DE102021130739A1 - Elektrolumineszenz-anzeigevorrichtung - Google Patents

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DE102021130739A1
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Hak-Min Lee
Hee-jin Kim
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LG Display Co Ltd
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Abstract

Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung enthält ein Substrat, eine erste Elektrode auf dem Substrat, ein Verbindungsmuster auf dem Substrat, das aus dem gleichen Material wie die erste Elektrode ausgebildet ist, eine Bank, die Ränder der ersten Elektrode und des Verbindungsmusters bedeckt, eine Leuchtschicht auf der ersten Elektrode, eine zweite Elektrode auf der Leuchtschicht, der Bank und dem Verbindungsmuster und ein Hilfsmuster zwischen der zweiten Elektrode und dem Verbindungsmuster, wobei eine Seitenfläche des Hilfsmusters einen größeren Neigungswinkel aufweist als eine Seitenfläche der Bank.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität und den Vorteil der Koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2020-0164873 , die am 30. November 2020 eingereicht wurde und die hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
  • HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit großen Abmessungen und/oder hoher Auflösung.
  • Stand der Technik
  • Unter den Flachbildschirmvorrichtungen weist eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung im Vergleich zu einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung weite Betrachtungswinkel auf, da sie selbstleuchtend ist, und hat zudem Vorteile wie eine geringe Dicke, ein geringes Gewicht und eine geringe Leistungsaufnahme, da eine Hintergrundbeleuchtungseinheit nicht erforderlich ist.
  • Darüber hinaus wird die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mittels niedriger Gleichspannungen betrieben und weist eine schnelle Ansprechzeit auf. Außerdem ist die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung robust gegen äußere Erschütterungen und wird in einem weiten Temperaturbereich verwendet, da ihre Komponenten Feststoffe sind, und insbesondere kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung zu geringen Kosten hergestellt werden.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung umfasst mehrere Pixel, die jeweils rote, grüne und blaue Unterpixel aufweisen, und zeigt Bilder verschiedener Farben an, indem sie es ermöglicht dass die roten, grünen und blauen Unterpixel selektiv Licht emittieren.
  • Die roten, grünen und blauen Unterpixel haben rote, grüne bzw. blaue Leuchtschichten, und jede Leuchtschicht wird durch einen Unterdruck-Thermoverdampfungsprozess ausgebildet, bei dem ein leuchtendes Material selektiv unter Verwendung einer feinen Metallmaske (FMM) aufgetragen wird.
  • Der Verdampfungsprozess erhöht jedoch aufgrund der Herstellung der Maske die Herstellungskosten und hat aufgrund von Herstellungsschwankungen, Durchhängen, Schatteneffekten der Maske und dergleichen ein Problem bei der Anwendung auf eine großformatige und hochauflösende Anzeigevorrichtung.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Dementsprechend sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gerichtet, die eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik im Wesentlichen vermeidet.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit großen Abmessungen und hoher Auflösung zu schaffen.
  • Zusätzliche Merkmale und Aspekte werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch das Implementieren der hierin bereitgestellten erfinderischen Konzepte erlernt werden. Andere Merkmale und Aspekte der erfinderischen Konzepte können durch die Struktur, die in der schriftlichen Beschreibung besonders hervorgehoben wird oder daraus ableitbar ist, und den Ansprüchen hiervon sowie den beigefügten Zeichnungen realisiert und erzielt werden.
  • Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
  • Um diese und andere der erfinderischen Konzepte zu erzielen, wie sie hierin verkörpert und allgemein beschrieben sind, umfasst eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ein Substrat, eine erste Elektrode auf dem Substrat, ein Verbindungsmuster auf dem Substrat, das aus dem gleichen Material wie die erste Elektrode gebildet ist, eine Bank, die Ränder der ersten Elektrode und des Verbindungsmusters bedeckt, eine Leuchtschicht auf der ersten Elektrode, eine zweite Elektrode auf der Leuchtschicht, der Bank und dem Verbindungsmuster und ein Hilfsmuster zwischen der zweiten Elektrode und dem Verbindungsmuster.
  • Vorzugsweise kann eine Seitenfläche des Hilfsmusters einen größeren Neigungswinkel aufweisen als eine Seitenfläche der Bank.
  • In einem weiteren Aspekt umfasst eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ein Substrat, eine erste Elektrode auf dem Substrat, ein Verbindungsmuster auf dem Substrat, das aus dem gleichen Material wie die erste Elektrode gebildet ist, eine Bank, die die Ränder der ersten Elektrode und des Verbindungsmusters bedeckt, eine Leuchtschicht auf der ersten Elektrode, eine zweite Elektrode auf der Leuchtschicht, der Bank und dem Verbindungsmuster und ein Hilfsmuster zwischen der zweiten Elektrode und dem Verbindungsmuster, wobei die Leuchtschicht eine erste Ladungshilfsschicht, eine Leuchtmaterialschicht und eine zweite Ladungshilfsschicht aufweist.
  • Vorzugsweise kann die zweite Ladungshilfsschicht zwischen dem Hilfsmuster und der zweiten Elektrode angeordnet sein.
  • Vorzugsweise kann eine Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht an einer Seitenfläche des Hilfsmusters kleiner sein als eine Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht an einer Seitenfläche der Bank.
  • Die oben erwähnten Aspekte können weiter mit einem oder mehreren der folgenden optionalen Merkmale kombiniert werden.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Leuchtschicht eine erste Ladungshilfsschicht, eine Leuchtmaterialschicht und eine zweite Ladungshilfsschicht aufweisen.
  • Mindestens eine Seitenfläche jeweils der ersten Ladungshilfsschicht und der Leuchtmaterialschicht kann von der Bank umschlossen sein.
  • Ein Teil der zweiten Ladungshilfsschicht kann zwischen der Bank und der zweiten Elektrode und zwischen dem Hilfsmuster und der zweiten Elektrode angeordnet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann eine Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht an der Seitenfläche des Hilfsmusters kleiner sein als eine Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht an der Seitenfläche der Bank.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Hilfsmuster das Verbindungsmuster freilegen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Bank ein Hilfskontaktloch aufweisen, das das Verbindungsmuster freilegt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Hilfsmuster das durch das Hilfskontaktloch freigelegte Verbindungsmuster vollständig bedecken.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Bank ein Hilfskontaktloch aufweisen, das das Verbindungsmuster freilegt.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Hilfsmuster so ausgebildet sein, dass es mindestens einer Seite des Hilfskontaktlochs entspricht.
  • In einer oder mehreren Ausführungsfonnen kann die zweite Elektrode mit der Seitenfläche des Hilfsmusters in Kontakt stehen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann eine Dicke der zweiten Elektrode an der Seitenfläche des Hilfsmusters kleiner sein als eine Dicke der zweiten Elektrode an der Seitenfläche der Bank.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Seitenfläche des Hilfsmusters einen Neigungswinkel von 75 Grad bis 105 Grad aufweisen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ferner mindestens einen Dünnschichttransistor zwischen dem Substrat und der ersten Elektrode aufweisen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die erste Elektrode mit dem mindestens einen Dünnschichttransistor verbunden sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Bank eine erste Bank mit einer hydrophilen Eigenschaft und eine zweite Bank mit einer hydrophoben Eigenschaft umfassen.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die erste Bank und die zweite Bank als ein Körper ausgebildet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen kann das Hilfsmuster zwischen der ersten Bank und der zweiten Bank angeordnet sein.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen können die Leuchtschichten in entlang einer Richtung benachbarten Pixelbereichen miteinander verbunden sein, um dadurch einen Körper zu bilden.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende genaue Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und dazu gedacht sind, eine weitere Erläuterung der vorliegenden Offenbarung, wie sie beansprucht wird, bereitzustellen.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weitergehendes Verständnis der vorliegenden Offenbarung zu ermöglichen und die in diese Anmeldung aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, zeigen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, Prinzipien der vorliegenden Offenbarung zu erläutern.
    • 1 ist ein Schaltbild eines Pixelbereichs einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 2 ist eine schematische Draufsicht auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
    • 4 ist eine schematische Draufsicht, die ein Hilfsmuster einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergrößert und dem Bereich A1 von 3 entspricht.
    • 5 ist eine Querschnittsansicht, die der Linie II-II' von 4 entspricht.
    • 6A bis 6J sind Querschnittsansichten, die die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung in Schritten ihres Herstellungsprozesses gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellen.
    • 7 ist eine schematische Draufsicht, die ein Hilfsmuster einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergrößert und dem Bereich A1 von 3 entspricht.
    • 8 ist eine Querschnittsansicht, die der Linie III-III' von 7 entspricht.
    • 9 ist eine schematische Draufsicht, die ein Hilfsmuster einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergrößert und dem Bereich A1 von 3 entspricht.
    • 10 ist eine Querschnittsansicht, die der Linie IV-IV' von 9 entspricht.
    • 11 ist eine schematische Draufsicht, die ein Hilfsmuster einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergrößert und dem Bereich A1 von 3 entspricht.
    • 12 ist eine schematische Draufsicht, die ein Hilfsmuster einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergrößert und dem Bereich A1 von 3 entspricht.
    • 13 ist eine schematische Draufsicht, die ein Hilfsmuster einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung vergrößert und dem Bereich A1 von 3 entspricht.
  • GENAUE BESCHREIBUNG
  • Nun wird im Einzelnen auf beispielhafte Ausführungsformen der Offenbarung Bezug genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen gezeigt sind.
  • Eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst mehrere Pixel, um ein Bild anzuzeigen. Jedes der mehreren Pixel weist rote, grüne und blaue Unterpixel auf. Ein Pixelbereich, der jedem Unterpixel entspricht, kann eine in 1 gezeigte Konfiguration aufweisen.
  • 1 ist ein Schaltbild eines Pixelbereichs einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • In 1 umfasst die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung mehrere Gate-Leitungen und mehrere Datenleitungen, die einander schneiden, um mehrere Pixelbereiche zu definieren. Insbesondere schneiden sich im Beispiel von 1 eine Gate-Leitung GL und eine Datenleitung DL, um einen Pixelbereich P zu definieren. Ein Schalt-Dünnschichttransistor Ts, ein Ansteuer-Dünnschichttransistor Td, ein Speicherkondensator Cst und eine Leuchtdiode De sind in jedem Pixelbereich P ausgebildet.
  • Genauer ist eine Gate-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors Ts mit der Gate-Leitung GL verbunden und eine Source-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors Ts ist mit der Datenleitung DL verbunden. Eine Gate-Elektrode des Ansteuer-Dünnschichttransistors Td ist mit einer Drain-Elektrode des Schalt-Dünnschichttransistors Ts verbunden und eine Source-Elektrode des Ansteuer-Dünnschichttransistors Td ist mit einer Hochspannungsversorgung VDD verbunden. Eine Anode der Leuchtdiode De ist mit einer Drain-Elektrode des Ansteuer-Dünnschichttransistors Td verbunden und eine Kathode der Leuchtdiode De ist mit einer Niederspannungsversorgung VSS verbunden. Der Speicherkondensator Cst ist mit der Gate-Elektrode und der Drain-Elektrode des Ansteuer-Dünnschichttransistors Td verbunden.
  • Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung wird angesteuert, um ein Bild anzuzeigen. Wenn beispielsweise der Schalt-Dünnschichttransistor Ts durch ein über die Gate-Leitung GL angelegtes Gate-Signal eingeschaltet wird, wird ein Datensignal aus der Datenleitung DL durch den Schalt-Dünnschichttransistor Ts an die Gate-Elektrode des Ansteuer-Dünnschichttransistors Td und eine Elektrode des Speicherkondensators Cst angelegt.
  • Wenn der Ansteuer-Dünnschichttransistor Td durch das Datensignal eingeschaltet wird, wird ein durch die Leuchtdiode De fließender elektrischer Strom gesteuert, wodurch ein Bild angezeigt wird. Die Leuchtdiode De emittiert Licht aufgrund des Stroms, der durch den Ansteuer-Dünnschichttransistor Td aus der Hochspannungsversorgung VDD zugeführt wird.
  • Die Menge des durch die Leuchtdiode De fließenden Stroms ist nämlich proportional zu der Größe des Datensignals und die Intensität des von der Leuchtdiode De emittierten Lichts ist proportional zu der Menge des durch die Leuchtdiode De fließenden Stroms. Somit zeigen die Pixelbereiche P in Abhängigkeit von der Größe des Datensignals unterschiedliche Graustufen und als Ergebnis zeigt die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung ein Bild an.
  • Zudem hält der Speicherkondensator Cst Ladungen entsprechend dem Datensignal für einen Rahmen, wenn der Dünnschicht-Schalttransistor Ts ausgeschaltet ist. Dementsprechend ermöglicht der Speicherkondensator Cst auch dann, wenn der Schalt-Dünnschichttransistor Ts ausgeschaltet ist, dass die durch die Leuchtdiode De fließende Strommenge konstant ist und die von der Leuchtdiode De gezeigte Graustufe bis zu dem nächsten Rahmen beibehalten wird.
  • Indes können zusätzlich zu den Schalt- und Ansteuer-Dünnschichttransistoren Ts und Td und dem Speicherkondensator Cst ein oder mehrere Dünnschichttransistoren und/oder Kondensatoren in dem Pixelbereich P hinzugefügt sein.
  • Beispielsweise wird bei der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der Ansteuer-Dünnschichttransistor Td für eine relativ lange Zeit eingeschaltet, während das Datensignal an die Gate-Elektrode des Ansteuer-Dünnschichttransistors Td und die Leuchtdiode De Licht emittiert, um dadurch die Graustufe anzuzeigen. Der Ansteuer-Dünnschichttransistors Td kann sich aufgrund des Anlegens des langzeitigen Datensignals verschlechtern. Daher ändern sich die Mobilität und/oder die Schwellenspannung Vth des Ansteuer-Dünnschichttransistors Td und somit zeigt der Pixelbereich P der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung eine andere Graustufe bezüglich des gleichen Datensignals an. Dies verursacht eine ungleichmäßige Leuchtdichte, wodurch die Bildqualität der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung verringert wird.
  • Um die Änderung der Mobilität und/oder der Schwellenspannung des Ansteuer-Dünnschichttransistors Td zu kompensieren, kann demgemäß ferner mindestens ein Erfassungs-Dünnschichttransistor und/oder ein Kondensator zum Erfassen einer Spannungsänderung in dem Pixelbereich P hinzugefügt werden. Der Erfassungs-Dünnschichttransistor und/oder der Kondensator können mit einer Referenzleitung verbunden sein, um eine Referenzspannung anzulegen und eine Erfassungsspannung auszugeben.
  • Bei der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung umfasst die Leuchtdiode De eine erste Elektrode, eine Leuchtschicht und eine zweite Elektrode. Die erste Elektrode, die Leuchtschicht und die zweite Elektrode können nacheinander über einem Substrat ausgebildet sein und der Dünnschicht-Schalttransistor Ts, der Ansteuer-Dünnschichttransistor Td und der Speicherkondensator Cst können zwischen dem Substrat und der ersten Elektrode ausgebildet sein. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann vom Typ mit Emission nach oben sein, bei dem Licht aus der Leuchtschicht der Leuchtdiode De in eine dem Substrat entgegengesetzte Richtung ausgegeben wird, d. h. durch die zweite Elektrode nach außen ausgegeben wird. Die Anzeigevorrichtung vom Typ mit Emission nach oben kann einen weiteren Emissionsbereich aufweisen als eine Anzeigevorrichtung vom Typ mit Emission nach unten der gleichen Größe, um dadurch die Leuchtdichte zu verbessern und die Leistungsaufnahme zu reduzieren.
  • Um Licht durchzulassen, sollte die zweite Elektrode so aus einem Metallmaterial ausgebildet sein, dass sie eine geringe Dicke hat, oder aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet sein. Dementsprechend kann der Widerstand der zweiten Elektrode zunehmen und ein Spannungsabfall kann aufgrund des Widerstands auftreten, wodurch ein Problem mit ungleichmäßiger Helligkeit verursacht wird.
  • Daher ist in der vorliegenden Offenbarung die zweite Elektrode mit einer Hilfselektrode elektrisch verbunden, um den Widerstand der zweiten Elektrode zu verringern. Dabei kann die zweite Elektrode über ein Verbindungsmuster mit der Hilfselektrode elektrisch verbunden sein und zwischen dem Verbindungsmuster und der zweiten Elektrode kann ein Hilfsmuster ausgebildet sein, so dass die Eigenschaft des elektrischen Kontakts durch Verringern des Kontaktwiderstands zwischen dem Verbindungsmuster und der zweiten Elektrode verbessert werden kann.
  • 2 ist eine schematische Draufsicht auf eine Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung und zeigt hauptsächlich eine Bankkonfiguration.
  • Wie es in 2 gezeigt ist, sind bei der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung rote, grüne und blaue Unterpixel R, G und B nacheinander entlang einer ersten Richtung (X-Achsen-Richtung), die im Kontext der Figur eine horizontale Richtung ist, angeordnet und die Unterpixel R, G und B gleicher Farbe sind entlang einer zweiten Richtung (Y-Achsen-Richtung) angeordnet, die senkrecht zu der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) ist. Die roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B bilden ein Pixel und jedes der roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B kann die Schaltungskonfiguration des Pixelbereichs P von 1 aufweisen.
  • Hier haben die roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B jeweils eine rechteckige Form mit abgerundeten Ecken, sie sind jedoch nicht darauf beschränkt. Jedes der roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B kann verschiedene Formen haben, wie beispielsweise eine rechteckige Form mit abgewinkelten Ecken, eine ovale Form oder dergleichen.
  • Die roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B können unterschiedliche Größen haben. Die Größen der roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B sind unter Berücksichtigung der Lebensdauer einer an jedem Unterpixel bereitgestellten Leuchtdiode bestimmt. Beispielsweise kann die Größe des grünen Unterpixels G größer als die Größe des roten Unterpixels R und kleiner als die Größe des blauen Unterpixels B sein. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Alternativ können die roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B die gleiche Größe haben.
  • Die roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B können durch eine Bank definiert sein. Die Bank umfasst eine erste Bank 172 mit einer hydrophilen Eigenschaft und eine zweite Bank 174 mit einer hydrophoben Eigenschaft.
  • Genauer ist die erste Bank 172 zwischen benachbarten Unterpixeln R, G und B gleicher Farbe und zwischen benachbarten Unterpixeln R, G und B unterschiedlicher Farbe angeordnet. Die erste Bank 172 kann jedes der Unterpixel R, G und B umgeben.
  • Alternativ kann die erste Bank 172 zwischen den benachbarten Unterpixeln R, G und B unterschiedlicher Farbe entfallen. Das heißt, die erste Bank 172 kann sich entlang der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) erstrecken und kann nur zwischen benachbarten Unterpixeln R, G und B gleicher Farbe entlang der zweiten Richtung (Y-Achsenrichtung) ausgebildet sein.
  • Die zweite Bank 174 ist auf der ersten Bank 172 angeordnet. Die zweite Bank 174 weist eine Öffnung 174a auf, die einer Spalte von Unterpixeln gleicher Farbe entspricht, und ist zwischen benachbarten Unterpixeln R, G und B unterschiedlicher Farbe entlang der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) angeordnet.
  • Dementsprechend erstreckt sich die Öffnung 174a in der zweiten Richtung (Y-Achsen-Richtung) und die Öffnung 174a hat eine Länge in der zweiten Richtung (Y-Achsen-Richtung), die länger als eine Länge in der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung), also eine Breite ist. Die Öffnung 174a hat eine kurze Seite parallel zur ersten Richtung (X-Achsenrichtung) und eine lange Seite parallel zu der zweiten Richtung (Y-Achsenrichtung). Dabei kann die zweite Bank 174 eine schmalere Breite als die erste Bank 172 zwischen den benachbarten Unterpixeln R, G und B unterschiedlicher Farbe entlang der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) aufweisen.
  • Außerdem kann die zweite Bank 174 einen Erweiterungsteil 174c aufweisen, der sich in der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) erstreckt. Zum Beispiel kann der Erweiterungsteil 174c zwischen den benachbarten blauen Unterpixeln B entlang der zweiten Richtung (Y-Achsenrichtung) angeordnet sein und kann die erste Bank 172 überlappen.
  • Indes können die erste Bank 172 und die zweite Bank 174 erste und zweite Hilfskontaktlöcher 172b und 174b, die dem Erweiterungsteil 174c entsprechen, aufweisen.
  • Hier können ein Erweiterungsteil 174c und ein erstes und ein zweites Hilfskontaktloch 172b und 174b so ausgebildet sein, dass sie einem Pixel entsprechen, das die roten, grünen und blauen Unterpixel R, G und B aufweist. Die Offenbarung ist nicht darauf beschränkt und die Anzahl und Position des Erweiterungsteils 174c und des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b können variiert werden.
  • Obwohl es in der Figur nicht gezeigt ist, sind eine Hilfselektrode und ein Verbindungsmuster dort entsprechend dem Erweiterungsteil 174c ausgebildet, wo das erste und das zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b ausgebildet sind, und das Verbindungsmuster ist durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt. Außerdem ist zwischen dem Verbindungsmuster und der zweiten Elektrode ein Hilfsmuster ausgebildet. Dementsprechend ist die zweite Elektrode der Leuchtdiode durch das Verbindungsmuster mit der Hilfselektrode elektrisch verbunden und es ist möglich, den Kontaktwiderstand zwischen dem Verbindungsmuster und der zweiten Elektrode aufgrund des Hilfsmusters zu verringern.
  • Eine Konfiguration der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der Ausführungsfonn der vorliegenden Offenbarung wird im Einzelnen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Erste Ausführungsform-
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 3 entspricht der Linie I-I' von 2 und zeigt einen Pixelbereich.
  • In 3 ist eine Pufferschicht 120 im Wesentlichen auf einer gesamten Oberfläche eines Substrats 100 ausgebildet. Das Substrat 100 kann ein Glassubstrat oder ein Kunststoffsubstrat sein. Beispielsweise kann ohne Einschränkung darauf Polyimid für das Kunststoffsubstrat verwendet werden.
  • Die Pufferschicht 120 kann aus einem anorganischen isolierenden Material wie etwa Siliciumoxid (SiO2) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein und kann als eine einzelne Schicht oder mehrere Schichten ausgebildet sein.
  • Eine erste Gate-Elektrode 122, eine zweite Gate-Elektrode 124, eine Kondensatorelektrode 126 und eine erste Hilfselektrode 128 aus einem leitfähigen Material wie etwa Metall sind auf der Pufferschicht 120 ausgebildet.
  • Die erste Gate-Elektrode 122, die zweite Gate-Elektrode 124, die Kondensatorelektrode 126 und die erste Hilfselektrode 128 können aus mindestens einem Material unter Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Chrom (Cr), Nickel (Ni), Wolfram (W) oder einer Legierung davon ausgebildet sein und können eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aufweisen. Zum Beispiel können die erste Gate-Elektrode 122, die zweite Gate-Elektrode 124, die Kondensatorelektrode 126 und die erste Hilfselektrode 128 eine Doppelschichtstruktur, die eine untere Schicht aus einer Molybdän-Titan-Legierung (MoTi) und eine obere Schicht aus Kupfer (Cu) umfasst, aufweisen und die obere Schicht kann eine dickere Dicke aufweisen als die untere Schicht.
  • Hier kann sich die erste Hilfselektrode 128 in einer Draufsicht in einer ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) parallel zu dem Substrat 100 erstrecken. Dementsprechend kann die erste Hilfselektrode 128 so ausgebildet sein, dass sie mehreren Pixelbereichen entspricht, die entlang der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) angeordnet sind. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Indes kann eine Gate-Leitung (nicht gezeigt) ferner aus dem gleichen Material und auf derselben Schicht wie die erste und die zweite Gate-Elektrode 122 und 124 ausgebildet sein. Die Gate-Leitung kann sich in der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) erstrecken und in diesem Fall können die Gate-Leitung und die erste Hilfselektrode 128 parallel zueinander sein.
  • Eine Gate-Isolierschicht 130 aus einem isolierenden Material ist auf der ersten Gate-Elektrode 122, der zweiten Gate-Elektrode 124, der Kondensatorelektrode 126 und der ersten Hilfselektrode 128 ausgebildet. Die Gate-Isolierschicht 130 ist im Wesentlichen auf der gesamten Oberfläche des Substrats 100 angeordnet. Die Gate-Isolierschicht 130 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial wie etwa Siliciumoxid (SiO2) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein.
  • Die Gate-Isolierschicht 130 weist ein erstes Kontaktloch 130a, das die erste Gate-Elektrode 122 teilweise freilegt, und ein zweites Kontaktloch 130b, das die erste Hilfselektrode 128 teilweise freilegt, auf.
  • Eine erste Halbleiterschicht 132 und eine zweite Halbleiterschicht 134 sind auf der Gate-Isolierschicht 130 ausgebildet. Die erste Halbleiterschicht 132 überlappt die erste Gate-Elektrode 122 und die zweite Halbleiterschicht 134 überlappt die zweite Gate-Elektrode 124. Die erste und die zweite Halbleiterschicht 132 und 134 sind von dem ersten Kontaktloch 130a beabstandet, das zwischen der ersten und zweiten Halbleiterschicht 132 und 134 angeordnet ist.
  • Die erste und die zweite Halbleiterschicht 132 und 134 können aus einem Oxid-Halbleitermaterial ausgebildet sein. In diesem Fall ist es von Vorteil, dass die Gate-Isolierschicht 130 aus Siliciumoxid (SiO2) ausgebildet ist.
  • Alternativ können die erste und die zweite Halbleiterschicht 132 und 134 aus amorphem Silicium ausgebildet sein.
  • Eine erste Source-Elektrode und erste Drain-Elektrode 140 und 142 und eine zweite Source-Elektrode und zweite Drain-Elektrode 144 und 146 aus einem leitfähigen Material wie etwa Metall sind auf der ersten und zweiten Halbleiterschicht 132 und 134 ausgebildet.
  • Genauer sind die erste Source-Elektrode 140 und die erste Drain-Elektrode 142 auf der ersten Halbleiterschicht 132 ausgebildet und die zweite Source-Elektrode 144 und die zweite Drain-Elektrode 146 auf der zweiten Halbleiterschicht 134 ausgebildet. Die erste Source-Elektrode 140 und die erste Drain-Elektrode 142 überlappen und kontaktieren die erste Halbleiterschicht 132 und die zweite Source-Elektrode 144 und die zweite Drain-Elektrode 146 überlappen und kontaktieren die zweite Halbleiterschicht 134.
  • Die erste Source-Elektrode und erste Drain-Elektrode 140 und 142 und die zweite Source-Elektrode und zweite Drain-Elektrode 144 und 146 können aus mindestens einem Material unter Aluminium (Al), Kupfer (Cu), Molybdän (Mo), Titan (Ti), Chrom (Cr), Nickel (Ni), Wolfram (W) oder einer Legierung davon ausgebildet sein und können eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aufweisen. Zum Beispiel können die erste Source-Elektrode und die erste Drain-Elektrode 140 und 142 und die zweite Source-Elektrode und die zweite Drain-Elektrode 144 und 146 eine Doppelschichtstruktur, die eine untere Schicht aus einer Molybdän-Titan-Legierung (MoTi) und eine obere Schicht aus Kupfer (Cu) umfasst, aufweisen und die obere Schicht kann eine dickere Dicke aufweisen als die untere Schicht. Alternativ können die ersten Source-Elektrode und erste Drain-Elektrode 140 und 142 und die zweite Source-Elektrode und zweite Drain-Elektrode 144 und 146 eine dreischichtige Struktur aufweisen.
  • Die erste Drain-Elektrode 142 überlappt die Kondensatorelektrode 126, um einen Speicherkondensator zu bilden. Außerdem überlappt die zweite Drain-Elektrode 146 die erste Gate-Elektrode 122 und kontaktiert die erste Gate-Elektrode 122 durch das erste Kontaktloch 130a.
  • Die erste Gate-Elektrode 122, die erste Halbleiterschicht 132, die erste Source-Elektrode 140 und die erste Drain-Elektrode 142 bilden einen ersten Dünnschichttransistor T1 und die zweite Gate-Elektrode 124, die zweite Halbleiterschicht 134, die zweite Source-Elektrode 144 und die zweite Drain-Elektrode 146 bilden einen zweiten Dünnschichttransistor T2.
  • Der erste und der zweite Dünnschichttransistor T1 und T2 haben eine invertierte gestaffelte Struktur, bei der die Gate-Elektroden 122 und 124 unter der Halbleiterschicht 132 und 134 angeordnet sind und sich die Source- und Drain-Elektroden 140, 142, 144 und 146 über der Halbleiterschicht 132 und 134 befinden.
  • Alternativ können der erste und der zweite Dünnschichttransistor T1 und T2 eine koplanare Struktur aufweisen, bei der sich die Gate-Elektrode und die Source- und Drain-Elektrode in Bezug auf die Halbleiterschicht auf derselben Seite, d. h. über der Halbleiterschicht, befinden. In diesem Fall kann die Halbleiterschicht aus einem Oxid-Halbleitermaterial oder polykristallinem Silicium ausgebildet sein. Wenn die Halbleiterschicht aus polykristallinem Silicium ausgebildet ist, können beide Enden der Halbleiterschicht mit Fremdstoffen dotiert sein.
  • Der erste Dünnschichttransistor T1 entspricht dem Ansteuer-Dünnschichttransistors Td von 1 und der zweite Dünnschichttransistor T2 entspricht dem Schalt-Dünnschichttransistor Ts von 1. Obwohl dies in der Figur nicht gezeigt ist, kann auf dem Substrat 100 ferner ein Erfassungs-Dünnschichttransistor mit der gleichen Struktur wie der des ersten und zweiten Dünnschichttransistors T1 und T2 ausgebildet sein.
  • Ferner ist eine zweite Hilfselektrode 148 auf der Gate-Isolierschicht 130 ausgebildet und besteht aus dem gleichen Material wie die erste Source- und erste Drain-Elektrode 140 und 142 und die zweite Source- und zweite Drain-Elektrode 144 und 146. Die zweite Hilfselektrode 148 überlappt die erste Hilfselektrode 128 und kontaktiert die erste Hilfselektrode 128 durch das zweite Kontaktloch 130b. Die zweite Hilfselektrode 148 kann sich in einer zweiten Richtung (Y-Achsenrichtung) erstrecken, die die erste Richtung (X-Achsenrichtung) schneidet, wodurch sie den mehreren Pixelbereichen entspricht, die entlang der zweiten Richtung (Y-Achsenrichtung) angeordnet sind. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Indes können ferner eine Datenleitung (nicht gezeigt) und eine Hochspannungsversorgungsleitung (nicht gezeigt) auf der Zwischenschicht-Isolierschicht ausgebildet sein und können aus der ersten Source- und ersten Drain-Elektrode 140 und 142 und der zweiten Source- und zweiten Drain-Elektrode 144 und 146 bestehen. Die Datenleitung und die Hochspannungsversorgungsleitung können sich in der zweiten Richtung (Y-Achsenrichtung) erstrecken. Dementsprechend können die Datenleitung und die Hochspannungsversorgungsleitung parallel zueinander verlaufen. Wenn sich die zweite Hilfselektrode 148 in der zweiten Richtung (Y-Achsenrichtung) erstreckt, kann die zweite Hilfselektrode 148 ferner parallel zu der Datenleitung und der Hochspannungsversorgungsleitung sein.
  • Obwohl dies in der Figur nicht gezeigt ist, kann zwischen dem Substrat 100 und der Pufferschicht 120 ferner ein Lichtblockiermuster ausgebildet sein. Das Lichtblockiermuster überlappt die erste und zweite Halbleiterschicht 132 und 134 und blockiert auf die erste und zweite Halbleiterschicht 132 und 134 einfallendes Licht, wodurch verhindert wird, dass sich die erste und zweite Halbleiterschicht 132 und 134 aufgrund des Lichts verschlechtern. Dabei können mehrere Lichtblockiermuster die ersten und zweiten Halbleiterschicht 132 bzw. 134 überlappen. Alternativ kann ein Lichtblockiermuster sowohl die erste als auch die zweite Halbleiterschicht 132 und 134 überlappen.
  • Das Lichtblockiermuster kann aus einem leitfähigen Material wie Metall ausgebildet sein.
  • Außerdem kann ferner eine (nicht gezeigte) Hilfsleitung aus dem gleichen Material wie das Lichtblockiermuster ausgebildet sein. Die Hilfsleitung kann die erste und zweite Hilfselektrode 128 und 148 überlappen und mit der ersten und zweiten Hilfselektrode 128 und 148 elektrisch verbunden sein.
  • Die Hilfsleitung kann sich in der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) und/oder der zweiten Richtung (Y-Achsen-Richtung) erstrecken. Beispielsweise kann sich die Hilfsleitung in der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) erstrecken und kann den Mehreren Pixelbereichen entsprechen, die entlang der ersten Richtung (X-Achsen-Richtung) angeordnet sind. Oder die Hilfsleitung kann sich in der zweiten Richtung (Y-Achsen-Richtung), die die erste Richtung (X-Achsen-Richtung) schneidet, erstrecken und kann den mehreren Pixelbereichen entsprechen, die entlang der zweiten Richtung (Y-Achsen-Richtung) angeordnet sind. Alternativ kann sich die Hilfsleitung in der ersten und zweiten Richtung (X-Achsen- und Y-Achsen-Richtung) erstrecken und eine Gitterstruktur aufweisen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Als Nächstes ist eine Passivierungsschicht 150 aus einem isolierenden Material auf der ersten Source- und ersten Drain-Elektrode 140 und 142, der zweiten Source- und zweiten Drain-Elektrode 144 und 146 und der zweiten Hilfselektrode 148 im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet. Die Passivierungsschicht 150 kann aus einem anorganischen Isoliermaterial wie etwa Siliciumoxid (SiO2) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein.
  • Als Nächstes ist eine Überzugsschicht 155 aus einem Isoliermaterial auf der Passivierungsschicht 150 im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet. Die Überzugsschicht 155 kann aus einem organischen Isoliermaterial wie Photoacryl oder Benzocyclobuten ausgebildet Sein. Die Überzugsschicht 155 kann Niveauunterschiede aufgrund von Unterschichten beseitigen und hat eine im Wesentlichen ebene obere Oberfläche.
  • Hier kann entweder die Passivierungsschicht 150 oder die Überzugsschicht 155 entfallen. Beispielsweise kann ohne Einschränkung darauf die Passivierungsschicht 150 entfallen.
  • Die Passivierungsschicht 150 und die Überzugsschicht 155 weisen ein Drain-Kontaktloch 155a auf, das die erste Drain-Elektrode 142 freilegt. Ferner weisen die Passivierungsschicht 150 und die Überzugsschicht 155 ein drittes Kontaktloch 155b auf, das die zweite Hilfselektrode 148 freilegt.
  • Eine erste Elektrode 160 mit einer relativ hohen Austrittsarbeit ist auf der Überzugsschicht 155 ausgebildet. Die erste Elektrode 160 steht mit der ersten Drain-Elektrode 142 durch das Drain-Kontaktloch 155a in Kontakt.
  • Obwohl dies in der Figur nicht gezeigt ist, kann die erste Elektrode 160 eine mehrschichtige Struktur aufweisen. Zum Beispiel kann die erste Elektrode 160 eine erste Schicht, eine zweite Schicht und eine dritte Schicht aufweisen, die nacheinander auf der Überzugsschicht 155 gestapelt sind. Dementsprechend kann die erste Schicht mit der Überzugsschicht 155 in Kontakt stehen und die zweite Schicht kann zwischen der ersten Schicht und der dritten Schicht angeordnet sein.
  • Hier kann die dritte Schicht aus einem leitfähigen Material mit einer relativ hohen Austrittsarbeit ausgebildet sein und kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) ausgebildet sein. Außerdem kann die zweite Schicht aus einem Metallmaterial mit relativ hohem Reflexionsvermögen ausgebildet sein und kann z. B. aus Silber (Ag), Aluminium (Al) oder Aluminium-Palladium-Kupfer-Legierung (Al-Pd-Cu: APC) ausgebildet sein. Hierbei ist die Austrittsarbeit der dritten Schicht höher als die Austrittsarbeit der zweiten Schicht.
  • Indes ist die erste Schicht so ausgebildet, dass sie die Hafteigenschaft zwischen der zweiten Schicht und der Überzugsschicht 155 verbessert. Die erste Schicht kann aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) ausgebildet sein, ist aber nicht darauf beschränkt. Die erste Schicht kann entfallen.
  • Eine Dicke der zweiten Schicht kann größer sein als eine Dicke der dritten Schicht. Beispielsweise kann die Dicke der zweiten Schicht 80 nm bis 100 nm betragen und die Dicke der dritten Schicht kann 10 nm bis 80 nm betragen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Eine Dicke der ersten Schicht kann kleiner sein als die Dicke der zweiten Schicht und kann kleiner oder gleich der Dicke der dritten Schicht sein. Beispielsweise kann die Dicke der ersten Schicht 10 nm betragen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Zudem ist ein Verbindungsmuster 162 auf der Überzugsschicht 155 gebildet und ist aus dem gleichen Material wie die erste Elektrode 160 ausgebildet. Dementsprechend kann das Verbindungsmuster 162 eine erste, zweite und dritte Schicht umfassen. Dabei kann die zweite Schicht zwischen der ersten Schicht und der dritten Schicht angeordnet sein und die erste Schicht kann zwischen der zweiten Schicht und dem Substrat 100, insbesondere zwischen der zweiten Schicht und der Überzugsschicht 155, angeordnet sein. Das Verbindungsmuster 162 steht mit der zweiten Hilfselektrode 148 durch das dritte Kontaktloch 155b in Kontakt.
  • Unterdessen entfällt, wie es oben erwähnt ist, dann, wenn die erste Elektrode 160 eine doppelschichtige Struktur hat, bei der die erste Schicht der ersten Elektrode 160 weggelassen ist, auch die erste Schicht des Verbindungsmusters 162, so dass das Verbindungsmuster 162 eine doppelschichtige Struktur aufweist.
  • Auf der ersten Elektrode 160 und dem Verbindungsmuster 162 ist eine Bank aus einem isolierenden Material ausgebildet. Die Bank umfasst eine erste Bank 172 mit hydrophiler Eigenschaft und eine zweite Bank 174 mit hydrophober Eigenschaft.
  • Genauer überlappt und bedeckt die erste Bank 172 Ränder der ersten Elektrode 160 und legt einen mittleren Abschnitt der ersten Elektrode 160 frei. Außerdem bedeckt die auch auf dem Verbindungsmuster 162 ausgebildete erste Bank 172 Ränder des Verbindungsmusters 162 und weist ein erstes Hilfskontaktloch 172b auf, das einen mittleren Abschnitt des Verbindungsmusters 162 freilegt.
  • Die erste Bank 172 kann aus einem Material mit hydrophilen Eigenschaften wie beispielsweise einem anorganischen Isoliermaterial wie etwa wie etwa Siliciumoxid (SiO2) oder Siliciumnitrid (SiNx) ausgebildet sein. Alternativ kann die erste Bank 172 aus Polyimid ausgebildet sein.
  • Die zweite Bank 174 ist auf der ersten Bank 172 ausgebildet. Dabei ist zumindest eine obere Oberfläche der zweiten Bank 174 hydrophob und eine Seitenfläche der zweiten Bank 174 kann hydrophob oder hydrophil sein.
  • Die zweite Bank 174 weist eine Öffnung 174a auf, die den mittleren Abschnitt der ersten Elektrode 160 freilegt. Wie oben erwähnt, kann die Öffnung 174a der zweiten Bank 174 derselben Farb-Unterpixelspalte entsprechen.
  • Die zweite Bank 174 ist auf der ersten Bank 172 mit einer geringeren Breite als die erste Bank 172 angeordnet und legt Ränder der ersten Bank 172 frei. Außerdem kann eine Dicke der zweiten Bank 174 größer sein als eine Dicke der ersten Bank 172.
  • Die zweite Bank 174 kann aus einem organischen Isoliermaterial mit hydrophoben Eigenschaften ausgebildet sein. Alternativ kann die zweite Bank 174 aus einem organischen Isoliermaterial mit hydrophilen Eigenschaften ausgebildet sein und einer hydrophoben Behandlung unterzogen werden.
  • Ferner weist die zweite Bank 174 ein zweites Hilfskontaktloch 174b, das dem ersten Hilfskontaktloch 172b entspricht, auf und das Verbindungsmuster 162 ist durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt.
  • Das Verbindungsmuster 162 und das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b können in anderen Pixelbereichen entfallen. Das heißt, das Verbindungsmuster 162 und das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b können in einigen Pixelbereichen ausgebildet sein.
  • Zum Beispiel können ein Verbindungsmuster 162, ein erstes Hilfskontaktloch 172b und ein zweites Hilfskontaktloch 174b so ausgebildet sein, dass sie einem Pixel mit roten, grünen und blauen Unterpixeln entsprechen. Dabei können das Verbindungsmuster 162, das erste Hilfskontaktloch 172b und das zweite Hilfskontaktloch 174b so ausgebildet sein, dass sie dem blauen Unterpixel entsprechen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Indes kann nur die erste Bank 172 an anderen Rändern der ersten Elektrode 160 angeordnet sein, die in der Figur nicht gezeigt sind.
  • zudem sind die erste Bank 172 und die zweite Bank 174 aus unterschiedlichen Materialien ausgebildet und in 3 voneinander getrennt. Jedoch können die hydrophile erste Bank 172 und die hydrophobe zweite Bank 174 aus dem gleichen Material und als ein Körper ausgebildet sein. Zum Beispiel kann eine Schicht aus organischem Material im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet sein, kann durch eine Halbtonmaske hindurch, die einen lichtdurchlässigen Abschnitt, einen lichtblockierenden Abschnitt und einen halblichtdurchlässigen Abschnitt umfasst, mit Licht belichtet werden und strukturiert werden, wodurch die hydrophile erste Bank 172 und die hydrophobe zweite Bank 174 mit unterschiedlichen Breiten und unterschiedlichen Dicken ausgebildet werden.
  • Eine Leuchtschicht 180 ist auf der durch die Öffnung 174a freigelegten ersten Elektrode 160 ausgebildet. Die Leuchtschicht 180 kann eine erste Ladungshilfsschicht 182, eine Leuchtmaterialschicht 184 und eine zweite Ladungshilfsschicht 186 umfassen, die nacheinander über der ersten Elektrode 160 positioniert sind. Die Leuchtmaterialschicht 184 kann aus einem Material unter rot, grün und blau lumineszierenden Materialien ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Das lumineszierende Material kann ein organisches lumineszierendes Material wie beispielsweise eine phosphoreszierende Verbindung oder eine fluoreszierende Verbindung sein oder kann ein anorganisches lumineszierendes Material wie beispielsweise ein Quantenpunkt sein.
  • Die erste Ladungshilfsschicht 182 kann eine Lochhilfsschicht sein und die Lochhilfsschicht kann eine Lochinjektionsschicht (HIL) und/oder eine Lochtransportschicht (HTL) umfassen. Außerdem kann die zweite Ladungshilfsschicht 186 eine Elektronenhilfsschicht sein und die Elektronenhilfsschicht kann eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) und/oder eine Elektronentransportschicht (ETL) umfassen. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Hierbei können die erste Ladungshilfsschicht 182 und die Leuchtmaterialschicht 184 jeweils durch einen Lösungsprozess ausgebildet sein. Somit kann der Prozess vereinfacht werden und es kann eine Anzeigevorrichtung mit großen Abmessungen und hoher Auflösung geschaffen werden. Als Lösungsverfahren kann ein Schleuderbeschichtungsverfahren, ein Tintenstrahldruckverfahren oder ein Siebdruckverfahren verwendet werden, aber die vorliegende Offenbarung ist nicht darauf beschränkt.
  • Da, wie es oben beschrieben ist, die Öffnung 174a der zweiten Bank 174 so ausgebildet ist, dass sie der Spalte von Unterpixeln gleicher Farbe entspricht, werden Lösungen, die in jeweilige Pixelbereiche, die der Spalte von Unterpixeln gleicher Farbe entsprechen, durch unterschiedliche Düsen getropft werden, miteinander verbunden und die erste Ladungshilfsschicht 182 und die Leuchtmaterialschicht 184 werden jeweils durch Trocknen der Lösungen gebildet. Somit werden die ersten Ladungshilfsschichten 182 oder die Leuchtmaterialschichten 184 in benachbarten Pixelbereichen, die der Spalte von Unterpixeln gleicher Farbe entsprechen, miteinander verbunden und als ein Körper ausgebildet. Dementsprechend kann die Abweichung zwischen den Tropfenmengen der Düsen minimiert werden und die Dicken der in den jeweiligen Pixelbereichen gebildeten Dünnschichten können gleichförmig sein.
  • Wenn die Lösung getrocknet wird, unterscheidet sich eine Trocknungsgeschwindigkeit eines Lösungsmittels in einem der zweiten Bank 174 benachbarten Bereich von der in anderen Bereichen. Das heißt, die Trocknungsgeschwindigkeit des Lösungsmittels in dem der zweiten Bank 174 benachbarten Bereich ist schneller als in den anderen Bereichen. Daher kann eine Höhe jeweils der ersten Ladungshilfsschicht 182 und der Leuchtmaterialschicht 184 in dem der zweiten Bank 174 benachbarten Bereich bei Annäherung an die zweite Bank 174 steigen.
  • Indes kann die zweite Ladungshilfsschicht 186 durch einen thermischen Verdampfungsprozess ausgebildet sein. Dementsprechend kann die zweite Ladungshilfsschicht 186 im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet sein. Das heißt, die zweite Ladungshilfsschicht 186 kann auf der oberen Oberfläche und der Seitenfläche der zweiten Bank 174 ausgebildet sein und kann auch auf dem Verbindungsmuster 162 ausgebildet sein.
  • Eine zweite Elektrode 190 aus einem leitfähigen Material mit relativ niedriger Austrittsarbeit ist auf der Leuchtschicht 180, insbesondere auf der zweiten Ladungshilfsschicht 186, im Wesentlichen über die gesamte Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet. Die zweite Elektrode 190 kann aus Aluminium (Al), Magnesium (Mg), Silber (Ag) oder einer Legierung davon gebildet sein. Dabei weist die zweite Elektrode 190 eine relativ geringe Dicke auf, so dass Licht aus der Leuchtschicht 180 durch sie hindurch gelangen kann. Beispielsweise kann die zweite Elektrode 190 eine Dicke von 5 nm bis 10 nm aufweisen, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Alternativ kann die zweite Elektrode 190 aus einem transparenten leitfähigen Material wie Indium-Gallium-Oxid (IGO) oder IZO ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Die erste Elektrode 160, die Leuchtschicht 180 und die zweite Elektrode 190 bilden eine Leuchtdiode De. Die erste Elektrode 160 kann als Anode dienen und die zweite Elektrode 190 kann als Kathode dienen, sie sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Dabei kann die Leuchtdiode De jedes Pixelbereichs eine Elementdicke für einen Mikrohohlraumeffekt, der einer Wellenlänge des emittierten Lichts entspricht, aufweisen, wodurch die Lichtausbeute erhöht wird. Hierbei kann die Elementdicke ein Abstand zwischen der ersten Elektrode 160 und der zweiten Elektrode 190 sein.
  • Obwohl dies in der Figur nicht gezeigt ist, kann indes eine Deckschicht auf der zweiten Elektrode 190 im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet sein. Die Deckschicht kann aus einem isolierenden Material mit einem relativ hohen Brechungsindex ausgebildet sein. Die Wellenlänge des Lichts, das sich entlang der Deckschicht ausbreitet, kann durch Oberflächenplasmaresonanz verstärkt werden und somit kann die Intensität des Peaks erhöht werden, wodurch die Lichtausbeute in der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung vom Typ mit Emission nach oben verbessert wird. Beispielsweise kann die Deckschicht als einzelne Schicht einer organischen Schicht oder einer anorganischen Schicht oder als organisch/anorganische Stapelschichten ausgebildet sein.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung vom Typ mit Emission nach oben sein, bei dem Licht aus der Leuchtschicht 180 der Leuchtdiode De in eine Richtung entgegengesetzt zu dem Substrat 100, d. h. nach außen durch die zweite Elektrode 190, ausgegeben wird. Die Anzeigevorrichtung vom Typ mit Emission nach oben kann einen weiteren Emissionsbereich aufweisen als die Anzeigevorrichtung vom Typ mit Emission nach unten der gleichen Größe, um dadurch die Leuchtdichte zu verbessern und die Leistungsaufnahme zu reduzieren.
  • Um Licht durchzulassen, ist die zweite Elektrode 190 aus einem Metallmaterial so ausgebildet, dass sie eine geringe Dicke aufweist, oder aus einem transparenten leitfähigen Material ausgebildet, so dass der Widerstand der zweiten Elektrode 190 zunimmt. Dementsprechend ist, um den Widerstand der zweiten Elektrode 190 zu verringern, die zweite Elektrode 190 der vorliegenden Offenbarung mit dem Verbindungsmuster 162 durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b elektrisch verbunden. Daher ist die zweite Elektrode 190 mit der ersten und der zweiten Hilfselektrode 128 und 148 durch das Verbindungsmuster 162 elektrisch verbunden.
  • Dabei ist die zweite Ladungshilfsschicht 186 zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 angeordnet. Da die zweite Ladungshilfsschicht 186 eine Isoliereigenschaft hat und als Widerstand wirkt, ist eine Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 reduziert. Außerdem sind Widerstände, die auf das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b der jeweiligen Pixelbereiche wirken, nicht gleich, wodurch eine Emissionsdifferenz zwischen den Pixelbereichen verursacht wird. Wenn die erste Elektrode 160 und das Verbindungsmuster 162 Silber (Ag) beinhalten, besteht ferner das Problem, dass das Silber (Ag) aufgrund des hohen Widerstands zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 herausfließt.
  • Da jedoch in der vorliegenden Offenbarung das Hilfsmuster 200 zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162, insbesondere zwischen der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und dem Verbindungsmuster 162, ausgebildet ist, ist es möglich, dass die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 zunimmt und die Emission jedes Pixelbereichs gleichmäßig ist.
  • Dies wird im Einzelnen unter Bezugnahme auf 4 und 5 beschrieben.
  • 4 und 5 sind eine schematische Draufsicht und eine schematische Querschnittsansicht, die jeweils den Bereich A1 von 3 vergrößern. 4 ist eine Draufsicht, die eine planare Struktur eines Hilfsmusters in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 5 ist eine Querschnittsansicht, die der Linie II-II' von 4 entspricht.
  • In 4 und 5 ist die zweite Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190 entsprechend dem ersten und zweiten Hilfskontaktloch 172b und 174b der ersten und zweiten Bank 172 und 174 ausgebildet und das Hilfsmuster 200 ist zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Ladungshilfsschicht 186 ausgebildet.
  • Insbesondere sind die erste Bank 172 mit dem ersten Hilfskontaktloch 172b und die zweite Bank 174 mit dem zweiten Hilfskontaktloch 174b nacheinander auf dem Verbindungsmuster 162 ausgebildet und das Verbindungsmuster 162 ist durch das erste und das zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt.
  • Als Nächstes ist das Hilfsmuster 200 auf der ersten und zweiten Bank 172 und 174 entsprechend dem ersten und zweiten Hilfskontaktloch 172b und 174b ausgebildet. Das Hilfsmuster 200 kontaktiert das Verbindungsmuster 162 und bedeckt und kontaktiert die Seitenflächen der ersten Bank 172. Außerdem kann das Hilfsmuster 200 die obere Oberfläche der ersten Bank 172 und die Seitenflächen der zweiten Bank 174 kontaktieren. Alternativ kann das Hilfsmuster 200 mit der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 in Kontakt stehen und von den Seitenflächen der zweiten Bank 174 beabstandet sein oder kann von der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 und den Seitenflächen der zweiten Bank 174 beabstandet sein.
  • Das Hilfsmuster 200 ist entlang der Ränder des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b ausgebildet. Dementsprechend legt das Hilfsmuster 200 die obere Oberfläche des Verbindungsmusters 162 frei, die durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt ist.
  • Hier ist das Hilfsmuster 200 aus einem leitfähigen Material ausgebildet. Beispielsweise kann das Hilfsmuster 200 aus einem Metalloxid wie ITO oder IZO oder aus einem Metall mit relativ geringem Widerstand unter Atmosphärenbedingungen wie Wolfram (W), Chrom (Cr), Titan (Ti), Molybdän (Mo), Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Als Nächstes sind die zweite Ladungshilfsschicht 186 und die zweite Elektrode 190 nacheinander auf dem freigelegten Verbindungsmuster 162, dem Hilfsmuster 200 und der zweiten Bank 174 ausgebildet.
  • In der vorliegenden Offenbarung weisen die Seitenflächen des Hilfsmusters 200 einen größeren Neigungswinkel auf als die Seitenflächen der ersten Bank 172. Das heißt, die Seitenflächen des Hilfsmusters 200 weisen einen ersten Neigungswinkel a1 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf und die Seitenflächen der ersten Bank 172 weisen einen zweiten Neigungswinkel b1 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf. Der erste Neigungswinkel a1 ist größer als der zweite Neigungswinkel b1. Die Seitenflächen des Hilfsmusters 200 können eine normale Neigung aufweisen, bei der der erste Neigungswinkel a1 kleiner als 90 Grad ist. Beispielsweise kann der erste Neigungswinkel a1 größer oder gleich 75 Grad und kleiner als 90 Grad sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Außerdem kann der erste Neigungswinkel a1 der Seitenflächen des Hilfsmusters 200 größer als ein Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 sein. Dabei der Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 kleiner sein als der zweite Neigungswinkel b1 der Seitenflächen der ersten Bank 172, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Da die Seitenflächen des Hilfsmusters 200 einen relativ großen Neigungswinkel aufweisen, ist die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 200 dünner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Abschnitten. Das heißt, die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 200 ist kleiner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den oberen und Seitenflächen der zweiten Bank 174 und kleiner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186, die das Verbindungsmuster 162 kontaktiert.
  • Dementsprechend ist die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Hilfsmuster 200 und der zweiten Elektrode 190 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 200 kleiner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190. Der Abstand zwischen dem Hilfsmuster 200 und der zweiten Elektrode 190 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 200 ist nämlich kürzer als der Abstand zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190. Da der Kontaktwiderstand abnimmt, wenn der Abstand zwischen zwei leitfähigen Schichten abnimmt, was zu einer ohmschen Charakteristik führt, ist der Kontaktwiderstand zwischen dem Hilfsmuster 200 und der zweiten Elektrode 190 kleiner als der Kontaktwiderstand zwischen dem Verbindungsmuster 200 und der zweiten Elektrode 190.
  • Dementsprechend verkürzt das Hilfsmuster 200 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung den Abstand von der zweiten Elektrode 190 relativ zu dem Verbindungsmuster 162 und kontaktiert das Verbindungsmuster 162 , so dass der Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und das Verbindungsmuster 162 verringert werden kann.
  • Es ist von Vorteil, dass eine Höhe des Hilfsmusters 200, das heißt ein Abstand von der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 zu der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 200, größer als eine Summe der Dicken der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und der zweiten Elektrode 190 ist. Beispielsweise kann die Höhe des Hilfsmusters 200 1 µm bis 1,5 µm betragen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann bei der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung durch Ausbilden eines Teils der Leuchtschicht 180 durch den Lösungsprozess eine feine Metallmaske weggelassen werden, um dadurch die Herstellungskosten zu reduzieren, und eine Anzeigevorrichtung mit großen Abmessungen und hoher Auflösung kann implementiert werden.
  • Darüber hinaus kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als der Typ mit Emission nach oben ausgebildet sein, wodurch die Leuchtdichte verbessert und die Leistungsaufnahme verringert wird. Hier weist die zweite Elektrode 190 eine relativ geringe Dicke auf, um Licht durchzulassen, und ihr Widerstand nimmt zu. Die zweite Elektrode 190 ist jedoch über das Verbindungsmuster 162 mit der ersten und der zweiten Hilfselektrode 128 und 148 verbunden, so dass der Widerstand der zweiten Elektrode 190 verringert werden kann.
  • Da dabei das Hilfsmuster 200 aus einem leitfähigen Material zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162, insbesondere zwischen der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und dem Verbindungsmuster 162, ausgebildet ist, ist es möglich, die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 zu erhöhen.
  • Unterdessen kann eine der ersten und zweiten Hilfselektrode 128 und 148 weggelassen werden.
  • Das Hilfsmuster 200 kann durch einen Maskenprozess ausgebildet sein. Wenn ein leitfähiges Material direkt auf der ersten Elektrode 160 abgeschieden und dann strukturiert wird, kann die erste Elektrode 160 beschädigt werden und die Emissionsbereich kann beeinträchtigt werden. Dementsprechend schafft die vorliegende Offenbarung ein Verfahren zum Ausbilden des Hilfsmusters 200, bei dem der Emissionsbereich geschützt wird.
  • Ein Verfahren zum Herstellen der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird im Einzelnen unter Bezugnahme auf 6A bis 6J beschrieben.
  • 6A bis 6J sind Querschnittsansichten, die die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung in Schritten ihres Herstellungsprozesses gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung schematisch darstellen.
  • In 6A wird eine Pufferschicht 120 durch Abscheiden eines anorganischen Isoliermaterials im Wesentlichen auf einer gesamten Oberfläche eines Substrats 100 ausgebildet. Dann werden eine erste Gate-Elektrode 122, eine zweite Gate-Elektrode 124, eine Kondensatorelektrode 126 und eine erste Hilfselektrode 128 auf der Pufferschicht 120 durch Abscheiden eines leitfähigen Materials und Strukturieren desselben durch einen Maskenprozess ausgebildet.
  • Als Nächstes wird eine Gate-Isolierschicht 130 auf der ersten Gate-Elektrode 122, der zweiten Gate-Elektrode 124, der Kondensatorelektrode 126 und der ersten Hilfselektrode 128 durch Abscheiden eines anorganischen Isolationsmaterials ausgebildet und die Gate-Isolierschicht 130 wird durch einen Maskenprozess strukturiert, um dadurch ein erstes Kontaktloch 130a, das die erste Gate-Elektrode 122 freilegt, und ein zweites Kontaktloch 130b, das die erste Hilfselektrode 128 freilegt, zu bilden.
  • Als Nächstes werden eine erste Halbleiterschicht 132 und eine zweite Halbleiterschicht 134 auf der Gate-Isolierschicht 130 durch Abscheiden eines Halbleitermaterials und Strukturieren desselben durch einen Maskenprozess ausgebildet. Die erste Halbleiterschicht 132 überlappt die erste Gate-Elektrode 122 und die zweite Halbleiterschicht 134 überlappt die zweite Gate-Elektrode 124.
  • Das Halbleitermaterial kann hier ein Oxid-Halbleitermaterial oder amorphes Silicium sein.
  • Als Nächstes werden eine erste Source-Elektrode und erste Drain-Elektrode 140 und 142, eine zweite Source-Elektrode und zweite Drain-Elektrode 144 und 146 und eine zweite Hilfselektrode 148 auf der ersten und zweiten Halbleiterschicht 132 und 134 durch Abscheiden eines leitfähigen Materials und Strukturieren desselben durch einen Maskenprozess ausgebildet.
  • Die erste Source-Elektrode 140 und die erste Drain-Elektrode 142 überlappen und kontaktieren die erste Halbleiterschicht 132 und die zweite Source-Elektrode 144 und die zweite Drain-Elektrode 146 überlappen und kontaktieren die zweite Halbleiterschicht 134. Hier überlappt die erste Drain-Elektrode 142 die Kondensatorelektrode 126, um einen Speicherkondensator zu bilden. Die zweite Drain-Elektrode 146 überlappt die erste Gate-Elektrode 122 und kontaktiert die erste Gate-Elektrode 122 durch das erste Kontaktloch 130a.
  • Die erste Gate-Elektrode 122, die erste Halbleiterschicht 132, die erste Source-Elektrode 140 und die erste Drain-Elektrode 142 bilden einen ersten Dünnschichttransistor T1 und die zweite Gate-Elektrode 124, die zweite Halbleiterschicht 134, die zweite Source-Elektrode 144 und die zweite Drain-Elektrode 146 bilden einen zweiten Dünnschichttransistor T2.
  • Ferner überlappt die zweite Hilfselektrode 148 die erste Hilfselektrode 128 und kontaktiert die erste Hilfselektrode 128 durch das zweite Kontaktloch 130b.
  • Als Nächstes wird eine Passivierungsschicht 150 auf der ersten Source- und ersten Drain-Elektrode 140 und 142, der zweiten Source- und zweiten Drain-Elektrode 144 und 146 und der zweiten Hilfselektrode 148 durch Abscheiden eines anorganischen Isoliermaterials ausgebildet und eine Überzugsschicht 155 wird auf der Passivierungsschicht 150 durch Aufbringen eines organischen Isoliermaterials ausgebildet. Dann werden die Überzugsschicht 155 und die Passivierungsschicht 150 durch einen Maskenprozess strukturiert, um dadurch ein Drain-Kontaktloch 155a und ein drittes Kontaktloch 155b zu bilden.
  • Das Drain-Kontaktloch 155a legt einen Teil der ersten Drain-Elektrode 142 frei und das dritte Kontaktloch 155b legt einen Teil der zweiten Hilfselektrode 148 frei.
  • Hier wird beschrieben, dass die Passivierungsschicht 150 und die Überzugsschicht 155 durch denselben Maskenprozess strukturiert werden, aber die Passivierungsschicht 150 und die Überzugsschicht 155 können durch unterschiedliche Maskenprozesse strukturiert werden. Das heißt, nachdem die Passivierungsschicht 150 durch Abscheiden eines anorganischen Isoliermaterials ausgebildet und durch einen Maskenprozess strukturiert wird, kann die Überzugsschicht 155 durch Aufbringen eines organischen Isoliermaterials ausgebildet und durch einen weiteren Maskenprozess strukturiert werden.
  • Als Nächstes werden eine erste Elektrode 160 und ein Verbindungsmuster 162 auf der Überzugsschicht 155 durch Abscheiden eines leitfähigen Materials und Strukturieren desselben durch einen Maskenprozess ausgebildet.
  • Die erste Elektrode 160 steht mit der ersten Drain-Elektrode 142 durch das Drain-Kontaktloch 155a in Kontakt und das Verbindungsmuster 162 steht mit der zweiten Hilfselektrode 148 durch das dritte Kontaktloch 155b in Kontakt.
  • Die erste Elektrode 160 und das Verbindungsmuster 162 können jeweils eine mehrschichtige Struktur aufweisen. Beispielsweise können die erste Elektrode 160 und das Verbindungsmuster 162 jeweils eine erste Schicht, eine zweite Schicht und eine dritte Schicht aufweisen und eine erste leitfähige Schicht, eine zweite leitfähige Schicht und eine dritte leitfähige Schicht können nacheinander ausgebildet und strukturiert werden, wodurch die erste Elektrode 160 und das Verbindungsmuster 162 mit der ersten, zweiten und dritten Schicht ausgebildet werden. Hier kann die zweite leitfähige Schicht aus Silber (Ag) ausgebildet werden. Außerdem können die erste und die dritte Schicht aus ITO oder IZO ausgebildet werden, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Als Nächstes wird eine erste Bank 172 mit hydrophiler Eigenschaft auf der ersten Elektrode 160 und dem Verbindungsmuster 162 durch Abscheiden eines anorganischen Isoliermaterials und Strukturieren desselben durch einen Maskenprozess ausgebildet. Die erste Bank 172 überlappt und bedeckt Ränder der ersten Elektrode 160 und legt einen mittleren Abschnitt der ersten Elektrode 160 frei. Außerdem bedeckt die erste Bank 172 Kanten des Verbindungsmusters 162 und weist ein erstes Hilfskontaktloch 172b auf, das einen mittleren Abschnitt des Verbindungsmusters 162 freilegt.
  • Dann wird eine zweite Bank 174 mit hydrophober Eigenschaft auf der ersten Bank 172 durch Aufbringen eines organischen Isoliermaterials und Strukturieren desselben durch einen Maskenprozess ausgebildet. Die zweite Bank 174 wird auf der ersten Bank 172 mit einer geringeren Breite als die erste Bank angeordnet und legt Ränder der ersten Bank 172 frei. Die zweite Bank 174 weist eine Öffnung 174a auf, die den mittleren Abschnitt der ersten Elektrode 160 freilegt. Zudem weist die zweite Bank 174 ein zweites Hilfskontaktloch 174b, das dem ersten Hilfskontaktloch 172b entspricht, auf und das Verbindungsmuster 162 wird durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt.
  • Die zweite Bank 174 kann aus einem Material mit einer negativen Lichtempfindlichkeit ausgebildet sein, bei dem nach der Entwicklung ein belichteter Abschnitt verbleibt. Alternativ kann die zweite Bank 174 aus einem Material mit einer positiven Lichtempfindlichkeit ausgebildet sein, bei dem ein nach der Entwicklung unbelichteter Abschnitt verbleibt.
  • Es ist zwar beschrieben, dass die hydrophile erste Bank 172 und die hydrophobe zweite Bank 174 durch entsprechende Maskenprozesse ausgebildet werden, aber die erste Bank 172 und die zweite Bank 174 können durch denselben Maskenprozess ausgebildet werden. Zum Beispiel kann eine Schicht aus organischem Material im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet werden, kann durch eine Halbtonmaske hindurch, die einen lichtdurchlässigen Abschnitt, einen lichtblockierenden Abschnitt und einen halblichtdurchlässigen Abschnitt aufweist, mit Licht belichtet werden und kann strukturiert werden, wodurch die hydrophile erste Bank 172 und die hydrophobe zweite Bank 174 ausgebildet werden, die als ein Körper konfiguriert sind und unterschiedliche Breiten und unterschiedliche Dicken aufweisen. Alternativ kann die organische Materialschicht hydrophile Eigenschaften aufweisen und einer hydrophoben Behandlung unterzogen werden.
  • Als Nächstes wird in 6B eine erste Fotolackschicht 310 auf der ersten und zweiten Bank 172 und 174 durch Auftragen von Fotolack ausgebildet. Dann wird eine Fotomaske M1 über der ersten Fotolackschicht 310 angeordnet und die erste Fotolackschicht 310 wird durch die Fotomaske M1 Licht ausgesetzt.
  • Die Fotomaske M1 umfasst einen lichtdurchlässigen Abschnitt TA und einen lichtblockierenden Abschnitt BA. Der lichtdurchlässige Abschnitt TA entspricht den Rändern des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b und der lichtblockierende Abschnitt BA entspricht anderen Bereichen. Dabei kann die erste Fotolackschicht 310 eine positive Lichtempfindlichkeit aufweisen.
  • Alternativ kann die erste Fotolackschicht 310 eine negative Lichtempfindlichkeit aufweisen. Dabei sind in der Fotomaske M1 die Positionen des lichtdurchlässigen Abschnitts TA und des lichtblockierenden Abschnitts BA einander entgegengesetzt. Das heißt, der lichtblockierende Abschnitt BA entspricht den Rändern des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b und der lichtdurchlässige Abschnitt TA entspricht anderen Bereichen.
  • Als Nächstes wird in 6C ein erstes Fotolackmuster 312 durch Entwickeln der ersten Fotolackschicht 310 von 6B, die dem Licht ausgesetzt wird, ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird das erste Fotolackmuster 312 in einem Bereich angeordnet, der dem lichtblockierenden Abschnitt BA der Fotomaske M1 von 6B entspricht und die Ränder des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b werden durch das erste Fotolackmuster 312 freigelegt. Ferner bedeckt das erste Fotolackmuster 132 das Verbindungsmuster 152, das durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt wird.
  • Als Nächstes wird in 6D ein Hilfsmuster 200 und ein Blindmuster 210 durch Abscheiden eines leitfähigen Materials auf dem ersten Fotolackmuster 312 ausgebildet. Hier wird das Hilfsmuster 200 so ausgebildet, dass es den Rändern des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b entspricht. Das Hilfsmuster 200 wird nämlich zwischen Abschnitten des ersten Fotolackmusters 312 ausgebildet. Außerdem wird das Blindmuster 210 auf dem ersten Fotolackmuster 312 ausgebildet.
  • Zu diesem Zeitpunkt können die Seitenflächen des Hilfsmusters 200 einen Neigungswinkel größer oder gleich 75 Grad und kleiner als 90 Grad aufweisen. Der Neigungswinkel der Seitenflächen des Hilfsmusters 200 hängt von einem Neigungswinkel der Seitenflächen des ersten Fotolackmusters 312 ab und es ist möglich, den Neigungswinkel der Seitenflächen des ersten Fotolackmusters 312 durch Ändern eines Belichtungswinkels in dem Belichtungsschritt von 6B zu steuern.
  • Als nächstes wird in 6E eine zweite Fotolackschicht 320 auf dem Hilfsmuster 200 und dem Blindmuster 210 durch Auftragen von Fotolack ausgebildet. Dann wird eine Fotomaske M1 über der zweiten Fotolackschicht 320 angeordnet und die zweite Fotolackschicht 320 wird durch die Fotomaske M1 Licht ausgesetzt.
  • Zu diesem Zeitpunkt ist die Fotomaske M1 von 6E ist die gleiche wie die Fotomaske M1 von 6B und weist den lichtdurchlässigen Abschnitt TA und den lichtblockierenden Abschnitt BA auf. Der lichtdurchlässige Abschnitt TA entspricht den Rändern des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b und der lichtblockierende Abschnitt BA entspricht anderen Bereichen. Dementsprechend entspricht der lichtdurchlässige Abschnitt TA dem Hilfsmuster 200 und der lichtblockierende Abschnitt BA entspricht dem Blindmuster 210. Hier kann die zweite Fotolackschicht 320 eine negative Lichtempfindlichkeit aufweisen.
  • Alternativ kann die zweite Fotolackschicht 320 dann, wenn die erste Fotolackschicht 310 von 6B eine negative Lichtempfindlichkeit aufweist, eine positive Lichtempfindlichkeit aufweisen.
  • Als Nächstes wird in 6F das zweite Fotolackmuster 322 durch Entwickeln der zweiten Fotolackschicht 320 von 6E, die dem Licht ausgesetzt wird, ausgebildet. Zu diesem Zeitpunkt wird das zweite Fotolackmuster 322 in einem Bereich angeordnet, der dem lichtdurchlässigen Abschnitt TA der Fotomaske M1 von 6E entspricht. Das heißt, das zweite Fotolackmuster 322 wird auf dem Hilfsmuster 200 ausgebildet und das Blindmuster 210 wird durch das zweite Fotolackmuster 322 belichtet.
  • Dann wird in 6G das erste Fotolackmuster 312 freigelegt, indem das freigelegte Blindmuster 210 von 6F entfernt wird. Zu diesem Zeitpunkt wird das Blindmuster 210 von 6F durch einen Nassätzprozess unter Verwendung eines Ätzmittels entfernt werden.
  • Als Nächstes wird in 6H das Hilfsmuster 200 freigelegt, indem das freigelegte erste Fotolackmuster 312 von 6G und das zweite Fotolackmuster 322 von 6G entfernt werden. Zu diesem Zeitpunkt können das erste Fotolackmuster 312 von 6G und das zweite Fotolackmuster 322 von 6G ohne Einschränkung darauf durch einen Veraschungsprozess entfernt werden.
  • Als Nächstes wird in 61 eine erste Ladungshilfsschicht 182 auf der durch die zweite Bank 174 freigelegten ersten Elektrode 160 ausgebildet, indem eine erste Lösung aufgetropft und getrocknet wird. Mindestens eine Seitenfläche der ersten Ladungshilfsschicht 182 wird von der zweiten Bank 174 eingeschlossen. Wenn die erste Lösung getrocknet wird, unterscheidet sich eine Trocknungsgeschwindigkeit eines Lösungsmittels in einer Region neben der zweiten Bank 174 von der in anderen Regionen, und somit steigt eine Höhe der ersten Ladungshilfsschicht 182 in der Region neben der zweiten Bank 174, wenn sie sich der zweiten Bank 174 nähert.
  • Die erste Ladungshilfsschicht 182 kann eine Lochinjektionsschicht (HIL) und/oder eine Lochtransportschicht (HTL) sein.
  • Dann wird eine Leuchtmaterialschicht 184 auf der ersten Ladungshilfsschicht 182 durch Auftropfen einer zweiten Lösung und Trocknen derselben ausgebildet. Mindestens eine Seitenfläche der Leuchtmaterialschicht 184 ist von der zweiten Bank 174 umschlossen. Wenn die zweite Lösung getrocknet wird, unterscheidet sich eine Trocknungsgeschwindigkeit eines Lösungsmittels in einem zu der zweiten Bank 174 benachbarten Bereich von der in anderen Bereichen und somit steigt eine Höhe der Leuchtmaterialschicht 184 in dem zu der zweiten Bank 174 benachbarten Bereich bei Annäherung an die zweite Bank 174 an.
  • Als Nächstes wird in 6J wird eine zweite Ladungshilfsschicht 186 auf der Leuchtmaterialschicht 184 durch Abscheiden eines organischen Materials und/oder eines anorganischen Materials ausgebildet. Die zweite Ladungshilfsschicht 186 wird im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet. Dementsprechend wird die zweite Ladungshilfsschicht 186 auch auf der zweiten Bank 174, dem Verbindungsmuster 162 und dem Hilfsmuster 200 ausgebildet.
  • Aufgrund eines relativ großen Neigungswinkels der Seitenflächen des Hilfsmusters 200 ist zu diesem Zeitpunkt die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 200 kleiner als die Dicke des zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Bereichen, beispielsweise an den Seitenflächen und oberen Oberflächen der zweiten Bank 174.
  • Die zweite Ladungshilfsschicht 186 kann eine Elektroneninjektionsschicht (EIL) und/oder eine Elektronentransportschicht (ETL) sein.
  • Die erste Ladungshilfsschicht 182, die Leuchtmaterialschicht 184 und die zweite Ladungshilfsschicht 186 bilden eine Leuchtschicht 180.
  • Dann wird eine zweite Elektrode 190 auf der zweiten Ladungshilfsschicht 186 durch Abscheiden eines leitfähigen Materials wie etwa Metall ausgebildet.
  • Die erste Elektrode 160, die Leuchtschicht 180 und die zweite Elektrode 190 bilden eine Leuchtdiode De. Die erste Elektrode 160 kann als Anode dienen und die zweite Elektrode 190 kann als Kathode dienen.
  • Die zweite Elektrode 190 wird im Wesentlichen über der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet. Dementsprechend wird die zweite Elektrode 190 auch über der zweiten Bank 174, dem Verbindungsmuster 162 und dem Hilfsmuster 200 ausgebildet.
  • Hier kann aufgrund des relativ großen Neigungswinkels der Seitenflächen des Hilfsmusters 200 die Dicke der zweiten Elektrode 190 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 200 kleiner als die Dicke der zweiten Elektrode 190 an anderen Bereichen, beispielsweise an den Seitenflächen und oberen Oberflächen der zweiten Bank 174, sein.
  • Die zweite Elektrode 190 ist mit dem Verbindungsmuster 162 durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b elektrisch verbunden. Außerdem ist die zweite Elektrode 190 mit dem Hilfsmuster 200 elektrisch verbunden. Da zu diesem Zeitpunkt ein Abstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Hilfsmuster 200 kleiner ist als ein Abstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 und das Hilfsmuster 200 mit dem Verbindungsmuster 162 in Kontakt steht, kann die zweite Elektrode 190 mit dem Verbindungsmuster 162 durch das Hilfsmuster 200 elektrisch verbunden werden und der Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 kann verringert werden.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann bei dem Herstellungsverfahren der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung das Hilfsmuster 200 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Ladungshilfsschicht 186 ohne Beschädigung des Emissionsbereichs, in dem sich die Leuchtdiode De befindet, ausgebildet werden, wodurch die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 verbessert wird. Zu diesem Zeitpunkt können die Herstellungskosten durch Verwendung des Fotolacks vom positiven Typ, des Fotolacks vom negativen Typ und einer Fotomaske verringert werden. Die vorliegende Offenbarung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Alternativ können das erste Fotolackmuster 312 und das zweite Fotolackmuster 322 die gleiche Lichtempfindlichkeit aufweisen und können unter Verwendung unterschiedlicher Fotomasken ausgebildet werden. Zu diesem Zeitpunkt sind die Positionen des lichtdurchlässigen Abschnitts und des lichtblockierenden Abschnitts der zum Bilden des ersten Fotolackmusters 312 verwendeten Fotomaske entgegengesetzt zu den Positionen des lichtdurchlässigen Abschnitts und des lichtblockierenden Abschnitts der zum Bilden des zweiten Fotolackmusters 322 verwendeten Fotomaske.
  • - Zweite Ausführungsform -
  • 7 und 8 sind eine schematische vergrößerte Draufsicht und eine schematische vergrößerte Querschnittsansicht, die jeweils dem Bereich A1 von 3 entsprechen. 7 ist eine Draufsicht, die eine planare Struktur eines Hilfsmusters in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 8 ist eine Querschnittsansicht, die der Linie III-III' von 7 entspricht. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist im Wesentlichen mit Ausnahme des Hilfsmusters die gleiche Konfiguration wie die der ersten Ausführungsform auf. Die gleichen Teile wie bei der ersten Ausführungsform sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen und die Erläuterung der gleichen Teile wird gekürzt oder weggelassen.
  • In 7 und 8 ist die zweite Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190 entsprechend dem ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b der ersten und zweiten Bank 172 und 174 ausgebildet und ein Hilfsmuster 300 ist zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Ladungshilfsschicht 186 ausgebildet.
  • Das Hilfsmuster 300 bedeckt und kontaktiert das Verbindungsmuster 162, das durch das erste und zweite Hilfskontaktlochs 172b und 174b freigelegt ist, und bedeckt und kontaktiert die Seitenflächen der ersten Bank 172. Zudem kann das Hilfsmuster 300 die obere Oberfläche der ersten Bank 172 und die Seitenflächen der zweiten Bank 174 kontaktieren. Alternativ kann das Hilfsmuster 300 mit der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 in Kontakt stehen und von den Seitenflächen der zweiten Bank 174 beabstandet sein oder kann von der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 und den Seitenflächen der zweiten Bank 174 beabstandet sein.
  • Hier ist das Hilfsmuster 300 aus einem leitfähigen Material ausgebildet. Beispielsweise kann das Hilfsmuster 300 aus einem Metalloxid wie ITO oder IZO oder aus einem Metall mit relativ geringem Widerstand unter Atmosphärenbedingungen wie Wolfram (W), Chrom (Cr), Titan (Ti), Molybdän (Mo), Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • In der vorliegenden Offenbarung weisen die Seitenflächen des Hilfsmusters 300 einen größeren Neigungswinkel als die Seitenflächen der ersten Bank 172 auf. Das heißt, die Seitenflächen des Hilfsmusters 300 weisen einen ersten Neigungswinkel a2 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf und die Seitenflächen der ersten Bank 172 weisen einen zweiten Neigungswinkel b1 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf. Der erste Neigungswinkel a2 ist größer als der zweite Neigungswinkel b1. Die Seitenflächen des Hilfsmusters 300 können eine normale Neigung aufweisen, bei der der erste Neigungswinkel a2 kleiner als 90 Grad ist. Beispielsweise kann der erste Neigungswinkel a2 größer oder gleich 75 Grad und kleiner als 90 Grad sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Außerdem kann der erste Neigungswinkel a2 der Seitenflächen des Hilfsmusters 300 größer als ein Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 sein. Dabei kann der Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 kleiner als der zweite Neigungswinkel b1 der Seitenflächen der ersten Bank 172 sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Da die Seitenflächen des Hilfsmusters 300 einen relativ großen Neigungswinkel aufweisen, ist die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 300 dünner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Abschnitten. Das heißt, die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 300 ist kleiner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den oberen und seitlichen Oberflächen der zweiten Bank 174 und kleiner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 auf der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 300.
  • Dementsprechend ist die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Hilfsmuster 300 und der zweiten Elektrode 190 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 300 kleiner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190. Der Abstand zwischen dem Hilfsmuster 300 und der zweiten Elektrode 190 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 300 ist nämlich kürzer als der Abstand zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190. Da der Kontaktwiderstand abnimmt, wenn der Abstand zwischen zwei leitfähigen Schichten abnimmt, was zu einer ohmschen Charakteristik führt, ist der Kontaktwiderstand zwischen dem Hilfsmuster 300 und der zweiten Elektrode 190 kleiner als der Kontaktwiderstand zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190.
  • Dementsprechend verkürzt das Hilfsmuster 300 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung den Abstand von der zweiten Elektrode 190 relativ zu dem Verbindungsmuster 162 und kontaktiert das Verbindungsmuster 162, so dass der Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 verringert werden kann.
  • Es ist von Vorteil, dass eine Höhe des Hilfsmusters 300, d. h. ein Abstand von der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 zu der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 300, die die zweite Bank 174 kontaktiert, größer ist als eine Summe von Dicken der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und der zweiten Elektrode 190. Ferner ist eine Länge der Seitenflächen des Hilfsmusters 300, d. h. ein Abstand von der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 300, die das Verbindungsmuster 162 kontaktiert, zu der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 300, die die zweite Bank 174 kontaktiert, wünschenswerterweise größer als die Summe der Dicken der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und der zweiten Elektrode 190. Zum Beispiel kann die Länge der Seitenflächen des Hilfsmusters 300 1 µm bis 1,5 µm betragen, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als Typ mit Emission nach oben ausgebildet sein, wodurch die Leuchtdichte verbessert und die Leistungsaufnahme verringert wird. Außerdem ist die zweite Elektrode 190 mit der ersten und der zweiten Hilfselektrode 128 und 148 durch das Verbindungsmuster 162 verbunden, so dass der Widerstand der zweiten Elektrode 190 verringert werden kann.
  • Da dabei das Hilfsmuster 300 aus einem leitfähigen Material zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162, insbesondere zwischen der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und dem Verbindungsmuster 162, ausgebildet ist, ist es möglich, die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 zu erhöhen.
  • - Dritte Ausführungsform -
  • 9 und 10 sind eine schematische vergrößerte Draufsicht und eine schematische vergrößerte Querschnittsansicht, die jeweils dem Bereich A1 von 3 entsprechen. 9 ist eine Draufsicht, die eine planare Struktur eines Hilfsmusters in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt. 10 ist eine Querschnittsansicht, die der Linie IV-IV' von 9 entspricht. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist mit Ausnahme des Hilfsmusters im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie die der ersten Ausführungsform auf. Die gleichen Teile wie bei der ersten Ausführungsform sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen und die Erläuterung der gleichen Teile wird gekürzt oder weggelassen.
  • In 9 und 10 ist die zweite Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190 entsprechend dem ersten und zweiten Hilfskontaktloch 172b und 174b der ersten und zweiten Bank 172 und 174 ausgebildet und ein Hilfsmuster 400 ist zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Ladungshilfsschicht 186 ausgebildet.
  • Das Hilfsmuster 400 kann so ausgebildet sein, dass es einer Seite des ersten und des zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b entspricht. Das Hilfsmuster 400 kontaktiert das Verbindungsmuster 162 und bedeckt und kontaktiert die entsprechende Seitenfläche der ersten Bank 172. Außerdem kann das Hilfsmuster 400 die obere Oberfläche der ersten Bank 172 und die entsprechende Seitenfläche der zweiten Bank 174 kontaktieren. Alternativ kann das Hilfsmuster 400 mit der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 in Kontakt stehen und von der entsprechenden Seitenfläche der zweiten Bank 174 beabstandet sein oder kann von der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 und der entsprechenden Seitenfläche der zweiten Bank 174 beabstandet sein.
  • Das Hilfsmuster 400 ist entlang eines Rands des ersten und des zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b ausgebildet. Dementsprechend legt das Hilfsmuster 400 das Verbindungsmuster 162 frei, das durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt ist.
  • Hier ist das Hilfsmuster 400 aus einem leitfähigen Material ausgebildet. Beispielsweise kann das Hilfsmuster 400 aus einem Metalloxid wie ITO oder IZO oder aus einem Metall mit relativ geringem Widerstand unter Atmosphärenbedingungen wie Wolfram (W), Chrom (Cr), Titan (Ti), Molybdän (Mo), Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die Seitenfläche des Hilfsmusters 400 einen größeren Neigungswinkel als die Seitenflächen der ersten Bank 172 auf. Das heißt, die Seitenfläche des Hilfsmusters 400 weist einen ersten Neigungswinkel a3 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf und die Seitenflächen der ersten Bank 172 weisen einen zweiten Neigungswinkel b1 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf. Der erste Neigungswinkel a3 ist größer als der zweite Neigungswinkel b1. Der erste Neigungswinkel a3 kann beispielsweise 90 Grad betragen, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Zudem kann der erste Neigungswinkel a3 der Seitenfläche des Hilfsmusters 400 größer als ein Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 sein. Dabei kann der Neigungswinkel der Seitenflächen der die zweite Bank 174 kleiner als der zweite Neigungswinkel b1 der Seitenflächen der ersten Bank 172 sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Da die Seitenfläche des Hilfsmusters 400 den ersten Neigungswinkel a3 von 90 Grad aufweist, kann die zweite Ladungshilfsschicht 186 von der Seitenfläche des Hilfsmusters 400 getrennt sein. Das heißt, die zweite Ladungshilfsschicht 186 ist möglicherweise nicht an der Seitenfläche des Hilfsmusters 400 ausgebildet und die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 400 kann wesentlich dünner sein als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Abschnitten. Ferner kann die zweite Elektrode 190 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 400 getrennt sein.
  • Andererseits stehen die zweite Ladungshilfsschicht 186 und die zweite Elektrode 190 auf dem Verbindungsmuster 162, die durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt sind, in Kontakt mit der Seitenfläche des Hilfsmusters 400.
  • Dementsprechend steht die zweite Elektrode 190 in direktem Kontakt mit dem Hilfsmuster 400 und steht das Hilfsmuster 400 in direktem Kontakt mit dem Verbindungsmuster 162, so dass das Hilfsmuster 400 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung den Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 reduziere kann.
  • Es ist von Vorteil, dass eine Höhe des Hilfsmusters 400, d. h. ein Abstand von der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 zu der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 400, die die zweite Bank 174 kontaktiert, größer ist als eine Summe von Dicken der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und der zweiten Elektrode 190. Beispielsweise kann die Höhe des Hilfsmusters 400 1 µm bis 1,5 µm betragen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als der Typ mit Emission nach oben ausgebildet sein, wodurch die Leuchtdichte verbessert und die Leistungsaufnahme verringert wird. Außerdem ist die zweite Elektrode 190 mit der ersten und der zweiten Hilfselektrode 128 und 148 durch das Verbindungsmuster 162 verbunden, so dass der Widerstand der zweiten Elektrode 190 verringert werden kann.
  • Da dabei das Hilfsmuster 400 aus einem leitfähigen Material zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162, insbesondere zwischen der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und dem Verbindungsmuster 162, ausgebildet ist und das Hilfsmuster 400 in direktem Kontakt mit der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 steht, ist es möglich, die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 zu steigern.
  • Zwar wird bei der dritten Ausführungsform beschrieben ist, dass das Hilfsmuster 400 an einer Seite des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b ausgebildet ist, es ist aber nicht darauf beschränkt. Alternativ kann das Hilfsmuster 400 so ausgebildet sein, dass es anderen Rändern des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b mit Ausnahme des Randes mindestens einer Seite entspricht.
  • -Vierte Ausführungsform -
  • 11 ist eine schematische vergrößerte Querschnittsansicht, die dem Bereich A1 von 3 entspricht, und zeigt eine Verbindungsstruktur einer zweiten Elektrode und eines Verbindungsmusters in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung hat im Wesentlichen dieselbe planare Struktur wie die der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform von 4. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist mit Ausnahme des Hilfsmusters im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie die der ersten Ausführungsform auf. Die gleichen Teile wie bei der ersten Ausführungsform sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen und die Erläuterung der gleichen Teile wird gekürzt oder weggelassen.
  • In 11 ist die zweite Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190 entsprechend dem ersten und zweiten Hilfskontaktloch 172b und 174b der ersten und zweiten Bank 172 und 174 ausgebildet und ein Hilfsmuster 500 ist zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Ladungshilfsschicht 186 ausgebildet.
  • Das Hilfsmuster ist wird auf der ersten und zweiten Bank 172 und 174 entsprechend dem ersten und zweiten Hilfskontaktloch 172b und 174b ausgebildet. Das Hilfsmuster 500 kontaktiert das Verbindungsmuster 162 und bedeckt und kontaktiert die Seitenflächen der ersten Bank 172. Außerdem kann das Hilfsmuster 500 die obere Oberfläche der ersten Bank 172 und die Seitenflächen der zweiten Bank 174 kontaktieren. Alternativ kann das Hilfsmuster 500 mit der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 in Kontakt stehen und von den Seitenflächen der zweiten Bank 174 beabstandet sein oder kann von der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 und den Seitenflächen der zweiten Bank 174 beabstandet sein.
  • Das Hilfsmuster 500 ist entlang der Ränder des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b ausgebildet. Dementsprechend legt das Hilfsmuster 500 das Verbindungsmuster 162 frei, das durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt ist.
  • Hier ist das Hilfsmuster 500 aus einem leitfähigen Material ausgebildet. Beispielsweise kann das Hilfsmuster 500 aus einem Metalloxid wie ITO oder IZO oder aus einem Metall mit relativ geringem Widerstand unter Atmosphärenbedingungen wie Wolfram (W), Chrom (Cr), Titan (Ti), Molybdän (Mo), Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • [230] In der vorliegenden Offenbarung weisen die Seitenflächen des Hilfsmusters 500 einen größeren Neigungswinkel als die Seitenflächen der ersten Bank 172 auf. Das heißt, die Seitenflächen des Hilfsmusters 500 weisen einen ersten Neigungswinkel a4 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf und die Seitenflächen der ersten Bank 172 weisen einen zweiten Neigungswinkel b1 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf. Der erste Neigungswinkel a4 ist größer als der zweite Neigungswinkel b1. Die Seitenflächen des Hilfsmusters 500 können eine umgekehrte Neigung aufweisen, wenn der erste Neigungswinkel a4 größer als 90 Grad ist. Beispielsweise kann der erste Neigungswinkel a4 größer als 90 Grad und kleiner als 105 Grad sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Zudem kann der erste Neigungswinkel a4 der Seitenflächen des Hilfsmusters 500 größer als ein Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 sein. Dabei kann der Neigungswinkel der Seitenflächen der die zweite Bank 174 kleiner als der zweite Neigungswinkel b1 der Seitenflächen der ersten Bank 172 sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Da die Seitenflächen des Hilfsmusters 500 die umgekehrte Neigung aufweisen, kann die zweite Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 getrennt sein. Das heißt, die zweite Ladungshilfsschicht 186 ist möglicherweise nicht an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 ausgebildet und die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 kann wesentlich dünner sein als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Abschnitten.
  • Andererseits kann die zweite Elektrode 190 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 sowie an den oberen und seitlichen Flächen der zweiten Bank 174 und der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 500 ausgebildet sein. Dabei kann die Dicke der zweiten Elektrode 190 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 dünner sein als die Dicke der zweiten Elektrode 190 an anderen Abschnitten. Die zweite Elektrode 190 kann durch Anpassen eines Winkels zwischen der Abscheidungsquelle und dem Zielsubstrat ausgebildet sein.
  • Da in der vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 getrennt ist und die zweite Elektrode 190 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 ausgebildet ist, steht die zweite Elektrode 190 mit den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 in Kontakt.
  • Dementsprechend steht die zweite Elektrode 190 in direktem Kontakt mit dem Hilfsmuster 500 und das Hilfsmuster 500 steht in direktem Kontakt mit dem Verbindungsmuster 162, so dass das Hilfsmuster 500 gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung den Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 reduzieren kann.
  • Es ist von Vorteil, dass eine Höhe des Hilfsmusters 500, d. h. ein Abstand von der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 zu der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 500, die die zweite Bank 174 kontaktiert, größer ist als eine Summe von Dicken der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und der zweiten Elektrode 190. Beispielsweise kann die Höhe des Hilfsmusters 500 1 µm bis 1,5 µm betragen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als der Typ mit Emission nach oben ausgebildet sein, wodurch die Leuchtdichte verbessert und die Leistungsaufnahme verringert wird. Außerdem ist die zweite Elektrode 190 mit der ersten und der zweiten Hilfselektrode 128 und 148 durch das Verbindungsmuster 162 verbunden, so dass der Widerstand der zweiten Elektrode 190 verringert werden kann.
  • Da dabei das Hilfsmuster 500 aus einem leitfähigen Material zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162, insbesondere zwischen der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und dem Verbindungsmuster 162, ausgebildet ist und das Hilfsmuster 500 in direktem Kontakt mit der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 steht, ist es möglich, die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 zu steigern.
  • In der vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird zwar beschrieben, dass die zweite Ladungshilfsschicht 186 nicht an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 ausgebildet ist, sie ist aber nicht darauf beschränkt. Das heißt, die zweite Ladungshilfsschicht 186 kann an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 ausgebildet sein und in diesem Fall ist die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an den Seitenflächen des Hilfsmusters 500 dünner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Abschnitten. Dementsprechend ist der Abstand zwischen dem Hilfsmuster 500 und der zweiten Elektrode 190 kürzer als der Abstand zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190, so dass die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 durch das Hilfsmuster 500 verbessert werden kann.
  • Indes wird in der vierten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ohne Einschränkung darauf beschrieben, dass das Hilfsmuster 500 das Verbindungsmuster 162 freilegt, das durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt ist. Alternativ kann das Hilfsmuster 500 das durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegte Verbindungsmuster 162 vollständig bedecken und kontaktieren.
  • -Fünfte Ausführungsform-
  • 12 ist eine schematische vergrößerte Querschnittsansicht, die dem Bereich A1 von 3 entspricht, und zeigt eine Verbindungsstruktur einer zweiten Elektrode und eines Verbindungsmusters in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist im Wesentlichen die gleiche planare Struktur wie die der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform von 9 auf. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist mit Ausnahme des Hilfsmusters im Wesentlichen die gleiche Konfiguration wie die der ersten Ausführungsform auf. Die gleichen Teile wie bei der ersten Ausführungsform sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen und die Erläuterung der gleichen Teile ist gekürzt oder weggelassen.
  • In 12 ist die zweite Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190 entsprechend dem ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b der ersten und zweiten Bank 172 und 174 ausgebildet und ein Hilfsmuster 600 ist zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Ladungshilfsschicht 186 ausgebildet.
  • Das Hilfsmuster 600 kann so ausgebildet sein, dass es einer Seite des ersten und des zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b entspricht. Das Hilfsmuster 600 kontaktiert das Verbindungsmuster 162 und bedeckt und kontaktiert die entsprechende Seitenfläche der ersten Bank 172. Außerdem kann das Hilfsmuster 600 die obere Oberfläche der ersten Bank 172 und die entsprechende Seitenfläche der zweiten Bank 174 kontaktieren. Alternativ kann das Hilfsmuster 600 mit der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 in Kontakt stehen und von der entsprechenden Seitenfläche der zweiten Bank 174 beabstandet sein oder kann von der oberen Oberfläche der ersten Bank 172 und der entsprechenden Seitenfläche der zweiten Bank 174 beabstandet sein.
  • Das Hilfsmuster 600 ist entlang eines Rands des ersten und des zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b ausgebildet. Dementsprechend legt das Hilfsmuster 600 die obere Oberfläche des Verbindungsmusters 162 frei, die durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt ist.
  • Hier ist das Hilfsmuster 600 aus einem leitfähigen Material ausgebildet. Beispielsweise kann das Hilfsmuster 600 aus einem Metalloxid wie ITO oder IZO oder aus einem Metall mit relativ geringem Widerstand unter Atmosphärenbedingungen wie Wolfram (W), Chrom (Cr), Titan (Ti), Molybdän (Mo), Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die Seitenfläche des Hilfsmusters 600 einen größeren Neigungswinkel als die Seitenflächen der ersten Bank 172 auf. Das heißt, die Seitenfläche des Hilfsmusters 600 weist einen ersten Neigungswinkel a5 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf und die Seitenflächen der ersten Bank 172 weisen einen zweiten Neigungswinkel b1 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf. Der erste Neigungswinkel a5 ist größer als der zweite Neigungswinkel b1. Die Seitenfläche des Hilfsmusters 600 kann eine umgekehrte Neigung aufweisen, wenn der erste Neigungswinkel a5 größer als 90 Grad ist. Beispielsweise kann der erste Neigungswinkel a5 größer als 90 Grad und kleiner als 105 Grad sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Außerdem kann der erste Neigungswinkel a5 der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 größer als ein Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 sein. Dabei kann der Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 kleiner als der zweite Neigungswinkel b1 der Seitenflächen der ersten Bank 172 sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Da die Seitenfläche des Hilfsmusters 600 die umgekehrte Neigung aufweist, kann die zweite Ladungshilfsschicht 186 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 abgetrennt sein. Das heißt, die zweite Ladungshilfsschicht 186 ist möglicherweise nicht an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 ausgebildet und die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 kann wesentlich dünner sein als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Abschnitten.
  • Andererseits kann die zweite Elektrode 190 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 sowie an den oberen und seitlichen Oberflächen der zweiten Bank 174 und der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 600 ausgebildet sein. Dabei kann die Dicke der zweiten Elektrode 190 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 dünner sein als die Dicke der zweiten Elektrode 190 an anderen Abschnitten. Die zweite Elektrode 190 kann durch Anpassen eines Winkels zwischen der Abscheidungsquelle und dem Zielsubstrat ausgebildet sein.
  • Da in der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung die zweite Ladungshilfsschicht 186 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 abgetrennt ist und die zweite Elektrode 190 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 ausgebildet ist, steht die zweite Elektrode 190 mit der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 in Kontakt.
  • Dementsprechend steht die zweite Elektrode 190 in direktem Kontakt mit dem Hilfsmuster 600 und das Hilfsmuster 600 steht in direktem Kontakt mit dem Verbindungsmuster 162, so dass das Hilfsmuster 600 gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung den Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 reduzieren kann.
  • Es ist vorteilhaft, dass eine Höhe des Hilfsmusters 600, d. h. ein Abstand von der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 zu der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 600, die die zweite Bank 174 kontaktiert, größer als eine Summe der Dicken der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und der zweiten Elektrode 190 ist. Beispielsweise kann die Höhe des Hilfsmusters 600 1 µm bis 1,5 µm betragen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als der Typ mit Emission nach oben ausgebildet sein, wodurch die Leuchtdichte verbessert und die Leistungsaufnahme verringert wird. Außerdem ist die zweite Elektrode 190 mit der ersten und der zweiten Hilfselektrode 128 und 148 durch das Verbindungsmuster 162 verbunden, so dass der Widerstand der zweiten Elektrode 190 verringert werden kann.
  • Da dabei das Hilfsmuster 600 aus einem leitfähigen Material zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162, insbesondere zwischen der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und dem Verbindungsmuster 162, ausgebildet ist und das Hilfsmuster 600 in direktem Kontakt mit der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 steht, ist es möglich, die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 zu steigern.
  • In der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird ohne Einschränkung darauf beschrieben, dass die zweite Ladungshilfsschicht 186 nicht an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 ausgebildet ist. Das heißt, die zweite Ladungshilfsschicht 186 kann an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 ausgebildet sein und in diesem Fall ist die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 600 dünner als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Abschnitten. Dementsprechend ist der Abstand zwischen dem Hilfsmuster 600 und der zweiten Elektrode 190 kürzer als der Abstand zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190, so dass die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 durch das Hilfsmuster 600 verbessert werden kann.
  • Indes wird in der fünften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ohne Einschränkung darauf beschrieben, dass das Hilfsmuster 600 an einer Seite des ersten und des zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b ausgebildet ist. Alternativ kann das Hilfsmuster 600 so ausgebildet sein, dass es anderen Rändern der ersten und zweiten Hilfskontaktlöcher 172b und 174b mit Ausnahme des Rands mindestens einer Seite entspricht.
  • -Sechste Ausführungsform-
  • 13 ist eine schematische vergrößerte Querschnittsansicht, die dem Bereich A1 von 3 entspricht, und zeigt eine Verbindungsstruktur einer zweiten Elektrode und eines Verbindungsmusters in einer Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist im Wesentlichen dieselbe planare Struktur wie die der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der dritten Ausführungsform von 9 auf. Die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist im Wesentlichen mit Ausnahme des Hilfsmusters die gleiche Konfiguration wie die der ersten Ausführungsform auf. Die gleichen Teile wie bei der ersten Ausführungsform sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen und die Erläuterung der gleichen Teile ist gekürzt oder weggelassen.
  • In 13 ist die zweite Ladungshilfsschicht 186 zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Elektrode 190 entsprechend dem ersten und zweiten Hilfskontaktloch 172b und 174b der ersten und zweiten Bank 172 und 174 ausgebildet und ein Hilfsmuster 700 ist zwischen dem Verbindungsmuster 162 und der zweiten Ladungshilfsschicht 186 ausgebildet.
  • Das Hilfsmuster 700 kann so ausgebildet sein, dass es einer Seite des ersten und des zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b entspricht. Dabei kann das Hilfsmuster 700 zwischen der ersten Bank 172 und der zweiten Bank 174 ausgebildet sein. Dementsprechend kontaktiert das Hilfsmuster 700 das Verbindungsmuster 162 und bedeckt und kontaktiert die entsprechende Seitenfläche der ersten Bank 172. Zudem kann das Hilfsmuster 700 die obere Oberfläche der ersten Bank 172 und die untere Oberfläche der zweiten Bank 174 kontaktieren.
  • Das Hilfsmuster 700 ist entlang eines Rands des ersten und des zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b ausgebildet. Dementsprechend legt das Hilfsmuster 700 die obere Oberfläche des Verbindungsmusters 162 frei, die durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt ist.
  • Hier ist das Hilfsmuster 700 aus einem leitfähigen Material ausgebildet. Beispielsweise kann das Hilfsmuster 700 aus einem Metalloxid wie ITO oder IZO oder aus einem Metall mit relativ geringem Widerstand unter Atmosphärenbedingungen wie Wolfram (W), Chrom (Cr), Titan (Ti), Molybdän (Mo), Nickel (Ni) oder Kupfer (Cu) ausgebildet sein, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • In der vorliegenden Offenbarung weist die Seitenfläche des Hilfsmusters 700 einen größeren Neigungswinkel als die Seitenflächen der ersten Bank 172 auf. Das heißt, die Seitenfläche des Hilfsmusters 700 weist einen ersten Neigungswinkel a6 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf und die Seitenflächen der ersten Bank 172 weisen einen zweiten Neigungswinkel b1 bezüglich der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 parallel zu dem Substrat 100 von 3 auf. Der erste Neigungswinkel a6 ist größer als der zweite Neigungswinkel b1. Der erste Neigungswinkel a6 kann beispielsweise 90 Grad betragen, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Außerdem kann der erste Neigungswinkel a6 der Seitenfläche des Hilfsmusters 700 größer als ein Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 sein. Dabei kann der Neigungswinkel der Seitenflächen der zweiten Bank 174 kleiner als der zweite Neigungswinkel b1 der Seitenflächen der ersten Bank 172 sein, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Da die Seitenfläche des Hilfsmusters 700 die umgekehrte Neigung hat, kann die zweite Ladungshilfsschicht 186 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 700 abgetrennt sein. Das heißt, die zweite Ladungshilfsschicht 186 ist möglicherweise nicht an der Seitenfläche des Hilfsmusters 700 ausgebildet und die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 700 kann wesentlich dünner sein als die Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht 186 an anderen Abschnitten. Ferner kann die zweite Elektrode 190 an der Seitenfläche des Hilfsmusters 700 abgetrennt sein.
  • Jedoch stehen die zweite Ladungshilfsschicht 186 und die zweite Elektrode 190, die auf dem Verbindungsmuster 162 ausgebildet sind, das durch das erste und zweite Hilfskontaktloch 172b und 174b freigelegt ist, mit der Seitenfläche des Hilfsmusters 700 in Kontakt.
  • Dementsprechend steht die zweite Elektrode 190 in direktem Kontakt mit dem Hilfsmuster 700 und steht das Hilfsmuster 700 in direktem Kontakt mit dem Verbindungsmuster 162, so dass das Hilfsmuster 700 gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung den Kontaktwiderstand zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 reduzieren kann.
  • Es ist von Vorteil, dass eine Höhe des Hilfsmusters 700, d. h. ein Abstand von der oberen Oberfläche des Verbindungsmusters 162 zu der oberen Oberfläche des Hilfsmusters 700, die die zweite Bank 174 kontaktiert, größer ist als eine Summe von Dicken der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und der zweiten Elektrode 190. Zum Beispiel kann die Höhe des Hilfsmusters 700 1 µm bis 1,5 µm betragen, ist aber nicht darauf beschränkt.
  • Wie es oben beschrieben ist, kann die Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung als der Typ mit Emission nach oben ausgebildet sein, wodurch die Leuchtdichte verbessert und die Leistungsaufnahme verringert wird. Außerdem ist die zweite Elektrode 190 mit der ersten und der zweiten Hilfselektrode 128 und 148 durch das Verbindungsmuster 162 verbunden, so dass der Widerstand der zweiten Elektrode 190 verringert werden kann.
  • Da zu diesem Zeitpunkt das Hilfsmuster 700 aus einem leitfähigen Material zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162, insbesondere zwischen der zweiten Ladungshilfsschicht 186 und dem Verbindungsmuster 162, ausgebildet ist und das Hilfsmuster 700 in direktem Kontakt mit der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 steht, ist es möglich, die Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode 190 und dem Verbindungsmuster 162 zu steigern.
  • In der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird beschrieben, dass die Seitenfläche des Hilfsmusters 700, die zwischen der ersten und zweiten Bank 172 und 174 ausgebildet ist, den ersten Neigungswinkel a6 von 90 Grad hat, aber nicht darauf beschränkt ist. Das heißt, die zwischen der ersten und zweiten Bank 172 und 174 ausgebildete Seitenfläche des Hilfsmusters 700 kann eine normale Neigung aufweisen, wie es in der ersten und zweiten Ausführungsform beschrieben ist, oder kann eine umgekehrte Neigung aufweisen, wie es in der vierten und fünften Ausführungsform beschrieben ist.
  • Indes wird in der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung beschrieben, dass das Hilfsmuster 700 an einer Seite des ersten und zweiten Hilfskontaktlochs 172b und 174b ausgebildet ist, aber nicht darauf beschränkt ist. Alternativ kann das Hilfsmuster 700 so ausgebildet sein, dass es anderen Ränder der ersten und zweiten Hilfskontaktlöcher 172b und 174b mit Ausnahme des Rands mindestens einer Seite entspricht.
  • In der vorliegenden Offenbarung entfällt durch Ausbilden der Leuchtschicht jedes Unterpixels durch den Lösungsprozess eine Maske, um dadurch die Herstellungskosten zu reduzieren, und eine Anzeigevorrichtung mit großen Abmessungen und hoher Auflösung kann implementiert werden.
  • Zudem sind die Leuchtschichten in Pixelbereichen benachbart entlang einer Richtung, beispielsweise die Leuchtschichten der Unterpixel gleicher Farbe, miteinander verbunden und als ein Körper ausgebildet, wodurch die Abweichung der Tropfmenge zwischen den Düsen verhindert und minimiert wird und die Dicken der Leuchtschichten der Unterpixel gleichmäßig ausgebildet werden. Daher werden Unregelmäßigkeiten verhindert, wodurch wirksam verhindert wird, dass die Bildqualität der Anzeigevorrichtung verringert wird.
  • Darüber hinaus ist die zweite Elektrode über das Verbindungsmuster mit der Hilfselektrode verbunden, wodurch der Widerstand der zweiten Elektrode verringert wird, und das Hilfsmuster ist zwischen der zweiten Elektrode und dem Verbindungsmuster ausgebildet, wodurch die elektrische Kontakteigenschaft zwischen der zweiten Elektrode und dem Verbindungsmuster verbessert wird.
  • Das Hilfsmuster kann auf verschiedene Strukturen aufgebracht werden, indem die Neigung der Seitenfläche davon gesteuert wird.
  • Für Fachleute ist offensichtlich, dass verschiedene Abwandlungen und Änderungen an der Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden können, ohne vom Umfang der Ausführungsform abzuweichen. Somit soll die vorliegende Offenbarung die Abwandlungen und Änderungen dieser Offenbarung abdecken, sofern sie unter den Umfang der beigefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020200164873 [0001]

Claims (16)

  1. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung, die umfasst: ein Substrat (100); eine erste Elektrode (160) auf dem Substrat (100); ein Verbindungsmuster (162) auf dem Substrat (100), das aus dem gleichen Material wie die erste Elektrode (160) ausgebildet ist; eine Bank (172, 174), die Ränder der ersten Elektrode (160) und des Verbindungsmusters (162) bedeckt; eine Leuchtschicht (180) auf der ersten Elektrode (160); eine zweite Elektrode (190) auf der Leuchtschicht (180), der Bank (172, 174) und dem Verbindungsmuster (162); und ein Hilfsmuster (200) zwischen der zweiten Elektrode (190) und dem Verbindungsmuster (162).
  2. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Seitenfläche des Hilfsmusters (200) einen größeren Neigungswinkel aufweist als eine Seitenfläche der Bank (172, 174).
  3. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Leuchtschicht (180) eine erste Ladungshilfsschicht (182), eine Leuchtmaterialschicht (184) und eine zweite Ladungshilfsschicht (186) aufweist.
  4. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei mindestens eine Seitenfläche jeweils der ersten Ladungshilfsschicht (182) und der Leuchtmaterialschicht (184) von der Bank (172, 174) umgeben ist.
  5. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Teil der zweiten Ladungshilfsschicht (186) zwischen der Bank (172, 174) und der zweiten Elektrode (190) und zwischen dem Hilfsmuster (200) und der zweiten Elektrode (190) angeordnet ist.
  6. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht (186) an der Seitenfläche des Hilfsmusters (200) kleiner ist als eine Dicke der zweiten Ladungshilfsschicht (186) an der Seitenfläche der Bank (172, 174).
  7. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Hilfsmuster (200) das Verbindungsmuster (162) zumindest teilweise freilegt.
  8. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bank (172, 174) ein Hilfskontaktloch (172b, 174b) aufweist, das das Verbindungsmuster (162) freilegt.
  9. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei das Hilfsmuster (200) das durch das Hilfskontaktloch (172b, 174b) freigelegte Verbindungsmuster (162) vollständig bedeckt oder das Hilfsmuster (200) so ausgebildet ist, dass es mindestens einer Seite des Hilfskontaktlochs (172b, 174b) entspricht.
  10. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Elektrode (190) mit der Seitenfläche des Hilfsmusters (200) in Kontakt steht und/oder eine Dicke der zweiten Elektrode (190) an der Seitenfläche des Hilfsmusters (200) kleiner ist als eine Dicke der zweiten Elektrode (190) an der Seitenfläche der Bank (172, 174).
  11. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2-10, wobei die Seitenfläche des Hilfsmusters (200) einen Neigungswinkel von 75 Grad bis 105 Grad aufweist.
  12. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner mindestens einen Dünnschichttransistor (T1, T2) zwischen dem Substrat (100) und der ersten Elektrode (180) aufweist, wobei die erste Elektrode (180) mit dem mindestens einen Dünnschichttransistor (T1, T2) verbunden ist.
  13. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Bank (172, 174) eine erste Bank (172) mit einer hydrophilen Eigenschaft und eine zweite Bank (174) mit einer hydrophoben Eigenschaft aufweist, wobei vorzugsweise das Hilfsmuster (200) zwischen der ersten Bank (172) und der zweiten Bank (174) angeordnet ist.
  14. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach Anspruch 13, wobei die erste Bank (172) und die zweite Bank (174) als ein Körper ausgebildet sind.
  15. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Leuchtschichten (180) in entlang einer Richtung (X) benachbarten Pixelbereichen miteinander verbunden sind, um dadurch einen Körper zu bilden.
  16. Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 15, wobei die zweite Ladungshilfsschicht (186) zwischen dem Hilfsmuster (200) und der zweiten Elektrode (190) angeordnet ist.
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Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4530083B2 (ja) * 2002-06-07 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
EP1505666B1 (de) * 2003-08-05 2018-04-04 LG Display Co., Ltd. Nach oben abstrahlende organische elektrolumineszente anzeigevorrichtung mit aktiver matrix und verfahren zu deren herstellung
JP4333333B2 (ja) * 2003-11-12 2009-09-16 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
KR100620849B1 (ko) * 2004-03-23 2006-09-13 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2006113376A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置及びアレイ基板
JP2007287354A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JPWO2012153445A1 (ja) * 2011-05-11 2014-07-28 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよび有機ｅｌ表示装置
KR101456023B1 (ko) * 2012-10-31 2014-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 제조 방법
JP6136890B2 (ja) * 2013-11-26 2017-05-31 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
US9570471B2 (en) * 2014-08-05 2017-02-14 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR20180004488A (ko) * 2016-07-04 2018-01-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102498288B1 (ko) * 2017-12-22 2023-02-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
US20220278299A1 (en) * 2019-08-09 2022-09-01 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition

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