DE102018127237B4 - Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, das diese verwendet, und lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die durch das Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters hergestellt ist - Google Patents

Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, das diese verwendet, und lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die durch das Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters hergestellt ist Download PDF

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Abstract

Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, wobei die Vorrichtung umfasst:ein Basissubstrat (TSUB);ein Heizteil (HTP), das in dem Basissubstrat (TSUB) enthalten ist und Wärme erzeugt;ein Schichtwerkstoffteil (SRC), das auf dem Heizteil (HTP) angeordnet ist;eine Musterführung (PGP), die eine Öffnung (OPN) aufweist, um einen von dem Schichtwerkstoffteil (SRC) emittierten Schichtwerkstoff zu einem Targetgebiet zu führen, wobei die Musterführung (PGP) ein seitlich ausgespartes unteres Teil (PGP1) und ein oberes Teil (PGP2), das von dem unteren Teil (PGP1) vorsteht, enthält; undeine Beschichtungsschicht (COL), die auf dem oberen Teil (PGP2) und Seitenteilen der Musterführung (PGP) angeordnet ist, um zu verhindern, dass der Schichtwerkstoff auf der Musterführung (PGP) beschichtet wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, auf ein Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, das diese verwendet, und auf eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die durch das Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters hergestellt ist.
  • Verwandtes Gebiet
  • Mit der Entwicklung der Informationstechnologie wachsen Märkte für Anzeigevorrichtungen, die Verbindungsmedien zwischen Nutzern und Informationen sind. Dementsprechend werden zunehmend verschiedene Typen von Anzeigevorrichtungen wie etwa organische lichtemittierende Anzeigen, Flüssigkristallanzeigen, elektrophoretische Anzeigen und Quantenpunktanzeigen verwendet.
  • Durch eine Ablagerungsvorrichtung wird eine Struktur in Form eines Dünnfilms gebildet. Herkömmliche Musterablagerungsvorrichtungen beruhen auf einer feinen Metallmaske. Allerdings erhöhen herkömmliche Musterablagerungsvorrichtungen wegen beträchtlicher Abweichung der Maskenschattenbildung (des Versperrens eines auf einem Substrat abzulagernden Schichtwerkstoffs wegen der Struktur einer Öffnung einer Maske) die Musterdimensionstoleranz. Darüber hinaus haben herkömmliche Musterablagerungsvorrichtungen Probleme hinsichtlich der Durchbiegung der Mitte einer Maske und einer dementsprechenden Genauigkeitsverringerung und können sie somit ein ultrafeines Muster (ein Muster mit ultrafeinem Abstand) nicht ablagern. Somit gibt es einen Bedarf an einer Ablagerungsvorrichtung zum Verwirklichen eines ultrafeinen Musters (eines Musters mit ultrafeinem Abstand), um eine große Anzeigetafel zu erzielen.
  • US 2010 / 0 015 424 A1 betrifft eine Oberfläche eines ersten Substrats, die mit mindestens getrennt gebildeten lichtabsorbierenden Schichten, jeweils zwischen den lichtabsorbierenden Schichten gebildeten Trennschichten mit einer inversen Kegelform und auf den lichtabsorbierenden Schichten und auf den Trennschichten gebildeten Materialschichten versehen ist, so dass die Materialschichten voneinander getrennt sind. Diese ist so angeordnet, dass sie einer Abscheidungszieloberfläche eines zweiten Substrats zugewandt ist; die Lichtbestrahlung wird von der anderen Oberfläche des ersten Substrats aus durchgeführt, wobei nur die Materialschichten in Bereichen, die von den lichtabsorbierenden Schichten überlappt werden, erhitzt und auf die Abscheidungszieloberfläche des zweiten Substrats verdampft werden.
  • JP 2007- 154 253 A betrifft eine Vorrichtung zur Bildung von Aufdampfmustern.
  • US 2017 / 0 092 860 A1 betrifft eine Verdampfungsquelle. Die Verdampfungsquelle umfasst ein Substrat, eine Vielzahl von Vertiefungen, die voneinander beabstandet und auf dem Substrat angeordnet sind, und eine Vielzahl von Heizquellen, die innerhalb der Vielzahl von Vertiefungen angeordnet sind.
  • US 6 255 775 B1 betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer farbigen elektrolumineszenten Dünnschichtanzeigevorrichtung.
  • US 2009 / 0 325 451 A1 betrifft ein Donorsubstrat, das zur Herstellung einer lichtemittierenden Schicht verwendet wird.
  • JP 2002-302 759 A betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtmusters.
  • WO 2011 / 122 018 A1 betrifft eine Vorrichtung zur Bildung eines dünnen Films, die ein organisches Filmmaterial verdampft, um einen dünnen Film auf einer Filmabscheidungsoberfläche eines Substrats zu bilden.
  • US 2007 / 0 266 943 A1 betrifft eine Schattenmaske und ein Verdampfungssystem, das diese Maske enthält. Die Lochmaske umfasst mindestens eine Öffnung.
  • US 2008 / 0 226 814 A1 betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines gemusterten aufgedampftem Film.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die Aufgaben der Erfindung sind die Schaffung einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, eines Verfahrens zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, das diese verwendet, und einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, die durch das Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters hergestellt ist, die die Nachteile des Standes der Technik überwinden.
  • Die vorliegende Erfindung schafft eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, die ein Basissubstrat, ein Heizteil, ein Schichtwerkstoffteil und eine Musterführung enthält. Das Heizteil ist in dem Basissubstrat enthalten und erzeugt Wärme. Das Schichtwerkstoffteil ist auf dem Heizteil angeordnet. Die Musterführung weist eine Öffnung auf, um einen von dem Schichtwerkstoffteil emittierten Schichtwerkstoff zu einem Targetgebiet zu führen.
  • Vorzugsweise enthält das Schichtwerkstoffteil ein seitlich ausgespartes unteres Teil und ein oberes Teil, das von dem unteren Teil vorsteht.
  • Vorzugsweise kann die Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters ferner eine Beschichtungsschicht umfassen, die auf der Musterführung angeordnet ist.
  • Vorzugsweise kann die Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters ferner ein Kühlteil zum Verringern der an die Musterführung übertragenen Wärme oder zum Halten der Musterführung auf einer niedrigeren Temperatur als das Heizteil umfassen.
  • Vorzugsweise ist die Musterführung aus einer einzelnen Schicht oder aus wenigstens zwei Schichten gebildet.
  • Vorzugsweise bildet die Öffnung zwischen der Musterführung und dem Basissubstrat einen Raum, wobei die Seitenwand und die Decke des Raums eine gerade, eine nicht gerade, eine diagonale, eine kreisförmige, eine kreisförmige, eine ovale oder eine mehreckige Form aufweisen.
  • Vorzugsweise enthält das Heizteil eine Heizeinrichtung, die in Übereinstimmung mit einer von au-ßen zugeführten Spannung Wärme erzeugt.
  • Vorzugsweise enthält das Heizteil eine Heizeinrichtung, die in Übereinstimmung mit einer von au-ßen zugeführten Spannung Wärme erzeugt, und eine wärmeleitende Schicht, die auf dem Heizteil angeordnet ist und Wärme überträgt.
  • Vorzugsweise enthält das Heizteil eine Heizeinrichtung, die in Übereinstimmung mit einer von au-ßen zugeführten Spannung Wärme erzeugt, eine wärmeleitende Schicht, die auf dem Heizteil angeordnet ist und Wärme überträgt, und eine Isolierschicht, die die Heizeinrichtung und die wärmeleitende Schicht abdichtet.
  • Vorzugsweise ist die Heizeinrichtung und/oder die wärmeleitende Schicht und/oder die Isolierschicht auf einer Seite des Basissubstrats oder innerhalb des Basissubstrats positioniert.
  • Vorzugsweise ist die Heizeinrichtung in einer Zickzack- und/oder in einer Block- und/oder in einer Linien- und/oder in einer Spiral- und/oder in einer Kreisform gebildet. In einem anderen Aspekt schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters unter Verwendung einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, die ein Heizteil, das in einem Basissubstrat enthalten ist und Wärme erzeugt, ein Schichtwerkstoffteil, das auf dem Heizteil angeordnet ist, und eine Musterführung mit einer Öffnung, die ein seitlich ausgespartes unteres Teil und ein oberes Teil, das von dem unteren Teil vorsteht, um einen von dem Schichtwerkstoffteil emittierten Schichtwerkstoff zu einem Targetgebiet zu führen, enthält, enthält. Das Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters enthält: Anordnen der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters unter einem Targetsubstrat; Anordnen und Justieren der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und des Targetsubstrats; und Zuführen einer Spannung zu dem Heizteil in der Weise, dass der Schichtwerkstoff auf Emissionsgebieten von Subpixeln des Targetsubstrats abgelagert wird, um ein Muster zu bilden.
  • Vorzugsweise enthält die Musterführung eine erste Öffnung und eine zweite Öffnung und enthält das Ablagern des Musters einen Primärmuster-Ablagerungsschritt und einen Sekundärmuster-Ablagerungsschritt.
  • Vorzugsweise wird der Schichtwerkstoff in Übereinstimmung mit dem Betrieb des Heizteils von einem in der ersten Öffnung positionierten Schichtwerkstoffteil emittiert, während der Schichtwerkstoff von einem in der zweiten Öffnung positionierten Schichtwerkstoffteil nicht emittiert wird, da das Heizteil nicht arbeitet, wenn die Primärmusterablagerung ausgeführt wird.
  • Vorzugsweise wird der Schichtwerkstoff von dem in der zweiten Öffnung positionierten Schichtwerkstoffteil in Übereinstimmung mit dem Betrieb des Heizteils emittiert, während der Schichtwerkstoff von dem in der ersten Öffnung positionierten Schichtwerkstoffteil nicht emittiert wird, da das Heizteil nicht arbeitet, wenn die Sekundärmusterablagerung ausgeführt wird.
  • Vorzugsweise wird die Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters auf der Grundlage der ersten oder der zweiten Öffnung um eine Öffnung verschoben und wird das Targetsubstrat von einem ersten Targetsubstrat zu einem zweiten Targetsubstrat geändert, wenn die Sekundärmusterablagerung ausgeführt wird.
  • In einem anderen Aspekt schafft die vorliegende Erfindung eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die durch das Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters hergestellt ist.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu schaffen, und die in diese Patentschrift integriert sind und einen Bestandteil von ihr bilden, stellen Ausführungsformen der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der Prinzipien der Erfindung.
    • 1 ist eine schematische Darstellung, die schematisch eine herkömmliche Musterablagerungsvorrichtung darstellt.
    • 2 ist eine schematische Darstellung, die eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer ersten, nicht beanspruchten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
    • 3 ist eine schematische Darstellung zur Beschreibung der Musterablagerung unter Verwendung der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters.
    • 4 stellt einen Prozessablauf zur Beschreibung von Prozessen von der Schichtwerkstoffvorbeschichtung bis zur Musterablagerung dar.
    • 5 ist eine schematische Darstellung, die eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer zweiten, vorliegend beanspruchten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
    • 6 ist eine schematische Darstellung, die eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ein Targetsubstrat darstellt.
    • 7 und 8 sind schematische Darstellungen zur Beschreibung eines Verfahrens zum Verbessern der Schichtwerkstoff-Ausnutzungseffizienz, wenn unter Verwendung einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Muster abgelagert wird.
    • 9 ist eine erste beispielhafte schematische Darstellung, die ein Teil einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
    • 10 ist eine zweite beispielhafte schematische Darstellung, die das Teil der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
    • 11 ist eine schematische Darstellung, die verschiedene Konfigurationen eines Heizteils darstellt, das in einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthalten ist.
    • 12 ist eine schematische Darstellung, die verschiedene Beispiele der Anordnung des Heizteils darstellt, das in der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthalten ist.
    • 13 und 14 sind eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht verschiedener Elektrodenstrukturen des Heizteils, das in der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthalten ist.
  • BESCHREIBUNG BEISPIELHAFTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es wird nun ausführlich auf Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, für die Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
  • Im Folgenden werden anhand der beigefügten Zeichnungen spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben.
  • Eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters (eines Musters mit ultrafeinem Abstand), die im Folgenden beschrieben wird, kann zur Herstellung einer Anzeigetafel einer Anzeigevorrichtung zur Verwendung in einem Fernsehgerät, in Videospielern, in Personal Computern (PCs), in Heimkinos, in Smartphones, in Virtual-Reality-Vorrichtungen (VR-Vorrichtungen) usw. verwendet werden.
  • Die oben erwähnten Anzeigevorrichtungen können organische lichtemittierende Anzeigen, Flüssigkristallanzeigen, elektrophoretische Anzeigen und Quantenpunktanzeigen sein. Anzeigevorrichtungen enthalten eine Anzeigetafel, einen Treiber, der die Anzeigetafel ansteuert, und einen Controller, der den Treiber steuert. Es gibt verschiedene Typen von Anzeigetafeln, die für Anzeigevorrichtungen verwendet werden.
  • Allerdings sind Anzeigevorrichtungen dahingehend ähnlich, dass ein Substrat und eine als ein Dünnfilm auf dem Substrat gebildete Struktur notwendig sind, um die Anzeigetafel zu bilden. Dementsprechend kann irgendeine Anzeigevorrichtung, die ein Verfahren zum Ablagern eines Dünnfilms, insbesondere eines organischen Dünnfilms (einer organischen Schicht), auf einem Substrat erfordert, durch eine in der vorliegende Erfindung beschriebene Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters hergestellt werden, wobei die vorliegende Erfindung nicht auf die oben erwähnten Anzeigevorrichtungen beschränkt ist.
  • Außerdem können organische Dünnfilme eine Lochtransportschicht (HTL), eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine Emissionsschicht (EML), eine Elektronentransportschicht (ETL), eine Elektroneninjektionsschicht (EIL), eine Deckschicht (CPL), eine Schicht mit erzeugter Ladung (CGL), eine Elektronensperrschicht (EBL), eine Schicht mit erhöhter Effizienz (EEL), eine RGB-Grundschicht usw. enthalten.
  • <Verwandtes Gebiet >
  • 1 ist eine schematische Darstellung, die schematisch eine herkömmliche Musterablagerungsvorrichtung darstellt.
  • Wie in 1 gezeigt ist, beruht die herkömmliche Musterablagerungsvorrichtung auf einer feinen Metallmaske (FMM) (im Folgenden als eine Maske bezeichnet). Die Maske FMM weist Öffnungen OPM zum Ablagern eines organischen Schichtwerkstoffs SRC, der von einer Schichtwerkstofflagereinheit SRP emittiert wird, nur auf einem spezifischen Gebiet auf einem Substrat SUB auf.
  • Zum Beispiel legen die Öffnungen OPM der Maske FMM nur diejenigen Gebiete frei, die roten Subpixeln R entsprechen, falls, wie gezeigt ist, grüne Subpixel G und blaue Subpixel B gebildet worden sind.
  • Allerdings erhöht die herkömmliche Musterablagerungsvorrichtung wegen einer beträchtlichen Abweichung der Maskenschattenbildung (des Versperrens eines auf einem Substrat abzulagernden Schichtwerkstoffs wegen der Struktur einer Öffnung einer Maske) eine Musterdimensionstoleranz.
  • Darüber hinaus weist die herkömmliche Musterablagerungsvorrichtung Probleme hinsichtlich der Durchbiegung der Mitte der Maske FMM (der Durchbiegung der Mitte wegen der Erhöhung des Maskengewichts oder der Schwerkraft) und der dadurch verursachten Genauigkeitsverringerung auf und kann sie somit ein ultrafeines Muster nicht ablagern. Somit ist eine von der herkömmlichen Musterablagerungsvorrichtung verschiedene Ablagerungsvorrichtung notwendig, um eine große Anzeigetafel zu erzielen.
  • <Erste Ausführungsform>
  • 2 ist eine schematische Darstellung, die eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, 3 ist eine schematische Darstellung zur Beschreibung der Musterablagerung unter Verwendung der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und 4 stellt einen Prozessablauf zur Beschreibung von Prozessen von der Schichtwerkstoffvorbeschichtung bis zur Musterablagerung dar.
  • Wie in 2 gezeigt ist, enthält die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Basissubstrat TSUB, ein Heizteil HTP, eine Musterführung PGP und ein Schichtwerkstoffteil SRC.
  • Das Basissubstrat TSUB dient als eine Basis der Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters. Das Substrat TSUB ist aus einem transparenten Material gebildet. Das Basissubstrat TSUB kann z. B. aus irgendeinem transparenten Material mit hoher Transparenz (Durchlässigkeit) wie etwa Quarz oder amorphem Glas gebildet sein. Allerdings ist die vorliegende Erfindung darauf nicht beschränkt.
  • Für das Schichtwerkstoffteil SRC kann ein Schichtwerkstoff ausgewählt werden, der als Reaktion auf darauf angewendete externe Wärme verdampft. Für das Schichtwerkstoffteil SRC kann z. B. ein organischer Schichtwerkstoff oder ein anorganischer Schichtwerkstoff ausgewählt werden. Ein organischer Schichtwerkstoff und ein anorganischer Schichtwerkstoff werden im Folgenden zusammen ein Schichtwerkstoff genannt.
  • Das Heizteil HTP dient dazu, auf das Schichtwerkstoffteil SRC Wärme anzuwenden. Das Heizteil HTP ist auf einer Seite des Basissubstrats TSUB oder innerhalb des Basissubstrats TSUB angeordnet oder getrennt und auf einer Seite und/oder innerhalb des Basissubstrats TSUB angeordnet. Das Heizteil HTP ist in einer Struktur gebildet, die Wärme erzeugt, die den in dem Schichtwerkstoffteil SRC enthaltenen Schichtwerkstoff verdampfen kann. Das Heizteil HTP enthält z. B. eine Heizeinrichtung HP, eine wärmeleitende Schicht HCL, Schichten ELL1 und ELL2 elektrischer Leitungen und Elektrodenschichten ELP1 und ELP2.
  • Die Elektrodenschichten ELP1 und ELP2 sind Elektroden, an die eine positive Spannung (+) und eine negative Spannung (-) angelegt werden. Die Schichten ELL1 und ELL2 elektrischer Leitungen sind elektrische Leitungen, um die über die Elektrodenschichten ELP1 und ELP2 angelegte positive Spannung (+) und negative Spannung (-) zu der Heizeinrichtung HP zu übertragen. Die Heizeinrichtung HP ist ein Widerstand (oder ein Heizelement), der als Reaktion auf die positive Spannung (+) und auf die negative Spannung (-) Wärme erzeugt. Die wärmeleitende Schicht HCL ist ein Leiter, der die von der Heizeinrichtung HP erzeugte Wärme gleichförmig zu dem Schichtwerkstoffteil SRC überträgt. Obgleich das Heizteil HTP in dieser Ausführungsform als ein resistives Heizmittel beschrieben ist, ist die vorliegende Erfindung darauf nicht beschränkt. In einigen Ausführungsformen der Erfindung können andere Heizmittel ebenfalls möglich sein. In einigen Ausführungsformen kann eine resistive Heizeinrichtung wegen einer Anzahl von Vorteilen einschließlich niedrigerer Kosten der Herstellung, höherer Ausbeute und Zuverlässigkeit bevorzugt sein, um ein feines Muster zu erzielen.
  • Die Musterführung PGP dient dazu, den von dem Schichtwerkstoffteil SRC emittierten Schichtwerkstoff zu einem Targetgebiet zu führen, während verhindert wird, dass der Schichtwerkstoff in anderen Gebieten als dem Targetgebiet ankommt. Die Musterführung PGP ist auf einer Seite des Basissubstrats TSUB gebildet. Das obere Teil der Musterführung PGP ist höher als die oberen Teile der Heizeinrichtung HP und des Schichtwerkstoffteils SRC. Die Heizeinrichtung HP und das Schichtwerkstoffteil SRC sind innerhalb von Öffnungen OPN der Musterführung PGP angeordnet.
  • Die Musterführung PGP enthält die Öffnungen OPN mit einem seitlich ausgesparten unteren Teil und mit einem oberen Teil, das von dem unteren Teil vorsteht, um den von dem Schichtwerkstoffteil SRC emittierten Schichtwerkstoff zu einem Targetgebiet zu führen. Im Ergebnis legen die Öffnungen OPN von über dem Basissubstrat TSUB aus gesehen nur den Schichtwerkstoffteil SRC frei. Zur Referenz berühren die unteren Teile der Öffnungen OPN das Basissubstrat TSUB und liegen die oberen Teile davon nach außen frei. Dementsprechend können die Lichtreflektoren 140 eine T-Form (oder eine Pilzform) aufweisen. Allerdings ist die Form des Lichtreflektors 140 nicht auf die in der Figur gezeigte beschränkt. Nicht-Öffnungs-Teile der Musterführung PGP können als ein Gebiet, in dem der Schichtwerkstoff nicht emittiert ist, d. h. als ein Nicht-Ablagerungs-Gebiet, definiert sein, und die Öffnung OPN, die dem Schichtwerkstoffteil SRC entspricht, kann als ein Gebiet, durch das der Schichtwerkstoff emittiert wird, d. h. als ein Ablagerungsgebiet, definiert sein.
  • Die Öffnung OPN der Musterführung PGP und das Schichtwerkstoffteil SRC können gleiche oder ähnliche Größen und Formen aufweisen. Der von dem Schichtwerkstoffteil SRC emittierte Schichtwerkstoff bildet Emissionsgebiete von Subpixeln. Die Öffnung OPN der Musterführung PGP und das Schichtwerkstoffteil SRC können in einer Dreieck-, in einer Rechteck-, in einer Quadrat-, in einer Kreis-, in einer Oval-, in einer Rauten- oder in einer Mehreckform gebildet sein. Allerdings ist die vorliegende Erfindung darauf nicht beschränkt.
  • Außerdem entspricht die Breite der Öffnung OPN der Breite des Emissionsgebiets eines Subpixels, das die Öffnung OPN zugewandt angeordnet ist. Zum Beispiel weist die Öffnung OPN eine Breite auf, die den Emissionsgebieten der zwei Subpixel entspricht, wenn ein Subpixel, das Licht in einer ersten Farbe emittiert, links, rechts oder auf einem Subpixel, das Licht in derselben ersten Farbe emittiert, angeordnet ist. Ferner kann die Öffnung OPN in Übereinstimmung mit den Positionen unterschiedliche Breiten aufweisen. Zum Beispiel können Subpixel unterschiedliche Emissionsgebietbreiten aufweisen, so dass die Öffnung OPN dementsprechend unterschiedliche Breiten aufweisen kann.
  • Wie in 3 gezeigt ist, ist die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform unter dem Targetsubstrat SUB angeordnet, auf dem der Schichtwerkstoff abgelagert wird.
  • Das Targetsubstrat SUB enthält Gebiete SPG grüner Subpixel, Gebiete SPR roter Subpixel und Gebiete SPB blauer Subpixel. Ferner kann das Targetsubstrat SUB Gebiete (nicht gezeigt) weißer Subpixel enthalten. Die Gebiete SPG grüner Subpixel, die Gebiete SPR roter Subpixel und die Gebiete SPB blauer Subpixel sind durch eine Bankschicht BNK getrennt. Auf den Gebieten SPG grüner Subpixel, auf den Gebieten SPR roter Subpixel und auf den Gebieten SPB blauer Subpixel sind untere Elektroden (oder Anodenelektroden) El gebildet und freigelegt. Das heißt, die Bankschicht BNK dient dazu, durch selektives Freilegen der unteren Elektroden E1 die Emissionsgebiete der Subpixel SPG, SPR und SPB zu definieren.
  • Auf den Oberflächen der Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und des Targetsubstrats SUB sind Justiermarken ALK1 bzw. ALK2 gebildet, die einander zugewandt sind. Die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und das Targetsubstrat SUB werden auf der Grundlage der Justiermarken ALK1 und ALK2 angeordnet und justiert.
  • Die Justiermarken ALK1 und ALK2 werden dazu verwendet, die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und das Targetsubstrat SUB in der Weise anzuordnen und zu justieren, dass der Schichtwerkstoff auf dem Targetgebiet richtig abgelagert wird. Die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und das Targetsubstrat SUB können in der Weise aufeinander justiert werden, dass Strukturen, die ihren oberen Schichten entsprechen, einander berühren oder einander fast berühren oder dass sie durch einen vorgegebenen Abstand oder länger voneinander getrennt sind.
  • Wie aus dem Querschnitt der justierten Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und des Targetsubstrats SUB zu sehen ist, entsprechen die Öffnungen OPN der Musterführung PGP den Emissionsgebieten ausgewählter Subpixel, wenn die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und das Targetsubstrat SUB justiert worden sind. Wie gezeigt ist, entsprechen z. B. die Öffnungen OPN der Musterführung PGP nur den Emissionsgebieten der Gebiete SPR roter Subpixel, wenn die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters dafür konfiguriert ist, einen organischen Dünnfilm der roten Subpixel abzulagern.
  • Wie gezeigt ist, erzeugt das Heizteil HTP Wärme, so dass der Schichtwerkstoff des Schichtwerkstoffteils SRC verdampft und durch die Musterführung PGP dafür geführt wird, auf Targetgebieten des Targetsubstrats SUB abgelagert zu werden, wenn die Justierung zwischen der Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und dem Targetsubstrat SUB abgeschlossen ist. Zum Beispiel kann die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters als eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines roten organischen Schichtwerkstoffs definiert werden, wenn für das Schichtwerkstoffteil SRC der in 3 gezeigten Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters ein roter organischer Schichtwerkstoff ausgewählt wird.
  • Die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters kann in eine Vorrichtung zum Ablagern eines roten organischen Schichtwerkstoffs, in eine Vorrichtung zum Ablagern eines grünen organischen Schichtwerkstoffs und in eine Vorrichtung zum Ablagern eines blauen organischen Schichtwerkstoffs klassifiziert werden. In diesem Fall können Schichtwerkstoffe durch ihre Farben vorbeschichtet werden und kann daraufhin die Musterablagerung ausgeführt werden. Dies wird im Folgenden beschrieben. Im Folgenden wird die Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines roten organischen Schichtwerkstoffs als ein Beispiel beschrieben.
  • Wie in 4 gezeigt ist, wird ein roter organischer Schichtwerkstoff SRC_R in den Öffnungen der Musterführung beschichtet, die auf dem Basissubstrat der Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters gebildet ist, um einen roten organischen Schichtwerkstoff abzulagern. Zum Beispiel wird der rote organische Schichtwerkstoff SRC_R in alle Öffnungen gefüllt, während die Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines roten organischen Schichtwerkstoffs durch ein Verlagerungsmittel wie etwa ein Förderband in einer Richtung x2 in Richtung der X-Achse verlagert wird.
  • Der Zweck der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters ist durch einen Schichtwerkstoff-Vorbeschichtungsprozess definiert. Obgleich die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, wie oben beschrieben ist, eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines roten organischen Schichtwerkstoffs ist, wenn der rote organische Schichtwerkstoff SRC_R beschichtet wird, ist die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines grünen organischen Schichtwerkstoffs, wenn der grüne organische Schichtwerkstoff SRC_G beschichtet wird, und eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines blauen organischen Schichtwerkstoffs, wenn der blaue organische Schichtwerkstoff SRC_B beschichtet wird.
  • Im Folgenden werden die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines roten organischen Schichtwerkstoffs und das Targetsubstrat 200 auf der Grundlage der dafür vorgesehenen Justierschlüssel ALK und eines Sehsystems VAS angeordnet und justiert. Daraufhin wird an die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines roten organischen Schichtwerkstoffs für die Ablagerung eines ultrafeinen Musters eine Spannung angelegt, um zu veranlassen, dass das Heizteil Wärme erzeugt, und wird ein Musterablagerungsprozess ausgeführt, durch den der Schichtwerkstoff verdampft. Der auf den Gebieten roter Subpixel abgelagerte Schichtwerkstoff des Targetsubstrats SUB wird zu einem organischen Dünnfilm zum Emittieren von rotem Licht. Nach Abschluss eines Prozesses zum Bilden einer oberen Elektrode (oder Katodenelektrode) wird der organische Dünnfilm zu einer organischen emittierenden Schicht, die auf dem Targetsubstrat SUB Licht emittiert.
  • Der Musterablagerungsprozess zum Ablagern des roten organischen Dünnfilms kann ausgeführt werden, während das Targetsubstrat 200 in einer Richtung y2 in Richtung der Y-Achse bewegt wird, auch wenn die Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zum Ablagern eines roten organischen Schichtwerkstoffs in der Richtung x2 bewegt wird. Allerdings sind die Vorrichtung zum Ausführen des Musterablagerungsprozesses und die Substratbewegungsrichtungen beispielhaft und ist die vorliegende Erfindung darauf nicht beschränkt.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • 5 ist eine schematische Darstellung, die eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Wie gezeigt ist, ist die Konfiguration der Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnlich der Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform, wobei sich die zweite Ausführungsform aber dadurch von der ersten Ausführungsform unterscheidet, dass auf der Musterführung PGP zusätzlich eine erfindungsgemäße Beschichtungsschicht COL gebildet ist.
  • Die Beschichtungsschicht COL dient dazu zu verhindern, dass der Schichtwerkstoff während des Schichtwerkstoff-Vorbeschichtungsprozesses auf der Musterführung PGP beschichtet wird, oder dazu, bei der gleichzeitigen Entfernung der Beschichtungsschicht COL und des darauf beschichteten Schichtwerkstoffs durch einen einfachen Reinigungsprozess zu helfen. Die Beschichtungsschicht COL kann dafür gebildet sein, die Oberfläche und die Seite der Musterführung PGP zu bedecken.
  • Die Struktur, in der die Beschichtungsschicht COL auf der Musterführung PGP gebildet ist, erfordert keinen selektiven Beschichtungsprozess, um in der Öffnung OPN der auf dem Basissubstrat TSUB gebildeten Musterführung PGP einen Schichtwerkstoff in einer spezifischen Farbe abzulagern.
  • Das heißt, wenn die Beschichtungsschicht COL vorhanden ist, kann die Schichtstoffvorbeschichtung von der Vorderseite der Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters ausgeführt werden. Außerdem kann ein Problem gelöst werden, das dadurch verursacht wird, dass in dem von der Öffnung OPN der Musterführung PGP verschiedenen Gebiet (auf der Oberfläche der Musterführung) ein Schichtwerkstoff verbleibt, wenn die Beschichtungsschicht COL vorhanden ist, (da der in dem selektiven Beschichtungsprozess erzeugte Rest entfernt werden kann).
  • <Dritte Ausführungsform>
  • 6 ist eine schematische Darstellung, die eine Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ein Targetsubstrat darstellt.
  • Wie in 6 gezeigt ist, ist die Konfiguration der Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnlich der der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der ersten oder zweiten Ausführungsform, wobei sich die dritte Ausführungsform aber von der ersten oder von der zweiten Ausführungsform dadurch unterscheidet, dass zusätzlich ein Kühlteil CLP gebildet ist.
  • Das Kühlteil CLP dient dazu, die auf die Musterführung PGP übertragene Wärme zu verringern, so dass von dem Heizteil HTP erzeugte Wärme nicht auf das Nichtablagerungsgebiet übertragen wird oder die Musterführung PGP bei einer niedrigeren Temperatur als die Heizeinrichtung HP gehalten wird. Das Kühlteil CLP ist als ein manueller Typ, der aus einem Material gebildet ist, das Wärme steuert, oder als ein aktiver Typ mit elektrischer Steuerung zum Steuern der Wärme implementiert.
  • Im Folgenden wird ein Beispiel beschrieben, in dem das Kühlteil CLP als der aktive Typ implementiert ist. Das Kühlteil CLP enthält eine Kühlschicht CLR, eine Verbindungsschicht CLK und einen Thermoelektrizitätscontroller TEC.
  • Die Kühlschicht CLR kann innerhalb der Musterführung PGP angeordnet sein, wenn die Beschichtungsschicht COL nicht vorhanden ist, und kann unter der Beschichtungsschicht COL angeordnet sein, wenn die Beschichtungsschicht COL vorhanden ist. Die Verbindungsschicht CLK kann so gebildet sein, dass sie die Musterführung PGP zu der anderen Seite des Basissubstrats TSUB durchdringt. Der Thermoelektrizitätscontroller TEC kann auf der anderen Seite des Basissubstrats TSUB angeordnet sein.
  • Die Kühlschicht CLR dient dazu, die Musterführung PGP zu kühlen oder die Musterführung PGP auf einer niedrigeren Temperatur als die Heizeinrichtung HP zu halten. Die Verbindungsschicht CLK dient dazu, die Kühlschicht CLR mit dem Thermoelektrizitätscontroller TEC elektrisch oder mechanisch zu verbinden.
  • Der Thermoelektrizitätscontroller TEC dient dazu, die Wärme in der Weise zu steuern, dass die Temperatur der Musterführung PGP unter Verwendung der Kühlschicht CLR gesteuert werden kann. Der Thermoelektrizitätscontroller TEC kann z. B. als ein „thermoelektrischer Kühler“ verwirklicht sein, der durch Steuern einer Stromflussrichtung Wärme durch die Kühlschicht CLR aufnehmen kann. Allerdings ist die vorliegende Erfindung darauf nicht beschränkt.
  • Eine Struktur, in der die Kühlschicht CLR gebildet ist, hilft dabei, ein Gebiet, in dem der Schichtwerkstoff nicht abgelagert zu werden braucht, abzuschirmen, und kann somit die Mustergenauigkeit verbessern. Außerdem kann das Kühlteil verhindern, dass ein Schichtwerkstoff, der auf der Musterführung PGP verbleibt, auf der Bankschicht BNK des Targetsubstrats SUB in einer Struktur abgelagert wird, in der die Beschichtungsschicht COL nicht vorhanden ist.
  • <Vierte Ausführungsform>
  • 7 und 8 sind schematische Darstellungen zur Beschreibung eines Verfahrens zum Verbessern der Schichtwerkstoff-Ausnutzungseffizienz, wenn ein Muster unter Verwendung einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung abgelagert wird.
  • Wie in 7 und 8 gezeigt ist, kann die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf einer der ersten bis dritten Ausführungsform beruhen. Die vierte Ausführungsform bezieht sich auf eine Verbesserung der Schichtwerkstoff-Ausnutzungseffizienz der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters. Dies wird im Folgenden beschrieben.
  • Die Musterführung PGP enthält erste Öffnungen OPN1 und zweite Öffnungen OPN2. In den ersten Öffnungen OPN1 und in den zweiten Öffnungen OPN2 sind aus demselben Material (in derselben Farbe) gebildete Schichtwerkstoffteile SRC angeordnet.
  • Das in den ersten Öffnungen OPN1 gebildete Schichtwerkstoffteil SRC emittiert während der in 7 gezeigten Primärmusterablagerung in Übereinstimmung mit der Heizung des Heizteils HTP den Schichtwerkstoff. Im Ergebnis wird der durch die ersten Öffnungen OPN1 emittierte Schichtwerkstoff auf einem Targetsubstrat SUB abgelagert. Das Heizteil HTP, das den zweiten Öffnungen OPN2 entspricht, erhält hier einen Zustand aufrecht, in dem es keine Wärme erzeugt.
  • Das in den zweiten Öffnungen OPN2 gebildete Schichtwerkstoffteil SRC emittiert während der in 8 gezeigten Sekundärmusterablagerung in Übereinstimmung mit der Heizung des Heizteils HTP den Schichtwerkstoff. Im Ergebnis wird auf dem Targetsubstrat SUB der durch die zweiten Öffnungen OPN2 emittierte Schichtwerkstoff abgelagert. Das Heizteil HTP, das den ersten Öffnungen OPN1 entspricht, erhält hier einen Zustand aufrecht, in dem es keine Wärme erzeugt.
  • Um den Schichtwerkstoff durch das in 7 und 8 gezeigte Verfahren abzulagern, kann die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters wie gezeigt nach links verschoben werden. Die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters kann hier auf der Grundlage der ersten Öffnungen OPN1 oder der zweiten Öffnungen OPN2 der Musterführung PGP um eine Öffnung nach links verschoben werden. Allerdings ist die vorliegende Erfindung darauf nicht beschränkt.
  • Außerdem wird das Targetsubstrat SUB, das während der Primärmusterablagerung auf die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters justiert ist, nach der Primärmusterablagerung entfernt. Daraufhin führt die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters zur Sekundärmusterablagerung einen Musterablagerungsprozess wie etwa eine Justierung auf das neu eingeführte Targetsubstrat SUB (einen Targetsubstratwechsel) aus.
  • Die Vorrichtung 100 zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist eine Struktur auf, in der die Dichte der Anordnung des Heizteils HTP und der Öffnungen OPN1 und OPN2 erhöht werden kann und Schichtwerkstoffteile SRC abwechselnd verwendet werden können. Folglich kann in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform ein Muster auf zwei Targetsubstraten durch einen einmaligen Schichtwerkstoff-Vorbeschichtungsprozess abgelagert werden, so dass die Schichtwerkstoff-Ausnutzungseffizienz verbessert werden kann.
  • <Fünfte Ausführungsform>
  • 9 ist eine erste beispielhafte schematische Darstellung, die ein Teil einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt, und 10 ist eine zweite beispielhafte schematische Darstellung, die ein Teil der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
  • Wie in 9 gezeigt ist, kann die Musterführung PGP, anstatt aus einer einzelnen Schicht gebildet zu sein, aus wenigstens zwei Schichten, die einem Stützteil PGP1 und einem Führungsteil PGP2 entsprechen, gebildet sein. Das Stützteil PGP1 ist auf einer Seite des Basissubstrats TSUB positioniert und stützt das Führungsteil PGP2. Das Führungsteil PGP2 ist auf dem Stützteil PGP1 positioniert und führt den von dem Schichtwerkstoffteil SRC emittierten Schichtwerkstoff zu einem Targetgebiet.
  • Das Führungsteil PGP2 definiert die Öffnung OPN, die das Schichtwerkstoffteil SRC freilegt. Zu diesem Zweck steht das Führungsteil PGP2 in der Querrichtung weiter vor, damit es sowohl in der Draufsicht als auch in der Querschnittsansicht des Basissubstrats TSUB eine größere Fläche als das Stützteil PGP1 aufweist. Das Stützteil PGP1 und das Führungsteil PGP2 können aus demselben Material oder aus unterschiedlichen Materialien gebildet sein.
  • Das Stützteil PGP1 und das Führungsteil PGP2 können aus einem Material gebildet sein, das unter Verwendung einer Ätzlösung geätzt werden kann. Wenn das Stützteil PGP1 und das Führungsteil PGP2 gebildet werden, kann eine Unterschneidungsverarbeitung unter Verwendung einer Ätzlösung verwendet werden, so dass das Stützteil PGP1 von dem Führungsteil PGP2 seitlich ausgespart wird. Wenn die Unterschneidungsverarbeitung verwendet wird, ist das untere Teil der Öffnung OPN in Kontakt mit dem Basissubstrat TSUB breiter als sein von dem Basissubstrat TSUB getrenntes oberes Teil. Dementsprechend weist die Musterführung PGP eine durch die Unterschneidungsverarbeitung gebildete Unterschnittstruktur auf.
  • Darüber hinaus wird das Stützteil PGP1 teilweise entfernt und kann somit unter dem Führungsteil PGP2 ein Raum SPC gebildet werden, wenn die Unterschneidungsverarbeitung verwendet wird. Dementsprechend kann die Musterführung PGP eine T-Form (oder Pilzform) aufweisen. Allerdings ist die Form der Musterführung PGP nicht auf die in der Figur gezeigte beschränkt. Wenn die Musterführung PGP die oben erwähnte Form aufweist, kann die darauf gebildete Beschichtungsschicht COL so positioniert sein, dass sie die Oberfläche und die Seite der Musterführung PGP bedeckt.
  • Wie in 10 gezeigt ist, kann die Musterführung PGP aus einer einzelnen Schicht gebildet sein. In diesem Fall kann die Musterführung PGP ebenfalls aus einem Material gebildet sein, das unter Verwendung einer Ätzlösung geätzt werden kann. Um eine Öffnung OPN zu bilden, die mit abnehmender Entfernung zu dem Basissubstrat TSUB breiter wird, kann eine Unterschneidungsverarbeitung unter Verwendung einer Ätzlösung verwendet werden.
  • Wenn die Unterschneidungsverarbeitung verwendet wird, wird ein unteres Teil der Musterführung PGP stärker als ein oberes Teil davon entfernt, so dass auf dem Boden der Musterführung PGP ein Raum SPC gebildet werden kann. Dementsprechend kann die Öffnung OPN der Musterführung PGP eine umgekehrt abgeschrägte Form aufweisen. Allerdings ist die Form der Öffnung OPN nicht auf die in der Figur gezeigte beschränkt. Wenn die Musterführung PGP die oben erwähnte Form aufweist, kann die darauf gebildete Beschichtungsschicht COL so positioniert sein, dass sie nur die Oberfläche der Musterführung PGP bedeckt.
  • Wie aus der Beschreibung anhand von 9 und 10 bekannt sein kann, ist in der Öffnung OPN der Musterführung PGP der Raum SPC vorgesehen, der nicht nach außen freiliegt. Der Raum SPC ist zwischen dem seitlich ausgesparten unteren Teil der Öffnung OPN und der Oberfläche des Basissubstrats TSUB gebildet. Die Seitenwand und die Decke, die den Raum SPC bilden, können in Abhängigkeit von den Eigenschaften des Materials und der Ätzrate eine gerade, eine nicht gerade, eine diagonale, eine kreisförmige, eine ovale oder eine mehreckige Form aufweisen.
  • Der zwischen der Öffnung OPN der Musterführung PGP und dem Basissubstrat TSUB vorgesehene Raum SPC dient dazu, von der Heizeinrichtung HP erzeugte Wärme zu speichern und die gespeicherte Wärme für das Schichtwerkstoffteil SRC bereitzustellen, um bei der Verdampfung des Schichtwerkstoffteils SRC zu helfen. Ferner dient der zwischen der Öffnung OPN der Musterführung PGP und dem Basissubstrat TSUB vorgesehene Raum SPC dazu zu verhindern, dass der von dem Schichtwerkstoffteil SRC verdampfte Schichtwerkstoff andere Gebiete als die Öffnung OPN erreicht. Dementsprechend kann die Form des zwischen der Öffnung OPN der Musterführung PGP und dem Basissubstrat TSUB vorgesehenen Raums SPC durch wiederholtes Experiment unter Beachtung der oben erwähnten Eigenschaften optimiert werden.
  • <Sechste Ausführungsform>
  • 11 ist eine schematische Darstellung, die verschiedene Konfigurationen eines in einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthaltenen Heizteils darstellt, 12 ist eine schematische Darstellung, die verschiedene Beispiele der Anordnung des in der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthaltenen Heizteils darstellt, und 13 und 14 sind eine Draufsicht und eine Querschnittsansicht verschiedener Elektrodenstrukturen des in der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters in Übereinstimmung mit der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthaltenen Heizteils.
  • Wie in 11 (a) gezeigt ist, kann das Heizteil HTP außer den Elektroden und den elektrischen Leitungen als eine Komponente, die Wärme erzeugt, nur die Heizeinrichtung HP enthalten. In diesem Fall ist das Schichtwerkstoffteil SRC auf der Oberfläche des Heizteils HP angeordnet. In der in 11(a) gezeigten Struktur kann das Heizteil HTP einfach konfiguriert sein, um die Kosten zu senken.
  • Wie in 11(b) gezeigt ist, kann das Heizteil HTP außer den Elektroden und den elektrischen Leitungen als eine Komponente, die Wärme erzeugt, die Heizeinrichtung HP und die wärmeleitende Schicht HCL enthalten. In diesem Fall ist die wärmeleitende Schicht HCL auf der Heizeinrichtung HP angeordnet und ist das Schichtwerkstoffteil SRC auf der Oberfläche der wärmeleitenden Schicht HCL angeordnet. Die in 11(b) gezeigte Struktur kann die Wärmeleitfähigkeit des Heizteils HTP weiter verbessern.
  • Wie in 11 (c) gezeigt ist, kann das Heizteil HTP außer den Elektroden und den elektrischen Leitungen als eine Komponente, die Wärme erzeugt, die Heizeinrichtung HP, die wärmeleitende Schicht HCL und eine Isolierschicht INL enthalten. In diesem Fall ist die wärmeleitende Schicht HCL auf der Heizeinrichtung HP angeordnet und sind die Heizeinrichtung HP und die wärmeleitende Schicht HCL durch die Isolierschicht INL abgedichtet. Das Schichtwerkstoffteil SRC ist auf der Oberfläche der wärmeleitenden Schicht HCL oder der Isolierschicht INL angeordnet. Die in 11(b) gezeigte Struktur kann die Wärmeleitfähigkeit des Heizteils HTP weiter verbessern und die Lebensdauer des Heizteils erhöhen.
  • Wie in 12(a) gezeigt ist, können die Komponenten des Heizteils, die Wärme erzeugen und übertragen, auf einer Seite des Basissubstrats TSUB angeordnet sein. Zum Beispiel kann die Heizeinrichtung HP auf einer Seite (der oberen Oberfläche) des Basissubstrats TSUB angeordnet sein und kann die wärmeleitende Schicht HCP auf der einen Seite (der oberen Oberfläche) der Heizeinrichtung HP angeordnet sein.
  • Wie in 12(b) gezeigt ist, können die Komponenten des Heizteils, die Wärme erzeugen und übertragen, innerhalb des Basissubstrats TSUB angeordnet sein. Zum Beispiel können die Heizeinrichtung HP und die darauf gebildete wärmeleitende Schicht HCP innerhalb des Basissubstrats TSUB angeordnet sein. Zur Verbesserung der Wärmeleitfähigkeit ist es erwünscht, dass die Oberfläche der wärmeleitenden Schicht HCL von dem Basissubstrat TSUB freiliegt, wobei die vorliegende Erfindung darauf aber nicht beschränkt ist.
  • Wie in 12(c) gezeigt ist, können die Komponenten des Heizteils, die Wärme erzeugen und übertragen, auf einer Seite des Basissubstrats TSUB angeordnet sein und kann ein Teil der Schichten ELL1 und ELL2 elektrischer Leitungen von der Oberfläche das Basissubstrats TSUB vorstehen.
  • Zum Beispiel kann die Heizeinrichtung HP auf einer Seite (der oberen Oberfläche) des Basissubstrats TSUB angeordnet sein, wobei das obere Teil und das untere Teil davon durch die wärmeleitende Schicht HCL abgedichtet sind. Die Abdichtung durch die wärmeleitende Schicht HCL kann den Schutz vor Beschädigung verbessern (wenn die wärmeleitende Schicht aus einem Metallmaterial gebildet ist), wenn eine Reinigung ausgeführt wird oder wenn die Vorrichtung lange Zeit verwendet wird.
  • Außerdem kann die Heizeinrichtung HP verschiedene geometrische Formen aufweisen, um die Wärmeerzeugung oder die Wärmeleitfähigkeit in Bezug auf die wärmeleitende Schicht HCP zu verbessern, wobei die vorliegende Erfindung darauf aber nicht beschränkt ist.
  • Zum Beispiel kann die Heizeinrichtung HP in einer Draufsicht in einer Zickzack-, Block- (oder Quadrat-), Linien-, Spiral- oder Kreisform verwirklicht sein. Ferner kann die Heizeinrichtung HP in der Querschnittsansicht nach Bedarf in einer vertieften oder vorstehenden Form oder in anderen Formen verwirklicht sein.
  • Außerdem kann die wärmeleitende Schicht HCL aus irgendeinem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit wie etwa Wolfram und rostfreiem Stahl gebildet sein, wobei die vorliegende Erfindung darauf aber nicht beschränkt ist.
  • Darüber hinaus kann das Schichtwerkstoffteil SRC, wie in 12(a) gezeigt ist, mit einer kleineren Größe als der Fläche der wärmeleitenden Schicht HCL gebildet sein, wie in 12(b) gezeigt ist, mit einer Größe, die der Fläche der wärmeleitenden Schicht HCL entspricht, gebildet sein oder, wie in 12(c) gezeigt ist, mit einer größeren Größe als der Fläche der wärmeleitenden Schicht HCL gebildet sein. Hier ist es erwünscht, die Größe des Schichtwerkstoffteils SRC unter Beachtung verschiedener Eigenschaften der Musterführung PGP (Emissionscharakteristiktestdaten) zu bestimmen.
  • Wie in 13(a) gezeigt ist, können die erste Elektrodenschicht ELP1 zum Anlegen der positiven Spannung (+) und die zweite Elektrodenschicht ELP2 zum Anlegen der negativen Spannung (-) in der horizontalen Richtung in einer Draufsicht voneinander getrennt sein.
  • Die Heizeinrichtung HP und die wärmeleitende Schicht HCL können zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht ELP1 und ELP2 angeordnet sein. Ein Ende der Heizeinrichtung HP kann über ein erstes Kontaktloch CNT1 mit der ersten Elektrodenschicht ELP1 verbunden sein und das andere Ende davon kann über ein zweites Kontaktloch CNT2 mit der zweiten Elektrodenschicht ELP2 verbunden sein. Obgleich 13(a) zeigt, dass die Heizeinrichtung HP eine Zickzackform aufweist, ist die Form der Heizeinrichtung HP darauf nicht beschränkt.
  • Wie in 13(b) gezeigt ist, können die erste Elektrodenschicht ELP1 zum Anlegen der positiven Spannung (+) und die zweite Elektrodenschicht ELP2 zum Anlegen der negativen Spannung (-) in der vertikalen Richtung in der Draufsicht voneinander getrennt sein.
  • Die Heizeinrichtung HP und die wärmeleitende Schicht HCL können zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenschicht ELP1 und ELP2 angeordnet sein. Die Heizeinrichtung HP kann mit der ersten und mit der zweiten Elektrodenschicht ELP1 und ELP2 ohne ein Medium wie etwa ein Kontaktloch direkt verbunden sein. Obgleich 13(b) zeigt, dass die Heizeinrichtung HP eine Blockform aufweist, ist die Form der Heizeinrichtung HP darauf nicht beschränkt.
  • Wie in 14(a) gezeigt ist, können die erste Elektrodenschicht ELP1 zum Anlegen der positiven Spannung (+) und die zweite Elektrodenschicht ELP2 zum Anlegen der negativen Spannung (-) in derselben Ebene angeordnet sein und in der horizontalen Richtung in der Querschnittsansicht voneinander getrennt sein.
  • Diese Struktur kann angewendet werden, wenn externe Spannungen jedem Punkt, bei dem die erste Elektrodenschicht ELP1 und die zweite Elektrodenschicht ELP2 vorhanden sind, zugeführt werden (ein Verfahren zum einzelnen Zuführen der Spannungen), wobei die vorliegende Erfindung darauf aber nicht beschränkt ist. Da die Spannungszufuhr pro Punkt ausgeführt wird, kann diese Struktur einen Spannungsabfall verursachen.
  • Wie in 14(b) gezeigt ist, können die erste Elektrodenschicht ELP1 zum Anlegen der positiven Spannung (+) und die zweite Elektrodenschicht ELP2 zum Anlegen der negativen Spannung (-) in der vertikalen Richtung voneinander getrennt sein und in der Querschnittsansicht in unterschiedlichen Ebenen angeordnet sein.
  • Diese Struktur kann angewendet werden, wenn externe Spannungen über einen spezifischen Punkt, der von der ersten Elektrodenschicht ELP1 und von der zweiten Elektrodenschicht ELP2 getrennt ist, zugeführt werden (ein Verfahren zum gemeinsamen Zuführen von Spannungen), wobei die vorliegende Erfindung darauf aber nicht beschränkt ist. Da die Spannungszufuhr über den spezifischen Punkt ausgeführt wird, erfordert diese Struktur keine zusätzlichen elektrischen Leitungen, um die Spannungen jedem Punkt zuzuführen.
  • Außerdem können Spannungen an die Heizeinrichtung HP über verschiedene Verfahren wie etwa ein serielles Zufuhrverfahren und ein paralleles Zufuhrverfahren angelegt werden und kann das Heizteil in verschiedenen Strukturen verwirklicht sein, so dass in Übereinstimmung mit der Anordnungsstruktur der Heizeinrichtung HP ein effizientes Spannungszufuhrverfahren genutzt werden kann.
  • Wie oben beschrieben wurde, führt die vorliegende Erfindung einen Ablagerungsprozess unter Verwendung der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters aus, die Schichtwerkstoffe in einem Raum darunter emittiert und somit Schichtwerkstoff in einem stabilisierten Zustand emittieren und ablagern kann. Außerdem werden die emittierten Schichtwerkstoffe durch die Musterführung nur auf ausgewählten Subpixelgebieten auf dem Targetsubstrat abgelagert.
  • Obgleich die vorliegende Erfindung über verschiedene Ausführungsformen beschrieben worden ist, um die Komponenten der vorliegenden Erfindung zu klären, können eine oder mehrere der Komponenten in den Ausführungsformen kombiniert werden und können somit zwei oder mehr der Ausführungsformen kombiniert werden.
  • In Übereinstimmung mit der obigen Beschreibung weist die vorliegende Erfindung die folgenden Vorteile auf.
    1. 1. Verwirklichung einer ultrafeinen Anzeigevorrichtung (mit ultrafeinem Abstand) mit hoher Helligkeit/hoher Effizienz. Es kann eine ultrafeine Anzeigevorrichtung vom RGB-OLED-Typ oder RGBW-OLED-Typ verwirklicht werden, so dass die optische Effizienz und Helligkeit im Vergleich zum herkömmlichen W-OLED-Typ und zu Anzeigevorrichtungen vom Farbfiltertyp verbessert werden können. Dies wird im Folgenden ausführlich beschrieben.
      1. 1) Unter Verwendung einer OLED auf Silicium-Wafer-Grundlage (OLEDoS), die unter Verwendung eines organischen RGB-Emissionsmusters gebildet ist, können ultrafeine Anzeigevorrichtungen (mit ultrafeinem Abstand) mit 3000 ppi oder mehr verwirklicht werden, die für die erweiterte Realität (AR) verwendet werden.
      2. 2) Unter Verwendung einer OLED, die unter Verwendung eines organischen RGB-Emissionsmusters gebildet wird, können feine 1500-ppi-Anzeigevorrichtungen (mit feinem Abstand) verwirklicht werden, die für die virtuelle Realität (VR) verwendet werden.
      3. 3) Unter Verwendung einer OLED auf Kunststoffgrundlage (pOLED) können UHD-Anzeigevorrichtungen für Smartphones verwirklicht werden.
    2. 2. Vereinfachung der Pixelstruktur der ultrafeinen Anzeigevorrichtung (mit ultrafeinem Abstand)/Vereinfachung des Herstellungsprozesses.
      1. 1) Eine Struktur zum Entfernen eines seitlichen Leckstroms wie etwa eine Grabenstruktur kann beseitigt werden, so dass eine Pixelstruktur und ein Anzeigetafel-Herstellungsprozess vereinfacht werden können.
        Figure DE102018127237B4_0001
        Zwischen Pixeln in ultrafeinen Tandem-W-OLED-Anzeigevorrichtungen (mit ultrafeinem Abstand) mit 1500 ppi oder mehr wird ein seitlicher Leckstrom erzeugt. In den meisten Fällen wird der seitliche Leckstrom durch eine ladungserzeugte Schicht (CGL) erzeugt.
      2. 2) Da unter Verwendung eines organischen Dünnfilmmusters eine Lochtransportschicht (HTL) mit unterschiedlichen Dicken für RGB-Pixel gebildet werden kann, braucht ein herkömmlicher komplizierter zusätzlicher Prozess zum Bilden einer Anode mit unterschiedlichen Dicken nicht verwendet zu werden.
    3. 3. Verwirklichung einer großen Anzeigevorrichtung vom RGB-OLED-Typ.
  • Da eine substratbasierte Ablagerungsschichtwerkstoffanordnung verwendet werden kann, kann die Maskendurchbiegung wegen Schwerkraft, die ein Grundproblem der feinen Metallmaskierung ist, gelöst werden, so dass große Anzeigevorrichtungen vom RGB-OLED-Typ verwirklicht werden können.
  • Somit kann die vorliegende Erfindung Beschränkungen bei dem herkömmlichen LITI- und LIPS-Musterungsverfahren überwinden und die Genauigkeit und Effizienz der Ablagerung eines ultrafeinen Musters verbessern. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung ein Problem in Bezug auf die Erhöhung einer Musterdimensionstoleranz wegen Maskenschattenbildung, ein Problem in Bezug für die Genauigkeitsverringerung wegen Durchbiegung der Mitte einer Maske und dergleichen lösen. Außerdem kann die vorliegende Erfindung ein Herstellungsverfahren schaffen, das eine große Anzeigetafel leicht herstellen kann. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung die Wärmeleitfähigkeit erhöhen und Komponenten davor schützen beschädigt zu werden, wenn die Vorrichtung lange Zeit verwendet wird, was die Lebensdauer der Vorrichtung verbessert.

Claims (12)

  1. Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters, wobei die Vorrichtung umfasst: ein Basissubstrat (TSUB); ein Heizteil (HTP), das in dem Basissubstrat (TSUB) enthalten ist und Wärme erzeugt; ein Schichtwerkstoffteil (SRC), das auf dem Heizteil (HTP) angeordnet ist; eine Musterführung (PGP), die eine Öffnung (OPN) aufweist, um einen von dem Schichtwerkstoffteil (SRC) emittierten Schichtwerkstoff zu einem Targetgebiet zu führen, wobei die Musterführung (PGP) ein seitlich ausgespartes unteres Teil (PGP1) und ein oberes Teil (PGP2), das von dem unteren Teil (PGP1) vorsteht, enthält; und eine Beschichtungsschicht (COL), die auf dem oberen Teil (PGP2) und Seitenteilen der Musterführung (PGP) angeordnet ist, um zu verhindern, dass der Schichtwerkstoff auf der Musterführung (PGP) beschichtet wird.
  2. Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach Anspruch 1, die ferner ein Kühlteil (CLP) zum Verringern der an die Musterführung (PGP) übertragenen Wärme oder zum Halten der Musterführung (PGP) auf einer niedrigeren Temperatur als der des Heizteils (HTP) umfasst.
  3. Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Musterführung (PGP) aus einer einzelnen Schicht oder aus wenigstens zwei Schichten gebildet ist.
  4. Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Öffnung (OPN) zwischen der Musterführung (PGP) und dem Basissubstrat (TSUB) einen Raum (SPC) bildet, wobei die Seitenwand und die Decke des Raums (SPC) eine gerade, nicht gerade, diagonale, kreisförmige, kreisförmige, ovale oder mehreckige Form aufweisen.
  5. Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Heizteil (HTP) eine Heizeinrichtung (HP) enthält, die in Übereinstimmung mit einer von außen zugeführten Spannung Wärme erzeugt.
  6. Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die ferner wenigstens eines der Folgenden umfasst: auf dem Heizteil (HP) ist eine wärmeleitende Schicht (HCL) angeordnet und überträgt Wärme, auf der Heizeinrichtung (HP) und auf der wärmeleitenden Schicht (HCL) ist eine Isolierschichtabdichtung (INL) angeordnet.
  7. Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach Anspruch 5 oder 6, wobei die Heizeinrichtung und/oder die wärmeleitende Schicht und/oder die Isolierschicht auf einer Seite des Basissubstrats (TSUB) oder innerhalb des Basissubstrats (TSUB) positioniert sind.
  8. Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach einem der Ansprüche 5, 6 oder 7, wobei die Heizeinrichtung (HP) in einer Zickzack- und/oder in einer Block- und/oder in einer Linien- und/oder in einer Spiral- und/oder in einer Kreisform gebildet ist.
  9. Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters unter Verwendung einer Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters umfasst: Anordnen der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters unter einem Targetsub strat; Anordnen und Justieren der Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters und des Targetsubstrats; und Anlegen einer Spannung an das Heizteil (HTP) in der Weise, dass der Schichtwerkstoff auf Emissionsgebieten von Subpixeln des Targetsubstrats abgelagert wird, um ein Muster zu bilden.
  10. Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach Anspruch 9, wobei die Musterführung (PGP) eine erste Öffnung (OPN1) und eine zweite Öffnung (OPN2) enthält und wobei das Ablagern des Musters einen Primärmuster-Ablagerungsschritt und einen Sekundärmuster-Ablagerungsschritt enthält.
  11. Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach Anspruch 10, wobei der Schichtwerkstoff in Übereinstimmung mit dem Betrieb des Heizteils (HTP) von einem in der ersten Öffnung (OPN1) positionierten Schichtwerkstoffteil (SRC) emittiert wird, während der Schichtwerkstoff von einem in der zweiten Öffnung (OPN2) positionierten Schichtwerkstoffteil (SRC) nicht emittiert wird, da das Heizteil (HTP) nicht arbeitet, wenn die Primärmusterablagerung ausgeführt wird, wobei der Schichtwerkstoff von dem in der zweiten Öffnung (OPN2) positionierten Schichtwerkstoffteil (SRC) in Übereinstimmung mit dem Betrieb des Heizteils (HTP) emittiert wird, während der Schichtwerkstoff von dem in der ersten Öffnung (OPN1) positionierten Schichtwerkstoffteil (SRC) nicht emittiert wird, da das Heizteil (HTP) nicht arbeitet, wenn die Sekundärmusterablagerung ausgeführt wird, und wobei die Vorrichtung zum Ablagern eines ultrafeinen Musters auf der Grundlage der ersten oder der zweiten Öffnung (OPN1, OPN2) um eine Öffnung verschoben wird und das Targetsubstrat von einem ersten Targetsubstrat zu einem zweiten Targetsubstrat gewechselt wird, wenn die Sekundärmusterablagerung ausgeführt wird.
  12. Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die durch eines der Verfahren zum Ablagern eines ultrafeinen Musters nach einem der Ansprüche 9, 10 oder 11 hergestellt ist.
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