CN108871618A - Igbt温度传感器校正装置和使用其的温度感测校正方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)温度传感器校正装置,包括:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)；具有感测二极管的温度传感器；以及具有内部电阻器的过程变化传感器。

Description

IGBT温度传感器校正装置和使用其的温度感测校正方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年5月8日提交的韩国专利申请No.10-2017-0057344的权益，所述申请的全部内容通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开涉及一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)温度传感器校正装置以及使用所述绝缘栅双极型晶体管(IGBT)温度传感器校正装置的温度感测校正方法，并且更具体地涉及一种包括校正电路的IGBT温度传感器校正装置，所述校正电路能够最小化由基于温度的半导体特性导致的误差，以及使用所述IGBT温度传感器校正装置的温度感测校正方法。
背景技术
传统的温度传感器可以实现为布置在IGBT模块的直接焊接铜(DBC)上的负温度系数(NTC)型温度传感器。DBC温度可与站在DBC底部的冷却器的温度几乎相同。传统的温度传感器必须测量待实际加热的半导体芯片的结温，从而监测冷却剂温度，导致出现意想不到的误差。
因此，近来已经开发了直接检测IGBT结温的改进方案，其将多晶硅二极管集成到IGBT芯片上，并且因此使用多晶硅二极管的电压-温度特性来直接检测IGBT温度。然而，IGBT芯片的半导体过程变化(即，半导体制造的偏差)经常发生，使得改进的方案难以估计正确的温度，并且在每个样品中出现意外的误差。
作为结果，可发生三相逆变器的每个相的温度感测值的偏差，并且也可出现每个产品的偏差。因此，应该根据IGBT热模型和温度传感偏差来限制温度传感器的最大电流，并且应该类似地限制电动车辆和混合动力车辆的电动机的最大输出。另外，假定在寿命终了时(EOL)的温度估算被错误地执行，由于功率模块的热破坏，驾驶员的安全可能被置于危险之中。
图1是示出基于传统二极管结温(Tj)的导通电压特性的视图。如图1所示，嵌入在IGBT中的二极管温度传感器(在下文中称为温度传感器)的导通电压(以下称为V_F)可能与嵌入在IGBT中的二极管温度传感器(以下称为温度传感器)的IGBT结温(Tj)成反比。因此，根据温度的变化监测导通电压(V_F)，从而可以估计IGBT的温度(T_j)。
图2是示出传统的温度感测保护电路的电路图。
如图2所示，温度感测保护电路200可以包括微处理器210、比较器220、恒定电流源230、温度感测二极管240、IGBT 250和DC电源260。温度感测二极管240可以是感测元件，以用于感测或检测IGBT 250的温度，并且IGBT 250可以包括单个二极管或串联连接的至少两个二极管，使得温度感测保护电路200可以以电流可以从恒流源流动到作为温度传感器的二极管的方式配置。
在上述温度感测保护电路中，温度感测二极管240可以以该方式与IGBT 250中包括的加热部件(例如，靠近半导体芯片的特定位置)集成，即使得温度感测二极管240可以用作用于检测IGBT温度的感测元件。电源和电阻器可以连接到二极管的输入端子，使得预定电流可以流入二极管的输入端子。
温度感测二极管240可以通过嵌入在上述电路中的恒流源230导通，使得可以确定电压(V_F)的值。在这种情况下，可以将基于温度的电压值施加到比较器220的正(+)输入端子。DC输入值可以施加到比较器220的负(-)输入端子，并且DC电压值可以由IGBT的过热保护水平来计算和确定。
再次参考图1，假定DC电压可以设定为约2.2V。如果温度(Tj)对应于室温，则电压(V_F)的值为约2.7V，使得V_F值高于过热保护水平。作为结果，温度(FLT_TEMP)以高电平(高)输出。随着温度(Tj)逐渐升高到150℃，电压(V_F)为约2.2V。如果V_F电压低于DC电压，则温度(FLT_TEMP)被输出为低电平(LOW)。
上述FLT_TEMP信号可以由微处理器210监测，以限制输出电流或关闭IGBT，从而防止功率模块的热损坏。
图3A和图3B包括说明常规温度传感器的视图。
图3A示出其中包括温度传感器310的IGBT的布局结构。在这种情况下，TEMP(+)可以指示二极管的阴极，而TEMP(-)可以指示二极管的阳极。
图3B是示出温度传感器的一个区域的截面图。如图3B所示，温度传感器310可以包括硅321、钝化膜322、多晶硅323、TEMP(+)金属325、TEMP(-)金属325和保护层326。
为了形成上述组成元件，需要以下半导体制造过程。钝化膜322可以沉积在将要形成温度传感器310的特定部分上。作为结果，形成了IGBT的高电流路径，从而防止了二极管的损坏。
多晶硅323可以沉积在钝化膜322上。温度传感器310的图案可以通过光过程(即，光刻过程)形成。阴极区域可以掺杂有P+掺杂剂，并且阳极区域可以掺杂有N+掺杂剂，从而导致形成二极管结构。
在这种情况下，在上述半导体制造过程的光过程中可发生显着的错误。作为结果，由于在形成多晶硅层时所遇到的半导体过程变化(即，半导体制造的偏差)，可出现每个样品的上述温度传感器的高感测电压。
发明内容
因此，本公开涉及一种IGBT温度传感器校正装置以及使用所述IGBT温度传感器校正装置的温度感测校正方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种IGBT温度传感器校正装置，以用于通过根据过程变化调整二极管电流来校正温度感测电压。
本公开的优点、目的和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且在研究以下部分时将部分对于本领域的普通技术人员明显，或者可以从实践本公开中学习。本公开的目的和其他优点可以通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
根据本公开的实施例，绝缘栅双极型晶体管(IGBT)温度传感器校正装置包括：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)；温度传感器，其具有感测二极管；以及过程变化传感器，其具有内部电阻器。
此外，根据本公开的实施例，使用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)温度传感器的温度感测校正方法包括：根据过程变化传感器的内部电阻器的电阻值，通过驱动器集成电路(IC)改变分配给温度传感器的电流的值；响应于分配给温度传感器的改变的电流值来校正电压值；以及通过温度传感器检测校正的电压。
应当理解的是，本公开的上述一般性描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入和构成本申请的一部分的附图示出了本公开的实施例(多个实施例)，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：
图1至图3B是示出传统温度传感器的视图。
图4是示出根据本公开的实施例的IGBT温度传感器校正装置的电路图。
图5A和图5B是示出根据本公开的实施例的IGBT芯片的概念图。
图6是示出根据本公开的实施例的过程变化传感器的图案的概念图。
图7A至图7C是示出根据本公开的实施例的过程变化传感器与温度传感器之间的相关性的概念图。
图8是示出根据本公开的实施例的用于控制IGBT温度传感器校正装置的方法的附加流程图。
图9是示出根据本公开的实施例的由电压偏移校正引起的特性的视图。
图10A至图10D是示出根据本公开的实施例的用于感测每个样品的温度的方法的视图。
应该理解的是，以上参考的附图不一定按比例绘制，从而呈现了说明本公开的基本原理的各种优选特征的稍微简化的表示。包括例如具体尺寸、取向、位置和形状的本公开的具体设计特征将部分由特定的预期应用和使用环境来确定。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述根据本公开的实施例的装置和方法。在下面的描述中，仅考虑以下说明书的撰写方便性，在将要描述的组成元件方面包含的后缀“模块”和“单元”将被一起选择或使用，并且后缀“模块”和“单元”不一定有不同的含义或角色。
在下面的描述中，假定某个物体形成在相应组成元件的上方(上面)或下方(下面)，这意味着两个组成元件彼此直接接触，或者一个或多个组成元件被设置和形成在两个组成元件之间。另外，假定某个物体形成在相应组成元件上面或下方，这意味着物体也可以基于一个组成元件的位置而被布置在向上或向下的方向上。
应该理解的是，虽然这里可以使用术语第一、第二、A、B、(a)、(b)等来描述本公开的各个元件，但是这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件，并且相应元件的本质、顺序或序列不受这些术语的限制。应该理解的是，当一个元件被称为“连接到”、“耦合到”另一个元件或“由另一个元件访问”时，一个元件可以经由另外的元件“连接到”、“耦合到”另一个元件或“由另一个元件访问”，尽管一个元件可以直接连接到另一个元件或直接由另一个元件访问。
除非另有说明，否则本文所述的术语“包括”、“包含”或“具有”应该被解释为不排除其他元件，而是进一步包括这样的其他元件，这是因为相应元件可以是固有的。包括技术或科学术语的所有术语具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义，除非另有说明。通常使用的术语，诸如词典中定义的术语，应该被解释为与来自上下文的相关技术的含义相一致。除非在本公开中明确定义，否则该类术语不应被解释为具有理想的或过于正式的含义。
本公开的实施例涉及IGBT温度传感器校正装置以及使用该IGBT温度传感器校正装置的温度感测校正方法，所述IGBT温度传感器校正装置包括能够最小化由基于温度的半导体特性引起的误差的校正电路，使得IGBT温度传感器校正装置和使用其的温度感测校正方法可以更精确地感测温度并且可以减小IGBT的最大输出容限。
图4是示出根据本公开的实施例的IGBT温度传感器校正装置的电路图。
如图4所示，IGBT温度传感器校正装置400可以包括驱动器集成电路(IC)410、外部电阻器420和IGBT芯片430。
驱动器ID 410可以输出驱动温度传感器所需的恒定电压源(Vref)。
驱动器IC 410可以对应于外部电阻器420的电阻值，并且可以调整分配给温度传感器的电流的值。
驱动器IC 410可以响应于外部电阻器420的电阻来校正温度传感器的感测电压。
驱动器IC 410可以将二极管电压(Vtemp)转换成温度信息。驱动器IC 410可以执行温度信息的转换，并且可以将转换结果应用于保护功能等。
外部电阻器420可以布置在驱动器IC 410和IGBT芯片430之间。
外部电阻器420可以具有确定IGBT温度传感器校正装置400的工作电流的值所需的外部电阻值。可以通过用户选择来随机选择外部电阻器420的电阻值。如果外部电阻器420的电阻值被优化，则可以根据过程变化来调整二极管电流值。
通过调整外部电阻器420的电阻值，可以校正温度传感器的电压值。
IGBT芯片430可以包括内部电阻器440和感测二极管450。IGBT芯片430可以感测和检测过程变化。
内部电阻器440可以位于IGBT芯片上，并且可以布置在外部电阻器和温度传感器之间。
内部电阻器440可以由在IGBT芯片430中设计的过程变化来确定。
上述过程变化可以包括指示在光刻过程、蚀刻过程等中遇到的变化(或偏差)的电阻值。
例如，如果内部电阻器440的正常电阻设计值由R’表示，则内部电阻器440可以根据其过程变化具有R’±△R，其中△R可以是根据过程变化而改变的电阻值。
感测二极管450可以位于IGBT芯片430处，并且可以串联连接到内部电阻器440。感测二极管450可以包括多个二极管。
电流可以在感测二极管450中流动。由于欧姆定律(V＝IR)，考虑到外部电阻器420和内部电阻器440，电流(IF)可以由以下等式1表示。
[等式1]
IF＝(Vref–Vtemp)/(外部电阻器+内部电阻器)
在等式1中，Vref可以表示内部驱动电压，Vtemp可以表示二极管的两端之间的电压，外部电阻器可以表示决定工作电流值所需的外部电阻值，并且内部电阻器可以表示指示过程变化的电阻值。
另外，电流(IF)可以根据肖克利二极管方程由以下等式2表示。
[等式2]
IF＝Is[e^(Vtemp/VT)-1]
在等式2中，Is可以表示饱和电流，并且Vtemp、VT＝kT/q、Is、k、q中的每个可以是恒定值(即，不变数)。
图5A和图5B是示出根据本公开的实施例的IGBT芯片的概念图。
图5A是IGBT芯片的布局图。
如图5A所示，IGBT芯片430可以包括过程变化传感器510和温度传感器520。
过程变化传感器510可以包括内部电阻器440。也就是说，过程变化传感器的形线可以是由低掺杂硅形成的电阻器线。
过程变化传感器510的图案可以根据需要改变为其他图案，但不限于此。
包含在上述过程变化传感器中的电阻器可以通过使用与上述二极管温度传感器层中相同的掩模的光刻过程(以下称为“光过程”)来形成。
当用于形成温度传感器的光过程中发生容差时，过程变化传感器510可以检测在光过程中遇到的偏差的程度。
温度传感器520可以连接到过程变化传感器510，并且可以形成在IGBT芯片的下端的中心处。温度传感器520可以包括感测二极管450。
图5B是示出温度传感器和过程变化传感器510的垂直横截面图。
温度传感器520可以包括硅层531、钝化膜532、多晶硅层533、TEMP(+)金属534、TEMP(-)金属535和保护层536。
钝化膜532可以形成在将要形成温度传感器520的部分处。可以在钝化膜532上方形成多晶硅层。可以通过光过程将多晶硅形成为具有温度传感器520和过程变化传感器510的图案。
此后，多晶硅层533可以允许阴极区掺杂有P+掺杂剂。多晶硅层533可以允许阳极区掺杂有N+掺杂剂。多晶硅层533可以通过这种掺杂来构造二极管结构。
TEMP(+)金属534可以是二极管的阴极，并且TEMP(-)金属535可以是二极管的阳极。
过程变化传感器510可以由低掺杂材料(P-或N-)代替高掺杂材料形成。过程变化传感器510可以具有与电阻器图案类似的图案。因此，过程变化传感器510可以包括由低掺杂硅材料543形成的电阻器线。
过程变化传感器510可以包括：1)第一水平电阻器线，其与栅极焊盘隔开预定的距离并在水平方向上布置；2)第一垂直电阻器线，其垂直于第一水平电阻器线的一端布置；3)第二水平电阻器线，其与第一垂直电阻器线的一端水平布置并与第一水平线间隔开预定距离；4)第二垂直电阻器线，其垂直于第二水平电阻器线的一端布置并与第一垂直电阻器线隔开预定距离；以及5)第三水平电阻器线，其与第二垂直电阻器线的一端水平布置并且与第二水平线间隔开预定距离。
过程变化传感器510可以通过与温度传感器520中相同的光过程来形成。因此，过程变化传感器510的电阻值可以表示由温度传感器520引起的过程变化的程度。因此，电阻器线的值表示温度传感器520的过程变化的程度。
图6是示出根据本公开的实施例的过程变化传感器的图案的概念图。
如图6所示，过程变化传感器510可根据需要具有由光过程遇到的各种偏差。由于这种偏差的发生，过程变化传感器510的总长度和总宽度可以以各种方式改变。因此，也可以响应于过程变化传感器510的总长度和总宽度改变电阻值。
图6的(a)部分示出过程变化传感器510被形成为具有预定图案的示例性情况。在这种情况下，过程变化传感器510的电阻值可以具有预定电阻值。预定电阻值可以表示正常状态(或稳定状态)。
如从图6的(b)部分可以看出，假定过程变化传感器510的电阻图案与上述正常状态相比在垂直方向上减小，则温度传感器520的电阻值可增加，分配给温度传感器520的电流值可减小，并且分配给温度传感器520的电压值可增加。
如从图6的(c)部分可以看出，假定过程变化传感器510的电阻图案与正常状态相比在垂直方向上延伸，则温度传感器520的电阻值可减小，分配给温度传感器520的电流值可增加，并且分配给温度传感器520的电压值可减小。
如从图6的(d)部分可以看出，假定过程变化传感器510的电阻图案与正常状态相比在水平方向上减小，则温度传感器520的电阻值可减小，分配给温度传感器520的电流值可增加，并且分配给温度传感器520的电压值可减小。
如从图6的(e)部分可以看出，与正常状态相比，过程变化传感器510的图案可以不同于图6的(a)部分的过程变化传感器510的图案。
如果电阻值响应于上述模式增加，则温度传感器520的电阻值可增加，分配给温度传感器520的电流值可减小，并且分配给温度传感器520的电压值可增加。
如果电阻值响应于上述模式减小，则温度传感器520的电阻值可减小，分配给温度传感器520的电流值可增加，并且分配给温度传感器520的电压值可减小。
如从图6的(f)部分可以看出，假定过程变化传感器510的宽度与正常状态相比宽度减小，则电阻值可增加，温度传感器的电阻值可增加，分配给温度传感器520的电流值可减小，并且分配给温度传感器520的电压值可增加。
如从图6的(g)部分可以看出，假定过程变化传感器510的宽度与正常状态相比在水平方向上延伸，则电阻值可增加，温度传感器520的电阻值可增加，分配给温度传感器520的电流值可减小，并且分配给温度传感器520的电压值可增加。
如从图6的(h)部分可以看出，假定过程变化传感器510的宽度与正常状态相比被延长，则电阻值可减小，温度传感器520的电阻值可减小，被分配给温度传感器520的电流值可增加，并且被分配给温度传感器520的电压值可减小。
图7A至图7C包括示出根据本公开的实施例的过程变化传感器与温度传感器之间的相关性的概念图。
图7A示出根据本公开的实施例的过程变化传感器的图案和温度传感器的图案。
如图7A所示，假定根据第一示例的过程变化传感器510的图案是正常的，则过程变化传感器510可以具有预定电阻值。如果上述电阻器正常，则被分配给该电阻器的电流值可以被设定为预定电流值。分配给温度传感器520的电压值可被设定为预定电压值。
本公开的第二示例公开了过程变化传感器520的图案可以具有比正常图案的宽度大的宽度。根据第二示例的过程变化传感器510的电阻值可以高于正常情况下的电阻值。如果电阻器图案的图案的宽度增加，则二极管的宽度也可以增加。如果二极管的宽度增加，则二极管的感测电压值可减小。这意味着偏移可低于具有正常状态的二极管的偏移。
本公开的第三示例公开了过程变化传感器510的图案可以具有比正常图案的宽度更小的宽度。根据第三示例的过程变化传感器510的电阻值可以低于正常情况下的电阻值。如果电阻器图案的图案的宽度减小，则二极管的宽度也可减小。如果二极管的宽度减小，则二极管的感测电压值可增加。这意味着偏移量可高于具有正常状态的二极管的偏移量。
图7B示出根据图7A的实施例的二极管特性。
如图7B所示，由于过程变化的发生，温度传感器可具有不同的电阻值。作为结果，当以相同的电流驱动时，第一示例、第二示例和第三示例可以具有不同的电压值。
如果由过程变化引起的电阻值增加，则温度传感器520的感测电压值也可增加。如果由过程变化引起的电阻值减小，则温度传感器520的感测电压值也可减小。
因此，温度传感器420的电压可以与过程变化的电阻值成比例。通过过程变化传感器510的电阻值与温度传感器520的电压值之间的关系，可以调整由过程变化引起的电压偏移值。
图7C示出根据本公开的实施例的温度传感器的布局图。
如图7C所示，考虑到感测分辨率，温度传感器可以包括彼此串联连接的3个至4个二极管。上述二极管在室温下可具有约0.8V的电压。因此，温度传感器可以具有2.4V至3.2V的电压范围。
图8是示出根据本公开的实施例的用于控制IGBT温度传感器校正装置的方法的附加流程图。
如图8所示，IGBT温度传感器校正方法可以包括：第一步骤S810，其中驱动器IC响应于过程变化传感器的内部电阻器的电阻值改变分配给温度传感器的电流值；以及第二步骤S820，其中驱动器IC根据改变的电流值校正分配给温度传感器的电压值。
例如，处于非校正偏移状态的IGBT温度传感器电路500的过程变化传感器520可以感测并检测由增加的图案宽度引起的过程变化。
如果发生过程变化，则温度传感器520的二极管宽度可增加。如果二极管宽度增加，则二极管的电阻值可减小。如果二极管电阻减小，则二极管的感测电压可减小，从而导致实现负(-)偏移状态。如果达到负(-)偏移状态，则温度传感器520可以在比实际温度更高的温度下检测当前状态的温度。
例如，根据第二实施例的处于校正偏移状态的IGBT温度传感器电路500的过程变化传感器520可以感测并检测由增加的图案宽度引起的过程变化。如果发生过程变化，则温度传感器520的二极管宽度可增加。
如果二极管宽度增加，则二极管的电阻值可减小。如果二极管的电阻值减小，则二极管的感测电压可减小，从而导致实现负(-)偏移状态。
如果发生固定变化(或偏差)，则过程变化传感器的内部电阻器的图案宽度可增加。如果内部电阻器的图案宽度增加，则内部电阻值可减小。
如果内部电阻值减小，则流入内部电阻器的电流可增加。如果电流增加，则二极管感测电压增加，使得偏移电压可以被校正为正(+)电压值。
图9是示出根据本公开的实施例的由电压偏移校正引起的特性的视图。
如图9所示，与第一实施例相比，根据本公开的实施例的电压偏移可以响应于初始电流值而具有负(-)偏移状态。如果电流值增加到校正的电流值从而校正负(-)偏移状态，则二极管电流可以通过第二实施例的电压偏移校正而增大，并且电压也可以响应于增加的电流而增加。
图10A至图10D是示出根据本公开的实施例的用于感测每个样本的温度的方法的视图。
从图10A中可以看出，在应用校正电路之前，如包括温度感测值和实际值的曲线图所示，可发生多个样本IGBT1至IGBT6之间的高变化(或高偏差)。
例如，如果实际温度被设定为40℃，则IGBT2可以感测并检测约48℃的感测温度值。如果实际温度设置为40℃，则IGBT2可以在大约30℃下感测和检测感测温度值。如上所述，如果发生各个样本之间的高变化(或高偏差)，并且如果电动机驱动操作区域包括容限，则电动机驱动操作区域的尺寸可以显着减小。
如果使用校正电路，如图10B所示，各个样本之间的变化(或偏差)可以被最小化。
例如，如果实际温度被设定为40℃，则IGBT2可以感测并检测约36℃的感测温度值。如果实际温度设置为40℃，则IGBT6可以感测并检测约42℃的感测温度值。
如果发生各个样本之间的低变化(或低偏差)，则容限被最小化，使得电动机驱动操作区域的尺寸可以增大。
从以上描述中显而易见的是，根据本公开的实施例的IGBT温度传感器校正装置以及使用所述IGBT温度传感器校正装置的温度感测校正方法可以具有以下效果。
第一，本公开的实施例可以根据半导体过程变化来校正指示每个温度感测样本的变化(即，偏差)的偏移，从而导致实现正确的温度检测。
第二，可以稳定地防止功率模块的过热，使得也可以防止功率模块的热损坏，从而保证驾驶员的安全。
第三，通过最小化设计容限来扩大驱动电动机所需的逆变器的最大输出电流范围，从而导致电动机的最大输出范围增加。
第四，根据在半导体芯片中形成的图案，使用具有非常简单的结构的外部电路来实现温度校正。
根据本公开的实施例的方法可以被制造为可以由计算机执行的程序，并且可以被存储在计算机可读的记录介质中。可由计算机读取的记录介质的示例可以包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、光盘只读存储器(CD-ROM)、磁带、软盘和光学数据存储设备。计算机可读的记录介质可以分布到通过网络彼此连接的计算机系统，使得计算机可读的代码以分布式的方式被存储或执行。另外，用于实现上述方法的功能程序、代码和代码段可以容易地由本公开所属领域的程序员推理。
对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变化。因此，上述的详细说明仅为了说明的目的，而不是限制的目的。本公开的范围必须通过由权利要求的合理分析来决定，并且在本公开的等效范围内的所有修改都在本公开的范围内。

Claims (19)

1.一种绝缘栅双极型晶体管温度传感器校正装置，包括：
绝缘栅双极型晶体管IGBT；
温度传感器，其具有感测二极管；以及
过程变化传感器，其具有内部电阻器。
2.根据权利要求1所述的IGBT温度传感器校正装置，进一步包括：
外部电阻器，其串联连接到所述内部电阻器，并被配置为确定分配给所述温度传感器的电流的值；以及
驱动器集成电路IC，其被配置为根据所述电流值校正所述温度传感器的感测电压。
3.根据权利要求2所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述驱动器IC将所述温度传感器的感测电压转换为温度信息。
4.根据权利要求1所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述过程变化传感器包括由低掺杂硅形成的电阻器图案。
5.根据权利要求4所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述过程变化传感器通过使用与用于所述温度传感器的掩模相同的掩模的光刻过程形成。
6.根据权利要求4所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述过程变化传感器包括：
第一水平电阻器线，其与栅极焊盘隔开预定距离并且在水平方向上布置；
第一垂直电阻器线，其垂直于所述第一水平电阻器线的一端布置；
第二水平电阻器线，其与所述第一垂直电阻器线的一端水平布置，并且与所述第一水平电阻器线隔开预定距离；
第二垂直电阻器线，其垂直于所述第二水平电阻器线的一端布置并且与所述第一垂直电阻器线隔开预定距离；以及
第三水平电阻器线，其与所述第二垂直电阻器线的一端水平布置，并且与所述第二水平电阻器线隔开预定距离。
7.根据权利要求6所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述电阻线的值指示所述温度传感器的过程变化的程度。
8.根据权利要求2所述的IGBT温度传感器校正装置，其中所述驱动器IC响应于所述内部电阻器的电阻值来改变分配给所述温度传感器的电流值，并且响应于改变的电流值来校正分配给所述温度传感器的电压值。
9.根据权利要求8所述的IGBT温度传感器校正装置，其中：
当所述温度传感器的所述感测电压低于预定值时，所述驱动器IC通过增加分配给所述温度传感器的电流值来执行增加所述感测电压的偏移电压校正。
10.根据权利要求8所述的IGBT温度传感器校正装置，其中：
当所述温度传感器的感测电压高于预定值时，所述驱动器IC通过减小分配给所述温度传感器的电流值来执行减小所述感测电压的偏移电压校正。
11.一种使用绝缘栅双极型晶体管IGBT温度传感器的温度感测校正方法，所述方法包括：
通过驱动集成电路IC根据过程变化传感器的内部电阻的电阻值来改变分配给温度传感器的电流值；
响应于分配给所述温度传感器的改变的电流值来校正电压值；以及
由所述温度传感器感测校正的电压。
12.根据权利要求11所述的方法，其中改变所述电流值包括：
通过串联连接到所述内部电阻器的外部电阻器确定分配给所述温度传感器的电流值。
13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
将所述温度传感器的所述感测电压转换成温度信息。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述过程变化传感器包括由低掺杂硅形成的电阻器图案。
15.根据权利要求13所述方法，其中所述过程变化传感器通过使用与用于所述温度传感器的掩模相同的掩模的光刻过程形成。
16.根据权利要求13所述的方法，其中所述过程变化传感器包括：
第一水平电阻器线，其与栅极焊盘隔开预定距离并且在水平方向上布置；
第一垂直电阻器线，其垂直于所述第一水平电阻器线的一端布置；
第二水平电阻器线，其与所述第一垂直电阻器线的一端水平布置，并且与所述第一水平电阻器线隔开预定距离；
第二垂直电阻器线，其垂直于所述第二水平电阻器线的一端布置并且与所述第一垂直电阻器线隔开预定距离；以及
第三水平电阻器线，其与所述第二垂直电阻器线的一端水平布置，并且与所述第二水平电阻器线隔开预定距离。
17.根据权利要求11所述的方法，其中改变所述电流值包括：
当所述温度传感器的感测电压低于预定值时，由所述驱动器IC执行偏移电压校正以通过增加分配给所述温度传感器的所述电流值来增加所述感测电压。
18.根据权利要求11所述的方法，其中改变所述电流值包括：
当所述温度传感器的所述感测电压高于预定值时，所述驱动器IC通过减小分配给所述温度传感器的所述电流值来执行偏移电压校正以减小所述感测电压。
19.一种包含用于使用绝缘栅双极型晶体管IGBT温度传感器来执行温度感测校正方法的程序指令的非暂时性计算机可读介质，所述程序指令在由处理器执行时使得所述处理器：
根据过程变化传感器的内部电阻器的电阻值改变分配给温度传感器的电流值；以及
响应于分配给所述温度传感器的改变的电流值来校正电压值；
其中校正的电压由所述温度传感器感测。
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