DE102019123080B4 - Prozesslösung für Chipvereinzelungsprozess sowie Chipvereinzelungsprozess - Google Patents
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Abstract
Prozesslösung für einen Chipvereinzelungsprozess, welche durch Verdünnen einer Lösung für einen Chipveneinzdungsprozess 10.000-fach bis 100-000-fach mit destilliertem Wasser erhalten wird, wobei die Lösung aufweist:1,0 Gew,-% bis 1,5 Gew,-% eines teilweise verseiften Polyvinylalkohols mit einem Polymerisationsgrad von 200 bis 400 und einem Verseifungsgrad von 75 Mol% bis 85 Mol%;0,4 Gew.-% bis 0,6 Gew.-% Polyoxyethylen-polyoxypropylenglycolether mit einer Durchschnittszahl des Molekulargewichts von 10.000 bis 20.000 mit einem Polymerisationverhältnis von Polyoxyethylen zu Polyoxypropylen von 75:25 bis 85:15: sowie destilliertes Wasser.
Description
- Gebiet der Erfindung
- Die vortiegendeErfindung bezieht sich auf eine Prozesslösung, die für einen Chipvereinzelungsprozess bzw. Dicing-Verfahren zu verwenden ist, durch den viele chip-for mige Einheitendie auf einem Wafer ausgebildet sind, mittels einer Chipvereinzelungs-Klinge getrennt werden. Die vorliegende Erfindung bezieht sich außerdem auf einen Chipvereinzelungsprozess.
- Hintergrundioformation
- Auf Wafem, die mit Strukturen versehen sind, wie beispielsweise LSI-, CMOS- oder Leistungseinheisen, die auf einem Substrat ausgebildet sind, das aus einer Verbindung besteht, wie beispielsweise Silicium oder Saphir. sind viele Einheiten ausgebildet und durch Bahnen aufgeteilt. Wenn die Einheiten, die in der Längsrichtung und der Breitenrichtuns durch Bahnen getrennt sind, in einzelne Stucke vereinzelt werden, indem bei den Bahnen geteilt wird, kann auf ein Verfahren zur Chipveteinzdung mit einer Klinge die sich mit einer hohen Geschwindigkeit dreht, sowie auf ein Verfahren hingewiesen werden, bei dem ein Sehneidevongang durch eine Bestrahlung mit einem Laserstrahl erfolgt.
- Wenn die Chipvereinzelung mittels einer Klinge für eine Chipvereinzfilung ausgeführt wird, wird die Chipvereinzelung glelchinäßig ausgeführt, indem ermöglicht wird, dass eine Prozesslösung zwischen dem Wafer und einer sich drehenden Chipvereinzelungs-Klinge strömt, um das zu schneidende Teilstück zu kühlen und gleichzeitig einen Reibungswiderstand zum Zeitpunkt des Schneidens zu reduzieren. Es ist notwendig, Verschnitte. die durch die Chipvereinzelung entstehen, wegzuspülen und zu beseitigen.
- Um das vorstehende Problem anzugehen, wurde zunächst destitliertes Wasser als Prozesslösung verwendet. und dann wurden verschiedene Verfahren untersucht, um die Wirkungen zu verbessern, Zum Beispiel ist eine Prozesslösung bekannt, die ein Polymer aufweist, das zumindest 50 Gew.% Vinylpymolidon enthält und bei dem es sich um ein Polymer miteinem eine Ethylen-Gruppe enthaltenden Monomer handelt, wie beispielsweise Vinytacetat, das ein Durchschnittsgewicht des Molekulargewichts von 40.000 bis 160.000 aufweist, und die ein Treibmittel aufweist (
JP 5253765 B - Indem eine derartige Prozesslösung verwendet wird, wird es möglich, abgesplitterte Chipvereinzelungs-Verschnitte des Wafers im Vergleich mit den Fällen, bei denen destilliertes Wasser verwendet wird, effizienter zu entfernen. Es wurde jedoch festgestellt, dass irgendwelche anderen Gegenstände weiterhin anhaften und auf Einheiten verbleiben, und zwar, dass nicht entfembare Gegenstände vorhanden sind.
- Die Ursache für einen derartigen Umstand war in einem frühen Stadium unbekannt. Als Ergebnis verschiedener Untersuchungen wurde die folgende Tatsache festgestellt.
- Beim Chipvcrcinzelungsvorgang von Wafem haften die Wafer an einem Klebeharzflächenkötper (Chipvercinzelungsstreifen), und der Chipvercinzdungsstreifen ist an einem Waferrahmen befestigt, und dann wird der Chipvereinzetungsprozess ausgeführt. Bei diesem Chipvereinzelungsprozess läuft eine Chäpvereinzelungs-Kltnge entlang von Bahnen der Wafer, um sie in einzelne Einheiten zu schneiden. Die Kante dieser Chipvereinzelungs-Klinge schneidet leicht in eine Klebeschicht des Chipvereinzelungsstreifens hinein, um das Schneiden des Wafers zu beenden. In diesem Moment schneidet die Kante dieser Chipveieinzelungs-Klingc in ein Klebemittel der Klebemittelschicht hinein, hebt dieses an und verteilt es als sehr kleine Stückchen, und daraus resultierend hallen die sehr kleinen Stückchen an der Oberfläche der Einheit.
- Insbesondere bei Bildsensoren, die für Kameras verwendet werden sollen, verursacht selbst ein Anhaften einer kleinen Menge von Chipvereinzelungs-Verschnitten und sehr kleinen Stückchen eines Klebemittels an den Linsen auf der Oberfläche von Einheitschips eine Verschlechterung des Leistungsvermögens der Einheiten und eine Vergrößerung des defektbehafteten Anteils. Es werden weitere Verbesserungen gefordert, um mit derartigen Anhaftungen urnzuguhen.
- Die
DE 11 2013 004 295 T5 beschreibt eine Polierzusammensetzung und ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats unter Verwendung derselben, welche Anzahl und Größe von LPD (Light-Point-Defects) auf einer polierten Oberfläche verringern sollen. - Zusammenfassung der Erfindung
- Wie vorstehend erwähnt, besteht die Forderung nach einer Bereitstellung einer Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess und einer Prozesslösung, durch die es möglich wird, nicht nur die Chipvereinzelungs-Verschnitte, die sich bei dem Clupvereinzelungsschritt aus den Wafern bilden, sondern auch sehr kleine Stückchen eines Klebemittels effizient zu entfernen, die sich aus der Klebemittelschicht des Chipvereinzelungsstreifens bilden, von denen angenommen wird, dass sie eine nachteiligere Auswirkung als der Chipvereinzelungssfaub haben.
- Des Weiteren wird der Chipvereinzelungsprozess ausgeführt, während eine große Menge an destilliertem Wasser ausgebracht wird und konstant strömt, und dieser Schritt erfordert eine sehr große Menge an destilliertem Wasser, ist kostenintensiv und verursacht mitunter Bedenken in Bezug auf den Einfluss auf Wasser für den häuslichen Gebrauch von Anwohnem durch Übermutzung von Wasser.
- Diese Probleme werden durch eine Prozesslösung mit den in Patentanspruch 1 genannten Merkmalen und durch einen Chipvereinzelurtgsprozess mit den in Patentanspruch 6 genannten Merkmalen gelöst.
- Die vorliegende Offenbarung stellt eine Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess bereit, die aufweist: 1,0 Gew .-% bis 1,5 Gew.-% eines teilweise verseiften Polyvinylalkohols mit einem Polyncrisationsgrad von 200 bis 400 und einem Verseifungsgrad von 75 Mol% bis 85 Mol%; 0,4 Gew.-% bis 0,6 Gew.-% Polyoxyethylen-polyoxypropylenglycoliether mit einer Durchschnittszahl des Molekulargewichts von 10.000 bis 20.000 mit einem Polymerisationsverhaltnis von Polyoxyethylen zu Polyoxypropylen von 75:25 bis 85:15; sowie destilliertes Wasser.
- Diese Rezeptur für den Chipvereinzelungsprozess wird 10.000-fach bis 100.000-fach mit destilliertem Wasser verdünnt, um eine Prozesslösung zu bilden, und in einem Chipvereinzelungsprozessschitt wird die Prozesslösung appliziert, indem sie auf Teilstücke geblasen wird, an denen die Chipvereinzelung mit der Chipvereinzelungs-Klinge ausgeführt wird.
- Diese Rezeptur für den Chipvereinzelungsprozess kann des Weiteren etwa 0,1 Gew.-% Phcnylglycol enthalten.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung können, wenn ein Wafer für Halbleiter etc. dem Chipvereinzelungsprözess unterzogen wird, die sehr kleinen Stückchen eines Klebemittels, die durch die Chipvereinzelungs-Klinge von der Klebemittel schicht des Chipvereinzelungsstreifens abgehoben werden, zusammen mit den Chipvereinzelungs-Verschnitien durch die Prozesslösung weggespült werden. Es ist daher möglich. eine reine Waferoberfläche zu erzielen, defektbelhaftete: Produkte der Chips auf dem Wafer zu reduzieren und die Ausbeute zu erhöhen.
- Des Weiteren kann die Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess gemäß der vorliegenden Erfindung ausreichend Wirkungen zeigen, auch wenn sie in einem hohen Maßstab verdünnt wird, um eine Prozesslösung zu bilden, es ist möglich, die für den Chipvereinzelungsprozess verwendete Prozesslösung ohne zusätzliche Belastung und zusätzlichen Arbeitsaufwand zu Wiederaufarbeltungsanlagen für gebrauchtes Wasser zu leiten, Im Ergebnis kann das gebrauchte Wasser für weitere Schritte etc. wiederverwendet werden, und eine Abwasserbehandlung kann effizient durchgeführt werden.
- Figurenliste
- Die vorstehende Zusammenfassung ebenso wie die folgende detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausfuhrungsformen der Erfindung werden im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen besser verständlich. Die folgende Beschreibung und die Darstellung in den Zeichnungen zeigen bevorzugte Ausführangsfonncn der vorliegenden Erfindung, Es versteht sich jedoch, dass die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt ist.
-
1A ist eine Draufsicht, die ein Teilstück eines Wafers mit vielen Schflltüngsstrukturen schematisch zeigt, die auf der Wafeiroberflache ausgebildet sind und durch Bahnen aufgeteilt sind; -
1B ist eine Querschnillsansicht von der Seite entlang einer Linie 1B-1B von1A ; -
2 ist eine erläuternde Ansieht die einen Zustand zeigt, in dem die in1B dargestellte Struktur durch einen Chipvereinzelungsslteifen befestigt ist und ein Chipvereinzelungsprozess durch Verwenden einer Chipvereinzelungs-Klinge entlang einer Bahn ausgeführt wird, während eine Prozesslösung der vorliegenden Erfindung zugeführt wird. - Detaillierte Beschreibung der bevorzugen Ausföhrungsfomed
-
1A ist eine Draufsicht, die schematisch ein Substrat wie einen Wafer zeigt, auf dessen Oberfläche viele Schaltungsstrukturen ausgebildet sind.1B ist eine Querschnittsansicht von der Seite entlang der Linie 1B-1B von1A . - In den
1A und1B umfasst eine Struktur10 ein Substrat20 zum Beispiel aus einer Halbleitenubstanz, wie beispielsweise Silicium, oder einer Halbleiterschicht auf einem isolierenden Material, wie beispielsweise Glas. - Eine Struktur
10 ist ein Teilstück der Struktur eines Wafers, der viele Schaltungsstrukturen (Einzelchips oder Chips)11 ,12 ,13 ,14 ,15 ,16 ,17 ,18 und19 aufweist, die auf der Waferoberfläche ausgebildet sind, Jeweilige Schaltungsstrukturen auf dem Wafer sind durch Bahnen. 30 aufgeteilt, die zur Aufteilung der Schaltungsstrukturen von dem Substrat20 in einen separaten Einzelchip oder einen Chip verwendet werden. -
2 ist eine erläuternde Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem die in1B dargestellte Struktur10 durch einen Chipvcneinzelungssticifen40 befestigt ist und der Chipvereinzelungsprozess durch Verwenden einer Chipvereinzelungs-Klinge60 entlang der Bahn30 ausgeführt wird, während eine Prozesslösung50 der vorliegenden Erfindung zugeführt wird. In der Zeichnung schneidet eine Kante der Chipvereinzelungv Klinge60 leicht in den Chipvereinzelungsstreifen40 hinein. - Als eine Komponente der Rezeptur für den Chipvereinzelungsprozess der vorliegenden Erfindung wird ein Polyvinylalkohol verwendet.
- Bei dem Polyvinylalkohol handelt es sich um einen, der einen Polymerisationsgrad von Vinylalkohol in einem Bereich von etwa 200 bis 400 aufweist, bevorzugt von etwa 250 bis 350 und bevorzugter von etwa 280 bis 320.
- Des Weiteren handelt es sich bei dem Polyvinylalkohol um einen teilweise verseiften Poly vinylalkohol, und sein Verseifungsgrad beträgt 75 Mol% bis 85 Mol% und bevorzugter etwa 78 Mol% bis 82 Mol%.
- Zusammen mit dem teilweise verseiften Polyvinylalkohol wird Polyoxyethylen-polyoxypropytanglycolether verwendet.
- Der Polyoxyethylen-polyoxypropylenglylether ist ein Copolymer von Polyoxyethylen und Polyoxypropylenglycol, und das Polynerisationsverhaltnis derselben beträgt 75:25 bis 85 15, bevorzugt, etwa 80:20 bis 83:17. Dessen Durchschnittszahl des Molekulargewichts ist 10.000 bis 20.000, bevorzugt etwa gleich 13.000 bis 18.000 und bevorzugter etwa gleich 14,000 bis 16.0000.
- Wenn 1,0 Gew.% bis 1,5 Gcw.-% eines teilweise verseiften Polyvinylalkohols und 0,4 Gew,-% bis 0,6 Gew.-% Polyoxy-ethylen-polyoxypropylmglycolether in destilliertem Wasser enthalten sind, sind beide gut in destilliertem Wasser gelöst, und es wird eine Rezeptur für einen Chipveretnzelungsprozess erhalten.
- Die Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess wird für eine Chipvereinzelungs-Vorrichtung verwendet. In diesem Stadium wird die Rezeptur in der Form einer Prozesslösung verwendet, die 10.000-fach bis 100.000-fach mit destilliertem Wasser stark verdünnt ist.
- Die verdünnte Prozesslösung wird kontinuierlich dem Teilstück zugeführt an dem die Chipveteiffiielung eines Wafers durch Verwenden einer Chipvereinzelungs-Klinge ausgeführt wird, und die Chipvereinzelungs-Verschnitte, die sich durch die Chipverenzelung bilden, sowie die sehr kleinen Stückchen eines Klebemittels eines Chipvereinzelungsstreifens werden durch Wegspülen derselben, beseitigt. Des Weiteren kann gleichzeitig eine lokale Temperaturerhöhung des Wafers durch die Reibung der Chipvereinzelungs-Klinge verhindert werden.
- Für die Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess können des Weiteren etwa 0,1 Gew.-% Phenylglycol als Konservierungsmittel verwendet werden.
- Des Weiteren kann ein pH-Regler oder können irgendwelche weiteren chemischen Agenzien in einer geeigneten Weise verwendet werden, wie es der Fall erfordert.
- Beispiele
- Beispiel 1
- Als ein teilweise verseifter Polyvinylalkohol wurde einer mit einem Polymerisationsgrad von Vinylalkohol von 300, einem Verseifungsgrad von 80 Mol% und einer Durchschnittszahl des Molekulargewichts von 1 6.000 verwendet.
- Als ein Polyoxycthylen-polyoxylenglycolether wurde ein Polymer von Polyoxyethylenglycol und Polyoxypropylenglyeol mit einem Polymerisationsverhältnis von 83:1 7 und einer Durchschnittszahl des Molekulargewichts von 16.000 verwendet.
- Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurden 1,33 Gew.-% des teilweise verseiften Polyvinylalkohols (angezeigt durch das Polymer A) und 0,5 Gew.-% Polyoxyethylen-polyoxypropylenglycolether (angezeigt durch das Tensid A) mit 98,17 Gew,-% destilliertem Wasser (Restbetrag) gemischt und in diesem gelöst, um eine Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess zu erhalten.
- Vergekesbeispiel 1
- 0,83 3 Gew.-% eines Copolymers mit einem molaren Verhältnis von Polyvinylpyrrolidon zu Vinylacetat von 6:4 und einem Durchschnittsgewicht des Molekulargewichts von 51.000 (angezeigt durch ein Polymer B) sowie 0,83 Gew.-% Polyoxyethylen-polyoxypropylenglycolether (angezeigt durch ein Tensid A) wurden mit 98,34 Gew.-% destilliertem Wasser (Restbetrag) gemischt und in diesem gelöst, um eine Rezeptur für einen Chippvereinzelungsprozess zu erhalten (Tabelle 1).
- Vergleichsbeispiele 2
- 1,33 Gew.-% Pullulan (ein Polysaccharid von Mattotriose. gebunden durch eine α-1,6-Bindung) (angezeigt durch ein Polymer C) und 0,33 Gew.-% Polyoxyalkylenakylether (HLB 14,7) (angezeigt durch ein Tensid B) wurden mit 98,34 Gew.-% destilliertem Wasser (Restbetrag) gemischt und in diesem gelöst, um eine Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess zu erhalten (Tabelle 1).
- Test
- Die folgenden Tests wurden durchgeführt, um Eigenschaften und das Leistungsvermögen von Beispiel und Vergleichsbeispielen zu messen.
- Test 1
- Chipvereinzelungsprozess-Tests für jeweilige Komponenten:
- Jede der Rezepturen für einen Chipvereinflelungsprozess in Beispiel 1und den Vergleichsbeispielen 1 und 2 war 10.000-fach mit destilliertem Wasser verdünnt, um eine Prozesslösung für einen Chipvereinzelungsprozess herzustellen. Ein Silicium-Wafer mit einem Durchmesser von 300 mm, auf dem eine Schicht mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstanten als ein Mock-Bildsensor ausgebildet war, wurde auf ein Chipvereinzelungsgerät AD3000-HC. verbracht, hergestellt von Tokyo Seimitsu Co., LTD, und dann wurde der Chipvereinaelungsprozess ausgeführt, während die Prozesslösung mit einer Durchflussmenge von 15 Liter/Min, auf ein zu schneidendes Teilstuck zugeführt wurde.
- Nach Beendigung der Chipvereinzelung wurde der Wafer durch eine Waferprüfinaschine „Eagle“, hergestellt von Camtek Ltd., und ein Messmikroskop geprüft, hergestellt von Olympus Corporation, um die Qualität des Schneidens durch den Chipvereinzelungsprozess und die Staubmenge auf der Waferoberfläche abzuschätzen.
- Die Qualität des Schneidens wurde durch Vergleichen des Auftretens von Verbrennen (Verschmoren, Versengen), Brechen und Absplittern des zu schneidenden Teilstücks evaluiert.
- Des Weiteren wurde die Staubmenge auf der Waferoberfläche durch Berechnen der Staubgrößenordnung, die auf der Oberfläche des Chips vorhanden war, und anschließendes Anzeigen derselben durch eine solche Kennzahl bestimmt, dass die Staubmenge des VergleichsbeiäpieJs 2 durch 1,00 wiedergegeben wird, Ist die Kennzahl kleiner, ist die Staubmenge geringer, und die Waferoberfläche ist weniger verunreinigt.
- Ergebnisse und Evaluierung der Chipvereinzclungsprozess-Tests für jeweilige Komponenten:
- Die Ergebnisse der Chipvereinzeluungsprozess-Tests für jeweilige Komponenten sind in Tabelle 1 gezeigt.
- Als Qualität für das Schneiden wurde das Auftreten von Verbrennen, Brechen und Absplittern evaluiert. Bei jedem von dem Beispiel und von den Vergleichsbeispiele 1 und 2 wurde das Auftreten derselben nicht beobachtet, d.h. die Resultate waren sehr gut (O), und es war kein signifikanter Unterschied zwischen diesen erkennbar.
- Die Staubmenge (die Kennzahl) auf der Waferoberfläche ist bei Vergleichsbeispiel 2 gleich 1.00 und bei Verglciehsbeispiel 1 gleich 0.25. Dagegen zeigt das Beispiel 1 eine weiter verringerte Staubmenge von 0.20, und daher wird festgestellt, dass die Staubmenge auf der Waferoberfläche gering ist und der Grad an Verunreinigung in hohem Maße verringert ist.
- Test 2
- Chipvereinzelungsprozess-Tests für jeweilige Verdünnungsverhalnisse:
- Chipvereinzelungsprozess-Tests wurden an Beispiel 1 und Vergleichsbeispiel 1mit der Voraussetzung eines veränderten Verdünnungsverhältnisses der Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess in der gleichen Weise ausgeführt, wie vorstehend bereitgestellt.
- Für den Grad der Verdünnung der Rezeptur für einen Chipvereinzelungsprozess wurden für die Tests zusätzlich zu der 10.000-fach verdünnten Lösung, wie vorstehend erwähnt, eine 60.000-fach verdünnte Lösung und eine 100.000-fach verdünnte Lösung hergestellt.
- Resultate und Evaluierung der Chipvereinzelungsprozess-Tests für jeweilige Verdünnungsverhältnisse:
- Die Resultate der Chipvereinzelungsprozess-Tests für jeweilige Verdünnungsverhältnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
- Im Vergleich mit der 10.000-fach verdünnten Lösung des Beispiels 1 zeigt die 60.000-fach verdünnte Lösung von Beispiel 1-2 die Staubmenge (die Kennzahl) von 0,14, die im Vergleich zu 0,20 von Beispiel 1 verringert war, und die 100,000-fach verdünnte Lösung von Beispiel 1-3 zeigte eine weiter verringerte Kennzahl von 0,18.
- Im Vergleich zu der 10,000-fach verdünnten Lösung des Vergleichsbeispiels 1, welche die Staubmenge (die Kennzahl) von 0,25 zeigt, zeigt die 60,000-fach verdünnte Lösung des Vergleichsbeispiels 1-2 dagegen eine auf 0,45 erhöhte Kennzahl und die Kennzahl für die 100,000-fach verdünnte Lösung des Vergleichsbeispiels 1-3 ist weiter auf 0,69 erhölt.
- Wie vorstehend erwähnt zeigt das Vergleichsbeispiel 1, dass die Slaubmenge erhöht wird, wenn das Verdunnungsvcrhaltnis angehoben wird, im Gegensatz dazu zeigt Beispiel 1, dass auch bei einer Anhebung des Verdünnungsverhältnisses die Staubmenge im Wesentlichen unverändert ist, dass sie eher verringert ist. und daher kann die Prozesslösung ausreichend bei einem hohen Verdünnungsverhältnis verwendet werden. Tabelle 1
Beispiel 1 Vergl.beispiel 1 Vergl.beispiel 2 Zusammensetzung Polymer A 1,33 Polymer B 0,83 Polymer C 1,33 Tensid A 0,50 0.83 Tensid B 0,33 destilliertes Wasser 98,17 98,34 98,34 insgesamt 100 100 100 Grad der Verdünnung (-fach) 10.000 10.000 10.000 Resultate der Evaluierung Qualität des Schneidens (*1) O O O Staubmenge (Kennzahl) 0,20 0,25 1,00 Bsp. 1 Bsp. 1-2 Bsp. 1-3 Vgl.bsp. 1 Vgl.bsp. 1-2 Vgl.bsp.1-3 Zusammensetzung Polymer A 1,33 Polymer B 0,83 Tensid A 0,50 0,83 destilliertes Wasser 98.17 98,34 insgesamt 100 100 Grad der Verdünnung 10.000- fach 60.000-fach 100,000-fach 10.000-fach 60.000-fach 100.000-fach Resultate der Evaluierung Staubmenge (Kennzahl) 0,20 0,14 0,18 0,25 0,45 0,69
Claims (11)
- Prozesslösung für einen Chipvereinzelungsprozess, welche durch Verdünnen einer Lösung für einen Chipveneinzdungsprozess 10.000-fach bis 100-000-fach mit destilliertem Wasser erhalten wird, wobei die Lösung aufweist: 1,0 Gew,-% bis 1,5 Gew,-% eines teilweise verseiften Polyvinylalkohols mit einem Polymerisationsgrad von 200 bis 400 und einem Verseifungsgrad von 75 Mol% bis 85 Mol%; 0,4 Gew.-% bis 0,6 Gew.-% Polyoxyethylen-polyoxypropylenglycolether mit einer Durchschnittszahl des Molekulargewichts von 10.000 bis 20.000 mit einem Polymerisationverhältnis von Polyoxyethylen zu Polyoxypropylen von 75:25 bis 85:15: sowie destilliertes Wasser.
- Prozesslösung für einen Chipvereinzelungsprozess nach
Anspruch 1 , wobei der teilweise verseifte Polyvinylalkohol einen Polymerisationsgrad von 300 und einen Verseifungsgrad von 80 Mol% aufweist. - Prozesslösung für einen Chipvereinzlungsprozess nach
Anspruch 1 , wobei der Polyoxyelhylen-polyoxypropylenglyenlether eine Durchschnittszahl des Molekulargewichts von 15.500 mit einem Polymerisattionsverhältnis von Polyoxyethylen zu Polyoxypropylen von 83:17 aufweist. - Prozesslösung für einen Chipvereinzelungsprozess, welche durch Verdünnen einer Lösung für einen Chipveneinzelungsprozess 10.000-fach bis 100.000-fach mit destilliertem Wasser erhalten wird, wobei die Lösung aufweist: 1,0 Gew.-% bis 1,5 Gew.-% eines teilweise verseiften Polyvinylalkohols mit einem Polymerisationsgrad von 300 und einem Verseifungsgrad von 80 Mol%; 0,4 Gew.-% bis 0,6 Gew,-% Polyoxyethylen-polyoxypropylenglycolether mit einer Durchschnittszahl des Molekulargewichts von 15.500 mit einem Polymerisationverhältnis von Polyoxyethylen zu Polyoxypropylen von 83:17; sowie destilliertes Wasser.
- Prozesslösung für einen Chipvereinzellungsprozess nach
Anspruch 1 , wobei die Lösung für einen Chipvereinzelungsprozessdes Weiteren 0,1Gew.-% Phenylglycol aufweist. - Prozesslösung für einen Chipvereinzellung nach
Anspruch 1 , wobei der teilweise verseifte Polyvinylalkohol in der Lösung für einen Chipvereinzelungsprozess einen Polymerisationsgrad von 300 und einen Verseifungsgrad von 80 Mol% aufweist und die Lösung für einen Chipvereinzelungsprozess des Weiteren 0,1 Gew.-% Phenylglycol aufweist. - Prozesslösung für einen Chipvereinzelungsprozess nach
Anspruch 4 , wobei die Lösung für einen Chipvereinzelungsprozess des Weiteren 0,1 Gew.-% Phenylglycol aufweist. - Chipvereinzelungsprozess, der mittels einer Chipvereinzellungs-Klinge entlang von Bahnen eines Wafers ausgeführt wird, wobei der Chipveireinzelungsprozess ausgeführt wird, indem eine Chipvereinzelungslösung für einen Chipvereinzelungsprozess, die durch ein 10.000-faches bis 100.000-faches Verdünnen einer Lösung für einen Chipvereinzelungsprozess erhalten wird, auf die Chipvereinzelungs-Klinge geblasen wird; und wobei die Lösung für einen Chipvereinzelüngsprozess aufweist: 1,0 Gew-% bis 1,5 Gew.-% eines teilweise verseiften Polyvinylalkohols mit einem Polymerisationsgrad von 200 bis 400 und einem Verseifungsgrad von 75 Mol% bis 85 Mol%: 0,4 Gew.-% bis 0,6 Gew.-% Polyoxyethylen-polyoxypropylenglycolether mit einer Durchscchniltszahl des Molekulargewichts von 10.000 bis 20.000 mit einem Polymerisationsverhältnis von Polyoxyethylen zu Polyoxypropylen von 75:25 bis 85:15; sowie destilliertes Wasser.
- Chipvereinzelungsprozeess nach
Anspruch 8 , wobei der teilweise verseifte Polyvinylalkohol der Lösung für einen Chipvereinzelungsprozess einen Polymerierisatinnsgrad von 300 und einen Verseifungsgrad von 80 Mol% aufweist. - Chipvereinnzelungsprozess nach
Anspruch 8 , wobei die Lösung für einen Chipvereinzelungsprozess den teilweise verseiften Polyvinylalkohol aufweist, der einen Polymerisationsgrad von 300 und einen Verseifunngsgrad von 80 Mol% aufweist; und wobei der Polyoxyethelynel-polyoxypropylerglycoltelher der Lösung für einen Chipvereinzelungsprozess eine Durchschnittszahl des Molekulargewichts von 15.500 mit einem Pollymerisationsverhältnis von Polyoxyethylen zu Polyoxypropylen von 83:17 aufweist. - Chipvereinzelungsprozess nach
Anspruch 8 , wobei die Lösung für einen Chipvereinzelungsprozess des Weiteren 0,1 Gew.-% Pnenylglycol aufweist.
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115304967B (zh) * | 2022-07-22 | 2023-08-15 | 大连奥首科技有限公司 | 一种晶圆切割保护液、制备方法、用途及切割方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5253765B2 (ja) | 2007-07-05 | 2013-07-31 | 株式会社Adeka | ダイシング切削水用添加剤及びそれを使用した切削加工方法 |
DE112013004295T5 (de) | 2012-08-31 | 2015-05-13 | Fujimi Incorporated | Polierzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Substrats |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5253765Y2 (de) | 1974-10-26 | 1977-12-06 | ||
JPH01311196A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 水溶性潤滑剤 |
JP4593064B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP4606010B2 (ja) | 2003-04-30 | 2011-01-05 | 日東電工株式会社 | 放射線硬化型再剥離用水分散型アクリル系粘着剤組成物および放射線硬化再剥離型アクリル系粘着シート |
JP2006111728A (ja) | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Palace Chemical Co Ltd | ワイヤソー用切削油剤 |
JP2006290956A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Adeka Corp | 水系潤滑剤組成物 |
JP2007027531A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Nikka Seiko Kk | ウエハー類の水溶性表面保護剤 |
JP2007214205A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
JP2008027984A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Tokuyama Corp | 基板洗浄液 |
US20090149359A1 (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-11 | Hundley Lloyd E | Formulation of a metal working fluid |
US9694214B2 (en) * | 2008-04-16 | 2017-07-04 | Dow Corning Corporation | Preparation of silicone microemulsions |
CN102209801B (zh) * | 2008-10-10 | 2014-05-14 | 玛格纳斯太尔汽车技术股份公司 | 用水性润滑剂第一次生产并调试变速器单元的方法以及该润滑剂 |
KR20140027561A (ko) * | 2009-06-09 | 2014-03-06 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마제, 연마제 세트 및 기판의 연마 방법 |
KR20150001804A (ko) * | 2010-03-31 | 2015-01-06 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 다이싱 시트 |
CN105051145B (zh) * | 2013-03-19 | 2018-06-26 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物、研磨用组合物制造方法及研磨用组合物制备用试剂盒 |
JP2015134373A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-27 | 日化精工株式会社 | レーザー加工用保護膜剤 |
CN104096384A (zh) * | 2014-05-12 | 2014-10-15 | 青岛蓬勃石油技术服务有限公司 | 一种消泡剂及其制备方法 |
EP3427724A4 (de) * | 2016-03-10 | 2019-11-13 | Sumitomo Dainippon Pharma Co., Ltd. | Zusammensetzung mit feinen partikeln und verfahren zur herstellung davon |
-
2018
- 2018-08-31 JP JP2018163424A patent/JP7221479B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-10 TW TW108124352A patent/TWI716030B/zh active
- 2019-08-16 US US16/542,768 patent/US11608433B2/en active Active
- 2019-08-19 SG SG10201907630XA patent/SG10201907630XA/en unknown
- 2019-08-22 KR KR1020190102893A patent/KR20200026072A/ko unknown
- 2019-08-28 DE DE102019123080.2A patent/DE102019123080B4/de active Active
- 2019-08-30 CN CN201910813115.5A patent/CN110875221B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5253765B2 (ja) | 2007-07-05 | 2013-07-31 | 株式会社Adeka | ダイシング切削水用添加剤及びそれを使用した切削加工方法 |
DE112013004295T5 (de) | 2012-08-31 | 2015-05-13 | Fujimi Incorporated | Polierzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Substrats |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11608433B2 (en) | 2023-03-21 |
DE102019123080A1 (de) | 2020-03-05 |
CN110875221A (zh) | 2020-03-10 |
SG10201907630XA (en) | 2020-03-30 |
KR20200026072A (ko) | 2020-03-10 |
TW202010835A (zh) | 2020-03-16 |
US20200075413A1 (en) | 2020-03-05 |
JP7221479B2 (ja) | 2023-02-14 |
JP2020035967A (ja) | 2020-03-05 |
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