DE10325020B4

DE10325020B4 - Verfahren zum Versiegeln eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte Vorrichtung

Info

Publication number: DE10325020B4
Application number: DE10325020A
Authority: DE
Inventors: Frank S. Cupertino Geefay
Original assignee: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd
Current assignee: Avago Technologies International Sales Pte Ltd
Priority date: 2002-10-22
Filing date: 2003-06-03
Publication date: 2007-10-31
Anticipated expiration: 2023-06-04
Also published as: US6919222B2; GB2396055B; US20040077127A1; US6836013B2; DE10325020A1; JP2004146808A; GB2396055A; GB0324538D0; US20040077126A1

Abstract

Vorrichtung (200), die folgende Merkmale aufweist:
ein Bauelementchip (210), der Schaltungselemente (212) umfasst, die auf einem Substrat (214) gefertigt sind;
eine Abdeckung (220), die zumindest einen Abschnitt des Bauelementechips (210) abdeckt; und
eine Dichtung (230) zwischen dem Bauelementchip und der Abdeckung, wobei die Dichtung (230) eine mit einer Profilstruktur (234) versehenen Oberfläche (238) aufweist, die die Abdeckung (220) mit dem Bauelementchip (210) verbindet;
dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtung (230) eine Breite in einem Bereich von vier bis 30 μm aufweist.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiterschaltungs-Herstellungstechnologie und spezieller auf einen Schutz und ein Versiegeln von Schaltungselementen unter Verwendung einer Abdeckung und einer Dichtung.
Halbleiterschaltungen und -bauelemente werden häufig auf einem Substratmaterial durch Aufbringen und Strukturieren verschiedener Schichten eines Materials hergestellt, das ein leitendes und halbleitendes Material sowie ein isolierendes Material umfaßt. Diese Schaltungen sind typischerweise sehr klein (mit Abmessungen im Mikrometerbereich oder kleiner), zerbrechlich und gegenüber Umweltfaktoren anfällig (wie z. B. Korrosion durch Interaktion mit Wassermolekülen in der Luft). Dementsprechend wäre es bei einigen Anwendungen zu bevorzugen, diese Schaltungen durch hermetisches Versiegeln der Schaltungen unter Verwendung einer Versiegelungsabdeckung zu schützen.
Ein solches Versiegeln kann durch Verwenden einer Dichtung zwischen der Abdeckung und dem Bauelementchip erreicht werden. 1 stellt eine Vorrichtung 100 dar, die einen Bauelementchip 110 umfaßt, der Schaltungen umfaßt, die durch eine Abdeckung 120 abgedeckt sind, die unter Verwendung einer Dichtung 130 versiegelt ist. Die Dichtung 130 kann sehr dünn sein, z. B. in der Ordnung von Zehnteln von Mikrometern. Um den Bauelementchip 110 unter Verwendung der Abdeckung 120 und der Dichtung 130 zu versiegeln, wird die Abdeckung 120 und die Dichtung 130 auf den Bauelementchip 110 gedrückt. Der Druck wird auf die gesamte Oberfläche des Kontaktbereichs zwischen der Dichtung 130 und dem Bauelementchip 110 verteilt. Dementsprechend ist der Druck pro Quadrateinheit des Kontaktbereichs relativ gering. Aus diesem Grund kann ein Plazieren der Abdeckung 120 auf den Bauelementchip 110 zu einer marginalen oder schlechten Abdichtung der Dichtung 130 mit dem Bauelementchip 110 führen, was von einem inadäquaten Druck resultiert. Ferner können kleine Fremdstoffe zwischen der Dichtung 130 und dem Bauelementchip 110 die Versiegelung 132 aufbrechen.
Dementsprechend besteht ein Bedarf an einem Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, die diese Probleme überwinden, und an einer Vorrichtung, die das Verfahren ausführt.
Aus der US 4,686,763 ist bereits ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse für elektronische Komponenten bekannt, das aus einer Gehäuseoberhälfte und einer Gehäuseunterhälfte mit jeweiligen profilierten Anlageflächen besteht, zwischen denen eine flexible Dichtung liegt. Bei einem Ausführungsbeispiel sind terrassenförmige Vorsprünge auf einem Deckbauglied vorgesehen, die in Ätztechnologie hergestellt sind.
Aus der US 5,388,443 ist bereits eine integrierte Sensorstruktur mit einem Ausnehmungen aufweisenden Substrat bekannt, welches im Bereich seiner Ausnehmungen Sensorelemente aufweist. Das Substrat ist von einem Abdeckbauglied überdeckt, welches gegenüber dem Substrat mit Klebstoff abgedichtet und befestigt ist.
Aus der US 2002/106862 Al ist bereits eine Wafer-Bond-Struktur zur Verbindung zweier Halbleiterwafer bekannt, wobei einer der Wafer auf seiner dem anderen Wafer zugewandten Oberfläche mit umlaufenden, im Querschnitt V-förmigen Ausnehmungen versehen ist. Die Wafer sind an ihren einander zugewandten Seiten mit einer Glasfritte verbunden, die als Abdichtung dient und sich bis in die V-förmigen Ausnehmungen hinein erstreckt.
Aus der US 5,668,033 ist bereits eine als Beschleunigungssensor dienende Halbleitersensorvorrichtung bekannt, die einen hermetisch abgedichteten Hohlraum zur Abschirmung des Beschleunigungselements zwischen zwei Substraten bildet, die mittels eines Goldfilms durch Ronden dicht miteinander verbunden sind.
Aus der EP 11999744 A1 ist bereits eine Mikrostrukturabdeckung für ein auf einem Basiswafer angeordnetes Mikrogerät bekannt, welches von einem Abdeckwafer überdeckt wird, der mittels einer Bondabdichtung gegenüber dem Basiswafer festgelegt und abgedichtet ist.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Versiegeln einer Halbleitervorrichtung und eine damit hergestellte Vorrichtung zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung nach Anspruch 1, durch eine Vorrichtung nach Anspruch 12, sowie durch ein Verfahren nach Anspruch 15 gelöst.
Die Merkmale der Oberbegriffe sind aus der US 5 388 443 A bekannt.
Der Bedarf wird durch die vorliegende Erfindung erfüllt. Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung weist eine Vorrichtung einen Bauelementchip auf, der Schaltungselemente umfasst, die auf einem Substrat gefertigt sind, und eine Abdeckung, die zumindest einen Abschnitt des Bauelementchips abdeckt. Eine Dichtung mit einer mit einer Profilstruktur versehenen Oberfläche versiegelt die Abdeckung mit dem Bauelementchip.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine Vorrichtung einen Bauelementchip, der Schaltungselemente umfasst, und eine Abdeckung, die zumindest einen Abschnitt des Bauelementchips abdeckt. Der Bauelementchip weist eine mit einer Profilstruktur versehene Oberfläche zum Versiegeln der Abdeckung mit dem Bauelementchip auf.
Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung offenbart. Erstens wird ein Bauelementchip, der Schaltungselemente auf einem Substrat umfaßt, hergestellt. Anschließend werden die Schaltungselemente unter Verwendung einer Abdeckung und einer Dichtung umschlossen, wobei die Abdeckung zumindest einen Abschnitt des Bauelementchips abdeckt, und die Dichtung eine mit einer Profilstruktur versehene Oberfläche aufweist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend, Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
1 eine weggeschnittene Querschnittsseitenansicht eines Bauelements, das gemäß dem Stand der Technik hergestellt ist;
2A eine weggeschnittene Querschnittsseitenansicht einer Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
2B eine Bodenansicht einer Abdeckung der Vorrichtung von 2A;
3A eine ausführlichere Darstellung eines Abschnitts der Vorrichtung von 2A;
3B den Abschnitt, der in 3A in einem Alternativzustand dargestellt ist;
3C eine Bodenansicht eines Abschnitts der Dichtung von 3B;
4A und 4B einen ausführlicheren Abschnitt eines alternativen Ausführungsbeispiels der Vorrichtung von 2A; und
4C einen ausführlicheren Abschnitt eines weiteren alternativen Ausführungsbeispiels der Vorrichtung von 2A.
Wie zu Darstellungszwecken in den Zeichnungen gezeigt ist, wird die vorliegende Erfindung in einer Vorrichtung ausgeführt, die einen Bauelementchip und eine Abdeckung zum Abdecken von zumindest einem Abschnitt des Bauelements umfaßt. Die Abdeckung umfaßt eine Dichtung zum Versiegeln des abgedeckten Abschnitts. Die Dichtung weist eine mit einer Profilstruktur versehene Oberfläche auf. Die engen Profilstrukturen erhöhen den effektiven Druck und eine Deformierung an den Grenzoberflächen, indem sie eine laterale Versetzung des Verbindungsoberflächenmaterials ermöglichen. Ferner erzeugt die Profilstruktur Profilstrukturräume, die die Verbindungsoberfläche in separate, aufeinanderfolgende Strukturen zerlegen, wodurch die Fortdauer von Defekten entlang einer einzelnen Verbindungsoberfläche vermieden wird. Die Räume schränken auch Leckagen der zugeordneten defekten Profilstruktur ein, so daß sie sich nicht auf andere Abschnitte der Profilstruktur verteilen.
2A stellt eine Vorrichtung 200 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung dar. Die Vorrichtung 200 umfaßt einen Bauelementchip 210, der Schaltungselemente 212 umfaßt, die auf einem Substrat 214 gefertigt sind. Eine Abdeckung 220 deckt zumindest einen Abschnitt des Bauelementchips 210 ab. Eine Dichtung 230 versiegelt die Abdeckung 210 auf den Bauelementchip 210. Eine Dichtung 230 weist eine mit einer Profilstruktur versehene Oberfläche auf, um die Versiegelung zu verbessern. Das Profilstrukturmerkmal der Dichtung 230 ist allgemein in einem umrandeten Bereich 232 dargestellt.
2B stellt eine Bodenansicht der Abdeckung 220 der Vorrichtung 210 dar. Ferner stellt 2B das Layout der Dichtung 230 dar, um die Schaltungen 230 des Bauelementchips 210 hermetisch zu umschließen. Die Abdeckung 220 ist typischerweise aus Silizium gefertigt und kann die Dichtung 230 umfassen, die an der Abdeckung 220 befestigt oder ein Teil derselben ist. Tatsächlich sind die Abdeckung 220 und die Dichtung 230 bei einem Ausführungsbeispiel aus dem gleichen Material gefertigt und werden unter Verwendung von einer bekannten Halbleiterherstellungstechnologie gefertigt, die Photoresistmaskierungs- und Ätzschritte verwendet. Die Größe und die Form der Abdeckung 220 kann abhängig von den Anforderungen der Anwendung weitgehend variieren. In Experimenten sind Abdeckungen mit Breiten 221 und Längen 223 erzeugt worden, die von 0,4 mm bis 2 mm reichen. Die Abdeckung 220 weist allgemein eine rechteckige Form auf; jedoch ist dies nicht notwendig und kann eine beliebige Form sein. Wenn die Abdeckung 220 auf dem Bauelementchip 210 plaziert ist, deckt sie zumindest einen Abschnitt des Bauelementchips 210 ab.
Unter Bezugnahme auf 2A und 2B dient die Dichtung 230, neben dem Versiegeln der Schaltung 212, als ein Abstandshalter, um eine ausreichende Beabstandung zwischen dem Substrat 214 des Bauelementchips 210 und der Abdeckung 220 zu liefern. Bei einem Ausführungsbeispiel weist die Dichtung 230 eine Dicke 231 oder Breite in einem Bereich von vier –30 μm und eine Höhe 233 in einem Bereich von fünf –50 μm auf. Die Dichtungshöhe 233 ist in der Darstellung die Entfernung zwischen dem Bauelementchip 210 und der Abdeckung 220. Typischerweise ist die Dichtung 230 aus dem gleichen Material wie die Abdeckung 220 gefertigt, was häufig Silizium ist.
Ein Bereich 232 ist in 3A ausführlicher dargestellt. 3B ist auch eine ausführlichere Darstellung des Bereichs 232 von 2A und 2B, jedoch ist der Klarheit und Einfachheit halber die Dichtung 230 vom Substrat 214 des Bauelementchips 210 getrennt. 3C zeigt eine Bodenansicht eines Abschnitts der Dichtung 230 von 3B entlang der Linie A-A.
Unter Bezugnahme auf 3A, 3B und 3C weist die Dichtung 230 eine Oberfläche 238 und eine Profilstruktur 234 auf, das von der Oberfläche 238 hervorsteht. Der Bauelementchip 210 kann ein Haftmittel 204 umfassen, um ein Haften der Dichtung 230 an dem Bauelementchipsubstrat 214 zu verbessern, was zu einer besseren Versiegelung führt. Für das Haftmittel 204 kann Polyamid oder Benzocyclobuten (BCB) auf den Bauelementchip 210 aufgeschleudert werden. Alternativ kann das Haftmittel 204 andere Materialien umfassen, z. B. eine Metalllegierung, wie z. B. Bleizinn, Goldzinn oder Goldsilizium, wobei die Profilstruktur mit zumindest einem der Metalle beschichtet sein kann.
Wenn die Dichtung 230 das Haftmittel 204 kontaktiert, wird eine Versiegelung mit dem Bauelementchipsubstrat 214 erzeugt. Die Profilstruktur 234 definiert die Profilstrukturräume 236, die mit dem Haftmittel 204 gefüllt sind, um, im Vergleich zu einer Versiegelung, die unter Verwendung einer Dichtung ohne Profilstruktur oder Profilstrukturräume erreicht wird, eine bessere Versiegelung zu bilden. Die Profilstruktur 234 erhöht die Gesamthaftoberfläche der Dichtung 230 im Vergleich zu einer Dichtungsoberfläche, die nicht mit einer Profilstruktur versehen ist, und ermöglicht, daß ein Teil des Haftmittels in dem Raum 236 zwischen den hervorstehenden Profilstrukturen 234 bestehen bleibt. Ferner lokalisieren die Profilstrukturräume 236 beliebige Unzulänglichkeiten oder Fremdstoffe innerhalb eines Raums, wodurch eine hermetische Versiegelung um die Schaltungselemente 212 von 2A verbessert wird.
Bei einem Ausführungsbeispiel reicht die Breite 241 der Profilstruktur 234 von einem bis zu fünf Mikrometer, wobei die Profilstruktur 234 die Räume 236, die eine ähnliche Breite aufweisen, definiert. Die Räume 236 weisen eine Länge 243 auf, die von zehn bis 15 μm reicht. Die Profilstrukturtiefe 245 kann von einem bis zu drei Mikrometer reichen. All diese Messungen können (selbst außerhalb der hierin erörterten spezifizierten Bereiche) abhängig vom Material, der Technologie und den Anforderungen der Vorrichtung 200 weitgehend variieren.
In 4A und 4B ist ein alternatives Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 200 von 2A unter Verwendung eines Detailbereichs 232a dargestellt. Die Abschnitte von 4A und 4B sind ähnlich jenen, die in den vorhergehenden Figuren gezeigt sind. Der Einfachheit halber sind den Abschnitten in 4A und 4B, die den Abschnitten in den vorhergehenden Figuren ähnlich sind, die gleichen Bezugszeichen zugeordnet. Analogen, jedoch veränderten Abschnitten sind die gleichen Bezugszeichen zugeordnet, die mit einem Buchstaben „a" versehen sind, und unterschiedlichen Abschnitten sind unterschiedliche Bezugszeichen zugeordnet.
Bezugnehmend auf 4A und 4B ist ein Schweißmetall 258 auf der Dichtung 230, dem Bauelementchipsubstrat 214 oder beidem (wie dargestellt) für ein Kaltschweißverbinden der Dichtung 230 auf das Bauelementchipsubstrat 214 plaziert. Wenn die engen Profilstrukturen 234 zusammengepreßt werden, um eine Verbindung zu bilden, ermöglichen sie, daß das Schweißmetall, wie z. B. Gold, in die Profilstrukturräume 236 gequetscht wird (quillt), was eine Deformierung 239 und ein effektiveres Verschweißen zwischen der Dichtung 230 und dem Bauelementchipsubstrat 214 verstärkt. Eine weitere Deformierung des Schweißmetalls 258, die aus einer Abdruckverschiebung des Metalls durch die enge Profilstruktur 234 resultiert, verbessert den Schweißungsprozeß noch mehr. Die Dichtung 230 verleiht einer relativ feineren Profilstruktur 234 Stärke.
Bei einem Musterausführungsbeispiel wird die Dichtung 230 unter Druck (z. B. bei etwa 80 Megapascal) und einer Temperatur (etwa 350 C°) auf das Substrat 214 aufgebracht, um die Dichtung 230 mit dem Bauelementchipsubstrat 214 zu verbinden. Die Goldschichten 258 können etwa 0,5–1,5 μm dick sein, dies kann jedoch weitgehend variieren. Das Metallhaftmittel 258 wird typischerweise auf die Abdeckung 220, das Bauelementchip 210 oder beidem unter Verwendung eines herkömmlichen Sputter- oder Aufdampfprozesses aufgebracht. Der Kaltschweißverbindungsprozeß ist bezüglich einer Verunreinigung empfindlich. Dementsprechend werden die Goldverbindungsoberflächen häufig durch einen Ionenfräsprozeß, einen Sputterätzprozeß, einen Plasmareinigungsprozeß oder eine Kombination aus diesen Techniken gereinigt, um eine ordnungsgemäße Sauberkeit vor dem Verbinden zu erhalten.
In 4C ist ein anderes Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 200 von 2A unter Verwendung eines Detailbereichs 232b dargestellt. Die Abschnitte von 4C sind ähnlich jenen, die in den vorhergehenden Figuren gezeigt sind. Der Einfachheit halber sind den Abschnitten in 4C, die den Abschnitten in den vorhergehenden Figuren ähnlich sind, die gleichen Bezugszeichen zugeordnet. Analogen, jedoch veränderten Abschnitte sind die gleichen Bezugszeichen, die mit einem Buchstaben „b" versehen sind, zugeordnet, und unterschiedlichen Abschnitte sind unterschiedlichen Bezugszeichen zugeordnet.
Unter Bezugnahme auf 4C definieren die Profilstrukturen 234b die gesamte Dichtung 230b. Die Profilstrukturen 234b erstrecken sich von der Abdeckung 220 auf das Chipsubstrat 214. In diesem Fall dient die Profilstruktur 234b auch als ein Abstandshalter, wodurch der Bedarf an einer separaten Dichtung eliminiert wird. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel deckt das Metallhaftmittel 258b die gesamte Dichtung 236b/die Profilstruktur 234b sowie Abschnitte des Abdeckungssubstrats 242 ab. Dieses Ausführungsbeispiel ist relativ weniger stark als das Ausführungsbeispiel, das in 4A und 4B gezeigt ist, jedoch erfordert das Ausführungsbeispiel, das durch 4C dargestellt ist, einen geringeren Verarbeitungsaufwand. Gemäß der aktuellen Technologie ist ein Verhältnis der Profilstrukturhöhe 233 von 2A zur Profilstrukturbreite 231 von 2A von 3:1 bevorzugt, um eine adäquate Stärke durch die Dichtung 230, 230a oder 23b beizubehalten.
Anhand der vorstehenden Erörterung wird darauf hingewiesen, daß die vorliegende Erfindung neuartig ist und gegenüber dem Stand der Technik Vorteile bietet. Obwohl ein spezielles Ausführungsbeispiel der Erfindung vorstehend beschrieben und dargestellt ist, ist die Erfindung nicht auf spezifische Formen oder Anordnungen von Teilen, die hierin so beschrieben und dargestellt sind, beschränkt. Die Profilstrukturen und Profilstrukturräume können beispielsweise auf dem Substrat 214 des Bauelementchips 210 und nicht auf der Dichtung 230 gefertigt sein. Ferner können sowohl der Bauelementchip 210 als auch die Dichtung 230 die Profilstrukturen umfassen, und solche Profilstrukturen können ineinandergreifen. Es ist zu beachten, daß unterschiedliche Konfigurationen, Größen oder Materialien verwendet werden können, um die vorliegende Erfindung zu praktizieren. Speziell ist in den Figuren ein Bauelementchip mit zwei Resonatoren durch die Abdeckung und die Dichtung versiegelt; die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf einen solchen Bauelementchip begrenzt. Die Erfindung ist durch die Ansprüche, die nun folgen, eingeschränkt.

Claims

Vorrichtung (200), die folgende Merkmale aufweist: ein Bauelementchip (210), der Schaltungselemente (212) umfasst, die auf einem Substrat (214) gefertigt sind; eine Abdeckung (220), die zumindest einen Abschnitt des Bauelementechips (210) abdeckt; und eine Dichtung (230) zwischen dem Bauelementchip und der Abdeckung, wobei die Dichtung (230) eine mit einer Profilstruktur (234) versehenen Oberfläche (238) aufweist, die die Abdeckung (220) mit dem Bauelementchip (210) verbindet; dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtung (230) eine Breite in einem Bereich von vier bis 30 μm aufweist.
Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 1, bei der die mit einer Profilstruktur (234) versehene Oberfläche (238) Profilstrukturräume (236) umfasst.
Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der der Bauelementchip (210) ein Haftmittel (204) umfasst, auf dem die Dichtung (230) befestigt ist.
Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der die Abdeckung (220) durch Kaltschweißen an den Bauelementchip (210) angebracht ist.
Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 4, bei der Gold als Kaltschweißmetall verwendet wird.
Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der die Abdeckung (220) die Schaltungselemente (212) hermetisch versiegelt.
Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der die Dichtung (230) eine Dicke in einem Bereich von fünf bis 50 μm aufweist.
Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der die Profilstruktur eine Breite in einem Bereich von eins bis 5 μm aufweist.
Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der die Profilstruktur Profilstrukturräume (236) definiert, wobei jeder Profilstrukturraum eine Breite aufweist, die von eins bis 5 μm reicht.
Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der die Profilstruktur Profilstrukturräume (236) definiert, wobei jeder Profilstrukturraum eine Tiefe in einem Bereich von eins bis 3 Mikrometer aufweist.
Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei der die Profilstruktur Profilstrukturräume (236) definiert, wobei jeder Profilstrukturraum eine Länge in einem Bereich von zehn bis 50 Mikrometer aufweist.
Vorrichtung (200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, bei der die Dichtung (230) aus dem gleichen Material wie die Abdeckung (220) besteht.
Vorrichtung (200), die folgende Merkmale aufweist: ein Bauelementchip (210), der ein Schaltungselement umfasst; eine Abdeckung (220), die zumindest einen Abschnitt des Bauelementchips (210) abdeckt; und wobei der Bau elementchip (210) eine mit einer Profilstruktur (234) versehene Oberfläche (238) aufweist, die angepasst ist, um die Abdeckung (220) mit dem Bauelementchip (210) zu verbinden, eine Dichtung (230) als eine Versiegelung zwischen dem Bauelementchip (210) und der Abdeckung (220), dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtung (230) eine Breite in einem Bereich von vier bis 30 μm aufweist.
Vorrichtung (200) gemäß Anspruch 13, bei der die mit einer Profilstruktur (234) versehene Oberfläche (238) Profilstrukturräume (236) umfasst.
Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Herstellen eines Bauelementchips (210), der Schaltungselemente (212) auf einem Substrat (214) umfasst; Einschließen der Schaltungselemente (212) unter Verwendung einer Abdeckung (220) und einer Dichtung (230), wobei die Abdeckung (220) zumindest einen Abschnitt des Bauelementchips (210) abdeckt und wobei die Dichtung (230), die zwischen dem Bauelementchip und der Abdeckung angeordnet ist, eine mit einer Profilstruktur (234) versehene Oberfläche (238) aufweist, die die Abdeckung (220) mit dem Bauelementchip (210) verbindet, dadurch gekennzeichnet, dass die Dichtung (230) eine Breite in einem Bereich von vier bis 30 μm aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem die mit einer Profilstruktur (234) versehene Oberfläche (238) Profilstrukturräume (236) umfasst.
Verfahren gemäß Anspruch 15 oder 16, bei dem der Bauelementchip (210) ein Haftmittel umfasst, auf dem die Dichtung (230) angebracht ist.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, bei dem die Abdeckung (220) mit Gold auf dem Bauelementchip kaltgeschweißt wird.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, bei dem die Abdeckung (220) und die Dichtung (230) die Schaltungselemente (212) hermetisch versiegeln.