DE102020210584A1 - Bearbeitungsverfahren für wafer - Google Patents

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grinding
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Kohei Tsujimoto
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Abstract

Ein Bearbeitungsverfahren eines Wafers weist auf: einen Haftbandanhaftschritt eines Anhaftens eines Haftbandes an die vordere Oberfläche des Wafers, einen Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritt eines Anordnens einer Thermokompressionsverbindungsfolie am an der vorderen Oberfläche des Wafers angehafteten Haftband und einen Integrationsschritt eines Erwärmens der Thermokompressionsverbindungsfolie und eines Drückens der Thermokompressionsverbindungsfolie durch ein ebenes Element, um ein Druckverbinden der Thermokompressionsverbindungsfolie mit dem Haftband auszuführen und die Thermokompressionsverbindungsfolie mit dem Wafer zu integrieren. Das Bearbeitungsverfahren weist auch einen Schleifschritt eines Haltens der Seite der Thermokompressionsverbindungsfolie an einem Einspanntisch einer Schleifvorrichtung und eines Schleifens des Wafers auf eine gewünschte Dicke, während Schleifwasser zur hinteren Oberfläche des Wafers zugeführt wird, und einen Trennschritt eines Herausbeförderns des integrierten Wafers vom Einspanntisch und eines Trennens der Thermokompressionsverbindungsfolie vom Haftband auf.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer zum Schleifen der hinteren Oberfläche des Wafers, an dem mehrere Bauelemente an der vorderen Oberfläche auf eine solche Weise ausgebildet sind, dass sie durch mehrere geplante Teilungslinien, die sich schneiden, unterteilt sind.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Ein Wafer, an dem mehrere Bauelemente wie beispielsweise ein integrierter Schaltkreis (IC) und eine Large Scale Integration (LSI) an der vorderen Oberfläche auf eine solche Weise ausgebildet sind, dass sie durch mehrere geplante Teilungslinien, die sich schneiden, unterteilt ist, wird durch ein Anhaften eines Schutzbandes an die vordere Oberfläche geschützt. Danach wird die Seite des Schutzbandes durch einen Einspanntisch einer Schleifvorrichtung gehalten und die hintere Oberfläche wird geschliffen, sodass der Wafer mit einer gewünschten Dicke ausgebildet wird (siehe beispielsweise die japanische Offenlegungsschrift Nr. 2005 - 246491 ) .
  • Der auf die oben beschriebene Weise mit der gewünschten Dicke ausgebildete Wafer wird durch eine Schneidvorrichtung oder eine Laserbearbeitungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt. Die durch das Teilen erhaltenen Bauelementchips werden für Stücke von elektronischer Ausstattung wie beispielsweise Mobiltelefonen und PCs verwendet.
  • Die Schleifvorrichtung ist im Wesentlichen aus dem Einspanntisch, der einen Wafer hält, einer Schleifeinheit, die einen abrasiven Schleifstein drehbar aufweist, der den von diesem Einspanntisch gehaltenen Wafer schleift, ein Schleifwasserzuführmittel, das Schleifwasser zum Wafer und dem abrasiven Schleifstein zuführt, und eine Reinigungseinheit, die den geschliffenen Wafer reinigt, ausgestaltet. Die Schleifvorrichtung kann den Wafer auf eine gewünschte Dicke schleifen.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Wenn die hintere Oberfläche eines Wafers von der Schleifvorrichtung geschliffen wird, wird der meiste aufgrund des Schleifens erzeugte Schleifstaub durch das Schleifwasser dazu gebracht, nach außerhalb des Einspanntischs zu strömen. Allerdings tritt ein Teil des Schleifstaubs, da ein Unterdruck dazu gebracht wird, an der oberen Oberfläche (Halteoberfläche) des Einspanntischs zu wirken und der Wafer angesaugt und gehalten wird, von einer Lücke zwischen dem Einspanntisch und dem Schutzband ein und haftet an der Seite der unteren Oberfläche des an dem vom Einspanntisch gehaltenen Wafer angehafteten Schutzbandes. Insbesondere wird, wenn das Schutzband unter Zwischenschaltung eines Klebemittels oder dergleichen an die vordere Oberfläche des Wafers angehaftet wird, eine Wellenform an der Seit der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet. Diese Wellenform verringert das Ausmaß einer Haftung zwischen dem Einspanntisch und dem Schutzband, was möglicherweise eine Ursache für den Eintritt des Schleifstaubes in eine Lücke zwischen dem Einspanntisch und dem Schutzband wird. Darüber hinaus wird, auch wenn die geschliffene Oberfläche durch eine in der Schleifvorrichtung angeordnete Reinigungseinheit für den Wafer, für den die Schleifbearbeitung wie oben beschrieben fertiggestellt wurde, eine Reinigung der Seite des Schutzbandes des vom Einspanntisch gehaltenen Wafers nicht ausreichend ausgeführt. Deswegen besteht ein Problem dahingehend, dass der Wafer zu einer Kontaminationsquelle wird, wenn er zum nächsten Schritt befördert wird.
  • Somit ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitzustellen, bei dem Schleifstaub daran gehindert wird, an einem an der gehaltenen Oberflächenseite eines von einem Einspanntisch gehaltenen Wafers angehafteten Haftbands anzuhaften, wenn eine Schleifbearbeitung ausgeführt wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren eines Wafers zum Schleifen einer hinteren Oberfläche des Wafers bereitgestellt, an dem mehrere Bauelemente an einer vorderen Oberfläche auf eine solche Weise ausgebildet sind, dass sie durch mehrere geplante Teilungslinien, die sich schneiden, unterteilt sind. Das Bearbeitungsverfahren weist auf: einen Haftbandanhaftschritt eines Anhaftens eines Haftbandes an die vordere Oberfläche des Wafers, einen Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritt eines Anordnens einer Thermokompressionsverbindungsfolie am an die vordere Oberfläche des Wafers angehafteten Haftband und einen Integrationsschritt eines Erwärmens der Thermokompressionsverbindungsfolie und eines Drückens der Thermokompressionsverbindungsfolie durch ein ebenes Element, um ein Druckverbinden der Thermokompressionsverbindungsfolie mit dem Haftband auszuführen und die Thermokompressionsverbindungsfolie mit dem Wafer zu integrieren. Das Bearbeitungsverfahren weist auch einen Schleifschritt eines Haltens der Seite der Thermokompressionsverbindungsfolie an einem Einspanntisch einer Schleifvorrichtung und eines Schleifens des Wafers auf eine gewünschte Dicke während eines Zuführens von Schleifwasser zur hinteren Oberfläche des Wafers, nachdem der Integrationsschritt ausgeführt wurde, und einen Trennschritt eines Herausbeförderns des mit der Thermokompressionsverbindungsfolie integrierten Wafers aus dem Einspanntisch und eines Trennens der Thermokompressionsverbindungsfolie vom Haftband auf.
  • Bevorzugt wird die Thermokompressionsverbindungsfolie teilweise erwärmt oder abgekühlt und eine Temperaturdifferenz wird erzeugt, um die Thermokompressionsverbindungsfolie im Trennschritt vom Haftband zu trennen.
  • Bevorzugt ist die Thermokompressionsverbindungsfolie eine polyolefinbasierte Folie oder eine polyesterbasierte Folie. Wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die polyolefinbasierte Folie ist, wird die Thermokompressionsverbindungsfolie bevorzugt aus einer Gruppe ausgewählt, die besteht aus: einer Polyethylenfolie, einer Polypropylenfolie und einer Polystyrenfolie. Die Temperatur, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie im Integrationsschritt erwärmt wird, beträgt 120°C bis 140°C, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polyethylenfolie ist, die Temperatur beträgt 160°C bis 180°C, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polypropylenfolie ist, und die Temperatur beträgt 220°C bis 240°C, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polystyrenfolie ist.
  • Wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die polyesterbasierte Folie ist, wird die Thermokompressionsverbindungsfolie bevorzugt aus einer Polyethylenterephthalatfolie oder einer Polyethylennaphthalatfolie ausgewählt. Die Temperatur, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie im Integrationsschritt erwärmt wird, beträgt 250°C bis 270°C, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polyethylenterephthalatfolie ist, und die Temperatur beträgt 160°C bis 180°C, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polyethylennaphthalatfolie ist.
  • Gemäß dem Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß der vorliegenden Erfindung wird Schleifstaub daran gehindert, direkt am Haftband anzuhaften. Somit wird das Problem, dass der Schleifstaub eine Kontaminationsquelle im nächsten Schritt wird, wenn der Wafer zum nächsten Schritt befördert wird, gelöst.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und ihre Umsetzungsweise werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Perspektivansicht, welche die Implementierungsform eines Haftbandanhaftschritts darstellt;
    • 2 ist eine Perspektivansicht, welche die Implementierungsform eines Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritts darstellt;
    • 3 ist eine Perspektivansicht, welche die Implementierungsform eines Integrationsschritts darstellt;
    • 4 ist eine Perspektivansicht, welche die Implementierungsform eines Schneidschritts darstellt;
    • 5 ist eine Gesamtperspektivansicht einer für die vorliegende Ausführungsform geeigneten Schleifvorrichtung;
    • 6 ist eine Perspektivansicht, welche die Form eines Haltens eines Wafers an einem Einspanntisch der in 5 dargestellten Schleifvorrichtung darstellt;
    • 7 ist eine Perspektivansicht, welche die Form eines Ausführens eines Schleifschritts durch die in 5 dargestellte Schleifvorrichtung darstellt;
    • 8 ist eine Perspektivansicht, welche die Form eines Platzierens des Wafers an einem Einspanntisch zur Trennung darstellt, womit ein Trennschritt ausgeführt wird; und
    • 9 ist eine Perspektivansicht, welche die Implementierungsform des Trennschritts darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Ein Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unten detailliert unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben werden. Das Bearbeitungsverfahren eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform weist auf: einen Haftbandanhaftschritt eines Anhaftens eines Haftbandes an die vordere Oberfläche des Wafers, einen Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritt eines Anordnens einer Thermokompressionsverbindungsfolie am an die vordere Oberfläche des Wafers angehafteten Anhaftband und einen Integrationsschritt eines Erwärmens der Thermokompressionsverbindungsfolie und eines Drückens der Thermokompressionsverbindungsfolie durch ein ebenes Element, um ein Druckverbinden der Thermokompressionsverbindungsfolie mit dem Haftband auszuführen und die Thermokompressionsverbindungsfolie mit dem Wafer zu integrieren. Das Bearbeitungsverfahren eines Wafers weist auch einen Schleifschritt eines Schleifens des Wafers auf eine gewünschte Dicke während eines Haltens der Seite der Thermokompressionsverbindungsfolie an einem Einspanntisch einer Schleifvorrichtung und eines Zuführens von Schleifwasser zur hinteren Oberfläche des Wafers und einen Trennschritts eines Herausbeförderns des mit der Thermokompressionsverbindungsfolie integrierten Wafers vom Einspanntisch und eines Trennens der Thermokompressionsverbindungsfolie vom Haftband auf. Jeder Schritt wird unten in nacheinander beschrieben werden.
  • (Haftbandanhaftschritt)
  • In 1 ist eine Perspektivansicht, welche die Implementierungsform des Haftbandanhaftschritts darstellt, dargestellt. Bei einer Ausführung des Haftbandanhaftschritts wird zunächst ein Wafer W, der ein in 1 dargestelltes Bearbeitungsziel ist, ein an den Wafer W angehaftetes Haftband T und ein Einspanntisch 100 zum Ausführen des Haftbandanhaftschritts und des Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritts, die später zu beschreiben sind, vorbereitet. Der Wafer W ist beispielsweise aus Silizium (Si) ausgestaltet und mehrere Bauelemente D sind an einer vorderen Oberfläche Wa auf eine solche Weise ausgebildet, dass sie durch geplante Teilungslinien unterteilt sind. Beispielsweise ist das Haftband T aus einer kreisförmigen Polyvinylchloridfolie, die im Wesentlichen auf die gleiche Form festgelegt ist wie der Wafer W, und einem auf eine Oberfläche der Polyvinylchloridfolie aufgebrachten Haftmittel (beispielsweise ein Acrylunststoff) ausgestaltet. Der Einspanntisch 100 ist aus einer Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a, die aus einer porösen Keramik mit einer Luftpermeabilität ausgestaltet ist und eine kreisförmige Scheibenform aufweist, und einem kreisförmigen Rahmenteil 100b, der den Umfang der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a umgibt, ausgestaltet. Der Einspanntisch 100 kann den an der oberen Oberfläche (Halteoberfläche) der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a platzierten Wafer W durch eine Betätigung eines Ansaugmittels, das im Diagramm nicht dargestellt ist, ansaugen und halten.
  • Nachdem der Wafer W, das Haftband T und der Einspanntisch 100 wie oben beschrieben vorbereitet wurden, wird das Haftband T an die vordere Oberfläche Wa, an der die Bauelemente D im Wafer W ausgebildet sind, auf eine solche Weise angehaftet, dass die Seite, an welcher das Haftmittel am Haftband T aufgebracht ist, zur vorderen Oberfläche Wa gerichtet ist. Im Fall eines Anhaftens des Haftbandes T an die vordere Oberfläche Wa des Wafers W ist es möglich, den in 1 dargestellten Einspanntisch 100 zu verwenden. Ferner ist es auch möglich, das Haftband T unter Verwendung einer bekannten Bandanhaftmaschine (auf eine Darstellung im Diagramm wird verzichtet) oder dergleichen im Vorhinein anzuhaften.
  • (Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritt)
  • Nachdem das Haftband T wie in 2 dargestellt auf die oben beschriebene Weise angehaftet wurde, wird der Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritt ausgeführt. Zunächst wird der Wafer W, an dem das Haftband T durch den oben beschriebenen Haftbandanhaftschritt an die vordere Oberfläche Wa angehaftet wurde, vorbereitet und der Wafer W wird am Zentrum der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a des Einspanntischs 100 auf eine solche Weise platziert, dass die Seite der vorderen Oberfläche Wa, an welcher das Haftband T am Wafer W angehaftet ist, nach oben gerichtet ist, und die Seite der hinteren Oberfläche Wb wie in 2 dargestellt nach unten gerichtet ist. Nachdem der Wafer W an der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a platziert wurde, wird eine mit einer Dicke von 20 bis 100 µm ausgebildete kreisförmige Thermokompressionsverbindungsfolie 110 an dem an den Wafer W gehafteten Haftband T platziert. Als die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 kann eine polyolefinbasierte Folie oder eine polyesterbasierte Folie gewählt werden. Im Fall der polyolefinbasierten Folie wird beispielsweise eine Polyethylen (PE)-Folie gewählt. Wie aus 2 ersichtlich ist, ist der Durchmesser der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a leicht größer als der Durchmesser des Wafers W festgelegt. Somit wird durch die Anordnung des Wafers W an der Mitte der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a der Zustand, in dem die Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a auf eine solche Weise freiliegt, dass sie den Umfang des Wafers W umgibt, hergestellt. Die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 weist eine Größe auf, mit der zumindest der Wafer W bedeckt werden kann. Bevorzugt ist die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 mit einem Durchmesser ausgebildet, der größer ist als der Durchmesser der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a, und ist mit einem Durchmesser ausgebildet, der geringfügig kleiner ist als der ringförmige Rahmenteil 100b des Einspanntischs 100. Dies ermöglicht es, dass die gesamte Oberfläche der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a und der Wafer W von der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 bedeckt werden. Eine Haftmittelschicht aus einem Klebemittel oder dergleichen ist nicht an der am Haftband T platzierten Thermokompressionsverbindungsfolie 110 ausgebildet.
  • Die oben beschriebene Thermokompressionsverbindungsfolie 110 ist eine Folie, die durch ein Erwärmen eine Haftkraft ausübt, ist jedoch nicht auf die oben beschriebene Polyethylenfolie beschränkt. Im Fall eines Einsetzens der polyolefinbasierten Folie als die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 kann neben der oben beschriebenen Polyethylenfolie beispielsweise eine Polypropylen (PP)-Folie oder eine Polystyren (PS)-Folie eingesetzt werden. Darüber hinaus kann im Fall eines Einsetzens der polyesterbasierten Folie als die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 entweder beispielsweise eine Polyethylenterephthalat (PET)-Folie oder eine Polyethylennaphthalat (PEN)-Folie eingesetzt werden.
  • Nachdem der Wafer W, an den das Haftband T angehaftet ist, und die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 über dem Einspanntisch 100 platziert worden sind, wird das Ansaugmittel, das eine Ansaugpumpe oder dergleichen aufweist und im Diagramm nicht dargestellt ist, betätigt, und eine Ansaugkraft Vm wird dazu gebracht, an der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a zu wirken, um den Wafer W und die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 anzusaugen. Da der gesamte Bereich der oberen Oberfläche (Halteoberfläche) der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a und der Wafer W von der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 wie oben beschrieben bedeckt sind, wirkt die Ansaugkraft Vm am gesamten Wafer W und der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 und der Wafer W und die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 werden an der Ansauganhafteinspanneinrichtung 100a angesaugt und gehalten. Zusätzlich wird Luft, die zwischen dem Haftband T am Wafer W und der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 verbleibt, angesaugt und beide werden in engen Kontakt miteinander gebracht. An der Oberfläche des Haftbandes T werden winzige Vertiefungen und Vorsprünge, die eine aufgrund des Einflusses der mehreren Bauelemente D und des auf die angehaftete Oberfläche des Haftbandes T aufgebrachten Haftmittels erzeugte Wellenform aufweisen, ausgebildet. Allerdings wird aufgrund der Ansaugung und des Haltens durch den Einspanntisch 100 die verbleibende Luft von der Oberfläche mit winzigen Vertiefungen und Vorsprüngen am Haftband T angesaugt, was den Zustand bewirkt, in dem die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 in engem Kontakt mit dem Haftband T steht. Durch das Obige wird der Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritt vollendet.
  • (Integrations schritt)
  • Nachdem der oben beschriebene Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritt ausgeführt wurde, wird danach der Integrationsschritt ausgeführt. Der Integrationsschritt wird unter Bezugnahme auf 3 beschrieben.
  • Für die Ausführung des Integrationsschritts wird, wie in 3 dargestellt ist, ein Integrationsmittel 120 (von dem nur ein Teil dargestellt ist) zum Erwärmen der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 und Drücken der Thermokompressionsverbindungsfolie 110, um die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 mit dem Wafer W zu integrieren, im Zustand eines Ansaugens und Haltens des Wafers W und der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 über dem Einspanntisch 100 positioniert. Das Integrationsmittel 120 weist ein kreisförmiges scheibenförmiges ebenes Element 122, in dem eine Heizeinrichtung und ein Temperatursensor (auf eine Darstellung im Diagramm wird verzichtet) intern aufgenommen sind, auf und eine untere Oberfläche 124 ist eine mit einem Fluorkunststoff beschichtete ebene Oberfläche. Der Durchmesser des ebenen Elements 122 ist äquivalent zu mindestens dem Durchmesser des Wafers W oder größer festgelegt.
  • Nachdem das Integrationsmittel 120 über dem Einspanntisch 100 positioniert wurde, wird die im Integrationsmittel 120 aufgenommene Heizeinrichtung betätigt und das ebene Element 122 wird abgesenkt, um die am Wafer W angeordnete Thermokompressionsverbindungsfolie 110 zu drücken. Aufgrund der Betätigung der Heizeinrichtung und des Temperatursensors des ebenen Elements 122 wird die untere Oberfläche 124 des ebenen Elements 122 gesteuert, um auf 120°C bis 140°C zu sein. Die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 der vorliegenden Ausführungsform ist wie oben beschrieben eine Polyethylenfolie. Dadurch, dass sie auf 120°C bis 140°C erwärmt wird, wird die Temperatur der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 in die Nähe der Temperatur gebracht, bei der die Polyethylenfolie schmilzt. Somit wird die Haftkraft ausgeübt und die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 erweicht. Dann erhöht sich, da der Zustand, in dem die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 in engem Kontakt mit den winzigen am an der vorderen Oberfläche Wa des Wafers W angehafteten Haftband T ausgebildeten Vertiefungen und Vorsprüngen steht, das Ausmaß einer Haftung zwischen der Thermokompressionsverbindungsfolie 110, die aufgrund des Erwärmens erweicht ist, und dem Haftband T am Wafer W, sodass ein Druckverbinden durch die Wirkung der durch das Erwärmen ausgeübten Haftkraft der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 ausgeführt wird. Darüber hinaus wird, da die untere Oberfläche 124 des ebenen Elements 120 eine ebene Oberfläche ist, die Oberfläche der an das Haftband T am Wafer W angehafteten Thermokompressionsverbindungsfolie 110 eben ausgestaltet. Durch das obige wird der Integrationsschritt, durch den die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 mit dem Haftband T druckverbunden wird und mit dem Wafer W integriert wird, abgeschlossen. Wie oben beschrieben ist, wird die untere Oberfläche 124 des ebenen Elements 122 mit einem Fluorkunststoff beschichtet. Deswegen ist es, selbst, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 erwärmt wird und die Haftkraft ausgeübt wird, möglich, das ebene Element 122 vorteilhaft von der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 zu trennen.
  • Im oben beschriebenen Integrationsschritt ist das Beispiel dargestellt, in dem das ebene Element 122, in dem das Heizelement wie das in 3 dargestellte aufgenommen ist, als ein Mittel verwendet wird, welches die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 erwärmt, um ein Druckverbinden der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 an das Haftband T am Wafer W auszuführen und die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 mit dem Wafer W zu integrieren. Allerdings ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann das Integrationsmittel ein vom ebenen Element 122 getrenntes Heizmittel aufweisen. In diesem Fall kann die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 durch dieses Erwärmungsmittel auf eine vorgegebene Temperatur erwärmt werden und vom ebenen Element 122 mit der oben beschriebenen Form gedrückt werden, sodass das Druckverbinden davon ausgeführt werden kann. Darüber hinaus ist es auch möglich, die Oberfläche der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 mit Infrarotstrahlen zu bestrahlen, um ein Erwärmen durchzuführen, und danach ein Drücken durch ebenes Element mit einer Walzenform auszuführen, um ein Druckverbinden zu implementieren. Alternativ ist es auch möglich, ein Erwärmen auf eine vorgegebene Temperatur und ein Drücken durch eine Walze auszuführen, wobei ein Heizelement und ein Temperatursensor aufgenommen sind, um ein Druckverbinden der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 an das Haftband T auszuführen.
  • In der vorliegenden Ausführungsform wird nach dem oben beschriebenen Integrationsschritt ein Schneidschritt eines Schneidens der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 entlang der Form des Wafers W unter Berücksichtigung des in einem späteren Schritt ausgeführten Schleifschritts ausgeführt. Der Schneidschritt muss nicht notwendigerweise ausgeführt werden. Allerdings wird, wenn er ausgeführt wird, eine Handhabung des mit der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 integrierten Wafers W einfacher, was für den später zu beschreibenden Schleifschritt praktisch ist. Der Schneidschritt wird unten unter Bezugnahme auf 4 beschrieben werden.
  • (Schneidschritt)
  • Wie in 4 dargestellt ist, wird eine Schneideinheit 70 (von der nur ein Teil dargestellt ist) über dem Einspanntisch 100 positioniert, der den Wafer W ansaugt und hält, an dem die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 druckverbunden worden ist. Insbesondere weist die Schneideinheit 70 eine kreisförmige scheibenförmige Schneidklinge 72 zum Schneiden der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 und einen Motor 74 zum Drehantreiben der Schneidklinge 72 in einer durch einen Pfeil R1 dargestellten Richtung auf und der Klingenrand der Schneidklinge 72 wird positioniert, um der Umfangsposition des Wafers W zu entsprechen. Nachdem die Schneidklinge 72 an der Umfangsposition des Wafers W positioniert wurde, wird ein Einschneidzuführen der Schneidklinge 72 um die Dicke der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 ausgeführt und der Einspanntisch 100 wird in einer durch einen Pfeil R2 dargestellten Richtung gedreht. Dadurch wird die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 entlang des Umfangs des Wafers W geschnitten und der vom Umfang des Wafers W vorstehende Überschussteil der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 kann geschnitten werden, um getrennt zu werden. Durch das Obige wird der Schneidschritt vollendet.
  • (Schleifschritt und Thermokompressionsverbindungsfolien-Reinigungsschritt)
  • Nachdem der Wafer W, das Haftband T und die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 auf die oben beschriebene Weise durch den Integrationsschritt integriert worden sind, wird der Schleifschritt eines Schleifens der hinteren Oberfläche Wd des Wafers W ausgeführt. Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf 5 eine zum Ausführen des Schleifschritts geeignete Schleifvorrichtung 1 beschrieben werden.
  • Die Schleifvorrichtung 1 weist ein Vorrichtungsgehäuse 2 mit einer im Wesentlichen rechteckigen Parallelepipedform auf. In 5 ist eine stationäre Tragplatte 21 aufrecht am oberen Ende des Vorrichtungsgehäuses 2 an der rechten Seite angeordnet. An der inneren Wandoberfläche der stationären Tragplatte 21 sind zwei Paare von Führungsschienen 22 und 23, die sich in der Hoch-Runter-Richtung erstrecken, angeordnet. Eine Grobschleifeinheit 3 als eine Grobschleifeinheit ist an einem Paar Führungsschienen 22 in der Hoch-Runter-Richtung bewegbar angeordnet. Eine Feinschleifeinheit 4 als eine Feinschleifeinheit ist am anderen Paar Führungsschienen 23 in der Hoch-Runter-Richtung bewegbar angebracht.
  • Die Grobschleifeinheit 3 weist ein Einheitsgehäuse 31 und eine Grobschleifscheibe 33 auf, die an einer am unteren Ende eines vom Einheitsgehäuse 31 drehbar getragenen Drehschafts 31a angebrachten Scheibenanbringung 32 angebracht ist und eine untere Oberfläche aufweist, an der mehrere abrasive Schleifsteine 33a ringförmig angeordnet sind. Die Grobschleifeinheit 3 weist ferner einen Elektromotor 34, der am oberen Ende des Einheitsgehäuses 31 angebracht ist und die Scheibenanbringung 32 in einer durch einen Pfeil R3 dargestellten Richtung dreht, und eine Bewegungsbasis 35 auf, an der das Einheitsgehäuse 31 angebracht ist. Die Bewegungsbasis 35 ist durch die an der stationären Tragplatte 21 angeordneten Führungsschienen 22 getragen und die Grobschleifeinheit 3 wird in der Hoch-Runter-Richtung bewegt. Die Schleifvorrichtung 1 in der vorliegenden Ausführungsform weist einen Schleifzuführmechanismus 36, der ein Schleifzuführen der Bewegungsbasis 35 der Grobschleifeinheit 3 in der Hoch-Runter-Richtung ausführt, auf. Der Schleifzuführmechanismus 36 weist eine Außengewindestange 361, die entlang der Hoch-Runter-Richtung parallel zu den Führungsschienen 22 an der stationären Tragplatte 21 angeordnet ist und drehbar getragen ist, einen Pulsmotor 362 zum drehbaren Antreiben der Außengewindestange 361 und einen Innengewindeblock, der an der Bewegungsbasis 35 angebracht ist, mit der Außengewindestange 361 in Schraubeingriff tritt und im Diagramm nicht dargestellt ist, auf. Der Schleifzuführmechanismus 36 bewegt die Grobschleifeinheit 3 durch ein vorwärtsdrehendes und ein rückwärtsdrehendes Antreiben der Außengewindestange 361 durch den Pulsmotor 362 in der Hoch-Runter-Richtung.
  • Die Feinschleifeinheit 4 ist auch im Wesentlichen ähnlich wie die oben beschriebene Grobschleifeinheit 3 ausgestaltet und weist ein Einheitsgehäuse 41 und eine Feinschleifscheibe 43 auf, die an einer am unteren Ende eines drehbar durch das Einheitsgehäuse 41 getragenen Drehschafts 41a angebrachten Scheibenanbringung 42 angebracht ist und eine untere Oberfläche aufweist, an der mehrere abrasive Schleifsteine 43a ringförmig angeordnet sind. Die Feinschleifeinheit 4 weist ferner einen Elektromotor 44, der am oberen Ende des Einheitsgehäuses 41 angebracht ist und die Scheibenanbringung 42 in einer durch einen Pfeil R4 dargestellten Richtung dreht, und eine Bewegungsbasis 45 auf, an der das Einheitsgehäuse 41 angebracht ist. Die Bewegungsbasis 45 ist durch die an der stationären Tragplatte 21 angeordneten Führungsschienen 23 getragen und die Feinschleifeinheit 4 wird in der Hoch-Runter-Richtung bewegt. Die abrasiven Schleifsteine 43a der Feinschleifeinheit 4 sind aus feineren Schleifkörnern ausgebildet als die abrasiven Schleifsteine 33a der Grobschleifeinheit 3. Die Schleifvorrichtung 1 in der vorliegenden Ausführungsform weist einen Schleifzuführmechanismus 46 auf, der die Bewegungsbasis 45 der Feinschleifeinheit 4 entlang der Führungsschienen 23 bewegt. Der Schleifzuführmechanismus 46 weist eine Außengewindestange 461, die an der oben beschriebenen stationären Tragplatte 21 entlang der Hoch-Runter-Richtung parallel zu den Führungsschienen 23 angeordnet ist und drehbar getragen ist, einen Pulsmotor 462 zum drehbaren Antreiben der Außengewindestange 461 und einen Innengewindeblock auf, der an der Bewegungsbasis 45 angebracht ist, mit der Außengewindestange 461 in Schraubeingriff tritt und im Diagramm nicht dargestellt ist. Der Schleifzuführmechanismus 46 bewegt die Feinschleifeinheit 4 durch ein vorwärtsdrehendes und rückwärtsdrehendes Antreiben der Außengewindestange 461 durch den Pulsmotor 462 in der Hoch-Runter-Richtung.
  • Ein Schleifwasserzuführmittel, das im Diagramm nicht dargestellt ist, ist mit Drehschaftenden 31b und 41b des Drehschafts 31a und des Drehschafts 41a, die vom Elektromotor 34 und dem Elektromotor 44 gedreht werden, verbunden. Das Schleifwasserzuführmittel weist einen Schleifwassertank auf, in dem eine Druckpumpe aufgenommen ist. Das Schleifwasserzuführmittel führt von diesem Schleifwassertank gepumptes Schleifwasser L1 in den Drehschaft 31a und den Drehschaft 41a ein und führt das Schleifwasser L1 durch innerhalb des Drehschafts 31a und des Drehschafts 41a ausgebildete Durchgangslöcher zu, um das Schleifwasser L1 von den unteren Endoberflächen der Grobschleifscheibe 33 und der Feinschleifscheibe 43 zuzuführen.
  • Die Schleifvorrichtung 1 in der vorliegenden Ausführungsform weist einen Drehtisch 5 auf, der angeordnet ist, um im Wesentlichen mit der oberen Oberfläche des Vorrichtungsgehäuses 2 an der vorderen Seite der oben beschriebenen stationären Tragplatte 21 zu fluchten. Der Drehtisch 5 ist in einer kreisförmigen Scheibenform mit einem vergleichsweisen großen Durchmesser ausgebildet und wird durch einen Drehantriebsmechanismus, der in dem Diagramm nicht dargestellt ist, in einer durch einen Pfeil R5 dargestellten Richtung geeignet gedreht. Im Fall der vorliegenden Ausführungsform sind drei Einspanntische 6 in gleichmäßigen Abständen am Drehtisch 5 angeordnet. Der Einspanntisch 6 ist aus einem Rahmenkörper 61 mit einer kreisförmigen Scheibenform und einem mit einem porösen keramischen Material ausgebildeten Ansauganhafteinspanneinrichtung ausgestaltet und saugt das an der Ansauganhafteinspanneinrichtung 62 platzierte Werkstück durch ein Betätigen eines Saugmittels, das im Diagramm nicht dargestellt ist, an und hält es. Der Rahmenkörper 61 gestaltet einen äußeren Randteil aus, der die Ansauganhafteinspanneinrichtung 62 trägt und die Ansauganhafteinspanneinrichtung 62 umgibt. Die obere Oberfläche der Ansauganhafteinspanneinrichtung 62 und der äußere Randteil des Rahmenkörpers 61 sind ausgestaltet, um miteinander in der Höhe zu fluchten. Der wie oben ausgestaltete Einspanntisch 6 wird durch einen Drehantriebsmechanismus, der im Diagramm nicht dargestellt ist, in einer durch einen Pfeil R6 dargestellten Richtung gedreht. Die drei am Drehtisch 5 angeordneten Einspanntische 6 werden nacheinander zu einem Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A → einem Grobschleifbearbeitungsbereich B → einem Feinschleifbearbeitungsbereich C → dem Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A befördert, jedes Mal, wenn der Drehtisch 5 in der durch den Pfeil R5 dargestellten Richtung um 120 Grad gedreht wird.
  • Die Schleifvorrichtung 1 weist eine erste Kassette 7, die relativ zum Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A, die an einer Seite angeordnet ist und in der die Wafer W, die Werkstücke vor einem Schleifbearbeiten sind, gespeichert werden, und eine zweite Kassette 8, die relativ zum Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A an der anderen Seite angeordnet ist und in der die Wafer W, die Werkstücke nach einem Schleifbearbeiten sind, gespeichert werden, auf. Die Schleifvorrichtung 1 weist ferner einen Übergangsanordnungsbereich 9 auf, der zwischen der ersten Kassette 7 und dem Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A angeordnet ist und eine Mittenausrichtung eines Werkstücks und einer Reinigungseinheit 11 ausführt. Darüber hinaus weist die Schleifvorrichtung 1 einen ersten Beförderungsmechanismus 12, der den Wafer W, der das in der ersten Kassette 7 untergebrachte Werkstück ist, zum Übergangsanordnungsbereich 9 transportiert und den von der Reinigungseinheit 11 gereinigten Wafer W zur zweiten Kassette 8 befördert, einen zweiten Beförderungsmechanismus 13, der den Wafer W, der am Übergangsordnungsbereich 9 platziert ist und für den eine Mittenausrichtung am am Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A positionierten Einspanntisch 6 ausgeführt worden ist, transportiert, und einen dritten Beförderungsmechanismus 14 auf, der den am Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A positionierten Einspanntisch 6 platzierten Wafer W nach einem Schleifbearbeiten zur Reinigungseinheit 11 befördert.
  • An der vorderen Seite des ersten Beförderungsmechanismus 12 am Vorrichtungsgehäuse 2 sind ein Bedienpanel 15 zum Ermöglichen, dass ein Bediener ein Schleifbearbeiten in Auftrag gibt und eine Bearbeitungsbedingung spezifiziert, ein Anzeigebildschirm 16, der die Situation zum Zeitpunkt eines Schleifbearbeitens anzeigt und eine Touchpanel-Funktion aufweist, usw. angeordnet. In der Schleifvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform sind neben der oben beschriebenen Ausgestaltung ein Steuerungsmittel zum Steuern jeder Arbeitseinheit, Dickenmessinstrumente, die neben dem Grobschleifbearbeitungsbereich B und dem Feinschleifbearbeitungsbereich C angeordnet sind und die Dicke eines Wafers messen (keine davon ist im Diagramm dargestellt) usw. angeordnet.
  • Die Schleifvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform weist im Wesentlichen die oben beschriebene Ausgestaltung auf. Unter Bezugnahme auf 5 bis 7 wird der unter Verwendung der Schleifvorrichtung 1 ausgeführte Schleifschritt beschrieben werden. Der unten zu beschreibende Schleifschritt wird basierend auf einem aus einem durch die Grobschleifeinheit 3 ausgeführten Grobschleifschritt und einem durch die Feinschleifeinheit 4 ausgeführten Feinschleifschritt ausgestalteten Beispiel beschrieben werden. Allerdings ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt und der Schleifschritt könnte nur aus einem Schleifschritt ausgestaltet sein.
  • Bei der Ausführung des Schleifschritts wird, wie in 6 dargestellt, der Wafer W, für den die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 an das Haftband T druckverbunden wurde und integriert wurde, umgedreht und an der Ansauganhafteinspanneinrichtung 62 des am Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A positionierten Einspanntischs 6 der Schleifvorrichtung 1 auf eine solche Weise platziert, dass die Seite der hinteren Oberfläche Wb nach oben gerichtet ist und die Seite der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 nach unten gerichtet ist. Die Ansauganhafteinspanneinrichtung 62 des Einspanntischs 6 ist mit dem Ansaugmittel verbunden, das im Diagramm nicht dargestellt ist, und bewirkt, dass eine Ansaugkraft durch eine Betätigung des Ansaugmittels wirkt, um den Wafer W am Einspanntisch 6 anzusaugen und zu halten.
  • Nachdem der Wafer W am am Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A positionierten Einspanntisch 6 angesaugt und gehalten wurde, wird der Drehtisch 5 der Schleifvorrichtung 1 in der durch R5 dargestellten Richtung um 120 Grad gedreht und der Einspanntisch 6, der den Wafer W ansaugt und hält, wird direkt unter der Grobschleifeinheit 3 positioniert. Folglich wird, wie in 7 dargestellt, während der Drehschaft 31a der Grobschleifeinheit 3 beispielsweise bei 6000 U/min in einer durch einen Pfeil R7 dargestellten Richtung gedreht wird, der Einspanntisch 6 beispielsweise bei 300 U/min in einer durch einen Pfeil R8 dargestellten Richtung gedreht. Dann werden die abrasiven Schleifsteine 33a mit der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W in Kontakt gebracht und ein Schleifzuführen der Grobschleifscheibe 33 wird nach unten, d.h. in der zum Einspanntisch 6 senkrechten Richtung, beispielsweise bei einer Schleifzuführrate 1 pm/s ausgeführt. Zu diesem Zeitpunkt wird das Schleifwasser R1 von der unteren Oberfläche der Grobschleifscheibe 33 zur geschliffenen Oberfläche des Wafers W, d.h. der hinteren Oberfläche Wb, durch den Drehschaft 31a zugeführt. Darüber hinaus kann gleichzeitig dazu das Schleifen fortgeführt werden, während die Dicke des Wafers W durch eine Messeinrichtung vom Kontakttyp gemessen wird, die im Diagramm nicht dargestellt ist. Somit wird ein Grobschleifen der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W ausgeführt, um zu bewirken, dass der Wafer W beim Grobschleifen die gewünschte Dicke aufweist, sodass der Grobschleifschritt vollendet wird.
  • Nachdem der Grobschleifschritt wie oben beschrieben vollendet wurde, wird der Drehtisch 5 in der in 5 durch einen Pfeil R5 dargestellten Richtung um 120° weitergedreht und der Einspanntisch 6 wird danach direkt unter die Feinschleifeinheit 4 bewegt. Nachdem der Einspanntisch 6 direkt unter die Feinschleifeinheit 6 bewegt worden ist, wird der Einspanntisch 6, während der Drehschaft 41a der Feinschleifeinheit 4 beispielsweise mit 6000 U/min gedreht wird, beispielsweise mit 300 U/min gedreht. Dann werden die abrasiven Schleifsteine 43a in Kontakt mit der hinteren Oberfläche Wb des Wafers W gebracht und ein Schleifzuführen der Feinschleifscheibe 43 wird nach unten, d.h. in der zum Einspanntisch 6 senkrechten Richtung, beispielsweise mit einer Schleifzuführrate von 0,1 µm/s ausgeführt. Zu diesem Zeitpunkt wird das Schleifwasser R1 von der unteren Oberfläche der Feinschleifscheibe 43 zur geschliffenen Oberfläche des Wafers W, d.h. der hinteren Oberfläche Wb, durch den Drehschaft 41a zugeführt. Darüber hinaus kann gleichzeitig dazu das Schleifen fortgeführt werden, während die Dicke des Wafers W durch eine Messeinrichtung vom Kontakttyp gemessen wird, die im Diagramm nicht dargestellt ist. Somit wird die hintere Oberfläche Wb des Wafers W geschliffen, um zu bewirken, dass der Wafer W beim Feinschleifen die gewünschte Dicke aufweist, sodass der Feinschleifschritt vollendet wird und der aus dem oben beschriebenen Grobschleifschritt und dem Feinschleifschritt ausgestaltete Schleifschritt vollendet wird.
  • Nachdem der Schleifschritt wie oben beschrieben vollendet wurde, wird der Drehtisch 5 in der durch R5 dargestellten Richtung um 120 Grad weitergedreht und der Einspanntisch 6 wird am Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A positioniert. Die Seite der hinteren Oberfläche Wb des am Werkstück-Herein-/Herausbeförderungsbereich A positionierten Wafers W wird durch ein Betätigen des dritten Beförderungsmechanismus 14 angesaugt und der Wafer W wird zur Reinigungseinheit 11 befördert. Dann wird ein Reinigungsschritt, in dem die geschliffene Oberfläche des Wafers W, d.h. die hintere Oberfläche Wb des Wafers W, durch die Reinigungseinheit 11 gereinigt wird, ausgeführt. Der Wafer W, der vom Reinigungsschritt gereinigt wurde und von dem Wasser entfernt wurde, wird einer Ansauganhaftung durch den ersten Beförderungsmechanismus 12 unterzogen und wird zu einer vorgegebenen Position in der zweiten Kassette 8 befördert, um darin untergebracht zu werden.
  • (Trennschritt)
  • Nachdem der oben beschriebene Schleifschritt und der Reinigungsschritt vollendet wurden, wird der Trennschritt eines Trennens der Thermokompressionsverbindungsfolie 110, die druckverbunden wurde, um im oben beschriebenen Integrationsschritt integriert zu werden, von der Seite des Haftbandes T des in der zweiten Kassette 8 untergebrachten Wafers W ausgeführt. Der Trennschritt wird unten unter Bezugnahme auf 8 und 9 beschrieben werden.
  • Zur Ausführung des Trennschritts wird ein Einspanntisch 90 zur Trennung, wie ein solcher, der in 8 dargestellt ist, vorbereitet. Der Einspanntisch 90 zur Trennung weist an der Mitte eine Ansauganhafteinspanneinrichtung 92, die aus einer porösen Keramik mit einer Luftpermeabilität ausgestaltet ist und eine kreisförmige Scheibenform aufweist, auf. Die Ansauganhafteinspanneinrichtung 92 ist mit einem Ansaugmittel verbunden, das im Diagramm nicht dargestellt ist. Der Wafer W, für den das Schleifbearbeiten ausgeführt wurde, wird aus der zweiten Kassette 8 herausbefördert. Dann wird die Seite, an der die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 angehaftet ist, nach oben ausgerichtet und die Seite der hinteren Oberfläche Wb wird an der Ansauganhafteinspanneinrichtung 92 platziert, um angesaugt und gehalten zu werden. Danach wird eine Kühlbehandlung oder eine Erwärmungsbehandlung teilweise für den Umfangsteil der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 des von der Ansauganhafteinspanneinrichtung 92 angesaugten und gehaltenen Wafers W durch eine Betätigung eines Kühlmittels oder eines Heizmittels, das im Diagramm nicht dargestellt ist, ausgeführt, und eine Temperaturdifferenz wird zwischen dem Umfangsteil und dem anderen Teil erzeugt, um den Zustand herzustellen, in dem eine Thermokompressionsverbindungsfolie 110 einfach vom Umfangsteil getrennt wird. Danach wird wie in 9 dargestellt, in dem Zustand, in dem der Wafer W von der Ansauganhafteinspanneinrichtung 92 angesaugt und gehalten ist, die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 vom Haftband T unter Verwendung des Umfangsteils, für den die oben beschriebene Kühlbehandlung oder die Erwärmungsbehandlung ausgeführt worden ist, als der Startpunkt getrennt. Durch das Obige wird der Trennschritt vollendet.
  • Gemäß der oben beschriebenen vorliegenden Ausführungsform wird die mit dem an der vorderen Oberfläche Wa des Wafers W angehafteten Haftband T druckverbundene Thermokompressionsverbindungsfolie 110 eben ausgestaltet. Deswegen ist es, selbst, wenn der Wafer W durch den Einspanntisch 6 der Schleifvorrichtung 1 gehalten ist und der Schleifschritt ausgeführt wird, schwierig für Schleifstaub, aus einer Lücke zwischen der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 und der Halteoberfläche des Einspanntischs 6 einzutreten. Darüber hinaus ist, selbst wenn Schleifstaub an der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 anhaftet, die Haftkraft des Schleifstaubes schwach, da die Thermokompressionsverbindungsfolie eben ausgestaltet ist. Somit wird die Haftung des Schleifstaubes an der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 unterdrückt. Darüber hinaus wird, selbst, wenn die Anhaftung von winzigem Schleifstaub an der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 auftritt, die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 durch eine Ausführung des oben beschriebenen Trennschrittes vom Haftband T getrennt, bevor der Wafer W zum nächsten Schritt befördert wird. Deswegen wird die Anhaftung des Schleifstaubes am Haftband T vermieden, sodass das Problem, dass der an der Thermokompressionsverbindungsfolie 110 anhaftende Schleifstaub im nächsten Schritt zu einer Kontaminationsquelle wird, komplett gelöst wird. Somit kann es dem Haftband T ermöglicht werden, im nächsten Schritt so, wie es ist, als eine Schutzkomponente zu wirken.
  • In der oben beschriebenen Ausführungsform wird eine Polyethylenfolie als die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 eingesetzt. Allerdings ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt und die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 kann geeignet aus polyolefinbasierten Folien oder polyesterbasierten Folien gewählt werden.
  • Wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 aus polyolefinbasierten Folien ausgewählt wird, kann sie neben der Polyethylenfolie aus entweder einer Polypropylenfolie oder einer Polystyrenfolie ausgewählt werden. Wenn die Polypropylenfolie als die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 gewählt ist, ist es bevorzugt, die Temperatur beim Erwärmen im Integrationsschritt auf 160 bis 180° festzulegen. Darüber hinaus ist es, wenn die Polystyrenfolie als die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 gewählt ist, bevorzugt, die Temperatur beim Erwärmen im Integrationsschritt auf 220°C bis 240°C festzulegen.
  • Darüber hinaus kann die Thermokompressionsverbindungsfolie 110, wenn sie aus den polyesterbasierten Folien gewählt ist, aus einer Polyethylenterephthalatfolie oder einer Polyethylennaphthalatfolie gewählt werden. Wenn die Polyethylenterephthalatfolie als die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 gewählt ist, ist es bevorzugt, die Temperatur beim Erwärmen im Integrationsschritt auf 250° bis 270° festzulegen. Darüber hinaus ist es, wenn die Polyethylennaphthalatfolie als die Thermokompressionsverbindungsfolie 110 gewählt ist, bevorzugt, die Temperatur beim Erwärmen im Integrationsschritt auf 160° bis 180° festzulegen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2005 [0002]
    • JP 246491 [0002]

Claims (7)

  1. Bearbeitungsverfahren eines Wafers zum Schleifen einer hinteren Oberfläche des Wafers, an dem mehrere Bauelemente an einer vorderen Oberfläche auf eine solche Weise ausgebildet sind, dass sie durch mehrere geplante Teilungslinien, die sich schneiden, unterteilt sind, wobei das Bearbeitungsverfahren aufweist: einen Haftbandanhaftschritt eines Anhaftens eines Haftbandes an die vordere Oberfläche des Wafers; einen Thermokompressionsverbindungsfolien-Anordnungsschritt eines Anordnens einer Thermokompressionsverbindungsfolie am an die vordere Oberfläche des Wafers angehafteten Haftband; einen Integrationsschritt eines Erwärmens der Thermokompressionsverbindungsfolie und eines Drückens der Thermokompressionsverbindungsfolie durch ein ebenes Element, um ein Druckverbinden der Thermokompressionsverbindungsfolie mit dem Haftband auszuführen und die Thermokompressionsverbindungsfolie mit dem Wafer zu integrieren; einen Schleifschritt eines Haltens einer Seite der Thermokompressionsverbindungsfolie an einem Einspanntisch einer Schleifvorrichtung und eines Schleifens des Wafers auf eine gewünschte Dicke während eines Zuführens von Schleifwasser zur hinteren Oberfläche des Wafers, nachdem der Integrationsschritt ausgeführt wurde; und einen Trennschritt eines Herausbeförderns des mit der Thermokompressionsverbindungsfolie integrierten Wafers vom Einspanntisch und eines Trennens der Thermokompressionsverbindungsfolie vom Haftband.
  2. Bearbeitungsverfahren eines Wafers nach Anspruch 1, wobei die Thermokompressionsverbindungsfolie teilweise erwärmt oder abgekühlt wird und eine Temperaturdifferenz erzeugt wird, um die Thermokompressionsverbindungsfolie im Trennschritt vom Haftband zu trennen.
  3. Bearbeitungsverfahren eines Wafers nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Thermokompressionsverbindungsfolie eine polyolefinbasierte Folie oder eine polyesterbasierte Folie ist.
  4. Bearbeitungsverfahren eines Wafers nach Anspruch 3, wobei die Thermokompressionsverbindungsfolie, wenn seine die polyolefinbasierte Folie ist, aus einer Gruppe ausgewählt ist, die besteht aus: einer Polyethylenfolie, einer Polypropylenfolie und einer Polystyrenfolie.
  5. Bearbeitungsverfahren eines Wafers nach Anspruch 4, wobei eine Temperatur, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie im Integrationsschritt erwärmt wird, 120°C bis 140°C beträgt, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polyethylenfolie ist, die Temperatur 160°C bis 180°C beträgt, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polypropylenfolie ist, und die Temperatur 220°C bis 240°C beträgt, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polystyrenfolie ist.
  6. Bearbeitungsverfahren eines Wafers nach Anspruch 3, wobei die Thermokompressionsverbindungsfolie, wenn sie die polyesterbasierte Folie ist, aus einer Polyethylenterephthalatfolie oder einer Polyethylennaphthalatfolie ausgewählt ist.
  7. Bearbeitungsverfahren eines Wafers nach Anspruch 6, wobei die Temperatur, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie im Integrationsschritt erwärmt wird, 250°C bis 270°C beträgt, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polyethylenterephthalatfolie ist, und die Temperatur 160°C bis 180°C beträgt, wenn die Thermokompressionsverbindungsfolie die Polyethylennaphthalatfolie ist.
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