TWI425105B - 蒸鍍裝置以及蒸鍍機台 - Google Patents
蒸鍍裝置以及蒸鍍機台 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI425105B TWI425105B TW100133745A TW100133745A TWI425105B TW I425105 B TWI425105 B TW I425105B TW 100133745 A TW100133745 A TW 100133745A TW 100133745 A TW100133745 A TW 100133745A TW I425105 B TWI425105 B TW I425105B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- heating
- deposition device
- plated
- carrier tape
- Prior art date
Links
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 103
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 93
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 89
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 74
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 74
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本發明是有關於一種製程設備，且特別是有關於一種適用於蒸鍍製程的鍍膜設備。
鍍膜技術大致可分為物理氣相沈積(Physical Vapor Deposition,PVD)以及化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition,CVD)。前者主要是藉由物理現象進行薄膜沈積，而後者主要是以化學反應的方式進行薄膜沈積。其中，物理氣相沈積更以蒸鍍(evaporation)及濺鍍(sputtering)為目前的主流。此兩種技術之共同點就是以物理現象的方式來進行薄膜沉積。就蒸鍍而言，其原理大抵是藉著對被蒸鍍物體進行加熱，並利用被蒸鍍物在高溫(接近其熔點)時所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜的沉積。
蒸鍍技術的應用廣泛，如作為顯示元件主流之一的有機電激發光元件便可採用蒸鍍技術來製作有機化合物層。然而，現行蒸鍍技術仍然存在難以製作大面積元件、材料容易因高溫劣化、蒸鍍膜厚不均、材料利用率低等問題。
圖1所示即為習知的一種蒸鍍機台，其中坩鍋102盛裝鍍膜材料，坩鍋102下方有加熱器114對鍍膜材料加熱。被蒸發的鍍膜材料會經由傳輸通道104而由噴嘴106噴出，而被鍍製於待鍍物上。然而，習知此種蒸鍍機台需全程對鍍膜材料進行加熱，使得鍍膜材料在坩鍋102中維持高溫狀態，以持續在待鍍物上沉積薄膜。因此，鍍膜材料容易因為長時間處在高溫狀態下而劣化，且鍍膜材料的組成成分可能改變而影響製程良率。此外，鍍膜材料由噴嘴106噴出時具有擴散角，容易導致鍍膜不均的問題，也相對降低材料利用率。再者，鍍膜材料盛放在坩鍋102中，當鍍膜材料耗盡時，需中斷製程後再行添加鍍膜材料，不僅較為不便，且限制了生產效率的提升。
本申請提出一種蒸鍍裝置，適於對一待鍍物進行蒸鍍。所述蒸鍍裝置包括一載帶載具以及一遮罩。載帶載具具有一加熱區。待鍍物位於加熱區上方並且適於依一進給方向移動。載帶載具適於承載一鍍膜材料通過加熱區，並且在加熱區內加熱鍍膜材料，使鍍膜材料蒸發。遮罩設置於加熱區外圍，且遮罩具有一開口位於加熱區與待鍍物之間。被蒸發的鍍膜材料適於通過開口而被鍍製於待鍍物上。
在一實施例中，所述載帶載具包括一加熱軸桿以及一載帶(carrier tape)。加熱軸桿適於依一軸向轉動。待鍍物位於加熱軸桿的一側。載帶承靠加熱軸桿的該側，且載帶適於依加熱軸桿繞行。此外，載帶具有相對遠離加熱軸桿的一承載面，用於承載鍍膜材料通過加熱區，以藉由加熱軸桿來加熱鍍膜材料。
在一實施例中，所述蒸鍍裝置還可包括一輔助軸桿。加熱軸桿與輔助軸桿實質上相互平行並且分別承靠載帶。載帶為一封閉式載帶，繞行於加熱軸桿與輔助軸桿之間。
在一實施例中，所述蒸鍍裝置還可包括一材料槽，用以盛裝液態的鍍膜材料。承靠於輔助軸桿的部份載帶適於浸入液態的鍍膜材料中，以將液態的鍍膜材料沾附於載帶的承載面上。
在一實施例中，所述載帶為一連續的可撓帶狀物。此外，所述加熱軸桿具有垂直於軸向的一截面，且截面例如是一圓形。
在一實施例中，所述載帶為由多個片狀物相互樞接而成的一履帶，且相鄰兩片狀物之間的一樞軸實質上平行於軸向。此外，所述加熱軸桿具有垂直於軸向的一截面，且截面例如是一正多邊形。此正多邊形的邊長實質上等於各片狀物的寬度。
在一實施例中，所述載帶載具包括一加熱軸桿，適於依一軸向轉動，且加熱軸桿具有一表面，用於承載鍍膜材料通過加熱區，以加熱鍍膜材料。
在一實施例中，所述蒸鍍裝置還可包括一材料槽，用以盛裝液態的鍍膜材料。部份加熱軸桿適於浸入液態的鍍膜材料中，以使液態的鍍膜材料沾附於加熱軸桿的表面上。
在一實施例中，所述開口例如是一開槽。此開槽依著軸向由載帶載具的一端延伸至載帶載具的另一端。
在一實施例中，所述遮罩包括兩板件，對稱設置於加熱區的相對兩側，且所述兩板件在加熱區上方保持一間隔，以形成開口。此外，各板件垂直於軸向的一截面例如是C形或L形。
在一實施例中，所述遮罩包括一冷卻單元。此冷卻單元例如是貫穿遮罩的多個孔道。該些孔道可實質上平行於軸向。此外，孔道內可通入冷卻介質，如空氣、水或冷媒等，以提升冷卻效果。
在一實施例中，待鍍物的移動方向實質上垂直於軸向。
本申請更提出一種蒸鍍機台，包括多個前述的蒸鍍裝置。所述多個蒸鍍裝置並排設置，用以對一待鍍物進行蒸鍍，而在待鍍物上形成相互堆疊的多個鍍層。
基於上述，本申請提出的蒸鍍裝置以及應用此蒸鍍裝置的蒸鍍機台可藉由載帶載具來實現連續式的生產流程，具有高生產效率。此外，本申請的蒸鍍裝置以及蒸鍍機台在加熱區對鍍膜材料進行局部加熱，可避免鍍膜材料因長時間處在高溫狀態下而劣化或組成成分改變的問題。再者，本申請的蒸鍍裝置以及蒸鍍機台可以藉由遮罩有效控制鍍膜材料蒸發的角度，以提升鍍膜的均勻性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖2繪示依照本申請之一實施例的一種蒸鍍裝置。如圖2所示，蒸鍍裝置200主要包括載帶載具210以及遮罩220。載帶載具210的作用主要在提供一加熱區210a，並且承載鍍膜材料通過加熱區210a，以在加熱區210a內加熱鍍膜材料，使鍍膜材料蒸發。在本實施例中，載帶載具210是以加熱軸桿212結合載帶214的方式來實現。加熱軸桿212適於依一軸向X轉動，且加熱軸桿212會發熱，其內部結構例如包括熱阻絲290或是採用紅外線加熱等方式。載帶214承靠加熱軸桿212的一側，並且依加熱軸桿212繞行。此外，載帶214具有相對遠離加熱軸桿212的一承載面214a，用於承載鍍膜材料。在此，加熱軸桿212與載帶214接觸的區域可被視為前述的加熱區210a。當載帶214承載鍍膜材料通過加熱區210a時，加熱軸桿212會隔著載帶214來加熱鍍膜材料至蒸氣態。
遮罩220設置於加熱區210a外圍，且遮罩220具有一開口220a位於加熱區210a上方，被蒸發的鍍膜材料280適於通過開口220a而被鍍製於待鍍物上。本實施例的開口220a例如是條狀開槽，其依著軸向X由載帶載具210的一端延伸至載帶載具210的另一端。更具體而言，本實施例的遮罩220係由兩板件222與224構成。該兩板件222與224對稱設置於加熱區210a的相對兩側，且兩板件222與224在加熱區210a上方保持一間隔P，以形成開槽形態的開口220a。
本實施例並不限定遮罩220的形狀。依據實際狀況與設計需求，構成遮罩220的板件222與224可能為任何形狀。圖3~5分別繪示幾種採用不同形狀之板件來構成遮罩的蒸鍍裝置。其中，圖3的蒸鍍裝置300所採用的遮罩310由兩板件312與314構成，且板件312與314垂直於軸向X的截面為C形。此外，圖4的蒸鍍裝置400所採用的遮罩410由兩板件412與414構成，且板件412與414垂直於軸向X的截面為L形，且板件412與414的彎折角度θ1接近直角。另外，圖5的蒸鍍裝置500所採用的遮罩510由兩板件512與514構成，板件512與514垂直於軸向X的截面為L形，且板件512與514的彎折角度θ2為鈍角。
請再參考圖2~5，本實施例的遮罩220還可包含冷卻單元，例如貫穿遮罩220的多個孔道229，且孔道229實質上平行於軸向X。孔道229內可填充冷卻介質，例如空氣、水或冷媒。
當然，本發明並不限制冷卻單元的型態。舉例而言，本發明不限於如前述實施例在遮罩220內埋設孔道229，以提供冷卻效果。在其他實施例中，還可以選擇將冷卻的管路移至遮罩220外部，例如遮罩220的表面。以圖3~5所繪示的各種具有不同遮罩的蒸鍍裝置為例，本發明可以如圖6-8所示，在遮罩320用以面向加熱區314a的一側設置多個冷卻管370；在遮罩420用以面向加熱區414a的一側設置多個冷卻管470；或者，在遮罩520用以面向加熱區514a的一側設置多個冷卻管570。圖6-8所繪示的蒸鍍裝置301、401、501分別與圖3-5所繪示的蒸鍍裝置300、400、500類似。對於相同或類似的元件此處不再贅述。
另外，同樣以圖3~5所繪示的各種具有不同遮罩的蒸鍍裝置為例，本發明還可以如圖9-11所示，在遮罩330用以背對加熱區314a的一側設置多個冷卻管380；在遮罩430用以背對加熱區414a的一側設置多個冷卻管480；或者，在遮罩530用以背對加熱區514a的一側設置多個冷卻管580。圖9-11所繪示的蒸鍍裝置301、401、501分別與圖3-5所繪示的蒸鍍裝置300、400、500類似。對於相同或類似的元件此處不再贅述。
在前述實施例中，冷卻管370、380、470、480、570、580實質上平行於軸向X，且冷卻管370、380、470、480、570、580內同樣可填充冷卻介質，例如空氣、水或冷媒。
圖12繪示應用圖2之蒸鍍裝置來對一待鍍物進行蒸鍍的蒸鍍機台。如圖12所示，蒸鍍機台600具有多個如前述的蒸鍍裝置610~640，用以對待鍍物690進行蒸鍍，以在待鍍物690上形成相互堆疊的多個鍍層。待鍍物690設置於加熱區610a~640a上方，並且適於依一進給方向S移動。蒸鍍裝置610~640並排設置，且各蒸鍍裝置610~640的軸向X1~X4實質上相互平行。一般而言，蒸鍍製程會在低壓或真空環境中進行，而此低壓或真空環境主要係由一蒸鍍腔室(evaporation chamber)及一用以提供蒸鍍所需之真空度的蒸空系統(vacuum system)所構成。所述蒸鍍裝置610~640以及待鍍物690則被放置於蒸鍍腔室內。
在本實施例中，待鍍物690的進給方向S實質上與各蒸鍍裝置610~640的軸向X1~X4垂直。各蒸鍍裝置610~640的遮罩612~642的開口612a~642a位於加熱區610a~640a與待鍍物690之間，使得各蒸鍍裝置610~640中被蒸發的鍍膜材料通過各自對應的開口612a~642a而被鍍製於待鍍物690上。
本實施例的蒸鍍機台600可進行大面積與連續性的蒸鍍製程，例如，可應用於有機電激發光元件的製作，以在作為待鍍物690的基板上依序形成電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層等有機化合物層。
圖13繪示應用此蒸鍍機台600所形成的具有堆疊膜層的基板。請同時參考圖12與13，更具體而言，本實施例之多個蒸鍍裝置610~640的載帶載具614~644可分別承載並加熱不同的鍍膜材料682~688，例如前述多個有機化合物層的材料。當蒸鍍裝置610~640依照圖3所示的位置並排，且基板702(待鍍物690)依進給方向S通過各蒸鍍裝置610~640上方時，各有機化合物材料會逐層地被形成在基板702上。例如，蒸鍍裝置610會將其鍍膜材料682鍍製於基板702上，而形成有機化合物層710；蒸鍍裝置620的鍍膜材料684會被鍍製於有機化合物層710上，而形成有機化合物層720；蒸鍍裝置630的鍍膜材料686被鍍製於有機化合物層720上，而形成有機化合物層730；以及，蒸鍍裝置640的鍍膜材料688會被鍍製於有機化合物層730上，而形成有機化合物層740。
前述實施例的載帶載具210的載帶214例如是連續的可撓帶狀物，其由加熱軸桿212帶動，可不斷提供鍍膜材料至加熱區210a，以在不中斷製程的情況下持續進行蒸鍍製程。另一方面，本申請還可對載帶載具進行設計，以實現不間斷地連續供料。下文提出多種可達到相同或類似的效果的設計作為範例說明。
依照本申請的其他實施例，圖14~16分別繪示採用不同之載帶載具設計的蒸鍍裝置。在此僅就圖14~16的蒸鍍裝置與前述實施例的差異進行說明，相關類似或相同的部份可參酌前文的揭露，此處不再贅述。
圖14的載帶載具810所使用的載帶814為封閉式載帶，且載帶載具810包括一加熱軸桿812以及一輔助軸桿816。加熱軸桿812以及輔助軸桿816實質上相互平行並且分別依著相互平行的兩軸向Y1與Y2(垂直圖面)轉動。加熱軸桿812以及輔助軸桿816皆為圓桿，即加熱軸桿812垂直於軸向Y1的截面以及輔助軸桿816垂直於軸向Y2的截面皆為圓形。載帶814承靠並繞行於加熱軸桿812與輔助軸桿816之間。此外，圖14的蒸鍍裝置800還包括一材料槽860，用以盛裝液態的鍍膜材料880。承靠於輔助軸桿816的部份載帶814適於浸入液態的鍍膜材料880中，以將液態的鍍膜材料880沾附於載帶814的承載面814a上。隨著加熱軸桿812與輔助軸桿816的帶動，液態的鍍膜材料880的溶劑可能會揮發而成為固態，且固態的鍍膜材料880在通過加熱區810a之後，會被蒸發為蒸氣態的鍍膜材料882，並且由遮罩820的開口820a噴出。
圖15的載帶載具910所使用的載帶914為一履帶，係由多個片狀物914a相互樞接而成，且相鄰兩片狀物914a藉由一樞軸914b相連。載帶載具910還包括一加熱軸桿912以及一輔助軸桿916，且加熱軸桿912以及輔助軸桿916實質上相互平行並且分別依著相互平行的兩軸向Z1與Z2(垂直圖面)轉動。此外，樞軸914b的轉軸方向實質上平行於軸向Z1與Z2。加熱軸桿912以及輔助軸桿916皆為正多邊形的桿件，即加熱軸桿912垂直於軸向Z1的截面以及輔助軸桿916垂直於軸向Z2的截面皆為正多邊形，且正多邊形的邊長L.實質上等於各片狀物914a的寬度W。如此，可藉由加熱軸桿912以及輔助軸桿916來帶動載帶914。蒸鍍裝置900還包括一材料槽960，用以盛裝液態的鍍膜材料980。承靠於輔助軸桿916的部份載帶914適於浸入液態的鍍膜材料980中，以將液態的鍍膜材料981沾附於載帶914的承載面914c上。隨著加熱軸桿912與輔助軸桿916的帶動，液態的鍍膜材料980的溶劑可能會揮發而成為固態，且固態的鍍膜材料980在通過加熱區910a之後，會被蒸發為蒸氣態的鍍膜材料982，並且由遮罩920的開口920a噴出。
圖16的載帶載具省略了載帶，直接使用加熱軸桿1012來承載並加熱鍍膜材料。更具體而言，加熱軸桿1012適於依一軸向O轉動。材料槽1060盛裝液態的鍍膜材料1080，而部份的加熱軸桿1012適於浸入液態的鍍膜材料1080中，以使液態的鍍膜材料1080沾附於加熱軸桿1012的表面1012a上。此時，加熱區1010a即位於加熱軸桿1012的表面1012a上。隨著加熱軸桿1012的帶動，液態的鍍膜材料1080的溶劑可能會揮發而成為固態，且固態的鍍膜材料1080在被帶至加熱區1010a之後會吸收足夠的熱量而被蒸發為氣態的鍍膜材料1082，並且由遮罩1020的開口1020a噴出。
綜上所述，本申請的蒸鍍裝置以及應用此蒸鍍裝置的蒸鍍機台可藉由載帶載具來實現大面積以及連續式的蒸鍍製程，有助於提高生產效率。此外，由於載帶載具只在加熱區對鍍膜材料進行局部加熱，因此可避免鍍膜材料因長時間處在高溫狀態下而劣化或組成成分改變的問題，可以降低製程成本。另一方面，本實施例藉由在加熱區與待鍍物之間設置遮罩，來限制蒸發的鍍膜材料通過開口的角度，以有效控制鍍膜區域，提升鍍膜的均勻性。另外，遮罩也可以避免相鄰蒸鍍裝置間之鍍膜材料的相互汙染，提升製程良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
102．．．坩鍋
104．．．傳輸通道
106．．．噴嘴
114．．．加熱器
200、300、301、302、400、401、402、500、501、502、610~640、800、900．．．蒸鍍裝置
210、810、910．．．載帶載具
220、310、320、330、410、420、430、510、520、530、612~642、820、920、1020．．．遮罩
210a、314a、414a、514a、610a~640a、810a、910a、1010a．．．加熱區
212、812、912、1012．．．加熱軸桿
214、814、814、914．．．載帶
214a、814a、914c．．．載帶的承載面
220a、612a~642a、820a、920a、1020a．．．開口
222、224、312、314、412、414、512、514．．．板件
229．．．孔道
280．．．被蒸發的鍍膜材料
290．．．熱阻絲
370、380、470、480、570、580．．．冷卻管
600．．．蒸鍍機台
690．．．待鍍物
682~688．．．鍍膜材料
702．．．基板
710~740．．．有機化合物層
816、916．．．輔助軸桿
860、960、1060．．．材料槽
880、980、1080．．．液態的鍍膜材料
882、982．．．蒸氣態的鍍膜材料
914a．．．片狀物
914b．．．樞軸
1012a．．．加熱軸桿的表面
L．．．正多邊形的邊長
P．．．板件的間隔
S．．．進給方向
W．．．片狀物的寬度
X、X1~X4、Y1、Y2、Z1、Z1、O．．．軸向
θ1、θ2．．．板件的彎折角度
圖1繪示習知的一種蒸鍍機台。
圖2繪示依照本申請之一實施例的一種蒸鍍裝置。
圖3~5分別繪示本申請幾種採用不同形狀之板件來構成遮罩的蒸鍍裝置。
圖6~8分別繪示以圖3~5的蒸鍍裝置為基礎作變更設計的幾種蒸鍍裝置。
圖9~11分別繪示以圖3~5的蒸鍍裝置為基礎作變更設計的另外幾種蒸鍍裝置。
圖12繪示應用圖2之蒸鍍裝置來對一待鍍物進行蒸鍍的蒸鍍機台。
圖13繪示應用圖12之蒸鍍機台所形成的具有堆疊膜層的基板。
圖14~16分別繪示本申請採用不同之載帶載具設計的蒸鍍裝置。
600．．．蒸鍍機台
610~640．．．蒸鍍裝置
610a~640a．．．加熱區
612~642．．．遮罩
612a~642a．．．開口
682~688．．．鍍膜材料
690．．．待鍍物
S．．．進給方向
X1~X4．．．軸向
Claims (20)
- 一種蒸鍍裝置，適於對一待鍍物進行蒸鍍，該蒸鍍裝置包括：一載帶載具，具有一加熱區，該待鍍物位於該加熱區上方並且適於依一進給方向移動，該載帶載具包括：一加熱軸桿，具有一表面，該加熱軸桿適於依一軸向轉動，該待鍍物位於該加熱軸桿的一側；以及一載帶(carrier tape)，承靠該加熱軸桿的該側，該載帶適於依該加熱軸桿繞行，且該載帶具有相對遠離該加熱軸桿的一承載面，用於承載一鍍膜材料通過該加熱區，以在該加熱區內藉由該加熱軸桿來加熱該鍍膜材料，使該鍍膜材料蒸發；以及一遮罩，設置於該加熱區外圍，且該遮罩具有一開口位於該加熱區與該待鍍物之間，被蒸發的該鍍膜材料適於通過該開口而被鍍製於該待鍍物上。
- 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍裝置，更包括一輔助軸桿，該加熱軸桿與該輔助軸桿實質上相互平行並且分別承靠該載帶，該載帶為一封閉式載帶，繞行於該加熱軸桿與該輔助軸桿之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍裝置，其中該載帶為一連續的可撓帶狀物。
- 如申請專利範圍第3項所述之蒸鍍裝置，其中該加熱軸桿具有垂直於該軸向的一截面，且該截面為一圓形。
- 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍裝置，其中該載帶為由多個片狀物相互樞接而成的一履帶，且相鄰兩片狀物之間的一樞軸實質上平行於該軸向。
- 如申請專利範圍第5項所述之蒸鍍裝置，其中該加熱軸桿具有垂直於該軸向的一截面，且該截面為一正多邊形，該正多邊形的邊長實質上等於各該片狀物的寬度。
- 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍裝置，其中該開口包括一開槽，該開槽依著該軸向由該載帶載具的一端延伸至該載帶載具的另一端。
- 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍裝置，其中該遮罩包括兩板件，該兩板件對稱設置於該加熱區的相對兩側，且該兩板件在該加熱區上方保持一間隔，以形成該開口。
- 如申請專利範圍第8項所述之蒸鍍裝置，其中各該板件垂直於該軸向的一截面為C形或L形。
- 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍裝置，其中該遮罩包括一冷卻單元。
- 如申請專利範圍第10項所述之蒸鍍裝置，其中該冷卻單元包括貫穿該遮罩的多個孔道。
- 如申請專利範圍第11項所述之蒸鍍裝置，其中該些孔道實質上平行於該軸向。
- 如申請專利範圍第11項所述之蒸鍍裝置，更包括一冷卻介質，位於該些孔道內。
- 如申請專利範圍第10項所述之蒸鍍裝置，其中該冷卻單元包括位於該遮罩表面的多個冷卻管。
- 如申請專利範圍第14項所述之蒸鍍裝置，其中該些冷卻管位於該遮罩用以面向該加熱區的一側。
- 如申請專利範圍第14項所述之蒸鍍裝置，其中該些冷卻管位於該遮罩用以背對該加熱區的一側。
- 如申請專利範圍第14項所述之蒸鍍裝置，其中該些冷卻管實質上平行於該軸向。
- 如申請專利範圍第14項所述之蒸鍍裝置，更包括一冷卻介質，位於該些冷卻管內。
- 如申請專利範圍第1項所述之蒸鍍裝置，其中該待鍍物的該移動方向實質上垂直於該軸向。
- 一種蒸鍍機台，包括多個如申請專利範圍第1項所述的蒸鍍裝置，其中該些蒸鍍裝置並排設置，用以對一待鍍物進行蒸鍍，而在該待鍍物上形成相互堆疊的多個鍍層。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100133745A TWI425105B (zh) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 蒸鍍裝置以及蒸鍍機台 |
| CN2012101434687A CN103014630A (zh) | 2011-09-20 | 2012-05-09 | 蒸镀装置以及蒸镀机台 |
| US13/471,462 US20130068160A1 (en) | 2011-09-20 | 2012-05-15 | Evaporation device and evaporation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100133745A TWI425105B (zh) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 蒸鍍裝置以及蒸鍍機台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201313932A TW201313932A (zh) | 2013-04-01 |
| TWI425105B true TWI425105B (zh) | 2014-02-01 |
Family
ID=47879421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100133745A TWI425105B (zh) | 2011-09-20 | 2011-09-20 | 蒸鍍裝置以及蒸鍍機台 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130068160A1 (zh) |
| CN (1) | CN103014630A (zh) |
| TW (1) | TWI425105B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20140135036A (ko) * | 2013-05-15 | 2014-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기화기 및 이를 구비한 박막 증착 시스템 |
| CN103668083B (zh) * | 2013-12-13 | 2016-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 冷却装置以及真空蒸镀设备 |
| KR102180070B1 (ko) | 2017-10-31 | 2020-11-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3563202A (en) * | 1969-06-25 | 1971-02-16 | Pennwalt Corp | Mobile vbaporative firing source |
| TW200907082A (en) * | 2007-03-30 | 2009-02-16 | Tokyo Electron Co Ltd | Deposition source unit, deposition apparatus and temperature control apparatus for deposition source unit |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3738869B2 (ja) * | 1997-06-05 | 2006-01-25 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着方法および蒸着装置 |
| JP4175815B2 (ja) * | 2002-03-01 | 2008-11-05 | 株式会社アルバック | 薄膜形成装置 |
| US20030230238A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-18 | Fotios Papadimitrakopoulos | Single-pass growth of multilayer patterned electronic and photonic devices using a scanning localized evaporation methodology (SLEM) |
| WO2010045974A1 (en) * | 2008-10-22 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Arrangement for vaporizing materials and method for coating substrates |
-
2011
- 2011-09-20 TW TW100133745A patent/TWI425105B/zh active
-
2012
- 2012-05-09 CN CN2012101434687A patent/CN103014630A/zh active Pending
- 2012-05-15 US US13/471,462 patent/US20130068160A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3563202A (en) * | 1969-06-25 | 1971-02-16 | Pennwalt Corp | Mobile vbaporative firing source |
| TW200907082A (en) * | 2007-03-30 | 2009-02-16 | Tokyo Electron Co Ltd | Deposition source unit, deposition apparatus and temperature control apparatus for deposition source unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103014630A (zh) | 2013-04-03 |
| TW201313932A (zh) | 2013-04-01 |
| US20130068160A1 (en) | 2013-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6639580B2 (ja) | 蒸発器、堆積アレンジメント、堆積装置及びこれらを操作する方法 | |
| JP6513201B2 (ja) | 材料堆積装置、真空堆積システム、及び材料堆積方法 | |
| TWI690611B (zh) | 真空沉積腔室 | |
| US20070148348A1 (en) | Evaporation source and method of depositing thin film using the same | |
| KR20070056190A (ko) | 금속판 벨트 증발원을 이용한 선형 유기소자 양산장비 | |
| US9150952B2 (en) | Deposition source and deposition apparatus including the same | |
| TW201821633A (zh) | 用於被蒸發材料分佈組件的噴嘴及其使用，與對應之材料沉積源配置， 真空沉積系統和沈積材料的方法 | |
| JP5774772B2 (ja) | 反応性堆積プロセスのためのガスシステム | |
| TWI425105B (zh) | 蒸鍍裝置以及蒸鍍機台 | |
| TWI452157B (zh) | 一種面型蒸鍍源及其蒸鍍方法與系統 | |
| JP6594986B2 (ja) | 真空堆積のための材料源アレンジメント及び材料分配アレンジメント | |
| TW202035741A (zh) | 用以蒸發一材料之蒸發設備及使用蒸發裝置蒸發材料之方法 | |
| KR20170083587A (ko) | 진공 증착을 위한 재료 소스 배열체 및 노즐 | |
| WO2012127982A1 (ja) | 成膜装置、成膜方法、有機発光素子の製造方法、及び有機発光素子 | |
| KR100685808B1 (ko) | 유기물 증발장치 | |
| KR20150042053A (ko) | 리니어 증착유닛 및 이를 포함하는 리니어 증착장치 | |
| JP6543664B2 (ja) | 真空堆積チャンバ | |
| KR101702073B1 (ko) | 유기전계 발광소자 제조용 증착장치 | |
| JP2013237915A (ja) | 蒸発源及び真空蒸着装置 | |
| KR20140060965A (ko) | 박막 증착 장치 |