DE102017222923A1 - IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser - Google Patents

IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser Download PDF

Info

Publication number
DE102017222923A1
DE102017222923A1 DE102017222923.3A DE102017222923A DE102017222923A1 DE 102017222923 A1 DE102017222923 A1 DE 102017222923A1 DE 102017222923 A DE102017222923 A DE 102017222923A DE 102017222923 A1 DE102017222923 A1 DE 102017222923A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
temperature sensor
resistance line
igbt
value
process variation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102017222923.3A
Other languages
English (en)
Inventor
Ji Woong Jang
Kang Ho Jeong
Ki Jong Lee
Sang Cheol Shin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hyundai Motor Co
Kia Corp
Original Assignee
Hyundai Motor Co
Kia Motors Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Motor Co, Kia Motors Corp filed Critical Hyundai Motor Co
Publication of DE102017222923A1 publication Critical patent/DE102017222923A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K15/00—Testing or calibrating of thermometers
    • G01K15/005—Calibration
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
    • G01K7/015—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions using microstructures, e.g. made of silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20—Resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
    • H01L29/0692—Surface layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Eine Isolationsgate-Bipolartransistor (IGBT) Temperatursensor-Korrekturvorrichtung umfasst einen Isolationsgate-Bipolartransistor (IGBT); einen Temperatursensor, der eine Erfassungsdiode aufweist; und einen Prozessvariationssensor, der einen internen Widerstand aufweist.

Description

  • HINTERGRUND DER OFFENBARUNG
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Isolationsgate-Bipolartransistor (IGBT) Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und ein Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser, und insbesondere eine IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung mit einer Korrekturschaltung, die in der Lage ist Fehler zu korrigieren, die durch Halbleitercharakteristiken auf Grundlage der Temperatur hervorgerufen werden, und ein Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser.
  • DISKUSSION DES VERWANDTEN SACHSTANDES
  • Ein herkömmlicher Temperatursensor kann als Temperatursensor eines Typs mit negativem Temperaturkoeffizienten (NTC), angeordnet auf einem direkt gebondeten Kupfer (Direct Bonded Copper; DBC) eines IGBT Moduls, implementiert werden. Eine DBC Temperatur ist fast identisch zu einer Temperatur eines Kühlers, der gegen den DBC Boden steht. Der herkömmliche Temperatursensor soll eine Übergangstemperatur eines Halbleiterchips, welcher tatsächlich erwärmt werden soll, messen, so dass eine Kühltemperatur überwacht wird, was zum Auftreten von unerwarteten Fehlern führt.
  • Deshalb ist eine verbesserte Technik zum direkten Erfassen einer IGBT Übergangstemperatur jüngst entwickelt worden, die auf einem IGBT Chip eine Polysiliziumdiode integriert und somit eine IGBT Temperatur unter Verwendung von Spannungs-Temperatur-Charakteristiken der Polysiliziumdiode direkt erfasst. Jedoch kann eine Halbleiterprozessvariation (d. h. eine Abweichung bei der Halbleiterherstellung) des IGBT Chips häufig auftreten, so dass die verbesserte Technik Schwierigkeiten aufweist die richtige Temperatur abzuschätzen, und unerwartete Fehler bei jeder Probe auftreten.
  • Infolgedessen kann eine Abweichung eines Temperaturerfassungswerts für jede Phase eines Dreiphasen-Umrichters auftreten und eine Abweichung für jedes Produkt kann ebenfalls auftreten. Demzufolge sollte ein maximaler Strom des Temperatursensors in Übereinstimmung mit dem IGBT thermischen Modell und der Temperaturerfassungsabweichung beschränkt werden, und der maximale Ausgang von Motoren von elektrischen Fahrzeugen und Hybridfahrzeugen sollte in ähnlicher Weise beschränkt werden. Unter der Annahme, dass die Temperaturabschätzung am Ende der Lebensdauer (EOL) unrichtig ausgeführt wird, kann als Folge der thermischen Zerstörung eines Leistungsmoduls ein Risiko für die Sicherheit des Fahrers zusätzlich hervorgerufen werden.
  • 1 ist eine Ansicht, die EIN-Spannungs-Charakteristiken auf Grundlage einer herkömmlichen Diodenübergangstemperatur (Tj) darstellt. Wie in 1 gezeigt kann eine EIN-Spannung (nachstehend als V_f bezeichnet) eines Diodentemperatursensors (nachstehend als ein Temperatursensor bezeichnet), der in den IGBT eingebettet ist, umgekehrt proportional zu der IGBT Übergangstemperatur (TJ) des Diodentemperatursensors (nachstehend als ein Temperatursensor bezeichnet), der in dem IGBT eingebettet ist, sein. Deshalb wird die EIN-Spannung (V_f) in Übereinstimmung mit einer Änderung der Temperatur überwacht, so dass die Temperatur (TJ) des IGBT abgeschätzt werden kann.
  • 2 ist ein Schaltbild, das eine herkömmliche Temperaturerfassungs-Schutzschaltung darstellt.
  • Wie in 2 gezeigt kann eine Temperaturerfassungs-Schutzschaltung 200 einen Mikroprozessor 210, einen Vergleicher 220, eine Konstantstromquelle 230, eine Temperaturerfassungsdiode 240, einen IGBT 250 und eine DC Energiequelle 260 umfassen. Die Temperaturerfassungsdiode 240 kann ein Erfassungselement zum Erfassen oder zum Detektieren einer Temperatur eines IGBT 250 sein, und der IGBT 250 kann eine einzelne Diode oder wenigstens zwei Dioden, die in Reihe geschaltet sind, umfassen, so dass die Temperaturerfassungs-Schutzschaltung 200 in einer Weise konfiguriert sein kann, dass ein Strom von der Konstantstromquelle zu der Diode, die als der Temperatursensor dient, fließen kann.
  • In der voranstehend erwähnten Temperaturerfassungs-Schutzschaltung kann die Temperaturerfassungsdiode 240 mit einem Erwärmungsteil (zum Beispiel einer spezifischen Position, die nahe zu dem Halbleiterchip angeordnet ist), das in dem IGBT 250 enthalten ist, in einer derartigen Weise integriert werden, dass die Temperaturerfassungsdiode 240 als ein Erfassungselement zum Detektieren der IGBT Temperatur verwendet werden kann. Eine Energiequelle und ein Widerstand können mit einem Eingangsanschluss der Diode verbunden sein, so dass ein vorgegebener Strom in dem Eingangsanschluss der Diode fließen kann.
  • Die Temperaturerfassungsdiode 240 kann durch die in der voranstehend erwähnten Schaltung eingebetteten Konstantstromquelle 230 eingeschaltet werden, so dass ein Wert der Spannung (V_F) bestimmt werden kann. In diesem Fall kann ein Spannungswert auf Grundlage der Temperatur an einen positiven (+) Eingangsanschluss des Vergleichers 220 angelegt werden. Ein DC Eingangswert kann an ein negativen (-) Eingangsanschluss des Vergleichers 220 angelegt werden, und der DC Spannungswert kann durch einen Überhitzungsschutzpegel des IGBT berechnet und bestimmt werden.
  • Bezugnehmend nochmals auf 1 sei angenommen, dass die DC Spannung auf ungefähr 2,2 V eingestellt sein kann. Wenn die Temperatur (Tj) der Raumtemperatur entspricht, dann ist der Wert der Spannung (V_F) ungefähr 2,7 V, so dass der V_F Wert höher als der Überhitzungsschutzpegel ist. Infolgedessen wird eine Temperatur (FLT_TEMP) bei einem hohen Pegel (HIGH bzw. HOCH) ausgegeben. Wenn die Temperatur (Tj) allmählich auf 150 °C ansteigt, dann ist die Spannung (V_F) ungefähr 2,2 V. Wenn die V_F Spannung niedriger als die DC Spannung ist, dann wird die Temperatur (FLT_TEMP) als ein niedriger Pegel (LOW bzw. NIEDRIG) ausgegeben.
  • Das voranstehend erwähnte FLR_TEMP Signal kann durch den Mikroprozessor 210 so überwacht werden, dass der Ausgangsstrom begrenzt wird oder der IGBT abgeschaltet wird, was zu einem Schutz gegenüber einer thermischen Zerstörung des Leistungsmoduls führt.
  • 3A und 3B umfassen Ansichten, die einen herkömmlichen Temperatursensor darstellen.
  • 3A zeigt ein Layout des IGBT mit dem Temperatursensor 310 darin. In diesem Fall kann TEMP (+) eine Kathode der Diode bezeichnen, und TEMP (-) kann eine Anode der Diode bezeichnen.
  • 3B ist eine Querschnittsansicht, die einen Bereich des Temperatursensors darstellt. Wie in 3B gezeigt kann der Temperatursensor 310 ein Silizium 321, einen Passivierungsfilm 322, ein Polysilizium 323, ein TEMP (+) Metall 325, ein TEMP (-) Metall 325 und eine Schutzschicht 326 umfassen.
  • Um die voranstehend erwähnten einzelnen Elemente zu bilden werden die folgenden Halbleiterherstellungsprozesse benötigt. Der Passivierungsfilm 322 muss über einem spezifischen Teil aufgebracht werden, in dem der Temperatursensor 310 gebildet werden soll. Infolgedessen wird ein Pfad mit hohem Strom des IGBT gebildet, was zu einer Verhinderung der Diodenbeschädigung führt.
  • Das Polysilizium 323 kann über dem Passivierungsfilm 322 angebracht werden. Ein Muster des Temperatursensors 310 kann über einen Fotoprozess (zum Beispiel einen Fotolithographie-Prozess) gebildet werden. Der Kathoden-Bereich kann mit einem P+ Dotierstoff dotiert werden, und der Anoden-Bereich kann mit einem N+ Dotierstoff dotiert werden, was zu der Ausbildung einer Diodenstruktur führt.
  • In diesem Fall können signifikante Fehler in dem Fotoprozess bei dem voranstehend erwähnten Halbleiterherstellungsprozess auftreten. Infolgedessen kann als Folge der Halbleiterprozessvariation (d. h. einer Abweichung bei der Halbleiterherstellung), die auftritt, wenn die Polysiliziumschicht gebildet wird, eine hohe Erfassungsspannung des voranstehend erwähnten Temperatursensors für jede Probe auftreten.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
  • Demzufolge ist die vorliegende Offenbarung auf eine IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und ein Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser, die ein oder mehrere Probleme als Folge von Beschränkungen und Nachteile des verwandten Sachstandes im Wesentlichen vermeiden, gerichtet.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung besteht darin eine IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung zum Korrigieren einer Temperaturerfassungsspannung durch Einstellung eines Diodenstroms in Übereinstimmung mit der Prozessvariation bereitzustellen.
  • Zusätzliche Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Offenbarung sind teilweise in der Beschreibung, die folgt, aufgeführt und ergeben sich teilweise für Durchschnittsfachleute in dem technischen Gebiet als Folge eines Studiums der vorliegenden Offenbarung oder können aus einer praktischen Umsetzung der Offenbarung gelernt werden. Die Aufgaben und andere Vorteile der Offenbarung können durch die Struktur, die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen hier, sowie in den beigefügten Zeichnungen, ausgewiesen ist, realisiert und erreicht werden.
  • In Übereinstimmung mit Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst eine Isolationsgate-Bipolartransistor (IGBT) Temperatursensor-Korrekturvorrichtung: einen Isolationsgate-Bipolartransistor (IGBT); einen Temperatursensor mit einer Erfassungsdiode; und einen Prozessvariationssensor mit einem internen Widerstand.
  • Ferner umfasst ein Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung des Isolationsgate-Bipolartransistor (Insulated Gate Bipolar Transistor; IGBT) Temperatursensors: Ändern, durch eine integrierte Treiberschaltung (IC), eines Werts eines Stroms, der einem Temperatursensor zugewiesen ist, in Übereinstimmung mit einem Widerstandswert eines internen Widerstands eines Prozessvariationssensors; Korrigieren eines Spannungswerts im Ansprechen auf den geänderten Stromwert, der dem Temperatursensor zugewiesen ist; und Erfassen, durch den Temperatursensor, der korrigierten Spannung.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass sowohl die voranstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung der vorliegenden Offenbarung beispielhaft und erläuternd sind und der weiteren Erläuterung der Offenbarung, so wie sie beansprucht wird, dienen soll.
  • Figurenliste
  • Die beiliegenden Zeichnungen, die beigefügt sind, um ein weiteres Verständnis der Offenbarung bereitzustellen, und die in die Anmeldung eingebaut sind und einen Teil davon bilden, illustrieren eine Ausführungsform (Ausführungsformen) der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung der Erläuterung des Prinzips der Offenbarung. In den Zeichnungen zeigen:
    • 1 bis 3B Ansichten, die einen herkömmlichen Temperatursensor darstellen.
    • 4 ein Schaltbild, welches eine IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 5A und 5B Konzeptdiagramme, die den IGBT Chip gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellen;
    • 6 ein Konzeptdiagramm, das Muster des Prozessvariationssensors gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 7A bis 7C Konzeptdiagramme, die eine Korrelation zwischen dem Prozessvariationssensor und dem Temperatursensor darstellen, gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 8 ein zusätzliches Flussdiagramm, welches ein Verfahren zum Steuern einer IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 9 eine Ansicht, die Charakteristiken darstellt, die durch eine Spannungsoffset-Korrektur gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung hervorgerufen werden; und
    • 10A bis 10D Ansichten, die ein Verfahren zum Erfassen einer Temperatur für jede Probe gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellen.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die voranstehend angegebenen Zeichnungen nicht notwendigerweise im Maßstab gezeichnet sind, wobei sie eine etwas vereinfachte Darstellung von verschiedenen bevorzugten Merkmalen, die für die Grundprinzipien der Offenbarung illustrativen sind, darbieten. Die speziellen Enwurfsmerkmale der vorliegenden Offenbarung, einschließlich zum Beispiel spezifischer Dimensionen, Orientierungen, Anordnungen und Formen, werden teilweise durch die bestimmte beabsichtigte Anwendung und die Verwendungsumgebung bestimmt werden.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachstehend wird eine Vorrichtung und ein Verfahren gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben. In der folgenden Beschreibung werden die Endungen „Modul“ und „Einheit“, die im Hinblick auf einzelne Elemente enthalten sind, die beschrieben werden sollen, zusammen im Hinblick nur auf das einfachere Abfassen der folgenden Beschreibung gewählt oder verwendet, und die Endungen „Modul“ und „Einheit“ haben nicht notwendigerweise unterschiedliche Bedeutungen oder Rollen.
  • Unter der Annahme, dass ein bestimmtes Objekt oberhalb (über) oder unterhalb (unter) den jeweiligen einzelnen Elementen gebildet ist, bedeutet dies in der folgenden Beschreibung, dass die zwei einzelnen Elemente miteinander in einen direkten Kontakt gebracht werden, oder ein oder mehrere einzelne Elemente zwischen zwei einzelnen Elementen angeordnet und gebildet sind. Unter der Annahme, dass ein bestimmtes Objekt über oder unter den jeweiligen einzelnen Elementen gebildet ist, bedeutet dies zusätzlich, dass das Objekt auch in Aufwärts- oder Abwärts-Richtungen auf Grundlage der Position von einem einzelnen Element angeordnet werden kann.
  • Obwohl die Begriffe erster, zweiter, A, B, (a), (b) usw. hier verwendet werden können, um verschiedene Elemente der vorliegenden Offenbarung zu beschreiben, sei darauf hingewiesen, dass diese Begriffe nur verwendet werden, um ein Element von einem anderen Element zu unterscheiden und eine essenzielle Reihenfolge oder eine Sequenz von entsprechenden Elementen durch diese Begriffe nicht beschränkt werden. Es sei darauf hingewiesen, dass dann, wenn von einem Element ausgesagt wird, dass es mit einem anderen Element „verbunden“, „gekoppelt“ oder auf es von einem anderen Element „zugegriffen“ wird, ein Element mit einem anderen Element über ein weiteres Element „verbunden“, „gekoppelt“ oder auf es von einem anderen Element „zugegriffen“ werden kann, obwohl ein Element direkt mit einem anderen Element verbunden sein kann oder auf es direkt von einem anderen Element zugegriffen werden kann.
  • Der Begriff „umfasst“, „schließt ein“, oder „weist auf“, die hier beschrieben werden, sollten so interpretiert werden, dass sie andere Elemente nicht ausschließen, sondern derartige andere Elemente weiter enthalten, da die entsprechenden Elemente, außer wenn dies anders erwähnt ist, inhärent sein können. Sämtliche Begriffe, einschließlich von technischen und wissenschaftlichen Begriffen, weisen die gleichen Bedeutungen auf, so wie sie von einem Durchschnittsfachmann in dem technischen Gebiet allgemein verstanden werden, auf das sich die vorliegende Offenbarung bezieht, außer wenn dies anders angegeben ist. Allgemein verwendete Begriffe, wie beispielsweise Begriffe, die in einem Wörterbuch definiert sind, sollten interpretiert werden, um mit Bedeutungen des verwandten Sachstandes aus dem Kontext übereinzustimmen. Außer wenn dies offensichtlich in der vorliegenden Offenbarung definiert ist, sollten derartige Begriffe nicht so interpretiert werden, dass sie ideale oder übermäßig formale Bedeutungen aufweisen.
  • Die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beziehen sich auf eine IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung mit einer Korrekturschaltung, die in der Lage ist Fehler zu minimieren, die durch Halbleitercharakteristiken auf Grundlage einer Temperatur hervorgerufen werden, und auf ein Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser, so dass die IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und das Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser die Temperatur genauer erfassen können und den maximalen Ausgangsspielraum des IGBT mildern bzw. minimieren können.
  • 4 ist ein Schaltbild, das eine IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Wie in 4 gezeigt kann die IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung 400 eine integrierte Treiberschaltung (IC) 410, einen externen Widerstand 420 und einen IGBT Chip 430 umfassen.
  • Die Treiber-IC 410 kann eine Konstantspannungsquelle (Vref) ausgeben, die benötigt wird, um einen Temperatursensor anzusteuern bzw. anzutreiben.
  • Die Treiber-IC 410 kann einem Widerstandswert des externen Widerstand 420 entsprechen und kann den Wert eines Stroms, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, einstellen.
  • Die Treiber-IC 410 kann eine Diodenspannung (Vtemp) in eine Temperaturinformation umwandeln. Die Treiber-IC 410 kann eine Umwandlung der Temperaturinformation ausführen und kann das Umwandlungsergebnis an einer Schutzfunktion oder dergleichen anlegen.
  • Der externe Widerstand 420 kann zwischen der Treiber-IC 410 und dem IGBT Chip 430 angeordnet sein.
  • Der externe Widerstand 420 kann einen Wert des externen Widerstands aufweisen, der benötigt wird, um den Wert eines Betriebsstroms der IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung 400 zu bestimmen. Der Widerstandswert des externen Widerstands 420 kann durch eine Benutzerauswahl zufällig ausgewählt werden. Wenn der Widerstandswert des externen Widerstands 420 optimiert ist, dann kann der Diodenstromwert in Übereinstimmung mit der Prozessvariation eingestellt sein.
  • Über eine Einstellung des Widerstandswert des externen Widerstands 420 kann der Spannungswert des Temperatursensors korrigiert werden.
  • Der IGBT Chip 430 kann einen internen Widerstand 440 und eine Erfassungsdiode 450 umfassen. Der IGBT Chip 430 kann die Prozessvariation erfassen und detektieren.
  • Der interne Widerstand 440 kann an dem IGBT Chip angeordnet sein und kann zwischen dem externen Widerstand und dem Temperatursensor angeordnet sein.
  • Der interne Widerstand 440 kann durch die Prozessvariation, die in dem IGBT Chip 430 entworfen ist, bestimmt werden.
  • Die obige Prozessvariation kann eine Widerstandswert umfassen, der eine Variation (oder Abweichung) anzeigt, die in einem Fotolithographie-Prozess, einem Ätzprozess etc. angetroffen wird.
  • Wenn beispielsweise ein normaler Widerstands-Entwurfswert des internen Widerstands 440 mit R' bezeichnet wird, dann kann der innere bzw. innere Widerstand 440 in Übereinstimmung mit der Prozessvariation davon R' ± ΔR aufweisen, wobei ΔR ein Widerstandswert ist, der gemäß der Prozessvariation verändert wird.
  • Die Erfassungsdiode 450 kann an dem IGBT Chip 430 angeordnet sein und kann zu dem inneren Widerstand 440 in Reihe geschaltet sein. Die Erfassungsdiode 450 kann eine Vielzahl von Dioden umfassen.
  • Ein Strom kann in die Erfassungsdiode 450 fließen. Der Strom (IF) wird durch die folgende Gleichung 1 im Hinblick auf den externen Widerstand 420 und den internen Widerstand 440 aufgrund des Ohm'schen Gesetzes (V = IR) dargestellt. IF = ( Vref − Vtemp ) / ( Externer Widerstand + Interner Widerstand )
    Figure DE102017222923A1_0001
  • In der Gleichung 1 kann Vref eine interne Ansteuerspannung bezeichnen, Vtemp kann eine Spannung zwischen beiden Enden der Diode bezeichnen, der Externe Widerstand kann einen Wert des externen Widerstands bezeichnen, der benötigt wird, um den Betriebsstromswert zu bestimmen, und der Interne Widerstand kann einen Widerstandswert bezeichnen, der die Prozessvariation anzeigt.
  • Zusätzlich kann der Strom (IF) durch die folgende Gleichung 2 gemäß der Shockley Diodengleichung dargestellt werden. IF = Is [ e ( Vtemp/VT ) − 1 ]
    Figure DE102017222923A1_0002
  • In der Gleichung 2 kann Is einen Sättigungsstrom bezeichnen und Vtemp, VT = kT/q und Is, k, q können jeweils ein konstanter Wert (d. h. eine invariante Zahl) sein.
  • 5A an 5B sind konzeptionelle Diagramme, die den IGBT Chip gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellen.
  • 5A ist ein Layoutdiagramm des IGBT Chips.
  • Wie in 5A gezeigt kann der IGBT Chip 430 einen Prozessvariationssensor 510 und einen Temperatursensor 520 umfassen.
  • Der Prozessvariationssensor 510 kann den internen Widerstand 440 umfassen. D. h., die '
    Figure DE102017222923A1_0003
    '-förmiges Linie des Prozessvariationssensors kann eine Widerstandslinie (bzw. Widerstandsleitung) sein, die aus einem niedrigdotierten Silizium gebildet ist.
  • Die Muster des Prozessvariationssensors 510 können je nach Notwendigkeit auf andere Muster geändert werden, ohne darauf beschränkt zu sein. Der Widerstand, der in dem obigen Prozessvariationssensor enthalten ist, kann durch den Fotolithographie-Prozess (nachstehend als der „Fotoprozess“ bezeichnet) unter Verwendung der gleichen Maske wie in der obigen Diodentemperatursensor-Schicht gebildet werden.
  • Der Prozessvariationssensor 510 kann das Ausmaß bzw. den Grad einer Abweichung, die in dem Fotoprozess angetroffen wird, wenn eine Toleranz in dem Fotoprozess zum Bilden des Temperatursensors auftritt, detektieren.
  • Der Temperatursensor 520 kann mit dem Prozessvariationssensor 510 verbunden sein und kann in der Mitte des unteren Endes des IGBT Chips gebildet werden. Der Temperatursensor 520 kann die Erfassungsdiode 450 umfassen.
  • 5B ist eine vertikale Querschnittsansicht, die den Temperatursensor und den Prozessvariationssensor 510 darstellt.
  • Der Temperatursensor 520 kann eine Siliziumschicht 531, einen Passivierungsfilm 532, eine Polysiliziumschicht 533, ein TEMP (+) Metall 534, ein TEMP (-) Metall 535, und eine Schutzschicht 536 umfassen.
  • Der Passivierungsfilm 532 kann an dem Teil gebildet sein, an dem der Temperatursensor 520 gebildet werden soll. Die Polysiliziumschicht kann über dem Passivierungsfilm 532 gebildet sein. Das Polysilizium kann ausgebildet sein, um ein Muster des Temperatursensors 520 und des Prozessvariationssensors 510 durch den Fotoprozess aufzuweisen.
  • Danach kann die Polysiliziumschicht 533 ermöglichen, dass der Kathoden-Bereich mit einem P+ Dotierstoff dotiert wird. Die Polysiliziumschicht 533 kann ermöglichen, dass der Anoden-Bereich mit einem N+ Dotierstoff dotiert wird. Die Polysiliziumschicht 533 kann den Diodenaufbau über eine derartige Dotierung konstruieren.
  • Das TEMP (+) Metall 534 kann eine Katode der Diode sein, und das TEMP (-) Metall 535 kann eine Anode der Diode sein.
  • Der Prozessvariationssensor 510 kann aus einem niedrigdotierten Material (P- oder N-) anstelle eines stark dotiertem Materials gebildet sein. Der Prozessvariationssensor 510 kann ein ähnliches Muster wie das Widerstandsmuster aufweisen. Entsprechend kann der Prozessvariationssensor 510 eine Widerstandslinie, die aus einem niedrigdotierten Siliziummaterial 543 gebildet ist, umfassen.
  • Der Prozessvariationssensor 510 kann umfassen: 1) eine erste horizontale Widerstandslinie, die zu einem Gate-Pad in einem vorgegebenen Abstand liegt und in einer horizontalen Richtung angeordnet ist; 2) eine erste vertikale Widerstandslinie, die senkrecht zu einem Ende der ersten horizontalen Widerstandslinie angeordnet ist; 3) eine zweite horizontale Widerstandslinie, die horizontal zu einem Ende der ersten vertikalen Widerstandslinie angeordnet und zu der ersten horizontalen Linie in einem vorgegebenen Abstand liegt; 4) eine zweite vertikale Widerstandslinie, die senkrecht zu einem Ende der zweiten horizontalen Widerstandslinie angeordnet ist und zu der ersten vertikalen Widerstandslinie in einem vorgegebenen Abstand liegt; und 5) eine dritte horizontale Widerstandslinie, die horizontal zu einem Ende der zweiten vertikalen Widerstandslinie angeordnet ist und zu der zweiten horizontalen Linie in einem vorgegebenen Abstand liegt.
  • Der Prozessvariationssensor 510 kann durch den gleichen Fotoprozess wie in dem Temperatursensor 520 ausgebildet werden. Deshalb kann der Widerstandswert des Prozessvariationssensors 510 das Ausmaß bzw. den Grad der Prozessvariation, verursacht durch den Temperatursensor 520, darstellen. Demzufolge zeigt ein Wert der Widerstandslinie den Grad bzw. das Ausmaß einer Prozessvariation des Temperatursensors 520 an.
  • 6 ist ein Konzeptdiagramm, welches Muster des Prozessvariationssensors gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Wie in 6 gezeigt kann ein Prozessvariationssensor 510 eine Vielfalt von Abweichungen, die durch den Fotoprozess hervorgerufen werden, je nach Notwendigkeit aufweisen. Als Folge des Auftritts von derartigen Abweichungen kann eine Gesamtlänge und eine Gesamtbreite des Prozessvariationssensors 510 in vielerlei Weise verändert werden. Deshalb kann auch der Widerstandswert im Ansprechen auf die Gesamtlänge und die Gesamtbreite des Prozessvariationssensors 510 verändert werden.
  • Der Abschnitt (a) der 6 zeigt ein beispielhaften Fall, bei dem der Prozessvariationssensor 510 so ausgebildet ist, dass er ein vorgegebenes Muster aufweist. In diesem Fall kann der Widerstandswert des Prozessvariationssensors 510 einen vorgegebenen Widerstandswert aufweisen. Der vorgegebene Widerstandswert kann einen normalen Zustand (oder einen Ruhezustand) bezeichnen.
  • Unter der Annahme, dass das Widerstandsmuster des Prozessvariationssensors 510 im Vergleich mit dem obigen Ruhezustand in einer vertikalen Richtung verkleinert wird, kann, wie dem Abschnitt (b) der 6 entnommen werden kann, der Widerstandswert des Temperatursensors 520 ansteigen, der dem Temperatursensor 520 zugewiesene Stromwert kann reduziert werden, und der dem Temperatursensor 520 zugewiesene Spannungswert kann ansteigen.
  • Unter der Annahme, dass das Widerstandsmuster des Prozessvariationssensors 510 im Vergleich mit dem normalen Zustand in einer vertikalen Richtung verlängert ist, kann, wie aus dem Abschnitt (c) der 6 ersichtlich, der Widerstandswert des Temperatursensors 520 reduziert werden, der dem Temperatursensor 520 zugewiesene Stromwert kann ansteigen, und der dem Temperatursensor 520 zugewiesene Spannungswert kann reduziert werden.
  • Unter der Annahme, dass das Widerstandsmuster des Prozessvariationssensors 510 im Vergleich mit dem normalen Zustand in einer horizontalen Richtung verringert ist, wie sich dem Abschnitt (d) der 6 entnehmen lässt, kann der Widerstandswert des Temperatursensors 520 reduziert sein, der dem Temperatursensor 520 zugewiesene Stromwert kann ansteigen, und der dem Temperatursensor 520 zugewiesene Spannungswert kann reduziert werden.
  • Wie sich dem Abschnitt (e) der 6 entnehmen lässt, kann das Muster des Prozessvariationssensors 510 im Vergleich mit demjenigen des Prozessvariationssensors 510 des Abschnitts (a) der 6 im Vergleich mit dem normalen Zustand unterschiedlich sein.
  • Wenn der Widerstandswert im Ansprechen auf das obige Muster ansteigt, kann der Widerstandswert des Temperatursensors 520 zunehmen, der Stromwert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann reduziert werden und der Spannungswert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann ansteigen.
  • Wenn der Widerstandswert im Ansprechen auf das obige Muster verringert wird, dann kann der Widerstandswert des Temperatursensors 520 reduziert werden, der Stromwert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann ansteigen, und der Spannungswert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann reduziert werden.
  • Unter der Annahme, dass die Breite des Prozessvariationssensors 510 in der Breite im Vergleich mit dem Normalzustand verringert wird, wie aus dem Abschnitt (f) der 6 ersichtlich, dann kann der Widerstandswert ansteigen, der Widerstandswert des Temperatursensors kann ansteigen, der Stromwert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann reduziert werden und der Spannungswert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann ansteigen.
  • Unter der Annahme, dass die Breite des Prozessvariationssensors 510 in einer horizontalen Richtung im Vergleich mit dem Normalzustand verlängert wird, wie sich dem Abschnitt (g) der 6 entnehmen lässt, kann der Widerstandswert ansteigen, der Widerstandswert des Temperatursensors 520 kann zunehmen, der dem Temperatursensor 520 zugewiesene Stromwert kann verkleinert werden, und der dem Temperatursensor 520 zugewiesene Spannungswert kann ansteigen.
  • Unter der Annahme, dass die Breite des Prozessvariationssensors 520 im Vergleich mit dem Normalzustand erweitert wird, wie sich dem Abschnitt (h) der 6 entnehmen lässt, kann der Widerstandswert verringert werden, der Widerstandswert des Temperatursensors 520 kann reduziert werden, der Stromwert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann ansteigen, und der Spannungswert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann reduziert werden.
  • 7A bis 7C umfassen Konzeptdiagramme, die eine Korrelation zwischen dem Prozessvariationssensor und dem Temperatursensor darstellen, in Übereinstimmung mit Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • 7A illustriert Muster des Prozessvariationssensors und Muster des Temperatursensors in Übereinstimmung mit Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • Wie in 7A gezeigt, unter der Annahme, dass das Muster des Prozessvariationssensors 510 gemäß einem ersten Beispiel normal ist, kann der Prozessvariationssensor 510 einen vorgegebenen Widerstandswert aufweisen. Wenn der obige Widerstand normal ist, dann kann der Stromwert, der diesem Widerstand zugewiesen ist, auf einen vorgegebenen Stromwert gesetzt werden. Der Spannungswert, der dem Temperatursensor 520 zugewiesen ist, kann auf einen vorgegebenen Spannungswert gesetzt werden.
  • Ein zweites Beispiel der vorliegenden Offenbarung offenbart, dass das Muster des Prozessvariationssensors 520 eine Breite aufweisen kann, die größer als derjenige des normalen Musters ist. Der Widerstandswert des Prozessvariationssensors 510 gemäß dem zweiten Beispiel kann höher als derjenige des normalen Fall sein. Wenn das Muster des Widerstandsmusters in der Breite vergrößert ist, dann kann die Diode ebenfalls in der Breite erhöht sein. Wenn die Breite der Diode ansteigt, dann kann der Erfassungsspannungswert der Diode verringert werden. Dies bedeutet, dass ein Offset (auch als Versatz bezeichnet) niedriger als derjenige der Diode, die einen Normalzustand aufweist, sein kann.
  • Ein drittes Beispiel der vorliegenden Offenbarung offenbart, dass das Muster des Prozessvariationssensors 510 eine kleinere Breite als dasjenige des normalen Musters aufweisen kann. Der Widerstandswert des Prozessvariationssensors 510 in Übereinstimmung mit dem dritten Beispiel kann niedriger als derjenige des normalen Zustands sein. Wenn das Muster des Widerstandsmusters in der Breite reduziert ist, dann kann auch die Diode in der Breite reduziert sein. Wenn die Breite der Diode reduziert ist, dann kann der Erfassungsspannungswert der Diode zunehmen. Dies bedeutet, dass ein Offset höher als derjenige der Diode, die einen normalen Zustand aufweist, sein kann.
  • 7B illustriert Diodencharakteristiken gemäß der Ausführungsform der 7A.
  • Wie in 7B gezeigt, als Folge des Auftretens der Prozessvariation, kann der Temperatursensor unterschiedliche Widerstandswerte aufweisen. Infolgedessen können das erste Beispiel, das zweite Beispiel und das dritte Beispiel unterschiedliche Spannungswerte aufweisen, wenn sie bei dem gleichen Strom angesteuert werden.
  • Wenn der Widerstandswert, der durch die Prozessvariation verursacht wird, ansteigt, dann kann auch der Erfassungsspannungswert des Temperatursensors 520 ansteigen. Wenn der Widerstandswert, der durch die Prozessvariation hervorgerufen wird, reduziert wird, dann kann auch der Erfassungsspannungswert des Temperatursensors 520 reduziert sein.
  • Deshalb kann eine Spannung des Temperatursensors 420 proportional zu dem Widerstandswert der Prozessvariation sein. Über die Beziehung zwischen dem Widerstandswert des Prozessvariationssensors 510 und dem Widerstandswert des Temperatursensors 520 kann ein Spannungsoffsetwert, der durch die Prozessvariation hervorgerufen wird, eingestellt werden.
  • 7C illustriert ein Layoutdiagramm des Temperatursensors gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
  • Wie in 7C gezeigt, kann der Temperatursensor 3 bis 4 Dioden umfassen, die im Hinblick auf die Erfassungsauflösung zueinander in Reihe geschaltet sind. Die obige Diode kann eine Spannung von ungefähr 0,8 V bei Raumtemperatur aufweisen. Deshalb kann der Temperatursensor einen Spannungsbereich von 2,4 V bis 3,2 V aufweisen.
  • 8 ist ein zusätzliches Flussdiagramm, welches ein Verfahren zum Steuern einer IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Wie in 8 dargestellt, kann das IGBT Temperatursensor-Korrekturverfahren einen ersten Schritt S810 aufweisen, bei dem das Treiber-IC einen Stromwert, der dem Temperatursensor zugewiesen wird, im Ansprechen auf einen Widerstandswert des internen Widerstands des Prozessvariationssensors verändert; und einen zweiten Schritt S820, bei dem das Treiber-IC einen Spannungswert, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, gemäß dem geänderten Stromwert korrigiert.
  • Zum Beispiel kann der Prozessvariationssensor 520 der IGBT Temperatursensorschaltung 500 in einem Nicht-Korrektur-Offsetzustand die Prozessvariation, die durch die vergrößerte Musterbreite hervorgerufen wird, erfassen und detektieren.
  • Wenn die Prozessvariation auftritt, dann kann die Diodenbreite des Temperatursensors 520 zunehmen. Wenn die Diodenbreite zunimmt, dann kann der Widerstandswert der Diode verringert werden. Wenn der Diodenwiderstand verringert wird, dann kann die Erfassungsspannung der Diode verringert werden, was zu einer Implementierung eines Zustands mit negativem (-) Offset führt. Wenn der negative (-) Offset-Zustand erreicht wird, dann kann der Temperatursensor 520 eine Temperatur des gegenwärtigen Zustands bei einer höheren Temperatur als die tatsächliche Temperatur detektieren.
  • Der Prozessvariationssensor 25 der IGBT Temperatursensorschaltung 500 in einem Korrektur-Offset-Zustand gemäß der zweiten Ausführungsform kann die Prozessvariation, die durch die ansteigende Musterbreite hervorgerufen wird, erfassen und detektieren. Wenn die Prozessvariation auftritt, dann kann die Diodenbreite des Temperatursensors 520 ansteigen.
  • Wenn die Diodenbreite zunimmt, dann kann der Widerstandswert der Diode verringert werden. Wenn der Widerstandswert der Diode verringert wird, dann kann die Erfassungsspannung der Diode verringert werden, was zu einer Implementierung des Zustands mit negativem (-) Offset führt.
  • Wenn eine feste Variation (oder Abweichung) auftritt, dann kann die Musterbreite des internen Widerstands des Prozessvvariationssensors zunehmen. Wenn die Musterbreite des internen Widerstands zunimmt, dann kann der interne Widerstandswert verringert werden.
  • Wenn der interne Widerstandswert verringert wird, dann kann der Strom, der in dem internen Widerstand fließt, ansteigen. Wenn der Strom ansteigt, dann steigt die Diodenerfassungsspannung an, so dass die Offset-Spannung auf einen positiven (+) Spannungswert korrigiert werden kann.
  • 9 ist eine Ansicht, die Charakteristiken darstellt, die durch die Spannungsoffset-Korrektur gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung hervorgerufen werden.
  • Wie in 9 gezeigt kann der Spannungsoffset gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung einen Zustand mit negativem Offset (-) im Ansprechen auf den anfänglichen Stromwert aufweisen, im Vergleich mit der ersten Ausführungsform. Wenn der Stromwert auf einen korrigierten Stromwert erhöht wird, um so den Zustand mit negativem (-) Offset zu korrigieren, dann kann der Diodenstrom um die Spannungsoffset-Korrektur der zweiten Ausführungsform ansteigen, und auch die Spannung kann im Ansprechen auf den ansteigenden Strom ansteigen.
  • 10A bis 10D sind Ansichten, die ein Verfahren zum Erfassen einer Temperatur für jede Probe gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung darstellen.
  • Wie sich der 10A entnehmen lässt kann vor einer Anwendung der Korrekturschaltung eine hohe Variation (oder eine hohe Abweichung) zwischen einer Vielzahl von Proben IGBT1 bis IGBT6 auftreten, wie in der grafischen Darstellung gezeigt, die die Temperaturerfassungswerte und die tatsächlichen Werte umfasst.
  • Wenn zum Beispiel die tatsächliche Temperatur auf 40 °C eingestellt ist, dann kann der IGBT2 den Erfassungstemperaturwert von ungefähr 48 °C erfassen und detektieren. Wenn die tatsächliche Temperatur auf 40 °C eingestellt ist, dann kann der IGBT2 den Erfassungstemperaturwert bei ungefähr 30 °C erfassen und detektieren. Wie voranstehend beschrieben, wenn eine hohe Variation (oder hohe Abweichung) unter den jeweiligen Proben auftritt, und wenn ein Motorantrieb-Betriebsbereich einen Spielraum umfasst, dann kann der Motorantrieb-Betriebsbereich beträchtlich in der Größe reduziert werden.
  • Wenn die Korrekturschaltung verwendet wird, wie in 10B gezeigt, kann eine Variation (oder Abweichung) unter den jeweiligen Proben minimiert werden.
  • Wenn zum Beispiel die tatsächliche Temperatur auf 40 °C eingestellt wird, dann kann der IGBT2 den Erfassungstemperaturwert von ungefähr 36 °C erfassen und detektieren. Wenn die tatsächliche Temperatur auf 40 °C eingestellt wird, dann kann der IGBT6 den Erfassungstemperaturwert von ungefähr 42 °C erfassen und detektieren.
  • Wenn eine geringe Variation (oder geringe Abweichung) unter den jeweiligen Proben auftritt, dann kann der Spielraum minimiert werden, so dass der Motorantriebs-Betriebsbereich in der Größe vergrößert werden kann.
  • Wie aus der obigen Beschreibung ersichtlich ist kann die IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und das Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser gemäß der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung die folgenden Wirkungen aufweisen.
  • Als erstes können die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung einen Offset, der eine Variation (d. h. Abweichung) für jede Temperaturerfassungsprobe gemäß der Halbleiterprozessvariation anzeigt, korrigieren, was zu einer Implementierung einer korrekten Temperaturerfassung führt.
  • Als zweites kann eine Überhitzung des Leistungsmoduls stabil verhindert werden, so dass eine thermische Zerstörung des Leistungsmoduls ebenfalls verhindert werden kann, was zu einer Garantie der Fahrsicherheit führt.
  • Als drittes wird der maximale Ausgangsstrombereich eines Umrichters, der benötigt wird, um den Motor anzusteuern bzw. anzutreiben, durch Minimierung des Entwurfsspielraums erweitert, was zu einem Anstieg des maximalen Ausgangsbereichs des Motors führt.
  • Als viertes wird eine Temperaturkorrektur unter Verwendung einer externen Schaltung erreicht, die einen sehr einfachen Aufbau aufweist, gemäß der Muster, die in dem Halbleiterchip gebildet sind.
  • Das Verfahren gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung kann als ein Programm hergestellt werden, welches von einem Computer ausgeführt werden kann und welches in einem Aufzeichnungsmedium, welches von dem Computer lesbar ist, gespeichert sein kann. Beispiele der Aufzeichnungsmedium, die von dem Computer gelesen werden können, können einen Nur-Lese-Speicher (EROM), einen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (RAM), einen Kompaktdisk-Nur-Lese-Speicher (CD-ROM), ein Magnetband, eine Floppydisk und eine optische Datenspeichereinrichtung umfassen. Die Aufzeichnungsmedien, die von dem Computer lesbar sind, können über Computersysteme, die miteinander über ein Netzwerk verbunden sind, verteilt sein, so dass der Code, der von dem Computer lesbar ist, in einer verteilten Weise gespeichert oder ausgeführt wird. Zusätzlich kann ein funktionales Programm, ein Code und Codesegmente zum Umsetzen des obigen Verfahrens von Programmierern in dem technischen Gebiet, auf das sich die Offenbarung bezieht, leicht erdacht werden.
  • Für Durchschnittsfachleute in dem technischen Gebiet wird erkenntlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Offenbarung durchgeführt werden können, ohne von dem Grundgedanken oder dem Umfang der Offenbarung abzuweichen. Deshalb muss die voranstehend erwähnte ausführliche Beschreibung nur für illustrativen Zwecke anstelle für restriktive Zwecke betrachtet werden. Der Umfang der vorliegenden Offenbarung muss durch eine rationale Analyse der Ansprüche bestimmt werden und sämtliche Modifikationen innerhalb von Äquivalenzbereichen der vorliegenden Offenbarung sind innerhalb des Umfangs der vorliegenden Offenbarung.

Claims (19)

  1. Isolationsgate-Bipolartransistor-Temperatursensor-Korrekturvorrichtung, umfassend: einen Isolationsgate-Bipolartransistor (IGBT); einen Temperatursensor, der eine Erfassungsdiode aufweist; und einen Prozessvariationssensor, der einen internen Widerstand aufweist.
  2. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend: einen externen Widerstand, der zu dem internen Widerstand in Reihe geschaltet ist, und konfiguriert ist, um einen Wert eines Stroms, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, zu bestimmen; und eine Treiber-Integrierte-Schaltung (IC), die konfiguriert ist, um eine Erfassungsspannung des Temperatursensors gemäß dem Stromwert zu korrigieren.
  3. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Treiber-IC die Erfassungsspannung des Temperatursensors in eine Temperaturinformation umwandelt.
  4. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Prozessvariationssensor ein Muster umfasst, welches aus einem niedrigdotierten Silizium gebildet ist.
  5. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 4, wobei der Prozessvariationssensor durch einen Fotolithographie-Prozess unter Verwendung der gleichen Maske, wie für den Temperatursensor verwendet, gebildet ist.
  6. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 4, wobei der Prozessvariationssensor umfasst: eine erste horizontale Widerstandslinie, die zu einem Gate-Pad in einem vorgegebenen Abstand liegt und in einer horizontalen Richtung angeordnet ist; eine erste vertikale Widerstandslinie, die senkrecht zu einem Ende der ersten horizontalen Widerstandslinie angeordnet ist; eine zweite horizontale Widerstandslinie, die horizontal zu einem Ende der ersten vertikalen Widerstandslinie angeordnet ist und zu der ersten horizontalen Widerstandslinie in einem vorgegebenen Abstand liegt; eine zweite vertikale Widerstandslinie, die senkrecht zu einem Ende der zweiten horizontalen Widerstandslinie angeordnet ist und zu der ersten vertikalen Widerstandslinie einem vorgegebenen Abstand liegt; und eine dritte horizontale Widerstandslinie, die zu einem Ende der zweiten vertikalen Widerstandslinie horizontal angeordnet ist und zu der zweiten horizontalen Widerstandslinie in einen vorgegebenen Abstand liegt.
  7. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 6, wobei ein Wert der Widerstandslinie einen Grad einer Prozessvariation des Temperatursensors anzeigt.
  8. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Treiber-IC den Stromwert, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, im Ansprechen auf einen Widerstandswert des internen Widerstands ändert und einen Spannungswert, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, im Ansprechen auf den geänderten Stromwert korrigiert.
  9. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 8, wobei: wenn die Erfassungsspannung des Temperatursensors niedriger als ein vorgegebener Wert ist, das Treiber-IC eine Offsetspannungs-Korrektur ausführt, die die Erfassungsspannung durch Erhöhung des Stromwerts, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, erhöht.
  10. IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung nach Anspruch 8, wobei: wenn die Erfassungsspannung des Temperatursensors höher als ein vorgegebener Wert ist, das Treiber-IC eine Offsetspannungs-Korrektur ausführt, die die Erfassungsspannung durch Verringerung des Stromwerts, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, verringert.
  11. Temperaturerfassungselement-Korrekturverfahren unter Verwendung eines Isolationsgate-Bipolartransistor (IGBT) Temperatursensors, wobei das Verfahren umfasst: Ändern, durch eine Treiber-Integrierte-Schaltung (IC) eines Werts eines Stroms, der einem Temperatursensor zugewiesen ist, gemäß einem Widerstandswert eines internen Widerstands eines Prozessvariationssensors; Korrigieren eines Spannungswerts im Ansprechen auf den geänderten Stromwert, der dem Temperatursensor zugewiesen ist; und Erfassen, durch den Temperatursensor, der korrigierten Spannung.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Änderung des Stromwerts umfasst: Bestimmen des Stromwerts, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, durch einen externen Widerstand, der zu dem internen Widerstand in Reihe geschaltet ist.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, ferner umfassend: Umwandeln der Erfassungsspannung des Temperatursensors in eine Temperaturinformation.
  14. Verfahren nach Anspruch 11, wobei der Prozessvariationssensor ein Widerstandsmuster umfasst, welches aus einem niedrig dotiertem Silizium gebildet ist.
  15. Verfahren nach Anspruch 13, wobei der Prozessvariationssensor durch einen Fotolithographie-Prozess unter Verwendung der gleichen Maske, wie für den Temperatursensor verwendet, gebildet wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 13, wobei der Prozessvariationssensor umfasst: eine erste horizontale Widerstandslinie, die zu einem Gate-Pad in einem vorgegebenen Abstand liegt und in einer horizontalen Richtung angeordnet ist; eine erste vertikale Widerstandslinie, die senkrecht zu einem Ende der ersten horizontalen Widerstandslinie angeordnet ist; eine zweite horizontale Widerstandslinie, die horizontal zu einem Ende der ersten vertikalen Widerstandslinie angeordnet ist und zu der ersten horizontalen Widerstandslinie in einem vorgegebenen Abstand liegt; eine zweite vertikale Widerstandslinie, die senkrecht zu einem Ende der zweiten horizontalen Widerstandslinie angeordnet ist und zu der ersten vertikalen Widerstandslinie in einem vorgegebenen Abstand liegt; und eine dritte horizontale Widerstandslinie, die horizontal zu einem Ende der zweiten vertikalen Widerstandslinie angeordnet ist und zu der zweiten horizontalen Widerstandslinie in einem vorgegebenen Abstand liegt.
  17. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Änderung des Stromwerts umfasst: wenn die Erfassungsspannung des Temperatursensors niedriger als ein vorgegebener Wert ist, Ausführen, durch das Treiber-IC, einer Offsetspannungs-Korrektur, um die Erfassungsspannung durch Erhöhung des Stromwerts, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, zu erhöhen.
  18. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die Änderung des Stromwerts umfasst: wenn die Erfassungsspannung des Temperatursensors höher als ein vorgegebener Wert ist, Ausführen, durch das Treiber-IC, einer Offsetspannungs-Korrektur, um die Erfassungsspannung wird durch Verringerung des Stromwerts, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, zu verringern.
  19. Nicht-flüchtiges von einem Computer lesbares Medium, welches Programmbefehle zum Ausführen eines Temperaturerfassungs-Korrekturverfahrens unter Verwendung eines Isolationsgate-Bipolartransistor (IGBT) Temperatursensors enthält, wobei die Programmbefehle, wenn sie von einem Prozessor ausgeführt werden, den Prozessor veranlassen zum: Ändern eines Werts eines Stroms, der einem Temperatursensor zugewiesen ist, gemäß einem Widerstandswert eines internen Widerstands eines Prozessvariationssensors; und Korrigieren eines Spannungswerts im Ansprechen auf den geänderten Stromwert, der dem Temperatursensor zugewiesen ist, wobei die korrigierte Spannung von dem Temperatursensor erfasst wird.
DE102017222923.3A 2017-05-08 2017-12-15 IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser Pending DE102017222923A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170057344A KR102388147B1 (ko) 2017-05-08 2017-05-08 Igbt 온도 센서 보정 장치 및 이를 이용한 온도센싱 보정 방법
KR10-2017-0057344 2017-05-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102017222923A1 true DE102017222923A1 (de) 2018-11-08

Family

ID=63895518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102017222923.3A Pending DE102017222923A1 (de) 2017-05-08 2017-12-15 IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10760980B2 (de)
KR (1) KR102388147B1 (de)
CN (1) CN108871618A (de)
DE (1) DE102017222923A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019128632A1 (de) * 2019-10-23 2021-04-29 Jungheinrich Aktiengesellschaft Verfahren zur Abschätzung der Temperatur eines Leistungshalbleiters eines Flurförderzeugs sowie Leistungselektronik eines Flurförderzeugs

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017105548A1 (de) * 2017-03-15 2018-09-20 Infineon Technologies Dresden Gmbh Halbleitervorrichtung, die eine gatekontaktstruktur enthält
KR20210020947A (ko) * 2018-06-04 2021-02-24 브레이크스로우 테크놀로지스 엘엘씨 폐열로부터의 에너지 회수
CN110044510A (zh) * 2019-05-17 2019-07-23 上海希形科技有限公司 Igbt模块测温电路、测温方法及计算机可读存储介质
KR102343296B1 (ko) 2019-11-28 2021-12-24 현대모비스 주식회사 Igbt 모듈의 온도 편차 보정 기능을 구비한 모터 구동 시스템
US20230158508A1 (en) * 2021-03-12 2023-05-25 Boe Technology Group Co., Ltd. Microfluidic substrate, microfluidic chip and manufacturing method thereof
CN114006353B (zh) * 2021-11-05 2024-01-30 珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司 Igbt结温识别方法及空调机组

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57192849A (en) * 1981-05-25 1982-11-27 Toyota Central Res & Dev Lab Inc Detecting device for limit current system oxygen concentration performing temperature compensation of measuring output
US4730228A (en) * 1986-03-21 1988-03-08 Siemens Aktiengesellschaft Overtemperature detection of power semiconductor components
JP3487009B2 (ja) * 1994-08-05 2004-01-13 株式会社デンソー 酸素センサのヒータ制御装置
US6348678B1 (en) * 2000-10-24 2002-02-19 Patrick V. Loyd, Sr. Flexible heater assembly
JP3861613B2 (ja) * 2001-03-27 2006-12-20 日産自動車株式会社 オンチップ温度検出装置
JP3720772B2 (ja) * 2002-01-31 2005-11-30 キヤノン株式会社 電流判定回路、電流判定回路を有する画像記録装置
JP3824984B2 (ja) * 2002-09-06 2006-09-20 三菱電機株式会社 排気ガスセンサの温度制御装置
US6955164B2 (en) * 2004-02-17 2005-10-18 Delphi Technologies, Inc. Automotive ignition system with sparkless thermal overload protection
JP5028748B2 (ja) * 2005-04-15 2012-09-19 富士電機株式会社 パワー半導体デバイスの温度計測装置
JP4730242B2 (ja) 2006-07-27 2011-07-20 トヨタ自動車株式会社 温度検出回路およびその補正方法
JP5034919B2 (ja) * 2007-12-13 2012-09-26 富士電機株式会社 温度センサ回路
US7868606B2 (en) * 2008-02-15 2011-01-11 International Business Machines Corporation Process variation on-chip sensor
KR101015049B1 (ko) * 2008-08-12 2011-02-16 한국전기연구원 공정 드리프트에 대한 보정 기능을 가지는 온도 센서 회로 및 그 방법
DE102009047185B4 (de) * 2009-11-26 2012-10-31 E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH Verfahren und Induktionsheizeinrichtung zum Ermitteln einer Temperatur eines mittels einer Induktionsheizspule erwärmten Kochgefäßbodens
US8614478B2 (en) * 2010-07-26 2013-12-24 Infineon Technologies Austria Ag Method for protecting a semiconductor device against degradation, a semiconductor device protected against hot charge carriers and a manufacturing method therefor
JP6104512B2 (ja) * 2011-04-01 2017-03-29 ローム株式会社 温度検出装置
EP2568268A1 (de) * 2011-09-07 2013-03-13 kk-electronic a/s Verfahren zur Bestimmung der Temperatur eines Halbleiterchips
DE102012005815B4 (de) * 2012-03-17 2015-10-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Einrichtung zur Ermittlung der Temperaturkalibrierkennlinie eines Halbleiterbauelements der Leistungselektronik
CN103378141B (zh) * 2012-04-25 2016-03-09 上海北车永电电子科技有限公司 绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
US20150346037A1 (en) * 2014-05-29 2015-12-03 Infineon Technologies Ag Integrated temperature sensor
US10132696B2 (en) * 2014-07-11 2018-11-20 Infineon Technologies Ag Integrated temperature sensor for discrete semiconductor devices
KR101655533B1 (ko) * 2014-09-22 2016-09-07 현대자동차주식회사 스위칭 소자의 온도 센싱 장치
US9829387B2 (en) * 2014-10-28 2017-11-28 Infineon Technologies Austria Ag System and method for temperature sensing
JP2016127435A (ja) * 2015-01-05 2016-07-11 三菱電機株式会社 半導体装置
CN104848961A (zh) * 2015-05-14 2015-08-19 哈尔滨工业大学 基于饱和导通压降测量igbt结温的温度定标平台及实现igbt结温测量的方法
US10074580B2 (en) * 2015-06-17 2018-09-11 Northeastern University Method to use on-chip temperature sensors for detection of Trojan circuits
JP6686398B2 (ja) * 2015-12-03 2020-04-22 富士電機株式会社 半導体装置
KR101673825B1 (ko) 2015-12-09 2016-11-08 현대자동차주식회사 스위치 모듈의 과전류 검출 시스템
CN105928637B (zh) * 2016-06-27 2019-01-04 滨州学院 一种igbt功率模块芯片温度标定装置及其温度修正方法
KR101856335B1 (ko) * 2016-06-30 2018-05-09 현대자동차주식회사 다이오드 온도 감지의 자동 보정이 가능한 ｉｇｂｔ 온도 감지 회로
TWI712925B (zh) * 2017-01-24 2020-12-11 瑞昱半導體股份有限公司 電子裝置與其控制方法
US10462861B2 (en) * 2018-04-20 2019-10-29 Advanced Regulated Power Technology, Inc. Adaptive power regulation of LED driver module for emergency lighting

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019128632A1 (de) * 2019-10-23 2021-04-29 Jungheinrich Aktiengesellschaft Verfahren zur Abschätzung der Temperatur eines Leistungshalbleiters eines Flurförderzeugs sowie Leistungselektronik eines Flurförderzeugs

Also Published As

Publication number Publication date
CN108871618A (zh) 2018-11-23
KR102388147B1 (ko) 2022-04-19
US20180321094A1 (en) 2018-11-08
US10760980B2 (en) 2020-09-01
KR20180123311A (ko) 2018-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102017222923A1 (de) IGBT Temperatursensor-Korrekturvorrichtung und Temperaturerfassungs-Korrekturverfahren unter Verwendung von dieser
DE102018212024A1 (de) Verfahren und system zum steuern der temperatur eines heizelementes
JP2002523902A (ja) パワートランジスタ装置
DE102017107521A1 (de) Elektrische Schalt- und Schutzschaltung mit mehreren Betriebsarten
DE102017107523A1 (de) Elektronische Schalt- und Schutzschaltung
DE102017106497B4 (de) System und verfahren für einen high-side-leistungsschalter
EP2662675A1 (de) Verfahren für die Bestimmung eines Stresswertes für isotropen Stress und Verfahren für die Bestimmung eines Magnetfeldes und Stresssensor und Hallsensor
DE112013007602T5 (de) Halbleiterelement-Treiberschaltung
DE10114825C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ermitteln einer Betriebstemperatur bei einem Halbleiterbauelement
US20130051428A1 (en) Combined device identification and temperature measurement
DE102017107522A1 (de) Elektronische Schalt- und Schutzschaltung mit Testbetriebsfunktion
DE102015104592A1 (de) Temperaturabhängige Strombegrenzung
DE19644193A1 (de) Integrierte Überlastschutzeinrichtung
DE102010039904A1 (de) Umgebungstemperaturabhängiger thermischer Schutz von Leistungsbauelementen
DE102008022201B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Messen einer lokalen Oberflächentemperatur eines Halbleiterbauelements
DE102016113846A1 (de) Halbleiterbauelemente, elektrische Bauelemente und Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements
DE102021103422A1 (de) Ermittlung der durchbruchspannung
DE102011088728B4 (de) Lebensdauerschätzverfahren für eine Halbleitervorrichtung
EP3236223A1 (de) Vorrichtung zur bestimmung von parametern zur schätzung der temperatur eines schaltelements eines wechselrichters
CN114511120B (zh) 基于温度视觉电线的电力设备故障诊断方法
US20160224716A1 (en) Method for designing diodes
DE10205502B4 (de) Halbleiterbauelement mit integriertem Temperatursensor
CN117232662B (zh) 一种红外焦平面探测器盲元分类方法、装置、设备及介质
CN112993004B (zh) 半导体结构及其制作方法、电容检测方法
CN210640254U (zh) 半导体结构

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication