Offenbarung den Widerstand der zweiten Elektrode CAT durch Erhöhen der Länge des Umfangs des Passivierungslochs PACH wie in 11 verringern, in dem die Breite W der Signal-Leitung zunimmt.
Unter Bezug auf 12 bis 14 ist eine Querschnittsstruktur von jedem der Bereiche A, B und C, die in 10 veranschaulicht sind, im Detail beschrieben. Genauer gesagt, 12 veranschaulicht eine Querschnittsstruktur eines Bereichs, in dem das Passivierungsloch PACH nicht in dem Elektrodenkontaktabschnitt CC ausgebildet ist.
Unter Bezugnahme auf 12 ist eine Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL auf einem Substrat (nicht gezeigt) angeordnet. Die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL kann aus einem Material einer Gate-Elektrode eines Dünnfilmtransistors gebildet sein. Eine Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD ist auf der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL angeordnet. Eine erste Verbindungsstruktur SDC ist auf der Zwischenschicht- Dielektrikumsschicht ILD angeordnet. Die erste Verbindungsstruktur SDC kann aus einem Material von Source- und Drain-Elektroden des Dünnfilmtransistors gebildet sein und kann in einer Inselstruktur in dem Elektrodenkontaktabschnitt CC ausgebildet sein. Eine Passivierungsschicht PAS ist auf der ersten Verbindungsstruktur SDC ausgebildet, und die Überzugsschicht OC ist auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet. Eine Überzugsschicht OC weist das Überzugsloch OCH zum Freilegen der Passivierungsschicht PAS auf, die unter der Überzugsschicht OC liegt. Eine zweite Verbindungsstruktur ITC ist auf der Überzugsschicht OC und der Passivierungsschicht PAS ausgebildet, und eine zweite Elektrode CAT ist auf der Überzugsschicht OC und der zweiten Verbindungsstruktur ITC ausgebildet.
Da das Passivierungsloch PACH nicht in dem in 12 gezeigten Bereich ausgebildet ist, ist die zweite Elektrode CAT nicht mit der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL verbunden. Somit fließt ein Strompfad der zweiten Elektrode CAT entlang der zweiten Elektrode CAT.
Bezugnehmend auf 13, die eine Querschnittsstruktur eines Bereichs veranschaulicht, in dem ein Passivierungsloch PACH in einem Elektrodenkontaktabschnitt CC ausgebildet ist, ist eine Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL auf einem Substrat (nicht gezeigt) ausgebildet. Die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL kann aus einem Material einer Gate-Elektrode eines Dünnfilmtransistors gebildet sein. Eine Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD ist auf der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL angeordnet und weist mindestens ein Zwischenschichtloch ILCH zum Freilegen der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL auf, die unter der Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD liegt. Eine erste Verbindungsstruktur SDC ist auf der Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD angeordnet. Die erste Verbindungsstruktur SDC kann aus einem Material von Source- und Drain-Elektroden des Dünnfilmtransistors gebildet sein und kann in einer Inselstruktur in dem Elektrodenkontaktabschnitt CC ausgebildet sein. Die erste Verbindungsstruktur SDC kontaktiert die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL durch das Zwischenschichtloch ILCH.
Eine Passivierungsschicht PAS ist auf der ersten Verbindungsstruktur SDC angeordnet. Die Passivierungsschicht PAS weist das Passivierungsloch PACH zum Freilegen der ersten Verbindungsstruktur-SDC, die unter der Passivierungsschicht PAS liegt, auf. Das Passivierungsloch PACH weist einen geneigten Abschnitt SL auf, der die erste Verbindungsstruktur SDC freilegt, wenn eine Dicke der Passivierungsschicht PAS abnimmt.
Eine Überzugsschicht OC ist auf der Passivierungsschicht PAS angeordnet. Die Überzugsschicht OC weist ein Überzugsloch OCH zum Freilegen der Passivierungsschicht PAS und der ersten Verbindungsstruktur SDC auf, die unter der Überzugsschicht OC angeordnet sind. Das Überzugsloch OCH weist einen geneigten Abschnitt OSL auf, der die Passivierungsschicht PAS und die erste Verbindungsstruktur SDC freilegt, wenn die Dicke der Überzugsschicht OC abnimmt. Eine zweite Verbindungsstruktur ITC ist auf der Überzugsschicht OC, der Passivierungsschicht PAS und der ersten Verbindungsstruktur SDC ausgebildet. Die zweite Verbindungsstruktur ITC ist entlang der Stufenüberdeckung der Überzugsschicht OC und der Passivierungsschicht PAS ausgebildet und kontaktiert die erste Verbindungsstruktur SDC. Die zweite Verbindungsstruktur ITC kann aus dem gleichen Material wie eine erste Elektrode ANO gebildet sein, beispielsweise Metalloxid wie ITO.
Eine zweite Elektrode CAT ist auf der Überzugsschicht OC und der zweiten Verbindungsstruktur ITC ausgebildet. Die zweite Elektrode CAT ist entlang der Stufenabdeckung der zweiten Verbindungsstruktur ITC ausgebildet. Somit kontaktiert die zweite Elektrode CAT die zweite Verbindungsstruktur ITC direkt und ist schließlich elektrisch mit der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL verbunden.
Bezugnehmend auf 10 bis 13 kann der Elektrodenkontaktabschnitt CC einen ersten Bereich A, einen zweiten Bereich B und einen dritten Bereich C aufweisen. Der erste Bereich A ist ein Bereich, von dem das flache Überzugsloch OCH ausgeht, und der geneigte Abschnitt OSL des Überzugslochs OCH ist in dem ersten Bereich A angeordnet. Der zweite Bereich B ist ein Bereich, von dem das Passivierungsloch PACH beginnt, und der geneigte Abschnitt SL des Passivierungslochs PACH ist im zweiten Bereich B angeordnet. Der dritte Bereich C ist ein Bereich, in dem die Passivierungsschicht PAS nicht vorhanden ist, und entspricht einem inneren Bereich des Passivierungslochs PACH.
Ein Strompfad in dem ersten bis dritten Bereich A, B und C ist so eingerichtet, dass ein Strom von der zweiten Elektrode CAT des ersten Bereichs A via dem zweiten Bereich B zu der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL des dritten Bereichs C fließt. In diesem Fall ist der geneigte Abschnitt SL des Passivierungslochs PACH ein Bereich, in dem eine Dicke der zweiten Elektrode CAT abnimmt und somit als ein Faktor zum Erhöhen eines Widerstands der zweiten Elektrode CAT wirkt.
Bezugnehmend auf 14, die eine Querschnittsstruktur einer Vielzahl von Passivierungslöchern PACH veranschaulicht, ist eine Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL auf einem Substrat (nicht gezeigt) ausgebildet. Eine Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD ist auf der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL ausgebildet und weist mindestens ein Zwischenschichtloch ILCH zum Freilegen der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL auf, die unter der Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD liegt. Eine erste Verbindungsstruktur SDC ist auf der Zwischenschicht-Dielektrikumsschicht ILD angeordnet. Die erste Verbindungsstruktur SDC kontaktiert die Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL durch das Zwischenschichtloch ILCH.
Eine Passivierungsschicht PAS ist auf der ersten Verbindungsstruktur SDC ausgebildet. Die Passivierungsschicht PAS weist die Vielzahl von Passivierungslöchern PACH zum Freilegen der ersten Verbindungsstruktur SDC auf, die unter der Passivierungsschicht PAS liegt. Die Passivierungslöcher PACH weisen jeweils geneigte Abschnitte SL auf, die die erste Verbindungsstruktur SDC freilegen, wenn die Dicke der Passivierungsschicht PAS abnimmt.
Eine Überzugsschicht OC ist auf der Passivierungsschicht PAS ausgebildet. Die Überzugsschicht OC weist ein Überzugsloch OCH zum Freilegen der Passivierungsschicht PAS und der ersten Verbindungsstruktur SDC auf, die unter der Überzugsschicht OC angeordnet sind. Das Überzugsloch OCH weist einen geneigten Abschnitt OSL auf, der die Passivierungsschicht PAS und die erste Verbindungsstruktur SDC freilegt, wenn die Dicke der Überzugsschicht OC abnimmt. Eine zweite Verbindungsstruktur ITC ist auf der Überzugsschicht OC, der Passivierungsschicht PAS und der ersten Verbindungsstruktur SDC ausgebildet. Die zweite Verbindungsstruktur ITC ist entlang der Stufenüberdeckung der Überzugsschicht OC und der Passivierungsschicht PAS ausgebildet und kontaktiert die erste Verbindungsstruktur SDC. Eine zweite Elektrode CAT ist auf der Überzugsschicht OC und der zweiten Verbindungsstruktur ITC angeordnet. Die zweite Elektrode CAT ist entlang der Stufenabdeckung der zweiten Verbindungsstruktur ITC ausgebildet. Somit kontaktiert die zweite Elektrode CAT direkt die zweite Verbindungsstruktur ITC und ist schließlich elektrisch mit der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL verbunden.
Ein Elektrodenkontaktabschnitt CC, der in 14 gezeigt ist, weist einen ersten Bereich A auf, in dem der geneigte Abschnitt OSL des Überzugslochs OCH angeordnet ist, und weist zweite Bereiche B auf, in denen die geneigten Abschnitte SL der Passivierungslöcher PACH ausgebildet sind. Ein Strompfad in dem ersten und zweiten Bereich A und B ist derart eingerichtet, dass ein Strom von der zweiten Elektrode CAT des ersten Bereichs A via die zweiten Bereiche B zu der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL fließt.
Die Ausführungsform der Offenbarung erhöht den Pfad des Stroms, der von der zweiten Elektrode CAT zu der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL fließt, wodurch der gesamte Widerstand und die Stromdichte der zweiten Elektrode CAT verringert werden. Insbesondere kann die Ausführungsform der Offenbarung den gesamten Widerstand und die Stromdichte der zweiten Elektrode CAT in dem Elektrodenkontaktabschnitt CC reduzieren, indem eine Fläche des geneigten Abschnitts SL des Passivierungslochs PACH vergrößert wird. Da die Fläche des geneigten Abschnitts SL des Passivierungslochs PACH proportional zu einer Länge eines Umfangs des Passivierungslochs PACH ist, kann eine Vergrößerung der Länge eines Umfangs des Passivierungslochs PACH die gleiche Wirkung haben wie eine Vergrößerung der Fläche des geneigten Abschnitts SL des Passivierungslochs PACH.
Das Passivierungsloch PACH kann verschiedene Formen aufweisen, um den Strompfad von der zweiten Elektrode CAT zu der Niedrigpotential-Spannungsleitung VSSL zu vergrößern.
Beispielsweise, wie in 15 und 16 gezeigt ist, kann das Passivierungsloch PACH eine ebene horizontale Streifen-Form oder eine ebene vertikale Streifen-Form haben. Alternativ kann, wie in 17 gezeigt ist, kann das Passivierungsloch PACH eine ebene Punkt-Form haben. Das Passivierungsloch PACH kann eine beliebige ebene Form haben, solange die Fläche des geneigten Abschnitts SL des Passivierungslochs PACH größer ist als eine Fläche des geneigten Abschnitts OSL des Überzugslochs OCH oder ein gesamter Umfang des Passivierungslochs PACH ist länger als ein Umfang des Überzugslochs OCH. Zusätzlich veranschaulichen 15 bis 17, dass das Passivierungsloch PACH beispielsweise eine ebene Form aus einer Vielzahl von Dreiecken oder einer Vielzahl von Rechtecken aufweist. Es kann jedoch auch eine Form aus einer Vielzahl von Kreisen oder einer Vielzahl von Zufallsformen verwendet werden.
Wie oben beschrieben, umfassen die Ausführungsformen der Offenbarung die Vielzahl von Passivierungslöchern der Passivierungsschicht in dem Elektrodenkontaktabschnitt und bewirken, dass der gesamte Umfang der Passivierungslöcher länger ist als der Umfang des Überzugslochs der Überzugsschicht. Alternativ bewirken die Ausführungsformen der Offenbarung, dass die Fläche des geneigten Abschnitts des Passivierungslochs größer ist als die Fläche des geneigten Abschnitts des Überzugslochs. Somit können die Ausführungsformen der Offenbarung den Strompfad von der zweiten Elektrode zu der Niedrigpotential-Spannungsleitung vergrößern und können den gesamten Widerstand und die Stromdichte der zweiten Elektrode verringern. Infolgedessen können die Ausführungsformen der Offenbarung verhindern, dass die Verbrennung (z. B. verbrannter Bereich, z. B. verbrannter Abschnitt, z. B. Brandschaden) in dem Elektrodenkontaktabschnitt aufgrund des Widerstands der zweiten Elektrode erzeugt wird.
Obwohl die vorliegende Offenbarung unter Bezugnahme auf eine Anzahl von veranschaulichenden Ausführungsformen davon beschrieben wurde, versteht es sich, dass zahlreiche andere Modifikationen und Ausführungsformen von Fachleuten entworfen werden können, die in den Schutzumfang der Prinzipien dieser Offenbarung fallen werden. Insbesondere sind verschiedene Variationen und Modifikationen in den Komponententeilen und/oder Anordnungen der erfindungsgemäßen Kombinationsanordnung innerhalb des Schutzumfangs der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche möglich. Neben Variationen und Modifikationen der Komponententeile und/oder Anordnungen sind für den Fachmann alternative Verwendungen offensichtlich.

Claims

Was beansprucht ist:
Anzeigevorrichtung, aufweisend: eine Anzeigeeinheit (AA), auf der eine organische Leuchtdiode (OLED) mit einer ersten Elektrode (ANO), einer organischen Schicht (OLE) und einer zweiten Elektrode (CAT) angeordnet ist; und eine Nicht-Anzeigeeinheit (NA), die außerhalb der Anzeigeeinheit (AA) angeordnet ist, wobei die Nicht-Anzeigeeinheit (NA) einen Elektrodenkontaktabschnitt (CC) aufweist, in dem die zweite Elektrode (CAT) und eine Niedrigpotential-Spannungsleitung (VSSL) durch mindestens eine Verbindungsstruktur (SDC, ITC) miteinander verbunden sind, wobei der Elektrodenkontaktabschnitt (CC) aufweist: eine Passivierungsschicht (PAS), die eine Vielzahl von Passivierungslöchern (PACH) aufweist, die mindestens einen Abschnitt der mindestens eine Verbindungsstruktur (SDC, ITC) freilegen; und eine Überzugsschicht (OC) mit einem Überzugsloch (OCH), das die Passivierungsschicht (PAS) freilegt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein gesamter Umfang der Vielzahl von Passivierungslöchern (PACH) länger ist als ein Umfang des Überzugslochs (OCH).
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine Fläche geneigter Abschnitte (SL) der Vielzahl von Passivierungslöchern (PACH) größer ist als eine Fläche eines geneigten Abschnitts (OSL) des Überzugslochs (OCH).
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Vielzahl von Passivierungslöchern (PACH) innerhalb des Überzugslochs (OCH) angeordnet sind.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, aufweisend: eine erste Verbindungsstruktur (SDC), die auf der Niedrigpotential-Spannungsleitung (VSSL) angeordnet ist und die Niedrigpotential-Spannungsleitung (VSSL) kontaktiert; und eine zweite Verbindungsstruktur (ITC), die auf der ersten Verbindungsstruktur (SDC) angeordnet ist und die erste Verbindungsstruktur (SDC) kontaktiert.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, wobei die zweite Verbindungsstruktur (ITC) die erste Verbindungsstruktur (SDC) entlang geneigter Abschnitte (SL) der Vielzahl von Passivierungslöchern (PACH) kontaktiert.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei die Passivierungsschicht (PAS) zwischen der ersten Verbindungsstruktur (SDC) und der zweiten Verbindungsstruktur (ITC) angeordnet ist, wobei die Vielzahl von Passivierungslöchern (PACH) die erste Verbindungsstruktur (SDC) freilegt.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei die zweite Elektrode (CAT) auf der zweiten Verbindungsstruktur (ITC) angeordnet ist und die zweite Verbindungsstruktur (ITC) kontaktiert.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die erste Elektrode (ANO) eine Anode ist und die zweite Elektrode (CAT) eine Kathode ist.
Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Vielzahl von Passivierungslöchern (PACH) eine ebene Streifen-Form oder eine ebene Punkt-Form aufweist.