DE102019117214A1 - Kontakthöckerkissenumfassung, Kontakthöckerverbinder, elektrisches Bauteil, elektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen - Google Patents
Kontakthöckerkissenumfassung, Kontakthöckerverbinder, elektrisches Bauteil, elektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen Download PDFInfo
- Publication number
- DE102019117214A1 DE102019117214A1 DE102019117214.4A DE102019117214A DE102019117214A1 DE 102019117214 A1 DE102019117214 A1 DE 102019117214A1 DE 102019117214 A DE102019117214 A DE 102019117214A DE 102019117214 A1 DE102019117214 A1 DE 102019117214A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- shield
- bump
- bump pad
- sio
- ubm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 59
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 13
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 231100001010 corrosive Toxicity 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3192—Multilayer coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
- H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/02185—Shape of the auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
- H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
- H01L2224/0219—Material of the auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05166—Titanium [Ti] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05555—Shape in top view being circular or elliptic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
- H01L2224/05572—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface the external layer extending out of an opening
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05655—Nickel [Ni] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/1301—Shape
- H01L2224/13016—Shape in side view
- H01L2224/13018—Shape in side view comprising protrusions or indentations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3512—Cracking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Es ist eine Kontakthöckerkissenumfassung bereitgestellt, die eine verbesserte Zuverlässigkeit einer Kontakthöckerverbindung bereitstellt. Die Kontakthöckerkissenumfassung umfasst ein Elektrodenkissen, eine UBM und eine erste Abschirmung. Die erste Abschirmung deckt wenigstens einen ersten Umfangsbereich des Elektrodenkissens ab. Die erste Abschirmung ist bereitgestellt und ist dazu ausgelegt, den ersten Umfangsbereich von einem schädlichen Einfluss der Umgebung abzuschirmen.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Kontakthöckerkissenumfassungen (Bump-Pad-Umfassungen), die die Korrosionsfestigkeit von Kontakthöckerverbindungen (Bump-Pad-Verbindungen) verbessern können und entsprechend die Zuverlässigkeit von elektrischen Vorrichtungen verbessern.
- Kontakthöckerverbindungen können verwendet werden, um Elektrodenkissen von unterschiedlichen elektrischen Bauteilen elektrisch und mechanisch zu verbinden, um eine elektrische Vorrichtung zu schaffen, die die zwei (und potenziell mehr) elektrischen Bauteile umfasst.
- Gewöhnlich umfasst eine Kontakthöckerverbindung ein Lötmaterial, das zwischen zwei Elektrodenkissen angeordnet ist. Weiter ist ein Kontakt zwischen einem der Elektrodenkissen zum Lötmaterial bereitgestellt durch eine erste lötfähige Metallisierung (Under Bump Metallization,
UBM ) des ersten Bauteils. Eine Verbindung zwischen dem Lötmaterial und dem zweiten Elektrodenkissen ist von einer entsprechenden zweitenUBM bereitgestellt, die mit einem zweiten elektrischen Bauteil zusammenhängt. - Herkömmliche Kontakthöckerverbindungen sind störanfällig. Insbesondere kann eine Rissbildung eines der Bestandteile einer Kontakthöckerverbindung die Kontakthöckerverbindung nutzlos machen im Hinblick auf ihre elektrische und/oder mechanische Funktion. Als eine Folge kann die entsprechende Vorrichtung nutzlos sein, wenn lediglich eine einzelne Kontakthöckerverbindung ausfällt.
- Ein Ausfall einer Kontakthöckerverbindung kann während eines normalen Betriebs der elektrischen Vorrichtung stattfinden. Ein Ausfall kann jedoch bereits während der Herstellungsschritte der Vorrichtung oder der Bauteile der Vorrichtung stattfinden, z. B., wenn während der Verarbeitungsschritte potenziell gefährliche Materialien verwendet werden. Insbesondere können korrosive Materialien eine Kontakthöckerverbindung gefährden, jedoch wichtig für Verarbeitungsschritte zum Herstellen der elektrischen Vorrichtung oder Bauteile sein.
- Somit wird eine Verbesserung der Zuverlässigkeit einer Kontakthöckerverbindung gewünscht, z. B., um die Zuverlässigkeit von elektrischen Vorrichtungen und Bauteilen und die Ausbeute von Herstellungsschritten zu steigern. Insbesondere sind korrosionsbeständige Kontakthöckerverbindungen gewünscht.
- Zu diesem Zweck ist eine Kontakthöckerkissenumfassung gemäß des unabhängigen Anspruchs bereitgestellt. Abhängige Ansprüche stellen bevorzugte Ausführungsformen einer Kontakthöckerkissenumfassung, eines Kontakthockerverbinders, eines elektrischen Bauteils, einer elektrischen Vorrichtung und eines Verfahrens zum Herstellen eines elektrischen Bauteils bereit.
- Die Kontakthöckerkissenumfassung umfasst ein Elektrodenkissen, eine
UBM und eine erste Abschirmung. Die erste Abschirmung deckt wenigstens einen Umfangsbereich des Elektrodenkissens ab. Die erste Abschirmung ist bereitgestellt und dazu ausgelegt, den ersten Umfangsbereich von einem schädlichen Einfluss der Umgebung abzuschirmen. - Die Umgebung kann die Umgebung während Herstellungsprozessen sein oder die Umgebung der/des entsprechenden Vorrichtung oder Bauteils, die/das aufbewahrt wird, oder die/das von einer Person verwendet wird.
- Es ist möglich, dass die Umgebung einen korrosiven Stoff und/oder Wasser umfasst. Insbesondere ist es möglich, dass die Umgebung Feuchtigkeit umfasst.
- Der erste Umfangsbereich der ersten Abschirmung kann sich am Umfang der Schnittstelle befinden zwischen dem entsprechenden Lötmaterial, das mit einer
UBM verbunden ist, und einerUBM . - Es ist möglich, dass das Lötmaterial Zinn oder Silber umfasst oder eine Zinn-Silber-Legierung. Weiter ist es möglich, dass das Elektrodenkissen Aluminium, Kupfer umfasst oder eine Aluminium/Kupfer-Legierung. Wenn ein korrosiver Stoff in Kontakt mit einer
UBM oder einem Elektrodenkissen kommt, dann kann es zu Korrosion der entsprechenden Materialien kommen, die zur Zerstörung von entsprechenden bekannten Kontakthöckerverbindungen führen kann. Somit ist insbesondere der Umfangsbereich der Schnittstelle zwischen dem Lötmaterial und einerUBM anfällig für Defekte (weil der Schnittstellenbereich zwischen dem Lötmaterial und einerUBM gewöhnlich horizontal beschränkt ist, z. B. durch einen Ring, der ein Elektrodenkissen festlegt), weil dieser Bereich einen Pfad für korrosive Stoffe schafft, die in den Kontakthöckerkissenaufbau eintreten. - Statt eines Ringes ist jedoch auch eine elliptische, rechteckige, ovale oder quadratische Form möglich.
-
- Es ist weiter möglich, dass die Grundfläche der Form einer
UBM eine stadion-ähnliche Form aufweist (d. h. aus zwei Halbkreisen und einem Rechteck besteht, das zwischen den zwei Halbkreisen angeordnet ist). - Das Vorhandensein einer ersten Abschirmung, insbesondere einer Abschirmwirkung - durch die erste Abschirmung - dieses empfindlichen ersten Umfangsbereichs vor den schädlichen Einflüssen der Umgebung verringert erheblich die Wahrscheinlichkeit, dass korrosive Stoffe in die empfindlichen Bereiche des Kontakthöckerkissenaufbaus eintreten.
- Somit ist die Zuverlässigkeit der entsprechenden Kontakthöckerverbindung erheblich erhöht und, als ein Ergebnis davon, ist die Zuverlässigkeit der entsprechenden Bauteile und Vorrichtungen ebenfalls erhöht.
- Aus demselben Grund ist die Ausbeute von Herstellungsprozessen erhöht und führt ebenfalls zu niedrigeren Herstellungskosten.
- Entsprechend ist es möglich, dass die erste Abschirmung eine Feuchtigkeitsabschirmung ist.
- Somit ist die erste Abschirmung eine Abschirmung, die den Kontakthöckerkissenaufbau davor schützt, dass Wassermoleküle in den Aufbau eintreten.
- Es ist möglich, dass die erste Abschirmung eine Dicke t mit t ≤ 500 nm oder t ≤ 400 nm oder t ≤ 300 nm aufweist.
- Weiter ist es möglich, dass die erste Abschirmung eine Dicke t aufweist, die 25 nm oder größer ist.
- Die erste Abschirmung kann als ein lagenweiser Aufbau bereitgestellt sein, wobei die Erstreckung des Materials der Abschirmung in Richtungen orthogonal zur Dickenrichtung wesentlich größer ist als die Dicke. Somit ist die Dicke der ersten Abschirmung unabhängig von der Ausrichtung der Abschirmung. Insbesondere ist es möglich, dass das Material der Abschirmung an einer horizontalen Oberfläche angebracht ist an einer Stelle und an einer vertikalen oder geneigten Oberfläche (geneigt im Hinblick auf die horizontale Ebene) an einer anderen Stelle.
- Es ist jedoch insbesondere möglich, dass die bereitgestellte Dicke wenigstens teilweise die Dicke der Abschirmung in einer vertikalen (z) Richtung festlegt.
- In diesem Zusammenhang bestimmt die Hauptoberseite eines elektrischen Bauteils die Ausrichtung einer horizontalen Ebene, die sich entlang der xy-Richtung erstreckt. Entsprechend erstreckt sich die z-Richtung entlang der vertikalen Richtung.
- Es ist möglich, dass die erste Abschirmung ein Material umfasst oder daraus besteht, das aus einem Siliziumnitrid ausgewählt ist, z. B. SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5) oder einem stöchiometrischen Siliziumnitrid Si3N4a, einem Aluminiumoxid Al2O3, einem Siliziumoxid, SiO2, einem Zirkoniumoxid, ZrO2, einem Titanoxid, TiO2, einer Verbindung, die ein Silizium, Stickstoff und Sauerstoff umfasst, z. B. einer Verbindung, die Siliziumnitrid und Siliziumoxid umfasst, einer Verbindung, die Aluminium, Sauerstoff und Silizium umfasst, z. B. einer Verbindung, die Aluminiumoxid und Siliziumoxid umfasst, z. B. einer Verbindung, die Al2O3 und SiO2, umfasst, einer Verbindung, die Aluminium, Sauerstoff und Zirkonium umfasst, z. B. einer Verbindung, die Aluminiumoxid und Zirkoniumoxid umfasst, z. B. einer Verbindung, die Al2O3 und ZrO2 umfasst, einer Verbindung, die Aluminium, Sauerstoff und Titan umfasst, z. B. einer Verbindung, die Aluminiumoxid und Titanoxid umfasst, z. B. einer Verbindung, die Al2O3 und TiO2 umfasst.
- Im Allgemeinen ist bevorzugt, dass die erste Abschirmung ein Material umfasst, das eine starke Barriere gegen korrosive Stoffe bereitstellt, wie etwa Wasser.
- Die erste Abschirmung kann bereitgestellt sein durch Nutzen herkömmlicher Materialabscheidungstechniken, wie etwa physikalischer oder chemischer Gasphasenabscheidung, wie etwa Kathodenzerstäubungsabscheidung oder ALD (Atomic Layer Deposition, Atomlagenabscheidung). Die erste Abschirmung kann auch erreicht werden durch Anwenden von Strukturierungtechniken einschließlich der Abscheidung eines Resistmaterials und der Entfernung von Material der ersten Abschirmung.
- Es ist möglich, dass die erste Abschirmung einen Einlagenaufbau oder einen Mehrlagenaufbau umfasst.
- Wenn die erste Abschirmung einen Einlagenaufbau umfasst, dann besteht die erste Abschirmung aus einem homogenen Material. Wenn die erste Abschirmung einen Mehrlagenaufbau umfasst, dann können mehrere von zwei oder mehr Lagen, deren Material ausgewählt sein kann aus der vorstehend angegebenen Auswahl, aufeinander angeordnet sein, um eine Mehrlagenbarriere gegen unerwünschte korrosive Stoffe zu schaffen.
- Somit schafft die erste Abschirmung eine wirkungsvolle Barriere, die typische Eintrittspfade von korrosiven Stoffen in den Aufbau von herkömmlichen Kontakthöckerverbindungen schließt.
- Es ist möglich, dass die Kontakthockerkissenumfassung weiter ein Abdeckelement umfasst. Das Abdeckelement kann wenigstens teilweise einen Bereich einer Oberseite der ersten Abschirmung abdecken.
- Das Abdeckelement kann auch ein Material oder einen Material/Lagenaufbau umfassen oder daraus bestehen wie vorstehend beschrieben. Insbesondere kann das Abdeckelement eine Dicke aufweisen, die die Dicke der ersten Abschirmung überschreitet. Das Abdeckelement kann zur mechanischen Stabilität der Kontakthockerverbindung beitragen und eine innere vertikale Flanke und eine äußere vertikale Flanke aufweisen. Insbesondere kann die innere vertikale Flanke im Wesentlichen den Schnittstellenbereich zwischen einer
UBM und einem Lotmaterial festlegen. - In einer bevorzugten Kontakthöckerkissenumfassung umfasst das Abdeckelement ein Siliziumoxid wie etwa SiO2 und/oder ein ein Siliziumnitrid wie etwa SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5) wie etwa Si3N4.
- Es ist möglich, dass die Kontakthöckerkissenumfassung weiter eine zweite Abschirmung umfasst. Die zweite Abschirmung deckt wenigstens einen zweiten Umfangsbereich des Elektrodenkissens ab. Weiter ist es möglich, dass die zweite Abschirmung bereitgestellt ist und dazu ausgelegt ist, den zweiten Umfangsbereich von einem schädlichen Einfluss der Umgebung abzuschirmen.
- Insbesondere ist es möglich, dass die zweite Abschirmung die erste Abschirmung erhöht beim Schützen des Aufbaus der Kontakthöckerverbindung gegen äußere schädliche Einflüsse.
- Entsprechend ist es möglich, dass die zweite Abschirmung eine Feuchtigkeitsabschirmung ist.
- Es ist möglich, dass die zweite Abschirmung eine Dicke
t2 mit t2 ≤ 500 nm oder t2 ≤ 400 nm oder t2 ≤ 300 nm aufweist. - Die zweite Abschirmung kann auch die vorstehend angegebene Materialgruppe umfassen oder daraus bestehen.
- Insbesondere ist es möglich, dass die erste Abschirmung Siliziumnitrid umfasst oder daraus besteht (z. B. SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5), z. B. Si3N4), und dass die zweite Abschirmung Siliziumnitrid umfasst oder daraus besteht (z. B. SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5), z. B. Si3N4).
- Auch ist es möglich, dass die erste Abschirmung Al2O3 umfasst oder daraus besteht, und das die zweite Abschirmung Siliziumnitrid umfasst oder daraus besteht (z. B. SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5), z. B. Si3N4).
- Auch ist es möglich, dass die erste Abschirmung Siliziumnitrid umfasst oder daraus besteht (z. B. SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3.5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5), z. B. Si3N4), und dass die zweite Abschirmung Al2O3 umfasst oder daraus besteht.
- Es ist möglich, dass die zweite Abschirmung einen Einlagenaufbau oder einen Mehrlagenaufbau umfasst.
- Entsprechend der ersten Abschirmung ist es möglich, dass, wenn die zweite Abschirmung einen Einlagenaufbau umfasst, die zweite Abschirmung dann ein homogenes Material aufweist. Andernfalls kann das zweite Material mehrere von zwei oder mehr Lagen umfassen, von denen jede eines der vorstehend angegebenen Materialien umfassen oder daraus bestehen kann.
- Es ist möglich, dass die zweite Abschirmung bereitgestellt ist und dazu ausgelegt ist, wenigstens eine vertikale Flanke der ersten Abschirmung von einem schädlichen Einfluss der Umgebung abzuschirmen.
- Somit ist es möglich, dass es einen Schnittstellenbereich zwischen der ersten Abschirmung und der zweiten Abschirmung gibt, wobei das Material der ersten Abschirmung in direktem Kontakt mit dem Material der zweiten Abschirmung ist.
- Insbesondere ist es möglich, dass diese Schnittstellenregion zwischen der ersten und der zweiten Abschirmung an einer Position ist, die in der Regel Teil eines Pfads von unerwünschten korrosiven Stoffen ist, die in den Aufbau der Kontakthöckerverbindung eintreten.
- Es ist möglich, dass ein Kontakthöckerverbinder eine Kontakthöckerkissenumfassung wie vorstehend beschrieben umfasst. Der Kontakthöckerverbinder kann weiter Lötmaterial umfassen, das bereitgestellt ist und dazu ausgelegt ist, eine Kontakthöckerverbindung zu schaffen.
- Das Material des Elektrodenkissens des Kontakthöckerverbinders kann elektrisch und mechanisch mit einer Signalleitung an der Oberfläche eines Trägersubstrats verbunden sein. Entsprechend ist es auch möglich, dass der Kontakthöckerverbinder, der die Kontakthöckerkissenumfassung umfasst, an der Oberfläche des Trägersubstrats angeordnet ist. Die Oberfläche kann die Oberfläche sein, die auf eine entsprechende gegenüberliegend ausgerichtete Oberfläche eines zweiten elektrischen Bauteils ausgerichtet ist, das elektrisch und mechanisch über eine Kontakthöckerverbindung mit dem Kontakthöckerverbinder verbunden ist.
- Weiter kann ein elektrisches Bauteil einen Kontakthöckerverbinder wie vorstehend beschrieben umfassen, der an einer Oberseite des elektrischen Bauteils angeordnet ist.
- Der Kontakthöckerverbinder des elektrischen Bauteils kann dazu ausgelegt sein und bereitgestellt sein, um eine elektrische und mechanische Verbindung zu einem weiteren elektrischen Bauteil zu schaffen, so dass die zwei elektrischen Bauteile wenigstens einen Teil einer elektrischen Vorrichtung schaffen.
- Entsprechend kann eine elektrische Vorrichtung ein oder zwei elektrische Bauteile wie vorstehend beschrieben umfassen. Eine Kontakthöckerverbindung, die ein Lötmaterial zwischen zwei Kontakthöckerverbindern umfasst, schafft den endgültigen elektrischen und mechanischen Kontakt zwischen den zwei Bauteilen.
- Ein Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauteils, das eine Kontakthöckerkissenumfassung wie vorstehend angegeben umfasst, kann die folgenden Schritte umfassen:
- - Bereitstellen eines Elektrodenkissens,
- - Abscheiden von Material der ersten Abschirmung wenigstens in einem ersten Umfangsbereich,
- - Abscheiden von Material von einer
UBM . - Somit sind Kontakthöckerkissenumfassungen bereitgestellt, die die Zuverlässigkeit von Kontakthöckerverbindungen steigern. Eine Kontakthöckerverbindung umfasst ein Lotmaterial zwischen zwei Kontakthöckerverbindern, wobei jeder Kontakthöckerverbinder einem von zwei elektrischen Bauteilen zugeordnet ist, und wobei wenigstens einer der Kontakthöckerverbinder eine Kontakthöckerkissenumfassung wie vorstehend beschrieben umfasst. Es wird jedoch anerkannt, wenn beide Kontakthöckerverbinder eine Kontakthöckerkissenumfassung wie vorstehend beschrieben umfassen.
- Bei derartigen Kontakthöckerverbindungen sind die Zuverlässigkeit und die Ausbeute während Herstellungsprozessen erheblich gesteigert. Das Risiko einer korrosionsbedingten Zerstörung einer Kontakthöckerverbindung, die zu einem Ausfall einer ganzen Vorrichtung führt, ist verringert. Insbesondere ist ein Eintrittspfad für korrosive Stoffe in die Kontakthöckerkissenstruktur wirkungsvoll blockiert.
- Die Bereitstellung von ersten und/oder zweiten Abschirmungen mit einer Dicke von 500 nm oder weniger verringert erheblich das Risiko von Rissen des Lagenaufbaus.
- Die
UBM kann einen Einlagenaufbau oder einen Mehrlagenaufbau umfassen. Insbesondere kann dieUBM eine adhäsive Lage umfassen, z. B. mit Titan für eine gute Adhäsion am Elektrodenkissen. Es ist möglich, dass dieUBM Nickel oder Gold umfasst oder Nickel und Gold oder eine Nickel/Gold-Legierung wenigstens an einer Oberlage, um eine gut lötbare Schnittstellenlage für das Lotmaterial bereitzustellen. - Eine oberste Ebene der
UBM kann - in einer vertikalen Richtung - sich über die vertikale Ebene eines Abdeckelements hinaus erstrecken. Es ist jedoch ebenfalls möglich, dass die vertikale Ebene derUBM angepasst ist und der vertikalen Ebene des Abdeckelements entspricht. Es ist jedoch ebenfalls möglich, dass die vertikale Ebene - in der vertikalen Richtung weg vom Material des Elektrodenkissens - sich über die vertikale Ebene derUBM erstreckt. - Zentrale Aspekte der Kontakthöckerkissenumfassung, einer entsprechenden Kontakthöckerverbindung, eines Kontakthöckerverbinders, eines elektrischen Bauteils oder einer elektrischen Vorrichtung und Einzelheiten von bevorzugten Ausführungsformen sind in den begleitenden schematischen Zeichnungen gezeigt.
- In den Figuren:
- zeigt
1 einen Querschnitt, der eine mögliche Anordnung der ersten Abschirmung im Hinblick auf das Elektrodenkissen und dieUBM veranschaulicht; - zeigt
2 eine Anordnung des Aufbaus auf einem Trägersubstrat; - zeigt
3 eine Verwendung eines Abdeckelements; - zeigt
4 eine Höhe derUBM , die sich über die Hohe des Abdeckelements erstreckt; - zeigt
5 eine Verwendung der zweiten Abschirmung; - zeigt
6 eine Ausgestaltung mit der zweiten Abschirmung, wobei die Dicke derUBM ungefähr der Dicke des Abdeckelements entspricht; - zeigt
7 eine Beziehung zwischen dem Kontakthöckerverbinder und einem Lötkontakthöcker; - zeigt
8 Einzelheiten einer Kontakthöckerverbindung zwischen einerUBM des Kontakthöckers zu einer zweitenUBM ; und - zeigt
9 entsprechende Elemente der Kontakthöckerkissenumfassung in einer Querschnittansicht (oberer Teil) und einer Draufsicht (unterer Teil). -
1 zeigt einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Kontakthöckerkissens, der die Anordnung der ersten AbschirmungSL1 an dem ersten UmfangsbereichPA1 an dem ElektrodenkissenEP veranschaulicht. Material einerUBM ist auf dem ElektrodenkissenEP angeordnet, so dass es einen Schnittstellenbereich zwischen derUBM und dem Elektrodenkissen gibt. Ein kritischer Bereich ist der Umfang, der die Schnittstelle zwischen derUBM und dem ElektrodenkissenEP umgibt, der den Eintritt eines PfadsP schafft, über den korrosive Stoffe in den Kissenaufbau eintreten können. Die Bereitstellung der ersten AbschirmungSL1 am ersten UmfangsbereichPA1 schafft eine wirkungsvolle Blockade für unerwünschte Ätzstoffe, so dass der PfadP nicht länger einen Weg zum ElektrodenkissenEP bereitstellt. - Die erste Abschirmung
SL1 weist eine Dicket1 auf. In Bereichen, in denen die erste AbschirmungSL1 auf einer horizontalen Oberfläche des ElektrodenkissensEP angeordnet ist, ist die Dicke der ersten AbschirmungSL1 festgelegt durch die Erstreckung des Materials der Abschirmung in der vertikalen Richtungz . - Es ist jedoch ebenfalls möglich, dass Material der ersten Abschirmung
SL1 an vertikalen oder geneigten Seiten des ElektrodenkissensEP angeordnet ist, z. B. wie auf der rechten Seite von1 gezeigt. Dann ist die Dicke der AbschirmungSL1 natürlich festgelegt als deren Erstreckung entlang einer horizontalen Richtungx . - In
1 stellt dieUBM eine lötbare Schnittstelle an ihrer Oberseite bereit, über die dieUBM mit einer anderenUBM eines weiteren elektrischen Bauteils verbunden sein kann. - Ein verbessertes Blockieren von schädlichen Stoffen wird insbesondere erreicht durch Anordnen des Elektrodenkissens
EP , der ersten AbschirmungSL1 und derUBM derart, dass eine Überlappung erreicht wird, insbesondere in einer horizontalen Richtung. Somit gibt es einen Bereich, in dem Material des ElektrodenkissensEP durch Material der ersten AbschirmungSL1 abgedeckt ist, während gleichzeitig Material der ersten AbschirmungSL1 von Material derUBM abgedeckt ist. Diese ÜberlappungOVL verringert das Risiko erheblich, dass schädliche Stoffe das Material des ElektrodenkissensEP erreichen. -
2 veranschaulicht, dass der Kontakthöcker, der die erste AbschirmungSL1 umfasst, die das ElektrodenkissenEP wenigstens in dem ersten UmfangsbereichPA1 abdeckt, auf einem TrägersubstratCS angeordnet sein kann. An der Oberseite des TrägersubstratsCS kann das ElektrodenkissenEP in einer horizontalen Richtung erweitert sein, um eine Signalleitung zum Verbinden des ElektrodenkissensEP mit einer äußeren Schaltungsumgebung zu schaffen, die andere Schaltungselemente einschließt, die auf oder an dem TrägersubstratCS angeordnet sind. -
3 zeigt die Möglichkeit des wenigstens teilweisen Anordnens eines AbdeckelementsCE auf einer Oberseite der ersten AbschirmungSL1 . Das Material des AbdeckelementsCE kann verwendet werden, um das Volumen derUBM in einer horizontalen Richtung zu begrenzen. Somit kann das AbdeckelementCE verwendet werden, um dieUBM - und daher den späteren Kontakthöcker - auf ein bestimmtes Gebiet auf dem ElektrodenkissenEP einzugrenzen. Somit bestimmt das AbdeckelementCE die Position des Randbereichs derUBM . - Die
UBM kann eine vertikale Ebene ihrer Oberseite aufweisen, die unter der obersten Ebene des AbdeckelementsCE ist. - Es ist jedoch ebenfalls möglich, dass die oberste Ebene der
UBM und der AbdeckelementeCE ungefähr angepasst sind. - Im Gegensatz dazu veranschaulicht
4 die Möglichkeit, dass eine oberste Ebene derUBM die Position des AbdeckelementsCE auf der obersten Ebene überschreitet. Dann schafft eine innere Flanke des AbdeckelementsCE , d. h. eine vertikale Flanke des AbdeckelementsCE , die in Richtung auf die Mitte der Kontakthöckerverbindung in einer horizontalen Richtung zeigt, nicht länger die horizontale Eingrenzung derUBM . DieUBM kann über die innere Flanke des AbdeckelementsCE in einer horizontalen Richtung hinausgehen. -
5 veranschaulicht die Möglichkeit des Bereitstellens der zweiten AbschirmungSL2 , um den Widerstand der Kontakthöckerkissenumfassung gegen unerwünschte Stoffe weiter zu verbessern. Die zweite AbschirmungSL2 kann eine zweite Dicket2 aufweisen. Weiter kann die zweite AbschirmungSL2 in direktem Kontakt mit dem ElektrodenkissenEP an einem zweiten UmfangsbereichPA2 sein. Der zweite UmfangsbereichPA2 kann innerhalb des Bereichs sein, der von dem ersten UmfangsbereichPA1 umgeben ist. - Insbesondere ist es möglich, dass das Material der zweiten Abschirmung
SL2 in direktem Kontakt ist zu der vertikalen FlankeVF des Materials der ersten AbschirmungSL1 , die in Richtung auf die Mitte der ersten Kontakthöckerverbindung zeigt, und diese daher schützt. Weiter ist eine zusätzliche Überlappung vorhanden, wobei Material der zweiten AbschirmungSL2 Material des AbdeckelementsCE überlappt, so dass ein potenzieller Pfad für unerwünschte Stoffe, die in den Aufbau eintreten, weiter blockiert ist. - Die vertikale Position auf der obersten Ebene der
UBM kann die vertikale oberste Ebene einer Oberseite der zweiten AbschirmungSL2 und einer vertikalen Position auf der obersten Ebene des AbdeckelementsCE überschreiten. Zusätzlich kann die vertikale Position auf der obersten Ebene der zweiten AbschirmungSL2 sich - in der vertikalen Richtung - über die Position auf der obersten Ebene des AbdeckelementsCE hinaus erstrecken. - Im Gegensatz dazu veranschaulicht
6 die Möglichkeit, dass die Position auf der obersten Ebene der zweiten AbschirmungSL2 sich über die Position auf der obersten Ebene - in einer vertikalen Richtung - derUBM und des AbdeckelementsCE hinaus erstreckt, während die Positionen auf der obersten Ebene derUBM und des Abdeckelements ungefähr angepasst sind. Dann bestimmt die obere innere vertikale Flanke der zweiten AbschirmungSL2 im Wesentlichen die Erstreckung derUBM in der lateralen Richtung. -
7 zeigt eine Ausgestaltung, in der Lötmaterial, das wenigstens teilweise eine Kontakthöckerkugel eines KontakthöckersBU schafft, auf derUBM angeordnet ist. Der KontakthöckerBU kann im Wesentlichen symmetrisch sein im Hinblick auf eine Rotationssymmetrie, die eine Symmetrielinie SYML aufweist, die orthogonal zur horizontalen Ebene ausgerichtet ist. Somit erstreckt sich die Symmetrielinie SYML im Wesentlichen entlang der vertikalen Richtungz . Die Kontakthöckerkissenumfassung, die die erste AbschirmungSL1 und dieUBM und - sofern vorhanden - das AbdeckelementCE umfasst, kann auch symmetrisch sein im Hinblick auf die Rotationssymmetrie, die die Symmetrielinie SYML aufweist. - Somit kann die Kontakthöckerkissenumfassung im Hinblick auf eine Draufsicht dem Umfang eines Kreises folgen. Es ist jedoch ebenfalls möglich, dass die Kontakthöckerkissenumfassung eine elliptische, rechteckige, ovale oder quadratische Form aufweist.
-
8 veranschaulicht das Material des KontakthöckersBU in einer verbundenen Ausgestaltung. Insbesondere verbindet das Lötmaterial des KontakthöckersBU elektrisch und mechanisch dieUBM des Kontakthöckerkissens, das die Kontakthöckerkissenumfassung wie vorstehend beschrieben aufweist, und eine zweiteUBM ,UBM2 , die Teil eines zweiten Kontakthöckerverbinders ist. Somit können zwei Kontakthöckerverbinder verbunden sein, die zu zwei unterschiedlichen elektrischen Bauteilen gehören. Somit können zuverlässige elektrische und mechanische Verbindungen zwischen unterschiedlichen elektrischen Bauteilen erreicht werden, um, z. B., eine elektrische Vorrichtung zu schaffen. - Die runde Symmetrie - im Hinblick auf eine vertikale Symmetrielinie - wie vorstehend in einer Draufsichtperspektive beschrieben, ist im unteren Teil von
9 veranschaulicht, der die Beziehung zu den in den Querschnitten der1 bis8 gezeigten Elementen veranschaulicht. Das Material der ersten AbschirmungSL1 wird von Material derUBM in jeder Randposition derUBM derart überlappt, dass eine vollständige Überlappung erreicht ist, derart, dass in jeder lateralen Randposition des Kontakthöckerkissenverbinders potenzielle Pfade für unerwünschte Stoffe wirkungsvoll blockiert sind. - Weder die Kontakthöckerkissenumfassung noch der entsprechende Kontakthöckerverbinder oder das elektrische Bauteil oder die elektrische Vorrichtung oder das Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauteils sind durch die vorstehend erläuterten und in den Figuren gezeigten technischen Einzelheiten eingeschränkt. Kontakthöckerverbindungen können weitere Elemente umfassen, wie etwa weitere Lagen, die die elektrische Leitfähigkeit, mechanische Stabilität und physikalische Adhäsion des Lagensystems weiter erhöhen. Auch sind weitere Abschirmelemente und Überlappungsregionen ebenfalls möglich.
- Bezugszeichenliste
-
- BU:
- Kontakthöcker
- CE:
- Abdeckelement
- CS:
- Trägersubstrat
- EP:
- Elektrodenkissen
- OVL:
- Überlappungsregion
- P:
- möglicher Pfad für unerwünschte Stoffe
- PA1:
- erster Umfangsbereich
- PA2:
- zweiter Umfangsbereich
- SL1, SL2:
- erste, zweite Abschirmung
- SL2SYML:
- Symmetrielinie
- t1, t2:
- Dicke der ersten, zweiten Abschirmung
- UBM:
- lötfähige Metallisierung (
UBM ) - UBM2:
- zweite
UBM ,UBM eines zweiten elektrischen Bauteils - VF:
- vertikale Flanke der ersten Abschirmung SL1
- x, y:
- horizontale Richtungen
- z:
- vertikale Richtung
Claims (18)
- Kontakthöckerkissenumfassung, umfassend - ein Elektrodenkissen, - eine lötfähige Metallisierung und - eine erste Abschirmung, wobei - die erste Abschirmung wenigstens einen ersten Umfangsbereich des Elektrodenkissens abdeckt, - die erste Abschirmung dazu bereitgestellt und ausgebildet ist, den ersten Umfangsbereich von einem schädlichen Einfluss der Umgebung abzuschirmen.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die erste Abschirmung eine Feuchtigkeitsabschirmung ist.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Abschirmung eine Dicke t aufweist mit t ≤ 500 nm oder t ≤ 400 nm oder t ≤ 300 nm.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Abschirmung ein Material umfasst oder daraus besteht, das ausgewählt ist aus SiNx, SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5), Si3N4, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2 und SiO2, Al2O3 und SiO2, Al2O3 und ZrO2, Al2O3 und TiO2.
- Kontakthockerkissenumfassung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Abschirmung einen Einlagenaufbau oder einen Mehrlagenaufbau umfasst.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter umfassend ein Abdeckelement, das wenigstens teilweise einen Bereich einer Oberseite der ersten Abschirmung abdeckt.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Abdeckelement ein Material umfasst oder daraus besteht, das ausgewählt ist aus SiNx, SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5), Si3N4, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2, SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5) und SiO2, Si3N4 und SiO2, Al2O3 und SiO2, Al2O3 und ZrO2, Al2O3 und TiO2.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Abdeckelement SiO2 und/oder ein Siliziumnitrid umfasst oder daraus besteht.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend eine zweite Abschirmung, wobei - die zweite Abschirmung wenigstens einen zweiten Umfangsbereich des Elektrodenkissens abdeckt, - die zweite Abschirmung bereitgestellt ist und dazu ausgelegt ist, den zweiten Umfangsbereich von einem schädlichen Einfluss der Umwelt abzuschirmen.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die zweite Abschirmung eine Feuchtigkeitsabschirmung ist.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der zwei vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Abschirmung eine Dicke t2 aufweist mit t2 ≤ 500 nm oder t2 ≤ 400 nm oder t2 ≤ 300 nm.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der drei vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Abschirmung ein Material umfasst oder daraus besteht, das ausgewählt ist aus SiNx, SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5), Si3N4, Al2O3, SiO2, ZrO2, TiO2, SixNy (mit 2,5 ≤ x ≤ 3,5; 3,5 ≤ y ≤ 4,5) und SiO2, Si3N4 und SiO2, Al2O3 und SiO2, Al2O3 und ZrO2, Al2O3 und TiO2.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der vier vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Abschirmung einen Einlagenaufbau oder einen Mehrlagenaufbau umfasst.
- Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der sechs vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Abschirmung dazu bereitgestellt und ausgebildet ist, wenigstens teilweise eine vertikale Flanke der ersten Abschirmung vor einem schädlichen Einfluss der Umgebung abzuschirmen.
- Kontakthöckerverbinder umfassend eine Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der vorhergehenden Ansprüche zusammen mit Lötmaterial, die dazu bereitgestellt und ausgebildet ist, eine Kontakthöckerverbindung zu schaffen.
- Elektrisches Bauteil umfassend einen Kontakthöckerverbinder nach dem vorhergehenden Anspruch.
- Elektrische Vorrichtung umfassend ein elektrisches Bauteil nach dem vorhergehenden Anspruch.
- Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauteils umfassend eine Kontakthöckerkissenumfassung nach einem der
Ansprüche 1 bis14 , umfassend die Schritte: - Bereitstellen eines Elektrodenkissens, - Abscheiden von Material der ersten Abschirmung wenigstens in einem ersten Umfangsbereich, - Abscheiden von Material einer lötfahigen Metallisierung.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019117214.4A DE102019117214A1 (de) | 2019-06-26 | 2019-06-26 | Kontakthöckerkissenumfassung, Kontakthöckerverbinder, elektrisches Bauteil, elektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen |
CN202080046184.9A CN114207814A (zh) | 2019-06-26 | 2020-06-09 | 具有用于凸块的焊盘的电组件及其制造方法 |
US17/620,644 US20220246546A1 (en) | 2019-06-26 | 2020-06-09 | Electric component with pad for a bump and manufacturing method thereof |
PCT/EP2020/065898 WO2020260005A1 (en) | 2019-06-26 | 2020-06-09 | Electric component with pad for a bump and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102019117214.4A DE102019117214A1 (de) | 2019-06-26 | 2019-06-26 | Kontakthöckerkissenumfassung, Kontakthöckerverbinder, elektrisches Bauteil, elektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102019117214A1 true DE102019117214A1 (de) | 2020-12-31 |
Family
ID=71094303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102019117214.4A Pending DE102019117214A1 (de) | 2019-06-26 | 2019-06-26 | Kontakthöckerkissenumfassung, Kontakthöckerverbinder, elektrisches Bauteil, elektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220246546A1 (de) |
CN (1) | CN114207814A (de) |
DE (1) | DE102019117214A1 (de) |
WO (1) | WO2020260005A1 (de) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030073300A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming a bump on a copper pad |
US20090218684A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-09-03 | Mark Pavier | Autoclave capable chip-scale package |
US20130087908A1 (en) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bump with protection structure |
US20130134563A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electrical Connection Structure |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5709904A (en) * | 1996-07-15 | 1998-01-20 | C&C Column Technologies, Inc. | System for manufacturing chromatographic columns |
US6586323B1 (en) * | 2000-09-18 | 2003-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for dual-layer polyimide processing on bumping technology |
US20040115934A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-06-17 | Jerry Broz | Method of improving contact resistance |
WO2006072640A1 (es) * | 2004-12-29 | 2006-07-13 | Ministerio De Defensa | Método para procesar detectores de infrarrojo de seleniuro de plomo policristalino |
US8587119B2 (en) * | 2010-04-16 | 2013-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive feature for semiconductor substrate and method of manufacture |
US20120273937A1 (en) * | 2011-04-30 | 2012-11-01 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor Device and Method of Forming Bump Interconnect Structure with Conductive Layer Over Buffer Layer |
US9735123B2 (en) * | 2014-03-13 | 2017-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device structure and manufacturing method |
TWI638843B (zh) * | 2016-06-01 | 2018-10-21 | Lg化學股份有限公司 | 聚醯胺醯亞胺及其製備方法、聚醯胺醯亞胺膜以及顯示器用覆蓋基板 |
US10283471B1 (en) * | 2017-11-06 | 2019-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Micro-connection structure and manufacturing method thereof |
-
2019
- 2019-06-26 DE DE102019117214.4A patent/DE102019117214A1/de active Pending
-
2020
- 2020-06-09 US US17/620,644 patent/US20220246546A1/en active Pending
- 2020-06-09 WO PCT/EP2020/065898 patent/WO2020260005A1/en active Application Filing
- 2020-06-09 CN CN202080046184.9A patent/CN114207814A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030073300A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of forming a bump on a copper pad |
US20090218684A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-09-03 | Mark Pavier | Autoclave capable chip-scale package |
US20130087908A1 (en) * | 2011-10-06 | 2013-04-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bump with protection structure |
US20130134563A1 (en) * | 2011-11-30 | 2013-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Electrical Connection Structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020260005A1 (en) | 2020-12-30 |
US20220246546A1 (en) | 2022-08-04 |
CN114207814A (zh) | 2022-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69735318T2 (de) | Flip-Chip-Halbleiter mit Teststruktur und seine Herstellung | |
DE4201792C2 (de) | Anschlußelektrodenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102004025908A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE112012002363T5 (de) | Luftfeuchtigkeitssensor und Verfahren zu dessen Fertigung | |
DE3134343A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE10325020B4 (de) | Verfahren zum Versiegeln eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte Vorrichtung | |
DE102014102087B4 (de) | Kontaktflecke über prozesssteuerungs-/überwachungs-strukturen in einem halbleiterchip | |
DE102010038933A1 (de) | Halbleitervorrichtung mit Halbleiterchip und Metallplatte und Verfahren zu deren Fertigung | |
DE60202208T2 (de) | Leistungskontakte zum aufschlag hoher ströme pro anschluss in siliziumtechnologie | |
DE112015002360B4 (de) | Vorrichtung für elastische Wellen und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE69825808T2 (de) | Photoelektrische Umwandlungsanordnung | |
DE102015215577A1 (de) | Flüssigkristallanzeigefeld und Verfahren zum Herstellen desselben | |
DE112019005745T5 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE102013108979B4 (de) | Anschlussstruktur und Halbleiterbauelement | |
DE19842441B4 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102011076883B4 (de) | Halbleitervorrichtungen | |
EP1129485A1 (de) | Elektronisches bauelement und verwendung einer darin enthaltenen schutzstruktur | |
EP0152557B1 (de) | Halbleiterbauelement mit höckerartigen, metallischen Anschlusskontakten und Mehrlagenverdrahtung | |
DE112005002762T5 (de) | Beabstandete, mit Kontakthöckern versehene Komponenten-Struktur | |
DE102019117214A1 (de) | Kontakthöckerkissenumfassung, Kontakthöckerverbinder, elektrisches Bauteil, elektrische Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen | |
DE102005043914B4 (de) | Halbleiterbauelement für Bondverbindung und Verfahren zur Herstellung | |
DE102007018854B4 (de) | Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren, Halbleiterwafer und Halbleitervorrichtung | |
DE102018124497A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung | |
DE112019001349T5 (de) | Integrierte schaltungs- (ic-) vorrichtung mit einem kraftminderungssystem zur reduzierung von schäden unterhalb von pads, die durch drahtbonden verursacht werden | |
DE102011122927B3 (de) | Halbleitervorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: BARDEHLE PAGENBERG PARTNERSCHAFT MBB PATENTANW, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: RF360 SINGAPORE PTE. LTD., SG Free format text: FORMER OWNER: RF360 EUROPE GMBH, 81671 MUENCHEN, DE |
|
R016 | Response to examination communication |