DE102020118483A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Bereitgestellt wird eine Technik, die imstande ist, eine Leistungsfähigkeit einer Halbleitervorrichtung zu verbessern. Eine Halbleitervorrichtung enthält einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf dem ersten Halbleiterbereich gelegen ist, dritte und vierte Halbleiterbereiche des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen fünften Halbleiterbereich des ersten Leitfähigkeitstyps und eine Elektrode. Der dritte Halbleiterbereich ist auf dem zweiten Halbleiterbereich gelegen und hat eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich. Der vierte Halbleiterbereich hat eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich, ist in einer Draufsicht vom dritten Halbleiterbereich getrennt gelegen und hat Kontakt mit dem zweiten Halbleiterbereich. Der fünfte Halbleiterbereich ist auf dem zweiten Halbleiterbereich gelegen und ist in einer Draufsicht zwischen den dritten und vierten Halbleiterbereichen gelegen. Die Elektrode hat keinen Kontakt mit den vierten und fünften Halbleiterbereichen, hat aber Kontakt mit dem dritten Halbleiterbereich.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung.
  • Beschreibung der Hintergrundtechnik
  • Die offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2007-324428 beschreibt eine Technik in Bezug auf eine Halbleitervorrichtung.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Eine Verbesserung der Leistungsfähigkeit in einer Halbleitervorrichtung wird gewünscht.
  • Die vorliegende Erfindung wurde daher gemacht, um die obigen Probleme zu lösen, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Technik bereitzustellen, die imstande ist, eine Leistungsfähigkeit der Halbleitervorrichtung zu verbessern.
  • Ein Aspekt einer Halbleitervorrichtung umfasst einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf dem ersten Halbleiterbereich gelegen ist, einen dritten Halbleiterbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen vierten Halbleiterbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen fünften Halbleiterbereich des ersten Leitfähigkeitstyps und eine Elektrode. Der dritte Halbleiterbereich ist auf dem zweiten Halbleiterbereich gelegen und weist eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich auf. Der vierte Halbleiterbereich weist eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich auf, ist in einer Draufsicht von dem dritten Halbleiterbereich getrennt gelegen und hat Kontakt mit dem zweiten Halbleiterbereich. Der fünfte Halbleiterbereich ist auf dem zweiten Halbleiterbereich gelegen und ist in einer Draufsicht zwischen den dritten und vierten Halbleiterbereichen gelegen. Die Elektrode hat keinen Kontakt mit den vierten und fünften Halbleiterbereichen, hat aber mit dem dritten Halbleiterbereich Kontakt.
  • Ein Aspekt einer Halbleitervorrichtung umfasst einen ersten Halbleiterbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps, einen zweiten Halbleiterbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf dem ersten Halbleiterbereich gelegen ist, einen dritten Halbleiterbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen vierten Halbleiterbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, einen konkaven Teilbereich, der auf dem Halbleiterbereich ausgebildet ist, einen Isolierfilm, der den konkaven Teilbereich füllt, und eine Elektrode. Der dritte Halbleiterbereich ist auf dem zweiten Halbleiterbereich gelegen und hat eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich. Der vierte Halbleiterbereich weist eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich auf, ist in einer Draufsicht vom dritten Halbleiterbereich getrennt gelegen und hat Kontakt mit dem zweiten Halbleiterbereich. Der konkave Teilbereich ist in einer Draufsicht zwischen den dritten und vierten Halbleiterbereichen gelegen. Die Elektrode hat keinen Kontakt mit dem vierten Halbleiterbereich, hat aber mit dem dritten Halbleiterbereich Kontakt.
  • Die Leistungsfähigkeit der Halbleitervorrichtung ist verbessert.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung ersichtlicher werden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen vorgenommen wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine Zeichnung, die eine Querschnittsstruktur einer ersten Vergleichsvorrichtung veranschaulicht.
    • 2 ist eine Zeichnung, die eine Querschnittsstruktur einer zweiten Vergleichsvorrichtung veranschaulicht.
    • 3 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur einer Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 4 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer planaren Struktur der Halbleitervorrichtung veranschaul icht.
    • 5 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer planaren Struktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 6 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel von Charakteristiken der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 7 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel der Charakteristiken der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 8 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel der Charakteristiken der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 9 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 10 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 11 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 12 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 13 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 14 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
    • 15 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung veranschaulicht.
  • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Ausführungsform 1
  • Zuerst werden Halbleitervorrichtungen 150 und 160 beschrieben, die mit einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform verglichen werden. 1 ist eine Zeichnung, die eine Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung 150 veranschaulicht. 2 ist eine Zeichnung, die eine Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung 160 veranschaulicht. Jede der Halbleitervorrichtungen 150 und 160 ist beispielsweise eine PIN-Diode. Jede der 1 und 2 veranschaulicht eine Querschnittsstruktur eines Zellenteils der Diode. Auf die Halbleitervorrichtungen 150 und 160 wird hier im Folgenden in einigen Fällen als die erste Vergleichsvorrichtung 150 und die zweite Vergleichsvorrichtung 160 verwiesen.
  • Wie in 1 veranschaulicht ist, enthält die erste Vergleichsvorrichtung 150 eine Kathodenelektrode 12, einen Kathodenbereich 11 vom (N+)-Typ, einen dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 vom (N-)-Typ, einen Anodenbereich 14 vom P-Typ und eine Anodenelektrode 7.
  • Hierin wird angegeben, dass der Bereich vom (N+)-Typ eine höhere Störstellenkonzentration von Donatoren als der Bereich vom N-Typ aufweist und der Bereich vom (N-)-Typ eine niedrigere Störstellenkonzentration von Donatoren als der Bereich vom N-Typ aufweist. Auch wird angegeben, dass der Bereich vom (P-)-Typ eine niedrigere Störstellenkonzentration von Akzeptoren als der Bereich vom P-Typ aufweist. Ein kleingeschriebener p-Typ und n-Typ werden hier im Folgenden verwendet, falls nicht die Störstellenkonzentration spezifiziert wird, sondern einfach ein Leitfähigkeitstyp spezifiziert wird. Eine einfache Beschreibung einer „Konzentration“ gibt die Störstellenkonzentration an, und eine einfache Beschreibung einer „Spitzenkonzentration“ gibt die Spitzenkonzentration einer Störstelle an.
  • Der Kathodenbereich 11 ist auf der Kathodenelektrode 12 gelegen. Der dazwischenliegende Halbleiterbereich 1 ist auf dem Kathodenbereich 11 gelegen. Der Anodenbereich 14 ist auf dem dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 gelegen. Die Anodenelektrode 7 ist auf dem Anodenbereich 14 gelegen.
  • Um Erholungscharakteristiken der ersten Vergleichsvorrichtung 150 mit der oben beschriebenen Struktur zu verbessern, ist es effektiv, eine Menge an positiven Löchern, die in der ersten Vergleichsvorrichtung 150 akkumuliert werden, zu reduzieren, während eine Vorwärts- bzw. Durchlassspannung an die erste Vergleichsvorrichtung 150 angelegt ist. Wenn die Konzentration des Anodenbereichs 14 reduziert wird, nimmt zur Zeit einer Durchlassspannung die Menge positiver Löcher, die von dem Anodenbereich 14 zugeführt werden, ab. Infolgedessen nimmt die Menge positiver Löcher, die zur Zeit der Durchlassspannung in der ersten Vergleichsvorrichtung 150 akkumuliert werden, ab, und die Erholungscharakteristiken werden verbessert.
  • Wenn jedoch die Konzentration des Anodenbereichs 14 reduziert wird, dehnt sich zur Zeit einer Anlegung einer Rückwärts- bzw. Sperrspannung an die erste Vergleichsvorrichtung 150 eine Verarmungsschicht leicht von dem dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 in Richtung des Anodenbereichs 14 aus. Infolgedessen besteht eine Möglichkeit, dass die Verarmungsschicht die Anodenelektrode 7 erreicht und die erste Vergleichsvorrichtung 150 durchbricht.
  • Die Durchlassspannung gibt eine Spannung an, die zwischen der Anodenelektrode 7 und der Kathodenelektrode 12 so angelegt wird, dass ein Potential der Anodenelektrode 7 höher als ein Potential der Kathodenelektrode 12 wird. Auf die Durchlassspannung wird auch als die Vorwärts-Vorspannung verwiesen. Indes gibt die Sperrspannung eine Spannung an, die zwischen der Anodenelektrode 7 und der Kathodenelektrode 12 so angelegt wird, dass ein Potential der Anodenelektrode 7 niedriger als ein Potential der Kathodenelektrode 12 wird. Auf die Sperrspannung wird auch als Rückwärts-Vorspannung verwiesen.
  • Die zweite Vergleichsvorrichtung 160 ist der verbesserten ersten Vergleichsvorrichtung 150 äquivalent. Wie in 2 veranschaulicht ist, ist die zweite Vergleichsvorrichtung 160, welche anstelle des Anodenbereichs 14 einen Anodenbereich 24 enthält und ferner einen Isolierfilm 3 enthält, der ersten Vergleichsvorrichtung 150 äquivalent.
  • Der Anodenbereich 24 ist auf dem dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 gelegen. Der Anodenbereich 24 enthält einen Halbleiterbereich 2 vom (P-)-Typ und einen Halbleiterbereich 4 vom P-Typ. Der Halbleiterbereich 2 umfasst eine Hauptoberfläche 2a, die Kontakt mit dem dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 hat, und eine Hauptoberfläche 2b auf einer entgegengesetzten Seite der Hauptoberfläche 2a. Der Halbleiterbereich 4 ist im Halbleiterbereich 2 ausgebildet. Der Halbleiterbereich 4 ist in einem Teil des Halbleiterbereichs 2 ausgebildet. Der Halbleiterbereich 4 erstreckt sich von der Hauptoberfläche 2b des Halbleiterbereichs 2 zu einer Seite der Hauptoberfläche 2a, erreicht die Hauptoberfläche 2a aber nicht. Eine Tiefe des Halbleiterbereichs 4 ist geringer als diejenige des Halbleiterbereichs 2. Der Halbleiterbereich 4 umfasst einen Bereich 40, der in einer Draufsicht einen Teil 20 des Halbleiterbereichs 2 sandwichartig umgibt. Es wird in einer Querschnittsansicht der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 davon ausgegangen, dass der Bereich 40 den Teil 20 des Halbleiterbereichs 2 in einer Richtung senkrecht zu einer Tiefenrichtung des Halbleiterbereichs 2 (mit anderen Worten einer Dickenrichtung der zweiten Vergleichsvorrichtung 160) sandwichartig umgibt. Wie man aus 2 auch ersehen kann, wird auch davon ausgegangen, dass der Halbleiterbereich 4 auf dem Halbleiterbereich 2 gelegen ist. In der Beschreibung der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 gibt im Folgenden hier der Halbleiterbereich 2 den Bereich an, wo der Halbleiterbereich 4 im Halbleiterbereich 2 nicht ausgebildet ist, sofern nicht anders angegeben. Auf den Teil 20 des Halbleiterbereichs 2 wird in einigen Fällen als der partielle Bereich 20 verwiesen.
  • Auf dem Anodenbereich 24 ist der Isolierfilm 3 gelegen. Der Isolierfilm 3 bedeckt in einer Draufsicht einen ganzen Bereich des Halbleiterbereichs 4. Der Isolierfilm 3 bedeckt in einer Draufsicht einen Teil des Halbleiterbereichs 2. Der Isolierfilm 3 enthält einen Öffnungsteil 3a, der einen Teil des partiellen Bereichs 20 des Halbleiterbereichs 2 freilegt. Die Anodenelektrode 7 ist auf dem Isolierfilm 3 so ausgebildet, dass sie den Öffnungsteil 3a füllt. Dementsprechend haben der vom Öffnungsteil 3a freigelegte Teil des Halbleiterbereichs 2 und die Anodenelektrode 7 miteinander Kontakt. Der Isolierfilm 3 bedeckt den ganzen Bereich des Halbleiterbereichs 4, so dass die Anodenelektrode 7 keinen Kontakt mit dem Halbleiterbereich 4 hat. Die Anodenelektrode 7 ist über den Halbleiterbereich 2 mit dem Halbleiterbereich 4 elektrisch verbunden. Der Isolierfilm 3 ist beispielsweise ein Oxidfilm.
  • In der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 mit der obigen Struktur sind die Anodenelektrode 7 und der Halbleiterbereich 4 über den Halbleiterbereich 2 mit einer niedrigen Störstellenkonzentration elektrisch miteinander verbunden. Somit wird davon ausgegangen, dass es eine Widerstandskomponente gibt, die durch den Halbleiterbereich 2 zwischen der Anodenelektrode 7 und dem Halbleiterbereich 4 hervorgerufen wird. Dementsprechend ist, wenn die Durchlassspannung an die zweite Vergleichsvorrichtung 160 angelegt wird, ein Potential des Halbleiterbereichs 4 gleich einem Wert, der erhalten wird, indem ein Wert eines Spannungsabfalls im Halbleiterbereich 2 vom Potential der Anodenelektrode 7 subtrahiert wird. Wenn die Durchlassspannung an die zweite Vergleichsvorrichtung 160 angelegt wird, ist das Potential des Halbleiterbereichs 4, der im Anodenbereich 24 enthalten ist, kleiner als das Potential der Anodenelektrode 7. Dementsprechend wird die Zufuhr der positiven Löcher vom Anodenbereich 24 unterdrückt, und ein Betrag einer Akkumulierung der positiven Löcher in der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 nimmt ab. Infolgedessen werden Erholungscharakteristiken der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 verbessert.
  • In der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 ist das Potential des Halbleiterbereichs 4 kleiner als das Potential der Anodenelektrode 7, so dass die Zufuhr der positiven Löcher von dem Halbleiterbereich 4 unterdrückt werden kann und die Störstellenkonzentration des Halbleiterbereichs 4 hoch eingestellt werden kann. Wenn die Störstellenkonzentration des Halbleiterbereichs 4 hoch ist, kann der Halbleiterbereich 4 zu der Zeit einer Anlegung der Sperrspannung an die zweite Vergleichsvorrichtung 160 die Ausdehnung der Verarmungsschicht vom dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 zum Anodenbereich 24 unterdrücken. Somit kann eine Durchbruchwahrscheinlichkeit in der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 reduziert werden.
  • Die oben beschriebene offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2007-324428 offenbart eine Struktur ähnlich derjenigen der zweiten Vergleichsvorrichtung 160. In der in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2007-324428 offenbarten Struktur ist eine Störstellenkonzentration eines Bereichs 32, der dem Halbleiterbereich 2 entspricht, auf 1×1017 cm-3 eingestellt. In der in der offengelegten japanischen Patentanmeldung Nr. 2007 - 324428 offenbarten Struktur ist eine Störstellenkonzentration eines Bereichs 34, der dem Halbleiterbereich 4 entspricht, auf 1×1019 cm-3 eingestellt.
  • Um die Erholungscharakteristiken der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 weiter zu verbessern, geht man davon aus, dass eine Implantationseffizienz der positiven Löcher vom Anodenbereich 24 reduziert wird, indem die Konzentration des Halbleiterbereichs 2 reduziert wird. Wenn die Konzentration des Halbleiterbereichs 2 reduziert wird, besteht eine Möglichkeit, dass der Halbleiterbereich 4 die Ausdehnung der Verarmungsschicht, die von dem dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 zur Zeit einer Anlegung einer großen Sperrspannung an die zweite Vergleichsvorrichtung 160 erzeugt wird, nicht ausreichend unterdrücken kann. Infolgedessen besteht eine Möglichkeit, dass die zweite Vergleichsvorrichtung 160 durchbricht. Wenn die Konzentration des Halbleiterbereichs 2 reduziert wird, besteht eine Möglichkeit, dass zwischen der Anodenelektrode 7 und dem Halbleiterbereich 2 kein elektrisch vorteilhafter Kontakt, das heißt kein ohmscher Kontakt, realisiert werden kann. Da es aus verschiedenen Gründen eine Einschränkung der Konzentration und Tiefe der Halbleiterbereiche 2 und 4 gibt, ist es schwierig, den Grad einer Verbesserung der Erholungscharakteristiken in der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 zu erhöhen.
  • Eine Halbleitervorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist der verbesserten zweiten Vergleichsvorrichtung 160 äquivalent. 3 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung 100 gemäß der vorliegenden Ausführungsform veranschaulicht. Die Halbleitervorrichtung 100 ist beispielsweise eine PIN-Diode. 3 veranschaulicht eine Querschnittsstruktur eines Zellenteils der Diode. Wie in 3 veranschaulicht ist, ist die Halbleitervorrichtung 100, welche anstelle des Anodenbereichs 24 einen Anodenbereich 34 enthält und ferner einen Halbleiterbereich 6 vom N-Typ enthält, der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 äquivalent.
  • In der Halbleitervorrichtung 100 wird beispielsweise ein Silizium-Halbleitermaterial genutzt. Ein anderes Halbleitermaterial als das Silizium-Halbleitermaterial kann in der Halbleitervorrichtung 100 ebenfalls genutzt werden. Beispielsweise können in der Halbleitervorrichtung 100 ein Galliumarsenid-Halbleitermaterial, ein Siliziumcarbid-Halbleitermaterial oder ein Galliumnitrid-Halbleitermaterial genutzt werden. Im Folgenden werden verschiedene Charakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 und ein Konfigurationsparameter in einem Fall beschrieben, in dem die Halbleitervorrichtung 100 eine Diode mit einem Stehspannungspegel von 2,2 kV ist. Wenn die Stehspannung der Halbleitervorrichtung 100 nicht 2,2 kV beträgt, kann ein Fall auftreten, in dem die verschiedenen Charakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 und der Konfigurationsparameter gegenüber den folgenden Inhalten verändert sind.
  • Die Kathodenelektrode 12 ist aus einem geschichteten Metallmaterial geschaffen, worin zum Beispiel Aluminium, Titan und Nickel gestapelt sind. Die Anodenelektrode 7 ist beispielsweise aus Aluminium geschaffen. Ein Material sowohl der Kathodenelektrode 12 als auch der Anodenelektrode 7 ist nicht darauf beschränkt.
  • Der Anodenbereich 34 enthält die oben beschriebenen Halbleiterbereiche 2 und 4 und den Halbleiterbereich 5 vom P-Typ. Der Halbleiterbereich 5 ist im partiellen Bereich 20 des Halbleiterbereichs 2 ausgebildet. Der Halbleiterbereich 5 ist in einem Teil des partiellen Bereichs 20 des Halbleiterbereichs 2 ausgebildet. Der Halbleiterbereich 5 erstreckt sich von der Hauptoberfläche 2b des Halbleiterbereichs 2 zur Seite der Hauptoberfläche 2a, erreicht die Hauptoberfläche 2a aber nicht. Der Halbleiterbereich 5 ist flacher als der Halbleiterbereich 4 ausgebildet. Es wird davon ausgegangen, dass der Halbleiterbereich 5 auf dem partiellen Bereich 20 des Halbleiterbereichs 2 gelegen ist.
  • Der Halbleiterbereich 6 vom N-Typ ist im partiellen Bereich 20 des Halbleiterbereichs 2 ausgebildet. Der Halbleiterbereich 6 ist in einem Teil des partiellen Bereichs 20 des Halbleiterbereichs 2 ausgebildet. Der Halbleiterbereich 6 erstreckt sich von der Hauptoberfläche 2b des Halbleiterbereichs 2 zur Seite der Hauptoberfläche 2a, erreicht die Hauptoberfläche 2a aber nicht. Der Halbleiterbereich 6 ist flacher als die Halbleiterbereiche 2 und 4 ausgebildet. Eine Tiefe des Halbleiterbereichs 6 ist beispielsweise die Gleiche wie diejenige des Halbleiterbereichs 5. Der Halbleiterbereich 6 umfasst einen Bereich 60, der in einer Draufsicht den Halbleiterbereich 5 sandwichartig umgibt. Es wird in einer Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung 100 davon ausgegangen, dass der Bereich 60 den Halbleiterbereich 5 in einer Richtung senkrecht zu einer Tiefenrichtung des Halbleiterbereichs 5 sandwichartig umgibt. Der Bereich 60 hat Kontakt mit den Halbleiterbereichen 4 und 5. Der Bereich 40 des Halbleiterbereichs 4 umgibt in einer Draufsicht den Bereich 60 des Halbleiterbereichs 6 und den Halbleiterbereich 5 sandwichartig. Der Bereich 40 hat Kontakt mit dem Bereich 60. Es wird davon ausgegangen, dass der Halbleiterbereich 6 auf dem partiellen Bereich 20 des Halbleiterbereichs 2 gelegen ist. In der folgenden Beschreibung gibt der Halbleiterbereich 2 den Bereich an, wo die Halbleiterbereiche 4, 5 und 6 im Halbleiterbereich 2 nicht ausgebildet sind, sofern nicht anders angegeben.
  • Der Bereich 40 des Halbleiterbereichs 4 ist in einer Draufsicht vom Halbleiterbereich 5 getrennt ausgebildet. Mit anderen Worten ist in einer Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung 100 der Bereich 40 in einer Richtung senkrecht zu einer Tiefenrichtung des Bereichs 40 vom Halbleiterbereich 5 getrennt ausgebildet. Der Bereich 60 des Halbleiterbereichs 6 ist in einer Draufsicht zwischen dem Bereich 40 und dem Halbleiterbereich 5 gelegen.
  • Eine Spitzenkonzentration jedes der Halbleiterbereiche 4 und 5 ist höher als diejenige des Halbleiterbereichs 2. Ein oberer Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 2 ist zum Beispiel auf 1 × 1017 cm-3 eingestellt. Ein unterer Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 2 ist beispielsweise auf 1×1015 cm-3 eingestellt. Ein oberer Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 4 ist beispielsweise auf 1×1018 cm-3 eingestellt. Ein unterer Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 4 ist beispielsweise auf 1×1016 cm-3 eingestellt. Ein oberer Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 5 ist zum Beispiel auf 1×1018 cm-3 eingestellt. Ein unterer Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 5 ist auf 1×1016 cm-3 eingestellt.
  • Der Isolierfilm 3 ist auf dem Anodenbereich 34 gelegen. Der Isolierfilm 3 bedeckt in einer Draufsicht einen ganzen Bereich der Halbleiterbereiche 4 und 6. Der Isolierfilm 3 bedeckt in einer Draufsicht den Halbleiterbereich 5 nicht. Der Isolierfilm 3 enthält einen den Halbleiterbereich 5 freilegenden Öffnungsteil 3a. Die Anodenelektrode 7 ist auf dem Isolierfilm 3 so ausgebildet, dass sie den Öffnungsteil 3a füllt. Dementsprechend haben der vom Öffnungsteil 3a freigelegte Halbleiterbereich 5 und die Anodenelektrode 7 Kontakt miteinander. Der Isolierfilm 3 bedeckt den ganzen Bereich der Halbleiterbereiche 4 und 6, so dass die Anodenelektrode 7 mit den Halbleiterbereichen 4 und 6 keinen Kontakt hat. Die Anodenelektrode 7 ist über den Halbleiterbereich 5 und den Halbleiterbereich 2 mit dem Halbleiterbereich 4 elektrisch verbunden.
  • 4 und 5 sind Zeichnungen, die jeweils ein Beispiel einer planaren Struktur der Halbleitervorrichtung 100 veranschaulichen. Die Veranschaulichung der Anodenelektrode 7 und des Isolierfilms 3 ist in 4 und 5 weggelassen. Eine Querschnittsstruktur in einer Pfeilrichtung A-A in 4 ist durch eine in 3 veranschaulichte Querschnittsstruktur angegeben. Eine Querschnittsstruktur in einer Pfeilrichtung B-B in 5 ist durch eine in 3 veranschaulichte Querschnittsstruktur angegeben.
  • Im Beispiel in 4 enthält die Halbleitervorrichtung 100 die Vielzahl von Halbleiterbereichen 5 und die Vielzahl von Halbleiterbereichen 6. Die Vielzahl von Halbleiterbereichen 5 ist in einem gestreiften Muster ausgebildet. Jeder Halbleiterbereich 5 hat in einer Draufsicht eine langgestreckte rechtwinklige Form. Jeder Halbleiterbereich 6 ist aus einem Paar partieller Bereiche 16, die den Halbleiterbereich 5 sandwichartig umgeben, aufgebaut. Jeder des Paars partieller Bereiche 16 hat in einer Draufsicht eine langgestreckte rechtwinklige Form. Die beiden partiellen Bereiche 16 sind so ausgebildet, dass sie in einer Draufsicht parallel zueinander sind. Das Paar partieller Bereiche 16 bildet die oben beschriebenen Bereiche 60, die den Halbleiterbereich 5 sandwichartig umgeben.
  • Im Beispiel in 5 ist die Vielzahl von Halbleiterbereichen 5, die in einer Draufsicht im Wesentlichen eine Quadratform aufweisen, in Reihen und Spalten angeordnet. Im Beispiel in 5 ist die Vielzahl von Halbleiterbereichen 6 so ausgebildet, dass sie der Vielzahl von Halbleiterbereichen 5 entspricht. Jeder Halbleiterbereich 6 ist so ausgebildet, dass er in einer Draufsicht den Halbleiterbereich 5 umgibt. Auch im Beispiel in 5 enthält der Halbleiterbereich 6 den Bereich 60, der in einer Draufsicht den Halbleiterbereich 5 sandwichartig umgibt. Eine Kontur des Halbleiterbereichs 5 in einer Draufsicht ist im Wesentlichen in einer Quadratform ausgebildet.
  • In der Halbleitervorrichtung 100 mit der obigen Struktur sind die Anodenelektrode 7 und der Halbleiterbereich 4 über den Halbleiterbereich 5 und den Halbleiterbereich 2, der die niedrige Störstellenkonzentration aufweist, miteinander elektrisch verbunden. Wenn die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, ist dementsprechend das Potential des Halbleiterbereichs 4 gleich einem Wert, der erhalten wird, indem ein Wert eines Spannungsabfalls im Halbleiterbereich 2 vom Potential der Anodenelektrode 7 subtrahiert wird. Wenn die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, ist folglich das Potential des Halbleiterbereichs 4 im Anodenbereich 34 kleiner als das Potential der Anodenelektrode 7. Überdies gibt es einen Halbleiterbereich 6 vom n-Typ zwischen dem Halbleiterbereich 5 vom p-Typ, der mit der Anodenelektrode 7 Kontakt hat, und dem Halbleiterbereich 4 vom p-Typ in der Halbleitervorrichtung 100. Wenn die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, fließt folglich ein Strom, der vom Halbleiterbereich 5 in Richtung des Halbleiterbereichs 4 fließt, ohne durch den Halbleiterbereich 6 vom n-Typ zu gelangen. Infolgedessen ist ein Strompfad im Halbleiterbereich 2 mit der niedrigen Konzentration verlängert. Somit kann das Potential des Halbleiterbereichs 4 in dem Fall, in dem die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, weiter reduziert werden. Dementsprechend wird die Zufuhr der positiven Löcher vom Anodenbereich 34 unterdrückt, und ein Betrag einer Akkumulierung der positiven Löcher in der Halbleitervorrichtung 100 nimmt ab. Infolgedessen werden Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 verbessert. Konkret nimmt ein Schaltverlust ab, und eine schaltende Wellenform kann sanft geschaltet werden. Folglich wird eine Leistungsfähigkeit der Halbleitervorrichtung 100 verbessert.
  • Wenn die Sperrspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, wird die Ausdehnung der Verarmungsschicht von dem dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 zum Anodenbereich 34 nicht nur durch den Halbleiterbereich 4, sondern auch durch den Halbleiterbereich 5, der eine hohe Störstellenkonzentration aufweist, unterdrückt. Folglich ist eine Durchbruchwahrscheinlichkeit in der Halbleitervorrichtung 100 niedriger als in der zweiten Vergleichsvorrichtung 160. Das heißt, eine statische Stehspannung der Halbleitervorrichtung 100 kann verbessert werden.
  • Die Anodenelektrode 7 hat keinen Kontakt mit dem Halbleiterbereich 2, der die niedrige Konzentration aufweist, hat aber Kontakt mit dem Halbleiterbereich 5, der die hohe Konzentration aufweist. Selbst wenn die Konzentration des Halbleiterbereichs 2 niedrig eingestellt wird, kann somit der ohmsche Kontakt zwischen der Anodenelektrode 7 und dem Halbleiterbereich 5 realisiert werden. Wenn die Konzentration des Halbleiterbereichs 2 niedrig eingestellt wird, kann die durch den Halbleiterbereich 2 hervorgerufene Widerstandskomponente erhöht werden, so dass das Potential des Halbleiterbereichs 4 in dem Fall, in dem die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, weiter reduziert werden kann. Folglich wird die Zufuhr der positiven Löcher vom Anodenbereich 34 weiter unterdrückt. Infolgedessen wird in der Halbleitervorrichtung 100 der ohmsche Kontakt zwischen der Anodenelektrode 7 und dem Anodenbereich 34 realisiert, und die Erholungscharakteristiken werden mehr als im Fall der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 verbessert.
  • Wie im obigen Beispiel beschrieben wurde, wird der obere Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 2 auf 1×1017 cm-3 eingestellt, so dass das Potential des Halbleiterbereichs 4 in dem Fall, in dem die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, reduziert werden kann. Somit wird die Zufuhr der positiven Löcher vom Anodenbereich 34 unterdrückt. Infolgedessen können die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 verbessert werden.
  • Wie im obigen Beispiel beschrieben wurde, wird der untere Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 2 auf 1×1015 cm-3 eingestellt, so dass der Halbleiterbereich 2 mit der niedrigen Konzentration leicht gebildet werden kann.
  • Wie im obigen Beispiel beschrieben wurde, wird der obere Grenzwert der Spitzenkonzentration der Halbleiterbereiche 4 und 5 auf 1×1018 cm-3 eingestellt, so dass die Zufuhr der positiven Löcher vom Anodenbereich 34, der die Halbleiterbereiche 4 und 5 enthält, unterdrückt wird. Folglich können die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 verbessert werden.
  • Wie im obigen Beispiel beschrieben wurde, wird der untere Grenzwert der Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 5 auf 1×1016 cm-3 eingestellt, so dass der ohmsche Kontakt zwischen der Anodenelektrode 7 und dem Halbleiterbereich 5 leicht gebildet werden kann.
  • 6 ist eine Zeichnung, die eine Beziehung zwischen einem Abstand W vom Halbleiterbereich 5 zum Bereich 40 des Halbleiterbereichs 4 in einer Draufsicht (siehe 3 bis 5) und einen normierten Widerstandswert R in einem Strompfad im Halbleiterbereich 2 veranschaulicht. Eine laterale Achse und eine vertikale Achse in 6 geben den Abstand W bzw. den normierten Widerstandswert R an. Der Abstand W wird auch als eine zwischen dem Halbleiterbereich 5 und dem Halbleiterbereich 4 sandwichartig angeordnete Breite eines Bereichs im Halbleiterbereich 6 betrachtet.
  • Der normierte Widerstandswert R gibt hierin einen Wert an, der erhalten wird, indem ein Widerstandswert des Strompfads im Halbleiterbereich 2 mittels eines Referenzwerts normiert wird. Das heißt, der normierte Widerstandswert R gibt einen Wert an, der erhalten wird, indem der Widerstandswert des Strompfads im Halbleiterbereich 2 durch den Referenzwert dividiert wird. Der Referenzwert ist auf den Widerstandswert des Strompfads im Halbleiterbereich 2 in einem Zustand eingestellt, in dem zum Beispiel die Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 2 auf den unteren Grenzwert (1×1015 cm-3) eingestellt ist und der Abstand W = 5 µm erfüllt ist.
  • Ein Graph 200 in 6 gibt eine Beziehung zwischen dem Abstand W und dem normierten Widerstandswert R in einem Fall an, in dem die Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 2 auf den oberen Grenzwert (1×1017 cm-3) eingestellt ist. Ein Graph 210 in 6 gibt eine Beziehung zwischen dem Abstand W und dem normierten Widerstandswert R in einem Fall an, in dem die Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 2 auf einen Wert zwischen dem oberen Grenzwert und dem unteren Grenzwert (1×1015 cm-3) eingestellt ist. Ein Graph 220 in 6 gibt eine Beziehung zwischen dem Abstand W und dem normierten Widerstandswert R in einem Fall an, in dem die Spitzenkonzentration des Halbleiterbereichs 2 auf den unteren Grenzwert eingestellt ist.
  • Wie in 6 veranschaulicht ist, nimmt der normierte Widerstandswert R zu, je größer der Abstand W wird. Dies verhält sich so, da, wenn der Abstand W groß wird, der Strompfad im Halbleiterbereich 2 verlängert wird. Der normierte Widerstandswert R nimmt zu, je niedriger die Konzentration des Halbleiterbereichs 2 wird.
  • Der Abstand W kann in der Halbleitervorrichtung 100 so eingestellt werden, dass er gleich 5 µm oder größer ist. Das heißt, die Breite des zwischen dem Halbleiterbereich 5 und dem Halbleiterbereich 4 sandwichartig angeordneten Bereichs im Halbleiterbereich 6 kann so eingestellt werden, dass sie gleich 5 µm oder größer ist. In diesem Fall können die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 verbessert werden, und der Halbleiterbereich 6 kann leicht gebildet werden.
  • 7 ist eine Zeichnung, die Ausgangscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 und der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 veranschaulicht. Ein Graph 300 in 7 gibt die Ausgangscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 an, und ein Graph 310 in 7 gibt die Ausgangscharakteristiken der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 an. Eine laterale Achse in 7 gibt die Durchlassspannung an, die an die Halbleitervorrichtung 100 und die zweite Vergleichsvorrichtung 160 angelegt wird. Eine vertikale Achse in 7 gibt einen Durchlassstrom in der Halbleitervorrichtung 100 und der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 an. 7 veranschaulicht die Ausgangscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 und der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 bei einer Temperatur von 125°C und einer Stehspannung von 2,2 kV.
  • Wie in 7 veranschaulicht ist, ist eine Ein-Spannung der Halbleitervorrichtung 100 größer als diejenige der zweiten Vergleichsvorrichtung 160. Dies verhält sich so, da das Potential des Halbleiterbereichs 2 zur Zeit einer Anlegung der Durchlassspannung in der Halbleitervorrichtung 100 kleiner als in der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 ist und infolgedessen die Implantationseffizienz der positiven Löcher in der Halbleitervorrichtung 100 kleiner als in der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 ist.
  • 8 ist eine Zeichnung, die die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 und der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 veranschaulicht. Ein Graph 400 in 8 gibt eine Wellenform des Durchlassstroms in einem Fall an, in dem ein Zustand der Halbleitervorrichtung 100 von einem Ein-Zustand in einen Aus-Zustand geändert wird. Ein Graph 500 in 8 gibt eine Wellenform einer Spannung zwischen der Kathodenelektrode 12 und der Anodenelektrode 7 in dem Fall an, in dem der Zustand der Halbleitervorrichtung 100 vom Ein-Zustand in den Aus-Zustand geändert wird. Ein Graph 410 in 8 gibt eine Wellenform des Durchlassstroms in einem Fall an, in dem ein Zustand der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 von einem Ein-Zustand in einen Aus-Zustand geändert wird. Ein Graph 510 in 8 gibt eine Wellenform einer Spannung zwischen der Kathodenelektrode 12 und der Anodenelektrode 7 in dem Fall an, in dem der Zustand der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 vom Ein-Zustand in den Aus-Zustand geändert wird. Eine laterale Achse in 8 gibt eine Zeit an. Eine vertikale Achse auf einer linken Seite in 8 gibt den Durchlassstrom an, und eine vertikale Achse auf einer rechten Seite in 8 gibt die Spannung zwischen der Kathodenelektrode 12 und der Anodenelektrode 7 an. 8 veranschaulicht die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 und der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 bei einer Temperatur von 125°C und einer Stehspannung von 2,2 kV.
  • Wie in 8 veranschaulicht ist, ist in der Halbleitervorrichtung 100, verglichen mit der zweiten Vergleichsvorrichtung 160, ein Spitzenwert eines Erholungsstroms (Rückwärts- bzw. Sperrstroms) klein und ist eine Erholungsperiode ebenfalls kurz. Dies gilt, da die Implantationseffizienz der positiven Löcher in der Halbleitervorrichtung 100 kleiner als in der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 ist und die Menge der akkumulierten positiven Löcher in der Halbleitervorrichtung 100 kleiner als in der zweiten Vergleichsvorrichtung 160 ist.
  • Die Struktur der Halbleitervorrichtung 100 ist nicht auf diejenige des obigen Beispiels beschränkt. Zum Beispiel ist die Tiefe des Halbleiterbereichs 4 gleich derjenigen des Halbleiterbereichs 2 oder größer als diese. 9 veranschaulicht ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung 100 in dem Fall, in dem die Tiefe des Halbleiterbereichs 4 größer als diejenige des Halbleiterbereichs 2 ist. Wie in 10 veranschaulicht ist, kann die Tiefe des Halbleiterbereichs 6 größer sein als diejenige des Halbleiterbereichs 5. In diesem Fall wird der Strompfad im Halbleiterbereich 2 mit der niedrigen Konzentration länger, so dass das Potential des Halbleiterbereichs 4 in dem Fall, in dem die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, weiter reduziert wird. Somit nimmt der Betrag einer Akkumulierung der positiven Löcher in der Halbleitervorrichtung 100 weiter ab, und infolgedessen werden die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 weiter verbessert. Der Halbleiterbereich 6 muss keinen Kontakt mit dem Halbleiterbereich 5 haben. Der Halbleiterbereich 6 muss keinen Kontakt mit dem Halbleiterbereich 4 haben. 11 veranschaulicht ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung 100 in einem Fall, in dem der Halbleiterbereich 6 keinen Kontakt mit den Halbleiterbereichen 4 und 5 hat. In der Halbleitervorrichtung 100 kann der Bereich vom p-Typ in den Bereich vom n-Typ geändert werden und kann der Bereich vom n-Typ in den Bereich vom p-Typ geändert werden.
  • Ausführungsform 2
  • 12 ist eine Zeichnung, die ein Beispiel einer Querschnittsstruktur einer Halbleitervorrichtung 110 gemäß der vorliegenden Ausführungsform veranschaulicht. Der obigen Halbleitervorrichtung 100 ist die Halbleitervorrichtung 110 äquivalent, in der anstelle des Halbleiterbereichs 6 ein konkaver Teilbereich 8 in einem Bereich, wo der Halbleiterbereich 6 im Halbleiterbereich 2 ausgebildet ist, vorgesehen ist. Es ist auch zutreffend, dass die Halbleitervorrichtung 110, in der anstelle des Halbleiterbereichs 6 der konkave Teilbereich 8 in dem Bereich, wo der Halbleiterbereich 6 im Halbleiterbereich 2 ausgebildet ist, vorgesehen ist, der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung 100 in 4 äquivalent ist. Es ist ebenfalls zutreffend, dass die Halbleitervorrichtung 110, in der anstelle des Halbleiterbereichs 6 der konkave Teilbereich 8 in dem Bereich, wo der Halbleiterbereich 6 im Halbleiterbereich 2 ausgebildet ist, vorgesehen ist, der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung 100 in 5 äquivalent ist.
  • Der konkave Teilbereich 8 wird ausgebildet, indem ein konkaver Teilbereich beispielsweise durch Trockenätzung in der Hauptoberfläche 2b des Halbleiterbereichs 2 in einer Dickenrichtung eingeschnitten wird. Der konkave Teilbereich 8 wird auch als der eingeschnittene Teilbereich betrachtet. Eine Tiefe des konkaven Teilbereichs 8 ist geringer als diejenige von jedem der Halbleiterbereiche 2 und 4. Die Tiefe des konkaven Teilbereichs 8 ist die Gleiche wie diejenige des Halbleiterbereichs 5. Der konkave Teilbereich 8 ist mit dem Isolierfilm 3 gefüllt. Der Isolierfilm 3 hat Kontakt mit den Halbleiterbereichen 2, 4 und 5. Der Isolierfilm 3 bedeckt einen Bereich, wo in einer Draufsicht die Halbleiterbereiche 4 und 5 nicht im Halbleiterbereich 2 ausgebildet sind.
  • Der konkave Teilbereich 8 enthält einen Teil 80, der in einer Draufsicht den Halbleiterbereich 5 sandwichartig umgibt. Der konkave Teilbereich 8 ist mit dem Isolierfilm 3 gefüllt, so dass davon ausgegangen wird, dass der Isolierfilm 3 einen Teil 30 aufweist, der den Halbleiterbereich 5 in einer Richtung senkrecht zu einer Dickenrichtung der Halbleitervorrichtung 110 sandwichartig umgibt.
  • Die Halbleitervorrichtung 110 mit der obigen Konfiguration hat Charakteristiken ähnlich jenen der in 6 bis 8 veranschaulichten Halbleitervorrichtung 100, die oben beschrieben wurde. Der Abstand W in der Halbleitervorrichtung 110 wird ebenfalls als eine Breite des Bereichs betrachtet, der zwischen dem Halbleiterbereich 5 und dem Halbleiterbereich 4 im konkaven Teilbereich 8 sandwichartig angeordnet ist. Der Abstand W wird auch als eine Breite eines Bereichs betrachtet, der zwischen dem Halbleiterbereich 5 und dem Halbleiterbereich 4 in dem Isolierfilm 3, der den konkaven Teilbereich 8 füllt, sandwichartig angeordnet ist.
  • In der Halbleitervorrichtung 110 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist, wenn die Durchlassspannung in einer Weise ähnlich der Halbleitervorrichtung 100 an die Halbleitervorrichtung 110 angelegt wird, das Potential des Halbleiterbereichs 4 gleich einem Wert, der erhalten wird, indem ein Wert eines Spannungsabfalls im Halbleiterbereich 2 mit der niedrigen Konzentration vom Potential der Anodenelektrode 7 subtrahiert wird. Darüber hinaus gibt es den konkaven Teilbereich 8 zwischen dem Halbleiterbereich 5 vom p-Typ, der mit der Anodenelektrode 7 Kontakt hat, und dem Halbleiterbereich 4 vom p-Typ in der Halbleitervorrichtung 110, und der konkave Teilbereich 8 ist mit dem Isolierfilm 3 gefüllt. Wenn die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, fließt somit ein vom Halbleiterbereich 5 in Richtung des Halbleiterbereichs 4 fließender Strom, ohne durch den konkaven Teilbereich 8 zu gelangen. Infolgedessen wird ein Strompfad im Halbleiterbereich 2 mit der niedrigen Konzentration verlängert. Folglich kann das Potential des Halbleiterbereichs 4 in dem Fall, in dem die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 100 angelegt wird, weiter reduziert werden. Dementsprechend wird die Zufuhr der positiven Löcher vom Anodenbereich 34 unterdrückt, und ein Betrag einer Akkumulierung der positiven Löcher in der Halbleitervorrichtung 100 nimmt ab. Infolgedessen werden Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 110 verbessert.
  • Wenn die Sperrspannung an die Halbleitervorrichtung 110 angelegt wird, wird die Ausdehnung der Verarmungsschicht vom dazwischenliegenden Halbleiterbereich 1 zum Anodenbereich 34 nicht nur durch den Halbleiterbereich 4, sondern auch durch den Halbleiterbereich 5 mit der hohen Störstellenkonzentration unterdrückt. Folglich wird in der Halbleitervorrichtung 110 eine Durchbruchwahrscheinlichkeit reduziert.
  • Die Anodenelektrode 7 hat keinen Kontakt mit dem Halbleiterbereich 2 mit der niedrigen Konzentration, hat aber Kontakt mit dem Halbleiterbereich 5 mit der hohen Konzentration. Selbst wenn die Konzentration des Halbleiterbereichs 2 niedrig eingestellt wird, kann folglich der ohmsche Kontakt zwischen der Anodenelektrode 7 und dem Halbleiterbereich 5 realisiert werden. Wenn die Konzentration des Halbleiterbereich 2 niedrig eingestellt wird, kann die durch den Halbleiterbereich 2 hervorgerufene Widerstandskomponente erhöht werden, so dass das Potential des Halbleiterbereichs 4 in dem Fall, in dem die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 110 angelegt wird, weiter reduziert werden kann. Somit wird die Zufuhr der positiven Löcher vom Anodenbereich 34 weiter unterdrückt Infolgedessen wird der ohmsche Kontakt zwischen der Anodenelektrode 7 und dem Halbleiterbereich 5 realisiert, und die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 110 werden weiter verbessert.
  • Wenn die Sperrspannung an die Halbleitervorrichtung 100 gemäß der Ausführungsform 1 angelegt wird, besteht eine Möglichkeit, dass ein elektrisches Feld in einem PN-Übergang zwischen dem Halbleiterbereich 5 und dem Halbleiterbereich 6 konzentriert wird. Folglich besteht eine Möglichkeit, dass eine Stoßionisation auftritt und Lochträger zunehmen. Infolgedessen besteht eine Möglichkeit, dass ein Grad einer Verbesserung der Erholungscharakteristiken in der Halbleitervorrichtung 100 nicht so sehr erhöht werden kann.
  • Im Gegensatz dazu ist in der Halbleitervorrichtung 110 gemäß der vorliegenden Ausführungsform anstelle des Halbleiterbereichs 6 der konkave Teilbereich 8 ausgebildet, und der konkave Teilbereich 8 ist mit dem Isolierfilm 3 gefüllt, so dass es keinen Halbleiterbereich vom n-Typ, der Kontakt mit dem Halbleiterbereich 5 hat, gibt. Somit kann in der Halbleitervorrichtung 110 die Wahrscheinlichkeit der Zunahme der Lochträger, die durch die Stoßionisation hervorgerufen wird, reduziert werden. Folglich kann der Grad einer Verbesserung der Erholungscharakteristiken erhöht werden.
  • Der Abstand W kann in der Halbleitervorrichtung 110 so eingestellt werden, dass er gleich 5 µm oder größer ist. Das heißt, die Breite des Bereichs, der zwischen dem Halbleiterbereich 5 und dem Halbleiterbereich 4 im konkaven Teilbereich 8 sandwichartig angeordnet ist, kann so eingestellt werden, das er gleich 5 µm oder größer ist. In diesem Fall können die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 100 verbessert werden, und der konkave Teilbereich 8 kann leicht gebildet werden.
  • Die Struktur der Halbleitervorrichtung 110 ist nicht auf diejenige des obigen Beispiels beschränkt. Beispielsweise kann die Form des konkaven Teilbereichs 8 eine andere Form als die in 12 veranschaulichte Form aufweisen. Wie in 13 veranschaulicht ist, wird zum Beispiel eine innere Seitenfläche 8a des konkaven Teilbereichs 8 in eine sich mit zunehmender Tiefe verjüngende konische Form ausgebildet. Die Form des konkaven Teilbereichs 8 kann eine andere Form als die in 12 und 13 veranschaulichte Form aufweisen.
  • Auch in der Halbleitervorrichtung 110 kann die Tiefe des Halbleiterbereichs 4 gleich derjenigen des Halbleiterbereichs 2 oder größer sein. Wie in 14 veranschaulicht ist, kann die Tiefe des konkaven Teilbereichs 8 größer als diejenige des Halbleiterbereichs 5 sein. In diesem Fall wird der Strompfad im Halbleiterbereich 2 mit der niedrigen Konzentration länger, so dass das Potential des Halbleiterbereichs 4 in dem Fall, in dem die Durchlassspannung an die Halbleitervorrichtung 110 angelegt wird, weiter reduziert wird. Folglich nimmt der Betrag einer Akkumulierung der positiven Löcher in der Halbleitervorrichtung 110 weiter ab, und infolgedessen werden die Erholungscharakteristiken der Halbleitervorrichtung 110 weiter verbessert. Zwischen dem konkaven Teilbereich 8 und dem Halbleiterbereich 5 kann der Halbleiterbereich 2 vorhanden sein. Zwischen dem konkaven Teilbereich 8 und dem Halbleiterbereich 4 kann der Halbleiterbereich 2 vorhanden sein. 15 veranschaulicht ein Beispiel einer Querschnittsstruktur der Halbleitervorrichtung 110 in einem Fall, in dem der Halbleiterbereich 2 zwischen dem konkaven Teilbereich 8 und dem Halbleiterbereich 4 und zwischen dem konkaven Teilbereich 8 und dem Halbleiterbereich 5 vorhanden ist. In der Halbleitervorrichtung 110 kann der Bereich vom p-Typ in den Bereich vom n-Typ geändert werden und kann der Bereich vom n-Typ in den Bereich vom p-Typ geändert werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung können innerhalb des Umfangs der Erfindung die obigen Ausführungsformen beliebig kombiniert werden oder kann jede Ausführungsform geeignet variiert oder weggelassen werden.
  • Obgleich die Erfindung im Detail dargestellt und beschrieben wurde, ist die vorhergehende Beschreibung in allen Aspekten veranschaulichend und nicht einschränkend. Es versteht sich daher, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen konzipiert werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2007324428 [0002, 0021]
    • JP 2007 [0021]
    • JP 324428 [0021]

Claims (4)

  1. Halbleitervorrichtung (100), aufweisend: einen ersten Halbleiterbereich (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps; einen zweiten Halbleiterbereich (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf dem ersten Halbleiterbereich (1) gelegen ist; einen dritten Halbleiterbereich (5) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf dem zweiten Halbleiterbereich (2) gelegen ist und eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich (2) aufweist; einen vierten Halbleiterbereich (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich (2) aufweist, in einer Draufsicht vom dritten Halbleiterbereich (5) getrennt gelegen ist und mit dem zweiten Halbleiterbereich (2) Kontakt hat; einen fünften Halbleiterbereich (6) des ersten Leitfähigkeitstyps, der auf dem zweiten Halbleiterbereich (2) gelegen ist und in einer Draufsicht zwischen dem dritten Halbleiterbereich (5) und dem vierten Halbleiterbereich (4) gelegen ist; und eine Elektrode (7), die keinen Kontakt mit dem vierten Halbleiterbereich (4) und dem fünften Halbleiterbereich (6) hat, aber mit dem dritten Halbleiterbereich (5) Kontakt hat.
  2. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei eine Tiefe des fünften Halbleiterbereichs (6) gleich einer Tiefe des dritten Halbleiterbereichs (5) oder größer ist.
  3. Halbleitervorrichtung (110), aufweisend: einen ersten Halbleiterbereich (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps; einen zweiten Halbleiterbereich (2) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf dem ersten Halbleiterbereich (1) gelegen ist; einen dritten Halbleiterbereich (5) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der auf dem zweiten Halbleiterbereich (2) gelegen ist und eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich (2) aufweist; einen vierten Halbleiterbereich (4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, der eine höhere Störstellenkonzentration als der zweite Halbleiterbereich (2) aufweist, in einer Draufsicht vom dritten Halbleiterbereich (5) getrennt gelegen ist und mit dem zweiten Halbleiterbereich (2) Kontakt hat; einen konkaven Teilbereich (8), der in einer Draufsicht zwischen dem dritten Halbleiterbereich (5) und dem vierten Halbleiterbereich (4) gelegen und im zweiten Halbleiterbereich (2) ausgebildet ist; einen Isolierfilm (3), der den konkaven Teilbereich (8) füllt; und eine Elektrode (7), die keinen Kontakt mit dem vierten Halbleiterbereich (4) hat, aber mit dem dritten Halbleiterbereich (5) Kontakt hat.
  4. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 3, wobei eine Tiefe des konkaven Teilbereichs (8) gleich einer Tiefe des dritten Halbleiterbereichs (5) oder größer ist.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3447884B2 (ja) * 1995-03-15 2003-09-16 株式会社東芝 高耐圧半導体素子
US6049108A (en) * 1995-06-02 2000-04-11 Siliconix Incorporated Trench-gated MOSFET with bidirectional voltage clamping
JP4017258B2 (ja) * 1998-07-29 2007-12-05 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2007324428A (ja) 2006-06-02 2007-12-13 Toyota Motor Corp 半導体装置
JP5961865B2 (ja) * 2010-09-15 2016-08-02 ローム株式会社 半導体素子
JP5605230B2 (ja) * 2011-01-14 2014-10-15 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP6082314B2 (ja) * 2012-11-06 2017-02-15 株式会社東芝 半導体装置
WO2014148400A1 (ja) * 2013-03-21 2014-09-25 富士電機株式会社 半導体装置
JP6296535B2 (ja) * 2013-12-09 2018-03-20 ローム株式会社 ダイオードおよびそれを含む信号出力回路
JP2016029685A (ja) * 2014-07-25 2016-03-03 株式会社東芝 半導体装置
JP6619522B1 (ja) * 2018-03-29 2019-12-11 新電元工業株式会社 ワイドギャップ半導体装置

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