DE60202208T2 - Leistungskontakte zum aufschlag hoher ströme pro anschluss in siliziumtechnologie - Google Patents

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Description

  • 1. Technisches Gebiet
  • Diese Offenbarung bezieht sich auf die Halbleiterherstellung und insbesondere auf Strukturen für Halbleitervorrichtungen, die eine höhere Stromdichte durch Bondpads erlauben und eine höhere Langzeitzuverlässigkeit für Bondpads fördern.
  • 2. Beschreibung des Standes der Technik
  • Strom fließt durch leitende Strukturen mit minimalem Widerstand. Jedoch treten höhere Widerstände und höhere Stromdichten aufgrund von Geometrieänderungen und Materialänderungen im elektrischen Pfad auf. Diese höheren Stromdichten können zu nachteiligem Massetransport zwischen leitenden Schnittstellen an Übergängen zwischen verschiedenen leitenden Materialien führen, wie auch in den leitenden Materialen selbst. Weiterhin können Materialien an der leitenden Schnittstelle eine Verminderung der leitenden Eigenschaften an der Schnittstelle aufgrund einer Vermischung der Atome als Ergebnis des Massetransport verursachen.
  • Halbleitervorrichtungen enthalten viele leitende Übergänge, an denen Metalle eines ersten Typs auf Metalle eines zweiten Typs treffen. Jedes Metall kann im Entwurf aus einem bestimmten Grund gewählt werden. Zum Beispiel werden Kupfer-Metallisierungen aufgrund ihrer hohen Leitfähigkeit verwendet; allerdings neigt Kupfer zu starker Oxidation und degradiert rasch bei Anwesenheit von Sauerstoff. Aluminium auf der anderen Seite bildet ein Oxid auf einer äußeren Oberfläche, verliert aber nicht signifikant an Leitfähigkeit. Deshalb kann in vielen Halbleiterentwürfen die Kupfer-Metallisierung eine Aluminiumabdeckung haben, um das Kupfer vor Oxidation zu schützen. Ein Nachteil einer solchen Anordnung ist die Tatsache, dass sich Kupfer- und Aluminiumatome mischen. Wenn Alu miniumatome in die Kupfermatrix gelangen, treten signifikante Widerstandszunahmen auf. Um das zu verhindern, wird eine Diffusionsbarriere, die Tantal oder Tantalnitrid enthalten kann, zwischen den Metallen aufgebracht, um eine Diffusion dazwischen zu verhindern. Diese Diffusionsbarriere muss so dünn wie möglich sein, um signifikante Widerstandserhöhungen des Stromflusses zwischen den Metallen zu verhindern.
  • Der aktuelle Stand von Bondpads in der Halbleitertechnologie verwendet eine Kupfer-Metallisierung für Metallleitungen. Bondpads werden z. B. für die Verbindung zu Metallleitungen der Halbleitervorrichtung mit Hilfe von Pins verwendet, die durch ein Chip-Gehäuse hindurchgehen. Bondpads gemäß dem Stand der Technik verwenden eine gleiche Fläche für Sondenkontakte, die zur Prüfung verwendet werden, und für Drahtverbindungen zu dem Bondpad. Eine Beschädigung, die während der Sondenkontaktierung verursacht wurde, kann Bondverbindungen beeinträchtigen, die später gebildet werden. Weiterhin können auch unter dem Bondpad liegende Schichten beschädigt werden, beispielsweise kann der Diffusionsbarriere zwischen einem Aluminium-Bondpad und einer darunterliegenden Kupfer-Metallisierung Schaden zugefügt werden, der, wie oben beschrieben, eine nachteilige Atommischung verursacht.
  • Deshalb besteht Bedarf an einer Struktur, die ein Sondenpad zur Verfügung stellt, welches die Sondenprüfung ohne Beschädigung des Bondbereichs und der darunterliegenden Metallschichten erlaubt. Weiterer Bedarf besteht an einer Struktur, die es einem Bondpad erlaubt, viel höhere Ströme pro Bondpad zu führen, und die voll in einen Fine-Pitch-Bondpad-Entwurf integriert ist.
  • Das US-Patent 5,783,868 erklärt ein erweitertes Bondpad, das einen Bondbereich und einen Erweiterungsbereich zur Prüfung aufweist. Der Erweiterungsbereich befindet sich auf einer Passivierungsschicht.
  • Aus dem US-Patent 6,159,826 ist eine Verfahren bekannt, bei dem Probenbereiche in Chip-Säge-Bahnen liegen. Aus dem US-Patent 6,239,494 B1 ist ein Bondpad bekannt, das aus Aluminium besteht.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Eine erfindungsgemäße Struktur für ein Bondpad, das an einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, enthält eine Metallschicht, eine Zwischenverbindung, die durch eine dielektrische Schicht hindurch ausgebildet ist und die zu der Metallschicht hin eine Verbindung herstellt, und ein Bondpad, das einen ersten Abschnitt hat, der über der Metallschicht und der Zwischenverbindung angeordnet ist, und das einen zweiten Abschnitt hat, der über der dielektrischen Schicht angeordnet ist. Der erste Abschnitt enthält einen Bondbereich, der einen Befestigungspunkt für eine Verbindung bietet, und der zweite Abschnitt enthält einen Sondenbereich, um, wie in Anspruch 1 erwähnt, Kontakt mit einer Sonde herzustellen.
  • In alternativen Ausführungsformen kann die erste Metallschicht Kupfer enthalten und das Bondpad kann Aluminium enthalten. Die Barriereschicht ist vorzugsweise zwischen der Zwischenverbindung und der Metallleitung angeordnet, um dazwischen eine Diffusion zu verhindern. Das Bondpad kann eine Dicke von weniger als etwa 2 Mikrometer haben. Eine Passivierungsschicht kann auf dem Bondpad gebildet werden, um das Bondpad zu schützen. Die Passivierungsschicht kann eine erste Öffnung für den Bondbereich und eine zweite Öffnung für den Sondenbereich enthalten. Die Passivierungsschicht kann aber auch eine Öffnung enthalten, die sich der Bondbereich und der Sondenbereich teilen. Das Bondpad kann dauerhaft mit einem Bonddraht verbunden sein. Die Barriereschicht kann Tantal oder Tantalnitrid enthalten.
  • Diese und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Be schreibung der erläuternden Ausführungsformen deutlich, die in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen gelesen werden soll.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Diese Offenbarung wird detailliert die folgende Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen mit Bezug auf die folgenden Figuren darlegen:
  • 1 ist eine an der Schnittlinie 1-1 der 4 oder 5 liegende Querschnittsansicht, die einen Sondenbereich eines erfindungsgemäßen Bondpads zeigt,
  • 2 ist eine an der Schnittlinie 2-2 der 4 oder 5 liegende Querschnittsansicht, die einen Bondbereich des erfindungsgemäßen Bondpads zeigt,
  • 3 ist eine an der Schnittlinie 3-3 der 5 liegende Querschnittsansicht, die den Bondbereich und den Sondenbereich des erfindungsgemäßen Bondpads zeigt,
  • 4 ist eine Draufsicht einer erläuternden Ausführungsform, die den Bondbereich und den Sondenbereich des erfindungsgemäßen Bondpads zeigt,
  • 5 ist eine Draufsicht einer anderen erläuternden Ausführungsform, die den Bondbereich und den Sondenbereich des erfindungsgemäßen Bondpads zeigt,
  • 6 ist eine Querschnittsansicht, die eine Sonde zeigt, welche einen erfindungsgemäßen Sondenbereich kontaktiert, und
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, die einen Bonddraht zeigt, der mit einem erfindungsgemäßen Bondbereich verbunden ist.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die Halbleiterherstellung und insbesondere auf Strukturen für Halbleitervorrichtungen, die eine höhere Stromdichte durch Bondpads erlauben und eine größere Langzeitzuverlässigkeit für Bondpads fördern. Die vorliegende Erfindung verringert den Abstand zwischen einer Bonddraht-Verbindung und einer Metallleitung einer Halbleitervorrichtung, um die Stromdichtetragfähigkeit der Struktur zu verbessern. Zusätzlich reduziert die vorliegende Erfindung die Möglichkeit einer Beschädigung aufgrund des Sondierens, indem sie einen von einem Bondbereich separaten Sondenbereich zur Verfügung stellt.
  • Die vorliegende Erfindung trennt vorteilhaft den Bondbereich und den Sondenbereich und erlaubt das Anbringen eines Bonddrahtes auf einer Abdeckung, die die darunterliegende Metallisierung bedeckt. Deshalb ist der Strom pro Bondpad nicht länger durch die Querschnittsfläche der Abdeckung beschränkt und der Sondenbereich wird durch die gleiche Abdeckung gebildet, die, in einem Beispiel, eine dicke dielektrische Schicht bedeckt, um jede Art von Beschädigung des darunterliegenden Metalls zu verhindern.
  • Jetzt wird im Detail auf die Zeichnungen beginnend mit 1 Bezug genommen, in welchen gleiche Bezugszeichen ähnliche oder identische Elemente in den verschiedenen Ansichten bezeichnen. In 1 ist eine Querschnittsansicht der oberen Lagen einer Halbleitervorrichtung 10 gezeigt sind. Die Halbleitervorrichtung 10 kann einen Speicher-Chip, wie z. B. einen statischen Speicher-Chip mit wahlfreiem Zugriff (SRAM), einen dynamischen Speicher-Chip mit wahlfreiem Zugriff (DRAM), einen eingebetteten Speicher-Chip, usw. enthalten. Das Halbleiterbauelement 10 kann auch einen logischen oder Prozessor-Chip, einen anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis(ASIC)-Chip oder Ähnliches enthalten. Eine Metallleitung 12 zum Verbinden mit anderen Metallleitungen und Vias (nicht dargestellt) in Schichten unter der Leitung 12 ist gezeigt. Die Leitung 12 wird in einer dielektrischen Zwischenlagen- Schicht 14 ausgebildet. Die Metallleitung 12 enthält vorzugsweise Kupfer, Kupferlegierungen oder anderes hochleitendes Material, wie z. B. Gold, Silber oder supraleitende Materialien. Eine Nitrid-Schicht 13 oder eine andere Ätzstoppschicht wird auf Schicht 14 und der Metallleitung 12 gebildet, um die Metallleitung 12 während der Bildung einer dielektrischen Schicht 16 (auch Anschluss-Via-Schicht oder TV-Schicht genannt), wie z. B. einer Oxid-Schicht zu schützen. Die Schicht 16 wird strukturiert, um durch sie hindurch ein Via oder Anschluss-Via 17 zu bilden. Eine Barriereschicht/Liner 18 wird im Via 17 ausgebildet und kann Tantal, Tantalnitrid oder anderes Diffusionsbarriere-Material enthalten. Ein Bondpad 20 wird durch das Aufbringen einer Schicht aus leitendem Material bzw. leitenden Materialien ausgebildet, welches die Metallleitung 12 schützt und z. B. auf der Barriereschicht 18 liegt. Beide Schichten werden vorzugsweise gemeinsam strukturiert. In anderen Ausführungsformen kann das Bondpad 20 leitende Materialien wie z. B. Kupfer, Kupferlegierungen, Gold, Silber oder andere leitende Materialien enthalten. Das Bondpad 20 kann auch eine Vielzahl von Schichten enthalten und enthält vorzugsweise eine Abdeckschicht, um die darunterliegenden Materialien zu schützen, insbesondere wenn Kupfer oder seine Legierungen verwendet werden. Die Abdeckschicht kann z. B. Aluminium enthalten.
  • Als Nächstes wird eine Passivierungsschicht 21 gebildet. Die Passivierungsschicht 21 kann eine oder mehrere dielektrische Schichten enthalten. In der gezeigten Ausführungsform werden eine Oxidschicht 22, eine Nitridschicht 24 und eine Resistschicht 26 gebildet und strukturiert, um das Bondpad 20 durch eine Öffnung 28 freizulegen. Die Resistschicht 26 kann ein fotoempfindliches Polyimid oder eine andere Resistschicht enthalten. In einer Ausführungsform werden mehrere Schichten mit einer Resistschicht verwendet. Beispielsweise kann die Resistschicht 26 ein Polyimid 25 enthalten, das übrig bleibt, nachdem andere Abschnitte der Schicht 26 durch Ätzen entfernt worden sind. Andere dielektrische Schicht-Anordnungen werden ebenso ins Auge gefasst. Die Materialien und die Zahl der Schichten können verändert werden.
  • Vorteilhaft kontaktiert eine Sonde (nicht dargestellt), die zur Prüfung verwendet wird, das Bondpad 20 im Sondenbereich 30 durch die Öffnung 28. Der leitende Pfad erstreckt sich durch den Querschnitt und die Länge des Bondpads 20 bis zur Metallleitung 12. In der gezeigten Anordnung ist das Bondpad 20 zur Metallleitung 12 versetzt. Das ist vorteilhaft, da die Barriereschicht 18 so dünn ist, dass eine von einer Sonde kommende abwärts gerichtete Kraft möglicherweise die Barriereschicht 18 beschädigen und eine atomare Mischung zwischen leitenden Materialien, wie Aluminium oder anderen Materialien, von Bondpad 20 und Metallleitung 12 ermöglichen könnte, welche z. B. Kupfer enthalten kann. Statt dessen berührt die Sonde (nicht dargestellt), das Bondpad 20 oberhalb der Schicht 16, die eine potentielle Beschädigung der Diffusions-Barriereschicht 18 verringert.
  • Die Sonde wird durch die Öffnung 28 eingeführt und mit dem Bondpad 20 oberhalb der TV-Schicht 16 und nicht oberhalb der Metallleitung 12 verbunden. Der Versatz von Bondpad 20 verhindert auch eine direkte Beschädigung der Metallleitung während der Sondenprüfung von Scheiben (Wafer). Eine Beschädigung der Metallisierungsleitungen kann die Stromdichte und die Zuverlässigkeit der Metallleitungen beeinflussen und eine Beschädigung des Bondpads kann beim Verbinden mit einem Bonddraht dorthin zu einem Problem führen oder später Zuverlässigkeitsprobleme verursachen. Erfindungsgemäß ist eine Beschädigung aufgrund von Sondierungen nicht mehr länger ein Problem, weil die vorliegende Erfindung einen von einem Bondbereich 32 (2) separaten Versatzbereich oder Sondenbereich 30 für den Sondenkontakt zur Verfügung stellt.
  • Bezugnehmend auf 2 ist der Bondbereich 32 von dem Sondenbereich 30 (1) getrennt und wird für die Befestigung eines Bonddrahtes durch eine Öffnung 34 verwendet. Vorteil haft ist die Bondbereich 32 direkt über der Metallleitung 12 und einer Zwischenverbindung 38 angeordnet, damit der Widerstand zwischen einem Bonddraht (nicht dargestellt), der zu dem Bondbereich 32 hin eine Verbindung herstellt, und der Metallleitung 12 reduziert ist.
  • Bezugnehmend auf 3 sind der Sondenbereich 30 und der Bondbereich 32 gezeigt, um die vorliegende Erfindung weiter zu erläutern. Der Bondbereich 32 befindet sich direkt über der Zwischenverbindung 38, während der Sondenbereich 30 über der dielektrischen Schicht 16 angeordnet ist. Wenn eine Sonde den Sondenbereich 30 kontaktiert, so beeinflusst eine dadurch hervorgerufene Beschädigung nicht den Bondbereich 32, weil ein Bonddraht direkt an dem Bondbereich 32 befestigt wird. Der Bondbereich 32 bleibt durch das Sondieren unbeschädigt, was zu einer besseren Verbindung mit dem Bonddraht (nicht dargestellt) führt. Weiterhin ist die Barriereschicht 18 geschützt, weil eine Kraft, die an dem Sondenbereich 30 eingeprägt wird, oberhalb der Schicht 16 angelegt wird.
  • Bezugnehmend auf 4 ist eine Draufsicht eines erfindungsgemäßen Bondpads 20 gezeigt. Das Bondpad 20 enthält den Bondbereich 32 und den Sondenbereich 30, die wie oben beschrieben, getrennt sind. Die Passivierungsschicht 21 ist strukturiert, um den Bondbereich 32 und den Sondenbereich 30 freizulegen. Die Passivierungsschicht ist als transparente Schicht dargestellt, so dass darunterliegende Strukturen sichtbar sind. Die Passivierungsschicht 21 enthält die Schichten 22, 24 und gegebenenfalls 25. Die Passivierungsschicht 21 ist strukturiert, um eine Grenze 19 zwischen dem Bondbereich 32 und dem Sondenbereich 30 zu schaffen. Die Grenze 19 wird vorzugsweise verwendet, um ein Gleiten einer Sonde auf die empfindliche Bondbereich 32 zu verhindern. Die Grenze 19 kann aus anderen Materialien gebildet sein, genauso kann z. B. ein erhöhter Abschnitt aus leitendem Material des Bondbereichs oder des Sondenbereichs verwendet werden.
  • Die Zwischenverbindung 38 befindet sich direkt unter dem Bondbereich 32 und ist in dem dunkelgrauen Bereich dargestellt. Zusätzlich befindet sich die in einem hellgrauen Bereich dargestellte Metallleitung 12 direkt unter der Zwischenverbindung 38 und dem Bondbereich 32. Eine Sonde kann den Sondenbereich 30 kontaktieren. In einer Ausführungsform können in der Passivierungsschicht 21 eine Öffnung 34 für den Bondbereich 32 und eine zweite Öffnung 28 für den Sondenbereich 30 enthalten sein. Alternativ kann eine Öffnung (kombinierte Öffnungen 28 und 34 der 5) für den Bondbereich 32 und für den Sondenbereich 30 verwendet werden.
  • Ein wichtiger Aspekt ist die Trennung von Bondbereich 32 und Prüfbereich oder Sondenbereich 30 des Bondpads 20. Erfindungsgemäß können Leistungspads oder Bondpads voll in den Fine-Pitch-Bondpad-Entwurf für 0,25 Mikrometer-Grundregel- oder kleinere Grundregel-Entwürfe integriert werden. Das Layout des Leistungspads oder des Bondpads 20 kann so gewählt werden, dass die vertikale Ausdehnung in das Muster von herkömmlichen Bondpads passt. So können Verfahren, die für die Schaffung des erfindungsgemäßen Bondpads verwendet werden, ähnlich zu Verfahren sein, die für herkömmliche Bondpads verwendet werden. Das erlaubt eine leichtere Einbeziehung der vorliegenden Erfindung in aktuelle Verfahrensabläufe.
  • Bezugnehmend auf 5 wird eine Draufsicht einer alternativen erfindungsgemäßen Ausführungsform gezeigt. In dieser Ausführungsform sind der Sondenbereich 30 und der Bondbereich 32 durchgehend. Das schafft einen größeren durchgehenden Sondenbereich. Der Sondenbereich 32 wird zum Prüfen der Halbleitervorrichtung verwendet, während der Bondbereich 30 für die Befestigung eines Bonddrahtes an der Halbleitervorrichtung verwendet wird, um Außenverbindungen zur Verfügung zu stellen. Es soll angemerkt werden, dass der Sondenbereich und der Bondbereich vorzugsweise so nahe wie möglich zur Zwischenverbindung 38 und der Metallleitung 12 ausgebildet wer den, um den elektrischen Widerstand für das Sondenprüfen und letztlich für die Bonddrahtverbindungen zu reduzieren.
  • Wie in 6 gezeigt, wird eine Sonde 60 erläuternd dargestellt, die den Sondenbereich 30 kontaktiert. Wie in 7 gezeigt, wird ein Bonddraht 62 erläuternd dargestellt, der mit dem Bondbereich 32 durch ein Lot 64 verbunden ist.
  • Es soll klar werden, dass die vorliegende Erfindung insbesondere für unverträgliche leitende Materialien oder Übergänge nützlich ist. Zum Beispiel kann eine Kupfermetallleitung (z. B. Metallleitung 12), die eine Aluminiumabdeckung (z. B. Bondpad 30) aufweist, verwendet werden. Es soll auch klar werden, dass die Verwendung einer dünnen Aluminiumabdeckung oder anderer Metalle durch die vorliegende Erfindung ermöglicht wird. Beim Stand der Technik ist die Verwendung einer dickeren Aluminium-Abdeckung typischerweise auf ungefähr 2 μm durch die Tauglichkeit der reaktiven Ionenätzgeräte für Aluminium beschränkt (das RIE-Gerät überhitzt bei dickeren Schichten), auf der anderen Seite wird von einer herkömmlichen 2 Mikrometer-Abdeckung nicht erwartet, dass sie das Sondieren ohne Beschädigung der Metallleitung (Kupfer) an der Diffusionsbarriere-Schnittstelle aushält. Erfindungsgemäß ist allerdings eine 2 Mikrometer dicke oder dünnere Abdeckschicht (Bondpad) ausreichend, da sie in dem Bondbereich nicht beschädigt werden wird. Vorteilhafterweise braucht die vorliegende Erfindung die Herstellung nicht signifikant abzuändern.
  • Die vorliegende Erfindung liefert auch für höhere Ströme Leistungspads. Durch die Verringerung des Widerstandes zwischen Metallleitungen und Bonddrähten sind höhere Ströme für Halbleitervorrichtungen möglich. Die in 4 und 5 gezeigten Anordnungen sind erläuternd. Andere Anordnungsarten sind ebenfalls durch die vorliegende Erfindung erfasst.
  • Überraschenderweise kann eine Zunahme in der Stromdichte in Übereinstimmung mit der Erfindung mehrere hundert Prozent größer sein als die von Bondpads des Standes der Technik. Das kann teilweise vom verwendeten Verdrahtungsschema abhängen. Vorteilhafterweise kann die vorliegende Erfindung einen Entwurf nutzen, der ähnlich zu dem zur Zeit für Bondpads verwendeten ist, um eine einfache Prozessintegration zu ermöglichen und die Auswirkungen auf den Entwurf von in der Nähe liegenden Schaltkreisen zu minimieren.
  • In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der Bondbereich 32 Abmessungen von etwa 50 mal 120 Mikrometer haben, und der Sondenbereich 30 kann Abmessungen von etwa 50 mal 90 Mikrometer haben. Andere Abmessungen sind auch möglich.
  • Nachdem bevorzugte Ausführungsformen für Leistungspads für das Anlegen eines hohen Stroms pro Bondpad in Siliziumtechnologie (welche erläuternd und nicht beschränkend sein sollen) beschrieben wurden, wird angemerkt, dass Modifikationen und Abweichungen durch Fachleute in Anbetracht obiger Lehren gemacht werden können. Es ist deshalb klar, dass in den einzelnen Ausführungsformen der offenbarten Erfindung Änderungen gemacht werden können, die sich innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung befinden, der sich aus den anliegenden Ansprüchen ergibt.

Claims (12)

  1. Struktur (10) für ein Bondpad, das an einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, umfassend: eine Metallschicht, eine mit der Metallschicht verbindende Zwischenverbindung (38), die durch eine dielektrische Schicht (16) hindurch ausgebildet ist, ein Bondpad (20) mit einem ersten Abschnitt (32), der über der Metallschicht und der Zwischenverbindung (38) angeordnet ist, und mit einem zweiten Abschnitt (30), der über der dielektrischen Schicht (16) angeordnet ist, wobei der erste Abschnitt (32) einen Bondbereich enthält, der einen Befestigungspunkt für eine Verbindung (64) bietet, und wobei der zweite Abschnitt (30) einen Sondenbereich zum Kontaktieren einer Sonde (60) enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur (10) einen ersten Querschnitt (2-2) durch den ersten Abschnitt (32) und durch die Zwischenverbindung (38), aber nicht durch den zweiten Abschnitt hat, und dass die Struktur (10) parallel zum ersten Querschnitt (2-2) einen zweiten Querschnitt (1-1) durch den ersten Abschnitt (32), durch den zweiten Abschnitt (30) und durch die Zwischenverbindung (38) hat.
  2. Struktur (10) nach Anspruch 1, in der die Metallschicht Kupfer enthält.
  3. Struktur nach Anspruch 1, in der das Bondpad (20) Aluminium enthält.
  4. Struktur (10) nach Anspruch 1, weiter umfassend eine Barriereschicht (18), die zwischen der Zwischenverbindung (38) und der Metallschicht angeordnet ist, um dazwischen eine Diffusion zu verhindern.
  5. Struktur (10) nach Anspruch 1, in der das Bondpad (20) eine Dicke von weniger als etwa 2 Mikrometer hat.
  6. Struktur (10) nach Anspruch 1, weiter umfassend eine Passivierungsschicht (21), die auf dem Bondpad (20) ausgebildet ist, um das Bondpad (20) zu schützen.
  7. Struktur (10) nach Anspruch 6, in der die Passivierungsschicht (21) eine erste Öffnung (34) für den Bondbereich (32) und eine zweite Öffnung (28) für den Sondenbereich (30) enthält.
  8. Struktur nach Anspruch 6, in der die Passivierungsschicht (21) eine Öffnung enthält, die sich der Bondbereich und der Sondenbereich teilen.
  9. Struktur (10) nach Anspruch 1, in der das Bondpad (20) dauerhaft mit einem Bonddraht (64) verbunden ist.
  10. Struktur (10) nach Anspruch 1, in der die Metallschicht so strukturiert ist, dass sie zumindest eine Metallleitung (12) bildet, die dielektrische Schicht (18) an der Metallschicht ausgebildet und so strukturiert ist, dass sie ein Via (17) zu der zumindest einen Metallleitung (12) bildet, eine Barriereschicht (18) in Kontakt mit der Metallschicht durch das Via (17) hindurch ausgebildet ist, und die Zwischenverbindung (38) in dem Via (17) ausgebildet ist, und zur Metallschicht hin durch die Barriereschicht (18) verbindet.
  11. Struktur (10) nach Anspruch 10, in der die Barriereschicht Tantal oder Tantalnitrid enthält.
  12. Struktur (10) nach Anspruch 1, in der eine Kupferschicht so strukturiert ist, dass sie zumindest eine Metallleitung (12) bildet, die dielektrische Schicht (16) an der Kupferschicht ausgebildet und so strukturiert ist, dass sie ein Via (17) zu der zumindest einen Metallleitung (12) bildet, eine Diffusions-Barriereschicht (18) in Kontakt mit der Kupferschicht durch das Via (17) hindurch ausgebildet ist, eine Aluminium-Zwischenverbindung (38) in dem Via (17) ausgebildet ist und zur Kupferschicht hindurch die Diffusions-Barriereschicht (18) verbindet, wobei die Diffusions-Barriere eine atomare Vermischung zwischen der Kupferschicht und der Aluminium-Zwischenverbindung (38) verhindert.
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