KR20140135036A - 기화기 및 이를 구비한 박막 증착 시스템 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기화기 및 이를 구비한 박막 증착 시스템에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 기화기는, 기화기는, 기화 공간을 형성하는 배럴, 상기 배럴을 가열하는 히터, 상기 기화 공간으로 액상의 원료를 분무하는 유입부 및 상기 기화 공간 내에 위치하며, 상기 액상의 원료를 기화시키는 회전체를 포함한다. 이에 의해, 기화기의 기화효율이 향상될 수 있다.
Description
본 발명은 기화기 및 이를 구비한 박막 증착 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기화효율이 향상된 기화기 및 이를 구비한 박막 증착 시스템에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 스스로 빛을 내는 유기 발광 소자를 구비하여 화상을 표시하는 자체 발광형 표시 장치로써, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 사용 온도 범위가 넓은 장점 등을 가지고있다. 그러나, 유기 발광 표시 장치는 외부의 수분 또는 산소의 침투가 용이하고, 이에 의해 열화될 수 있는 단점이 있는바, 유기 발광 소자를 밀봉하는 패키징 기술이 매우 중요하다.
유기 발광 표시 장치의 패키징 기술 중 박막 봉지(Thin film encapsulation) 기술은 플렉서블한 유기 발광 표시 장치의 구현에 필수적인 것으로, 무기막과 유기막을 한층 이상 교대로 적층하여 기판의 표시 영역을 박막 봉지층으로 덮는 기술이다.
한편, 유기막은 일 예로, flash evaporation을 이용하여 형성할 수 있다. 즉, 유기막을 형성하는 액상 원료를 기화기 내부로 분사하고, 분사된 액상 원료를 기화기에서 기화시켜 기판 상부에 증착함으로써 유기막을 형성할 수 있다.
그러나, 액상 원료의 연속적인 분사로 인해 미 기화된 액상 원료의 누적으로 인해, 기화기 내부에서 액상 원료가 경화될 수 있다. 이와 같이 기화기 내부에서 액상 원료가 경화되면, 기화기의 오염을 초래하고, 이후에 분사되는 액상 원료의 효율적인 기화를 방해하여 액상 원료의 기화량이 변동되는 원인이 될 수 있다. 또한, 기화기 내부에서 경화된 원료는 고상의 파티클이 되어 기판상에 부착됨으로써, 박막 봉지의 품질을 저하시킬 수 있다.
본 발명의 목적은, 기화효율이 향상된 기화기 및 이를 구비한 박막 증착 시스템을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 기화기는, 기화 공간을 형성하는 배럴, 상기 배럴을 가열하는 히터, 상기 기화 공간으로 액상의 원료를 분무하는 유입부 및 상기 기화 공간 내에 위치하며, 상기 액상의 원료를 기화시키는 회전체를 포함한다.
본 발명에 있어서, 상기 유입부는 상기 배럴의 상부를 관통하여 형성되며, 상기 회전체는 상기 배럴의 하부에서 상기 유입부의 위치에 대응하여 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회전체는, 몸체, 상기 몸체를 회전시키기 위한 중심축 및 상기 몸체에 내제되어, 상기 몸체를 가열하는 다수의 히팅 라인들을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 중심축은 상기 몸체와 평행하게 수평적으로 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 몸체는 원통형이며, 상기 몸체는 상기 중심축을 기준으로 회전할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유입부가 상기 액상 원료를 1회 분무하는 시간 동안, 상기 회전체는 1회전 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 원통형의 몸체의 표면에는 돌기 또는 홈이 형성될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회전체는, 몸체 및 상기 몸체의 하면과 결합하여 상기 몸체를 회전시키기 위한 회전축을 포함하고, 상기 회전축은 수직방향으로 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유입부는 상기 회전축의 연장선과 이격되어 위치할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 몸체는 원형의 플레이트 형상일 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회전체는 버섯 형상을 가질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회전체는 상기 몸체를 가열하는 히터를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 박막 증착 시스템은, 공정 챔버 및 상기 공정 챔버로 기화된 원료를 공급하는 기화기를 포함하고, 상기 기화기는, 기화 공간을 형성하는 배럴, 상기 배럴을 가열하는 히터, 상기 기화 공간으로 액상의 원료를 분무하는 유입부 및 상기 기화 공간 내에 위치하며, 상기 액상의 원료를 기화시키는 회전체를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유입부는 상기 배럴의 상부를 관통하여 형성되며, 상기 회전체는 상기 배럴의 하부에서 상기 유입부의 위치에 대응하도록 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유입부가 상기 액상 원료를 1회 분무하는 시간 동안, 상기 회전체는 1회전 할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회전체는, 원통형의 몸체, 상기 원통형의 몸체의 중심에 위치하고, 상기 원통형의 몸체를 회전시키기 위한 중심축 및 상기 원통형의 몸체에 내제되어, 상기 몸체를 가열하는 다수의 히팅 라인들을 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회전체는, 몸체 및 상기 몸체의 하면과 결합하여 상기 몸체를 회전시키기 위한 회전축을 포함하고, 상기 회전축은 수직방향으로 배치될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 유입부는 상기 회전축의 연장선과 이격 되어 위치할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 회전체는, 상기 몸체의 상면을 클리닝 할 수 있는 블레이드를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 공정 챔버는, 기판과 마스크를 지지하는 프레임부 및 상기 기판으로 상기 기화된 원료를 분사하는 노즐부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기화기의 기화효율이 향상될 수 있다.
또한, 기화기와 공정챔버를 연결하는 이송관 등의 오염을 저감시킬 수 있으므로, 박막 증착 시스템의 부품의 cleaning주기를 연장할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 내용 이외에도, 도면을 참조하여 이하에서 설명할 내용으로부터도 도출될 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 시스템을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 박막 증착 시스템의 기화기를 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 기화기의 변형예를 도시한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 박막 증착 시스템을 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 F의 확대도이다.
도 2는 도 1의 박막 증착 시스템의 기화기를 도시한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 기화기의 변형예를 도시한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 박막 증착 시스템을 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 도 5의 F의 확대도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고, 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
또한 각 도면에서, 구성요소는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었으며, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한, 각 구성요소의 설명에 있어서, 상(on)에 또는 하(under)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(on)과 하(under)는 직접 또는 다른 구성요소를 개재하여 형성되는 것을 모두 포함하며, 상(on) 및 하(under)에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 시스템을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 2는 도 1의 박막 증착 시스템의 기화기를 도시한 단면도이다. 보다 구체적으로, 도 2는 도 1의 I-I단면을 도시한 단면도로써, x-z평면을 y방향으로 바라본 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 증착 시스템(100)은, 증착공정을 위한 공간을 형성하는 공정챔버(201)와 기화된 원료를 공정챔버(201)로 공급하는 기화기(300)를 포함할 수 있다. 기화기(300)와 공정챔버(201)는 이송관(260)에 의해 연결될 수 있다.
공정챔버(201)의 내부에는 박막이 증착되는 기판(220), 기판(220)의 박막 증착면에 위치하는 마스크(230), 기판(220)과 마스크(230)를 지지하는 프레임부(240) 및 기판(220)에 기화된 원료를 분사하는 노즐부(210)가 위치할 수 있다. 또한, 공정챔버(201)는 진공형성 및 배기를 위한 펌프(250), 기판(220)과 마스크(230)를 정렬하기 위한 얼라인 시스템(미도시) 등을 더 포함할 수 있다.
기화기(300)는 배럴(310), 배럴(310)을 가열하는 히터(미도시), 액상 원료를 기화기(300)의 기화 공간으로 유입 시키는 유입부(320) 및 기화 공간의 내부에 배치된 회전체(330)를 포함할 수 있다.
배럴(310)은 액상 원료가 기화되는 내부 공간을 제공하며, 내부에 빈 공간이 형성된 원통 형상이나 다각기둥 형상 등 다양한 형태를 가질 수 있다. 또한, 액상 원료 또는 기화된 원료에 직접 노출되는 배럴(310)의 내면은 부식 또는 마찰에 의한 손상 등을 방지하고, 히터(미도시)에 의해 발생한 열의 전달 효율을 향상시키기 위해 탈착 가능한 금속층이 결합될 수 있다.
배럴(310)의 일측에는 액상 원료와 아르곤(Ar) 등의 이송기체(Carrier gas)를 공급하는 인입 가스라인(미도시)이 연결되고, 배럴(310)의 타측에는 기화가 이루어진 액상 원료와 이송기체가 배출되는 배출구(미도시)가 형성된다. 인입 가스라인(미도시)은 유입부(320)와 연결되고, 배출구(미도시)는 이송관(260)과 연결된다.
유입부(320)는 배럴(310)의 상부면을 관통하여 형성되며, 초음파 노즐 또는 밴추리 노즐(Venturi nozzle) 등을 포함함으로써, 액상 원료를 배럴(310)의 내부 공간으로 분무할 수 있다. 한편, 액상 원료는 기판(220) 상에 유기막을 형성하기 위한 원료일 수 있다. 예를 들어, 액상 원료는 액상의 모노머로써, 아크릴레이트계, 실리콘계, 에폭시계, 알릴계 등일 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
히터(미도시)는 배럴(310)의 외주면에 형성되어, 배럴(310)을 가열한다. 히터(미도시)는 배럴(310)의 외주면에 감겨진 히팅 코일이나, 배럴(310)의 외주면을 감싸는 히팅 자켓 등으로 구성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 히터(미도시)는 배럴(310)의 내면 즉, 기화공간(102)에 형성될 수도 있으며, 배럴(310)의 내외면에 동시에 형성될 수도 있다.
히터(미도시)에 의해 배럴(310)이 가열되면, 유입부(320)에 의해 분사된 액상 원료는 기화 공간(102)에서 기화되며, 배출구(미도시)는 기화된 액상 원료를 배럴(310)의 외부로 배출한다. 배출구(미도시)는 이송관(260)과 연결되며, 이송관(260)에는 밸브(262)가 형성되어 있어, 공정챔버(201)내로 유입되는 기화된 액상 원료의 양을 조절할 수 있다.
한편, 유입부(320)는 배럴(310)의 상부면을 관통하여 형성되므로, 형성 위치가 고정되어 있다. 또한, 유입부(320)를 통해 분사된 액상 원료는 중력에 의해 배럴(310)의 하부로 이동하게 되므로, 배럴(310)의 하부면 중 특정 영역에는 액상 원료가 집중될 수 있다. 이와 같이 특정 영역에 액상 원료가 집중되면 기화 효율이 저하되어 배럴(310) 내에서 액상의 원료가 기화하지 못하고 경화될 수 있다.
회전체(330)는 상기 액상의 원료가 집중될 수 있는 위치에 배치되어, 상기의 문제를 해결함으로써 기화기(300)의 기화 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 회전체(330)는 배럴(310)의 하부에서 상기 유입부(320)의 위치에 대응하도록 배치될 수 있다.
회전체(330)는 도 2에 도시된 바와 같이, 몸체(331), 몸체(331)를 회전 시키기 위한 중심축(332), 및 몸체(331)에 내재된 다수의 히팅 라인(334)을 포함할 수 있다.
몸체(331)는 배럴(310)의 일측 방향을 따라 길게 형성될 수 있으며, 열 전달율이 우수한 구리 등과 같은 금속 재질로 형성될 수 있다. 몸체(331)는 일 예로, 원기둥의 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
중심축(332)은 몸체(331)와 나란하게 수평적으로 형성되고, 일단이 외부의 모터(미도시)와 연결되며, 타단이 몸체(331)와 결합될 수 있다. 이에 의해 모터(미도시)의 구동에 의해 중심축(332)이 회전하면, 중심축(332)을 기준으로 몸체(331)도 함께 회전할 수 있다.
히팅 라인(334)은 몸체(331)를 가열하며, 이를 위해 히팅 라인(334)에는 전원을 공급하기 위한 전원선(미도시)이 연결될 수 있다.
이와 같은 회전체(330)는 유입부(320)에서 액상 원료를 분무할 때, 회전함으로써 액상 원료를 효과적으로 기화시킬 수 있다.
보다 구체적으로, 유입부(320)에서 분무된 액상 원료는 배럴(310)의 내부면 외에 회전체(330)의 몸체(331)의 표면과 접촉하여 기화될 수 있다. 한편, 회전체(330)는 액상 원료가 집중되는 위치에 배치되고, 회전하는 구성을 가지는 바, 액상 원료와 접촉하여 액상 원료를 기화시키는 몸체(331)의 표면은 계속 새로운 영역으로 교체될 수 있다. 예를 들어, 회전체(330)는 유입부(320)가 액상 원료를 1회 분무하는 시간 동안 1회전 하도록 설정될 수 있다.
따라서, 액상 원료가 회전체(330)가 배치된 영역에 집중된다 하더라도, 액상 원료를 기화시킬 수 있는 몸체(331)의 표면이 계속 새로운 부분으로 교체되는 바, 기화기(300)의 기화 효율이 향상될 수 있다. 한편, 도면에 도시하지는 않았으나, 더욱 효과적으로 액상 원료를 기화시키기 위해, 몸체(331)의 표면에 돌기 또는 홈을 형성하여 액상 원료와의 접촉 표면적을 증가시킬 수 있다.
또한, 유입부(320)에서 액상 원료의 분무시, 회전체(330)가 회전함에 따라 특정 영역에 집중된 액상 원료를 실질적으로 분산시키는 효과를 가져올 수 있는 바, 미 기화된 액상 원료의 누적을 방지할 수 있다. 따라서, 액상 원료의 경화 현상이 감소하고, 이에 의해 기화기(300)와 공정챔버(301)를 연결하는 이송관(260) 등의 오염이 감소하는바, 박막 증착 시스템(100)의 부품의 cleaning주기를 연장할 수 있다.
도 3 및 도 4는 도 2의 기화기의 변형예를 도시한 도면들이다. 도 3은 도 2와 마찬가지로 도 1의 I-I 단면 즉, x-z평면을 y방향으로 바라본 단면도이며, 도 4는 도 1의 II-II 단면 즉, y-z 평면을 x 방향으로 바라본 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 기화기(400)는 배럴(410), 배럴(410)을 가열하는 히터(미도시), 액상 원료를 기화기(400)의 기화 공간으로 유입 시키는 유입부(420) 및 기화 공간의 내부에 배치된 회전체(430)를 포함할 수 있다.
배럴(410), 히터(미도시), 유입부(420)는 도 1 및 도 2에서 도시하고 설명한 바와 동일하므로, 반복하여 설명하지 않는다.
회전체(430)는 몸체(431)와 몸체(431)를 회전시키기 위한 회전축(432)을 포함하고, 유입부(420)의 하부쪽에 위치함으로써, 유입부(420)에서 분사되는 액상의 원료를 효과적으로 기화시킬 수 있다.
몸체(431)는 상면이 평평한 플레이트(Plate) 형상일 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정하지 않으며, 몸체(431)는 후술하는 바와 같이 회전축(432)을 중심으로 수평면에서 회전할 수 있는 구조를 가지면 충분하다. 예를 들어, 회전체(430)는 버섯 형상을 가질 수도 있다.
몸체(431)는 열 전도율이 우수한 구리 등의 재질로 형성될 수 있으며, 몸체(431)의 하면이 회전축(432)과 결합되어, 회전축(432)의 회전과 함께 회전할 수 있다.
회전축(432)은 수직방향으로 형성되며, 외부에 배치된 모터(미도시) 등과 연결될 수 있다.
또한, 회전체(430)는 몸체(431)를 가열하는 히터(미도시)를 더 포함할 수 있다. 히터(미도시)는 예를 들어, 몸체(431)의 내부에 배치된 열선 또는, 몸체(431)의 일면과 접하는 히팅 플레이트 일 수 있다. 또한, 히터(미도시)는 몸체(431)의 전체에 걸쳐 형성될 수도 있고, 몸체(431)의 일부분에만 간헐적으로 형성될 수도 있다.
이와 같은 회전체(430)는 유입부(420)에서 액상 원료를 분무할 때, 회전함으로써 액상 원료를 효과적으로 기화시킬 수 있다. 예를 들어, 회전체(430)는 유입부(420)가 액상 원료를 1회 분무하는 시간 동안 1회전 하도록 설정될 수 있다.
또한, 더욱 효과적인 기화를 위해 유입부(420)는 회전축(432)의 연장선에서 일측 방향으로 벗어나도록 위치할 수 있다. 즉, 유입부(420)가 회전축(432)의 연장선과 이격되어 위치함에 따라, 유입부(420)에서 분사하는 액상의 원료는, 몸체(431)의 중심부 보다는 몸체(431)의 중심부에서 몸체(431)의 모서리 방향으로 치우친 영역에 보다 집중될 수 있다.
이와 같이, 유입부(420)가 액상 원료를 분무하는 동안, 회전체(430)가 회전하게 되면, 액상 원료를 기화 시키는 몸체(431)의 표면이 계속 새로운 영역으로 교체될 수 있으므로, 액상의 원료가 몸체(431)의 상면 전체에 골고루 분사된 효과를 가질 수 있으므로, 기화기(400)의 기화 효율이 향상될 수 있다. 또한, 미 경화된 액상 원료가 한 곳에서 누적되는 것을 방지할 수 있으므로, 배럴(410) 내부에서 액사 원료가 경화하는 현상을 감소시킬 수 있다.
또한, 도면에 도시하지는 않았으나, 회전체(430)는 몸체(431)의 상면을 클리닝 할 수 있는 블레이드(미도시)를 더 포함할 수 있다. 블레이드(미도시)는 유입부(420)에 의해 분사되는 액상의 원료가 집중되는 영역의 반대쪽에 위치할 수 있다. 따라서, 몸체(431)의 회전과 함께, 몸체(431)의 상면에서 경화된 원료를 제거할 수 있다.
도 5는 본 발명의 스퍼터링 장치를 이용하여 제조된 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 6은 도 5의 F의 확대도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면 유기 발광 표시 장치(10:organic light emitting display apparatus)는 기판(30)상에 형성된다. 기판(30)은 글래스재, 플라스틱재, 또는 금속재로 형성될 수 있다.
기판(30)상에는 기판(30)상부에 평탄면을 제공하고, 기판(30)방향으로 수분 및 이물이 침투하는 것을 방지하도록 절연물을 함유하는 버퍼층(31)이 형성되어 있다.
버퍼층(31)상에는 박막 트랜지스터(40(TFT: thin film transistor)), 캐패시터(50), 유기 발광 소자(60:organic light emitting device)가 형성된다. 박막 트랜지스터(40)는 크게 활성층(41), 게이트 전극(42), 소스/드레인 전극(43)을 포함한다. 유기 발광 소자(60)는 제1 전극(61), 제2 전극(62) 및 중간층(63)을 포함한다. 캐패시터(50)는 제1 캐패시터 전극(51) 및 제2 캐패시터 전극(52)을 구비한다.
구체적으로 버퍼층(31)의 윗면에는 소정 패턴으로 형성된 활성층(41)이 배치된다. 활성층(41)은 실리콘과 같은 무기 반도체 물질, 유기 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질을 함유할 수 있고, 선택적으로 p형 또는 n형의 도펀트를 주입하여 형성될 수도 있다.
활성층(41)상부에는 게이트 절연막(32)이 형성된다. 게이트 절연막(32)의 상부에는 활성층(41)과 대응되도록 게이트 전극(42)이 형성된다. 게이트 절연막(32)의 상부에는 제1 캐패시터 전극(51)이 형성될 수 있고, 게이트 전극(42)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
게이트 전극(42)을 덮도록 층간 절연막(33)이 형성되고, 층간 절연막(33) 상에 소스/드레인 전극(43)이 형성되는 데, 활성층(41)의 소정의 영역과 접촉되도록 형성된다. 절연막(33) 상에는 제2 캐패시터 전극(52)이 형성될 수 있고, 소스/드레인 전극(43)과 동일한 재질로 형성될 수 있다.
소스/드레인 전극(43)을 덮도록 패시베이션층(34)이 형성되고, 패시베이션층(34)상부에는 박막트랜지스터(40)의 평탄화를 위하여 별도의 절연막을 더 형성할 수도 있다.
패시베이션층(34)상에 제1 전극(61)을 형성한다. 제1 전극(61)은 소스/드레인 전극(43)중 어느 하나와 전기적으로 연결되도록 형성한다. 그리고, 제1 전극(61)을 덮도록 화소정의막(35)이 형성된다. 이 화소정의막(35)에 소정의 개구(64)를 형성한 후, 이 개구(64)로 한정된 영역 내에 유기 발광층을 구비하는 중간층(63)을 형성한다. 중간층(63)상에 제2 전극(62)을 형성한다.
제2 전극(62)상에 봉지층(70)을 형성한다. 봉지층(70)은 유기물 또는 무기물을 함유할 수 있고, 유기물과 무기물을 교대로 적층한 구조일 수 있다.
구체적인 예로서 봉지층(70)은 전술한 박막 증착 시스템(도 1의 100)을 이용하여 형성할 수 있다. 즉 제2 전극(62)이 형성된 기판(30)을 공정챔버(도 1의 201)내로 투입한 후, 박막 증착 시스템(도 1의 100)을 이용하여 원하는 층을 형성할 수 있다.
특히, 봉지층(70)은 무기층(71) 및 유기층(72)을 구비하고, 무기층(71)은 복수의 층(71a, 71b, 71c)을 구비하고, 유기층(72)은 복수의 층(72a, 72b, 72c)을 구비한다. 이 때 박막 증착 시스템(도 1의 100)을 이용하여 유기층(72)의 복수의 층(72a, 72b, 72c)을 형성할 수 있다.
그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉 전술한 박막 증착 시스템(도 1의 100)를 이용하여 유기 발광 표시 장치(10)의 중간층(63) 등 기타 다른 구성요소를 형성하는 것도 물론 가능하다.
본 발명에 따른 기화기 및 이를 구비한 박막 증착 시스템은 상기한 바와 같이 설명된 실시예들의 구성과 방법이 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
100: 박막 증착 시스템 201: 공정 챔버
210: 노즐부 220: 기판
230: 마스크 240: 프레이부
260: 이송관 262: 밸브
300, 400: 기화기 310, 410: 배럴
320, 420: 유입부 330, 430: 회전체
331, 431: 몸체 332: 중심축
334: 히팅 라인 432: 회전축
210: 노즐부 220: 기판
230: 마스크 240: 프레이부
260: 이송관 262: 밸브
300, 400: 기화기 310, 410: 배럴
320, 420: 유입부 330, 430: 회전체
331, 431: 몸체 332: 중심축
334: 히팅 라인 432: 회전축
Claims (20)
- 기화 공간을 형성하는 배럴;
상기 배럴을 가열하는 히터;
상기 기화 공간으로 액상의 원료를 분무하는 유입부; 및
상기 기화 공간 내에 위치하며, 상기 액상의 원료를 기화시키는 회전체;를 포함하는 기화기. - 제1항에 있어서,
상기 유입부는 상기 배럴의 상부를 관통하여 형성되며, 상기 회전체는 상기 배럴의 하부에서 상기 유입부의 위치에 대응하여 배치된 기화기. - 제2항에 있어서,
상기 회전체는,
몸체;
상기 몸체를 회전시키기 위한 중심축; 및
상기 몸체에 내제되어, 상기 몸체를 가열하는 다수의 히팅 라인들;을 포함하는 기화기. - 제3항에 있어서,
상기 중심축은 상기 몸체와 평행하게 수평적으로 배치된 기화기. - 제4항에 있어서,
상기 몸체는 원통형이며, 상기 몸체는 상기 중심축을 기준으로 회전하는 기화기. - 제3항에 있어서,
상기 유입부가 상기 액상 원료를 1회 분무하는 시간 동안, 상기 회전체는 1회전 하는 기화기. - 제3항에 있어서,
상기 원통형의 몸체의 표면에는 돌기 또는 홈이 형성된 기화기. - 제2항에 있어서,
상기 회전체는,
몸체; 및
상기 몸체의 하면과 결합하여 상기 몸체를 회전시키기 위한 회전축을 포함하고,
상기 회전축은 수직방향으로 배치된 기화기. - 제8항에 있어서,
상기 유입부는 상기 회전축의 연장선과 이격되어 위치하는 기화기. - 제9항에 있어서,
상기 몸체는 원형의 플레이트 형상인 기화기 - 제8항에 있어서,
상기 회전체는 버섯 형상을 가지는 기화기. - 제8항에 있어서,
상기 회전체는, 상기 몸체를 가열하는 히터를 더 포함하는 기화기. - 챔버; 및
상기 챔버로 기화된 원료를 공급하는 기화기;를 포함하고,
상기 기화기는,
기화 공간을 형성하는 배럴;
상기 배럴을 가열하는 히터;
상기 기화 공간으로 액상의 원료를 분무하는 유입부; 및
상기 기화 공간 내에 위치하며, 상기 액상의 원료를 기화시키는 회전체;를 포함하는 박막 증착 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 유입부는 상기 배럴의 상부를 관통하여 형성되며, 상기 회전체는 상기 배럴의 하부에서 상기 유입부의 위치에 대응하여 배치된 박막 증착 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 유입부가 상기 액상 원료를 1회 분무하는 시간 동안, 상기 회전체는 1회전 하는 박막 증착 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 회전체는,
원통형의 몸체;
상기 원통형의 몸체의 중심에 위치하고, 상기 원통형의 몸체를 회전시키기 위한 중심축; 및
상기 원통형의 몸체에 내제되어, 상기 몸체를 가열하는 다수의 히팅 라인들;을 포함하는 박막 증착 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 회전체는,
몸체; 및
상기 몸체의 하면과 결합하여 상기 몸체를 회전시키기 위한 회전축을 포함하고,
상기 회전축은 수직방향으로 배치된 박막 증착 시스템. - 제17항에 있어서,
상기 유입부는 상기 회전축의 연장선과 이격되어 위치하는 박막 증착 시스템. - 제17항에 있어서,
상기 회전체는, 상기 몸체의 상면을 클리닝 할 수 있는 블레이드를 더 포함하는 박막 증착 시스템. - 제13항에 있어서,
상기 챔버는,
기판과 마스크를 지지하는 프레임부; 및
상기 기판으로 상기 기화된 원료를 분사하는 노즐부;를 포함하는 박막 증착 시스템.
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Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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| US7211461B2 (en) * | 2003-02-14 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
| JP4545504B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 膜形成方法、発光装置の作製方法 |
| US8291853B2 (en) * | 2009-05-18 | 2012-10-23 | Boris Gilman | Apparatus for forming a flexible nanostructured material for photovoltaic panels |
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Cited By (1)
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