DE102018126727A1 - Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung, Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren verwendend dieselbe und lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die durch das Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren hergestellt wird - Google Patents

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HanSun PARK
Hyeongjun LIM
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Abstract

Eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) wird bereitgestellt. Die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) weist ein Basissubstrat (110), einen fotothermischen Wandler (120), einen Quellen-Teil (130) und einen Lichtreflektor (140) auf. Der fotothermische Wandler (120) ist in dem Basissubstrat (110) enthalten und wandelt optische Energie in thermische Energie um. Der Quellen-Teil (130) ist an dem fotothermischen Wandler (120) angeordnet. Der Lichtreflektor (140) weist eine Öffnung (OPN) mit einem seitlich ausgesparten Unterteil und einem Oberteil, das von dem Unterteil hervorsteht, auf, um externe Lichtzufuhr darauf basierend auf einer Brechungsindexdifferenz zwischen dem Lichtreflektor (140) und dem Basissubstrat (110) zu reflektieren und um eine Quelle, die von einem Quellen-Teil (130) emittiert wird, zu einem Zielbereich zu leiten.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht den Vorteil der am 31. Oktober 2017 eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2017- 0144257 .
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung, ein Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren verwendend dieselbe und eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die durch das Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren hergestellt wird.
  • Bezogene Technik
  • Mit der Entwicklung der Informationstechnologie wachsen Märkte für Anzeigevorrichtungen, die Verbindungsmedien zwischen Benutzern und Informationen sind. Dementsprechend werden verschiedene Arten von Anzeigevorrichtungen, wie beispielsweise organische lichtemittierende Anzeigen, Flüssigkristallanzeigen, elektrophoretische Anzeigen und Quantenpunktanzeigen, zunehmend verwendet.
  • Anzeigevorrichtungen wie oben beschrieben weisen ein Anzeigepanel, einen Treiber, der das Anzeigepanel steuert, und eine Steuereinheit, die den Treiber steuert, auf. Es gibt verschiedene Arten von Anzeigepanelen, die für Anzeigevorrichtungen verwendet werden. Anzeigevorrichtungen sind jedoch dahingehend ähnlich, dass ein Substrat und eine Struktur, die als Dünnfilm auf dem Substrat ausgebildet wird, zum Bilden des Anzeigepanels benötigt werden.
  • Eine Struktur in Form eines Dünnfilms wird durch eine Strukturübertragungsvorrichtung unter Verwendung eines Lasers oder dergleichen gebildet. Herkömmlicherweise wurden (1) ein laserinduziertes thermisches abbildendes (LITI) Strukturierungsverfahren, (2) ein laserinduziertes Strukturweises Sublimations (LIPS)-Strukturierungsverfahren und dergleichen vorgeschlagen. Das LITI-Strukturierungsverfahren und das LIPS-Strukturierungsverfahren strukturieren eine organische Schicht durch Schattenmaskierung unter Verwendung von feinen Löchern, die in einem dünnen Metallfilm ausgebildet sind.
  • Bei dem herkömmlichen LITI-Strukturierungsverfahren werden jedoch Probleme bezüglich der Erzeugung von Partikeln erzeugt, und es ist schwierig, saubere Kanten zu erhalten, wenn die Delaminierung erfolgt. Wenn Partikel vorhanden sind, wird außerdem keine Struktur gebildet. Bei dem herkömmlichen LIPS-Strukturierungsverfahren ist während der Strukturübertragung ein Kontakt zwischen einer Strukturquelle und einer hinteren Ebene erforderlich, was aufwendig ist. Um eine Ultrafeine-(Ultrafein-Pitch) Struktur zu bilden, um die Fläche eines Anzeigepanels zu vergrößern, ist daher eine Abscheidungsvorrichtung erforderlich, die sich von den herkömmlichen Vorrichtungen unterscheidet.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Ultrafein-Abscheidungsvorrichtung, ein Ultrafein-Abscheidungsverfahren und eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung gemäß den unabhängigen Ansprüchen bereit. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben. In einem Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung bereit, die ein Basissubstrat, einen fotothermischen Wandler, einen Quellen-Teil und einen Lichtreflektor aufweist. Der fotothermische Wandler ist im Basissubstrat vorgesehen und wandelt optische Energie in thermische Energie um. Der Quellen-Teil ist auf dem fotothermischen Wandler angeordnet. Der Lichtreflektor weist eine Öffnung mit einem seitlich ausgesparten Unterteil und einem Oberteil, das von dem Unterteil hervorsteht, auf, um darauf, von außen einfallendes Licht basierend auf einer Brechungsindexdifferenz zwischen dem Lichtreflektor und dem Basissubstrat zu reflektieren und um eine Quelle, die von dem Quellen-Teil emittiert wird, zu einem Zielbereich zu leiten.
  • In einem weiteren Aspekt stellt die vorliegende Erfindung ein Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren bereit, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung verwendet, die einen fotothermischen Wandler, der in einem Basissubstrat enthalten ist, aufweist und optische Energie in thermische Energie umwandelt; einen Quellen-Teil aufweist, der auf dem fotothermischen Wandler angeordneter ist, und einen Lichtreflektor mit einer Öffnung mit einem seitlich ausgesparten Unterteil und einem Oberteil, das von dem Unterteil hervorsteht, um darauf, von außen einfallendes Licht basierend auf einer Brechungsindexdifferenz zwischen dem Lichtreflektor und dem Basissubstrat zu reflektieren und um eine Quelle, die von dem Quellen-Teil emittiert wird, zu einem Zielbereich zu leiten. Das Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren weist auf: Anordnen und Ausrichten der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung und eines Zielsubstrats; und Bestrahlen von Laserstrahlen auf das Basissubstrat, um eine Struktur abzuscheiden, so, dass die Quelle auf Emissionsbereichen von Sub-Pixeln des Zielsubstrats abgeschieden wird.
  • In einem weiteren Aspekt stellt die vorliegende Erfindung eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung bereit, die durch das Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren hergestellt wird.
  • Figurenliste
  • Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind, um die Erfindung näher zu erläutern, sind Bestandteil der Beschreibung und veranschaulichen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erläutern.
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht zum schematischen Beschreiben eines Struktur-Abscheidungsverfahrens unter Verwendung einer Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 2 ist eine Querschnittsansicht, die einen Teil von 1 zeigt.
    • 3 ist ein Diagramm zum Beschreiben eines Laserbestrahlungsverfahrens der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
    • 4 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
    • 5 ist ein Diagramm, das einen Prozessablauf zum Beschreiben von Prozessen von der Vorbeschichtung einer Quelle bis zur Strukturabscheidung veranschaulicht.
    • 6 ist ein Diagramm, das Strukturen eines Lichtreflektors zeigt.
    • 7 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • 8 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • 9 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • 10 und 11 sind Diagramme, die eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
    • 12 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • 13 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • BESCHREIBUNG BEISPIELHAFTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Es wird nun detailliert auf Ausführungsformen der Erfindung Bezug genommen, von denen Beispiele in den beigefügten Zeichnungen dargestellt sind.
  • Nachfolgend werden spezifische Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Eine Ultrafeine-(Ultrafein-Pitch) Struktur-Abscheidungsvorrichtung, die nachstehend beschrieben wird, kann verwendet werden, um ein Anzeigepanel einer Anzeigevorrichtung zur Verwendung in Fernsehern, Videoabspielgeräten, Personal Computern (PCs), Heimkinos, Smartphones, Virtual-Reality (VR)-Vorrichtungen usw. herzustellen.
  • Die vorgenannten Anzeigevorrichtungen können organische Licht emittierende Anzeigen, Flüssigkristallanzeigen, elektrophoretische Anzeigen und Quantenpunktanzeigen sein. Anzeigevorrichtungen weisen ein Anzeigepanel, einen Treiber, der das Anzeigepanel steuert, und eine Steuereinheit, die den Treiber steuert, auf. Es gibt verschiedene Arten von Anzeigepanelen, die für Anzeigevorrichtungen verwendet werden.
  • Anzeigevorrichtungen sind jedoch dahingehend ähnlich, dass ein Substrat und eine Struktur, die als Dünnfilm auf dem Substrat ausgebildet wird, zum Bilden des Anzeigepanels benötigt werden. Dementsprechend kann jede Anzeigevorrichtung, die ein Verfahren zum Abscheiden eines Dünnfilms, insbesondere eines organischen Dünnfilms (organische Schicht) auf einem Substrat, erfordert, durch die in der vorliegenden Erfindung beschriebene Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung hergestellt werden, und die vorliegende Erfindung ist nicht auf die vorgenannten Anzeigevorrichtungen beschränkt.
  • Darüber hinaus können organische Dünnfilme eine Lochtransportschicht (HTL), eine Lochinjektionsschicht (HIL), eine emittierende Schicht (EML), eine Elektronentransportschicht (ETL), eine Elektroneninjektionsschicht (EIL), eine Deckschicht (CPL), eine Ladungserzeugungsschicht (CGL), eine Elektronenblockadeschicht (EBL), eine Effizienz-verstärkte Schicht (EEL), eine RGB-Grundschicht usw. aufweisen.
  • <Erste Ausführungsform>
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht zum schematischen Beschreiben eines Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahrens verwendend eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 ist eine Querschnittsansicht, die einen Teil von 1 zeigt und 3 ist ein Diagramm zum Beschreiben eines Laserbestrahlungsverfahrens der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Wie in 1 und 2 gezeigt ist, arbeitet die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in Reaktion auf Laserstrahlen L, die von einer Laser-abstrahlenden Vorrichtung LB abgestrahlt werden. Obwohl die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100, wie in der 1 und 2 gezeigt ist, über einem Zielsubstrat 200 angeordnet ist, kann die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 unter dem Zielsubstrat 200 angeordnet sein.
  • Wenn die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 über dem Zielsubstrat 200 angeordnet ist, strahlt die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB Laserstrahlen L über der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 ab. Wenn die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 unter dem Zielsubstrat 200 angeordnet ist, strahlt die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB die Laserstrahlen L unter der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 ab.
  • Das Zielsubstrat 200 weist mindestens ein Substrat 210, eine untere Elektrode (oder Anodenelektrode) 220 und eine Bankschicht 240 auf. Die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 weist mindestens ein Basissubstrat 110, einen fotothermischen Wandler 120 und einen Lichtreflektor 140 auf. Der fotothermische Wandler 120 absorbiert Laserstrahlen L und der Lichtreflektor 140 reflektiert Laserstrahlen L und leitet gleichzeitig eine Quelle nur zu einem Zielbereich.
  • Wenn der Laser zu der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 abgestrahlt wird, werden Laserstrahlen absorbiert, reflektiert oder wieder reflektiert. Beispielsweise können erste Laserstrahlen L1 durch den fotothermischen Wandler 120 absorbiert werden, und zweite Laserstrahlen L2 können durch den Lichtreflektor 140 reflektiert werden. Einige der zweiten Laserstrahlen L2 können zusammen den dritten Laserstrahlen L3 wiederreflektiert und durch den fotothermischen Wandler 120 absorbiert werden oder können durch den Lichtreflektor 140 reflektiert werden oder können zusammen mit vierten Laserstrahlen L4 nach außen emittiert werden.
  • Ein organischer Dünnfilm 230 wird auf der freigelegten unteren Elektrode 220 auf dem Zielsubstrat 200 basierend auf einer Quelle, die von einem Quellen-Teil 130 gemäß einem fotothermischen Umwandlungsvorgang der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 emittiert wird, gebildet. Wenn ein Prozess zum Bilden einer oberen Elektrode (oder Kathodenelektrode) beendet ist, wird der organische Dünnfilm 230 zu einer organischen Emissionsschicht, die Licht auf das Zielsubstrat 200 emittiert.
  • Die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung scheidet ab und überträgt eine Struktur (oder eine Quelle) unter Verwendung von Totalreflexion von Licht im Basissubstrat 110 und kann als eine Strukturtechnik definiert werden, die auf der Apertur-basierenden selektiven Strukturierung (ASP) basiert. Die Strukturierungstechnik gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Abscheidungsgenauigkeit und die Abscheidungseffizienz verbessern.
  • Wie in 3 gezeigt, ist die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 über dem Zielsubstrat 200 angeordnet, und die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 und das Zielsubstrat 200 sind basierend auf den Ausrichtungsschlüsseln ALK1 und ALK2 angeordnet und ausgerichtet, die entsprechend zueinander angeordnet sind. Die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 und das Zielsubstrat 200 können so angeordnet sein, dass sich Strukturen, die ihren oberen Schichten entsprechen, einander berühren oder sich fast gegenseitig berühren, oder sie sind um einen vorbestimmten Abstand oder länger voneinander beabstandet.
  • Laserstrahlen L können in mindestens einer Richtung von aufwärts, abwärts und seitwärts in Bezug auf das Basissubstrat 110 abgestrahlt werden. Die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB kann die Laserstrahlen L unter verschiedenen Winkeln an verschiedenen Positionen abstrahlen. Beispiele für Abstrahlung der Laserstrahlen L werden nachstehend beschrieben.
  • Wie in 3(a) gezeigt, kann die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB die Laserstrahlen L in einer abtastenden Weise abstrahlen, während sie sich geringfügig in der horizontalen Richtung X über der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 bewegt. Die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB kann die Laserstrahlen L so abstrahlen, dass die Laserstrahlen L der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 mit einer geraden Ausbreitungseigenschaft in der vertikalen Richtung Y zugeführt werden. In diesem Fall kann eine organische Quelle auch die gerade Ausbreitungseigenschaft erhalten und kann somit daran gehindert werden, dass sie sich in benachbarte Gebiete ausbreitet.
  • Wie in 3(b) gezeigt, kann die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB die Laserstrahlen L auf der Seite der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 in einer abtastenden Weise oder feststehenden Weise abstrahlen. Die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB kann die Laserstrahlen L derart abstrahlen, dass die Laserstrahlen L der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 mit der geraden Ausbreitungseigenschaft in der horizontalen Richtung X zugeführt werden. Darüber hinaus kann die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 bewirken, dass die Laserstrahlen L, die in ihr Inneres zugeführt werden, absorbiert, reflektiert oder wieder reflektiert werden.
  • Wie in 3(c) gezeigt, kann die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB über der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 angeordnet sein, deren Größe dem Oberteil der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 entspricht, und die Laserstrahlen L abstrahlen. Die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB kann die Laserstrahlen L derart abstrahlen, dass die Laserstrahlen L der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 mit der geraden Ausbreitungseigenschaft in der vertikalen Richtung Y zugeführt werden.
  • Wie in 3(d) gezeigt, kann die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB die Laserstrahlen L abstrahlen, während sie sich kontinuierlich in der horizontalen Richtung X über der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 bewegt. Die Laser-abstrahlende Vorrichtung LB kann die Laserstrahlen L derart abstrahlen, dass die Laserstrahlen L unter einem bestimmten Winkel der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 zugeführt werden, während sie eine gerade Ausbreitungseigenschaft in der vertikalen Richtung Y haben.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, 5 ist ein Diagramm, das einen Prozessablauf zum Beschreiben von Prozessen vom Vorbeschichten von einer Quelle bis zur Strukturabscheidung veranschaulicht, und 6 ist ein Diagramm, das Strukturen des Lichtreflektors zeigt.
  • Wie in 4 gezeigt, weist das Zielsubstrat 200 mindestens das Substrat 210, die untere Elektrode 220 und die Bankschicht 240 auf. Die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 weist das Basissubstrat 110, den fotothermischen Wandler 120, einen Quellen-Teil 130R und den Lichtreflektor 140 auf.
  • Das Substrat 210 kann ferner Transistoren aufweisen, die nicht gezeigt sind. Die untere Elektrode 220 ist entsprechend den Sub-Pixelbereichen SPR, SPG und SPB getrennt und angeordnet. Die untere Elektrode 220 ist mit der Source- oder Drain-Elektrode eines in den Transistoren enthaltenen Treiber-Transistors verbunden. Die Bankschicht 240 ist angeordnet, um die untere Elektrode 220 jeweils in Teile zu isolieren, die Sub-Pixeln entsprechen und um Emissionsbereiche zu definieren. Die Bankschicht 240 kann jedoch abhängig von der Struktur des Zielsubstrats in anderen Formen angeordnet sein oder weggelassen sein.
  • Das Basissubstrat 110 dient als Basis der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100. Ein transparentes Material ist für das Basissubstrat 110 ausgewählt. Beispielsweise kann das Basissubstrat 110 aus einem transparenten Material mit hoher Transparenz (Durchlässigkeit) hergestellt sein oder hohe Lichtleitereigenschaften aufweisen, beispielsweise Quarz oder amorphes Glas. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der fotothermische Wandler 120 absorbiert die ersten Laserstrahlen L1 und wandelt die Energie der absorbierten ersten Laserstrahlen L1 in thermische Energie um, um dem Quellen-Teil 130R Wärme zuzuführen. Der fotothermische Wandler 120 ist auf einer Seite des Basissubstrats 110 angeordnet. Eine Seite des Basissubstrats 110 ist die gegenüberliegende Seite der anderen Seite des Basissubstrats 100, zu der die ersten Laserstrahlen L1 zugeführt werden. Beispielsweise kann der fotothermische Wandler 120 aus einem Material gebildet sein, das eine hohe Umwandlungseffizienz von Laserstrahlen in thermische Energie aufweist, wie Ruß oder Metall-Nanostrukturen (Oberflächenplasmonresonanz (SPR)). Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Der fotothermische Wandler 120 ist so angeordnet, dass er einigen der unteren Elektroden 220 des Zielsubstrats 200 entspricht. In einem ersten Beispiel, wenn die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 so eingerichtet ist, dass sie einen organischen Dünnfilm 250R von roten Sub-Pixeln abscheidet, entspricht der Quellen-Teil 130R nur Emissionsbereichen der roten Sub-Pixelbereiche SPR. In einem zweiten Beispiel, wenn die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 zum Abscheiden eines organischen Dünnfilms 250G von grünen Sub-Pixeln eingerichtet ist, entspricht der Quellen-Teil 130R nur Emissionsbereichen der grünen Sub-Pixelbereiche SPG. In einem dritten Beispiel, wenn die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 zum Abscheiden eines organischen Dünnfilms 250B von blauen Sub-Pixeln eingerichtet ist, entspricht der Quellen-Teil 130R nur Emissionsbereichen der blauen Sub-Pixelbereiche SPB.
  • Der Lichtreflektor 140 reflektiert den zweiten Laserstrahl L2, um die zweiten Laserstrahlen L2 zu blockieren, so, dass die zweiten Laserstrahlen L2 nicht durch sie hindurch treten. Der Lichtreflektor 140 ist auf einer Seite des Basissubstrats 110 angeordnet. Beispielsweise ist der Lichtreflektor 140 als eine Totalreflexion (TIR) -Schnittstelle realisiert.
  • Der Lichtreflektor 140 ist als eine einzige Schicht ausgebildet und kann aus einem Material mit einem von dem Basissubstrat 110 verschiedenen Brechungsindex gebildet sein. Wenn beispielsweise das Basissubstrat 110 einen hohen Brechungsindex H (oder einen niedrigen Brechungsindex L) aufweist, ist der Lichtreflektor 140 so gewählt, dass er einen niedrigen Brechungsindex L (oder einen hohen Brechungsindex H) aufweist. Zusätzlich kann der Lichtreflektor 140 externes Licht reflektieren, indem er aus einem Material mit einem hohem Brechungsindex oder einem Material mit einem niedrigem Brechungsindex gebildet ist und in einer Struktur gebildet ist, in der diese Materialien wiederholt gebildet sind, oder in einer Struktur gebildet ist, die eine zur obigen Struktur ähnliche Funktion aufweist, um eine Brechungsindexdifferenz zwischen dem Lichtreflektor 140 und dem Basissubstrat 110 zu erzeugen.
  • Der Lichtreflektor 140 führt eine von dem Quellen-Teil 130R emittierte Quelle nur zu Zielbereichen, während verhindert wird, dass die Quelle in anderen Bereichen als den Zielbereichen ankommt. Um dies zu erreichen, weist der Lichtreflektor 140 Öffnungen OPN mit einem Unterteil und einem Oberteil auf, der seitlich von dem Unterteil vorsteht, um die von dem Quellen-Teil emittierte Quelle nur zu Zielbereichen zu leiten. Infolgedessen wird nur der Quellen-Teil durch die Öffnungen OPN freigelegt, wenn er von oberhalb der Oberseite des Basissubstrats betrachtet wird. Als Referenz berühren die Unterteile der Öffnungen OPN das Basissubstrat und die Oberteile davon liegen nach außen frei. Dementsprechend können die Lichtreflektoren 140 eine T-Form (oder eine Pilzform) haben. Die Form des Lichtreflektors 140 ist jedoch nicht auf die in der Figur gezeigte beschränkt.
  • Außerdem entspricht die Breite der Öffnung OPN der Breite des Emissionsbereichs eines der Öffnung OPN zugewandten Sub-Pixels. Wenn zum Beispiel ein Sub-Pixel, der Licht in einer ersten Farbe emittiert, links, rechts oder oberhalb von einem Sub-Pixel, der Licht in derselben ersten Farbe emittiert, angeordnet ist, hat die Öffnung OPN eine Breite, die den Emissionsbereichen der beiden Sub-Pixel entspricht. Ferner kann die Öffnung OPN je nach Position unterschiedliche Breiten haben. Zum Beispiel können Sub-Pixel unterschiedliche Emissionsbereiche haben und somit kann die Öffnung OPN dementsprechend unterschiedliche Breiten aufweisen.
  • Eine Nicht-Öffnung des Lichtreflektors 140 kann als ein Bereich definiert sein, durch den die Quelle nicht emittiert wird, d. h. Ein Bereich, in dem kein organisches Material abgeschieden wird (z. B. organisches Material Nicht-Abscheidungsbereiche) und die Öffnungen OPN, die dem Quellen-Teil 130R entsprechen, können als Bereiche definiert sein, durch die die Quelle emittiert wird, d. h. organisches Material Abscheidungsbereiche. Die Öffnungen OPN des Lichtreflektors 140 und des Quellen-Teils 130R können identische oder ähnliche Größen und Formen aufweisen. Dementsprechend können die Öffnungen OPN des Lichtreflektors 140 und des Quellen-Teils 130R in einer dreieckigen, rechteckigen, quadratischen, kreisförmigen, ovalen, rautenförmigen oder polygonalen Form ausgebildet sein. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Eine Quelle, die in Reaktion auf Wärme, die von den fotothermischen Wandlern 120 eingebracht wird, verdampft, wird für den Quellen-Teil 130R ausgewählt. Beispielsweise kann die Quelle des Quellen-Teils 130R auf einem Fluss einer organischen Schicht basieren, der bidirektional separiert ist, anstelle eines Lambert'schen.
  • Während zum Beispiel eine organische Quelle oder eine anorganische Quelle für den Quellen-Teil 130R ausgewählt werden kann, werden die organische Quelle und die anorganische Quelle in der folgenden Beschreibung zusammenfassend als Quelle bezeichnet. Der Quellen-Teil 130R ist auf dem fotothermischen Wandler 120 und dem Lichtreflektor 140 ausgebildet, das heißt auf der gesamten Oberfläche des Basissubstrats 100 in dem in 4 gezeigten Beispiel. Dies ist jedoch ein Beispiel und der Quellen-Teil 130R kann nur an dem fotothermischen Wandler 120 angeordnet sein, der den Öffnungen OPN des Lichtreflektors 140 entspricht.
  • Der an dem fotothermischen Wandler 120 angeordnete Quellen-Teil 130R erwärmt sich und verdampft somit. Dementsprechend wird ein organischer Dünnfilm auf unteren Elektroden 220 des Zielsubstrats 200 abgeschieden, die Abscheidungsbereichen für organisches Material entsprechen. Der an dem Lichtreflektor 140 abgeschiedene Quellen-Teil 130R bleibt kühl und verdampft somit nicht. Dementsprechend wird auf den unteren Elektroden 220 des Zielsubstrats 200 kein organischer Dünnfilm abgeschieden, der organischem Material Nicht-Abscheidungsbereichen entspricht.
  • Die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 zum Abscheiden einer roten organischen Quelle wurde in der obigen Beschreibung beispielhaft dargestellt. Die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 kann in eine Vorrichtung zum Abscheiden einer roten organischen Quelle, in eine Vorrichtung zum Abscheiden einer grünen organischen Quelle und in eine Vorrichtung zum Abscheiden einer blauen organischen Quelle unterteilt werden. In diesem Fall können die Quellen mit ihren Farben vorbeschichtet werden und dann kann eine Strukturabscheidung durchgeführt werden. Dies wird weiter unten beschrieben.
  • Wie in 5 gezeigt, sind Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtungen 100R, 100G und 100B zum Abscheiden roter, grüner und blauer organischer Quellen getrennt auf einer Übertragungseinrichtung wie etwa einem Förderband angeordnet, um die Quellen entsprechend ihren Farben vorzubeschichten.
  • Die Transfereinrichtung überträgt die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtungen 100R, 100G und 100B zum Abscheiden der roten, grünen und blauen organischen Quelle in der X-Achsenrichtung. Zum Beispiel werden die roten, grünen und blauen organischen Quellen SRC_R, SRC_G und SRC_B in alle Öffnungen der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtungen 100R, 100G und 100B gefüllt, während die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtungen 100R, 100G und 100B zum Abscheiden der roten, grünen und blauen organischen Quellen mittels der Transfermittel in eine x2-Richtung übertragen werden.
  • Der Zweck der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung wird durch einen Quellenvorbeschichtungsprozess definiert. Obwohl die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100R zum Abscheiden einer roten organischen Quelle ist, wenn die rote organische Quelle SRC_R beschichtet ist, wie oben beschrieben, ist die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100G zum Abscheiden einer grünen organischen Quelle, wenn die grüne organische Quelle SRC_G beschichtet ist, und ist die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100B zum Abscheiden einer blauen organischen Quelle, wenn die blaue organische Quelle SRC_B beschichtet ist.
  • Danach werden die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100R zum Abscheiden der roten organischen Quelle und des Zielsubstrats 200 basierend auf dazu vorgesehenen Ausrichtungsschlüssel (ALK1 und ALK2, nicht gezeigt) und eines Sichtsystems VAS angeordnet und ausgerichtet. Dann werden Laserstrahlen zur Ultrafeine-Strukturabscheidung zu der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100R abgestrahlt zum Abscheiden der roten organischen Quelle, und ein Strukturabscheidungsprozess, durch den die Quelle gemäß der Wärmeerzeugung des fotothermischen Wandlers verdampft, wird durchgeführt. Die Quelle, die in roten Sub-Pixelbereichen des Zielsubstrats 200 durch den Abscheidungsprozess abgeschieden wird, wird zu einem organischen Dünnfilm zum Emittieren von rotem Licht.
  • Anschließend wird das Zielsubstrat 200 in eine y2-Richtung in der y-Achsenrichtung bewegt und dann mit der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100G zum Abscheiden der grünen organischen Quelle angeordnet und ausgerichtet. Danach werden Laserstrahlen zur Ultrafeine-Strukturabscheidung zu der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100G abgestrahlt zum Abscheiden der grünen organischen Quelle, und ein Strukturabscheidungsprozess, durch den die Quelle gemäß der Wärmeerzeugung des fotothermischen Wandlers verdampft, wird durchgeführt. Die Quelle, die in grünen Sub-Pixelbereichen des Zielsubstrats 200 durch den Abscheidungsprozess abgeschieden wird, wird zu einem organischen Dünnfilm zum Emittieren von grünem Licht.
  • Anschließend wird das Zielsubstrat 200 in y2-Richtung in y-Achsenrichtung bewegt und dann mit der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100B angeordnet und ausgerichtet, um die blaue organische Quelle abzuscheiden. Danach werden Laserstrahlen zur Ultrafeine-Strukturabscheidung zu der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100B abgestrahlt zum Abscheiden der blauen organischen Quelle, und ein Strukturabscheidungsprozess, durch den die Quelle gemäß der Wärmeerzeugung des fotothermischen Wandlers verdampft, wird durchgeführt. Die Quelle, die in blauen Sub-Pixelbereichen des Zielsubstrats 200 durch den Abscheidungsprozess abgeschieden wird, wird zu einem organischen Dünnfilm zum Emittieren von blauem Licht.
  • Auf diese Weise können die Strukturabscheidungsprozesse zum Abscheiden der roten, grünen und blauen organischen Dünnfilme sequentiell ausgeführt werden, während das Zielsubstrat 200 in y2-Richtung bewegt wird, obwohl die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtungen 100R, 100G und 100B zum Abscheiden der roten, grünen und blauen organischen Quellen in x2-Richtung bewegt werden.
  • Die Vorrichtungen zum Durchführen der Strukturabscheidungsprozesse und der Substratbewegungsrichtungen sind jedoch beispielhaft und die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt. Zusätzlich kann ein Reinigungsprozess zum Entfernen restlicher organischer Quellen oder ein Vorbeschichtungsprozess zur sekundären Abscheidung auf den Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtungen nach Abschluss der Strukturabscheidungsprozesse durchgeführt werden.
  • In 6(a) kann der Lichtreflektor 140 aus mindestens zwei Schichten gebildet sein, die einer unteren Struktur 141 und einer oberen Struktur 142 entsprechen, anstatt aus einer einzelnen Schicht gebildet zu sein. Die untere Struktur 141 ist auf einer Seite des Basissubstrats 110 angeordnet und trägt die obere Struktur 142. Die obere Struktur 142 ist auf der unteren Struktur 141 angeordnet und führt die von dem Quellen-Teil 130 emittierte Quelle zu einem Zielbereich des Zielsubstrats.
  • Ein Leiter-Teil definiert die Öffnung OPN, die den Quellen-Teil 130 freilegt. Um dies zu erreichen, steht die obere Struktur 142 in seitlicher Richtung vor, so, dass die Fläche der oberen Struktur 142 sowohl in Draufsicht als auch in Querschnittsansicht größer ist als die der unteren Struktur 141 des Basissubstrats 110 (z. B. steht die obere Struktur 142 weiter als die untere Struktur 141 vor und bildet somit eine Art Trichter zum Leiten des verdampften Quellmaterials). Die untere Struktur 141 und die obere Struktur 142 können aus demselben Material oder unterschiedlichen Materialien gebildet sein.
  • Die untere Struktur 141 und die obere Struktur 142 können aus einem Material gebildet sein, das unter Verwendung einer Ätzlösung geätzt werden kann. Wenn die untere Struktur 141 und die obere Struktur 142 gebildet werden, kann eine Hinterschnitt-Verarbeitung unter Verwendung einer Ätzlösung verwendet werden, so, dass die untere Struktur 141 seitlich von der oberen Struktur 142 ausgespart ist. Wenn die Hinterschnitt-Verarbeitung verwendet wird, ist der untere Teil der Öffnung OPN, der mit dem Basissubstrat 110 in Kontakt steht, breiter als sein oberer Teil, der von dem Basissubstrat 110 beabstandet ist. Dementsprechend weist der Lichtreflektor 140 eine hinterschnittene Struktur auf, die durch die Hinterschnitt-Verarbeitung gebildet ist (z. B. kann der Lichtreflektor 140 eine umgekehrt sich verjüngende Form relativ zu dem Basissubstrat 110 oder einer Seite des Lichtreflektors haben und eine Oberfläche des Basissubstrats 110 kann einen spitzen Winkel bilden).
  • Wenn die Hinterschnitt-Verarbeitung verwendet wird, wird ferner ein Teil der unteren Struktur 141 entfernt, und somit kann ein Raum SPC unter der oberen Struktur 142 gebildet werden. Dementsprechend kann der Lichtreflektor 140 eine T-Form (oder Pilzform) haben). Die Form des Lichtreflektors 140 ist jedoch nicht auf die in der Figur gezeigte beschränkt.
  • Wie in 6(b) gezeigt, kann der Lichtreflektor 140 aus einer einzelnen Schicht gebildet sein. In diesem Fall kann der Lichtreflektor 140 auch aus einem Material gebildet sein, das unter Verwendung einer Ätzlösung geätzt werden kann. Um eine Öffnung OPN zu bilden, die mit abnehmendem Abstand zum Basissubstrat 110 breiter wird, kann eine Hinterschnitt-Verarbeitung unter Verwendung einer Ätzlösung verwendet werden. Dementsprechend kann die Öffnung OPN des Lichtreflektors 140 eine umgekehrt sich verjüngende Form haben (z. B. relativ zu dem äußersten Abschnitt der Öffnung, der dem Ziel zugewandt ist, um eine Art Trichter zu bilden). Die Form der Öffnung OPN ist jedoch nicht auf die in der Figur gezeigte beschränkt.
  • Wie aus der Beschreibung mit Bezug auf die 6 zu entnehmen ist, ist der Raum SPC, der nach außen nicht freiliegend ist, in der Öffnung OPN des Lichtreflektors 140 vorgesehen. Der Raum SPC ist zwischen dem seitlich ausgesparten Unterteil der Öffnung OPN und der Oberfläche des Basissubstrats 110 gebildet. Die Seitenwand und die Decke, die den Raum SPC bilden, können abhängig von den Materialeigenschaften und einer Ätzrate eine gerade, nicht-gerade, diagonale, kreisförmige, ovale oder polygonale Form haben.
  • Zusätzlich dient der Raum SPC, der zwischen der Öffnung OPN des Lichtreflektors 140 und dem Basissubstrat 110 vorgesehen ist, zur Speicherung von Wärme, die von dem fotothermischen Wandler erzeugt wird, und zur Bereitstellung der gespeicherten Wärme an den Quellen-Teil 130, um die Verdampfung des Quellen-Teils 130 zu unterstützen. Ferner dient der Raum SPC, der zwischen der Öffnung OPN des Lichtreflektors 140 und dem Basissubstrat 110 vorgesehen ist, dazu, zu verhindern, dass die aus dem Quellen-Teil 130 verdampfte Quelle andere Bereiche als die Öffnung OPN erreicht. Dementsprechend kann die Form des Raums SPC, der zwischen der Öffnung OPN des Lichtreflektors 140 und dem Basissubstrat 110 vorgesehen ist, durch wiederholtes Experimentieren unter Berücksichtigung der oben genannten Eigenschaften optimiert werden.
  • <Zweite Ausführungsform>
  • 7 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • Wie in 7 gezeigt ist, ist die Konfiguration der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnlich zu derjenigen der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform, jedoch unterscheidet sich die zweite Ausführungsform von der ersten Ausführungsform darin, dass zusätzlich eine Überzugsschicht 150 auf dem Lichtreflektor 140 gebildet ist.
  • Die Überzugsschicht 150 dient dazu, zu verhindern, dass die Quelle während des Quellenvorbeschichtungsprozesses auf den Lichtreflektor 140 aufgetragen wird, oder dient dazu, um das gleichzeitige Entfernen der Überzugsschicht 150 und der darauf aufgebrachten Quelle durch einen einfachen Reinigungsprozess zu unterstützen. Die Überzugsschicht 150 kann so ausgebildet sein, dass sie die Oberfläche und die Seite des Lichtreflektors 140 bedeckt.
  • Die Struktur, in der die Überzugsschicht 150 auf dem Lichtreflektor 140 ausgebildet ist, erfordert keinen selektiven Beschichtungsprozess zum Abscheiden einer Quelle in einer bestimmten Farbe in der Öffnung OPN des Lichtreflektors 140.
  • Das heißt, wenn die Überzugsschicht 150 vorhanden ist, kann die Quellenvorbeschichtung von der Vorderseite der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 durchgeführt werden. Zusätzlich ist, wenn die Überzugsschicht 150 vorhanden ist, ein Problem, das durch eine Quelle, die in dem Bereich (auf der Oberfläche des Lichtreflektors) verbleibt, anders als die Öffnung OPN des Lichtreflektors 140, verursacht wird, kann gelöst werden (weil Rückstand, der im selektiven Beschichtungsprozess erzeugt wird, entfernt werden kann).
  • <Dritte Ausführungsform>
  • 8 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • Wie in 8 gezeigt ist, ist die Konfiguration der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 gemäß der dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnlich zu derjenigen der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform, jedoch unterscheidet sich die dritte Ausführungsform von der ersten Ausführungsform darin, dass der Lichtreflektor 140 ferner eine reflektierende Metallschicht 160 aufweist. Die reflektierende Metallschicht 160 dient dazu, die Reflexionsfunktion des Lichtreflektors 140 zu ergänzen.
  • Die reflektierende Metallschicht 160 blockiert und reflektiert Licht, das den Lichtreflektor 140 trotz der Reflexionsfähigkeit des Lichtreflektors 140 passiert. Die reflektierende Metallschicht 160 kann mit einer Größe ausgebildet sein, die dem Oberteil des Lichtreflektors 140 entspricht, oder kann ausgebildet sein, um die Gesamtfläche des Lichtreflektors 140 zu bedecken.
  • Da der Lichtreflektor 140 in einer Mehrschicht-Struktur ausgebildet sein kann, kann die reflektierende Metallschicht 160 auch innerhalb des Lichtreflektors 140 ausgebildet sein, das heißt zwischen Schichten, die den Lichtreflektor 140 bilden. In diesem Fall kann die reflektierende Metallschicht 160 aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten gebildet sein. Die reflektierende Metallschicht 160 kann aus einem Metallmaterial wie Ag oder Al gebildet sein, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt.
  • <Vierte Ausführungsform>
  • 9 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • Wie in 9 gezeigt ist, ist die Konfiguration der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 gemäß der vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnlich zu derjenigen der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform, jedoch unterscheidet sich die vierte Ausführungsform von der ersten Ausführungsform darin, dass der Lichtreflektor 140 ferner die reflektierende Metallschicht 160 aufweist und, dass ferner eine Antireflexionsschicht 170 auf der anderen Seite (Laserstrahl-Einfallsoberfläche) des Basissubstrats 110 ausgebildet ist. Die Antireflexionsschicht 170 entspricht einer Lichtkopplungs-Verbesserungsschicht. Die reflektierende Metallschicht 160 kann weggelassen sein.
  • Die reflektierende Metallschicht 160 blockiert und reflektiert Licht, das den Lichtreflektor 140 trotz der Reflexionsfähigkeit des Lichtreflektors 140 passiert. Die reflektierende Metallschicht 160 kann unter dem Lichtreflektor 140 angeordnet sein und in einer Vertiefung, die in dem Basissubstrat 110 ausgebildet ist, eingelassen sein.
  • Die Oberfläche der reflektierenden Metallschicht 160 kann eben mit der Oberfläche des Basissubstrats 110 sein (z. B. können äußere Abschnitte des Basissubstrats und der reflektierenden Metallschicht eine bündige Oberfläche bilden). Obwohl die reflektierende Metallschicht 160 mit einer Größe ausgebildet sein kann, die dem Unterteil des Lichtreflektors 140 entspricht, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Die reflektierende Metallschicht 160 kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten gebildet sein.
  • Die Antireflexionsschicht 170 dient dazu, den Lichtverlust zu reduzieren, indem Laserstrahlen in das Basissubstrat 110 zugeführt werden können, ohne reflektiert zu werden. Die Antireflexionsschicht 170 kann auf der anderen Seite des Basissubstrats 110 gebildet werden, indem sie darauf beschichtet wird oder als Film ausgebildet wird und an der anderen Seite des Basissubstrats 110 angebracht wird.
  • <Fünfte Ausführungsform>
  • 10 und 11 sind Diagramme, die eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
  • Wie in 10 gezeigt ist, ist die Konfiguration der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 gemäß der fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnlich zu derjenigen der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform, aber die fünfte Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, dass eine Gitterschicht 180 zusätzlich auf der anderen Seite des Basissubstrats 110 gebildet wird. Die Gitterschicht 180 entspricht einer Lichtkopplung-Verbesserungsschicht.
  • Die Gitterschicht 180 dient dazu, die Zufuhr von Laserstrahlen in das Basissubstrat 110 zu erleichtern. Um dies zu erreichen, kann die Gitterschicht 180 in einer Struktur gebildet werden, die einen optischen Pfad unter einem bestimmten Winkel aufweist, wie in 10 gezeigt ist, die in einer Wellenstruktur ausgebildet ist, wie in 11 gezeigt ist, oder aus mehreren Schichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes (verschiedene Medien) gebildet ist. Es ist wünschenswert, dass die Strukturen, wie sie in der 10 und 11 gezeigt sind, einen Gradienten haben, der einem Lichteinfallswinkel entspricht.
  • Wenn die Gitterschicht 180 verwendet wird, werden die an dem fotothermischen Wandler 120 ankommenden ersten Laserstrahlen L1 absorbiert und die an dem Lichtreflektor 140 ankommenden zweiten Laserstrahlen L2 werden reflektiert (erste Reflexion). Dann werden die reflektierten zweiten Laserstrahlen L2 von der Gitterschicht 80 reflektiert (zweite Reflexion), anstatt nach außen abgestrahlt zu werden, da die Gitterschicht 180 nur Laserstrahlen durchlassen kann, die unter einem bestimmten Winkel zugeführt werden.
  • Zum Beispiel kommen die von der Gitterschicht 180 reflektierten dritten Laserstrahlen L3 am benachbarten fotothermischen Wandler 120 an, um wieder absorbiert oder reflektiert zu werden (dritte Reflexion). Wenn die Gitterschicht 180 auf diese Weise verwendet wird, werden Laserstrahlen wiederholt innerhalb des Basissubstrats 110 reflektiert, und somit kann eine Verbesserung der Wiederverwendbarkeit von Laserstrahlen und der Laserstrahleffizienz erwartet werden.
  • <Sechste Ausführungsform>
  • 12 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • Wie in 12 gezeigt ist, ist die Konfiguration der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 gemäß der sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnlich zu derjenigen der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform, aber die sechste Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, dass der fotothermische Wandler 120 in einer Aussparung eingebettet ist, die in dem Basissubstrat 110 ausgebildet ist, und der Lichtreflektor 140 ferner die reflektierende Metallschicht 160 aufweist. Die reflektierende Metallschicht 160 kann weggelassen sein.
  • Die Oberfläche des fotothermischen Wandlers 120 kann mit der Oberfläche des Basissubstrats 110 eben sein (z. B. können äußere Abschnitte des fotothermischen Wandlers und des Basissubstrats eine bündige Oberfläche bilden). Alternativ kann die Oberfläche des fotothermischen Wandlers 120 höher oder niedriger als die Oberfläche des Basissubstrats 110 sein, oder der fotothermische Wandler 120 kann vollständig innerhalb des Basissubstrats 110 eingebettet sein (z. B. kann der fotothermische Wandler vollständig von dem Basissubstrat umschlossen sein).
  • Das heißt, der fotothermische Wandler 120 kann auf eine solche Weise gebildet werden, dass seine Oberfläche von der Oberfläche des Basissubstrats 110 hervorsteht oder von der Oberfläche des Basissubstrats 110 ausgespart ist, oder der fotothermische Wandler 120 in dem Basissubstrat 110 derart vollständig eingebettet ist, dass seine Oberfläche nicht freigelegt ist. Wenn der fotothermische Wandler 120 vollständig in das Basissubstrat 110 eingebettet ist, ist es vorteilhaft, den fotothermischen Wandler 120 vor Beschädigungen zu schützen (wenn der fotothermische Wandler aus einem Metallmaterial gebildet ist), wenn die Vorrichtung für eine lange Zeit gereinigt oder verwendet wird. Wenn der fotothermische Wandler 120 teilweise in das Basissubstrat 110 eingebettet ist, wie oben beschrieben ist, können Laserstrahlen, die von der Seite des Basissubstrats 110 sowie von der anderen Seite des Basissubstrats 110 zugeführt werden, leicht in thermische Energie umgewandelt werden.
  • <Siebte Ausführungsform>
  • 13 ist ein Diagramm, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß einer siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • Wie in 13 gezeigt ist, ist die Konfiguration der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung 100 gemäß der siebten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ähnlich zu derjenigen der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform, aber die siebte Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform darin, dass der fotothermische Wandler 120 in einer Aussparung, die in dem Basissubstrat 110 ausgebildet ist, eingebettet ist, und zusätzlich eine Funktionsschicht 125 auf dem fotothermischen Wandler 120 ausgebildet ist.
  • Die Funktionsschicht 125 ist zwischen dem fotothermischen Wandler 120 und dem Quellen-Teil 130R ausgebildet. Die Funktionsschicht 125 kann als Wärmeleiter zum Erhöhen der Wärmeleitfähigkeit dienen, so dass Wärme, die von dem fotothermischen Wandler 120 erzeugt wird, effizient zu dem Quellen-Teil 130R übertragen wird, um als Lichtblocker zum Blockieren von unnötigem Licht zu dienen oder um sowohl als Wärmeleiter als auch als Lichtblocker zu dienen. Zu diesem Zweck kann die Funktionsschicht 125 aus einem Metallmaterial wie Ag oder Al gebildet sein, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
  • Wie oben beschrieben, führt die vorliegende Erfindung einen Abscheidungsprozess unter Verwendung der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung durch, die Quellen in einem Raum darunter emittiert und somit Quellen in einem stabilisierten Zustand emittieren und abscheiden kann. Außerdem werden emittierte Quellen durch den Lichtreflektor mit Leiterfunktion nur auf ausgewählten Sub-Pixelbereichen auf dem Zielsubstrat abgeschieden.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung durch verschiedene Ausführungsformen beschrieben wurde, um die Komponenten der vorliegenden Erfindung zu verdeutlichen, können eine oder mehrere der Komponenten in den Ausführungsformen kombiniert werden, und somit können zwei oder mehr der Ausführungsformen kombiniert werden.
  • Gemäß der obigen Beschreibung weist die vorliegende Erfindung die folgenden Vorteile auf.
  • 1. Realisierung einer Ultrafeine-(Ultrafein-Pitch) Anzeigevorrichtung mit hoher Leuchtdichte/hohem Wirkungsgrad
  • Eine Ultrafeine-RGB-OLED-Typ oder RGBW-OLED-Typ Anzeigevorrichtung kann realisiert werden und somit können die optische Effizienz und die Leuchtdichte im Vergleich zu herkömmlichen WOLED-Typ und Farbfilter-Typ Anzeigevorrichtungen verbessert werden. Dies wird nachstehend ausführlich beschrieben.
  • 1) Ultrafeine (Ultrafein-Pitch) Anzeigevorrichtungen mit 3.000 ppi oder mehr, die für Augmented Reality (AR) verwendet werden, können unter Verwendung einer auf einem Siliziumwafer basierenden OLED (OLEDoS) unter Verwendung einer organischen RGB-Emissionsstruktur gebildet werden.
  • 2) Feine (feine Abstände) 1.500 ppi-Anzeigevorrichtungen, die für virtuelle Realität (VR) verwendet werden, können unter Verwendung einer OLED realisiert werden, die unter Verwendung einer organischen RGB-Emissionsstruktur gebildet wird.
  • 3) UHD-Anzeigevorrichtungen für Smartphones können mit einer OLED (pOLED) auf Kunststoffbasis realisiert werden.
  • 2. Vereinfachung der Pixelstruktur einer Ultrafeine-(Ultrafeine-Pitch) Anzeigevorrichtung/Vereinfachung des Herstellungsprozesses
  • 1) Eine Struktur zum Entfernen eines seitlichen Leckstroms, wie beispielsweise eine Grabenstruktur, kann eliminiert werden, und somit können eine Pixelstruktur und ein Anzeigepanel-Herstellungsprozess vereinfacht werden.
  • Figure DE102018126727A1_0001
    Seitlicher Leckstrom wird zwischen Pixeln in Tandem-WOLED Ultrafeine-(Ultrafein-Pitch) Anzeigevorrichtungen mit 1.500 ppi oder mehr erzeugt. Der seitliche Leckstrom wird in den meisten Fällen durch eine Ladungserzeugungsschicht (CGL) erzeugt.
  • 2) Da eine Lochtransportschicht (HTL) mit unterschiedlichen Dicken für RGB-Pixel unter Verwendung einer organischen Dünnfilmstruktur gebildet werden kann, braucht ein herkömmlich komplizierter zusätzlicher Prozess zum Bilden einer Anode mit verschiedenen Dicken nicht verwendet werden.
  • 3. Realisierung einer großen RGB-OLED-Anzeigevorrichtung
  • Da ein Substrat-basiertes Abscheidungsquellenarray verwendet werden kann, kann das Durchhängen der Maske aufgrund der Schwerkraft, was ein grundlegendes Problem der Feinmetallmaskierung ist, gelöst werden, und somit können großflächige RGB-OLED-Typ Anzeigevorrichtungen verwirklicht werden. Darüber hinaus können Einschränkungen bei den herkömmlichen LITI- und LIPS-Strukturierungsverfahren überwunden werden, und die Genauigkeit der Ultrafeine-Struktur-Abscheidung und die Abscheidungseffizienz können verbessert werden.
  • Daher kann die vorliegende Erfindung die Einschränkungen bei den herkömmlichen LITI- und LIPS-Strukturierungsverfahren überwinden und die Genauigkeit und Effizienz der Ultrafeine-Strukturabscheidung verbessern. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung ein Problem hinsichtlich einer Erhöhung einer Strukturabmessungstoleranz aufgrund von Maskenabschattungen, eines Problems hinsichtlich einer Genauigkeitsreduzierung aufgrund eines Durchbiegens der Mitte einer Maske und dergleichen lösen. Zusätzlich kann die vorliegende Erfindung ein Herstellungsverfahren bereitstellen, das leicht ein großes Anzeigepanel herstellen kann. Darüber hinaus kann die vorliegende Erfindung die Wärmeleitfähigkeit verbessern und Komponenten vor Beschädigungen schützen, wenn die Vorrichtung längere Zeit verwendet wird, was die Lebensdauer der Vorrichtung erhöht.
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung bereit, aufweisend: ein Basissubstrat; einen fotothermischen Wandler, der in dem Basissubstrat enthalten ist und optische Energie in thermische Energie umwandelt; einen Quellen-Teil, der auf dem fotothermischen Wandler angeordnet ist; und einen Lichtreflektor mit einer Öffnung mit einem seitlich ausgesparten Unterteil und einem Oberteil, das von dem Unterteil hervorsteht, um von außen darauf einfallendes Licht basierend auf einer Brechungsindexdifferenz zwischen dem Lichtreflektor und dem Basissubstrat zu reflektieren, und um eine Quelle, die von einem Quellen-Teil emittiert wird, zu einem Zielbereich zu leiten.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung ferner eine Überzugsschicht auf, die auf dem Lichtreflektor ausgebildet ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist der Lichtreflektor aus einer einzelnen Schicht oder aus mindestens zwei Schichten gebildet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen unterscheidet sich der Brechungsindex des Lichtreflektors von dem Brechungsindex des Basissubstrats.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Öffnung ferner einen Raum auf, der zwischen dem seitlich ausgesparten Unterteil und der Oberfläche des Basissubstrats gebildet ist, wobei die Seitenwand und die Decke den Raum bilden, der eine gerade, nicht-gerade, diagonale, kreisförmige, ovale oder polygonale Form aufweist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist der Lichtreflektor ferner eine reflektierende Metallschicht auf, um deren Reflexionsfunktion zu ergänzen, wobei die reflektierende Metallschicht auf oder unter dem Lichtreflektor angeordnet ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist der Lichtreflektor ferner eine reflektierende Metallschicht auf, um deren Reflexionsfunktion zu ergänzen, wobei die reflektierende Metallschicht in einer Aussparung des Basissubstrats eingebettet ist.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist das Basissubstrat ferner eine Antireflexionsschicht auf, wobei die Antireflexionsschicht auf der Oberfläche des Basissubstrats angeordnet ist, in das Licht zugeführt wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist das Basissubstrat ferner eine Gitterschicht auf, um die Zufuhr von Licht zu erleichtern.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist die Gitterschicht gebildet in einer von einer Struktur mit einem optischen Pfad unter einem bestimmten Winkel, einer Struktur mit einer Wellenstruktur und einer Mehrschicht-Struktur mit unterschiedlichen Brechungsindizes.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen ist der fotothermische Wandler auf einer Seite des Basissubstrats angeordnet oder in einer Aussparung des Basissubstrats eingebettet.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen weist die Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung ferner eine Funktionsschicht auf, die zwischen dem fotothermischen Wandler und dem Quellen-Teil angeordnet ist, um die Wärmeleitfähigkeit zu verbessern.
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen ein Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren bereit, das eine Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung verwendet, die einen fotothermischen Wandler aufweist, der in einem Basissubstrat enthalten ist und optische Energie in thermische Energie umwandelt; einen Quellen-Teil aufweist, der an dem fotothermischen Wandler angeordnet ist, und einen Lichtreflektor mit einer Öffnung aufweist, die ein seitlich ausgespartes Unterteil und ein Oberteil aufweist, das von dem Unterteil hervorsteht, um von außen darauf einfallendes Licht basierend auf einer Brechungsindexdifferenz zwischen dem Lichtreflektor und dem Basissubstrat zu reflektieren und eine Quelle, die von einem Quellen-Teil emittiert wird, zu einem Zielbereich zu leiten, wobei das Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren aufweist: Anordnen und Ausrichten der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung und eines Zielsubstrats; und Abstrahlen von Laserstrahlen auf das Basissubstrat, um eine Struktur abzuscheiden, so dass die Quelle auf Emissionsbereiche von Sub-Pixeln des Zielsubstrats abgeschieden wird.
  • In einer oder mehreren Ausführungsformen werden die Laserstrahlen bezogen auf das Basissubstrat abgestrahlt in mindestens einer von einer aufwärts, abwärts und seitwärts Richtung.
  • Verschiedene Ausführungsformen stellen eine Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung bereit, die durch das Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren gemäß einer der oben beschriebenen Ausführungsformen hergestellt wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 0144257 [0001]

Claims (15)

  1. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100), aufweisend: ein Basissubstrat (110); einen fotothermischen Wandler (120), der in dem Basissubstrat (110) enthalten ist und eingerichtet ist, um optische Energie in thermische Energie umzuwandeln; einen Quellen-Teil (130), der an dem fotothermischen Wandler (120) angeordnet ist; und einen Lichtreflektor (140) mit einer Öffnung (OPN) mit einem seitlich ausgesparten Unterteil und einem Oberteil, das von dem Unterteil hervorsteht, um externe Lichtzufuhr darauf basierend auf einer Brechungsindexdifferenz zwischen dem Lichtreflektor (140) und dem Basissubstrat (110) zu reflektieren und um eine Quelle, die von dem Quellen-Teil (130) emittiert wird, zu einem Zielbereich zu leiten.
  2. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach Anspruch 1, ferner aufweisend eine Überzugsschicht (150), die auf dem Lichtreflektor (140) ausgebildet ist.
  3. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei der Lichtreflektor (140) aus einer einzelnen Schicht oder mindestens zwei Schichten gebildet ist.
  4. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach Anspruch 3, wobei der Brechungsindex des Lichtreflektors (140) vom Brechungsindex des Basissubstrats (110) verschieden ist.
  5. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Öffnung (OPN) ferner einen Raum aufweist, der zwischen dem seitlich ausgesparten Unterteil und der Oberfläche des Basissubstrats (110) gebildet ist, wobei die Seitenwand und die Decke den Raum bilden, der eine gerade, nicht-gerade, diagonale, kreisförmige, ovale oder polygonale Form hat.
  6. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Lichtreflektor (140) ferner eine reflektierende Metallschicht (160) aufweist, um deren Reflexionsfunktion zu ergänzen, wobei die reflektierende Metallschicht (160) auf oder unter dem Lichtreflektor (140) angeordnet ist.
  7. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach Anspruch 1, wobei der Lichtreflektor (140) ferner eine reflektierende Metallschicht (160) aufweist, um deren Reflexionsfunktion zu ergänzen, wobei die reflektierende Metallschicht (160) in einer Aussparung des Basissubstrats (110) eingebettet ist.
  8. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Basissubstrat (110) ferner eine Antireflexionsschicht (170) aufweist, wobei die Antireflexionsschicht (170) auf der Oberfläche des Basissubstrats (110), in das Licht zugeführt wird, angeordnet ist.
  9. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei das Basissubstrat (110) ferner eine Gitterschicht (180) zum Erleichtern der Zufuhr von Licht aufweist.
  10. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach Anspruch 9, wobei die Gitterschicht in einer gebildet ist von einer Struktur mit einem optischen Pfad unter einem bestimmten Winkel, einer Struktur mit einer Wellenstruktur und einer Mehrschicht-Struktur, die verschiedene Brechungsindizes aufweist.
  11. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der fotothermische Wandler (120) auf einer Seite des Basissubstrats (110) angeordnet ist oder in einer Aussparung des Basissubstrats eingebettet ist (110).
  12. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, ferner aufweisend eine Funktionsschicht (125), die zwischen dem fotothermischen Wandler (120) und dem Quellen-Teil (130) angeordnet ist, um die Wärmeleitfähigkeit zu verbessern.
  13. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren unter Verwendung einer Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100), die einen fotothermischen Wandler (120) aufweist, der in einem Basissubstrat (110) enthalten ist und optische Energie in thermische Energie umwandelt, einen Quellen-Teil (130) aufweist, das am fotothermischen Wandler (120) angeordnet ist, und einen Lichtreflektor (140) mit einer Öffnung (OPN) aufweist, der ein seitlich ausgespartes Unterteil und ein Oberteil aufweist, das von dem Unterteil hervorsteht, um externe Lichtzufuhr darauf basierend auf einer Brechungsindexdifferenz zwischen dem Lichtreflektor (140) und dem Basissubstrat (110) zu reflektieren und um eine Quelle, die von dem Quellen-Teil (130) emittiert wird, zu einem Zielbereich zu leiten, wobei das Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren aufweist: Anordnen und Ausrichten der Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsvorrichtung (100) und eines Zielsubstrats (200); und Abstrahlen von Laserstrahlen (L) auf das Basissubstrat (110), um eine Struktur abzuscheiden, so dass die Quelle auf Emissionsbereichen von Sub-Pixeln des Zielsubstrats (200) abgeschieden wird.
  14. Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren nach Anspruch 13, wobei die Laserstrahlen (L) bezogen auf das Basissubstrat (110) in mindestens einer von aufwärts, abwärts und/oder seitwärts Richtung abgestrahlt werden.
  15. Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung, hergestellt durch das Ultrafeine-Struktur-Abscheidungsverfahren nach einem der Ansprüche 13 und 14.
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