CN112420584A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的加工方法，能够将在实施磨削加工时附着于卡盘工作台所保持的晶片上的磨削屑充分地去除。晶片的加工方法包含如下的工序：粘接带粘贴工序，在晶片的正面上粘贴粘接带；热压接片配设工序，在粘贴于晶片的正面的粘接带上配设热压接片；一体化工序，对热压接片进行加热并且利用平坦部件进行按压，将热压接片压接于粘接带而进行一体化；磨削工序，将热压接片侧保持于磨削装置的卡盘工作台，一边向晶片的背面提供磨削水一边磨削至期望的厚度；以及剥离工序，从卡盘工作台搬出一体化后的晶片，将热压接片从粘接带剥离。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法，对由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行磨削。
背景技术
由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在正面上粘贴有保护带而被保护之后，将粘接带侧保持在磨削装置的卡盘工作台上，对背面进行磨削而形成为期望的厚度(例如参照专利文献1)。
如上述那样形成为期望的厚度的晶片被切割装置、激光加工装置分割为各个器件芯片，分割后的器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
磨削装置大致由以下的部件构成：卡盘工作台，其对晶片进行保持；磨削单元，其具有能够旋转的磨削磨具，该磨削磨具对该卡盘工作台所保持的晶片进行磨削；磨削水提供构件，其向晶片和磨削磨具提供磨削水；以及清洗单元，其对磨削后的晶片进行清洗，该磨削装置能够将晶片磨削至期望的厚度。
专利文献1：日本特开2005-246491号公报
当利用磨削装置对晶片的背面进行磨削时，由磨削产生的磨削屑几乎都通过磨削水而流到卡盘工作台的外部，但由于使负压作用于卡盘工作台的上表面(保持面)来吸引保持晶片，因此磨削屑的一部分会从卡盘工作台与保护带之间的间隙进入而附着在卡盘工作台所保持的晶片上所粘贴的保护带的下表面侧。特别是，在晶片的正面经由糊剂等粘贴有保护带的情况下，在晶片的正面侧形成有起伏，该起伏使卡盘工作台与保护带的紧贴度降低，可能成为磨削屑进入卡盘工作台与保护带之间的间隙的主要原因。此外，对于这样完成了磨削加工的晶片，虽然通过配设于磨削装置的清洗单元对磨削面进行了清洗，但由于对卡盘工作台所保持的晶片的保护带侧的清洗不充分，因此在搬送到下一工序时，存在成为污染源的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供晶片的加工方法，在实施磨削加工时使磨削屑不附着在粘贴于卡盘工作台所保持的晶片的保持面侧的粘接带上。
根据本发明，提供晶片的加工方法，对由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行磨削，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：粘接带粘贴工序，在该晶片的正面上粘贴粘接带；热压接片配设工序，在粘贴于该晶片的正面的该粘接带上配设热压接片；一体化工序，对该热压接片进行加热并且利用平坦部件进行按压，将该热压接片压接于该粘接带而进行一体化；磨削工序，在实施了该一体化工序之后，将该热压接片侧保持于磨削装置的卡盘工作台，一边向该晶片的背面提供磨削水一边将该晶片磨削至期望的厚度；以及剥离工序，从该卡盘工作台搬出与该热压接片一体化的该晶片，将该热压接片从该粘接带剥离。
优选的是，在该剥离工序中，对热压接片局部地进行加热或冷却而产生温度差，从而将该热压接片从粘接带剥离。
优选的是，该热压接片是聚烯烃系片或聚酯系片。在该热压接片是该聚烯烃系片的情况下，优选的是，从由聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片构成的组中选择。在该一体化工序中对热压接片进行加热时的温度在该聚乙烯片的情况下为120℃～140℃，在该聚丙烯片的情况下为160℃～180℃，在该聚苯乙烯片的情况下为220℃～240℃。
在该热压接片是聚酯系片的情况下，优选的是，从聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片的任意片中选择。在该一体化工序中对热压接片进行加热时的温度在该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下为250℃～270℃，在该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下为160℃～180℃。
根据本发明的晶片的加工方法，不会使磨削屑直接附着于粘接带，解决了在搬送到下一工序时磨削屑成为下一工序中的污染源的问题。
附图说明
图1是示出粘接带粘贴工序的实施方式的立体图。
图2是示出热压接片配设工序的实施方式的立体图。
图3是示出热压接片配设工序的实施方式的立体图。
图4是示出切断工序的实施方式的立体图。
图5是本实施方式优选的磨削装置的整体立体图。
图6是示出将晶片保持于图5所示的磨削装置的卡盘工作台上的方式的立体图。
图7是示出通过图5所示的磨削装置来实施磨削工序的方式的立体图。
图8是示出将晶片载置于实施剥离工序的剥离用卡盘工作台的方式的立体图。
图9是示出剥离工序的实施方式的立体图。
标号说明
1：磨削装置；2：装置壳体；3：粗磨削单元；4：精磨削单元；5：转动工作台；6：卡盘工作台；7：第1盒；8：第2盒；9：暂放区域；11：清洗单元；12：第1搬送机构；13：第2搬送机构；14：第3搬送机构；21：静止支承基板；22、23：导轨；31：单元壳体；31a：旋转轴；33：粗磨削磨轮；33a：磨削磨具；34：电动马达；35：移动基台；36：磨削进给机构；41：单元壳体；41a：旋转轴；43：磨削磨轮；43a：磨削磨具；44：电动马达；45：移动基台；46：磨削进给机构；100：卡盘工作台；110：热压接片；120：一体化构件；122：按压部件；124：下表面；A：被加工物搬入/搬出区域；B：粗磨削加工区域；C：精磨削加工区域；D：器件；L1：磨削水；L2：清洗水；T：粘接带；W：晶片；Wa：正面；Wb：背面。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明实施方式的晶片的加工方法进行详细地说明。
本实施方式的晶片的加工方法包含如下的工序：粘接带粘贴工序，在晶片的正面上粘贴粘接带；热压接片配设工序，在粘贴于晶片的正面的粘接带上配设热压接片；一体化工序，对热压接片进行加热并且利用平坦部件进行按压，将热压接片压接于粘接带而进行一体化；磨削工序，将热压接片侧保持于磨削装置的卡盘工作台，一边向晶片的背面提供磨削水一边将晶片磨削至期望的厚度；以及剥离工序，从该卡盘工作台搬出与热压接片一体化的晶片，将热压接片从粘接带剥离。以下，依次对各工序进行说明。
(粘接带粘贴工序)
在图1中示出表示粘接带粘贴工序的实施方式的立体图。在实施粘接带粘贴工序时，首先，准备作为图1所示的加工对象的晶片W、粘贴于晶片W的粘接带T以及用于实施粘接带粘贴工序和后述的热压接片配设工序的卡盘工作台100。晶片W例如由硅(Si)构成，由分割预定线划分而在正面Wa上形成有多个器件D。粘接带T例如由设定为大致与晶片W相同形状的圆形的聚氯乙烯片和涂覆在该聚氯乙烯片的正面上的粘接剂(例如丙烯酸树脂)构成。卡盘工作台100由圆盘形状的吸附卡盘100a和圆形框部100b构成，该吸附卡盘100a由具有通气性的多孔质的多孔陶瓷构成，该圆形框部100b围绕吸附卡盘100a的外周，通过使未图示的吸引构件进行动作，能够对载置于吸附卡盘100a的上表面(保持面)的晶片W进行吸引保持。
如上所述，在准备了晶片W、粘接带T以及卡盘工作台100之后，将粘接带T的涂覆有粘接剂的一侧朝向晶片W的形成有器件D的正面Wa进行粘贴。在将粘接带T粘贴于晶片W的正面Wa的情况下，可以利用图1所示的卡盘工作台100，但也可以利用预先公知的带粘贴机(省略图示)等来进行粘贴。
(热压接片配设工序)
在如上述那样粘贴了粘接带T之后，如图2所示，实施热压接片配设工序。首先，准备通过上述粘接带配设工序而在正面Wa上粘贴有粘接带T的晶片W，如图2所示，使晶片W的粘贴有粘接带T的正面Wa侧朝上并使背面Wb侧朝下，将晶片W载置于卡盘工作台100的吸附卡盘100a的中心。在将晶片W载置于吸附卡盘100a之后，在粘贴于晶片W的粘接带T上载置以20μm～100μm的厚度形成的圆形的热压接片110。作为热压接片110，可以选择聚烯烃系片或聚酯系片，在聚烯烃系片的情况下，例如选择聚乙烯(PE)片。从图2可知，吸附卡盘100a的直径设定得比晶片W的直径稍大，通过将晶片W载置于吸附卡盘100a的中心，吸附卡盘100a成为以包围晶片W的外周的方式露出的状态。热压接片110至少是能够覆盖晶片W的大小，优选的是，以比吸附卡盘100a的直径大的直径形成，并以比卡盘工作台100的圆形框部100b稍小的直径形成。由此，吸附卡盘100a的整个面和晶片W被热压接片110覆盖。另外，在载置于粘接带T上的热压接片110上没有形成糊剂等粘接层。
上述热压接片110是通过加热而发挥粘合力的片，但不限定于上述聚乙烯片。在采用聚烯烃系片作为热压接片110的情况下，除了上述聚乙烯片之外，例如还能够采用聚丙烯(PP)片、聚苯乙烯(PS)片。另外，在采用聚酯系片作为热压接片110的情况下，例如，能够采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)片、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)片中的任意一种。
在将粘贴有粘接带T的晶片W和热压接片110载置于卡盘工作台100之后，使包含吸引泵等的未图示的吸引构件进行动作，使吸引力Vm作用于吸附卡盘100a，对晶片W和热压接片110进行吸引。如上所述，吸附卡盘100a的上表面(保持面)整个区域和晶片W被热压接片110覆盖，因此，使吸引力Vm作用于晶片W和热压接片110整体而将晶片W和热压接片110吸引保持在吸附卡盘100a上，并且对残留在晶片W上的粘接带T与热压接片110之间的空气进行吸引而使两者密接。在粘接带T的正面上形成有微小的凹凸，该微小的凹凸包括由于多个器件D和附加在粘接带T的粘接面上的粘接剂的影响而产生的起伏，但通过利用卡盘工作台100进行吸引保持，从粘接带T上的微小的凹凸面吸引残留的空气，热压接片110成为与粘接带T密接的状态。由此，热压接片配设工序完成。
(一体化工序)
在实施了上述热压接片配设工序之后，接下来，实施一体化工序。参照图3和图4对一体化工序进行说明。
在实施一体化工序时，如图3所示，将一体化构件120(仅示出一部分)定位在对晶片W和热压接片110进行吸引保持的状态的卡盘工作台100的上方，其中，该一体化构件120用于对热压接片110进行加热并且对热压接片110进行按压，从而使热压接片110和晶片W一体化。一体化构件120具有在内部内置有加热器和温度传感器(省略图示)的圆盘状的平坦部件122，下表面124是涂覆有氟树脂的平坦面。平坦部件122的直径被设定为至少与晶片W相等或晶片W以上的直径。
在将一体化构件120定位在卡盘工作台100的上方之后，使内置于一体化构件120的加热器动作并使平坦部件122下降，从而对配设在晶片W上的热压接片110进行按压。通过平坦部件122的加热器和温度传感器的动作，平坦部件122的下表面124被控制为120℃～140℃。如上所述，本实施方式的热压接片110是聚乙烯片，通过加热到120℃～140℃，聚乙烯片接近熔融的温度而发挥粘合力并且软化。而且，如上所述，由于热压接片110处于与形成在粘贴于晶片W的正面Wa的粘接带T上的微小的凹凸密接的状态，因此通过被加热而软化的热压接片110与晶片W上的粘接带T的密接度增加，通过热压接片110的被加热而发挥出的粘合力的作用来进行压接。另外，由于平坦部件122的下表面124是平坦面，因此粘贴在晶片W上的粘接带T上的热压接片110的正面被平坦化。由此，完成将热压接片110压接在粘接带T上并与晶片W一体化的一体化工序。另外，如上所述，由于在平坦部件122的下表面124涂覆有氟树脂，因此即使热压接片110被加热而发挥粘合力，也能够使平坦部件122从热压接片110良好地分离。
在上述一体化工序中，作为对热压接片110进行加热并将热压接片110压接在晶片W上的粘接带T上而使热压接片110和晶片W一体化的方法，示出了使用图2所示的内置有加热器的平坦部件122的例子，但本发明并不限定于此。例如，可以与平坦部件122分体地具有加热构件，通过该加热构件将热压接片110加热至规定的温度，利用上述形状的平坦部件122进行按压而进行压接。另外，也可以在向热压接片110的正面照射红外线而进行加热之后，利用辊状的平坦部件进行按压而进行压接，或者利用内置有加热器和温度传感器的辊加热至规定的温度并且进行按压，将热压接片110压接在粘接带T上。
在本实施方式中，接着上述一体化工序，考虑到在之后的工序中实施的磨削工序而实施沿着晶片W的形状切断热压接片110的切断工序。另外，不一定需要实施该切断工序，但在实施了该切断工序的情况下容易处理与热压接片110一体化的晶片W，对于后述的磨削工序来说是有利的。以下，参照图4对切断工序进行说明。
(切断工序)
如图4所示，将切断单元70(仅示出一部分)定位在对压接有热压接片110的晶片W进行吸引保持的卡盘工作台100上。更具体而言，切断单元70具有用于切断热压接片110的圆盘形状的切削刀具72和用于驱动切削刀具72向箭头R1所示的方向旋转的电动机74，该切断单元70将切削刀具72的刀尖定位于晶片W的外周位置。在将切削刀具72定位于晶片W的外周位置之后，使切削刀具72切入进给相当于热压接片110的厚度的量，并使卡盘工作台100向箭头R2所示的方向旋转。由此，热压接片110沿着晶片W的外周被切断，从而能够将热压接片110的从晶片W的外周露出的剩余部分切断并分离。由此，切断工序完成。
(磨削工序/热压接片清洗工序)
如上所述，在通过一体化工序使晶片W、粘接带T以及热压接片110一体化之后，实施对晶片W的背面Wb进行磨削的磨削工序。以下，参照图5对适合实施该磨削工序的磨削装置1进行说明。
磨削装置1具有大致长方体状的装置壳体2。在图5中，在装置壳体2的右侧的上端竖立设置有静止支承板21。在该静止支承板21的内侧壁面设置有沿上下方向延伸的两对导轨22、22和23、23。在一方的导轨22、22上以能够沿上下方向移动的方式安装有作为粗磨削单元的粗磨削单元3，在另一方的导轨23、23上以能够沿上下方向移动的方式安装有作为精磨削单元的精磨削单元4。
粗磨削单元3具有：单元壳体31；粗磨削磨轮33，其安装于轮安装座32，在下表面呈环状配置有多个磨削磨具33a，并且该轮安装座32安装于被单元壳体31支承为旋转自如的旋转轴31a的下端；电动马达34，其安装于该单元壳体31的上端，使轮安装座32向箭头R3所示的方向旋转；以及移动基台35，其安装有单元壳体31。移动基台35被设置于静止支承板21的导轨22、22支承，使粗磨削单元3沿上下方向移动。本实施方式的磨削装置1具有对粗磨削单元3的移动基台35在上下方向上进行磨削进给的磨削进给机构36。磨削进给机构36具有：外螺纹杆361，其与导轨22、22平行地沿上下方向配设于静止支承板21，并被支承为能够旋转；脉冲电动机362，其用于对该外螺纹杆361进行旋转驱动；以及未图示的内螺纹块，其安装于移动基台35，与外螺纹杆361螺合，通过利用脉冲电动机362对外螺纹杆361进行正转和反转驱动，使粗磨削单元3沿上下方向移动。
精磨削单元4也与上述粗磨削单元3大致同样地构成，该精磨削单元4具有：单元壳体41；精磨削磨轮43，其安装于轮安装座42，在下表面呈环状配置有多个磨削磨具43a，并且该轮安装座42安装于被单元壳体41支承为旋转自如的旋转轴41a的下端；电动马达44，其安装于单元壳体41的上端，使轮安装座42向箭头R4所示的方向旋转；以及移动基台45，其安装有单元壳体41。移动基台45被设置于静止支承板21的导轨23、23支承，使精磨削单元4沿上下方向移动。另外，精磨削单元4的磨削磨具43a由比粗磨削单元3的磨削磨具33a细的磨粒构成。本实施方式的磨削装置1具有使精磨削单元4的移动基台45沿着导轨23、23移动的磨削进给机构46。磨削进给机构46具有：外螺纹杆461，其与导轨23、23平行地沿上下方向配设于上述静止支承板21，并被支承为能够旋转；脉冲电动机462，其用于对外螺纹杆461进行旋转驱动；以及未图示的内螺纹块，其安装于移动基台45，与外螺纹杆461螺合，通过利用脉冲电动机462对外螺纹杆461进行正转和反转驱动，使精磨削单元4沿上下方向移动。
在通过电动马达34和电动马达44进行旋转的旋转轴31a、旋转轴41a的旋转轴端31b、41b连接有未图示的磨削水提供构件。磨削水提供构件具有内置有压送泵的磨削水箱，将从该磨削水箱压送出的磨削水L1导入旋转轴31a和旋转轴41a，并经由形成在旋转轴31a和旋转轴41a的内部的贯通孔来提供磨削水L1，从粗磨削磨轮33和精磨削磨轮43的下端面进行喷射。
本实施方式的磨削装置1在上述静止支承板21的前侧具有转动工作台5，该转动工作台5被配设成与装置壳体2的上表面大致共面。该转动工作台5形成为直径比较大的圆盘状，通过未图示的旋转驱动机构使该转动工作台5向箭头R5所示的方向适当旋转。在本实施方式的情况下，在转动工作台5上以均等的间隔配设有三个卡盘工作台6。该卡盘工作台6由圆盘状的框体61和由多孔陶瓷材料形成的吸附卡盘62构成，通过使未图示的吸引构件进行动作而对载置于吸附卡盘62的被加工物进行吸引保持。框体61对吸附卡盘62进行支承并且构成围绕吸附卡盘62的外缘部。吸附卡盘62的上表面和框体61的外缘部构成为其高度共面。通过未图示的旋转驱动机构使这样构成的卡盘工作台6向箭头R6所示的方向旋转。配设于转动工作台5的三个卡盘工作台6在转动工作台5每次向箭头R5所示的方向旋转120度时，依次向被加工物搬入/搬出区域A→粗磨削加工区域B→精磨削加工区域C→被加工物搬入/搬出区域A移动。
磨削装置1具有：第1盒7，其相对于被加工物搬入/搬出区域A配设于一侧，贮存作为磨削加工前的被加工物的晶片W；第2盒8，其相对于被加工物搬入/搬出区域A配设于另一侧，贮存作为磨削加工后的被加工物的晶片W；暂放区域9，其配设在第1盒7与被加工物搬入/搬出区域A之间，进行被加工物的中心对准；以及清洗单元11。另外，磨削装置1具有：第1搬送机构12，其将收纳在第1盒7内的作为被加工物的晶片W搬出到暂放区域9，并且将由清洗单元11清洗后的晶片W搬送到第2盒8；第2搬送机构13，其将载置在暂放区域9上且中心对准后的晶片W搬送到定位于被加工物搬入/搬出区域A的卡盘工作台6上；以及第3搬送机构14，其将载置在定位于被加工物搬入/搬出区域A的卡盘工作台6上的磨削加工后的晶片W搬送到清洗单元11。
在装置壳体2的配置有第1搬送机构12的近前侧配设有操作面板15和显示监视器16等，该操作面板15用于操作者指示磨削加工或者指定加工条件，该显示监视器16显示磨削加工时的状况并且具有触摸面板功能。另外，在本实施方式的磨削装置1中，除了上述结构之外，还配设有用于控制各动作部的控制构件以及与粗磨削加工区域B和精磨削加工区域C分别相邻地配设的测量晶片的厚度的厚度测量器(均省略图示)等。
本实施方式的磨削装置1大致具有如上所述的结构，参照图5至图7对使用磨削装置1实施的磨削工序进行说明。另外，以下说明的磨削工序是基于由通过粗磨削单元3实施的粗磨削工序和通过精磨削单元4实施的精磨削工序构成的例子来进行说明的，但本发明并不限定于此，也可以仅由一个磨削工序构成。
在实施磨削工序时，如图6所示，使在粘接带T上压接有热压接片110而一体化的晶片W反转，使背面Wb侧朝向上方并且使热压接片110侧朝向下方，将晶片W载置在定位于磨削装置1的被加工物搬入/搬出区域A的卡盘工作台6的吸附卡盘62上。卡盘工作台6的吸附卡盘62与未图示的吸引构件连接，通过使该吸引构件进行动作来作用吸引力，从而将晶片W吸引保持在卡盘工作台6上。
在将晶片W吸引保持在定位于被加工物搬入/搬出区域A的卡盘工作台6上之后，使磨削装置1的转动工作台5向R5所示的方向旋转120度，将吸引保持着晶片W的卡盘工作台6定位于粗磨削单元3的正下方。接下来，如图7所示，使粗磨削单元3的旋转轴31a向箭头R7所示的方向以例如6000rpm的速度旋转，并且使卡盘工作台6向箭头R8所示的方向以例如300rpm的速度旋转。然后，使磨削磨具33a与晶片W的背面Wb接触，使磨削磨轮32以例如1μm/秒的磨削进给速度向下方、即与卡盘工作台6垂直的方向进行磨削进给。此时，经由旋转轴31a从粗磨削磨轮32的下表面向晶片W的磨削面、即背面Wb提供磨削水L1。另外，与此同时，能够一边利用未图示的接触式的测量仪测量晶片W的厚度一边进行磨削，使晶片W的背面Wb被粗磨削而使晶片W为粗磨削中的期望的厚度，从而完成粗磨削工序。
在如上述那样完成了粗磨削工序之后，使转动工作台5向图5中R5所示的方向进一步旋转120度，使卡盘工作台6移动到精磨削单元4的正下方。在使卡盘工作台6移动到精磨削单元4的正下方之后，使精磨削单元4的旋转主轴41a以例如6000rpm的速度旋转，并且使卡盘工作台6以例如300rpm的速度旋转。然后，使磨削磨具43a与晶片W的背面Wb接触，使磨削磨轮42以例如0.1μm/秒的磨削进给速度向下方、即与卡盘工作台6垂直的方向进行磨削进给。此时，经由旋转轴41a从精磨削磨轮42的下表面向晶片W的磨削面、即背面Wb提供磨削水L1。另外，与此同时，能够一边利用未图示的接触式的测量仪测量晶片W的厚度一边进行磨削，使晶片W的背面Wb被磨削而使晶片W为精磨削中的期望的厚度，从而完成精磨削工序，并且完成由上述粗磨削工序和该精磨削工序构成的磨削工序。
在如上述那样完成了磨削工序之后，使转动工作台5向R5所示的方向进一步旋转120度而将卡盘工作台6定位于被加工物搬入/搬出区域A。关于清洗工序，定位于被加工物搬入/搬出区域A的晶片W通过第3搬送机构14的动作而使背面Wb侧被吸引并被搬送到清洗单元11，通过清洗单元11对晶片W的磨削面、即晶片W的背面Wb进行清洗。被该清洗工序清洗并去除了水分的晶片W被第1搬送机构12吸附而被搬送并收纳到第2盒8的规定的位置。
(剥离工序)
在上述磨削工序和清洗工序完成之后，实施从收纳在第2盒8中的晶片W的粘接带T侧剥离在上述一体化工序中被压接而一体化的热压接片110的剥离工序。以下，参照图8和图9对剥离工序进行说明。
在实施剥离工序时，准备图8所示的剥离用卡盘工作台90。剥离用卡盘工作台90在中央具有由具有通气性的多孔质的多孔陶瓷构成的圆盘形状的吸附卡盘92。吸附卡盘92与未图示的吸引构件连接。将实施了磨削加工的晶片W从第2盒8搬出，使粘贴有热压接片110的一侧朝向上方，使背面Wb侧载置在吸附卡盘92上并被吸引保持。接下来，使未图示的冷却构件或加热构件进行动作，对吸附卡盘92所吸引保持的晶片W的热压接片110的外周部分局部地实施冷却处理或加热处理，在外周部分和除此以外的部分中产生温度差，使热压接片110成为容易从其外周部分剥离的状态。然后，如图9所示，在将晶片W吸引保持于吸附卡盘92的状态下，将热压接片110以实施了上述冷却处理或加热处理的外周部分为起点从粘接带T剥离。由此，剥离工序完成。
根据上述的本实施方式，由于使压接在粘贴于晶片W的正面Wa的粘接带T上的热压接片110平坦化，因此即使将晶片W保持在磨削装置1的卡盘工作台6上来实施磨削工序，磨削屑也不容易从热压接片110与卡盘工作台6的保持面之间的间隙进入。另外，即使假设磨削屑附着于热压接片110，由于热压接片被平坦化，因此磨削屑的附着力较弱，抑制了磨削屑附着于热压接片110。此外，即使假设存在微小的磨削屑附着于热压接片110的情况，由于在搬送到下一工序之前，可通过实施上述剥离工序而将热压接片110从粘接带T剥离，因此从一开始就避免了磨削屑附着于粘接带T，从而完全解决了附着于热压接片110的磨削屑在下一工序中成为污染源的问题。因此，在下一工序中，能够使粘接带T直接作为保护部件而发挥功能。
另外，在上述实施方式中，采用了聚乙烯片作为热压接片110，但本发明并不限定于此，可以从聚烯烃系的片或聚酯系的片中适当选择。
在从聚烯烃系的片中选择热压接片110的情况下，除了聚乙烯片之外，还可以从聚丙烯片、聚苯乙烯片中选择。作为热压接片110，在选择了聚丙烯片的情况下，优选使在一体化工序中进行加热时的温度为160℃～180℃。另外，作为热压接片110，在选择了聚苯乙烯片的情况下，优选使在一体化工序中进行加热时的温度为220℃～240℃。
另外，在使热压接片110为聚酯系的片的情况下，可以从聚对苯二甲酸乙二醇酯片或聚萘二甲酸乙二醇酯片中选择。作为热压接片110，在选择了聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下，优选使在一体化工序中进行加热时的温度为250℃～270℃。另外，作为热压接片110，在选择了聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，优选使在一体化工序中进行加热时的温度为160℃～180℃。

Claims (7)

1.一种晶片的加工方法，对由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行磨削，其中，
该晶片的加工方法具有如下的工序：
粘接带粘贴工序，在该晶片的正面上粘贴粘接带；
热压接片配设工序，在粘贴于该晶片的正面的该粘接带上配设热压接片；
一体化工序，对该热压接片进行加热并且利用平坦部件进行按压，将该热压接片压接于该粘接带而进行一体化；
磨削工序，在实施了该一体化工序之后，将该热压接片侧保持于磨削装置的卡盘工作台，一边向该晶片的背面提供磨削水一边将该晶片磨削至期望的厚度；以及
剥离工序，从该卡盘工作台搬出与该热压接片一体化的该晶片，将该热压接片从该粘接带剥离。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
在该剥离工序中，对该热压接片局部地进行加热或冷却而产生温度差，从而将该热压接片从该粘接带剥离。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该热压接片是聚烯烃系片或聚酯系片。
4.根据权利要求3所述的晶片的加工方法，其中，
在该热压接片是该聚烯烃系片的情况下，从由聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片构成的组中选择。
5.根据权利要求4所述的晶片的加工方法，其中，
在该一体化工序中对该热压接片进行加热时的温度在该聚乙烯片的情况下为120℃～140℃，在该聚丙烯片的情况下为160℃～180℃，在该聚苯乙烯片的情况下为220℃～240℃。
6.根据权利要求3所述的晶片的加工方法，其中，
在该热压接片是聚酯系片的情况下，从聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片的任意片中选择。
7.根据权利要求6所述的晶片的加工方法，其中，
在该一体化工序中对热压接片进行加热时的温度在该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下为250℃～270℃，在该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下为160℃～180℃。
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