DE102018126509A1 - Verbindungsstruktur, Elektronikbauteilmodul, Elektronikbauteileinheit, und Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbauteileinheit - Google Patents

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Yohei Hirota
Hiroshi Yamazaki
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TDK Corp
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

Eine Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, 1C) beinhaltet einen ersten Metallteil (10 oder 11) und einen zweiten Metallteil (20 oder 21). Der erste Metallteil (10 oder 11) beinhaltet eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer. Der zweite Metallteil (20 oder 21) ist neben dem ersten Metallteil (10 oder 11) bereitgestellt und beinhaltet Zinn. Von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21) beinhaltet der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10 oder 11), oder von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21) beinhaltet der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21), oder der erste Metallteil (10 oder 11) beinhaltet die Vielzahl von ersten Metallteilen (10 oder 11) und der zweite Metallteil (20 oder 21) beinhaltet die Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21).

Description

  • HINTERGRUND
  • Die Offenbarung betrifft eine Verbindungsstruktur, die zwei oder mehr Objekte miteinander verbindet, ein Elektronikbauteilmodul, das die Verbindungsstruktur beinhaltet, eine Elektronikbauteileinheit, die die Verbindungsstruktur beinhaltet, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit.
  • Manche Elektronikbauteilmodule wurden vorgeschlagen, die jeweils eine Vielzahl von Elektronikbauteilen, die modularisiert sind, beinhalten. Beispielsweise offenbart die japanische ungeprüfte Patentanmeldung mit Veröffentlichungsnummer 2009-76588 eine Sensoranordnung, die einen Sensorchip aufnimmt, der einen Beschleunigungssensor beinhaltet und an einem ASIC vermittels einer Haftvermittlungsharzschicht befestigt ist. Die ungeprüfte japanische Patentanmeldung mit Veröffentlichungsnummer 2016-87691 offenbart ein Modul, das ein Elektronikbauteil aufnimmt, das vermittels einer Paste, die kein Blei (Pb) enthält, an ein Substrat gelötet wird. Die japanische ungeprüfte Patentanmeldung mit Veröffentlichungsnummer H09-181125 offenbart eine gegenseitige Verbindungsstruktur, die zur Kopplung eines mikroelektronischen Schaltungschips an einer Baugruppe geeignet ist. Die gegenseitige Verbindungsstruktur beinhaltet eine lötbare Schicht mit einem Metall, z.B. eine Nickel-Eisen (NiFe) Legierung, und eine bleifreie Lotkugel auf Zinnbasis, die an der lötbaren Schicht bereitgestellt ist. Die ungeprüfte japanische Patentanmeldung mit Veröffentlichungsnummer H08-316629 offenbart ein Modulsubstrat, das zwei gegenüberliegende Substrate beinhaltet, die durch ein Säulenelement aneinandergefügt sind. Das Säulenelement weist einen säulenförmigen Kupferkörper auf, der mit einem Lotmaterial umgeben ist.
  • KURZFASSUNG
  • Eine Verbindungsstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung beinhaltet einen ersten Metallteil, der eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer beinhaltet, und einen zweiten Metallteil, der neben dem ersten Metallteil bereitgestellt ist und Zinn beinhaltet. Von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil beinhaltet der erste Metallteil eine Vielzahl erster Metallteile, oder von dem ersten Metall und dem zweiten Metallteil beinhaltet der zweite Metallteil eine Vielzahl zweiter Metallteile, oder der erste Metallteil beinhaltet eine Vielzahl erster Metallteile und der zweite Metallteil beinhaltet eine Vielzahl zweiter Metallteile.
  • Ein Elektronikbauteilmodul gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung beinhaltet einen Elektronikbauteilchip mit einem Elektronikbauteil, und eine Verbindungsstruktur, die an dem Elektronikbauteilchip bereitgestellt ist. Die Verbindungsstruktur beinhaltet einen ersten Metallteil und einen zweiten Metallteil. Der erste Metallteil beinhaltet eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer. Der zweite Metallteil ist neben dem ersten Metallteil vorgesehen und beinhaltet Zinn. Von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil beinhaltet der erste Metallteil eine Vielzahl erster Metallteile, oder von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil beinhaltet der zweite Metallteil eine Vielzahl zweiter Metallteile, oder der erste Metallteil beinhaltet eine Vielzahl erster Metallteile und der zweite Metallteil beinhaltet eine Vielzahl zweiter Metallteile.
  • Ein Elektronikbauteil gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung beinhaltet ein erstes Substrat mit einem ersten Elektronikbauteil, ein zweites Substrat mit einem zweiten Elektronikbauteil, und eine Verbindungsstruktur, die das erste Substrat und das zweite Substrat verbindet. Die Verbindungsstruktur beinhaltet einen ersten Metallteil und einen zweiten Metallteil. Der erste Metallteil beinhaltet eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer. Der zweite Metallteil ist neben dem ersten Metallteil vorgesehen und beinhaltet Zinn. Von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil beinhaltet der erste Metallteil eine Vielzahl erster Metallteile, oder von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil beinhaltet der zweite Metallteil eine Vielzahl zweiter Metallteile, oder der erste Metallteil beinhaltet die Vielzahl erster Metallteile und der zweite Metallteil beinhaltet die Vielzahl zweiter Metallteile.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbauteileinheit gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung umfasst: Bilden einer Verbindungsstruktur auf einem ersten Substrat, das ein erstes Elektronikbauteil beinhaltet, wobei die Verbindungsstruktur einen ersten Metallteil, der eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer aufweist, und einen zweiten Metallteil, der neben dem ersten Metallteil vorgesehen ist und Zinn beinhaltet, aufweist, von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet, oder von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet, oder der erste Metallteil die Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet und der zweite Metallteil die Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet; Bereitstellen eines zweiten Substrats auf einer ersten Fläche der Verbindungsstruktur, wobei das zweite Substrat ein zweites Elektronikbauteil beinhaltet, wobei die erste Fläche der Verbindungsstruktur gegenüber einer zweiten Fläche der Verbindungsstruktur angeordnet ist, wobei die zweite Fläche der Verbindungsstruktur dem ersten Substrat zugewandt ist; und Bilden einer Legierung aus der Nickel-Eisen-Legierung oder dem Kupfer, die bzw. das in dem ersten Metallteil enthalten ist, und dem Zinn, das in dem zweiten Metallteil enthalten ist, durch Erhitzen des ersten Metallteils und des zweiten Metallteils.
  • Figurenliste
  • Die nachfolgenden Zeichnungen sind beigefügt, um ein besseres Verständnis der Offenbarung zu ermöglichen, und sind in diese Schrift aufgenommen und stellen einen Teil derselben dar. Die Zeichnungen veranschaulichen Ausführungsbeispiele und dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, die Grundsätze der Offenbarung zu erläutern.
    • 1A ist eine schematische Draufsicht einer Verbindungsstruktur mit einer beispielhaften Konfiguration gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
    • 1B ist eine schematische, perspektivische Ansicht der in 1A dargestellten Verbindungsstruktur;
    • 1C ist ein schematisches Kennliniendiagramm, das eine beispielhafte Verteilung eines Zinngehalts der in 1A dargestellten Verbindungsstruktur veranschaulicht;
    • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines beispielhaften Elektronikbauteils gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung, auf die die in 1A dargestellte Verbindungsstruktur aufgebracht ist;
    • 3A ist eine schematische Querschnittsansicht der in 2 dargestellten Elektronikbauteileinheit zum Veranschaulichen eines beispielhaften Prozesses bei einem Verfahren zur Herstellung des Elektronikbauteils gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung;
    • 3B ist eine schematische Querschnittsansicht der Elektronikbauteileinheit zum Veranschaulichen eines beispielhaften Prozesses, der auf den in 3A veranschaulichten Prozess folgt;
    • 3C ist eine schematische Querschnittsansicht der Elektronikbauteileinheit zum Veranschaulichen eines beispielhaften Prozesses, der auf den in 3B veranschaulichten Prozess folgt;
    • 3D ist eine schematische Querschnittsansicht der Elektronikbauteileinheit zum Veranschaulichen eines beispielhaften Prozesses, der auf den in 3C veranschaulichten Prozess folgt;
    • 4A ist eine schematische Draufsicht einer Verbindungsstruktur gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung zum Veranschaulichen der Verbindungsstruktur vor einem Erwärmungsprozess;
    • 4B ist eine schematische, perspektivische Ansicht der in 4A dargestellten Verbindungsstruktur zum Veranschaulichen eines Zustands der Verbindungsstruktur vor dem Erwärmungsprozess;
    • 5 ist eine schematische, perspektivische Ansicht einer Verbindungsstruktur mit einer beispielhaften Ausgestaltung gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung;
    • 6A ist eine schematische Querschnittsansicht einer beispielhaften Elektronikbauteileinheit gemäß einer Modifikation der Offenbarung, zum Veranschaulichen eines beispielhaften Prozesses bei einem Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit;
    • 6B ist eine schematische Querschnittsansicht der Elektronikbauteileinheit zum Veranschaulichen eines beispielhaften Prozesses, der auf den in 6A veranschaulichten Prozess folgt;
    • 6C ist eine schematische Querschnittsansicht der Elektronikbauteileinheit zum Veranschaulichen eines beispielhaften Prozesses, der auf den in 6B veranschaulichten Prozess folgt;
    • 6D ist eine schematische Querschnittsansicht der Elektronikbauteileinheit zum Veranschaulichen eines beispielhaften Prozesses, der auf den in 6C veranschaulichten Prozess folgt;
    • 7 ist eine schematische Querschnittsansicht einer beispielhaften Elektronikbauteileinheit gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, auf die die in 1A dargestellte Verbindungsstruktur aufgebracht ist;
    • 8 ist eine schematische Draufsicht einer Verbindungsstruktur mit einer beispielhaften Ausgestaltung gemäß einer Modifizierung der Offenbarung;
    • 9 ist eine schematische Draufsicht einer Verbindungsstruktur mit einer beispielhaften Ausgestaltung gemäß einer Modifizierung der Offenbarung.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
  • Ein Bereich, in dem eine Verbindungsstruktur gebildet wird, wurde für eine höhere Anordnungsdichte von elektronischen Bauteilen in einem Elektronikbauteilmodul immer mehr verengt. Eine höhere Packungsdichte von elektronischen Bauteilen kann jedoch möglichweise einen Kurzschluss in den Schaltungen, die die elektronischen Bauteile enthalten, aufgrund der durch Wiedererwärmen geschmolzenen Verbindungsstruktur verursachen.
  • Es ist wünschenswert, eine Verbindungsstruktur mit höherer Qualität, ein Elektronikbauteilmodul, das die Verbindungsstruktur aufweist, eine Elektronikbauteileinheit mit der Verbindungsstruktur, sowie ein Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit anzugeben.
  • Im Folgenden werden einige Ausführungsbeispiele der Offenbarung ausführlich in der folgenden Reihenfolge unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Es wird angemerkt, dass die folgende Beschreibung sich auf veranschaulichende Beispiele der Offenbarung richtet und nicht als Beschränkung der Offenbarung ausgelegt werden soll. Faktoren wie, ohne hierauf beschränkt zu sein, numerische Werte, Formen, Materialen, Bauteile, Positionen der Bauteile, und wie die Bauteile aneinander gekoppelt sind, dienen lediglich der Veranschaulichung und sollen nicht als Beschränkung der Offenbarung ausgelegt werden. Ferner sind Elemente in den folgenden Ausführungsbeispielen, die nicht in einem am meisten gattungsgemäßen unabhängigen Anspruch der Offenbarung genannt werden, optional und können bei Bedarf bereitgestellt werden. Die Zeichnungen sind schematisch und sollen nicht maßstabsgetreu sein. Es wird angemerkt, dass die gleichen Elemente mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet werden, und eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente nicht ausführlich erfolgen wird. Es wird angemerkt, dass die Beschreibung in der folgenden Reihenfolge erfolgt.
    • 1. Erste Ausführungsform (Beispielhafte Verbindungsstruktur mit erstem Metallteil, der zweite Metallteile umgibt)
    • 1.1 Beispielhafte Konfiguration der Verbindungsstruktur
    • 1.2 Beispielhaftes Elektronikbauteilmodul mit Verbindungsstruktur und beispielhafte Elektronikbauteileinheit mit Verbindungsstruktur
    • 1.3 Beispielhaftes Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit mit Verbindungsstruktur
    • 1.4 Funktionsweise und Wirkungen der Elektronikbauteileinheit mit Verbindungsstruktur
    • 2. Zweite Ausführungsform (beispielhafte Verbindungsstruktur mit alternierendem Laminat von ersten Metallschichten und zweiten Metallschichten)
    • 3. Modifikationen
  • [Erste Ausführungsform]
  • [Beispielhafte Ausgestaltung der Verbindungsstruktur 1]
  • 1A ist eine schematische Draufsicht einer Verbindungsstruktur 1 mit einer beispielhaften Ausgestaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der Offenbarung, und 1B ist eine schematische perspektivische Ansicht der Verbindungsstruktur 1, die in 1A veranschaulicht ist.
  • Die Verbindungsstruktur 1 beinhaltet einen ersten Metallteil 10 und eine Vielzahl von zweiten Metallteilen 20. Der erste Metallteil 10 weist eine Nickel-Eisen (NiFe) Legierung oder Kupfer (Cu) auf. Die zweiten Metallteile 20 sind neben dem ersten Metallteil 10 bereitgestellt und beinhalten Zinn (Sn). In der ersten Ausführungsform kann der erste Metallteil 10 eine im Wesentlichen säulenförmige Form haben, und die zweiten Metallteile 20 können jeweils eine im Wesentlichen zylindrische Säulenform haben. Die zweiten Metallteile 20 können diskret in einer X-Y-Ebene bereitgestellt sein. Die säulenförmigen zweiten Metallteile 20 können nachfolgend auch als „zweite Metallsäulen 20 (20A bis 20G)“ bezeichnet werden.
  • In der ersten Ausführungsform kann der erste Metallteil 10 in Lücken zwischen den zweiten Metallteilen 20 gefüllt sein, die sich in einer Dickenrichtung der Verbindungsstruktur 1 entlang einer Z-Achse erstrecken. Wie durch eine gestrichelte Linie in den 1A und 1B dargestellt, kann ein Legierungsbereich 30 an einer Grenzfläche zwischen dem ersten Metallteil 10 und jedem der zweiten Metallteile 20 vorgesehen sein. Die Legierungsbereiche 30 können eine Legierung aus einem Bestandteil (also Nickel, Eisen oder Kupfer) des ersten Metallteils 10 und einen Bestandteil (also Zinn) der zweiten Metallteile 20 beinhalten. Unter Bezugnahme auf die 1A und 1B kann ein Bereich, der zwischen dem gestrichelten Kreis (Zylinder) und einer durchgezogenen Linie, die jedes zweite Metallteil 20 andeutet, definiert ist, dem Legierungsbereich 30 entsprechen. Optional kann der erste Metallteil 10 ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhalten und die zweiten Metallteile 20 können ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder Zinn-Kupfer-Legierung beinhalten. Es sei angemerkt, dass selbst in einem solchen Fall jeder der zweiten Metallteile 20 einen Zinngehalt haben kann, der größer als der Zinngehalt des ersten Metallteils 10 ist. Der Zinngehalt des ersten Metallteils 10 kann einem bestimmten, jedoch nicht beschränkenden Beispiel eines „ersten Zinngehalts“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen, und der Zinngehalt von jedem der zweiten Metallteile 20 kann einem bestimmten, jedoch nicht beschränkenden Beispiel eines „zweiten Zinngehalts“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen. Es wird ebenfalls angemerkt, dass obgleich die Legierungsbereiche 30 schematisch durch die jeweiligen gestrichelten Kreise in den 1A und 1B veranschaulicht sind, die Legierungsbereiche 30 in einem alternativen Ausführungsbeispiel der Offenbarung vergrößert und ineinander integriert sein können, so dass sie zwischen sich keine Lücke bilden. In einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung ist es denkbar, dass kein Zinn in der Form einer Einfachmetall-Substanz in den zweiten Metallteilen 20 enthalten ist, und das gesamte Zinn, das in der Verbindungsstruktur 1 enthalten ist, mit dem NiFe oder Kupfer legiert wird.
  • In der Verbindungsstruktur 1 kann einer der zweiten Metallteile 20 (z.B. die zweite Metallsäule 20A) von den anderen zweiten Metallteilen 20 (z.B. den zweiten Metallsäulen 20B bis 20G) umgeben sein. Zum Beispiel können die zweiten Metallsäulen 20B bis 20G jeweils an den sechs Eckpunkten eines regelmäßigen Sechsecks vorgesehen sein, das um die zweite Metallsäule 20A herum zentriert ist. Mit anderen Worten können die Mittelpunkte der zweiten Metallsäulen 20A bis 20G mit gleichen Abständen positioniert sein.
  • 1C ist eine schematische Kennlinie, die eine beispielhafte Verteilung des Zinngehalts entlang einer X-Y-In-Ebene-Richtung orthogonal zu der Dickenrichtung entlang der Z-Achse darstellt. Das in 1C dargestellte Diagramm hat eine horizontale Achse, die eine Position entlang der Schnittlinie IC-IC in 1A angibt, und eine vertikale Achse, die einen Prozentsatz (%) des Zinngehalts angibt. Wie in 1C veranschaulicht kann die Verbindungsstruktur 1 einen Teil haben, in dem der Zinngehalt wiederholt entlang der X-Y-In-Ebene-Richtung variiert. Spitzen der Kurve aus 1C können den zweiten Metallsäulen 20B, 20A bzw. 20E entsprechen.
  • [Beispielhaftes Elektronikbauteilmodul mit Verbindungsstruktur 1 und beispielhafte Elektronikbauteileinheit davon]
  • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht eines Elektronikbauteilmoduls 2 mit der Verbindungsstruktur 1, dargestellt in den 1A und 1B, und einer Elektronikbauteileinheit 3 mit dem Elektronikbauteilmodul 2.
  • Unter Bezugnahme auf 2 kann die Elektronikbauteileinheit 3 ein oder mehr Elektronikbauteilmodule 2 aufweisen, die zum Beispiel an einem ASIC 50 bereitgestellt sind. In einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung, das in 2 dargestellt ist, kann die Elektronikbauteileinheit 3 zwei Elektronikbauteilmodule 2 aufweisen, die an einem einzelnen ASIC 50 vorgesehen sind. Der ASIC 50 kann zum Beispiel Halbleitervorrichtungen 51 aufweisen. Die Elektronikbauteilmodule 2 können jeweils einen Sensorchip 40 und die Verbindungsstruktur 1 aufweisen, die an dem Sensorchip 40 vorgesehen ist. Der Sensorchip 40 kann einen Sensor 41 aufweisen, der zum Beispiel ein TMR-Element bzw. Element mit Tunnelmagnetowiderstand enthält. Bei der in 2 veranschaulichten Elektronikbauteileinheit 3 kann der Sensorchip 40 mechanisch an dem ASIC 50 mittels der Verbindungsstruktur 1 befestigt sein. Zudem können die Halbleitervorrichtung 51 und der entsprechende Sensor 41 durch die Verbindungsstruktur 1 mit elektrischer Leitfähigkeit elektrisch miteinander gekoppelt werden. Es wird angemerkt, dass die Halbleitervorrichtung 51 einem spezifischen, jedoch nicht beschränkendem Beispiel eines „ersten Elektronikbauteils“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen kann, und der ASIC 50 einem bestimmten, jedoch nicht beschränkendem Beispiel eines „ersten Substrats“ entsprechen kann. Der Sensor 41 kann einem bestimmten, jedoch nicht beschränkendem Beispiel eines „zweiten Elektronikbauteils“ und eines „Elektronikbauteils“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen, und der Sensorchip 40 kann einem bestimmten, jedoch nicht beschränkendem Beispiel eines „zweiten Substrats“ und einem „Elektronikbauteilchip“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen.
  • [Beispielhaftes Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit 3 mit Verbindungsstruktur 1]
  • Ein beispielhaftes Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit 3 mit der Verbindungsstruktur 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung wird nun unter Bezugnahme auf die 3A bis 3D beschrieben. Jede der 3A bis 3D ist eine schematische Querschnittsdarstellung, die einen beispielhaften Prozess in dem Verfahren zur Herstellung der in 2 veranschaulichten Elektronikbauteileinheit 3 darstellt.
  • Zunächst wird die Verbindungsstruktur 1 an einer Oberfläche 50S des ASIC 50 mit den Halbleitervorrichtungen 51 wie folgt gebildet. Unter Bezugnahme auf 3A kann zum Beispiel eine Widerstands-Struktur R1 gebildet werden, um einen selektiven Bereich der Oberfläche 50S des ASIC 50 zu bedecken. Der selektive Bereich kann einem Bereich entsprechen, in dem der erste Metallteil 10 geformt werden soll.
  • Danach können unter Bezugnahme auf 3B Bereiche, die nicht mit der Widerstands-Struktur R1 bedeckt sind, z.B. durch Plattieren mit einem Zinn (Sn)-basierten Metall gefüllt werden, um die Vielzahl von säulenförmigen zweiten Metallteilen 20 (also die zweiten Metallsäulen 20) zu bilden.
  • Danach kann die Widerstands-Struktur R1 entfernt bzw. abgetragen werden, und eine Widerstands-Struktur R2 kann in einem selektiven Bereich gebildet werden, um die zweiten Metallsäulen 20 zu umgeben, wie in 3C veranschaulicht. Die Widerstands-Struktur R2 kann einen Außenumfang des zu bildenden ersten Metallteils 10 definieren.
  • Daraufhin kann, unter Bezugnahme auf 3D, ein Bereich, der nicht mit der Widerstands-Struktur R2 bedeckt ist, mit einem Metall, das NiFe oder Kupfer enthält, z.B. durch Plattieren gefüllt werden, um den ersten Metallteil 10 zu bilden, der in den Lücken zwischen den zweiten Metallteilen 20 gefüllt ist.
  • Zuletzt kann die Widerstands-Struktur R2 entfernt werden, um die Verbindungsstruktur 1 auf der Oberfläche 50S des ASIC 50 zu bilden, wie in den 4A und 4B veranschaulicht. Es wird angemerkt, dass 4A eine Draufsicht der Verbindungsstruktur 1 ist, bevor ein unten beschriebener Erwärmungsprozess erfolgt, und 4B eine perspektivische Ansicht der Verbindungsstruktur 1 ist, die in 4A dargestellt ist.
  • Obgleich sich die obige Beschreibung unter Bezugnahme auf die 3A bis 3D auf das Verfahren zur Herstellung einer einzelnen Verbindungsstruktur 1 konzentriert, kann eine Vielzahl von Verbindungsstrukturen 1 mit der gleichen oder ähnlichen Struktur zusammen durch das Verfahren nach einer Ausführungsform der Offenbarung hergestellt werden.
  • Nach der Bildung der Verbindungsstruktur 1 wird der Sensorchip 40 mit dem Sensor 41 auf einer ersten Oberfläche der Verbindungsstruktur bereitgestellt. Die erste Oberfläche der Verbindungsstruktur 1 liegt einer zweiten Oberfläche, die dem ASIC 50 zugewandt ist, der Verbindungsstruktur 1 gegenüber. Mit anderen Worten ist der Sensorchip 40 auf der Verbindungsstruktur 1 angeordnet, die auf der Oberfläche 50S des ASIC 50 bereitgestellt ist. Die Verbindungsstruktur 1 in einem solchen Zustand kann erwärmt und geschmolzen werden, gefolgt von einem Abkühlen, so dass der Sensorchip 40 mit dem ASIC 50 durch die Verbindungsstruktur 1 verbunden werden kann. Während des Erwärmungsprozesses, der an der Verbindungsstruktur 1 erfolgt, wird das in den zweiten Metallteilen 20 enthaltende Zinn in den ersten Metallteil 10, der die zweiten Metallteile 20 umgibt, diffundiert, wodurch die Legierungsbereiche 30 wie in den 1A und 1B dargestellt gebildet werden. Nach dem Erwärmungsprozess können die zweiten Metallteile 20 verglichen mit den zweiten Metallteilen 20 vor dem Erwärmungsprozess, der in den 4A und 4B dargestellt ist, in ihrem Volumen abnehmen.
  • Die Elektronikbauteileinheit 3 kann durch die oben beschriebenen Prozesse hergestellt werden.
  • [Funktionsweise und Wirkungen der Elektronikbauteileinheit mit Verbindungsstruktur]
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung beinhaltet die Verbindungsstruktur 1 den ersten Metallteil 10 und die Vielzahl von zweiten Metallteilen 20. Der erste Metallteil 10 beinhaltet eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer. Die zweiten Metallteile 20 sind neben dem ersten Metallteil 10 bereitgestellt und beinhalten Zinn (Sn). Daher können nach erfolgtem Erwärmungsprozess an einer solchen Verbindungsstruktur 1 die zwei oder mehr Legierungsbereiche 30 gebildet werden, die eine Legierung des Bestandteils des ersten Metallteils 10 und des Bestandteils der zweiten Metallteile 20 beinhalten. Dies erhöht den Schmelzpunkt der Verbindungsstruktur 1, verbessert die strukturelle Einheitlichkeit in der gesamten Verbindungsstruktur 1, und verringert Variationen hinsichtlich der Qualität der Verbindungsstruktur 1. Deshalb ist es gemäß einem beliebigen Ausführungsbeispiel der Offenbarung möglich, eine bessere Qualität der Verbindungsstruktur 1 sicherzustellen, die zum Beispiel einen hohen Schmelzpunkt aufgrund der Bildung der Legierungsbereiche 30 und eine hohe Beständigkeit gegenüber Deformationen und erneutem Schmelzen selbst nach dem Wiedererwärmen in einem nachfolgenden Prozess hat. Ferner ist es gemäß dem Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit 3 eines beliebigen Ausführungsbeispiels der Offenbarung möglich, die Elektronikbauteileinheit 3 mit der besseren Qualität herzustellen.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung kann der erste Metallteil 10 ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhalten, und der zweite Metallteil 20 kann ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhalten. Dies mildert Variationen in der Qualität in der gesamten Verbindungsstruktur 1. Dementsprechend ist es möglich, den ASIC 50 und den Sensorchip 40 fester miteinander durch Schmelzen der Verbindungsstruktur 1 in einem anfänglichen Erwärmen zu verbinden. Es ist ebenfalls möglich, die Verbindung zwischen dem ASIC 50 und dem Sensorchip 40 sicherer aufrechtzuerhalten, da die Verbindungsstruktur 1 gegenüber einem erneutem Aufschmelzen während des Wiederaufwärmens beständig ist.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung können die Zinn-basierten zweiten Metallteile 20 die Vielzahl der Säulen sein, die sich entlang der Z-Achse erstrecken, und der erste Metallteil 10 mit der Nicken-Eisen-Legierung oder Kupfer kann in die Lücken zwischen den zweiten Metallteilen 20 gefüllt werden. Die Verbindungsstruktur 1 mit einer derartigen Ausgestaltung besitzt verringerte Variationen in der Metallzusammensetzung entlang der Z-Achse verglichen mit zum Beispiel einer Verbindungsstruktur 1A gemäß einer unten beschriebenen zweiten Ausführungsform, bei der erste Metallteile 11 und zweite Metallteile 21 abwechselnd entlang der Z-Achse laminiert sind. Dementsprechend ist es möglich, die Verbindungsstärke zwischen dem ASIC 50 und dem Sensorchip 40 zu verbessern, die mittels der Verbindungsstruktur 1 entlang der Z-Achse verbunden sind. Ferner ist gemäß eines solchen Ausführungsbeispiels der Offenbarung der Schmelzpunkt der Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer, die in dem säulenförmigen ersten Metallteil 10 enthalten sind, höher als der Schmelzpunkt des Zinns, das in den zweiten Metallteilen 20 enthalten ist, welche von dem ersten Metallteil 10 umgeben werden. Entsprechend ist es möglich, einen Abstand zwischen dem Sensorchip 40 und dem ASIC 50 genauer als bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung aufrecht zu erhalten, bei dem eine Vielzahl von ersten Metallteilen 10, die die Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer enthalten und jeweils eine Säulenform haben, bereitgestellt sind und der Zinn-basierte zweite Metallteil 20 in Lücken zwischen den ersten Metallteilen 10 gefüllt ist. Ferner, da Zinn einen niedrigeren Schmelzpunkt als eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer hat und daher eine höhere Benetzbarkeit, stehen die Zinnbasierten zweiten Metallteile 20 in guten Kontakt mit der Oberfläche des ASIC 50 und der Oberfläche des Sensorchips 40. Deshalb ist es gemäß eines solchen Ausführungsbeispiels der Offenbarung möglich, die Verbindungsstärke zwischen dem ASIC 50 und dem Sensorchip 40 zu verbessern.
  • Gemäß einem Ausführungsführungsbeispiel der Offenbarung kann eines der zweiten Metallteile 20 (z.B. die zweite Metallsäule 20A) von den anderen zweiten Metallteilen 20 (z.B. den zweiten Metallsäulen 20B bis 20G) umgeben sein. Dies erzielt eine homogene Verteilung der zweiten Metallteile 20 und der Legierungsbereiche 30, die die jeweiligen zweiten Metallteile 20 in der X-Y-Ebene umgeben. Entsprechend ist es möglich, den ASIC 50 und den Sensorchip 40 sogar noch fester zu verbinden und die Verbindung sogar noch sicherer aufrechtzuerhalten.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung kann die Verbindungsstruktur 1 einen Teil aufweisen, in dem der Zinngehalt wiederholt entlang der X-Y-In-Ebene-Richtung variiert. Dementsprechend ist es möglich, den ASIC 50 und den Sensorchip 40 zum Beispiel durch Schmelzen vom Zinn, das einen vergleichsweise niedrigen Schmelzpunkt hat, in der Vielzahl von Teilen, die einen hohen Zinngehalt besitzen, bei dem anfänglichen Erwärmen fest zu verbinden. Ferner, da das Zinn mit der Nickel-Eisen-Legierung (oder Kupfer) in dem anfänglichen Erwärmen legiert werden kann, ist es möglich, die Verbindungsstruktur 1 zu erzielen, die gegenüber einem erneuten Aufschmelzen während des Wiedererwärmens beständig ist, nachdem die Verbindungsstruktur 1 nach dem anfänglichen Erwärmen einmal abgekühlt ist.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung können der Sensorchip 40 und der ASIC 50 mittels der Verbindungsstruktur 1 elektrisch miteinander gekoppelt werden. Dies beseitigt einen Bedarf nach Draht-Bonden, was den Sensorchip 40 und den ASIC 50 elektrisch koppelt. Dementsprechend ist es möglich, Probleme wie Kurzschlüsse zwischen benachbarten Leitungen und Versagen aufgrund von Unterbrechungen zwischen den Leitungen zu unterbinden oder zu verhindern. Wiederum ist es möglich, die Zuverlässigkeit des Elektronikbauteilmoduls 2 oder der Elektronikbauteileinheit 3 zu verbessern.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • [Beispielhafte Ausgestaltung der Verbindungsstruktur 1A]
  • 5 ist eine schematische perspektivische Ansicht einer Verbindungsstruktur 1A mit einer beispielhaften Ausgestaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Offenbarung. Die Verbindungsstruktur 1A weist eine Vielzahl erster Metallschichten 11 und eine Vielzahl zweiter Metallschichten 21 auf, die abwechselnd entlang der Z-Achse laminiert sind. Die erste Metallschicht 11 kann einem bestimmten, aber nicht beschränkenden Beispiel des „ersten Metallteils“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen, und die zweite Metallschicht 21 kann einem bestimmten, aber nicht beschränkenden Beispiel des „zweiten Metallteils“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen.
  • Die ersten Metallschichten 11 enthalten jeweils eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer, ähnlich dem ersten Metallteil 10 der ersten Ausführungsform der Offenbarung. Die zweiten Metallschichten 21 sind neben den jeweiligen ersten Metallschichten 11 bereitgestellt und enthalten Zinn, ähnlich den zweiten Metallteilen 20 der ersten Ausführungsform der Offenbarung. Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung können die oberste Schicht und die unterste Schicht der Verbindungsstruktur 1 die Zinn-basierten zweiten Metallschichten 21 sein. Um Zielobjekte zu verbinden, wie beispielsweise den ASIC 50 und den Sensorchip 40, sind die oberste Schicht und die unterste Schicht Teile, die mit den jeweiligen Zielobjekten in Kontakt sind. Entsprechend erleichtert die Verbindungsstruktur 1A mit der obersten Schicht und der untersten Schicht, welche die zweiten Metallschichten 21 mit einem niedrigeren Schmelzpunkt als die ersten Metallschichten 11 sind, das Verbinden durch Wärmeschweißen.
  • Die Verbindungsstruktur 1A kann ferner einen Legierungsbereich 31 an einer Grenzfläche zwischen jeder der ersten Metallschichten 11 und einer benachbarten der zweiten Metallschichten 21 aufweisen. Die Legierungsbereiche 31 können eine Legierung aus der Nickel-Eisen-Legierung, die in der ersten Metallschicht 11 enthalten ist, und dem Zinn aufweisen, das in der zweiten Metallschicht 21 enthalten ist, oder eine Legierung aus dem Kupfer, das in der ersten Metallschicht 11 enthalten ist, und dem Zinn, das in der zweiten Metallschicht 21 enthalten ist. Optional können die ersten Metallschichten 11 ferner eine Zinn-Nicken-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung aufweisen, und die zweiten Metallschichten 21 können ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung aufweisen. Es wird angemerkt, dass selbst in einem solchen Fall jede der zweiten Metallschichten 21 einne Zinngehalt haben kann der höher als der Zinngehalt von jeder der ersten Metallschichten 11 ist. Der Zinngehalt von jeder ersten Metallschichten 11 kann einem bestimmten, aber nicht beschränkendem Beispiel eines „ersten Zinngehalts“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen. Der Zinngehalt von jeder der zweiten Metallschichten 21 kann einem bestimmten, aber nicht beschränkendem Beispiel eines „zweiten Zinngehalts“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen.
  • Ähnlich der Verbindungsstruktur 1, die in den 1A und 1B dargestellt ist, kann die Verbindungsstruktur 1A auf das Elektronikbauteilmodul 2 und die Elektronikbauteileinheit 3, welche das Elektronikbauteilmodul 2 enthält, angewendet werden, die in 2 veranschaulicht sind.
  • Die Verbindungsstruktur 1A kann durch abwechselndes Laminieren der zweiten Metallschichten 21 und der ersten Metallschichten 11 auf einem Substrat, wie beispielsweise dem Sensorchip 40 oder dem ASIC 50 hergestellt werden. Die Elektronikbauteileinheit 3, welche die Verbindungsstruktur 1A aufweist, wird durch Bilden der Verbindungsstruktur 1A z.B. an dem ASIC 50, Bereitstellen des Sensorchips 40, so dass dieser dem ASIC 50 gegenüber der Verbindungsstruktur 1A zugewandt ist, und Durchführung eines Erwärmungsprozesses hergestellt. Während des Erwärmungsprozesses, der an der Verbindungsstruktur 1A erfolgt, diffundiert das in den zweiten Metallschichten 21 enthaltende Zinn in die ersten Metallschichten 11, die die zweiten Metallschichten 21 umgeben, wodurch die Legierungsbereiche 31 gebildet werden.
  • [Funktionsweise und Wirkungen der Verbindungsstruktur 1A]
  • Gemäß einem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel der Offenbarung weist die Verbindungsstruktur 1A die ersten Metallschichten 11 und die zweiten Metallschichten 21 auf. Die ersten Metallschichten 11 enthalten jeweils eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer. Die zweiten Metallschichten 21 sind neben der entsprechenden der ersten Metallschichten 11 bereitgestellt und enthalten Zinn (Sn). Daher, nachdem der Erwärmungsprozess an einer solchen Verbindungsstruktur 1A durchgeführt wurde, können die zwei oder mehr Legierungsbereiche 31 gebildet werden, die eine Legierung aus dem Bestandteil der ersten Metallschichten 11 und dem Bestandteil der zweiten Metallschicht 21 aufweisen. Dies erhöht den Schmelzpunkt der Verbindungsstruktur 1A, verbessert die strukturelle Einheitlichkeit in der gesamten Verbindungsstruktur 1A, und verringert Variationen in der Qualität der Verbindungsstruktur 1A. Deshalb ist es gemäß eines solchen Ausführungsbeispiels der Offenbarung möglich, die bessere Qualität der Verbindungsstruktur 1A sicherzustellen, welche zum Beispiel einen höheren Schmelzpunkt aufgrund der Bildung der Legierungsbereiche 31 sowie eine hohe Beständigkeit gegenüber Deformation und erneutem Aufschmelzen selbst nach dem erneuten Erwärmen in einem nachfolgenden Prozess hat. Ferner ist es gemäß dem Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit 3 eines Ausführungsbeispiels der Offenbarung möglich, die Elektronikbauteileinheit 3 mit der besseren Qualität herzustellen.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung können die ersten Metallschichten 11 ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung enthalten, und die zweiten Metallschichten 21 können ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder Zinn-Kupfer-Legierung enthalten. Dies mildert Variationen in der Qualität in der gesamten Verbindungsstruktur 1A. Dementsprechend ist es möglich, den ASIC 50 und den Sensorchip 40 fester durch Schmelzen der Verbindungsstruktur 1A in dem anfänglichen Erwärmen zu verbinden. Es ist ebenfalls möglich, die Verbindung zwischen dem ASIC 50 und dem Sensorchip 40 sicherer aufrecht zu erhalten, da die Verbindungsstruktur 1A gegenüber einem Aufschmelzen während der Wiedererwärmung beständig ist.
  • Gemäß einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung können der Sensorchip 40 und der ASIC 50 elektrisch mittels der Verbindungsstruktur 1A verbunden werden. Dies beseitigt einen Bedarf nach Draht-Bonden, was den Sensorchip 40 und den ASIC 50 elektrisch miteinander koppelt. Dementsprechend ist es möglich, Probleme wie Kurzschlüsse zwischen benachbarten Leitungen und Versagen aufgrund einer Unterbrechung zwischen Leitungen zu unterbinden oder zu verhindern. Wiederum ist es möglich, die Zuverlässigkeit des Elektronikbauteilmoduls 2 oder der Elektronikbauteileinheit 3 zu verbessern.
  • Zudem hat die Verbindungsstruktur 1A einen einfacheren Aufbau als die Verbindungsstruktur 1 gemäß der oben beschriebenen, ersten Ausführungsform der Offenbarung, und kann daher leichter als die Verbindungsstruktur 1 hergestellt werden.
  • [Modifikationen]
  • Obgleich die Offenbarung unter Bezugnahme auf die oben genannten Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist die Offenbarung nicht hierauf beschränkt, sondern kann auf viele verschiedenene Weisen modifiziert werden.
  • Beispielsweise sind Faktoren wie Form, Anordnung, und Anzahl der Bauteile der in einem beliebigen Ausführungsbeispiel veranschaulichten Verbindungsstrukturen 1 und 1A beispielhaft, und Modifikationen sind beispielhaft und nicht-beschränkend. Jedwede andere Form, Anordnung, und Anzahl der Bauteile kann neben den oben beschriebenen angewendet werden.
  • In der ersten Ausführungsform der Offenbarung können die Zinn-basierten zweiten Metallteile die Vielzahl von Säulen sein, und das erste Metallteil 10 mit der Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer kann in die Lücken zwischen den zweiten Metallteilen 20 gefüllt sein. Es sei angemerkt, dass die Ausgestaltung der Verbindungsstruktur 1 gemäß der ersten Ausführungsform nicht dahingehend ausgelegt werden sollte, dass sie die Offenbarung einschränkt. In einer beispielhaften Modifikation der Offenbarung können eine Vielzahl von ersten Metallteilen 10, die jeweils die Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer enthalten und jeweils eine Säulenform haben, bereitgestellt sein, und der Zinn-basierte zweite Metallteil 20 kann in Lücken zwischen den ersten Metallteilen 10 gefüllt werden. Der Schmelzpunkt der Nickel-Eisen-Legierung (etwa 1450 °C) und der Schmelzpunkt des Kupfers (etwa 1083°C) sind höher als jener von Zinn (232 °C). Deshalb wird in dieser beispielhaften Ausgestaltung das Zinn, das in die Lücken zwischen der Vielzahl von ersten Metallteilen 10 gefüllt wird, durch den Erwärmungsprozess aufgeschmolzen, um Substrate von zwei Elektronikbauteilen zu verbinden. Dementsprechend ist die beispielhafte Modifikation hinsichtlich der festen Verbindung der Substrate von zwei Elektronikbauteilen vorteilhaft.
  • Es sei ebenfalls angemerkt, dass das Verfahren zur Herstellung der Verbindungsstruktur nach der ersten Ausführungsform nicht dahingehend ausgelegt werden soll, dass es die Offenbarung beschränkt. Gemäß einer beispielhaften Modifikation der Offenbarung kann die Verbindungsstruktur durch in den 6A bis 6D gezeigte Prozesse hergestellt werden. Zum Beispiel kann die Vielzahl von zweiten Metallteilen 20 an dem ASIC 50 mittels der Widerstands-Struktur R1 gebildet werden, wie in den 3A und 3B veranschaulicht, und die Widerstands-Struktur R1 kann entfernt werden. Daraufhin können unter Bezugnahme auf 6A Bereiche, die nicht mit den zweiten Metallteilen 20 versehen sind, mit dem angesammelten Zinn z.B. vermittels Sputtern gefüllt werden. Daraufhin kann unter Bezugnahme auf 6B eine Widerstands-Struktur R3 gebildet werden, um einen selektiven Bereich zu bedecken, in dem die Verbindungsstruktur 1 gebildet werden soll. Unter Verwendung der Widerstands-Struktur R3 als eine Maske kann das Zinn, das sich in Bereichen, die nicht mit der Widerstands-Struktur R3 bedeckt sind, angesammelt hat, durch Ätzen entfernt werden, wie in 6C veranschaulicht. Schließlich kann die Widerstands-Struktur R3 entfernt werden, um die Verbindungsstruktur 1 herzustellen, wie dies in 6D veranschaulicht ist.
  • Es sei ebenfalls angemerkt, dass die Elektronikbauteileinheit 3, die in 2 veranschaulicht ist, nicht dahingehend ausgelegt werden soll, dass sie die Offenbarung beschränkt. In einer beispielhaften Modifikation der Offenbarung, die in 7 dargestellt ist, kann ein Elektronikbauteil 3A ein erstes Pad 70, eine Verdrahtungsstruktur 71, und ein zweites Pad 72 aufweisen. Das erste Pad 70 kann an einer Oberseite des Sensorchips 40 angeordnet sein, der an dem ASIC 50 vorgesehen ist. Mit anderen Worten kann das erste Pad 70 an einer ersten Oberfläche des Sensorchips 40 angeordnet sein, und die erste Oberfläche liegt einer zweiten Oberfläche, die dem ASIC zugewandt ist, des Sensorchips 40 gegenüber. Die Verdrahtungsstruktur 71 kann an das erste Pad 70 gekoppelt sein. Das zweite Pad 72 kann an einem Kantenabschnitt der Verdrahtungsstruktur 71 angeordnet sein und eingerichtet sein, mit einer externen Vorrichtung gekoppelt zu werden. Bei einer Elektronikbauteileinheit 3A kann der Sensorchip 40 an der Oberfläche 50S des ASIC 50 mechanisch mittels der Verbindungsstruktur 1 oder 1A befestigt werden. Eine Isolierungsschicht 73 kann zwischen der Verdrahtungsstruktur 71 und dem ASIC 50 vorgesehen sein. Die Verdrahtungsstruktur 71 kann ein Film sein, der beispielsweise durch Plattieren oder Sputtern gebildet wird. Die Verdrahtungsstruktur 71 kann den Sensorchip 40 und den ASIC 50 elektrisch miteinander koppeln, oder sie kann den Sensorchip 40 und eine externe Vorrichtung elektrisch miteinander koppeln. Die Verdrahtungsstruktur 71 kann einem bestimmten, jedoch nicht beschränkenden Beispiel einer „Verdrahtungsleitung“ gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung entsprechen. Die Verbindungsstruktur 1 oder 1A mit einer solchen Struktur ist hoch wärmebeständig und daher gegenüber einem erneuten Aufschmelzen während der Widererwärmung beständig, es ist möglich, die Verdrahtungsstruktur 71 durch Plattieren oder Sputtern zu bilden, was eine Anwendung mit vergleichsweise hoher Wärme impliziert, selbst nachdem der ASIC 50 und der Sensorchip 40 mittels der Verbindungsstruktur 1 oder 1A verbunden wurden. Entsprechend hat die Elektronikbauteileinheit gemäß der beispielhaften Modifikation der Offenbarung vorteilhafterweise ein geringes Profil als die Elektronikbauteileinheit, die mittels Draht-Bonden montiert wird.
    Gemäß einer der beispielhaften Ausführungsformen der Offenbarung kann die Verbindungsstruktur einen Teil aufweisen, bei dem der Zinngehalt wiederholt entlang der Dickenrichtung und/oder der In-Ebene-Richtung variiert. Es wird angemerkt, dass das Ausführungsbeispiel nicht dahingehend ausgelegt werden soll, dass es die Offenbarung beschränkt. Falls hierbei der Ausdruck „der Zinngehalt variiert wiederholt“ verwendet wird, soll dies nicht auf das Ausführungsbeispiel beschränkt sein, das zum Beispiel in 1C dargestellt ist, bei dem der Zinngehalt mit einer streng regelmäßigen Periode variiert. Mit anderen Worten soll die Offenbarung nicht auf das Ausführungsbeispiel beschränkt werden, bei dem die Zinn-basierten Säulen den gleichen (identischen) Durchmesser haben und mit regelmäßigem (gleichem) Abstand bereitgestellt sind. In einer beispielhaften Modifikation der Offenbarung, die in 8 dargestellt ist, kann beispielsweise eine Verbindungsstruktur 1B die Vielzahl der säulenförmigen zweiten Metallteile 20 aufweisen, von denen manche oder alle voneinander verschiedene Durchmesser haben. Zudem können die Mittelpunkte von manchen oder allen der säulenförmigen zweiten Metallteile 20 mit unregelmäßigen Abständen positioniert sein. Das gleiche kann für eine Verbindungsstruktur gelten, die den ersten Metallteil 1 und den zweiten Metallteil 2 aufweist, die gegenüber der Verbindungsstruktur 1B, die in 8 dargestellt ist, umgekehrt positioniert sind. Das bedeutet, dass in einer anderen beispielhaften Modifikation der Offenbarung die Vielzahl von Säulen die ersten Metallteile 10 sind, anders als bei der beispielhaften Modifikation, die in 8 dargestellt ist, bei der die Vielzahl von Säulen die zweiten Metallteile 20 sind.
  • Die Verbindungsstruktur der Offenbarung kann zum Beispiel eine Verbindungsstruktur 1C, die in 9 dargestellt ist, umfassen. Bei der Verbindungsstruktur 1C können die Mitten der sich am nächsten liegenden säulenförmigen zweiten Metallteile 20 mit einem im Wesentlichen gleichen Abstand positioniert sein. Es wird angemerkt, dass der Ausdruck „im Wesentlichen gleich“ hierbei leichte Unterschiede abdeckt, beispielsweise Herstellungsfehler oder Messfehler, zwischen den säulenförmigen zweiten Metallteilen 20, falls zutreffend. Bei dem Ausführungsbeispiel, das in 9 dargestellt ist, sind die Vielzahl von Säulen die zweiten Metallteile 20; jedoch können in einem anderen Ausführungsbeispiel der Offenbarung die Vielzahl von Säulen die ersten Metallteile 10 sein.
  • In allen Ausführungsbeispielen der Offenbarung kann der in dem Sensorchip enthaltene Sensor das magnetoresistive Element sein. Es wird angemerkt, dass das Ausführungsbeispiel nicht dahingehend ausgelegt werden soll, dass es die Offenbarung beschränkt. In einer beispielhaften Modifikation der Offenbarung kann ein Hall-Element verwendet werden, das ein Magnetfeld als physikalische Größe detektiert. In einer anderen beispielhaften Modifikation der Offenbarung kann ein Sensor verwendet werden, der Faktoren, die nicht das Magnetfeld sind, beispielsweise Wärme, Luftfeuchte, Verzerrung, oder Gas, als physikalische Größe detektiert.
  • In allen Ausführungsbeispielen der Offenbarung werden die Substrate der Elektronikbauteile beispielhaft als ASIC 50 und Sensorchip 40 dargestellt. Es wird angemerkt, dass das Ausführungsbeispiel nicht dahingehend ausgelegt werden sollte, dass es die Offenbarung einschränkt. Es wird ebenfalls angemerkt, dass die Verbindungsstruktur zur Verbindung jedweder Bauteile verwendet werden kann, die nicht das Substrat von elektronischen Bauteilen sind.
  • Die obigen Ausführungsformen und Modifikationen können in beliebiger Kombination angewendet werden.
  • Es wird angemerkt, dass die hier beschriebenen Wirkungen lediglich Beispiele sind. Wirkungen eines Ausführungsbeispiels der Offenbarung sind nicht auf jene beschränkt, die hier beschrieben werden. Die Offenbarung kann ferner jedwede Wirkung umfassen, die nicht eine von jenen ist, die vorliegend beschrieben werden.
  • Es ist möglich, zumindest die folgenden Konfigurationen von den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen und Modifikationen der Offenbarung zu erzielen:
    1. (1) Verbindungsstruktur, aufweisend:
      • einen ersten Metallteil, der eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer beinhaltet; und einen zweiten Metallteil, der neben dem ersten Metallteil bereitgestellt ist und Zinn beinhaltet,
      • von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet, oder
      • von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet, oder
      • der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen und der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet.
    2. (2) Verbindungsstruktur nach (1), bei der der erste Metallteil ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhaltet, der zweite Metallteil ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhaltet, und der zweite Metallteil einen zweiten Zinngehalt hat, die höher als ein erster Zinngehalt des ersten Metallteils ist.
    3. (3) Verbindungsstruktur nach (1), ferner aufweisend einen Teil, bei dem ein Zinngehalt wiederholt entlang einer Dickenrichtung und/oder einer In-Ebene-Richtung variiert.
    4. (4) Verbindungsstruktur nach einem der Punkte (1) bis (3), bei dem der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet, die Vielzahl von zweiten Metallteilen eine Vielzahl von Säulen beinhaltet, und der erste Metallteil in Lücken zwischen der Vielzahl von Säulen gefüllt ist, oder bei dem der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet, die Vielzahl von ersten Metallteilen eine Vielzahl von Säulen beinhaltet, und der zweite Metallteil in Lücken zwischen der Vielzahl von Säulen gefüllt ist.
    5. (5) Verbindungstruktur nach (4), bei der eine der Vielzahl von Säulen von einer oder mehr der Vielzahl von Säulen umgeben ist.
    6. (6) Verbindungsstruktur nach (4) oder (5), bei der die jeweiligen Mitten der Vielzahl von Säulen jeweils mit im Wesentlichen gleichem Abstand positioniert sind.
    7. (7) Verbindungsstruktur nach einem der Punkte (1) bis (3), bei der der erste Metallteil und der zweite Metallteil abwechselnd laminiert sind.
    8. (8) Verbindungsstruktur nach (7), bei der der zweite Metallteil ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhaltet, und der zweite Metallteil eine oberste Schicht der Verbindungsstruktur beinhaltet.
    9. (9) Elektronikbauteilmodul, aufweisend:
      • einen Elektronikbauteilchip mit einem Elektronikbauteil; und
      • eine Verbindungsstruktur, die an dem Elektronikbauteilchip vorgesehen ist, wobei die Verbindungsstruktur einen ersten Metallteil und einen zweiten Metallteil aufweist, wobei der erste Metallteil eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer aufweist, wobei der zweite Metallteil neben dem ersten Metallteil bereitgestellt ist und Zinn beinhaltet,
      • von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet, oder
      • von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet, oder
      • der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet und der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet.
    10. (10) Elektronikbauteileinheit, aufweisend:
      • ein erstes Substrat mit einem ersten Elektronikbauteil;
      • ein zweites Substrat mit einem zweiten Elektronikbauteil; und
      • eine Verbindungsstruktur, die das erste Substrat und das zweite Substrat verbindet, wobei die Verbindungsstruktur einen ersten Metallteil und einen zweiten Metallteil aufweist, wobei der erste Metallteil eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer aufweist, wobei der zweite Metallteil neben dem ersten Metallteil bereitgestellt ist und Zinn aufweist,
      • von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet, oder
      • von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet, oder
      • der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet und der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet.
    11. (11) Elektronikbauteileinheit nach (10), ferner aufweisend:
      • eine Verdrahtungsleitung, die das erste Elektronikbauteil und das zweite Elektronikbauteil koppelt, und
      • eine Isolierungsschicht, die zwischen der Verdrahtungsleitung und dem ersten Elektronikbauteil und zwischen der Verdrahtungsleitung und dem zweiten Elektronikbauteil vorgesehen ist.
    12. (12) Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbauteileinheit, wobei das Verfahren umfasst:
      • Bilden einer Verbindungsstruktur auf einem ersten Substrat, das ein erstes Elektronikbauteil aufweist, wobei die Verbindungsstruktur einen ersten Metallteil, der eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer beinhaltet, und einen zweiten Metallteil, der neben dem ersten Metallteil vorgesehen ist und Zinn beinhaltet, beinhaltet,
      • von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet, oder
      • von dem ersten Metallteil und dem zweiten Metallteil, der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet, oder
      • der erste Metallteil eine Vielzahl von ersten Metallteilen beinhaltet und der zweite Metallteil eine Vielzahl von zweiten Metallteilen beinhaltet;
  • Bereitstellen eines zweiten Substrats auf einer ersten Fläche der Verbindungsstruktur, wobei das zweite Substrat ein zweites Elektronikbauteil beinhaltet, wobei die erste Fläche der Verbindungsstruktur gegenüber einer zweiten Fläche der Verbindungsstruktur angeordnet ist, wobei die zweite Fläche der Verbindungsstruktur dem ersten Substrat zugewandt ist; und
  • Bilden einer Legierung aus der Nickel-Eisen-Legierung oder dem Kupfer, die bzw. das in dem ersten Metallteil enthalten ist, und dem Zinn, das in dem zweiten Metallteil enthalten ist, durch Erhitzen des ersten Metallteils und des zweiten Metallteils.
  • Bei der Verbindungsstruktur, dem Elektronikbauteilmodul, und der Elektronikbauteileinheit nach einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung enthält bzw. enthalten das eine oder mehr ersten Metallteil/e eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer, und das bzw. die eine oder mehr zweite Metallteil enthält bzw. enthalten Zinn. Die ersten Metallteile und die zweiten Metallteile können nebeneinander an zwei oder mehr Teilen bereitgestellt sein. Entsprechend können die zwei oder mehr Legierungsbereiche, die jeweils eine Legierung aus dem Bestandteil in dem ersten Metallteil und aus dem Bestandteil in dem zweiten Metallteil enthalten, nach dem Erwärmungsprozess gebildet werden. Dies erhöht den Schmelzpunkt der Verbindungsstruktur, verbessert die strukturelle Einheit in der gesamten Verbindungsstruktur, und verringert Variationen in der Qualität der Verbindungsstruktur.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit nach einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung weisen das eine oder mehr erste Metallteil eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer auf, und das eine oder mehr zweite metallteil weist Zinn auf. Die ersten Metallteile und die zweiten Metallteile können nebeneinander an zwei oder mehr Teilen vorgesehen sein. Dementsprechend können die zwei oder mehr Legierungsbereiche, die jeweils eine Legierung aus dem Bestandteil in dem ersten Metallteil und aus dem Bestandteil in dem zweiten Metallteil enthalten, nach dem Erwärmungsprozess gebildet werden. Dies erhöht den Schmelzpunkt der Verbindungsstruktur, verbessert die strukturelle Einheit in der gesamten Verbindungsstruktur und verringert Variationen in der Qualität der Verbindungsstruktur.
  • Gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung ist es möglich, die bessere Qualität der Verbindungsstruktur, des Elektronikbauteilmoduls, und der Elektronikbauteileinheit sicherzustellen. Ferner ist es möglich, die Elektronikbauteileinheit mit der besseren Qualität durch das Verfahren zur Herstellung der Elektronikbauteileinheit nach einem Ausführungsbeispiel der Offenbarung herzustellen.
  • Obgleich die Offenbarung anhand der Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie nicht auf diese beschränkt. Es wird angemerkt, dass Variationen in den beschrieben Ausführungsformen von einem Fachmann vorgenommen werden können, ohne den Schutzumfang der durch die folgenden Ansprüche definierten Offenbarung zu verlassen. Die Beschränkungen in den Ansprüchen sind auf Grundlage der verwendeten Sprache in den Ansprüchen breit auszulegen und nicht auf Beispiele beschränkt, die in dieser Anmeldungsschrift oder während der Verfolgung der Anmeldung beschrieben werden, und die Beispiele sind als nicht-erschöpfend zu verstehen. Zum Beispiel gibt in dieser Offenbarung die Verwendung der Begriffe erster, zweiter, etc. keine Reihenfolge oder Wichtigkeit an, sondern die Begriffe erster, zweiter, etc. werden vielmehr dazu verwendet, ein Element von einem anderen Element zu unterscheiden. Darüber hinaus ist keines der Elemente oder Bauteile in dieser Offenbarung für die Öffentlichkeit bestimmt, unabhängig davon, ob dieses Element oder Bauteil ausdrücklich in den folgenden Ansprüchen genannt wird.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 200976588 [0002]
    • JP 201687691 [0002]
    • JP H09181125 [0002]
    • JP H08316629 [0002]

Claims (12)

  1. Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, oder 1C), aufweisend: einen ersten Metallteil (10 oder 11), der eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer beinhaltet; und einen zweiten Metallteil (20 oder 21), der neben dem ersten Metallteil (10 oder 11) bereitgestellt ist und Zinn beinhaltet, von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21) der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl erster Metallteile (10 oder 11) aufweist, oder von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21) der zweite Metallteil (20 oder 21) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21) aufweist, oder der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10 oder 11) und der zweite Metallteil (20 oder 21) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21) aufweist.
  2. Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B oder 1C) nach Anspruch 1, wobei der erste Metallteil (10 oder 11) ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhaltet, der zweite Metallteil (20 oder 21) ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhaltet, und der zweite Metallteil (20 oder 21) einen zweiten Zinngehalt hat, der höher als ein erster Zinngehalt des ersten Metallteils (10 oder 11) ist.
  3. Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, oder 1C) nach Anspruch 1, ferner aufweisend einen Teil, bei dem ein Zinngehaltwiederholt entlang einer Dickenrichtung und/oder einer In-Ebene-Richtung variiert.
  4. Verbindungsstruktur (1, 1B oder 1C) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der zweite Metallteil (20) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20) aufweist, die Vielzahl von zweiten Metallteilen (20) eine Vielzahl von Säulen aufweist, und der erste Metallteil (10) in Lücken zwischen der Vielzahl von Säulen gefüllt wird, oder wobei der erste Metallteil (10) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10) aufweist, die Vielzahl von ersten Metallteilen (10) eine Vielzahl von Säulen aufweist, und der zweite Metallteil (20) in Lücken zwischen der Vielzahl von Säulen gefüllt wird.
  5. Verbindungstruktur (1, 1B oder 1C) nach Anspruch 4, wobei eine der Vielzahl von Säulen von einer oder mehr der Vielzahl von Säulen umgeben ist.
  6. Verbindungsstruktur (1, 1B oder 1C) nach Anspruch 4 oder 5, wobei die jeweiligen Mitten der Vielzahl von Säulen jeweils mit im Wesentlichen gleichem Abstand positioniert sind.
  7. Verbindungsstruktur (1A) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste Metallteil (11) und der zweite Metallteil (21) abwechselnd laminiert sind.
  8. Verbindungsstruktur nach Anspruch 7, wobei der zweite Metallteil (21) ferner eine Zinn-Nickel-Eisen-Legierung oder eine Zinn-Kupfer-Legierung beinhaltet, und der zweite Metallteil (21) eine oberste Schicht der Verbindungsstruktur (1A) aufweist.
  9. Elektronikbauteilmodul (2), aufweisend: einen Elektronikbauteilchip (40) mit einem Elektronikbauteil; und eine Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, oder 1C), die an dem Elektronikbauteilchip (40) vorgesehen ist, wobei die Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, 1C) einen ersten Metallteil (10 oder 11) und einen zweiten Metallteil (20 oder 21) beinhaltet, wobei der erste Metallteil (10 oder 11) eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer aufweist, wobei der zweite Metallteil (20 oder 21) neben dem ersten Metallteil (10 oder 11) bereitgestellt ist und Zinn beinhaltet, von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21), der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10, 11) beinhaltet, oder von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21), der zweite Metallteil (20 oder 21) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21) beinhaltet, oder der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10 oder 11) beinhaltet und der zweite Metallteil (20 oder 21) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21) beinhaltet.
  10. Elektronikbauteileinheit (3, 3A), aufweisend: ein erstes Substrat (50) mit einem ersten Elektronikbauteil (51); ein zweites Substrat (40) mit einem zweiten Elektronikbauteil (41); und eine Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, 1C), die das erste Substrat (50) und das zweite Substrat (40) verbindet, wobei die Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, 1C) einen ersten Metallteil (10 oder 11) und einen zweiten Metallteil (20 oder 21) beinhaltet, wobei der erste Metallteil (10 oder 11) eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer beinhaltet, wobei der zweite Metallteil (20 oder 21) neben dem ersten Metallteil (10 oder 11) bereitgestellt ist und Zinn beinhaltet, von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21), der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10, 11) aufweist, oder von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21) der zweite Metallteil (20 oder 21) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21) aufweist, oder der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10 oder 11) aufweist und der zweite Metallteil (20 oder 21) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21) aufweist.
  11. Elektronikbauteileinheit (3A) nach Anspruch 10, ferner aufweisend: eine Verdrahtungsleitung (71), die das erste Elektronikbauteil (51) und das zweite Elektronikbauteil (41) koppelt, und eine Isolierungsschicht (73), die zwischen der Verdrahtungsleitung (71) und dem ersten Elektronikbauteil (51) und zwischen der Verdrahtungsleitung (71) und dem zweiten Elektronikbauteil (41) vorgesehen ist.
  12. Verfahren zur Herstellung einer Elektronikbauteileinheit (3 oder 3A), wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, oder 1C) auf einem ersten Substrat (50), das ein erstes Elektronikbauteil (51) beinhaltet, wobei die Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, oder 1C) einen ersten Metallteil (10 oder 11), der eine Nickel-Eisen-Legierung oder Kupfer beinhaltet, und einen zweiten Metallteil (20 oder 21), der neben dem ersten Metallteil (10 oder 11) vorgesehen ist und Zinn beinhaltet, aufweist, von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21), der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10, 11) aufweist, oder von dem ersten Metallteil (10 oder 11) und dem zweiten Metallteil (20 oder 21), der zweite Metallteil (20 oder 21) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21) aufweist, oder der erste Metallteil (10 oder 11) eine Vielzahl von ersten Metallteilen (10 oder 11) aufweist und der zweite Metallteil (20 oder 21) eine Vielzahl von zweiten Metallteilen (20 oder 21) aufweist; Bereitstellen eines zweiten Substrats (40) auf einer ersten Fläche der Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, oder 1C), wobei das zweite Substrat (40) ein zweites Elektronikbauteil (41) beinhaltet, wobei die erste Fläche der Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B, oder 1C) gegenüber einer zweiten Fläche der Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B oder 1C) angeordnet ist, wobei die zweite Fläche der Verbindungsstruktur (1, 1A, 1B oder 1C) dem ersten Substrat (50) zugewandt ist; und Bilden einer Legierung aus der Nickel-Eisen-Legierung oder dem Kupfer, die bzw. das in dem ersten Metallteil (10 oder 11) enthalten ist, und dem Zinn, das in dem zweiten Metallteil (20 oder 21) enthalten ist, durch Erhitzen des ersten Metallteils (10 oder 11) und des zweiten Metallteils (20 oder 21).
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